WO2018179068A1 - Ｅｕｖ光生成装置及びｅｕｖ光の重心位置の制御方法 - Google Patents

Ｅｕｖ光生成装置及びｅｕｖ光の重心位置の制御方法 Download PDF

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Definitions

  • the “burst emission” by the EUV light generation apparatus is to emit EUV light repeatedly at a relatively high frequency for a predetermined period.
  • the predetermined period is also referred to as a "burst emission period".
  • this burst light emission period is set to be repeated with a predetermined pause period in between. That is, in each burst light emission period, a group of EUV light emitted in a pulse shape at high frequency is output.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example will be described using FIGS. 1 to 3.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example is an LPP type EUV light generation apparatus.
  • the EUV light generation device 1 is used with at least one laser device 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser device 3 is also referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation apparatus 1 generates the plasma 275 of the target 27 by irradiating the target 27 with at least one pulsed laser light 31 output from the laser device 3.
  • the generated plasma 275 emits radiation 276.
  • the radiation 276 includes light of various wavelengths in addition to the EUV light 277.
  • the EUV light generation apparatus 1 collects the EUV light 277 contained in the radiation 276 and outputs it to the exposure apparatus 9. Thus, the EUV light generation apparatus 1 can generate EUV light 277.
  • the EUV light collecting mirror 231 selectively reflects the EUV light 277 out of the radiation 276 emitted from the plasma 275 in the plasma generation region R1.
  • the EUV light collecting mirror 231 collects the selectively reflected EUV light 277 onto an intermediate focus IF located in the connection portion 24.
  • the reflective surface of the EUV light collector mirror 231 is formed of, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately stacked.
  • the reflective surface of the EUV light collecting mirror 231 is formed, for example, by a part of an ellipsoid of revolution having first and second focal points.
  • the EUV light collecting mirror 231 is disposed such that the first focus is located at the plasma generation region R1 and the second focus is located at the intermediate focus IF.
  • a through hole 232 is formed at a central portion of the EUV light collecting mirror 231.
  • the through hole 232 is a hole for passing the pulse laser beam 31 reflected by the laser beam focusing mirror 221 toward the plasma generation
  • the laser beam focusing optical system 22 may also be contaminated by the above-mentioned debris.
  • the reflectance of the pulse laser beam 31 decreases at the contaminated portion, and the laser profile in the plasma generation region R1 changes, so the radiation direction of the EUV light 277 changes, and the barycentric position of the optimum EUV light 277 changes.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include the irradiation position adjustment unit 7 as shown in FIG.
  • the irradiation position adjustment unit 7 is a mechanism that adjusts the irradiation position of the pulse laser beam 31.
  • the irradiation position adjustment unit 7 is configured using a laser beam focusing optical system 22.
  • the irradiation position adjustment unit 7 drives the above-described stage on which the high reflection mirror 331 is mounted and the above-described stage on which the high reflection mirror 332 is mounted instead of the manipulator 224 in the gravity center position control of EUV light.
  • the control unit 8 includes a function of calibrating the target gravity center position of the EUV light 277 when executing the gravity center position control of the EUV light.
  • EUVDoseError3 ⁇ [%] will be described.
  • EUVDoseError is one of the important indicators of the light intensity stability of the EUV light source, and is the deviation (Error) of the integrated exposure dose (Dose) from the target energy.
  • a parameter representing the variation of this deviation amount within one burst as 3 ⁇ with the standard deviation as ⁇ is EUVDoseError3 ⁇ [%].
  • the target barycentric position of the EUV light which minimizes this parameter is determined.
  • the integrated exposure amount (Dose) is calculated as, for example, a weighted moving average value in a predetermined section M.
  • FIG. 6 conceptually shows the EUVDoseError, EUVCentroidX, and EUVCentroidY.
  • 6 is a pattern of a gate signal for controlling the output period of the laser device 1 in which the first-stage waveform defines the burst period from the top to the bottom among the five-stage waveforms lined up and down in FIG. .
  • the second waveform shows the energy of the EUV light 277.
  • the dashed horizontal lines shown together indicate the target energy.
  • the waveforms shown in the third, fourth and fifth stages conceptually show EUVDoseError, EUVCentroidX, and EUVCentroidY, respectively.
  • the exposure amount (Dose) the exposure amount (Dose).
  • the control unit 8 first calculates the inclination ⁇ in step S21. This calculation can be made in the same manner as in the first embodiment.
  • step S22 the control unit 8 compares the absolute value of the inclination ⁇ with a predetermined threshold ⁇ th . When the absolute value of the inclination ⁇ is smaller than the threshold ⁇ th , the control unit 8 considers that the process of updating the control target value is unnecessary, and ends the series of processes. On the other hand, if the absolute value of the inclination ⁇ is larger than the threshold ⁇ th , the control unit 8 next determines in step S23 whether the value of the inclination ⁇ is a positive value or a negative value.
