JP2020170040A - Ｅｕｖチャンバ装置、極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Ｅｕｖチャンバ装置、極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】ＥＵＶチャンバ装置において、ターゲット物質のデブリがＥＵＶ集光ミラーの反射面に堆積することを抑制する。【解決手段】ＥＵＶチャンバ装置は、チャンバ２ａと、チャンバの内部に配置されたＥＵＶ集光ミラー２３と、ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、ＥＵＶ集光ミラーの反射面２３１に沿った第１の方向Ｆ１にガスを流す第１のノズル４１と、ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、ＥＵＶ集光ミラーから遠ざかる第２の方向Ｆ２にガスを流す第２のノズル４２と、チャンバに配置された排気口３６と、を備える。【選択図】図３

Description

本開示は、ＥＵＶチャンバ装置、極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
国際公開第２００９／０２５５５７号公報 米国特許出願公開第２０１８／０２２４７４８号明細書 国際公開第２０１８／１２７５６５号公報
概要
本開示の１つの観点に係るＥＵＶチャンバ装置は、チャンバと、チャンバの内部に配置されたＥＵＶ集光ミラーと、ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿った第１の方向にガスを流す第１のノズルと、ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、ＥＵＶ集光ミラーから遠ざかる第２の方向にガスを流す第２のノズルと、チャンバに配置された排気口と、を備える。
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、チャンバと、チャンバの内部の所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、ターゲットにパルスレーザ光を照射してターゲットをプラズマ化するレーザ装置と、チャンバの内部に配置されたＥＵＶ集光ミラーと、ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿った第１の方向にガスを流す第１のノズルと、ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、ＥＵＶ集光ミラーから遠ざかる第２の方向にガスを流す第２のノズルと、チャンバに配置された排気口と、を備える。
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、チャンバの内部の所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、ターゲットにパルスレーザ光を照射してターゲットをプラズマ化するレーザ装置と、チャンバの内部に配置されたＥＵＶ集光ミラーと、ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿った第１の方向にガスを流す第１のノズルと、ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、ＥＵＶ集光ミラーから遠ざかる第２の方向にガスを流す第２のノズルと、チャンバに配置された排気口と、を備える極端紫外光生成システムにおいて、ターゲットにパルスレーザ光を照射して極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。 図２は、比較例に係るＥＵＶチャンバ装置の構成を概略的に示す。 図３は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶチャンバ装置の構成を概略的に示す。 図４は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶチャンバ装置の構成を概略的に示す。 図５は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶチャンバ装置の構成を概略的に示す。 図６Ａは、本開示におけるノズルの構成を詳細に説明するための図である。 図６Ｂは、ノズル穴の構成に関する第１の例を示す。 図７は、ノズル穴の構成に関する第２の例を示す。 図８は、ノズル穴の構成に関する第３の例を示す。 図９は、ノズル穴の構成に関する第４の例を示す。 図１０は、ノズル穴の構成に関する第５の例を示す。 図１１は、ノズル穴の構成に関する第６の例を示す。 図１２は、ノズル穴の構成に関する第７の例を示す。 図１３は、排気口の第１の変形例を示す。 図１４は、排気口の第２の変形例を示す。 図１５Ａは、排気口の第３の変形例を示す。 図１５Ｂは、図１５ＡのＸＶＢ−ＸＶＢ線における断面図である。 図１６は、ＥＵＶ光生成装置１に接続された露光装置６の構成を概略的に示す。
実施形態
＜内容＞
１．極端紫外光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例に係るＥＵＶチャンバ装置
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 課題
３．ＥＵＶ集光ミラーの外周部から第２及び第３の方向にガスを流すＥＵＶチャンバ装置
３．１ 構成
３．２ 動作及び作用
４．第３のノズルを第２のノズルに一体化したＥＵＶチャンバ装置
５．冷却機構を含むＥＵＶチャンバ装置
５．１ 構成
５．２ 動作及び作用
６．ノズルの詳細
６．１ ノズルの向き
６．２ ノズル穴の構成
６．２．１ 第１の例
６．２．２ 第２の例
６．２．３ 第３の例
６．２．４ 第４の例
６．２．５ 第５の例
６．２．６ 第６の例
６．２．７ 第７の例
