WO2018211569A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

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篤 植田
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ギガフォトン株式会社
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    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas

Definitions

  • This disclosure relates to an extreme ultraviolet light generation apparatus.
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • Type devices and SR Synchrotron Radiation
  • An extreme ultraviolet light generation apparatus includes a chamber having a plasma generation region in which a droplet of a target material is converted into plasma, and reflection that reflects EUV light generated by the plasma generation of the droplet in the plasma generation region.
  • An EUV light collecting mirror having a surface, a magnetic field generator configured to generate a magnetic field for converging charged particles generated by plasmatization of droplets in the plasma generation region to the wall side of the chamber, and EUV light collection
  • An etching gas supply unit that supplies an etching gas from the outer peripheral portion of the optical mirror along the reflection surface, and the etching gas supply unit is based on a plane that passes through the magnetic field axis of the magnetic field and the central axis of the EUV light collecting mirror.
  • the flow rate of the etching gas supplied from one side is the same as that of the etching gas supplied from the other side with respect to the surface. It may be configured to be higher than the speed.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration example of the entire extreme ultraviolet light generation apparatus.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the extreme ultraviolet light generation apparatus of the comparative example in the XX section of FIG.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing the flow of the etching gas in the chamber in the comparative example.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the extreme ultraviolet light generation apparatus according to the first embodiment, taken along the line XX of FIG.
  • FIG. 5 is a schematic diagram illustrating the flow of the etching gas in the chamber according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the extreme ultraviolet light generation apparatus according to the second embodiment, taken along the line XX of FIG.
  • FIG. 7 is a schematic diagram illustrating the flow of an etching gas in the chamber according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the extreme ultraviolet light generation apparatus according to the third embodiment in the same cross section as FIG. 5.
  • FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of the extreme ultraviolet light generation apparatus according to the fourth embodiment in the same cross section as FIG. 5.
  • FIG. 10 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the extreme ultraviolet light generation apparatus according to the fifth embodiment in the same cross section as FIG.
  • EUV light generation device that generates light having a wavelength called extreme ultraviolet (EUV).
  • EUV light may be referred to as EUV light.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration example of the entire extreme ultraviolet light generation device.
  • the extreme ultraviolet light generation apparatus 1 of the present embodiment includes a chamber 2 and a droplet supply unit (not shown in FIG. 1).
  • the chamber 2 is a container that can be sealed and decompressed.
  • the droplet supply unit is configured to supply a droplet of the target material into the chamber 2.
  • the droplet supply unit may be configured to supply droplets of the target material into the chamber 2 at intervals, for example, by a continuous jet method.
  • the material of the target substance may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 is provided with at least one through hole, and the through hole is closed by the window 21.
  • the pulsed laser beam PL passes through the window 21 and enters the chamber 2, and the incident laser beam PL is irradiated to the plasma generation region 22 inside the chamber 2.
  • the plasma generation region 22 is a region where droplets of the target material supplied into the chamber 2 are converted into plasma.
  • an EUV light collector mirror 23 is provided.
  • the EUV light collector mirror 23 is configured to collect EUV light generated by converting the droplets into plasma in the plasma generation region 22.
  • the EUV light condensing mirror 23 has, for example, a spheroidal reflection surface 23A that reflects EUV light generated in the plasma generation region 22, and the first focus is located in the plasma generation region 22, and the second focus. Are arranged so as to be located at the intermediate condensing point.
  • the EUV light collector mirror 23 may have a through hole 23B around the central axis CA of the EUV light collector mirror 23, and the laser light PL incident on the inside of the chamber 2 passes through the through hole 23B. You may do it.
  • the EUV light collector mirror 23 may be provided with a temperature adjuster that keeps the temperature of the EUV light collector mirror 23 substantially constant.
  • the central axis CA of the EUV collector mirror 23 may be a straight line passing through the first focal point and the second focal point of the reflecting surface 23A, or may be the rotational axis of the spheroid.
  • the extreme ultraviolet light generation apparatus 1 of the present embodiment includes an etching gas supply unit 3.
  • the etching gas supply unit 3 is configured to supply an etching gas that reacts with the fine particles and charged particles generated by converting the droplets into plasma to the reflecting surface 23 ⁇ / b> A of the EUV light collector mirror 23.
  • the gas supplied from the etching gas supply unit 3 is a gas containing hydrogen such as hydrogen gas.
  • tin fine particles and tin ions are generated, and when the tin fine particles and tin ions react with hydrogen, they become stannous (SnH 4 ) that is gaseous at room temperature.
  • the etching gas supply unit 3 includes, for example, a gas supply unit (not shown) that supplies an etching gas, a gas introduction pipe 31 that is connected to the gas supply part, and an outer periphery of the EUV light collecting mirror 23 that is connected to the gas introduction pipe 31. And a nozzle 32 arranged in the section.
  • the extreme ultraviolet light generation apparatus 1 of the present embodiment includes a magnetic field generation unit 4.
  • the magnetic field generator 4 is configured to generate a magnetic field ML for the charged particles generated in the plasma generation region 22 to converge on the wall side of the chamber 2.
  • the magnetic field generation unit 4 can be constituted by a pair of electromagnets 41 and 42 arranged so as to sandwich the wall of the chamber 2 facing each other, for example.
  • the electromagnet 41 includes a superconducting coil 41A, a case 41B surrounding the superconducting coil 41A, and a current supply unit (not shown) connected to the superconducting coil 41A.
  • the electromagnet 42 includes a superconducting coil 42A, a case 42B surrounding the superconducting coil 42A, and a current supply unit (not shown) connected to the superconducting coil 42A.
  • the superconducting coils 41A and 42A are arranged so that the plasma generation region 22 is located between the superconducting coils 41A and 42A.
  • the direction of the current supplied from the current supply unit to the superconducting coil 41A is the same as the direction of the current supplied from the current supply unit to the superconducting coil 42A.
  • a magnetic field ML is generated in which the magnetic flux density is highest in the vicinity of the superconducting coils 41A and 42A, and the magnetic flux density decreases toward the plasma generation region 22.
  • This magnetic field ML is sometimes called a mirror magnetic field.
  • the superconducting coils 41A and 42A may be circular coils, and the superconducting coils 41A and 42A may be arranged coaxially with each other.
  • the central axis of the circular superconducting coil is the magnetic field axis AX of the magnetic field ML.
  • the present invention is not limited to this, and when the central axis can be defined for the magnetic field ML generated in the chamber 2, the central axis may be the magnetic field axis AX.
  • the mirror ratio is the ratio of the magnetic flux density in the vicinity of the superconducting coils 41A and 42A to the magnetic flux density in the plasma generation region 22 located in the middle of the superconducting coils 41A and 42A.
  • the shape of the magnetic field ML may be controlled in order to efficiently focus charged particles generated in the plasma generation region 22 to the wall side of the chamber 2.
  • the shape of the magnetic field ML can be controlled by the number of turns of the superconducting coils 41A and 42A, the strength of the current applied to the superconducting coils 41A and 42A, and the like.
  • the magnetic field generator 4 may generate a magnetic field for converging charged particles from the one electromagnet 41 side to the other electromagnet 42 side via the plasma generation region 22.
  • the magnetic field generation part 4 was comprised by the pair of electromagnets 41 and 42, you may be comprised by a pair of permanent magnet.
  • electromagnets 41 and 42 or permanent magnets that are magnets for generating a magnetic field may be provided inside the chamber 2.
  • the extreme ultraviolet light generation apparatus 1 of the present embodiment includes an exhaust part 5.
  • the exhaust unit 5 is configured to exhaust the residual gas in the chamber 2.
  • the residual gas includes fine particles and charged particles generated by converting the droplets into plasma, products obtained by reacting them with the etching gas, and unreacted etching gas. Note that some of the charged particles are neutralized in the chamber 2, and the neutralized charged particles are also included in the residual gas.
  • the exhaust unit 5 takes in the residual gas in the chamber 2 from the exhaust ports 51A and 51B provided on the wall of the chamber 2 via the exhaust pipes 52A and 52B connected to the exhaust ports 51A and 51B.
  • a predetermined exhaust process may be performed on the gas.
  • the discharge ports 51A and 51B are positioned on the magnetic field axis AX of the magnetic field ML, but from the EUV light collecting mirror 23 in the flow of the etching gas supplied from the etching gas supply unit 3. May also be located downstream. However, in order to efficiently discharge the charged particles generated in the plasma generation region 22, the discharge ports 51A and 51B are preferably positioned on the magnetic field axis AX of the magnetic field ML.
  • the discharge pipe 52A is disposed so as to pass between the chamber 2 and the electromagnet 41, but may be disposed so as to be inserted through the through hole H1 of the superconducting coil 41A. Good.
  • the discharge pipe 52B is disposed so as to pass between the chamber 2 and the electromagnet 42, but is disposed so as to be inserted into the through hole H2 of the superconducting coil 42A. Also good.
  • a trap mechanism such as a heater for trapping fine particles may be provided in at least one of the pair of discharge ports 51A and 51B and the exhaust part 5. Further, the exhaust unit 5 may keep the pressure in the chamber 2 substantially constant.
  • the etching gas supply unit 3 ejects an etching gas from a nozzle 32 disposed on the outer periphery of the EUV light collector mirror 23, and supplies the etching gas along the reflection surface 23A from the outer periphery.
  • the magnetic field generation unit 4 generates a magnetic field ML that has the highest magnetic flux density in the vicinity of the superconducting coils 41A and 42A, and the magnetic flux density decreases toward the plasma generation region 22, and the exhaust unit 5 has a substantially constant pressure in the chamber 2.
  • the magnetic flux density of the magnetic field ML is, for example, in the range of 0.4T to 3T, and preferably in the range of 0.5T to 1.5T.
  • the pressure in the chamber 2 is, for example, in the range of 10 Pa to 100 Pa, preferably 15 Pa to 40 Pa.
  • the droplet irradiated with the laser beam PL is turned into plasma, and light including EUV light is emitted from the plasma.