  • the control unit 8 step S24 by subtracting the predetermined compensation amount ⁇ from the current control target value C t, which it the control target value C nt of the new center of gravity position, and.
  • the control unit 8 step S25 the current control target value C t a certain correction amount ⁇ addition, it the control target value C nt of a new center of gravity position, and Do.
  • the EUV light generation system 1 of the third embodiment differs from the EUV light generation system 1 of the first embodiment shown in FIG. 1 in that the beam splitter 500 and the laser light sensor 501 are included.
  • the beam splitter 500 is inserted into the optical path of the pulse laser beam 31 traveling from the laser device 3 to the laser beam focusing optical system 22, reflects part of the pulse laser beam 31, and transmits the rest.
  • the laser light sensor 501 detects the energy of part of the pulse laser light 31 reflected by the beam splitter 500.
  • the EUV light generation apparatus 1 of the third embodiment differs from the EUV light generation apparatus 1 of the first and second embodiments in the process of calibrating the control target value of the position of the center of gravity of the EUV light 277.
  • the control unit 8 in the EUV light generation apparatus 1 of the third embodiment can have a configuration for executing this different process.
  • the EUV light generation system 1 of the third embodiment may have the same configuration as the EUV light generation system 1 of the first embodiment or the second embodiment.
  • the beam splitter 500 and the laser light sensor 501 shown in FIG. 12 are provided to utilize parameters related to the energy of the pulsed laser light 31 and parameters related to both this parameter and the energy of the EUV light 277. That is, in this case, the energy of the pulsed laser light 31 branched by the beam splitter 500 is detected by the laser light sensor 501. Then, the output of the laser light sensor 501 is input to the control unit 8.

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Abstract

ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内の所定領域に供給されたターゲット２７にレーザ光が照射されることによって生成されたＥＵＶ光のエネルギを互いに異なる方向から計測する複数のＥＵＶ光センサと、所定領域に供給されたターゲットに対するレーザ光の照射位置を調節する照射位置調節部７と、複数のＥＵＶ光センサの計測結果から特定されたＥＵＶ光の重心位置が目標重心位置となるよう照射位置調節部７を制御する制御部８と、を備え、制御部８は、複数のＥＵＶ光センサが計測したＥＵＶ光エネルギから得られた複数のＥＵＶ光の重心位置と、複数のＥＵＶ光の重心位置に対応するＥＵＶ光の計測エネルギに関わるパラメータとに基づいて目標重心位置を較正する。

Description

ＥＵＶ光生成装置及びＥＵＶ光の重心位置の制御方法
　本開示は、ＥＵＶ光生成装置及びＥＵＶ光の重心位置の制御方法に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
米国特許第８５９８５５２号明細書 米国特許第８９９３９７６号明細書
概要
