JP2022026279A - 極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1.EUV光生成システム11の全体説明
1.1 構成
1.2 動作
2.比較例に係るEUV光生成システム11
2.1 構成
2.2 動作
2.2.1 ターゲット27の出力
2.2.2 パルスレーザ光の出力
2.2.3 パルスレーザ光の伝送
2.2.4 パルスレーザ光の集光
2.2.5 パルス時間幅及び照射タイミング
2.3 課題
3.第2プリパルスレーザ光SPのパルス時間幅Hspを長くしたEUV光生成システム11
3.1 構成
3.2 動作
3.2.1 光学パルスストレッチャー35の動作
3.2.2 パルス時間幅及び照射タイミング
3.3 CEの向上
3.4 他の構成例
3.5 第2プリパルスレーザ光SPのパルス時間幅Hspの範囲
3.6 第2プリパルスレーザ光SPのフルーエンスの範囲
3.7 1ns未満の第1プリパルスレーザ光FPのフルーエンスの範囲
3.8 1ns以上の第1プリパルスレーザ光FPのフルーエンスの範囲
3.9 2次ターゲット272の寸法D12の範囲
3.10 作用
4.第2プリパルスレーザ光SPを出力するCO2レーザ装置
4.1 構成
4.2 動作
4.3 第1のマスターオシレータMO1の詳細
4.3.1 第1の構成例
4.3.2 第2の構成例
4.4 作用
5.その他
1.1 構成
図1に、例示的なLPP式のEUV光生成システム11の構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、レーザシステム3とともに用いられる。本開示においては、EUV光生成装置1及びレーザシステム3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。EUV光生成装置1は、チャンバ2及びターゲット供給部26を含む。チャンバ2は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部26は、ターゲット物質をチャンバ2内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組合せを含んでもよい。
図1を参照して、EUV光生成システム11の動作を説明する。レーザシステム3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光伝送装置34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射する。パルスレーザ光32は、チャンバ2内のレーザ光経路に沿って進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33としてターゲット27に照射される。
2.1 構成
図2は、比較例に係るEUV光生成システム11の構成を示す一部断面図である。図2に示されるように、チャンバ2の内部には、レーザ光集光光学系22aと、EUV集光ミラー23と、ターゲット回収部28と、EUV集光ミラーホルダ81と、プレート82及び83と、位置調整機構84とが設けられている。チャンバ2には、ターゲット供給部26が取り付けられている。ターゲットセンサ4(図1参照)の図示は省略されている。チャンバ2の外部には、レーザシステム3と、レーザ光伝送装置34と、プロセッサ5とが設けられている。
ビームコンバイナ343は、偏光方向が紙面に垂直な直線偏光を高い反射率で反射し、偏光方向が紙面に平行な直線偏光を高い透過率で透過させる偏光ビームスプリッタを含む。
ビームコンバイナ344は、第1の波長成分が含まれる光を高い反射率で反射し、第2の波長成分が含まれる光を高い透過率で透過させるダイクロイックミラーを含む。
位置調整機構84は、プレート82に対するプレート83の位置を調整可能である。プレート83の位置が調整されることにより、軸外放物面ミラー221及び平面ミラー222の位置が調整される。軸外放物面ミラー221及び平面ミラー222の位置は、これらのミラーによって反射されたパルスレーザ光33がプラズマ生成領域25で集光するように調整される。
2.2.1 ターゲット27の出力
ターゲット供給部26に含まれる圧力調節器263は、プロセッサ5から出力される制御信号に応じて、図示しない不活性ガスボンベからリザーバ261に供給される不活性ガスの圧力を調節する。不活性ガスがリザーバ261の内部のターゲット物質を加圧することにより、開口262から液体のターゲット物質の噴流が出力される。