７．排気口の変形例
７．１ 第１の変形例
７．２ 第２の変形例
７．３ 第３の変形例
８．その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．極端紫外光生成システムの全体説明
１．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられる。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能に構成されている。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられている。ターゲット供給部２６から出力されるターゲット物質の材料は、スズを含む。ターゲット物質の材料は、スズと、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、又はキセノンとの組合せを含むこともできる。
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられている。ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されている。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されている。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されている。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられている。貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含む。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有し、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されている。
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられている。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されている。
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えている。
１．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射される。
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射する。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括する。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理する。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
２．比較例に係るＥＵＶチャンバ装置
２．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶチャンバ装置の構成を概略的に示す。本開示においてＥＵＶチャンバ装置とは、チャンバ２ａ、チャンバ２ａの内部の構成要素、及びチャンバ２ａの周辺の構成要素を含む装置である。図２において、ＥＵＶチャンバ装置は、サブチャンバ２０と、ＥＵＶ集光ミラー２３と、排気ポンプ３０と、ガス供給源４０と、を含む。ＥＵＶチャンバ装置は、これら以外の構成要素を含むこともある。
チャンバ２ａは、略円錐状の形状を有している。チャンバ２ａの小径側の端部にはアパーチャ２９１ａが形成されている。チャンバ２ａの大径側の端部にはＥＵＶ集光ミラー２３がＥＵＶ集光ミラーホルダ２３ａを介して固定されている。ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１は、回転楕円面の形状を有する。この反射面２３１によって第１の焦点と第２の焦点とが規定される。上述のように、第１の焦点はプラズマ生成領域２５に位置し、第２の焦点は中間集光点２９２に位置する。プラズマ生成領域２５から中間集光点２９２へと向かうＥＵＶ光の出力方向の中心軸が、＋Ｚ方向とほぼ一致する。
ガス供給源４０が、配管４４ａを介してサブチャンバ２０に接続されている。サブチャンバ２０には、パルスレーザ光３２を透過させるウインドウ２１ａが配置されている。サブチャンバ２０の内部には、レーザ光集光光学系２２ａが収容されている。サブチャンバ２０は、筒状のレーザ光路壁４４に接続されている。レーザ光路壁４４は、ＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４とチャンバ２ａの大径側の端部の貫通孔とを貫通している。レーザ光集光光学系２２ａを通過したパルスレーザ光３３が、レーザ光路壁４４の内側を通過できるようになっている。
ガス供給源４０は、さらに、配管４１ａを介してチャンバ２ａの内部の第１のノズル４１に接続されている。第１のノズル４１は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部に配置されている。本開示において、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周の近傍の空間を含む。第１のノズル４１のノズル穴は、ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部に向けられている。
ガス供給源４０は、図示しないガスボンベを含む。ガス供給源４０がサブチャンバ２０及びチャンバ２ａに供給するガスは、エッチングガス又は不活性ガスを含む。エッチングガスは、水素ガスを含む。不活性ガスは、例えば、ヘリウムガスを含む。