  • the EUV light is selectively reflected by the reflecting surface 23 ⁇ / b> A of the EUV light collector mirror 23 and output to an exposure apparatus (not shown) connected to the chamber 2.
  • charged particles are generated as described above.
  • the charged particles move by drawing a trajectory that rotates in a plane perpendicular to the magnetic field lines by receiving the Lorentz force.
  • the charged particles moving in this way have a velocity component in the direction of the discharge ports 51A and 51B, the charged particles move toward the wall of the chamber 2 while converging along a magnetic field line by drawing a spiral trajectory.
  • the charged particles are guided to the discharge ports 51A and 51B provided on the wall of the chamber 2 near the convergence portion of the magnetic field ML. Therefore, charged particles exist in a region where the charged particles move while converging at a higher density than in other spaces.
  • a region where the charged particles move while converging is defined as a charged particle convergence region.
  • the focused region of charged particles includes a plasma generation region. Note that, as described above, some of the charged particles generated by converting the droplets into plasma are neutralized.
  • the charged particles that have reached the discharge pipes 52A and 52B from the discharge ports 51A and 51B ride on the exhaust flow and flow into the exhaust part 5, where a predetermined exhaust process is performed.
  • the charged particles generated in the plasma generation region 22 are guided to the discharge ports 51A and 51B by the magnetic field ML and exhausted, so that the damage to the reflecting surface 23A of the EUV light collecting mirror 23 due to the collision of the charged particles is suppressed.
  • fine particles are generated as described above.
  • the fine particles are diffused into the chamber 2 because they are not affected by the magnetic field ML generated by the magnetic field generator 4. Part of the fine particles diffused into the chamber 2 adheres to the reflecting surface 23A of the EUV light collector mirror 23.
  • the fine particles adhering to the reflecting surface 23A react with the etching gas supplied along the reflecting surface 23A from the etching gas supply unit 3, and a predetermined product is formed by this reaction.
  • the product is a stannane which is a gas at normal temperature.
  • the temperature of the EUV light collector mirror 23 is preferably kept at 60 ° C. or lower in order to suppress the deviation from hydrogen. It is more preferable that the temperature of the EUV light collector mirror 23 is 20 ° C. or less.
  • the product obtained by the reaction with the etching gas is directed to the discharge ports 51A and 51B along the flow of the unreacted etching gas.
  • at least a part of the charged particles that have not converged to the discharge ports 51A and 51B and the fine particles that have not adhered to the reflecting surface 23A of the EUV light collector mirror 23 due to the magnetic field ML are unreacted flowing in the chamber 2.
  • the product obtained by this reaction is directed to the discharge ports 51A and 51B along the flow of the unreacted etching gas. Then, at least a part of the unreacted etching gas flows into the discharge ports 51A and 51B.
  • the exhaust part 5 is subjected to a predetermined exhaust process such as detoxification.
  • a predetermined exhaust process such as detoxification.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating the configuration of the extreme ultraviolet light generation apparatus of the comparative example, taken along the line XX of FIG. However, the magnetic field generator 4 is omitted in FIG.
  • a plurality of nozzles 32 are arranged at intervals over substantially the entire outer periphery of the EUV light collector mirror 23.
  • a plurality of nozzles 32 may be arranged at equal intervals. The outlets of the respective nozzles 32 are arranged toward the central axis CA of the EUV light collector mirror 23.
  • FIG. 2 the droplet supply part 6 which was not illustrated in FIG. 1 is shown. However, since the droplet supply unit 6 is not arranged on the XX cross section of FIG. 1, it is indicated by a broken line.
  • a droplet supply unit 6 is provided on the wall of the chamber 2 on a surface that passes through the magnetic field axis AX of FIG. 1 and is perpendicular to the central axis CA of the EUV light collector mirror 23. A part is disposed in the chamber 2.
  • the etching gas supply unit 3 supplies an etching gas along the reflecting surface 23 ⁇ / b> A from each of the plurality of nozzles 32 disposed on the outer periphery of the EUV light collector mirror 23. Note that the flow rates of the etching gases supplied from the respective nozzles 32 are approximately the same.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing the flow of the etching gas in the chamber in the comparative example.
  • FIG. 3 shows a YY cross section of FIG.
  • the etching gas flows toward the central axis CA along the reflection surface 23 ⁇ / b> A of the EUV light collecting mirror 23 and collides in the vicinity of the central axis CA.
  • the etching gas rises in the direction away from the reflecting surface 23A along the central axis CA, and travels toward the wall of the chamber 2 through the magnetic field ML including the plasma generation region 22.
  • the etching gas flows along the wall of the chamber, and a part of the etching gas flows into the discharge ports 51A and 51B provided on the wall of the chamber 2.
  • the etching gas that has flowed into the discharge ports 51A and 51B is exhausted by the exhaust unit 5 together with components such as fine particles, charged particles, neutralized charged particles, and products described above included in the etching gas. .
  • the extreme ultraviolet light generation apparatus of the comparative example supplies the etching gas along the reflecting surface 23 ⁇ / b> A from the plurality of nozzles 32 disposed over substantially the entire outer peripheral portion of the EUV light collector mirror 23. For this reason, the etching gas merges near the central axis CA of the EUV light collector mirror 23 and rises through the plasma generation region 22. Therefore, the flow of the rising etching gas is stronger than the etching gas flowing along the reflecting surface 23A of the EUV light collector mirror 23.
  • the fine particles generated in the plasma generation region 22 are diffused into the chamber 2 by the etching gas flowing through the convergence region of the charged particles including the plasma generation region 22, so that the fine particles are reflected on the reflection surface 23 ⁇ / b> A of the EUV light collector mirror 23.
  • the tendency to accumulate becomes stronger.
  • the charged particles generated in the plasma generation region 22 are diffused by the etching gas and easily stay in the chamber 2 when moving to the discharge ports 51A and 51B along the magnetic field lines of the magnetic field ML.
  • an extreme ultraviolet light generation device that can reduce contamination of an optical element is exemplified.
  • Embodiment 1 4.1 Partial Configuration of Extreme Ultraviolet Light Generation Device Next, the configuration of the extreme ultraviolet light generation device will be described as a first embodiment.
  • symbol is attached
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the extreme ultraviolet light generation apparatus according to the first embodiment, taken along the line XX of FIG. However, the magnetic field generator 4 is omitted in FIG. As shown in FIG. 4, the extreme ultraviolet light generation apparatus of the first embodiment is different from the extreme ultraviolet light generation apparatus of Comparative Example 1 in that some of the plurality of nozzles 32 in the etching gas supply unit 3 are not arranged.
  • the nozzle 32 of the present embodiment is arranged at an interval on the outer peripheral portion on one side of the outer peripheral portion of the EUV light collecting mirror 23 with respect to the predetermined surface S, and the surface S is used as a reference. No nozzle is arranged on the outer peripheral portion on the other side.
  • the predetermined plane S is a plane that passes through the magnetic field axis AX of the magnetic field ML and the central axis CA of the EUV light collector mirror 23, and is represented as a broken line that coincides with the magnetic field axis AX in FIG. .
  • the central axis CA of the EUV collector mirror 23 may be a straight line passing through the first focal point and the second focal point of the reflecting surface 23A, or may be the rotational axis of the spheroid. Good.
  • the nozzles 32 are disposed toward the central axis CA of the EUV light collector mirror 23, but may be disposed, for example, in a direction orthogonal to the magnetic field axis AX. It suffices if they are arranged from one side to the other side with respect to the surface S of the first side. In addition, instead of the plurality of nozzles 32 arranged at intervals on the outer peripheral portion on one side with respect to the predetermined surface S, one nozzle having a continuous jet is arranged along the outer peripheral portion. May be.
  • the droplet supply unit 6 is disposed on one side with a predetermined surface S as a reference. As in FIG. 2, the droplet supply unit 6 is not arranged on the XX cross section of FIG. 1, and is shown by a broken line in FIG.
  • the etching gas supply unit 3 supplies the etching gas along the reflecting surface 23A from the outer peripheral portion on one side of the outer peripheral portion of the EUV light collecting mirror 23 with the predetermined surface S as a reference.
  • the flow rates of the etching gases supplied from the respective nozzles 32 may be different, but are preferably the same.
  • the flow rate of the etching gas ejected from the nozzle 32 is, for example, in the range of 10 L / min to 100 L / min, and preferably in the range of 20 L / min to 40 L / min.
  • the flow rate of the etching gas ejected from the nozzle 32 can be set to 20 m / s to 200 m / s, for example.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing the flow of the etching gas in the chamber according to the first embodiment. 5 shows a YY cross section of FIG.
  • the predetermined surface S is shown as a broken line that coincides with the central axis AX of the EUV light collector mirror 23 in FIG.
  • the etching gas flows toward the central axis CA along the reflecting surface 23A of the EUV light collector mirror 23, and passes through the central axis CA. Then, the etching gas travels toward the wall of the chamber 2 along the reflection surface 23A on the other side with the predetermined surface S as a reference.
  • the etching gas flows along the wall of the chamber, and a part of the etching gas flows into the discharge ports 51A and 51B provided on the wall of the chamber 2.
  • the etching gas that has flowed into the discharge ports 51A and 51B is exhausted by the exhaust unit 5 together with components such as fine particles, charged particles, neutralized charged particles, and products described above included in the etching gas. .
  • the etching gas supply unit 3 is only from the outer peripheral part on one side of the outer peripheral part of the EUV light collector mirror 23 with the predetermined surface S as a reference. An etching gas is supplied along the reflecting surface 23A. Accordingly, the etching gas is not supplied from the outer peripheral portion on the other side of the outer peripheral portion of the EUV light collecting mirror 23 with respect to the predetermined surface S.