プロセッサ5は、以下のようにレーザシステム3を制御する。プロセッサ5は、パルス時間幅やパルスエネルギーを設定する信号を第1のプリパルスレーザ3fp、第2のプリパルスレーザ3sp、及びメインパルスレーザ3mに出力する。プロセッサ5は、第1~第3のトリガ遅延時間を設定する信号を遅延回路51に出力する。また、プロセッサ5は、ターゲットセンサ4(図1参照)から出力されるターゲット検出信号を遅延回路51に出力する。
レーザ光伝送装置34に含まれる高反射ミラー340は、第2プリパルスレーザ光SPを高い反射率で反射する。
ビームコンバイナ343は、偏光方向が紙面に垂直な第1プリパルスレーザ光FPを高い反射率で反射し、偏光方向が紙面に平行な第2プリパルスレーザ光SPを高い透過率で透過させる。
ビームコンバイナ344は、第1の波長成分を有する第1及び第2プリパルスレーザ光FP及びSPを高い反射率で反射し、第2の波長成分を有するメインパルスレーザ光Mを高い透過率で透過させる。第1プリパルスレーザ光FP、第2プリパルスレーザ光SP、及びメインパルスレーザ光Mは、パルスレーザ光32としてウインドウ21に入射し、チャンバ2の内部に導入される。
レーザ光集光光学系22aに含まれる軸外放物面ミラー221は、パルスレーザ光32を平面ミラー222に向けて反射する。平面ミラー222は、パルスレーザ光32を、パルスレーザ光33として反射する。パルスレーザ光33は、第1プリパルスレーザ光FP、第2プリパルスレーザ光SP、及びメインパルスレーザ光Mを含む。パルスレーザ光33は、軸外放物面ミラー221の反射面形状に従い、プラズマ生成領域25又はその近傍において集光される。
図3は、比較例における第1プリパルスレーザ光FP、第2プリパルスレーザ光SP、及びメインパルスレーザ光Mのパルス時間波形を概念的に示す。図3において、横軸は時間Tを示し、縦軸は光強度Iを示す。
2次ターゲット272に第2プリパルスレーザ光SPが照射されることにより、2次ターゲット272を構成する複数の微粒子がさらに微粒子化されて、少なくともターゲット物質の蒸気を含む3次ターゲットが生成される。3次ターゲットについては図12を参照しながら後述する。
EUV光生成システム11においては、EUV光のさらなる高出力化が求められている。そのために、CEをさらに向上させることが重要となっている。
3.1 構成
図6は、第1の実施形態に係るEUV光生成システム11の構成を示す一部断面図である。第1の実施形態において、レーザシステム3aは、第2のプリパルスレーザ3spとビームコンバイナ343との間の第2プリパルスレーザ光SPの光路に配置された光学パルスストレッチャー35を含む。
3.2.1 光学パルスストレッチャー35の動作
第2のプリパルスレーザ3spから光学パルスストレッチャー35へ向けて出力された第2プリパルスレーザ光SPは、ビームスプリッタ95に図7の右方向に入射する。ビームスプリッタ95は、右方向に入射した第2プリパルスレーザ光SPの一部を右方向に透過させて第1ビームとして出射し、他の一部を図7の上方向に反射する。
図8は、第1の実施形態における第1プリパルスレーザ光FP、第2プリパルスレーザ光SP、及びメインパルスレーザ光Mのパルス時間波形を概念的に示す。図8に示されるパルス時間波形は、第2プリパルスレーザ光SPの半値全幅によるパルス時間幅Hspがメインパルスレーザ光Mの半値全幅によるパルス時間幅Hmよりも長い点で、図3に示されるパルス時間波形と異なる。第2プリパルスレーザ光SPのパルス時間幅Hspは、例えば40nsである。
図11は、第1の実施形態におけるCEの測定結果と比較例におけるCEの測定結果とを示すグラフである。第1の実施形態及び比較例のいずれにおいても、ターゲット27の位置における第1プリパルスレーザ光FPのフルーエンスを15.1J/cm2とし、2次ターゲット272の位置における第2プリパルスレーザ光SPのフルーエンスを2.5J/cm2とした。本開示において、ある位置におけるパルスレーザ光のフルーエンスとは、当該位置におけるパルスレーザ光のビーム断面の面積でパルスレーザ光のパルスエネルギーを除算して得られた値である。
他の点については、第1の実施形態は比較例と同様である。