排気ポンプ３０は、排気管３６ａに接続されている。排気管３６ａは、チャンバ２ａに形成された排気口３６を介してチャンバ２ａの内部に接続されている。排気管３６ａには、さらに、図示しない微粒子トラップや除害装置が接続されていてもよい。
２．２ 動作
レーザ光路壁４４の内側を通過したパルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７（図１参照）に照射される。パルスレーザ光３３がターゲット２７に照射されることにより、ターゲット物質がプラズマ化し、プラズマから放射光２５１が放射される。プラズマ生成領域２５ではターゲット物質のイオン及び中性粒子を含むデブリも生成される。ターゲット物質のデブリは、チャンバ２ａの内部で拡散する。
ガス供給源４０は、サブチャンバ２０の内部にガスを供給する。サブチャンバ２０の内部にガスが供給されることにより、サブチャンバ２０の内部の圧力は、チャンバ２ａの内部における圧力より高くなる。サブチャンバ２０の内部に供給されたガスは、レーザ光路壁４４の内側を通ってプラズマ生成領域２５及びその周辺に向けて流れ出る。レーザ光路壁４４から流れ出るガスの流れを矢印Ｆ４で示す。
サブチャンバ２０の内部をチャンバ２ａの内部に対して陽圧にすることにより、サブチャンバ２０の内部にターゲット物質のデブリが進入することを抑制できる。サブチャンバ２０の内部にターゲット物質のデブリが進入したとしても、ガス供給源４０がサブチャンバ２０に供給するガスがエッチングガスである場合には、レーザ光集光光学系２２ａにターゲット物質のデブリが堆積することを抑制できる。
ガス供給源４０は、チャンバ２ａの内部の第１のノズル４１にもガスを供給する。第１のノズル４１に供給されたガスは、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部から、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１に沿って、ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部へ向けて流れる。第１のノズル４１から流れ出るガスの流れを矢印Ｆ１で示す。矢印Ｆ１の方向は、本開示の第１の方向に相当する。第１のノズル４１から流れ出たガスは、ＥＵＶ集光ミラー２３の中心付近に集まった後、＋Ｚ方向に向きを変えて、レーザ光路壁４４から流れ出たガスと合流する。
ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１に沿ってガスを流すことにより、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１にターゲット物質のデブリが到達することを抑制できる。ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１にターゲット物質のデブリが到達したとしても、ガス供給源４０が第１のノズル４１に供給するガスがエッチングガスである場合には、反射面２３１にターゲット物質のデブリが堆積することを抑制できる。
排気ポンプ３０は、チャンバ２ａの内部を大気圧未満の所定の圧力となるように排気する。チャンバ２ａの内部において排気口３６に向かうガスの流れを矢印Ｆ５で示す。ガスの排気とともに、ターゲット物質のデブリもチャンバ２ａの外部に排出される。
２．３ 課題
レーザ光路壁４４から流れ出たガスと、第１のノズル４１から流れ出たガスは、そのすべてが直ちに排気されるわけではない。レーザ光路壁４４から流れ出たガスと、第１のノズル４１から流れ出たガスの一部は、プラズマ生成領域２５の付近を通過した後、排気されずにチャンバ２ａの内部で流れの方向を変え、ＥＵＶ集光ミラー２３の近くに戻ってくることがある。ＥＵＶ集光ミラー２３の近くに戻ってくるガスの流れを矢印Ｆ６で示す。ガスとともに、ターゲット物質のデブリもＥＵＶ集光ミラー２３の近くまで流れてくることがある。ターゲット物質のデブリがＥＵＶ集光ミラー２３の近くまで流れてきて、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に堆積すると、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率が低下する。
以下に説明する実施形態においては、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部から第１の方向にガスを流すだけでなく、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部から第２の方向にもガスを流す。さらにＥＵＶ集光ミラー２３の外周部から第３の方向にもガスを流してもよい。これにより、ターゲット物質のデブリがＥＵＶ集光ミラー２３の近くまで流れてくることを抑制する。第２の方向は、＋Ｚ方向の方向成分を有する。第３の方向は、＋Ｚ方向に垂直な面に沿った方向である。
３．ＥＵＶ集光ミラーの外周部から第２及び第３の方向にガスを流すＥＵＶチャンバ装置
３．１ 構成
図３は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶチャンバ装置の構成を概略的に示す。第１の実施形態において、ＥＵＶチャンバ装置は、第２及び第３のノズル４２及び４３と、第１〜第４の流量コントローラ４１ｂ〜４４ｂと、を含む。
第２のノズル４２は、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部に配置されている。第２のノズル４２のノズル穴は、第２の方向を向いている。すなわち、第２のノズル４２は、第２の方向にガスを流すように構成されている。第２の方向は、ＥＵＶ集光ミラー２３から遠ざかる方向である。言い換えると、第２の方向は、プラズマ生成領域２５から中間集光点２９２へ向かう方向である＋Ｚ方向の方向成分を有する。第２の方向は、チャンバ２ａの壁面に沿った方向でもよい。