  • the etching gas flowing along the reflecting surface 23A from the outer peripheral portion on one side with respect to the predetermined surface S passes through the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23, and the other gas with the surface S as a reference. It flows along the reflection surface 23A on the side. Thereafter, the etching gas flows along the wall of the chamber 2 toward the exposure apparatus connecting portion side of the chamber 2. As a result, the etching gas flows so as to avoid the convergence region of the charged particles including the plasma generation region 22. As described above, charged particles are present in the convergence region at a higher density than in other spaces. Further, since the plasma generation region 22 is a generation source of charged particles and fine particles, the plasma generation region 22 has the most charged particles and fine particles immediately after the plasma generation. As described above, the etching gas flows while avoiding the charged particle convergence region including the plasma generation region 22, thereby reducing the amount of charged particles and fine particles diffused by the etching gas.
  • the charged particles staying in the chamber 2 are neutralized or that the charged particles collide with the fine particles in the chamber 2 to generate new fine particles.
  • contamination of the optical element can be reduced.
  • the droplet supply unit 6 is disposed on one side with the predetermined surface S as a reference.
  • the etching gas flows along the wall of the chamber 2 located on the downstream side of the EUV light collector mirror 23 through the EUV light collector mirror 23, passes through the predetermined surface S after passing through the exposure apparatus connecting portion. It flows from the other side of the predetermined surface S to one side.
  • the flow rate of the etching gas flowing along the other side wall of the predetermined surface S is compared with the flow rate of the etching gas flowing along the one side wall. Then, the flow velocity on one side having a longer flow path is lower than the flow velocity on the other side with respect to the predetermined surface S.
  • the droplet supply unit 6 by arranging the droplet supply unit 6 on one side where the flow velocity is low, the droplet trajectory is hardly deflected by the flow of the etching gas. As a result, the droplets can be appropriately turned into plasma by the laser light applied to the plasma generation region 22.
  • Embodiment 2 5.1 Partial Configuration of Extreme Ultraviolet Light Generation Device
  • a partial configuration of the extreme ultraviolet light generation device will be described as a second embodiment.
  • symbol is attached
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the extreme ultraviolet light generation apparatus according to the second embodiment in the section XX of FIG. However, the magnetic field generator 4 is omitted in FIG. As shown in FIG. 6, the extreme ultraviolet light generation apparatus of Embodiment 2 is different from the extreme ultraviolet light generation apparatus of Comparative Example 1 in that the flow rates supplied from the plurality of nozzles 32 in the etching gas supply unit 3 are different. .
  • the nozzle 32 of the present embodiment is arranged with an interval between both the outer peripheral portion on one side with respect to the predetermined surface S and the outer peripheral portion on the other side with reference to the surface S.
  • the flow rates of the etching gases supplied from the respective nozzles 32 disposed on the outer peripheral portion on one side with respect to the predetermined surface S are respectively set on the outer peripheral portion on the other side with respect to the surface S. It is set higher than the flow rate of the etching gas supplied from the nozzle 32.
  • the flow rate of the etching gas supplied from the other side with reference to the predetermined surface S is 1, the flow rate of the etching gas supplied from one side with reference to the surface S to the flow rate of 1 is 2 or more and 4 or less.
  • the flow rate of the etching gas supplied from one side with respect to the predetermined surface S may be switched according to, for example, the diameter of the droplet, the energy of the laser beam PL, or the like.
  • the droplet supply unit 6 is arranged on one side with respect to the predetermined surface S as in the first embodiment.
  • the etching gas supply unit 3 supplies an etching gas from the outer peripheral part of the EUV light collecting mirror 23 along the reflecting surface 23A.
  • the flow rate of the etching gas supplied from the outer peripheral portion on one side with respect to the predetermined surface S is the flow rate of the etching gas supplied from the outer peripheral portion on the other side with respect to the surface S. Higher than.
  • FIG. 7 is a schematic view showing the flow of the etching gas in the chamber in the second embodiment.
  • FIG. 7 shows a YY cross section of FIG. As shown in FIG. 7, the etching gas flows toward the central axis CA along the reflection surface 23 ⁇ / b> A of the EUV light collector mirror 23.
  • the flow rate of the etching gas on one side based on the predetermined surface S is higher than the flow rate of the etching gas on the other side based on the surface S.
  • the joining position of the etching gas flowing on one side with respect to the predetermined surface S and the etching gas flowing on the other side with respect to the surface S deviates from the central axis CA of the EUV light collector mirror 23. .
  • the joining position is shifted to the other side with respect to the predetermined surface S.
  • the etching gas rises in a direction away from the reflecting surface 23A at this joining position, and moves toward the vicinity of the exposure apparatus connecting portion of the chamber 2.
  • the etching gas flows along the wall of the chamber, and a part of the etching gas flows into the discharge ports 51A and 51B provided on the wall of the chamber 2.
  • the etching gas that has flowed into the discharge ports 51A and 51B is exhausted by the exhaust unit 5 together with components such as fine particles, charged particles, neutralized charged particles, and products described above included in the etching gas. .
  • the etching gas supply unit 3 has a flow rate of the etching gas supplied from the outer peripheral portion on one side with respect to the predetermined surface S as the reference surface S. It is comprised so that it may become higher than the flow velocity of the etching gas supplied from the outer peripheral part of the other side on the basis of.
  • the joining position of the etching gas flowing on one side with respect to the predetermined surface S and the etching gas flowing on the other side with respect to the surface S is the center of the EUV light collector mirror 23. Deviation from axis CA. Therefore, the etching gas flows so as to avoid the convergence region of the charged particles including the plasma generation region 22 where the most charged particles and fine particles exist, and the amount of charged particles diffused by the etching gas is reduced.
  • Embodiment 3 6.1 Partial Configuration of Extreme Ultraviolet Light Generation Device
  • a partial configuration of the extreme ultraviolet light generation device will be described as a third embodiment.
  • symbol is attached
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the extreme ultraviolet light generation apparatus according to the third embodiment in the same cross section as FIG. As shown in FIG. 8, the extreme ultraviolet light generation apparatus of the third embodiment is different from the extreme ultraviolet light generation apparatus of the first embodiment in that an auxiliary discharge port 55 is newly provided on the wall of the chamber 2.
  • the auxiliary outlet 55 is provided on the wall of the chamber 2 separately from the outlets 51A and 51B shown in FIG.
  • the auxiliary discharge port 55 of the present embodiment is provided on the wall of the one side chamber with the predetermined surface S as a reference, like the droplet supply unit 6 shown in FIG.
  • the auxiliary discharge port 55 is located on the opposite side to the EUV light collecting mirror 23 side with respect to the magnetic field axis AX in relation to the magnetic field axis AX of the magnetic field ML. This position is downstream of the EUV light collector mirror 23 in the flow of the etching gas supplied from one side with respect to the predetermined surface S. Note that, on the further downstream side than the EUV light collecting mirror 23, the discharge ports are installed in the order of the discharge port 51B, the auxiliary discharge port 55, and the discharge port 51B.
  • auxiliary discharge port 55 is located on the opposite side to the EUV light collector mirror 23 side with respect to the trajectory OT in relation to the trajectory OT of the droplet DL. This position is also downstream of the EUV light collector mirror 23 in the flow of the etching gas supplied from one side with the predetermined surface S as a reference.
  • the auxiliary exhaust port 55 is connected to an exhaust unit (not shown) via a discharge pipe 52C.
  • the exhaust part may be the exhaust part 5 connected to the exhaust ports 51A and 51B via the exhaust pipes 52A and 52B, or may be an exhaust part different from the exhaust part 5.
  • the etching gas supply unit 3 supplies the etching gas along the reflection surface 23 ⁇ / b> A from the outer peripheral portion on one side of the outer peripheral portion of the EUV light collecting mirror 23 with the predetermined surface S as a reference. As shown in FIG. 8, the etching gas passes through the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23 and travels toward the wall of the chamber 2 along the reflection surface 23 ⁇ / b> A on the other side with respect to the predetermined surface S.
  • the etching gas flows along the chamber wall, a part of the etching gas flows into the discharge ports 51A and 51B, and the other part is located downstream of the discharge ports 51A and 51B along the chamber wall. It flows toward the auxiliary discharge port 55. A part of the etching gas flowing toward the auxiliary discharge port 55 flows into the auxiliary discharge port 55.
  • the etching gas that has flowed into the discharge ports 51A and 51B and the auxiliary discharge port 55 is, together with components such as fine particles, charged particles, neutralized charged particles, and the above-described products, included in the etching gas, as in the first embodiment. Exhausted.
  • the extreme ultraviolet light generation apparatus includes an auxiliary discharge port 55 provided on the wall of the chamber 2 different from the discharge ports 51A and 51B.
  • the auxiliary discharge port 55 is located on the opposite side to the EUV light collector mirror 23 side with respect to the magnetic field axis AX in relation to the magnetic field axis AX of the magnetic field ML.
  • the auxiliary discharge port 55 is located at least on the downstream side of the EUV light collecting mirror 23 in the flow of the etching gas supplied from one side with the predetermined surface S as a reference. . Therefore, more etching gas and components such as fine particles, charged particles, neutralized charged particles, and the above-described products contained in the etching gas can be exhausted downstream of the EUV light collecting mirror 23. . As a result, the etching gas flowing along the wall of the chamber 2 is reduced from returning to the EUV light collector mirror 23, and the amount of fine particles deposited on the reflecting surface 23A of the EUV light collector mirror 23 is further reduced. The Thus, according to the extreme ultraviolet light generation apparatus of this embodiment, contamination of the optical element can be reduced.
  • the auxiliary outlet 55 of the present embodiment is located on the opposite side of the EUV light collecting mirror 23 side with respect to the orbit OT in relation to the orbit OT of the droplet DL. Since this position is also located downstream of the EUV light collector mirror 23 in the same manner as described above, more etching gas and components contained in the etching gas can be exhausted on the downstream side. is there. As a result, as described above, the etching gas flowing along the wall of the chamber 2 is reduced from returning to the EUV light collector mirror 23, and the amount of fine particles deposited on the reflecting surface 23A of the EUV light collector mirror 23 is reduced. Is further reduced.