図6及び図7においては、第2のプリパルスレーザ3spから出力された第2プリパルスレーザ光SPのパルス時間幅を、光学パルスストレッチャー35によってパルス時間幅Hspに伸長する場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。光学パルスストレッチャー35を設けずに、第2のプリパルスレーザ3spを構成するレーザ発振器が、パルス時間幅Hmより長いパルス時間幅Hspを有する第2プリパルスレーザ光SPを出力するようにしてもよい。例えば、フラッシュランプ励起パルスレーザ装置において、フラッシュランプへの印加電圧の波形を調整することにより、パルス時間幅Hspを有する第2プリパルスレーザ光SPを出力してもよい。あるいは、レーザダイオード励起パルスレーザ装置において、レーザダイオードへの供給電流の波形を調整することにより、パルス時間幅Hspを有する第2プリパルスレーザ光SPを出力してもよい。あるいは、Qスイッチパルスレーザ装置において、Qスイッチの開時間を調整することにより、パルス時間幅Hspを有する第2プリパルスレーザ光SPを出力してもよい。
図14は、第2プリパルスレーザ光SPのパルス時間幅HspとCEとの関係を示すグラフである。横軸は第2プリパルスレーザ光SPのパルス時間幅Hspを示し、縦軸はCEの最高値に対する比率を示す。図14は、以下の条件で第2プリパルスレーザ光SPのパルス時間幅Hspを変えながらEUV光を生成し、CEを計測した結果をその近似曲線とともに示している。
2次ターゲット272の位置における第2プリパルスレーザ光SPのフルーエンスは2.5J/cm2とした。
メインパルスレーザ光Mのパルスエネルギーは50mJ、パルス時間幅Hmは8nsとした。
第1の遅延時間T11及び第2の遅延時間T12は、CEが最も高くなるように設定した。
図15は、第2プリパルスレーザ光SPのフルーエンスとCEとの関係を示すグラフである。横軸は2次ターゲット272に第2プリパルスレーザ光SPを照射するときの2次ターゲット272の位置における第2プリパルスレーザ光SPのフルーエンスを示し、縦軸はCEを示す。図15は、以下の条件で第2プリパルスレーザ光SPのフルーエンスを変えながらEUV光を生成し、CEを計測した結果をその近似曲線とともに示している。
第2プリパルスレーザ光SPのパルス時間幅Hspは40nsとした。
メインパルスレーザ光Mのパルスエネルギーは200mJ、パルス時間幅Hmは13.5nsとした。
第1の遅延時間T11及び第2の遅延時間T12は、CEが最も高くなるように設定した。
図16は、1ns未満のパルス時間幅を有する第1プリパルスレーザ光FPのフルーエンスとCEとの関係を示すグラフである。横軸はターゲット27に第1プリパルスレーザ光FPを照射するときのターゲット27の位置における第1プリパルスレーザ光FPのフルーエンスを示し、縦軸はCEを示す。図16は、以下の条件で第1プリパルスレーザ光FPのフルーエンスを変えながらEUV光を生成し、CEを計測した結果をその近似曲線とともに示している。
2次ターゲット272の位置における第2プリパルスレーザ光SPのフルーエンスは2.5J/cm2、パルス時間幅Hspは40nsとした。
メインパルスレーザ光Mのパルスエネルギーは200mJ、パルス時間幅Hmは8nsとした。
第1の遅延時間T11及び第2の遅延時間T12は、CEが最も高くなるように設定した。
図17は、1ns以上のパルス時間幅を有する第1プリパルスレーザ光FPのフルーエンスとCEとの関係を示すグラフである。横軸はターゲット27に第1プリパルスレーザ光FPを照射するときのターゲット27の位置における第1プリパルスレーザ光FPのフルーエンスを示し、縦軸はCEを示す。図17は、以下の条件で第1プリパルスレーザ光FPのフルーエンスを変えながらEUV光を生成し、CEを計測した結果をその近似曲線とともに示している。
2次ターゲット272の位置における第2プリパルスレーザ光SPのフルーエンスは1.2J/cm2、パルス時間幅Hspは40nsとした。第2プリパルスレーザ光SPのフルーエンスを1.3J/cm2、パルス時間幅Hspを60nsとした場合についても計測を行った。
メインパルスレーザ光Mのパルスエネルギーは200mJ、パルス時間幅Hmは13.5nsとした。
第1の遅延時間T11及び第2の遅延時間T12は、CEが最も高くなるように設定した。
図17の近似曲線から、1ns以上のパルス時間幅を有する第1プリパルスレーザ光FPのフルーエンスのさらに好ましい範囲は60J/cm2以上78J/cm2以下である。