第３のノズル４３は、第１のノズル４１と第２のノズル４２との間に配置されている。すなわち、第３のノズル４３は、第１及び第２のノズル４１及び４２と同様に、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部に配置されている。第３のノズル４３のノズル穴は、第３の方向を向いている。すなわち、第３のノズル４３は、第３の方向にガスを流すように構成されている。第３の方向は、プラズマ生成領域２５と中間集光点２９２とを通る直線Ｌ１に垂直な平面Ｐ１に沿った方向であり、直線Ｌ１に近づく方向である。ここで垂直とは、厳密な数値を規定する趣旨ではなく、実用的範囲内での誤差を許容するものとする。例えば、±５°以内の誤差があってもよい。第２の方向と第３の方向との角度は、４５°以上であることが望ましい。
排気管３６ａが接続された排気口３６は、第２のノズル４２の位置よりも＋Ｚ方向の位置に形成されている。すなわち、プラズマ生成領域２５と中間集光点２９２とを通る直線Ｌ１に垂直な平面Ｐ１が第２のノズル４２の位置を含むとき、排気口３６は、平面Ｐ１を基準として、ＥＵＶ集光ミラー２３と反対側に位置している。
ガス供給源４０に接続された配管４０ａは４本に分岐している。これらの分岐した配管はそれぞれ第１〜第４の流量コントローラ４１ｂ〜４４ｂに接続されている。第１〜第３の流量コントローラ４１ｂ〜４３ｂは、それぞれ配管４１ａ〜４３ａを介して第１〜第３のノズル４１〜４３に接続されている。第４の流量コントローラ４４ｂは、配管４４ａを介してサブチャンバ２０に接続されている。
３．２ 動作及び作用
チャンバ２ａの内部におけるＥＵＶ光の生成と並行して、第１〜第４の流量コントローラ４１ｂ〜４４ｂは、ガス供給源４０からチャンバ２ａ及びサブチャンバ２０に供給されるガスの流量を制御する。
第２のノズル４２に供給されたガスは、ＥＵＶ集光ミラー２３から遠ざかる方向に流れる。第２のノズル４２から流れ出るガスの流れを矢印Ｆ２で示す。矢印Ｆ２の方向は、本開示の第２の方向に相当する。第２のノズル４２から流れ出たガスは、−Ｚ方向、すなわちＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１へ向かう方向のガスの流れを抑制しつつ、チャンバ２ａの壁面の付近を＋Ｚ方向に流れて、排気口３６から排気される。
第３のノズル４３に供給されたガスは、平面Ｐ１に沿って、直線Ｌ１に近づく方向に流れる。第３のノズル４３から流れ出るガスの流れを矢印Ｆ３で示す。矢印Ｆ３の方向は、本開示の第３の方向に相当する。第３のノズル４３から流れ出たガスは、直線Ｌ１に到達する前に＋Ｚ方向に向きを変える。その後、第１のノズル４１から矢印Ｆ１の方向に流れ出たガスの流路と、第２のノズル４２から矢印Ｆ２の方向に流れ出たガスの流路との間を通って、排気口３６から排気される。
第２のノズル４２及び第３のノズル４３によって第２の方向及び第３の方向にガスを流すことにより、チャンバ２ａの内部において、＋Ｚ方向のガスの流れが優勢となる。これにより、−Ｚ方向のガスの流れを抑制し、ターゲット物質のデブリがＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１の近くまで流れてくることを抑制し得る。排気ポンプ３０によってチャンバ２ａの内部のガスを排気することにより、チャンバ２ａの内部におけるターゲット物質のデブリが低減され、ターゲット物質のデブリがＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１に堆積することが抑制される。
第１〜第３のノズル４１〜４３は、それらのノズル穴が互いに近接していることが望ましい。例えば第２のノズル４２と第３のノズル４３との間に大きな間隔があると、第２のノズル４２と第３のノズルとの間に渦状の流れが発生し、−Ｚ方向のガスの流れを十分に抑制できなくなる場合がある。第１〜第３のノズル４１〜４３のノズル穴は、Ｚ軸の方向において３０ｍｍ以下の空間に配置されていることが望ましい。
第１〜第４の流量コントローラ４１ｂ〜４４ｂは、それぞれ設定された流量のガスを第１〜第３のノズル４１〜４３及びサブチャンバ２０に供給する。第１のノズル４１から流れるガスの量Ｖ１は、第２のノズル４２から流れるガスの量Ｖ２より多いことが望ましい。また、第３のノズル４３から流れるガスの量Ｖ３は、第１のノズル４１から流れるガスの量Ｖ１より多いことが望ましい。それぞれのガスの量は、例えば以下のように設定される。
Ｖ１＝８０ｓｌｍ
Ｖ２＝４０ｓｌｍ
Ｖ３＝１００ｓｌｍ
ｓｌｍ（standard liters per minute）は、０℃、１ａｔｍに換算した１分間あたりの流量である。なお、サブチャンバ２０に供給されるガスの量、すなわちレーザ光路壁４４から流れ出るガスの量Ｖ４は、例えば、５０ｓｌｍ以上、１００ｓｌｍ以下に設定される。
他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。
４．第３のノズルを第２のノズルに一体化したＥＵＶチャンバ装置
図４は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶチャンバ装置の構成を概略的に示す。第２の実施形態において、ＥＵＶチャンバ装置は、第２及び第３のノズル４２及び４３（図３参照）の代わりに、第２のノズル４２ｍを含む。第３の流量コントローラ４３ｂはなくてもよい。
第２のノズル４２ｍは、第２の方向及び第３の方向の両方を含む広い角度範囲にガスを流すことができるように、広いノズル穴を有している。第２のノズル４２ｍに供給されるガスの流量は、第２の流量コントローラ４２ｂによって制御される。第２のノズル４２ｍに供給されるガスの流量は、例えば上述のＶ２及びＶ３の合計に相当する量に設定される。
他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。
５．冷却機構を含むＥＵＶチャンバ装置
５．１ 構成
