JP6025369B2 - オブジェクトによる使用のために放射ビームを調整するための光学装置、リソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法 - Google Patents
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Description
ここで、λは用いられる放射の波長であり、NAPSはパターンのプリントに用いられる投影システムの開口数であり、k1はレイリー定数とも呼ばれる、プロセス依存型調節係数であり、CDはプリントされたフィーチャのフィーチャサイズ(またはクリティカルディメンション)である。式(1)から、フィーチャの最小プリント可能サイズの縮小は、3つの方法、すなわち、露光波長λを短くすること、開口数NAPSを大きくすること、またはk1の値を小さくすることによって得られることが分かる。
ここで、Aは散乱面の面積であり、Ωは観察者(例えば瞳ファセットミラー24a〜d)によって範囲が定められる立体角であり、Φは総放出パワーである。ランバート(Lambertian)散乱面では、式(1)は、
をもたらし、これはθに依存しない。したがって、ランバート面はどの角度から見ても等しく明るく見える。
により与えられる。不所望の波長を有する放射の抑制因子Sは、次式:
により与えられる。θ0がθ2よりはるかに大きい場合、式4は、
のように近似される。式(4)および(5)から、抑制因子Sは、最大散乱角θ0に二次従属性を有することが分かる。抑制因子Sの二次関係は、θ2よりも数倍広いだけの散乱角θ0に対して、不所望の波長を有する放射の強い抑制が得られることを示す。
第2節:第1節に記載された光学装置であって、主反射型素子は、主反射型素子のアレイのうちの1つであり、各主反射型素子は、主反射型素子をターゲット位置上に投影するように構成された対応する副反射型素子に関連付けられており、放射源からの放射ビームの対応する部分を受取り、放射の対応する部分を、対応する関連付けられた副反射型素子に反射するように構成され、また、第2の波長範囲にある、放射の対応する部分の放射が、ある程度の散乱を受けるように形成され、ある程度の散乱は、第2の波長範囲にある、放射の対応する部分の放射の大部分が、関連付けられた対応する副反射型素子とは異なる複数の副反射型素子のうちの1つまたは複数の素子に誘導されるように設定される。
第3節:第1または第2節に記載される光学装置であって、ある程度の散乱は、第2の波長範囲にある放射の25%未満、任意選択的に15%、5%、または1%未満が、主反射型素子から関連付けられた副反射型素子または関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの1つに誘導されるような程度の散乱である。
第4節:第3節に記載される光学装置であって、主反射型素子は、第3の波長範囲にある放射の、ターゲット位置に向かう反射を抑制するように構成された位相格子構造を組み込み、第3の波長範囲にある波長は、1μmより長い。
第5節:第1から第4節のいずれかに記載される光学装置であって、第1の波長範囲は、EUV波長範囲5〜20nm内、または範囲13〜14nm内、または範囲6.5〜7nm内である。
Claims (16)
- 放射ビームを調整するための光学装置であって、
放射源から前記放射ビームを受取り、前記放射ビームを第2の反射型コンポーネントに反射するように構成され、主反射型素子を含む第1の反射型コンポーネントと、
前記ビームをターゲット位置に反射するように構成され、副反射型素子のアレイを含む前記第2の反射型コンポーネントと、を含み、
前記主反射型素子は、第1の波長範囲にある放射を、関連付けられた副反射型素子、又は、関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの1つに反射するように構成され、前記主反射型素子は、第2の波長範囲にある放射が、ある程度の散乱を受けるように形成され、前記散乱の程度は、前記第2の波長範囲にある前記放射の大部分が、前記第2の反射型コンポーネントに向けて誘導されるが、前記関連付けられた副反射型素子に向けて又は前記関連付けられた副反射型素子のサブセットに向けて誘導されないように設定され、前記散乱の程度は、前記第2の波長範囲にある前記放射の25%未満が、前記主反射型素子から前記関連付けられた副反射型素子又は関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの1つに誘導されるような程度である、光学装置。 - 前記主反射型素子から前記関連付けられた副反射型素子又は関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの1つまでの距離は、前記関連付けられた副反射型素子又は関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの1つの最小横寸法の10倍より大きい、請求項1に記載の光学装置。
- 前記第1の波長範囲は、EUV波長範囲5〜20nm内、又は範囲13〜14nm内、又は範囲6.5〜7nm内である、請求項1又は請求項2に記載の光学装置。
- 前記第2の波長範囲は、DUV波長範囲100〜400nm内である、請求項1乃至請求項3のうち何れか1項に記載の光学装置。