  • Embodiment 4 7.1 Partial Configuration of Extreme Ultraviolet Light Generation Device Next, a partial configuration of the extreme ultraviolet light generation device will be described as a fourth embodiment.
  • symbol is attached
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the extreme ultraviolet light generation apparatus according to the fourth embodiment in the same cross section as FIG.
  • the extreme ultraviolet light generation apparatus of the fourth embodiment is different from the extreme ultraviolet light generation apparatus of the first embodiment in that a pair of auxiliary discharge ports 56 ⁇ / b> A and 56 ⁇ / b> B are newly provided on the wall of the chamber 2. To do.
  • the auxiliary discharge ports 56 ⁇ / b> A and 56 ⁇ / b> B are located on the side opposite to the EUV light collecting mirror 23 side with respect to the magnetic field axis AX of the magnetic field ML. And in common.
  • the auxiliary discharge ports 56A and 56B are common to the auxiliary discharge port 55 of the third embodiment in that the auxiliary discharge ports 56A and 56B are located on the opposite side of the EUV light collecting mirror 23 side with respect to the trajectory OT of the droplet DL.
  • each opening surface of the auxiliary discharge ports 56A and 56B is arranged so as to collide with the direction of the etching gas flowing along the wall of the chamber 2 so as to collide with the direction.
  • auxiliary outlet 55 of the third embodiment Different from the auxiliary outlet 55 of the third embodiment.
  • the exhaust section (not shown) is connected to the auxiliary discharge ports 56A and 56B via the discharge pipes 52D and 52E.
  • the exhaust part may be the exhaust part 5 connected to the exhaust ports 51A and 51B via the exhaust pipes 52A and 52B, or may be an exhaust part different from the exhaust part 5.
  • the etching gas supply unit 3 supplies the etching gas along the reflecting surface 23A from the outer peripheral part on one side of the outer peripheral part of the EUV light collecting mirror 23 with the predetermined surface S as a reference. As shown in FIG. 9, the etching gas passes through the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23 and travels toward the wall of the chamber 2 along the reflection surface 23 ⁇ / b> A on the other side with respect to the predetermined surface S.
  • the etching gas flows along the chamber wall, a part of the etching gas flows into the discharge ports 51A and 51B, and the other part is located downstream of the discharge ports 51A and 51B along the chamber wall.
  • the etching gas that has flowed into the discharge ports 51A and 51B and the auxiliary discharge ports 56A and 56B is exhausted together with components such as fine particles, charged particles, neutralized charged particles, and the above products contained in the etching gas.
  • auxiliary exhaust ports 56A and 56B of the extreme ultraviolet light generation apparatus of the present embodiment are provided on the wall of the chamber 2 different from the exhaust ports 51A and 51B, similarly to the auxiliary exhaust port 55 of the third embodiment. And located on the side opposite to the EUV light collector mirror 23 side with respect to the magnetic field axis AX of the magnetic field ML.
  • etching gas, fine particles, charged particles, neutralized charged particles, the above-described products, and the like included in the etching gas on the downstream side of the EUV light collecting mirror 23 Components can be exhausted.
  • the etching gas flowing along the wall of the chamber 2 is reduced from returning to the EUV light collector mirror 23, and the amount of fine particles deposited on the reflecting surface 23A of the EUV light collector mirror 23 is further reduced.
  • contamination of the optical element can be reduced.
  • auxiliary discharge ports 56A and 56B of the present embodiment are arranged substantially in parallel to the direction of the etching gas flowing along the wall of the chamber 2.
  • the degree of freedom of arrangement of the auxiliary discharge ports 56A and 56B with respect to the wall surface of the chamber 2 can be increased.
  • Many types of various sensors (not shown) are often arranged on the wall surface of the chamber 2. Even in such a case, the opening surfaces of the auxiliary discharge ports 56A and 56B may be arranged easily in parallel with the direction of the etching gas flowing along the wall of the chamber 2.
  • Embodiment 5 8.1 Partial Configuration of Extreme Ultraviolet Light Generation Device
  • a partial configuration of the extreme ultraviolet light generation device will be described as a fifth embodiment.
  • symbol is attached
  • FIG. 10 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the extreme ultraviolet light generation apparatus according to the fifth embodiment in the same cross section as FIG.
  • the sub nozzle 35 different from the nozzle 32 provided on the outer peripheral portion of the EUV light collecting mirror 23 is newly provided. It differs from the extreme ultraviolet light generator.
  • the sub nozzle 35 is provided on the outer peripheral portion of the through hole 23B in the reflection surface 23A of the EUV light collecting mirror 23.
  • the outlet of the sub nozzle 35 is disposed toward the other side with respect to the predetermined surface S.
  • a gas supply unit (not shown) is connected to the sub nozzle 35 via a gas introduction pipe 31.
  • the number of sub nozzles 35 may be one or plural.
  • the flow rate of the etching gas supplied from the sub nozzle 35 is set lower than the flow rate of the etching gas supplied from the nozzle 32.
  • the flow rate of the etching gas supplied from the sub nozzle 35 is 1, the flow rate of the etching gas supplied from the nozzle 32 with respect to the 1 flow rate is set to 2 or more and 4 or less.
  • the flow rate of the etching gas supplied from the sub nozzle 35 may be switched according to, for example, the diameter of the droplet, the energy of the laser light PL, or the like.
  • the etching gas supply unit 3 supplies an etching gas from an outer peripheral part on one side with the predetermined surface S as a reference, and a through hole in the reflecting surface 23A toward the other side with the surface S as a reference Etching gas is supplied from the outer periphery of 23B.
  • the etching gas supplied from the nozzle 32 flows from one side to the other side along the reflective surface 23 ⁇ / b> A of the EUV light collector mirror 23 with a predetermined surface S as a reference.
  • the etching gas that has flowed to the other side merges with the etching gas supplied from the sub nozzle 35 and travels toward the wall of the chamber 2 along the reflection surface 23A of the EUV light collector mirror 23.
  • the etching gas flows along the wall of the chamber, and a part of the etching gas flows into the discharge ports 51A and 51B provided on the wall of the chamber 2.
  • the etching gas that has flowed into the discharge ports 51A and 51B is exhausted together with components such as fine particles, charged particles, neutralized charged particles, and the above-described products contained in the etching gas.
  • the etching gas supply unit 3 is similar to the first embodiment in that the EUV light collecting mirror starts from the nozzle 32 on one side with the predetermined surface S as a reference. An etching gas is supplied along the reflecting surface 23A of the head 23. Part of the etching gas supplied from the nozzle 32 reacts with the fine particles adhering to the reflecting surface 23A in the process of flowing along the reflecting surface 23A of the EUV light collector mirror 23. For this reason, the flow rate of the etching gas flowing along the reflection surface 23A of the EUV light collector mirror 23 tends to decrease as the distance from the nozzle 32 increases. If the flow rate becomes excessively low, the reflection surface 23A is contaminated. There is concern that the ability to suppress will be reduced.
  • the etching gas supply unit 3 of the present embodiment not only supplies the etching gas from the nozzle 32 but also the outer peripheral part of the through hole 23B of the EUV light collector mirror 23 toward the other side with respect to the predetermined surface S.
  • the etching gas is supplied along the reflecting surface 23A.
  • the etching gas can be supplied at an appropriate flow rate along the reflection surface 23A of the EUV light collector mirror 23, and as a result, contamination of the reflection surface 23A is suppressed.
  • Ability can be maintained above a certain level.