図５は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶチャンバ装置の構成を概略的に示す。図５において、サブチャンバ２０、ガス供給源４０、及び第１〜第４の流量コントローラ４１ｂ〜４４ｂの図示は省略されている。第３の実施形態において、ＥＵＶチャンバ装置は、ヒートシールド９と、冷媒ポンプ９０と、熱交換器９１とを含む。
ヒートシールド９は、ほぼ円錐台の形状を有する。ヒートシールド９は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射された反射光２５２の光路の外側であって、チャンバ２ａの壁の内側に配置されている。第１〜第３のノズル４１〜４３のノズル穴は、ヒートシールド９の内側を向いている。すなわち、第１〜第３のノズル４１〜４３は、ヒートシールド９の内側にガスを流すように構成されている。
排気ポンプ３０に接続された配管３７ａは、チャンバ２ａの壁とヒートシールド９との両方を貫通している。
ヒートシールド９の内部には冷却媒体流路９９が形成されている。冷却媒体流路９９は、配管を介してチャンバ２ａの外部の熱交換器９１及び冷媒ポンプ９０に接続されている。
５．２ 動作及び作用
第１〜第３のノズル４１〜４３からヒートシールド９の内側に供給されたガスは、ヒートシールド９の開口３７を介して排気ポンプ３０によって排気される。
冷却媒体流路９９に水などの冷却媒体を流すことにより、ヒートシールド９が冷却される。冷却媒体流路９９を流れた冷却媒体は、熱交換器９１において冷却され、冷媒ポンプ９０を介して冷却媒体流路９９に戻される。
第１〜第３のノズル４１〜４３に供給されるガスとして水素ガスが用いられる場合、水素ガスの一部は、ＥＵＶ光によって励起されて水素ラジカルとなる。さらにターゲット物質としてスズが用いられる場合、水素ラジカルとスズとが反応して、常温で気体であるスタナンが生成される。これにより、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１に堆積したスズがエッチングされる。あるいは、反射面２３１にスズが付着することが抑制される。
しかしながら、スタナンは高温になると水素とスズに解離しやすくなる。冷却機構を備えたヒートシールド９を配置することにより、スタナンが解離することを抑制し、気体であるスタナンのまま排気することができる。ヒートシールド９の温度は、例えば５℃以下に保たれることが望ましい。
他の点については、第３の実施形態は第１又は第２の実施形態と同様である。
６．ノズルの詳細
６．１ ノズルの向き
図６Ａは、本開示におけるノズルの構成を詳細に説明するための図である。図６Ａに示されるＥＵＶチャンバ装置は、図３を参照しながら説明した第１の実施形態に係るＥＵＶチャンバ装置とほぼ同一の構成を有している。図６Ａにおいて、サブチャンバ２０、ガス供給源４０、及び第１〜第４の流量コントローラ４１ｂ〜４４ｂの図示は省略されている。また、図６Ａにおいて、ガスの流れを示す矢印が一部省略されている。図６Ａを用いて、第１〜第３のノズル４１〜４３の向きについて詳細に説明する。
プラズマ生成領域２５と中間集光点２９２とを通る直線をＬ１とする。プラズマ生成領域２５は本開示における第１の焦点に相当し、中間集光点２９２は本開示における第２の焦点に相当する。
第１のノズル４１に供給されたガスは、第１のノズル４１から矢印Ｆ１で示される第１の方向に流れ出る。第１の方向は、直線Ｌ１の一部を含む第１の領域Ａ１に向かう方向である。第１の領域Ａ１は、プラズマ生成領域２５よりもＥＵＶ集光ミラー２３側に位置する領域である。
第２のノズル４２に供給されたガスは、第２のノズル４２から矢印Ｆ２で示される第２の方向に流れ出る。第２の方向は、直線Ｌ１の一部を含む第２の領域Ａ２に向かう方向である。第２の領域Ａ２は、プラズマ生成領域２５よりもＥＵＶ集光ミラー２３と反対側に位置する領域である。
第３のノズル４３に供給されたガスは、第３のノズル４３から矢印Ｆ３で示される第３の方向に流れ出る。第３の方向は、直線Ｌ１の一部を含む第３の領域Ａ３に向かう方向である。第３の領域Ａ３は、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２との間の領域である。
本開示において、第１〜第３の方向は、それぞれ第１〜第３のノズル４１〜４３から流れ出るときのガスの流れの方向である。第１〜第３のノズル４１〜４３から流れ出たガスの流れの方向がその後変化し、第４の方向となった場合には、第４の方向は第１〜第３の方向には含まれない。
ここでは第１の実施形態とほぼ同一の構成を用いて第１〜第３の方向について説明したが、第１〜第３の方向は、第２及び第３の実施形態においても同様でよい。
６．２ ノズル穴の構成
６．２．１ 第１の例
図６Ｂは、ノズル穴の構成に関する第１の例を示す。図６Ｂは、図６ＡのＶＩＢ−ＶＩＢ線における断面図に相当する。図６Ｂにおいて、ＥＵＶ集光ミラー２３及びレーザ光路壁４４の図示は省略されている。図６Ｂには、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部に配置されたターゲット供給部２６、ターゲット回収部２８、ターゲット位置センサ４ａ、ターゲット位置センサ用光源４ｂ、及びＥＵＶセンサ４ｃ及び４ｄが示されている。
ターゲット位置センサ用光源４ｂは、ターゲット２７を照明する。これによりターゲット位置センサ４ａによるターゲット２７の撮像が可能となる。ターゲット位置センサ４ａは、所定のタイミングでのターゲットの画像を取得することにより、所定のタイミングでのターゲットの位置を検出する。ＥＵＶセンサ４ｃ及び４ｄは、ＥＵＶ光のエネルギーを検出する。
図６Ｂに、第３のノズル４３のノズル穴を含む断面が示されている。第３のノズル４３は、複数のチューブで構成されている。複数のチューブの各々の先端にノズル穴が形成されている。このように、第３のノズル４３は、複数のノズル穴を有する。第３のノズル４３の複数のノズル穴は、ＸＹ面にほぼ平行な面において、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部のほぼ全体にわたって、互いにほぼ等間隔に並べて配置されている。複数のノズル穴の各々は、直線Ｌ１に向けられている。
ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部に第１〜第３のノズル４１〜４３以外の部品が配置されている場合には、その場所にはノズル穴が配置されなくてもよい。例えば、ターゲット供給部２６、ターゲット回収部２８、ターゲット位置センサ４ａ、ターゲット位置センサ用光源４ｂ、及びＥＵＶセンサ４ｃ及び４ｄが配置された場所には、第３のノズル４３のノズル穴が配置されなくてもよい。
図６Ｂにおいては第３のノズル４３について説明したが、第１のノズル４１及び第２のノズル４２についても同様でよい。
６．２．２ 第２の例
図７は、ノズル穴の構成に関する第２の例を示す。第２の例において、第３のノズル４３は、円環状のノズル部材４３ｃで構成されている。ノズル部材４３ｃに、複数のガス流路４３ｄが形成され、複数のガス流路４３ｄの出口が複数のノズル穴を構成している。
他の点については図６Ｂを参照しながら説明した第１の例と同様でよい。
図７においては第３のノズル４３について説明したが、第１のノズル４１及び第２のノズル４２についても同様でよい。
６．２．３ 第３の例
図８は、ノズル穴の構成に関する第３の例を示す。第３の例において、第３のノズル４３は、円環状のノズル部材４３ｅで構成されている。ノズル部材４３ｅに、スリット状のガス流路４３１ｆ〜４３６ｆが形成され、スリット状のガス流路４３１ｆ〜４３６ｆの出口が複数のノズル穴を構成している。
他の点については図６Ｂを参照しながら説明した第１の例と同様でよい。
図８においては第３のノズル４３について説明したが、第１のノズル４１及び第２のノズル４２についても同様でよい。
６．２．４ 第４の例
図９は、ノズル穴の構成に関する第４の例を示す。第４の例において、第３のノズル４３は、複数のノズル部材４３１ｃ〜４３６ｃで構成されている。複数のノズル部材４３１ｃ〜４３６ｃの各々に、複数のガス流路４３ｄが形成され、複数のガス流路４３ｄの出口が複数のノズル穴を構成している。
他の点については図７を参照しながら説明した第２の例と同様でよい。
図９においては第３のノズル４３について説明したが、第１のノズル４１及び第２のノズル４２についても同様でよい。
６．２．５ 第５の例
図１０は、ノズル穴の構成に関する第５の例を示す。第５の例において、第３のノズル４３は、複数のノズル部材４３１ｅ〜４３６ｅで構成されている。複数のノズル部材４３１ｅ〜４３６ｅに、スリット状のガス流路４３１ｆ〜４３６ｆが形成され、スリット状のガス流路４３１ｆ〜４３６ｆの出口が複数のノズル穴を構成している。
他の点については図８を参照しながら説明した第３の例と同様でよい。
図１０においては第３のノズル４３について説明したが、第１のノズル４１及び第２のノズル４２についても同様でよい。
６．２．６ 第６の例
図１１は、ノズル穴の構成に関する第６の例を示す。第６の例において、ＥＵＶチャンバ装置は、チャンバ２ａの外側に配置された磁石７ａ及び７ｂを含む。
磁石７ａ及び７ｂの各々は、超伝導コイルを有する電磁石で構成される。磁石７ａ及び７ｂは、プラズマ生成領域２５を挟んで位置している。また、磁石７ａ及び７ｂは、それぞれの超伝導コイルの中心軸が互いにほぼ同軸で、これらの中心軸がプラズマ生成領域２５を通るように配置されている。これらの超伝導コイルに互いに同じ方向の電流を流すことにより、超伝導コイルの中心軸及びその周りに磁場７０が発生する。磁場７０はチャンバ２ａの内部のプラズマ生成領域２５にも及ぶ。磁場７０の中心軸は、超伝導コイルの中心軸及び＋Ｘ方向とほぼ一致する。
チャンバ２ａには、排気通路３０ａ及び３０ｂが接続されている。チャンバ２ａと排気通路３０ａ及び３０ｂとの接続位置は、磁場７０の中心軸と一致する。
プラズマに含まれるターゲット物質のイオンの一部は、磁場７０によってトラップされる。従って、図１１において磁場７０として示される破線の周辺に、ターゲット物質が多く分布する。排気通路３０ａ及び３０ｂに接続された図示しない排気ポンプを駆動することにより、ガスが排気される。これにより、磁場７０の周辺に分布するターゲット物質のイオンをチャンバ２ａの外部に排出することができる。
排気通路３０ａ及び３０ｂが配置された場所には、第３のノズル４３に含まれるガス流路４３ｄが配置されなくてもよい。従って、排気通路３０ａ及び３０ｂが配置された場所には、第３のノズル４３のノズル穴が配置されなくてもよい。
他の点については図７を参照しながら説明した第２の例と同様でよい。
図１１においては第３のノズル４３について説明したが、第１のノズル４１及び第２のノズル４２についても同様でよい。
６．２．７ 第７の例
図１２は、ノズル穴の構成に関する第７の例を示す。第７の例において、ＥＵＶチャンバ装置は、流量コントローラ４３１〜４３８を含む。
第３のノズル４３に含まれる複数のガス流路４３ｄは、８つのグループＧ１〜Ｇ８に分けられている。８つのグループＧ１〜Ｇ８の各々は、複数のガス流路４３ｄを含む。隣り合う複数のガス流路４３ｄが、同じグループに属することが望ましい。
流量コントローラ４３１は、ガス供給管４３１ａを介して、グループＧ１に属するガス流路４３ｄに接続されている。流量コントローラ４３２は、ガス供給管４３２ａを介して、グループＧ２に属するガス流路４３ｄに接続されている。同様に、流量コントローラ４３３〜４３８は、それぞれガス供給管４３３ａ〜４３８ａを介して、グループＧ３〜Ｇ８に属するガス流路４３ｄに接続されている。例えば、グループＧ１に属するガス流路４３ｄの出口は、第１のガス供給管から供給されたガスを流す２以上の第１のノズル穴に相当する。グループＧ２に属するガス流路４３ｄの出口は、第２のガス供給管から供給されたガスを流す２以上の第２のノズル穴に相当する。