　本開示の１つの観点に係るＥＵＶ光生成装置は、チャンバ内の所定領域に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることによって生成されたＥＵＶ光のエネルギを互いに異なる方向から計測する複数のＥＵＶ光センサと、所定領域に供給されたターゲットに対するレーザ光の照射位置を調節する照射位置調節部と、複数のＥＵＶ光センサの計測結果から特定されたＥＵＶ光の重心位置が目標重心位置となるよう照射位置調節部を制御する制御部と、を備え、制御部は、複数のＥＵＶ光センサが計測したＥＵＶ光エネルギから得られた複数のＥＵＶ光の重心位置と、複数のＥＵＶ光の重心位置に対応するＥＵＶ光の計測エネルギに関わるパラメータとに基づいて目標重心位置を較正する。
　本開示の他の観点に係るＥＵＶ光生成装置は、チャンバ内の所定領域に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることによって生成されたＥＵＶ光のエネルギを互いに異なる方向から計測する複数のＥＵＶ光センサと、所定領域に供給された前記ターゲットに対するレーザ光の照射位置を調節する照射位置調節部と、複数のＥＵＶ光センサの計測結果から特定されたＥＵＶ光の重心位置が目標重心位置となるよう照射位置調節部を制御する制御部と、を備え、制御部は、複数のＥＵＶ光センサが計測したＥＵＶ光エネルギから得られた複数のＥＵＶ光の重心位置と、複数のＥＵＶ光の重心位置に照射されるレーザ光のエネルギに関わるパラメータとに基づいて目標重心位置を較正する。
　本開示の他の観点に係るＥＵＶ光の重心位置の制御方法は、ターゲットにレーザ光が照射されることによって生成されたＥＵＶ光の重心位置を制御する方法であって、ＥＵＶ光のエネルギを互いに異なる方向から計測し、計測したＥＵＶ光エネルギから得られた複数のＥＵＶ光の重心位置と、複数のＥＵＶ光の重心位置に対応するＥＵＶ光の計測エネルギに関わるパラメータとに基づいて目標重心位置を較正する。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、比較例のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図２は、図１に示されたＥＵＶ光センサの配置を説明するための図を示す。 図３は、図２に示されたＥＵＶ光センサの配置をＸ軸方向の逆方向から視た図を示す。 図４は、第１実施形態に係る制御部によって実行される目標重心位置の較正処理を説明するためのフローチャートを示す。 図５は、図４の処理の中の一部の処理を説明するためのフローチャートを示す。 図６は、図４の処理においてサンプリングされるデータを概略的に説明する図を示す。 図７は、図４の処理においてなされるサンプリングを概略的に説明する図を示す。 図８は、第１実施形態に係る制御部によって実行される目標重心位置の較正処理を説明するための図を示す。 図９は、第１実施形態に係る制御部によって実行される目標重心位置の較正処理を説明するための図を示す。 図１０は、第１実施形態に係る制御部によって実行される目標重心位置の較正処理を説明するための図を示す。 図１１は、第２実施形態に係る制御部によって実行される目標重心位置の較正処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１２は、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１３は、レーザ光を発生させる電流のデューティ比を説明するための図を示す。
実施形態
＜内容＞ 
　１．用語の説明
　２．課題
　　２．１　比較例の構成
　　２．２　比較例の動作
　　２．３　ＥＵＶ光センサ及びＥＵＶ光の重心位置制御
　　２．４　課題
　３．第１実施形態
　　３．１　構成
　　３．２　動作
　　３．３　作用効果
　４．第２実施形態
　　４．１　構成
　　４．２　動作
　　４．３　作用効果
　５．第３実施形態
　　５．１　構成
　　５．２　動作
　　５．３　作用効果
　６．その他
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。 
［１．用語の説明］ 
　「ターゲット」は、チャンバ内に導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を含む光を放射する。
　「プラズマ生成領域」は、チャンバ内の所定領域である。プラズマ生成領域は、チャンバ内に出力されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。
　「ターゲット軌道」は、チャンバ内に出力されたターゲットが進行する経路である。ターゲット軌道は、プラズマ生成領域において、チャンバ内に導入されたレーザ光の光路と交差する。
　「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。
　「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれる。
　「Ｚ軸方向」は、チャンバ内に導入されたレーザ光がプラズマ生成領域に向かって進行する際の当該レーザ光の進行方向である。Ｚ軸方向は、ＥＵＶ光生成装置がＥＵＶ光を出力する方向と略同一であってもよい。
　「Ｙ軸方向」は、ターゲット供給器がチャンバ内にターゲットを出力する方向の逆方向である。Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に垂直な方向である。
　「Ｘ軸方向」は、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に垂直な方向である。
　ＥＵＶ光生成装置による「バースト発光」とは、ある所定の期間、比較的高い周波数で繰り返しＥＵＶ光を発光することである。上記所定の期間は「バースト発光期間」とも言われる。通常、このバースト発光期間は、所定の休止期間を間に置いて繰り返すように設定される。つまり各バースト発光期間には、高周波数でパルス状に発光する一まとまりのＥＵＶ光が出力される。
［２．課題］
　図１乃至図３を用いて、比較例のＥＵＶ光生成装置１について説明する。比較例のＥＵＶ光生成装置１は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置である。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられる。ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１ともいう。
　ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３から出力された少なくとも１つのパルスレーザ光３１をターゲット２７に照射することによって、ターゲット２７のプラズマ２７５を生成する。生成されたプラズマ２７５は、放射光２７６を放射する。放射光２７６は、ＥＵＶ光２７７の他、様々な波長の光を含む。ＥＵＶ光生成装置１は、放射光２７６に含まれるＥＵＶ光２７７を捕集して、露光装置９に出力する。このようにして、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光２７７を生成し得る。
　［２．１　比較例の構成］ 
　図１は、比較例のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。比較例のＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、レーザ光集光光学系２２と、ＥＵＶ光集光光学系２３と、接続部２４と、レーザ光伝送光学系３３とを備える。加えて、比較例のＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給器２５と、ステージ２６と、ターゲット回収器２８と、ターゲット検出センサ４１と、ＥＵＶ光センサ４３と、制御部８とを備える。
　チャンバ２は、内部に供給されたターゲット２７にパルスレーザ光３１が照射されることで、ターゲット２７からプラズマ２７５が生成され、ＥＵＶ光２７７が生成される容器である。チャンバ２の壁２１１は、チャンバ２の内部空間を形成し、チャンバ２の内部空間を外界から隔絶する。壁２１１には、パルスレーザ光３１をチャンバ２内に導入するためのウィンドウ２１５が設けられている。また、チャンバ２は、チャンバ２内にターゲット２７を供給するためのターゲット供給路２１２を含む。
　レーザ光伝送光学系３３は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１を、ウィンドウ２１５を介してチャンバ２内に導入する光学系である。レーザ光伝送光学系３３は、チャンバ２の外部に配置される。レーザ光伝送光学系３３は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１の光路上であって、レーザ装置３とウィンドウ２１５との間に配置される。レーザ光伝送光学系３３は、高反射ミラー３３１と、高反射ミラー３３２とを含む。高反射ミラー３３１及び３３２のそれぞれは、それらの位置及び姿勢の少なくとも１つを調節する不図示のステージに搭載される。高反射ミラー３３１及び３３２を搭載するステージの動作は、制御部８によって制御される。
　レーザ光集光光学系２２は、ウィンドウ２１５を介してチャンバ２内に導入されたパルスレーザ光３１を、プラズマ生成領域Ｒ１に集光する光学系である。レーザ光集光光学系２２は、チャンバ２の内部に配置される。レーザ光集光光学系２２は、ウィンドウ２１５を透過したパルスレーザ光３１の光路上であって、ウィンドウ２１５とプラズマ生成領域Ｒ１との間に配置される。レーザ光集光光学系２２は、レーザ光集光ミラー２２１と、マニピュレータ２２４とを含む。
　レーザ光集光ミラー２２１は、ウィンドウ２１５を透過したパルスレーザ光３１を、プラズマ生成領域Ｒ１に向けて反射する。レーザ光集光ミラー２２１は、反射されたパルスレーザ光３１を、プラズマ生成領域Ｒ１に集光する。レーザ光集光ミラー２２１は、マニピュレータ２２４に搭載される。レーザ光集光ミラー２２１は、軸外放物面ミラー２２２及び平面ミラー２２３を用いて構成される。
　マニピュレータ２２４は、レーザ光集光ミラー２２１の位置及び姿勢の少なくとも１つを調節する機構である。マニピュレータ２２４は、プラズマ生成領域Ｒ１においてパルスレーザ光３１がターゲット２７に照射されるよう、レーザ光集光ミラー２２１の位置及び姿勢の少なくとも１つを調節する機構である。マニピュレータ２２４の駆動は、制御部８によって制御される。マニピュレータ２２４は、Ｘ軸及びＹ軸の少なくとも１つに沿った方向において、レーザ光集光ミラー２２１を移動させる機構であってもよい。マニピュレータ２２４は、Ｘ軸及びＹ軸に加えてＺ軸に沿った方向において、レーザ光集光ミラー２２１を移動させる機構であってもよい。マニピュレータ２２４は、レーザ光集光ミラー２２１の位置及び姿勢の少なくとも１つを調節する機構であるステージであってもよい。
　ＥＵＶ光集光光学系２３は、放射光２７６に含まれるＥＵＶ光２７７を捕集し、中間集光点ＩＦに集光する光学系である。ＥＵＶ光集光光学系２３は、チャンバ２の内部に配置される。ＥＵＶ光集光光学系２３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３１を含む。
　ＥＵＶ光集光ミラー２３１は、プラズマ生成領域Ｒ１においてプラズマ２７５から放射された放射光２７６のうちから選択的にＥＵＶ光２７７を反射する。ＥＵＶ光集光ミラー２３１は、選択的に反射されたＥＵＶ光２７７を、接続部２４内に位置する中間集光点ＩＦに集光する。ＥＵＶ光集光ミラー２３１の反射面は、例えば、モリブデン及びシリコンが交互に積層された多層反射膜によって形成される。ＥＵＶ光集光ミラー２３１の反射面は、例えば、第１及び第２焦点を有する回転楕円面の一部で形成される。ＥＵＶ光集光ミラー２３１は、第１焦点がプラズマ生成領域Ｒ１に位置し、第２焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置される。ＥＵＶ光集光ミラー２３１の中央部には、貫通孔２３２が形成される。貫通孔２３２は、レーザ光集光ミラー２２１で反射されたパルスレーザ光３１をプラズマ生成領域Ｒ１に向けて通過させるための孔である。