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Abstract

極端紫外光生成装置は、ターゲット物質のドロップレットをプラズマ化させるプラズマ生成領域（２２）を内部に有するチャンバ（２）と、前記プラズマ生成領域でのドロップレットのプラズマ化により生じるＥＵＶ光を反射する反射面（２３Ａ）を有するＥＵＶ光集光ミラー（２３）と、前記プラズマ生成領域でのドロップレットのプラズマ化により生じる荷電粒子が前記チャンバの壁側に収束するための磁場ＭＬを発生するよう構成された磁場発生部と、前記ＥＵＶ光集光ミラーの外周部から前記反射面に沿ってエッチングガスを供給するエッチングガス供給部（３２）と、を備え、前記エッチングガス供給部は、前記磁場の磁場軸ＡＸ及び前記ＥＵＶ光集光ミラーの中心軸を通る面Ｓを基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流速が、面Ｓを基準とした他方側から供給されるエッチングガスの流速よりも高くなるよう構成される。

Description

極端紫外光生成装置
　本開示は、極端紫外光生成装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系（ｒｅｄｕｃｅｄ　ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ　ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｏｐｔｉｃｓ）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
特表平６－５００３９４号公報 特表２０１３－５０６２８０号公報
概要
　本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、ターゲット物質のドロップレットをプラズマ化させるプラズマ生成領域を内部に有するチャンバと、プラズマ生成領域でのドロップレットのプラズマ化により生じるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ光集光ミラーと、プラズマ生成領域でのドロップレットのプラズマ化により生じる荷電粒子がチャンバの壁側に収束するための磁場を発生するよう構成された磁場発生部と、ＥＵＶ光集光ミラーの外周部から反射面に沿ってエッチングガスを供給するエッチングガス供給部と、を備え、エッチングガス供給部は、磁場の磁場軸及びＥＵＶ光集光ミラーの中心軸を通る面を基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流速が、面を基準とした他方側から供給されるエッチングガスの流速よりも高くなるよう構成されてもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図２は、比較例の極端紫外光生成装置の概略構成を図１のＸ－Ｘ断面で示す模式図である。 図３は、比較例におけるチャンバ内でのエッチングガスの流れを示す模式図である。 図４は、実施形態１の極端紫外光生成装置の概略構成を図１のＸ－Ｘ断面で示す模式図である。 図５は、実施形態１におけるチャンバ内でのエッチングガスの流れを示す模式図である。 図６は、実施形態２の極端紫外光生成装置の概略構成を図１のＸ－Ｘ断面で示す模式図である。 図７は、実施形態２におけるチャンバ内でのエッチングガスの流れを示す模式図である。 図８は、実施形態３の極端紫外光生成装置の概略構成を図５と同じ断面で示す模式図である。 図９は、実施形態４の極端紫外光生成装置の概略構成を図５と同じ断面で示す模式図である。 図１０は、実施形態５の極端紫外光生成装置の概略構成を図５と同じ断面で示す模式図である
実施形態
１．概要
２．極端紫外光生成装置の説明
　２．１　全体構成
　２．２　動作
３．比較例
　３．１　比較例のエッチングガス供給部の説明
　３．２　動作
　３．３　課題
４．実施形態１
　４．１　実施形態１のエッチングガス供給部の説明
　４．２　動作
　４．３　作用・効果
５．実施形態２
　５．１　実施形態２のエッチングガス供給部の説明
　５．２　動作
　５．３　作用・効果
６．実施形態３
　６．１　実施形態３のエッチングガス供給部の説明
　６．２　動作
　６．３　作用・効果
７．実施形態４
　７．１　実施形態４のエッチングガス供給部の説明
　７．２　動作
　７．３　作用・効果
８．実施形態５
　８．１　実施形態５のエッチングガス供給部の説明
　８．２　動作
　８．３　作用・効果
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
　以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。
　なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．概要
　本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置に関するものである。なお、以下本明細書では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
２．極端紫外光生成装置の説明
　２．１　全体構成
　図１は、極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示すように、本実施形態の極端紫外光生成装置１は、チャンバ２及び図１では不図示のドロップレット供給部を含む。チャンバ２は、密閉可能かつ減圧可能な容器である。ドロップレット供給部は、チャンバ２内にターゲット物質のドロップレットを供給するよう構成される。ドロップレット供給部は、例えば、コンティニュアスジェット方式により間隔をあけてターゲット物質のドロップレットをチャンバ２内に供給するよう構成し得る。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノンのいずれか、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられ、当該貫通孔がウインドウ２１によって塞がれている。このウインドウ２１を透過してチャンバ２の内部にパルス状のレーザ光ＰＬが入射し、入射したレーザ光ＰＬはチャンバ２の内部のプラズマ生成領域２２に照射される。プラズマ生成領域２２は、チャンバ２内に供給されるターゲット物質のドロップレットがプラズマ化される領域である。
　チャンバ２の内部には、ＥＵＶ光集光ミラー２３が設けられる。ＥＵＶ光集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２２においてドロップレットがプラズマ化されることで生じるＥＵＶ光を集光するよう構成される。ＥＵＶ光集光ミラー２３は、例えば、プラズマ生成領域２２で生じるＥＵＶ光を反射する回転楕円面形状の反射面２３Ａを有し、第１の焦点がプラズマ生成領域２２に位置し、第２の焦点が中間集光点に位置するように配置される。なお、ＥＵＶ光集光ミラー２３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡ周りに貫通孔２３Ｂを有していてもよく、チャンバ２の内部に入射したレーザ光ＰＬが貫通孔２３Ｂを通過するようにしてもよい。また、ＥＵＶ光集光ミラー２３には、ＥＵＶ光集光ミラー２３の温度を略一定に保つ温度調整器が設けられていてもよい。なお、ＥＵＶ集光ミラー２３の中心軸ＣＡは、反射面２３Ａの第１の焦点及び第２の焦点を通る直線であってもよく、回転楕円面の回転軸であってもよい。
　また本実施形態の極端紫外光生成装置１は、エッチングガス供給部３を含む。エッチングガス供給部３は、ドロップレットのプラズマ化により生じた微粒子及び荷電粒子に反応するエッチングガスをＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに供給するよう構成される。ターゲット物質の材料がスズである場合、エッチングガス供給部３から供給されるガスは、水素ガス等のように水素を含有するガスとされる。この場合、ターゲット物質のドロップレットがプラズマ生成領域２２でプラズマ化するとスズ微粒子及びスズイオンが生じ、当該スズ微粒子及びスズイオンが水素と反応すると常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ４）になる。
　エッチングガス供給部３は、例えば、エッチングガスを供給する不図示のガス供給部と、ガス供給部に連結されるガス導入管３１と、ガス導入管３１に連結されＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部に配置されるノズル３２とにより構成し得る。
　また本実施形態の極端紫外光生成装置１は、磁場発生部４を含む。磁場発生部４は、プラズマ生成領域２２で生じる荷電粒子がチャンバ２の壁側に収束するための磁場ＭＬを発生するよう構成される。
　磁場発生部４は、例えば、互いに対向するチャンバ２の壁を挟むように配置した一対の電磁石４１，４２により構成し得る。電磁石４１は、超電導コイル４１Ａと、超電導コイル４１Ａを囲うケース４１Ｂと、超電導コイル４１Ａに接続される不図示の電流供給部とを含む。電磁石４２は、超電導コイル４２Ａと、超電導コイル４２Ａを囲うケース４２Ｂと、超電導コイル４２Ａに接続される不図示の電流供給部とを含む。
　超電導コイル４１Ａ，４２Ａは、当該超電導コイル４１Ａ，４２Ａの中間にプラズマ生成領域２２が位置するように配置される。超電導コイル４１Ａに対して電流供給部から供給される電流の方向と、超電導コイル４２Ａに対して電流供給部から供給される電流の方向とは同方向にされる。このような電流が超電導コイル４１Ａ，４２Ａに供給された場合、超電導コイル４１Ａ，４２Ａの近傍で磁束密度が最も高く、プラズマ生成領域２２に向かうほど磁束密度が低くなる磁場ＭＬが発生する。この磁場ＭＬはミラー磁場と呼ばれることもある。超電導コイル４１Ａ，４２Ａは円形コイルであってよく、超電導コイル４１Ａ，４２Ａは互いに同軸状に配置されてもよい。以下の説明では、円形超電導コイルの中心軸を磁場ＭＬの磁場軸ＡＸとする。但し、これに限らず、チャンバ２の内部に発生する磁場ＭＬに中心軸が定義できる場合、その中心軸を磁場軸ＡＸとしてもよい。
　プラズマ生成領域２２で生じる荷電粒子をチャンバ２の壁側に効率良く収束させるためには、ミラー比を小さくすることが好ましい。ミラー比は、超電導コイル４１Ａ，４２Ａの中間に位置されるプラズマ生成領域２２での磁束密度に対する、当該超電導コイル４１Ａ，４２Ａの近傍での磁束密度の比である。また、プラズマ生成領域２２で生じる荷電粒子をチャンバ２の壁側に効率良く収束させるため、磁場ＭＬの形状が制御されてもよい。例えば、超電導コイル４１Ａ，４２Ａの巻き数やそれら超電導コイル４１Ａ，４２Ａに印加される電流の強さ等によって磁場ＭＬの形状が制御され得る。
　なお、磁場発生部４は、一方の電磁石４１側からプラズマ生成領域２２を介して他方の電磁石４２側に荷電粒子が収束するための磁場を発生するようにしてもよい。また、磁場発生部４は、一対の電磁石４１，４２により構成されたが、一対の永久磁石により構成されてもよい。また、磁場を発生するための磁石である電磁石４１，４２もしくは永久磁石がチャンバ２の内部にあってもよい。
　また本実施形態の極端紫外光生成装置１は、排気部５を含む。排気部５は、チャンバ２内の残留ガスを排気するよう構成される。残留ガスは、ドロップレットのプラズマ化により生じた微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応した生成物と、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部はチャンバ２内で中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。
　排気部５は、例えば、チャンバ２の壁に設けられる排出口５１Ａ，５１Ｂから、当該排出口５１Ａ，５１Ｂに連結される排出管５２Ａ，５２Ｂを介してチャンバ２内の残留ガスを取り込み、当該残留ガスに対して所定の排気処理を施すよう構成し得る。
　なお、排出口５１Ａ，５１Ｂは、図１に示す例では磁場ＭＬの磁場軸ＡＸ上に位置しているが、エッチングガス供給部３から供給されるエッチングガスの流れにおけるＥＵＶ光集光ミラー２３よりも下流側に位置していてもよい。但し、プラズマ生成領域２２で生じる荷電粒子を効率良く排出するためには、排出口５１Ａ，５１Ｂが磁場ＭＬの磁場軸ＡＸ上に位置することが好ましい。
　また、排出管５２Ａは、図１に示す例ではチャンバ２と電磁石４１との間を経由するように配置されているが、超電導コイル４１Ａの貫通孔Ｈ１に挿通されるように配置されていてもよい。同様に、排出管５２Ｂは、図１に示す例ではチャンバ２と電磁石４２との間を経由するように配置されているが、超電導コイル４２Ａの貫通孔Ｈ２に挿通されるように配置されていてもよい。また、一対の排出口５１Ａ，５１Ｂと、排気部５との少なくとも一方に、微粒子をトラップするヒータ等のトラップ機構が設けられてもよい。さらに、排気部５は、チャンバ２内の圧力を略一定に保つようにしてもよい。