図19は、2次ターゲット272の寸法D12とCEとの関係を示すグラフである。横軸は2次ターゲット272に第2プリパルスレーザ光SPを照射するタイミングでの2次ターゲット272の寸法D12を示し、縦軸はCEの最高値に対する比率を示す。2次ターゲット272の寸法D12は、第1プリパルスレーザ光FPの照射によるターゲット物質の拡散速度を218m/sとして第1の遅延時間T11に基づいて算出した。図19は、以下の条件で第1の遅延時間T11を変えながらEUV光を生成し、CEを計測した結果をその近似曲線とともに示している。
2次ターゲット272の位置における第2プリパルスレーザ光SPのフルーエンスは2.5J/cm2、パルス時間幅Hspは40ns、スポットサイズは700μmとした。また、第2プリパルスレーザ光SPのビームウェストの位置と2次ターゲット272の位置とがほぼ一致するようにした。
メインパルスレーザ光Mのパルスエネルギーは200mJ、パルス時間幅Hmは13.5nsとした。
第2の遅延時間T12は、CEが最も高くなるように設定した。
第1の実施形態によれば、EUV光生成システム11は、レーザシステム3aと、チャンバ2と、ターゲット供給部26と、プロセッサ5と、を含む。
レーザシステム3aは、第1プリパルスレーザ光FP、第2プリパルスレーザ光SP、及びメインパルスレーザ光Mをこの順で出力する。チャンバ2には、第1プリパルスレーザ光FP、第2プリパルスレーザ光SP、及びメインパルスレーザ光Mを内部に導入するための少なくとも1つのウインドウ21が設けられている。ターゲット供給部26は、チャンバ2の内部のプラズマ生成領域25にターゲット27を供給する。
プロセッサ5は、ターゲット27に第1プリパルスレーザ光FPを照射し、第1プリパルスレーザ光FPが照射されて生成された2次ターゲット272に、メインパルスレーザ光Mのパルス時間幅Hmより長いパルス時間幅Hspを有する第2プリパルスレーザ光SPを照射し、第2プリパルスレーザ光SPが照射されて生成された3次ターゲットに、第2プリパルスレーザ光SPと時間的に分離されたメインパルスレーザ光Mを照射するように、レーザシステム3aを制御する。
メインパルスレーザ光Mのパルス時間幅Hmより長いパルス時間幅Hspを有する第2プリパルスレーザ光SPを照射することにより、図11に示されるようにCEを向上することができる。
これにより、ターゲット物質がよく分散した3次ターゲットを生成し、CEを向上することができる。
これにより、ターゲット物質がよく分散した3次ターゲットを生成し、CEを向上することができる。
この条件を満たす第1プリパルスレーザ光FPを照射することと、メインパルスレーザ光Mのパルス時間幅Hmより長いパルス時間幅Hspを有する第2プリパルスレーザ光SPを照射することとを組み合わせることにより、CEを向上することができる。
この条件を満たす第1プリパルスレーザ光FPを照射することと、メインパルスレーザ光Mのパルス時間幅Hmより長いパルス時間幅Hspを有する第2プリパルスレーザ光SPを照射することとを組み合わせることにより、CEを向上することができる。また、イオンエネルギーが抑制され、チャンバ2の内部の光学素子へのダメージが軽減され得る。
第2プリパルスレーザ光SPのパルス時間幅Hspの他に、ビーム断面の寸法D11をこのように設定することにより、プラズマ生成領域25においてターゲット物質がよく分散した3次ターゲットを生成し、CEを向上することができる。
これにより、簡易な構成で第2プリパルスレーザ光SPのパルス時間幅Hspを伸長することができる。
4.1 構成
図20は、第2の実施形態に係るEUV光生成システム11の構成を示す一部断面図である。
第1のマスターオシレータMO1は、CO2ガスレーザ増幅器PA1、PA2及びPA3による複数の増幅波長のうちの第1の増幅波長でレーザ発振し、第1のシード光を出力する。第2のマスターオシレータMO2は、CO2ガスレーザ増幅器PA1、PA2及びPA3による複数の増幅波長のうちの第2の増幅波長でレーザ発振し、第2のシード光を出力する。第1のプリパルスレーザ3fpがレーザ発振した後、第1のマスターオシレータMO1がレーザ発振し、その後、第2のマスターオシレータMO2がレーザ発振する。第1のマスターオシレータMO1から出力された第1のシード光よりも、第2のマスターオシレータMO2から出力された第2のシード光の方が、短いパルス時間幅及び高いパルスエネルギーを有する。
メインパルスレーザ3mspから出力された第2プリパルスレーザ光SP及びメインパルスレーザ光Mは、高反射ミラー341及び342によって反射され、ビームコンバイナ344を透過してチャンバ2に入射する。
4.3.1 第1の構成例