　接続部２４は、チャンバ２と露光装置９との接続部である。接続部２４は、中間集光点ＩＦに集光されたＥＵＶ光２７７を露光装置９に出力するための不図示のゲートバルブを含む。接続部２４に含まれるゲートバルブは、チャンバ２の内部と露光装置９の内部とを気密的に連通又は隔絶させる。接続部２４の内部には、壁２４１が設けられる。壁２４１には、アパーチャ２４２が形成される。アパーチャ２４２は、中間集光点ＩＦに位置するように形成される。
　ターゲット供給器２５は、チャンバ２内に供給されるターゲット２７を溶融させ、ドロップレットの形態で、プラズマ生成領域Ｒ１に向けて出力する機器である。ターゲット供給器２５は、いわゆるコンティニュアスジェット方式でターゲット２７を出力する機器である。ターゲット供給器２５によって供給されるターゲット２７は、金属材料で形成される。ターゲット２７を形成する金属材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含む材料である。好適には、ターゲット２７を形成する金属材料は、スズである。ターゲット供給器２５は、ステージ２６に搭載される。
　ターゲット供給器２５は、タンク２５１、ノズル２５２、ヒータ２５３、圧力調節器２５４及びピエゾ素子２５５を用いて構成される。ターゲット供給器２５の動作は、制御部８によって制御される。
　ステージ２６は、ターゲット供給器２５の位置を調節する機構である。ステージ２６は、Ｘ軸及びＺ軸の少なくとも１つに沿った方向において、ターゲット供給器２５を移動させる機構である。ステージ２６は、ターゲット供給器２５から出力されたターゲット２７がプラズマ生成領域Ｒ１に供給されるよう、ターゲット供給器２５の位置を調節する機構である。ステージ２６の駆動は、制御部８によって制御される。
　ターゲット回収器２８は、チャンバ２内に出力されたターゲット２７のうち、パルスレーザ光３１が照射されなかったターゲット２７を回収する機器である。ターゲット回収器２８は、ターゲット軌道Ｑの延長線上にあるチャンバ２の壁２１１に設けられる。
　ターゲット検出センサ４１は、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を検出するセンサである。ターゲット検出領域Ｒ２は、チャンバ２内の所定領域であって、ターゲット供給器２５とプラズマ生成領域Ｒ１との間にあるターゲット軌道Ｑ上の所定位置に位置する領域である。ターゲット検出センサ４１は、照明部４１０と、検出部４２０とを含む。
　照明部４１０及び検出部４２０は、それぞれウィンドウ２１６及びウィンドウ２１７を介して、ターゲット供給路２１２の壁２１１に接続される。照明部４１０及び検出部４２０は、ターゲット軌道Ｑ上のターゲット検出領域Ｒ２を挟んで互いに対向するように配置される。照明部４１０及び検出部４２０は、照明部４１０の照明光軸及び検出部４２０の検出光軸が、図１に示されるように、互いに略同軸でターゲット検出領域Ｒ２を通るように配置される。なお、照明部４１０の照明光軸とは、照明部４１０からターゲット検出領域Ｒ２に向けて出力された照明光の光路軸である。検出部４２０の検出光軸とは、照明部４１０からターゲット検出領域Ｒ２に向けて出力された照明光のうち、検出部４２０によって検出される照明光の光路軸である。
　照明部４１０は、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を照明するように、ターゲット検出領域Ｒ２に向けて照明光を出力する。照明部４１０は、光源４１１及び照明光学系４１２を用いて構成される。検出部４２０は、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を照明するように出力された照明光の光強度を検出することで、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を検出する。検出部４２０は、光センサ４２１及び受光光学系４２２を用いて構成される。
　ＥＵＶ光センサ４３は、プラズマ２７５から放射された放射光２７６に含まれるＥＵＶ光２７７のエネルギを計測するセンサである。ＥＵＶ光センサ４３は、複数のＥＵＶ光センサ４３から構成される。複数のＥＵＶ光センサ４３のそれぞれは、互いに異なる方向からＥＵＶ光２７７のエネルギを計測し、その計測値を制御部８に送信する。複数のＥＵＶ光センサ４３のそれぞれの動作は、制御部８によって制御される。ＥＵＶ光センサ４３の詳細な構成については、図２及び図３を用いて後述する。
　制御部８は、外部装置である露光装置９からの各種指令に基づいて、ＥＵＶ光生成システム１１の各構成要素の動作を統括的に制御する。制御部８は、レーザ装置３を制御し、レーザ装置３からのパルスレーザ光３１の出力を制御する。制御部８は、ターゲット供給器２５を制御し、ターゲット供給器２５からのターゲット２７の出力を制御する。制御部８は、高反射ミラー３３１及び３３２を搭載する不図示のステージを制御し、高反射ミラー３３１及び３３２のそれぞれの位置及び姿勢の少なくとも１つを制御する。制御部８は、マニピュレータ２２４を制御し、レーザ光集光ミラー２２１の位置及び姿勢の少なくとも１つを制御する。それにより、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１におけるパルスレーザ光３１の集光位置を制御する。制御部８は、ステージ２６を制御し、ターゲット供給器２５の位置を制御する。それにより、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されるターゲット２７の位置を制御する。
　なお、制御部８は、プロセッサ等のハードウェアとプログラムモジュール等のソフトウェアとを組み合わせたコンピュータで構成される。制御部８に含まれるソフトウェアによる情報処理は、制御部８に含まれるハードウェアを用いて具体的に実現される。
　［２．２　比較例の動作］ 
　制御部８は、ターゲット供給器２５を制御し、ターゲット供給器２５からプラズマ生成領域Ｒ１に向けてターゲット２７を出力させる。具体的には、制御部８は、ターゲット供給器２５のヒータ２５３をターゲット２７の融点以上の温度まで加熱させ、ターゲット供給器２５のタンク２５１に収容された固体のターゲット２７を溶融させる。ターゲット２７を形成する金属材料がスズである場合、スズの融点が２３２℃であることから、制御部８は、例えば２５０℃以上２９０℃以下の温度でヒータ２５３を加熱させる。制御部８は、ターゲット供給器２５の圧力調節器２５４を制御して、タンク２５１内のターゲット２７が所定速度で連続的にノズル２５２から出力されるよう、タンク２５１内のターゲット２７に所定圧力を加える。制御部８は、ターゲット供給器２５のピエゾ素子２５５を所定波形で振動させ、連続的に出力されたターゲット２７を所定周期で分断してドロップレット状のターゲット２７を形成し、ノズル２５２から所定周波数で出力させる。