- 前記主反射型素子の向きは、様々な時間において、前記関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの1つに向けて放射を誘導するように制御可能であり、前記関連付けられた副反射型素子の各々は、副反射型素子の前記アレイにおいて、前記主反射型素子から受け取った放射を前記ターゲット位置から離れる方向に誘導する副反射型素子によって取り囲まれている、請求項1乃至請求項4のうち何れか1項に記載の光学装置。
- 前記主反射型素子は、前記第1の波長範囲にある前記放射を反射するためのミラー構造と、前記第2の波長範囲にある前記放射に前記ある程度の散乱を与えるための、前記ミラー構造上のコーティングとを含む、請求項1乃至請求項5のうち何れか1項に記載の光学装置。
- 前記コーティングは、30nm未満の厚さの層を含む、請求項6に記載の光学装置。
- 前記コーティングは、100nm未満の寸法のシリコン粒子の層を含む、請求項6に記載の光学装置。
- 前記シリコン粒子の層は、実質的に単分子層である、請求項8に記載の光学装置。
- 前記コーティングは、波形付き層を含む、請求項6乃至請求項9のうち何れか1項に記載の光学装置。
- 前記主反射型素子は、第3の波長範囲にある放射の、前記ターゲット位置に向かう反射を抑制するように構成された位相格子構造を組み込み、前記第3の波長範囲にある波長は、1μmより長い、請求項1乃至請求項10のうち何れか1項に記載の光学装置。
- 前記主反射型素子は、主反射型素子のアレイのうちの1つであり、前記副反射型素子の各々は、その関連付けられた主反射型素子の像をフィールド面に又はその付近に形成するように構成され、各像は実質的に重なり合う、請求項1乃至請求項11のうち何れか1項に記載の光学装置。
- 照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、前記パターニングデバイスは、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能である、サポートと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
前記照明システムにおける、前記放射ビームを調整するように構成された請求項1乃至請求項12のうち何れか1項に記載の光学装置と、
を含むリソグラフィ装置。 - パターン付き放射ビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法であって、前記パターン付きビームは、請求項1乃至請求項12のうち何れか1項に記載の光学装置によって調整された放射ビームから形成される、デバイス製造方法。
- 放射ビームを調整するための光学装置であって、
放射源から前記放射ビームを受取り、前記放射ビームを第2の反射型コンポーネントに反射するように構成され、主反射型素子を含む第1の反射型コンポーネントと、
前記ビームをターゲット位置に反射するように構成され、副反射型素子のアレイを含む前記第2の反射型コンポーネントと、を含み、
前記主反射型素子は、第1の波長範囲にある放射を、関連付けられた副反射型素子、又は、関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの1つに反射するように構成され、前記主反射型素子は、第2の波長範囲にある放射が、ある程度の散乱を受けるように形成され、前記散乱の程度は、前記第2の波長範囲にある前記放射の大部分が、前記第2の反射型コンポーネントに向けて誘導されるが、前記関連付けられた副反射型素子に向けて又は前記関連付けられた副反射型素子のサブセットに向けて誘導されないように設定され、
前記主反射型素子は、前記第1の波長範囲にある前記放射を反射するためのミラー構造と、前記第2の波長範囲にある前記放射に前記ある程度の散乱を与えるための、前記ミラー構造上のコーティングとを含み、
前記コーティングは、100nm未満の寸法のシリコン粒子の層を含み、
前記シリコン粒子の層は、実質的に単分子層である、光学装置。 - 放射ビームを調整するための光学装置であって、
放射源から前記放射ビームを受取り、前記放射ビームを第2の反射型コンポーネントに反射するように構成され、主反射型素子を含む第1の反射型コンポーネントと、
前記ビームをターゲット位置に反射するように構成され、副反射型素子のアレイを含む前記第2の反射型コンポーネントと、を含み、
前記主反射型素子は、第1の波長範囲にある放射を、関連付けられた副反射型素子、又は、関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの1つに反射するように構成され、前記主反射型素子は、第2の波長範囲にある放射が、ある程度の散乱を受けるように形成され、前記散乱の程度は、前記第2の波長範囲にある前記放射の大部分が、前記第2の反射型コンポーネントに向けて誘導されるが、前記関連付けられた副反射型素子に向けて又は前記関連付けられた副反射型素子のサブセットに向けて誘導されないように設定され、
前記主反射型素子は、前記第1の波長範囲にある前記放射を反射するためのミラー構造と、前記第2の波長範囲にある前記放射に前記ある程度の散乱を与えるための、前記ミラー構造上のコーティングとを含み、
前記コーティングは、前記第2の波長範囲にある直径を有する粒子の単分子層を含む、光学装置。
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