図21は、第2の実施形態における第1のマスターオシレータMO1の第1の構成例を概略的に示す。第1の構成例による第1のマスターオシレータMO1は、CO2レーザ発振器で構成される。第1のマスターオシレータMO1は、リアミラー70と、フロントミラー71と、放電管72と、Qスイッチ73と、を含む。リアミラー70は高反射ミラーであり、フロントミラー71は部分反射ミラーであり、リアミラー70及びフロントミラー71が光共振器を構成する。放電管72は光共振器の光路に配置されており、CO2ガスを含むレーザ増幅媒体と、放電電極とを収容している。放電電極には高周波電源74が接続されている。Qスイッチ73は、例えば音響光学素子を含み、信号生成器75から受信する信号に従って、閉状態と開状態との間で切り替えられるように構成されている。
図22は、第2の実施形態における第1のマスターオシレータMO1の第2の構成例を概略的に示す。第2の構成例による第1のマスターオシレータMO1は、複数の量子カスケードレーザQCL1~QCLmと、光路調節器76と、を含む。量子カスケードレーザQCL1~QCLmの各々は、量子井戸を多段接続した構成を有する半導体レーザである。光路調節器76は、量子カスケードレーザQCL1~QCLmから出力されるパルスレーザ光P001~P00mの光路に配置されている。
パルスレーザ光P001~P00mのうちの最初に出力されるパルスレーザ光P001と最後に出力されるパルスレーザ光P00mとの出力タイミングの差を40nsとした場合、パルスレーザ光P01のパルス時間幅が約40nsとなる。
第2の実施形態によれば、レーザシステム3bは、第1プリパルスレーザ光FPを出力する第1のプリパルスレーザ3fpと、第2プリパルスレーザ光SP及びメインパルスレーザ光Mを出力するメインパルスレーザ3mspと、を含む。
メインパルスレーザ3mspは、CO2ガスレーザ増幅器PA1、PA2及びPA3と、第1のマスターオシレータMO1と、第2のマスターオシレータMO2と、ビームコンバイナ36と、を含む。
第1のマスターオシレータMO1は、CO2ガスレーザ増幅器PA1、PA2及びPA3の複数の増幅波長のうちの第1の増幅波長を有する第1のシード光を出力する。
第2のマスターオシレータMO2は、第1のシード光が出力された後、複数の増幅波長のうちの第2の増幅波長を有し第1のシード光より短いパルス時間幅を有する第2のシード光を出力する。
ビームコンバイナ36は、第1のシード光及び第2のシード光をCO2ガスレーザ増幅器PA1、PA2及びPA3に入射させる。
これにより、メインパルスレーザ3mspが第2プリパルスレーザ光SP及びメインパルスレーザ光Mを出力するので、第2のプリパルスレーザ3sp(図6参照)を設ける必要がなくなる。また、ビームコンバイナ343も不要となる。
他の点については、第2の実施形態は第1の実施形態と同様である。
図23は、EUV光生成装置1に接続された露光装置6の構成を概略的に示す。
図23において、露光装置6は、マスク照射部68とワークピース照射部69とを含む。マスク照射部68は、EUV光生成装置1から入射したEUV光によって、反射光学系を介してマスクテーブルMTのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部69は、マスクテーブルMTによって反射されたEUV光を、反射光学系を介してワークピーステーブルWT上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置6は、マスクテーブルMTとワークピーステーブルWTとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したEUV光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造することができる。
Claims (20)
- 第1プリパルスレーザ光、第2プリパルスレーザ光、及びメインパルスレーザ光をこの順で出力するレーザシステムと、
前記第1プリパルスレーザ光、前記第2プリパルスレーザ光、及び前記メインパルスレーザ光を内部に導入するための少なくとも1つのウインドウが設けられたチャンバと、
前記チャンバの内部の所定領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
プロセッサであって、
前記ターゲットに前記第1プリパルスレーザ光を照射し、