　２．２　動作
　エッチングガス供給部３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部に配置されるノズル３２からエッチングガスを噴出し、当該外周部から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給する。また、磁場発生部４は超電導コイル４１Ａ，４２Ａの近傍で磁束密度が最も高くプラズマ生成領域２２に向かうほど磁束密度が低くなる磁場ＭＬを発生し、排気部５はチャンバ２内の圧力を略一定に保つ。なお、磁場ＭＬの磁束密度は例えば０．４Ｔ～３Ｔの範囲内とされ、好ましくは０．５Ｔ～１．５Ｔの範囲内とされる。チャンバ２内の圧力は例えば１０Ｐａ～１００Ｐａの範囲内とされ、好ましくは１５Ｐａ～４０Ｐａとされる。
　この状態において、ターゲット物質のドロップレットがチャンバ２内に供給され、当該チャンバ２内のプラズマ生成領域２２に達したドロップレットに対してレーザ光ＰＬが照射される。
　レーザ光ＰＬが照射されたドロップレットはプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光を含む光が放射する。ＥＵＶ光は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａで選択的に反射され、チャンバ２に接続された不図示の露光装置に出力される。
　ところで、ドロップレットがプラズマ化すると、上記のように荷電粒子が生じる。荷電粒子は、ローレンツ力を受けることで磁力線に垂直な面内で回転する軌道を描いて運動する。このように運動する荷電粒子が排出口５１Ａ，５１Ｂの方向に速度成分を有している場合、荷電粒子は磁力線に沿ってらせん軌道を描いて収束しながらチャンバ２の壁に向かう。そして、荷電粒子は、磁場ＭＬの収束部付近のチャンバ２の壁に設けられた排出口５１Ａ，５１Ｂに誘導される。従って、荷電粒子が収束しながら移動する領域には他の空間に比べて高密度で荷電粒子が存在する。荷電粒子が収束しながら移動する領域を、荷電粒子の収束領域とする。荷電粒子の収束領域はプラズマ生成領域を含む。なお、上記のように、ドロップレットのプラズマ化により生じた荷電粒子の一部は中性化する。排出口５１Ａ，５１Ｂから排出管５２Ａ，５２Ｂの管内に達した荷電粒子は排気流に乗って排気部５に流入し、その排気部５で所定の排気処理が施される。このようにプラズマ生成領域２２で生じる荷電粒子が磁場ＭＬによって排出口５１Ａ，５１Ｂに導かれ排気されることで、当該荷電粒子の衝突によるＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａの損傷が抑制される。
　また、ドロップレットがプラズマ化すると、上記のように微粒子が生じる。微粒子は、磁場発生部４により発生される磁場ＭＬの影響を受けないためチャンバ２内に拡散する。チャンバ２内に拡散した微粒子の一部はＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに付着する。反射面２３Ａに付着した微粒子は、エッチングガス供給部３から反射面２３Ａに沿って供給されるエッチングガスと反応し、この反応により所定の生成物となる。上記のように微粒子がスズ微粒子であり、エッチングガスが水素を含むガスである場合、生成物は常温で気体のスタンナンである。このスタンナンは高温で水素と乖離し、スズ微粒子が生じ易くなる。従って、生成物がスタンナンである場合には、水素との乖離を抑制するためにＥＵＶ光集光ミラー２３の温度が６０℃以下に保たれるとよい。なお、ＥＵＶ光集光ミラー２３の温度を２０℃以下とすることがより好ましい。
　エッチングガスとの反応により得られた生成物は、未反応のエッチングガスの流れにのって、排出口５１Ａ，５１Ｂに向かう。また、磁場ＭＬによって排出口５１Ａ，５１Ｂに収束しなかった荷電粒子、及び、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに付着しなかった微粒子の少なくとも一部は、チャンバ２内を流れる未反応のエッチングガスの一部と反応する。この反応により得られる生成物は、未反応のエッチングガスの流れにのって、排出口５１Ａ，５１Ｂに向かう。そして、未反応のエッチングガスの少なくとも一部は、排出口５１Ａ，５１Ｂに流入する。
　排出口５１Ａ，５１Ｂに流入した未反応のエッチングガスと、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分は、排気流に乗って排気部５に流入し、その排気部５で無害化等の所定の排気処理が施される。このようにチャンバ２内の各種の物質が排気されることで、チャンバ２内で中性化した荷電粒子や微粒子がＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに堆積することが抑制される。
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
　次に、比較例の極端紫外光生成装置を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　３．１　構成
　図２は、比較例の極端紫外光生成装置の構成を図１のＸ－Ｘ断面で示す模式図である。但し、図２では磁場発生部４が省略されている。図２に示すように、比較例の極端紫外光生成装置では、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部の略全体にわたって複数のノズル３２が間隔をあけて配置されている。なお、複数のノズル３２が等間隔で配置されていてもよい。それぞれのノズル３２の噴出口は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに向けて配置されている。
　なお、図２では、図１において不図示であったドロップレット供給部６が示されている。但し、ドロップレット供給部６は、図１のＸ－Ｘ断面上に配置されていないため、破線で示している。本例では、図１の磁場軸ＡＸを通り、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに垂直な面上におけるチャンバ２の壁にドロップレット供給部６が設けられ、当該ドロップレット供給部６の一部がチャンバ２内に配置される。
　３．２　動作
　エッチングガス供給部３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部に配置される複数のノズル３２からそれぞれ反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給する。なお、それぞれのノズル３２から供給されるエッチングガスの流速は同程度とされる。
　図３は、比較例におけるチャンバ内でのエッチングガスの流れを示す模式図である。なお、図３は、図２のＹ－Ｙ断面を示している。図３に示すように、エッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って中心軸ＣＡに向かって流れ、中心軸ＣＡ付近でぶつかりあう。これによりエッチングガスは、中心軸ＣＡに沿って反射面２３Ａから離れる方向に上昇し、プラズマ生成領域２２を含む磁場ＭＬを通ってチャンバ２の壁に向かう。
　その後、エッチングガスは、チャンバの壁に沿って流れ、当該エッチングガスの一部はチャンバ２の壁に設けられる排出口５１Ａ，５１Ｂに流入する。排出口５１Ａ，５１Ｂに流入したエッチングガスは、上記のように、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分と共に排気部５で排気される。
　３．３　課題
　比較例の極端紫外光生成装置は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部の略全体にわたって配置される複数のノズル３２から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給している。このため、エッチングガスはＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡ付近で合流してプラズマ生成領域２２を通って上昇する。従って、上昇するエッチングガスの流れは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って流れるエッチングガスに比べて強くなる。
　これによりプラズマ生成領域２２において生じた微粒子は、プラズマ生成領域２２を含む荷電粒子の収束領域を通って流れるエッチングガスによってチャンバ２内部に拡散されるためＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに微粒子が堆積する傾向が強くなる。また、プラズマ生成領域２２において生じた荷電粒子は、磁場ＭＬの磁力線に沿って排出口５１Ａ，５１Ｂに移動する際に、エッチングガスによって拡散され、チャンバ２内に滞留し易くなる。
　チャンバ２内に荷電粒子が滞留すると、当該荷電粒子は中性化し易くなる。また、チャンバ２内に滞留する荷電粒子がチャンバ２内の微粒子と衝突して新たな微粒子を生じさせる場合がある。このため、チャンバ２内に荷電粒子が停滞すると、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに微粒子が堆積する傾向が強くなる。その結果、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射率や他の光学素子の反射率や透過率が低下するという不具合が生じ得る。このように光学素子の汚染が生じると、ＥＵＶ光の出力が低下する、あるいは、ＥＵＶ光が生成されないといったことが懸念される。
　そこで、以下の実施形態では、光学素子の汚染を低減し得る極端紫外光生成装置が例示される。
４．実施形態１
　４．１　極端紫外光生成装置の一部の構成
　次に、実施形態１として極端紫外光生成装置の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　図４は、実施形態１の極端紫外光生成装置の概略構成を図１のＸ－Ｘ断面で示す模式図である。但し、図４では磁場発生部４が省略されている。図４に示すように、実施形態１の極端紫外光生成装置では、エッチングガス供給部３における複数のノズル３２の一部が配置されない点で、比較例１の極端紫外光生成装置と相違する。
　すなわち、本実施形態のノズル３２は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部のうち所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部に間隔をあけて配置されており、当該面Ｓを基準とした他方側の外周部にはノズルが配置されない。所定の面Ｓは、磁場ＭＬの磁場軸ＡＸ及びＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを通る面であり、図４では紙面に直交するため磁場軸ＡＸと一致する破線として表わされている。なお、ＥＵＶ集光ミラー２３の中心軸ＣＡは、上記のように、反射面２３Ａの第１の焦点及び第２の焦点を通る直線であってもよく、回転楕円面の回転軸であってもよい。
　それぞれのノズル３２の噴出口は、本実施形態ではＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに向けて配置されているが、例えば磁場軸ＡＸに直交する方向に向けて配置されてもよく、所定の面Ｓを基準として一方側から他方側に向かって配置されていればよい。なお、所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部に間隔をあけて配置される複数のノズル３２に代えて、当該外周部に沿って連続した噴出口を有する１つのノズルが配置されていてもよい。
　ドロップレット供給部６は、所定の面Ｓを基準とした一方側に配置されている。なお、図２と同様に、ドロップレット供給部６は、図１のＸ－Ｘ断面上に配置されていないため、図４では破線で示している。
　４．２　動作
　エッチングガス供給部３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部のうち所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給する。なお、それぞれのノズル３２から供給されるエッチングガスの流速は異なっていても良いが、同程度とされることが好ましい。また、ノズル３２から噴出するエッチングガスの流量は例えば１０Ｌ／ｍｉｎ～１００Ｌ／ｍｉｎの範囲内とされ、好ましくは２０Ｌ／ｍｉｎ～４０Ｌ／ｍｉｎの範囲内とされる。また、ノズル３２から噴出するエッチングガスの流速は例えば、２０ｍ／ｓ～２００ｍ／ｓとすることができる。
　図５は、実施形態１におけるチャンバ内でのエッチングガスの流れを示す模式図である。なお、図５は、図４のＹ－Ｙ断面を示している。なお、上記の所定の面Ｓは、図５では紙面に直交するためＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＡＸと一致する破線として表わされている。図５に示すように、エッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って中心軸ＣＡに向かって流れ、中心軸ＣＡを経由する。そして、エッチングガスは、所定の面Ｓを基準とした他方側の反射面２３Ａに沿って、チャンバ２の壁に向かう。