流量コントローラ４３１は、グループＧ１に属するガス流路４３ｄへのガスの供給量を制御する。流量コントローラ４３２は、グループＧ２に属するガス流路４３ｄへのガスの供給量を制御する。同様に、流量コントローラ４３３〜４３８は、それぞれグループＧ３〜Ｇ８に属するガス流路４３ｄへのガスの供給量を制御する。これにより、第３のノズル４３に供給されるガスの流量をグループごとに調整し、チャンバ２ａの内部におけるガスの流れを最適化することができる。
他の点については図７を参照しながら説明した第２の例と同様でよい。
図１２においては第３のノズル４３について説明したが、第１のノズル４１及び第２のノズル４２についても同様でよい。
７．排気口の変形例
７．１ 第１の変形例
図１３は、排気口の第１の変形例を示す。図１３において、チャンバ２ａの内部の構成要素の図示は省略されている。図３〜図６Ａにおいては排気口３６又は３７が１箇所形成されている場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。複数の排気口３８１及び３８２が形成され、それぞれに排気管３８１ａ及び３８２ａが接続されていてもよい。複数の排気口３８１及び３８２を形成することにより、排気するガスの流れが乱れるのを抑制し得る。
排気管３８１ａ及び３８２ａは、図示しない排気ポンプに接続されている。排気管３８１ａ及び３８２ａには別々の排気ポンプを接続してもよいし、排気管３８１ａ及び３８２ａを合流させて、共通の排気ポンプを接続してもよい。異なる排気管を介した排気流量を別々の値に設定することにより、排気の流れを最適化してもよい。
他の点については、上述の各実施形態と同様でよい。
７．２ 第２の変形例
図１４は、排気口の第２の変形例を示す。第２の変形例においては、さらに多くの排気口３８１〜３８４が形成され、それぞれに排気管３８１ａ〜３８４ａが接続されている。排気口３８１〜３８４は、Ｚ軸方向に異なる位置に形成されてもよい。
複数の排気口３８１〜３８４の配置は、対称的な配置である必要はなく、非対称の配置でもよい。例えば、図１４に示される排気口３８１〜３８４のうち、排気口３８１と排気口３８４の２つだけが形成されるような構成でもよい。また、排気口の数も特に限定されない。
他の点については、第１の変形例と同様でよい。
７．３ 第３の変形例
図１５Ａは、排気口の第３の変形例を示す。図１５Ｂは、図１５ＡのＸＶＢ−ＸＶＢ線における断面図である。第３の変形例においては、複数の排気口３９１〜３９８が＋Ｚ方向に平行な軸周りに並べて配置されてもよい。排気管３９１ａ〜３９８ａは、放射状に配置されてもよい。
他の点については、第１又は第２の変形例と同様でよい。
８．その他
図１６は、ＥＵＶ光生成装置１に接続された露光装置６の構成を概略的に示す。
図１６において、露光装置６は、マスク照射部６０とワークピース照射部６１とを含む。マスク照射部６０は、ＥＵＶ光生成装置１から入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６１は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造することができる。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

  1. チャンバと、
    前記チャンバの内部に配置されたＥＵＶ集光ミラーと、
    前記ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿った第１の方向にガスを流す第１のノズルと、
    前記ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、前記ＥＵＶ集光ミラーから遠ざかる第２の方向にガスを流す第２のノズルと、
    前記チャンバに配置された排気口と、
    を備えるＥＵＶチャンバ装置。
  2. 請求項１に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面は回転楕円面の形状を有し、
    前記排気口は、前記回転楕円面の第１の焦点と第２の焦点とを通る直線に垂直な平面であって前記第２のノズルの位置を含む前記平面を基準として、前記ＥＵＶ集光ミラーと反対側に位置する
    ＥＵＶチャンバ装置。
  3. 請求項１に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面は回転楕円面の形状を有し、
    前記第２の方向は、前記回転楕円面の第１の焦点から前記第１の焦点よりも前記ＥＵＶ集光ミラーと反対側に位置する第２の焦点へ向かう方向の方向成分を有する
    ＥＵＶチャンバ装置。
  4. 請求項１に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記第２のノズルは、複数のノズル穴を有する
    ＥＵＶチャンバ装置。
  5. 請求項４に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記複数のノズル穴は、前記ＥＵＶ集光ミラーの外周部に並べて配置された
    ＥＵＶチャンバ装置。
  6. 請求項４に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記複数のノズル穴は、第１のガス供給管から供給されたガスを流す２以上の第１のノズル穴と、第２のガス供給管から供給されたガスを流す２以上の第２のノズル穴と、を含む
    ＥＵＶチャンバ装置。
  7. 請求項１に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面は回転楕円面の形状を有し、
    前記第２のノズルは、前記第２の方向と、前記回転楕円面の第１の焦点と第２の焦点とを通る直線に垂直な平面に沿って前記直線に近づく第３の方向と、の両方にガスを流す
    ＥＵＶチャンバ装置。
  8. 請求項１に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記第１のノズルと前記第２のノズルとの間に配置された第３のノズルをさらに備える