前記第1プリパルスレーザ光が照射された前記ターゲットに、前記メインパルスレーザ光のパルス時間幅より長いパルス時間幅を有する前記第2プリパルスレーザ光を照射し、
前記第2プリパルスレーザ光が照射された前記ターゲットに、前記第2プリパルスレーザ光と時間的に分離された前記メインパルスレーザ光を照射するように
前記レーザシステムを制御する前記プロセッサと、
を備える、極端紫外光生成システム。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記第2プリパルスレーザ光のパルス時間幅は、10ns以上80ns以下である
極端紫外光生成システム。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記第2プリパルスレーザ光のパルス時間幅は、30ns以上50ns以下である
極端紫外光生成システム。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記ターゲットに前記第2プリパルスレーザ光を照射するときの前記ターゲットの位置における前記第2プリパルスレーザ光のフルーエンスは、1.5J/cm2以上4.4J/cm2以下である
極端紫外光生成システム。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記ターゲットに前記第2プリパルスレーザ光を照射するときの前記ターゲットの位置における前記第2プリパルスレーザ光のフルーエンスは、2.5J/cm2以上3.4J/cm2以下である
極端紫外光生成システム。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記第1プリパルスレーザ光のパルス時間幅は1ns未満であり、
前記ターゲットに前記第1プリパルスレーザ光を照射するときの前記ターゲットの位置における前記第1プリパルスレーザ光のフルーエンスは、2.0J/cm2以上20J/cm2以下である
極端紫外光生成システム。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記第1プリパルスレーザ光のパルス時間幅は1ns未満であり、
前記ターゲットに前記第1プリパルスレーザ光を照射するときの前記ターゲットの位置における前記第1プリパルスレーザ光のフルーエンスは、7.5J/cm2以上15.1J/cm2以下である
極端紫外光生成システム。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記第1プリパルスレーザ光のパルス時間幅は1ns以上であり、
前記ターゲットに前記第1プリパルスレーザ光を照射するときの前記ターゲットの位置における前記第1プリパルスレーザ光のフルーエンスは、60J/cm2以上78J/cm2以下である
極端紫外光生成システム。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記ターゲットに前記第2プリパルスレーザ光を照射するタイミングでの前記ターゲットの寸法が、前記ターゲットの位置における前記第2プリパルスレーザ光のビーム断面の寸法の15%以上64%以下である
極端紫外光生成システム。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記ターゲットに前記第2プリパルスレーザ光を照射するタイミングでの前記ターゲットの寸法が、前記ターゲットの位置における前記第2プリパルスレーザ光のビーム断面の寸法の27%以上50%以下である
極端紫外光生成システム。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記レーザシステムは、
前記第1プリパルスレーザ光を出力する第1のプリパルスレーザと、
前記第2プリパルスレーザ光を出力する第2のプリパルスレーザと、
前記第2プリパルスレーザ光の光路に配置された光学パルスストレッチャーと、
前記メインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、
を含む
極端紫外光生成システム。 - 請求項1に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記レーザシステムは、
前記第1プリパルスレーザ光を出力する第1のレーザ装置と、
前記第2プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光を出力する第2のレーザ装置と、
を含み、