　その後、エッチングガスは、チャンバの壁に沿って流れ、当該エッチングガスの一部はチャンバ２の壁に設けられる排出口５１Ａ，５１Ｂに流入する。排出口５１Ａ，５１Ｂに流入したエッチングガスは、上記のように、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分と共に排気部５で排気される。
　４．３　作用・効果
　本実施形態の極端紫外光生成装置では、エッチングガス供給部３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部のうち所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部からのみ反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給するよう構成される。従って、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部のうち所定の面Ｓを基準とした他方側の外周部からエッチングガスが供給されない。
　このため、所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部から反射面２３Ａに沿って流れるエッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを経由し、当該面Ｓを基準とした他方側の反射面２３Ａに沿って流れる。その後、エッチングガスは、チャンバ２の壁に沿ってチャンバ２の露光装置接続部側に向かって流れる。これによりエッチングガスは、プラズマ生成領域２２を含む荷電粒子の収束領域を避けるように流れる。上述のように、収束領域には他の空間に比べて高密度で荷電粒子が存在する。また、プラズマ生成領域２２は荷電粒子及び微粒子の発生源であるため、プラズマ生成直後は当該プラズマ生成領域２２には最も多くの荷電粒子及び微粒子が存在する。このように、プラズマ生成領域２２を含む荷電粒子の収束領域を避けてエッチングガスが流れることで、当該エッチングガスによって拡散される荷電粒子及び微粒子の量が低減される。
　従って、チャンバ２内に滞留する荷電粒子が中性化し、あるいは、当該荷電粒子がチャンバ２内の微粒子と衝突して新たな微粒子を生じさせることが低減される。その結果、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａや他の光学素子に微粒子が堆積することに起因する当該光学素子における反射率や透過率の低下が抑制され得る。こうして、本実施形態の極端紫外光生成装置によれば、光学素子の汚染を低減することができる。
　また、本実施形態の極端紫外光生成装置では、所定の面Ｓを基準とした一方側にドロップレット供給部６が配置されている。エッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３を経てＥＵＶ光集光ミラー２３の下流側に位置するチャンバ２の壁に沿って流れ、露光装置接続部を経由した後、所定の面Ｓを通過して所定の面Ｓの他方側から一方側に流れる。ここで、所定の面Ｓの他方側の壁に沿って流れるエッチングガスの流速と一方側の壁に沿って流れるエッチングガスの流速とを比較する。すると、所定の面Ｓを基準とした他方側での流速よりも、流路の長い一方側での流速が低くなる。従って、流速の低い一方側にドロップレット供給部６を配置することで、エッチングガスの流れによってドロップレットの軌道が逸らされ難くなる。その結果、プラズマ生成領域２２に照射されるレーザ光によって適切にドロップレットがプラズマ化され得る。
５．実施形態２
　５．１　極端紫外光生成装置の一部の構成
　次に、実施形態２として極端紫外光生成装置の一部の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　図６は、実施形態２の極端紫外光生成装置の概略構成を図１のＸ－Ｘ断面で示す模式図である。但し、図６では磁場発生部４が省略されている。図６に示すように、実施形態２の極端紫外光生成装置では、エッチングガス供給部３における複数のノズル３２から供給される流速が異なる点で、比較例１の極端紫外光生成装置と相違する。
　すなわち、本実施形態のノズル３２は、所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部と、当該面Ｓを基準とした他方側の外周部との双方に間隔をあけて配置される。ただし、所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部に配置されるそれぞれのノズル３２から供給されるエッチングガスの流速は、当該面Ｓを基準とした他方側の外周部に配置されるそれぞれのノズル３２から供給されるエッチングガスの流速よりも高く設定される。
　例えば、所定の面Ｓを基準とした他方側から供給されるエッチングガスの流速を１としたとき、当該１の流速に対する、当該面Ｓを基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流速は２以上４以下とされる。なお、所定の面Ｓを基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流速は、例えば、ドロップレットの径やレーザ光ＰＬのエネルギー等に応じて切り替えられてもよい。
　ドロップレット供給部６は、上記実施形態１と同様に、所定の面Ｓを基準とした一方側に配置されている。
　５．２　動作
　エッチングガス供給部３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給する。なお、上記のように、所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部から供給されるエッチングガスの流速は、当該面Ｓを基準とした他方側の外周部から供給されるエッチングガスの流速よりも高く設定される。
　図７は、実施形態２におけるチャンバ内でのエッチングガスの流れを示す模式図である。なお、図７は、図６のＹ－Ｙ断面を示している。図７に示すように、エッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って中心軸ＣＡに向かって流れる。
　上記のように、所定の面Ｓを基準とした一方側のエッチングガスの流速は、当該面Ｓを基準とした他方側のエッチングガスの流速よりも高い。このため、所定の面Ｓを基準とした一方側を流れるエッチングガスと、当該面Ｓを基準とした他方側を流れるエッチングガスとの合流位置は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡからずれる。具体的には、所定の面Ｓを基準とした他方側に合流位置がずれる。エッチングガスは、この合流位置で反射面２３Ａから離れる方向に上昇し、チャンバ２の露光装置接続部付近に向かう。
　その後、エッチングガスは、チャンバの壁に沿って流れ、当該エッチングガスの一部はチャンバ２の壁に設けられる排出口５１Ａ，５１Ｂに流入する。排出口５１Ａ，５１Ｂに流入したエッチングガスは、上記のように、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分と共に排気部５で排気される。
　５．３　作用・効果
　本実施形態の極端紫外光生成装置では、エッチングガス供給部３は、所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部から供給されるエッチングガスの流速が、当該面Ｓを基準とした他方側の外周部から供給されるエッチングガスの流速よりも高くなるよう構成される。
　このため、上記のように、所定の面Ｓを基準とした一方側を流れるエッチングガスと、当該面Ｓを基準とした他方側を流れるエッチングガスとの合流位置はＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡからずれる。従って、エッチングガスは、最も多くの荷電粒子及び微粒子が存在するプラズマ生成領域２２を含む荷電粒子の収束領域を避けるように流れ、当該エッチングガスによって拡散される荷電粒子の量が低減される。
　その結果、実施形態１と同様に、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａや他の光学素子に微粒子が堆積することに起因する当該光学素子における反射率や透過率の低下が抑制され得る。こうして、本実施形態の極端紫外光生成装置によれば、光学素子の汚染を低減することができる。
６．実施形態３
　６．１　極端紫外光生成装置の一部の構成
　次に、実施形態３として極端紫外光生成装置の一部の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　図８は、実施形態３の極端紫外光生成装置の概略構成を図５と同じ断面で示す模式図である。図８に示すように、実施形態３の極端紫外光生成装置では、チャンバ２の壁に補助排出口５５が新たに設けられる点で、実施形態１の極端紫外光生成装置と相違する。
　補助排出口５５は、図１に示す排出口５１Ａ，５１Ｂとは別にチャンバ２の壁に設けられる。本実施形態の補助排出口５５は、図４に示すドロップレット供給部６と同様に、所定の面Ｓを基準とした一方側のチャンバの壁に設けられている。
　また、補助排出口５５は、磁場ＭＬの磁場軸ＡＸとの関係では、当該磁場軸ＡＸを基準としてＥＵＶ光集光ミラー２３側とは反対側に位置する。この位置は、所定の面Ｓを基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流れにおいてＥＵＶ光集光ミラー２３よりも下流側である。なお、ＥＵＶ光集光ミラー２３よりもより下流側では、排出口５１Ｂ、補助排出口５５、排出口５１Ｂの順に、当該排出口が設置される。
　さらに、補助排出口５５は、ドロップレットＤＬの軌道ＯＴとの関係では、当該軌道ＯＴを基準としてＥＵＶ光集光ミラー２３側とは反対側に位置する。この位置も、所定の面Ｓを基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流れにおいてＥＵＶ光集光ミラー２３よりも下流側である。
　補助排出口５５には排出管５２Ｃを介して不図示の排気部が接続される。この排気部は、排出口５１Ａ，５１Ｂに対して排出管５２Ａ，５２Ｂを介して接続される排気部５であってもよく、当該排気部５とは別の排気部であってもよい。
　６．２　動作
　エッチングガス供給部３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部のうち所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給する。図８に示すように、エッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを経由し、所定の面Ｓを基準とした他方側の反射面２３Ａに沿って、チャンバ２の壁に向かう。
　その後、エッチングガスはチャンバの壁に沿って流れ、当該エッチングガスの一部は排出口５１Ａ，５１Ｂに流入し、他の一部はチャンバの壁に沿って排出口５１Ａ，５１Ｂよりも下流に位置する補助排出口５５に向かって流れる。補助排出口５５に向かって流れるエッチングガスの一部は、当該補助排出口５５に流入する。排出口５１Ａ，５１Ｂ及び補助排出口５５に流入したエッチングガスは、実施形態１と同様に、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分と共に排気される。
　６．３　作用・効果
　本実施形態の極端紫外光生成装置は、排出口５１Ａ，５１Ｂとは異なるチャンバ２の壁に設けられる補助排出口５５を備える。この補助排出口５５は、磁場ＭＬの磁場軸ＡＸとの関係では、当該磁場軸ＡＸを基準としてＥＵＶ光集光ミラー２３側とは反対側に位置する。
　このため、補助排出口５５は、上記のように、所定の面Ｓを基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流れにおいてＥＵＶ光集光ミラー２３よりも下流側に少なくとも位置することになる。従って、ＥＵＶ光集光ミラー２３よりも下流側でより多くのエッチングガスと、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分とが排気され得る。その結果、チャンバ２の壁に沿って流れるエッチングガスが再びＥＵＶ光集光ミラー２３に戻ることが低減され、当該ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに堆積する微粒子の量がより一段と低減される。こうして、本実施形態の極端紫外光生成装置によれば、光学素子の汚染を低減することができる。