    ＥＵＶチャンバ装置。
  9. 請求項８に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面は回転楕円面の形状を有し、
    前記第１、第２、及び第３のノズルは、前記回転楕円面の第１の焦点と第２の焦点とを通る直線の方向において３０ｍｍ以下の空間に配置されている
    ＥＵＶチャンバ装置。
  10. 請求項８に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面は回転楕円面の形状を有し、
    前記第３のノズルは、前記ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、前記回転楕円面の第１の焦点と第２の焦点とを通る直線に垂直な平面に沿って前記直線に近づく第３の方向にガスを流す
    ＥＵＶチャンバ装置。
  11. 請求項８に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記第３のノズルは、複数のノズル穴を有する
    ＥＵＶチャンバ装置。
  12. 請求項１１に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記複数のノズル穴は、前記ＥＵＶ集光ミラーの外周部に並べて配置された
    ＥＵＶチャンバ装置。
  13. 請求項１１に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記複数のノズル穴は、第１のガス供給管から供給されたガスを流す２以上の第１のノズル穴と、第２のガス供給管から供給されたガスを流す２以上の第２のノズル穴と、を含む
    ＥＵＶチャンバ装置。
  14. 請求項８に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記第１のノズルから流れるガスの量を制御する第１の流量コントローラと、
    前記第２のノズルから流れるガスの量を制御する第２の流量コントローラと、
    をさらに備え、
    前記第１のノズルから流れるガスの量は、前記第２のノズルから流れるガスの量より多い
    ＥＵＶチャンバ装置。
  15. 請求項１４に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記第３のノズルから流れるガスの量を制御する第３の流量コントローラ
    をさらに備え、
    前記第３のノズルから流れるガスの量は、前記第１のノズルから流れるガスの量より多い
    ＥＵＶチャンバ装置。
  16. 請求項１に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面は回転楕円面の形状を有し、
    前記第１の方向は、前記回転楕円面の第１の焦点と前記第１の焦点よりも前記ＥＵＶ集光ミラーと反対側に位置する第２の焦点とを通る直線の一部を含む第１の領域であって前記第１の焦点よりも前記ＥＵＶ集光ミラー側に位置する前記第１の領域に向かう方向である
    ＥＵＶチャンバ装置。
  17. 請求項１６に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記第２の方向は、前記直線の一部を含む第２の領域であって前記第１の焦点よりも前記ＥＵＶ集光ミラーと反対側に位置する前記第２の領域に向かう方向である
    ＥＵＶチャンバ装置。
  18. 請求項１７に記載のＥＵＶチャンバ装置であって、
    前記ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、第３の方向にガスを流す第３のノズルをさらに備え、
    前記第３の方向は、前記直線の一部を含む第３の領域であって前記第１の領域と前記第２の領域との間の前記第３の領域に向かう方向である
    ＥＵＶチャンバ装置。
  19. チャンバと、
    前記チャンバの内部の所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、
    前記ターゲットにパルスレーザ光を照射して前記ターゲットをプラズマ化するレーザ装置と、
    前記チャンバの内部に配置されたＥＵＶ集光ミラーと、
    前記ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿った第１の方向にガスを流す第１のノズルと、
    前記ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、前記ＥＵＶ集光ミラーから遠ざかる第２の方向にガスを流す第２のノズルと、
    前記チャンバに配置された排気口と、
    を備える極端紫外光生成システム。
  20. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバの内部の所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、
    前記ターゲットにパルスレーザ光を照射して前記ターゲットをプラズマ化するレーザ装置と、
    前記チャンバの内部に配置されたＥＵＶ集光ミラーと、
    前記ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿った第１の方向にガスを流す第１のノズルと、
    前記ＥＵＶ集光ミラーの外周部に配置され、前記ＥＵＶ集光ミラーから遠ざかる第２の方向にガスを流す第２のノズルと、
    前記チャンバに配置された排気口と、
    を備える極端紫外光生成システムにおいて、ターゲットにパルスレーザ光を照射して極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
    ことを含む電子デバイスの製造方法。
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