前記第2のレーザ装置は、
CO2ガスレーザ増幅器と、
前記CO2ガスレーザ増幅器の複数の増幅波長のうちの第1の増幅波長を有する第1のシード光を出力する第1のマスターオシレータと、
前記第1のシード光が出力された後、前記複数の増幅波長のうちの第2の増幅波長を有し前記第1のシード光より短いパルス時間幅を有する第2のシード光を出力する第2のマスターオシレータと、
前記第1のシード光及び前記第2のシード光を前記CO2ガスレーザ増幅器に入射させるビームコンバイナと、
を含む、
極端紫外光生成システム。 - 電子デバイスの製造方法であって、
第1プリパルスレーザ光、第2プリパルスレーザ光、及びメインパルスレーザ光をこの順で出力するレーザシステムと、
前記第1プリパルスレーザ光、前記第2プリパルスレーザ光、及び前記メインパルスレーザ光を内部に導入するための少なくとも1つのウインドウが設けられたチャンバと、
前記チャンバの内部の所定領域にターゲットを供給するターゲット供給部と、
プロセッサであって、
前記ターゲットに前記第1プリパルスレーザ光を照射し、
前記第1プリパルスレーザ光が照射された前記ターゲットに、前記メインパルスレーザ光のパルス時間幅より長いパルス時間幅を有する前記第2プリパルスレーザ光を照射し、
前記第2プリパルスレーザ光が照射された前記ターゲットに、前記第2プリパルスレーザ光と時間的に分離された前記メインパルスレーザ光を照射するように
前記レーザシステムを制御する前記プロセッサと、
を備える極端紫外光生成システムにおいて極端紫外光を生成し、
前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。 - 請求項13に記載の製造方法であって、
前記第2プリパルスレーザ光のパルス時間幅は、10ns以上80ns以下である
製造方法。 - 請求項13に記載の製造方法であって、
前記ターゲットに前記第2プリパルスレーザ光を照射するときの前記ターゲットの位置における前記第2プリパルスレーザ光のフルーエンスは、1.5J/cm2以上4.4J/cm2以下である
製造方法。 - 請求項13に記載の製造方法であって、
前記第1プリパルスレーザ光のパルス時間幅は1ns未満であり、
前記ターゲットに前記第1プリパルスレーザ光を照射するときの前記ターゲットの位置における前記第1プリパルスレーザ光のフルーエンスは、2.0J/cm2以上20J/cm2以下である
製造方法。 - 請求項13に記載の製造方法であって、
前記第1プリパルスレーザ光のパルス時間幅は1ns以上であり、
前記ターゲットに前記第1プリパルスレーザ光を照射するときの前記ターゲットの位置における前記第1プリパルスレーザ光のフルーエンスは、60J/cm2以上78J/cm2以下である
製造方法。 - 請求項13に記載の製造方法であって、
前記ターゲットに前記第2プリパルスレーザ光を照射するタイミングでの前記ターゲットの寸法が、前記ターゲットの位置における前記第2プリパルスレーザ光のビーム断面の寸法の15%以上64%以下である
製造方法。 - 請求項13に記載の製造方法であって、
前記レーザシステムは、
前記第1プリパルスレーザ光を出力する第1のプリパルスレーザと、
前記第2プリパルスレーザ光を出力する第2のプリパルスレーザと、
前記第2プリパルスレーザ光の光路に配置された光学パルスストレッチャーと、
前記メインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、
を含む
製造方法。 - 請求項13に記載の製造方法であって、
前記レーザシステムは、
前記第1プリパルスレーザ光を出力する第1のレーザ装置と、
前記第2プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光を出力する第2のレーザ装置と、
を含み、
前記第2のレーザ装置は、
CO2ガスレーザ増幅器と、
前記CO2ガスレーザ増幅器の複数の増幅波長のうちの第1の増幅波長を有する第1のシード光を出力する第1のマスターオシレータと、
前記第1のシード光が出力された後、前記複数の増幅波長のうちの第2の増幅波長を有し前記第1のシード光より短いパルス時間幅を有する第2のシード光を出力する第2のマスターオシレータと、
前記第1のシード光及び前記第2のシード光を前記CO2ガスレーザ増幅器に入射させるビームコンバイナと、
を含む、
製造方法。
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