　また、本実施形態の補助排出口５５は、ドロップレットＤＬの軌道ＯＴとの関係では、当該軌道ＯＴを基準としてＥＵＶ光集光ミラー２３側とは反対側に位置する。この位置も、上記と同様にＥＵＶ光集光ミラー２３よりも下流側に位置することから、当該下流側でより多くのエッチングガスと、当該エッチングガスに含まれる成分とを排気することが可能である。その結果、上記のように、チャンバ２の壁に沿って流れるエッチングガスが再びＥＵＶ光集光ミラー２３に戻ることが低減され、当該ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに堆積する微粒子の量がより一段と低減される。
７．実施形態４
　７．１　極端紫外光生成装置の一部の構成
　次に、実施形態４として極端紫外光生成装置の一部の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　図９は、実施形態４の極端紫外光生成装置の概略構成を図５と同じ断面で示す模式図である。図９に示すように、実施形態４の極端紫外光生成装置では、チャンバ２の壁に一対の補助排出口５６Ａ，５６Ｂが新たに設けられる点で、実施形態１の極端紫外光生成装置と相違する。
　補助排出口５６Ａ，５６Ｂは、ドロップレット供給部６と同様に、磁場ＭＬの磁場軸ＡＸを基準としてＥＵＶ光集光ミラー２３側とは反対側に位置する点で実施形態３の補助排出口５５と共通する。また、補助排出口５６Ａ，５６Ｂは、ドロップレットＤＬの軌道ＯＴを基準としてＥＵＶ光集光ミラー２３側とは反対側に位置する点で実施形態３の補助排出口５５と共通する。
　これに対し、補助排出口５６Ａ，５６Ｂの各開口面は、チャンバ２の壁に沿って流れるエッチングガスの方向に対して略平行に配置される点で、当該方向にぶつかるように配置される実施形態３の補助排出口５５と異なる。
　補助排出口５６Ａ，５６Ｂには排出管５２Ｄ，５２Ｅを介して不図示の排気部が接続される。この排気部は、排出口５１Ａ，５１Ｂに対して排出管５２Ａ，５２Ｂを介して接続される排気部５であってもよく、当該排気部５とは別の排気部であってもよい。
　７．２　動作
　エッチングガス供給部３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部のうち所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給する。図９に示すように、エッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを経由し、所定の面Ｓを基準とした他方側の反射面２３Ａに沿って、チャンバ２の壁に向かう。
　その後、エッチングガスはチャンバの壁に沿って流れ、当該エッチングガスの一部は排出口５１Ａ，５１Ｂに流入し、他の一部はチャンバの壁に沿って排出口５１Ａ，５１Ｂよりも下流に位置する補助排出口５６Ａ，５６Ｂに向かって流れる。補助排出口５６Ａ，５６Ｂに向かって流れるエッチングガスの一部は、当該補助排出口５６Ａ，５６Ｂに流入する。排出口５１Ａ，５１Ｂ及び補助排出口５６Ａ，５６Ｂに流入したエッチングガスは、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分と共に排気される。
　７．３　作用・効果
　本実施形態の極端紫外光生成装置の補助排出口５６Ａ，５６Ｂは、実施形態３の補助排出口５５と同様に、排出口５１Ａ，５１Ｂとは異なるチャンバ２の壁に設けられ、磁場ＭＬの磁場軸ＡＸを基準としてＥＵＶ光集光ミラー２３側とは反対側に位置する。
　従って、実施形態３と同様に、ＥＵＶ光集光ミラー２３よりも下流側でより多くのエッチングガスと、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分とが排気され得る。その結果、チャンバ２の壁に沿って流れるエッチングガスが再びＥＵＶ光集光ミラー２３に戻ることが低減され、当該ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに堆積する微粒子の量がより一段と低減される。こうして、本実施形態の極端紫外光生成装置によれば、光学素子の汚染を低減することができる。
　また、本実施形態の補助排出口５６Ａ，５６Ｂの各開口面は、チャンバ２の壁に沿って流れるエッチングガスの方向に対して略平行に配置される。
　このため、チャンバ２の壁面に対する補助排出口５６Ａ，５６Ｂの配置自由度を高くできる。チャンバ２の壁面には、不図示の各種センサー等が多数配置される場合が多い。そのような場合でも、補助排出口５６Ａ，５６Ｂの各開口面は、チャンバ２の壁に沿って流れるエッチングガスの方向に対して略平行に配置すればよいので配置が容易である。
８．実施形態５
　８．１　極端紫外光生成装置の一部の構成
　次に、実施形態５として極端紫外光生成装置の一部の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　図１０は、実施形態５の極端紫外光生成装置の概略構成を図５と同じ断面で示す模式図である。図１０に示すように、実施形態５の極端紫外光生成装置では、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部に設けられるノズル３２とは別のサブノズル３５が新たに設けられる点で、実施形態１の極端紫外光生成装置と相違する。
　サブノズル３５は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａにおける貫通孔２３Ｂの外周部に設けられる。サブノズル３５の噴出口は、所定の面Ｓを基準とした他方側に向けて配置される。このサブノズル３５には、ガス導入管３１を介して不図示のガス供給部が接続される。なお、サブノズル３５は、１つであっても複数であってもよい。
　サブノズル３５から供給されるエッチングガスの流速は、ノズル３２から供給されるエッチングガスの流速よりも低くされる。例えば、サブノズル３５から供給されるエッチングガスの流速を１としたとき、当該１の流速に対する、ノズル３２から供給されるエッチングガスの流速は２以上４以下とされる。なお、サブノズル３５から供給されるエッチングガスの流速は、例えば、ドロップレットの径やレーザ光ＰＬのエネルギー等に応じて切り替えられてもよい。
　８．２　動作
　エッチングガス供給部３は、所定の面Ｓを基準とした一方側の外周部からエッチングガスを供給すると共に、当該面Ｓを基準とした他方側に向けて反射面２３Ａにおける貫通孔２３Ｂの外周部からエッチングガスを供給する。図１０に示すように、ノズル３２から供給されるエッチングガスは、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って、所定の面Ｓを基準として一方側から他方側に流れる。この他方側に流れたエッチングガスは、サブノズル３５から供給されるエッチングガスと合流し、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿ってチャンバ２の壁に向かう。
　その後、エッチングガスは、チャンバの壁に沿って流れ、当該エッチングガスの一部はチャンバ２の壁に設けられる排出口５１Ａ，５１Ｂに流入する。排出口５１Ａ，５１Ｂに流入したエッチングガスは、上記のように、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分と共に排気される。
　８．３　作用・効果
　本実施形態の極端紫外光生成装置では、エッチングガス供給部３は、実施形態１と同様に、所定の面Ｓを基準とした一方側のノズル３２からＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給するよう構成される。ノズル３２から供給されるエッチングガスの一部は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って流れる過程で、当該反射面２３Ａに付着する微粒子と反応する。このため、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って流れるエッチングガスの流速はノズル３２から離れるほど低くなる傾向にあり、当該流速が過度に低くなった場合には反射面２３Ａの汚染を抑制する能力が低減することが懸念される。
　本実施形態のエッチングガス供給部３は、ノズル３２からエッチングガスを供給するのみならず、所定の面Ｓを基準とした他方側に向けて、ＥＵＶ光集光ミラー２３の貫通孔２３Ｂの外周部から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給するよう構成される。
　このため、エッチングガスが所定の面Ｓを基準として一方側から他方側に流れる際に、当該エッチングガスの流速が補助される。従って、本実施形態の極端紫外光生成装置によれば、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを適切な流速で供給し得、その結果、反射面２３Ａの汚染を抑制する能力をある一定以上に維持し得る。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態や変形例に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
１・・・極端紫外光生成装置、２・・・チャンバ、３・・・エッチングガス供給部、４・・・磁場発生部、５・・・排気部、６・・・ドロップレット供給部、２２・・・プラズマ生成領域、２３・・・ＥＵＶ光集光ミラー、３１・・・ガス導入管、３２・・・ノズル、３５・・・サブノズル、４１，４２・・・電磁石、５１Ａ，５１Ｂ・・・排出口、５２Ａ，５２Ｂ・・・排出管、５５，５６Ａ，５６Ｂ・・・補助排出口。

 

Claims (9)

  1. 　ターゲット物質のドロップレットをプラズマ化させるプラズマ生成領域を内部に有するチャンバと、
    　前記プラズマ生成領域での前記ドロップレットのプラズマ化により生じるＥＵＶ光を反射する反射面を有するＥＵＶ光集光ミラーと、
    　前記プラズマ生成領域での前記ドロップレットのプラズマ化により生じる荷電粒子が前記チャンバの壁側に収束するための磁場を発生するよう構成された磁場発生部と、
    　前記ＥＵＶ光集光ミラーの外周部から前記反射面に沿ってエッチングガスを供給するエッチングガス供給部と、
    　を備え、
    　前記エッチングガス供給部は、前記磁場の磁場軸及び前記ＥＵＶ光集光ミラーの中心軸を通る面を基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流速が、前記面を基準とした他方側から供給されるエッチングガスの流速よりも高くなるよう構成される
    極端紫外光生成装置。
  2. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記エッチングガス供給部は、前記面を基準とした他方側から供給されるエッチングガスの流速を１としたとき、当該１の流速に対する、前記面を基準とした一方側から供給されるエッチングガスの流速は２以上４以下となるよう構成される。
  3. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記エッチングガス供給部は、前記面を基準とした一方側からのみエッチングガスを供給するよう構成される。
  4. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記チャンバ内に前記ドロップレットを供給するドロップレット供給部を更に備え、
    　前記ドロップレット供給部は、前記面を基準とした一方側に配置される。
  5. 　請求項４に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記チャンバの壁に設けられ、前記磁場の磁場軸上に位置する排出口を更に備える。
  6. 　請求項５に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記排出口とは異なる前記チャンバの壁に設けられ、前記磁場の磁場軸を基準として前記ＥＵＶ光集光ミラー側とは反対側に位置する補助排出口を更に備える。
  7. 　請求項５に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記排出口とは異なる前記チャンバの壁に設けられ、前記ドロップレットの軌道を基準として前記ＥＵＶ光集光ミラー側とは反対側に位置する補助排出口を更に備える。
  8. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記ＥＵＶ光集光ミラーは、前記中心軸に沿って貫通孔を有し、
    　前記エッチングガス供給部は、前記ＥＵＶ光集光ミラーの外周部から前記反射面に沿ってエッチングガスを供給すると共に、前記面を基準とした他方側に向けて前記反射面における前記貫通孔の外周部から前記反射面に沿ってエッチングガスを供給するよう構成される。
  9. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記ターゲット物質はスズであり、前記エッチングガスは水素を含有するガスである。

     
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