　チャンバ２内へ出力されたターゲット２７は、ドロップレットの形態でターゲット軌道Ｑ上を進行し、ターゲット検出領域Ｒ２を通過する。ターゲット検出領域Ｒ２を通過したターゲット２７は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給される。
　ターゲット検出センサ４１は、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したタイミングを検出する。具体的には、照明部４１０の光源４１１は、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を照明するように、照明光学系４１２を介して、ターゲット検出領域Ｒ２に向けて照明光を出力する。検出部４２０の光センサ４２１は、ターゲット検出領域Ｒ２に出力された照明光を受光光学系４２２を介して検出することで、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を検出する。光センサ４２１で検出された照明光の光強度は、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過する毎に低下し得る。光センサ４２１は、検出された照明光の光強度の変化に応じた出力信号を生成し、制御部８に送信する。なお、光センサ４２１によって検出された照明光の光強度の変化に応じた出力信号を、通過タイミング信号ともいう。
　制御部８は、ターゲット検出センサ４１から送信された通過タイミング信号を受信する。 
　制御部８は、通過タイミング信号が所定の閾値より低くなったタイミングを、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したタイミングと判定する。すなわち、制御部８は、ターゲット検出センサ４１の検出結果に基づいて、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したタイミングを特定する。制御部８は、通過タイミング信号が所定の閾値より低くなったタイミングで、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したことを示すターゲット検出信号を生成する。なお、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したタイミングを、単に、ターゲット検出領域Ｒ２の通過タイミングともいう。 
　制御部８は、ターゲット検出信号を生成したタイミングから遅延時間Ｔｄだけ遅延したタイミングで、パルスレーザ光３１を出力する契機を与えるトリガ信号をレーザ装置３に送信する。すなわち、制御部８は、ターゲット検出領域Ｒ２の通過タイミングに遅延時間Ｔｄを付加したタイミングで、レーザ装置３からパルスレーザ光３１を出力させる。遅延時間Ｔｄは、パルスレーザ光３１がプラズマ生成領域Ｒ１に集光されるタイミングを、ターゲット２７がプラズマ生成領域Ｒ１に供給されるタイミングに略一致させるための時間である。遅延時間Ｔｄは、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７にパルスレーザ光３１が照射されるタイミングを規定する。遅延時間Ｔｄは、制御部８に予め記憶されている。なお、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射タイミングを、単に、パルスレーザ光３１の照射タイミングともいう。
　レーザ装置３は、トリガ信号を受信すると、パルスレーザ光３１を出力する。
　レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送光学系３３の高反射ミラー３３１及び３３２で反射され、ウィンドウ２１５を透過して、チャンバ２内に導入される。チャンバ２内に導入されたパルスレーザ光３１は、レーザ光集光光学系２２によってプラズマ生成領域Ｒ１に集光される。プラズマ生成領域Ｒ１に集光されたパルスレーザ光３１は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に照射される。
　プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７は、パルスレーザ光３１が照射されることによって、プラズマ化し、放射光２７６を放射する。放射光２７６に含まれるＥＵＶ光２７７は、ＥＵＶ光集光光学系２３のＥＵＶ光集光ミラー２３１で選択的に反射され、接続部２４の中間集光点ＩＦに集光される。中間集光点ＩＦに集光されたＥＵＶ光２７７は、露光装置９に向かって出力される。
　［２．３　ＥＵＶ光センサ及びＥＵＶ光の重心位置制御］
　図２は、図１に示されたＥＵＶ光センサ４３の配置を説明するための図を示す。図３は、図２に示されたＥＵＶ光センサ４３の配置をＸ軸方向の逆方向から視た図を示す。比較例に係る複数のＥＵＶ光センサ４３は、少なくとも３つのＥＵＶ光センサ４３から構成される。複数のＥＵＶ光センサ４３は、図２及び図３に示されるように、例えばＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃから構成される。 
　複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、互いに異なる方向からプラズマ生成領域Ｒ１と対向するようにチャンバ２の壁２１１に設けられる。複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、ＥＵＶ光集光ミラー２３１によって反射されたＥＵＶ光２７７の光路を遮らないように配置される。複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、ＥＵＶ光集光ミラー２３１の外周縁に沿って配置される。複数のＥＵＶセンサ光４３ａ乃至４３ｃは、プラズマ生成領域Ｒ１においてプラズマ２７５が生成された際にそれらによって計測されるエネルギの差が小さくなるよう、プラズマ生成領域Ｒ１に対して互いに等距離に配置される。
　複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、ＥＵＶ光２７７の重心位置を評価し易いような位置に配置される。例えば、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃは、図２に示されるような直角二等辺三角形の各頂点にそれぞれ配置される。図２に示された直角二等辺三角形は、その長辺の中点がプラズマ生成領域Ｒ１に位置し、その頂角がＺ軸上に位置し、その２つの短辺がＸ軸及びＹ軸にそれぞれ沿うように配置された直角二等辺三角形である。ＥＵＶ光センサ４３ａは、図２に示された直角二等辺三角形のＹ軸に沿った軸上に位置する頂点に配置されたＥＵＶ光センサ４３である。ＥＵＶ光センサ４３ｂは、図２に示された直角二等辺三角形のＸ軸に沿った軸上に位置する頂点に配置されたＥＵＶ光センサ４３である。ＥＵＶ光センサ４３ｃは、図２に示された直角二等辺三角形のＺ軸上に位置する頂点に配置されたＥＵＶ光センサ４３である。
　ＥＵＶ光２７７の重心位置は、ＥＵＶ光２７７のエネルギ分布の重心位置である。すなわち、ＥＵＶ光２７７の重心位置は、ＥＵＶ光２７７のエネルギ分布における加重平均の位置である。具体的には、ＥＵＶ光２７７の重心位置は、ＥＵＶ光２７７のエネルギを複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃで計測して得られた複数の計測値から特定された空間的な位置である。ＥＵＶ光２７７の重心位置は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射位置を反映する指標である。ＥＵＶ光２７７の重心位置は、パルスレーザ光３１の照射条件がＥＵＶ光２７７の性能を満たすような条件であるかを評価する指標である。ＥＵＶ光２７７の重心位置が目標重心位置となるように制御されることは、パルスレーザ光３１がターゲット２７に適切に照射されることを意味する。目標重心位置は、例えば、プラズマ生成領域Ｒ１における所定位置である。 
　比較例に係る制御部８は、数式１の計算値を、ＥＵＶ光２７７の重心位置におけるＸ軸座標成分を評価する指標を示す評価値として定義する。制御部８は、数式２の計算値を、ＥＵＶ光２７７の重心位置におけるＹ軸座標成分を評価する指標を示す評価値として定義する。なお、この評価値の定義は、ＥＵＶ光２７７の目標重心位置が、図２に示すＥＵＶ光センサ４３ａ、４３ｂ及び４３ａの各々から等距離の位置にあることを前提とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
 　Ｅ１は、ＥＵＶ光センサ４３ａの計測値である。Ｅ２は、ＥＵＶ光センサ４３ｂの計測値である。Ｅ３は、ＥＵＶ光センサ４３ｃの計測値である。この計測値とは、詳しくはＥＵＶ光２７７のエネルギの計測値である。ＥＵＶCentroidＸは、Ｘ軸に沿った方向におけるＥＵＶ光２７７のエネルギ分布の偏在性を示す。ＥＵＶCentroidＹは、現在のＥＵＶ光２７７の重心位置におけるＹ軸座標成分と、目標重心位置におけるＹ軸座標成分との偏差を規格化した値である。ＥＵＶCentroidＹは、Ｙ軸に沿った方向におけるＥＵＶ光２７７のエネルギ分布の偏在性を示す。
　制御部８は、ＥＵＶ光の重心位置制御を実行可能に構成される。ＥＵＶ光の重心位置制御とは、ＥＵＶ光２７７の生成中に複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれの計測結果に基づいてＥＵＶ光２７７の重心位置が目標重心位置となるようレーザ光集光光学系２２をフィードバック方式で制御することである。具体的には、制御部８は、ＥＵＶ光の重心位置制御として、次のような処理を実行する機能を備える。 
　制御部８は、ターゲット検出信号を生成したタイミングから所定の遅延時間だけ遅延したタイミングで、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれに第１ゲート信号を送信する。第１ゲート信号は、ＥＵＶ光２７７のエネルギを計測する契機を複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれに与える信号である。複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃは、それぞれ第１ゲート信号を受信すると、それぞれＥＵＶ光２７７のエネルギを計測し、その計測値Ｅ１乃至Ｅ３を制御部８に送信する。制御部８は、数式１及び数式２を用いて、ＥＵＶ光２７７の重心位置を評価する。制御部８は、数式１及び数式２のそれぞれの計算値から、現在のＥＵＶ光２７７の重心位置と目標重心位置との偏差を特定する。制御部８は、ＥＵＶ光２７７の重心位置が目標重心位置となるよう、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射位置の目標照射位置を設定する。
　そして制御部８は、設定された目標照射位置に応じてレーザ光集光光学系２２を制御する。具体的に制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対する現在のパルスレーザ光３１の照射位置と、目標重心位置に応じたパルスレーザ光３１の目標照射位置との偏差を特定する。これらの照射位置とは、より具体的には、パルスレーザ光３１の集光位置である。そして制御部８は、上記の偏差が無くなるようなマニピュレータ２２４の駆動量を決定する。制御部８は、決定された駆動量に応じてマニピュレータ２２４を駆動させ、パルスレーザ光３１の集光位置を移動させる。それにより、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射位置を目標照射位置に略一致させ、ＥＵＶ光２７７の重心位置を目標重心位置に略一致させ得る。
　なお、ＥＵＶ光の重心位置制御において、制御部８は、マニピュレータ２２４の代わりに、高反射ミラー３３１を搭載する上述のステージ及び高反射ミラー３３２を搭載する上述のステージを駆動させることによって、パルスレーザ光３１の集光位置を移動させてもよい。また、制御部８は、パルスレーザ光３１の集光位置の移動量や移動速度に応じて、マニピュレータ２２４、高反射ミラー３３１を搭載する上述のステージ、及び、高反射ミラー３３２を搭載する上述のステージ、の何れかを駆動させてもよい。
　制御部８がＥＵＶ光の重心位置制御を実行することにより、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置とパルスレーザ光３１の集光位置との相対的な位置関係が適切な位置関係となる。すなわち、制御部８がＥＵＶ光の重心位置制御を実行することにより、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射位置が適切な位置となる。
　プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置とパルスレーザ光３１の集光位置との相対的な位置関係がずれると、ＥＵＶ光生成装置１から出力されるＥＵＶ光２７７の性能が劣化することがある。ＥＵＶ光２７７の性能を評価する指標は、例えば、ＥＵＶ光２７７のエネルギ又はエネルギ安定性である。ＥＵＶ光２７７の性能が劣化するとは、例えば、ＥＵＶ光生成装置１から出力されるＥＵＶ光２７７のエネルギ又はエネルギ安定性がそれらの許容範囲から外れることである。ＥＵＶ光２７７のエネルギ安定性とは、ＥＵＶ光２７７のエネルギのばらつきであり、例えば３σで記述される。
　なお、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射位置を、単に、パルスレーザ光３１の照射位置ともいう。プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対してパルスレーザ光３１を照射することを、シューティングともいう。プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置とパルスレーザ光３１の集光位置との相対的な位置関係がずれることを、シューティングずれともいう。
　［２．４　課題］ 
　プラズマ２７５から放射された放射光２７６は、プラズマ生成領域Ｒ１を中心として等方的に発散すると考えられる。このため、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれの検出感度が略同じである場合、ＥＵＶ光２７７の生成効率の高いシューティング条件においては、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれの計測値Ｅ１乃至Ｅ３が、略同じ値となる。この場合、ＥＵＶ光２７７の重心位置を評価する指標である数式１及び数式２のそれぞれの計算値は、略０（ゼロ）となり、目標重心位置としてもこのゼロが設定される。数式１及び数式２のそれぞれの計算値が略ゼロになることは、ＥＵＶ光２７７の重心位置が目標重心位置に略一致することを意味する。
　一方、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれには個体差があることが多い。このため、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれの検出感度には有意な差が認められる場合がある。この場合、ＥＵＶ光２７７の重心位置が目標重心位置に略一致していたとしても、数式１及び数式２のそれぞれの計算値は略ゼロにならないことがある。また、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、ＥＵＶ光２７７の生成に寄与しないターゲット２７であるデブリによって汚染されることがある。その際、ＥＵＶ光センサ４３の汚染のされ方は、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれによって異なる場合がある。さらに、レーザ光集光光学系２２も上述のデブリによって汚染されることがある。その場合、汚染箇所においてパルスレーザ光３１の反射率が低下し、プラズマ生成領域Ｒ１におけるレーザプロファイルが変化するため、ＥＵＶ光２７７の放射方向が変わり、最適なＥＵＶ光２７７の重心位置が変化する。
　以上の状態になっていると、ＥＵＶ光２７７の重心位置が目標重心位置に略一致していたとしても、数式１及び数式２のそれぞれの計算値は略ゼロにならないことがある。よって、比較例に係る制御部８は、数式１及び数式２の各計算値に対応した目標重心位置を一意的にゼロに設定してＥＵＶ光の重心位置制御を実行しても、パルスレーザ光３１の照射位置が適切な位置とならず、シューティングずれを抑制できないことがある。このシューティングずれがあると、ＥＵＶ光の発光効率が低下し、さらに上記のデブリとなる汚染源が増えることにもなる。
　そこで、ＥＵＶ光２７７の目標重心位置を較正することでＥＵＶ光の重心位置制御を適切に実行し、シューティングずれを抑制し得る技術が望まれている。また、ＥＵＶ光生成装置１の稼働率を高く維持するために、特に、ＥＵＶ光２７７の生成及び供給を続けた状態でシューティングずれを抑制し得る技術が望まれている。
［３．第１実施形態］ 
　図１乃至図１０を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光２７７の重心位置制御における目標重心位置を較正する機能を備える。第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成及び動作において、図１に示した比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については説明を省略する。
　［３．１　構成］ 
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図１に示される通り、照射位置調節部７を備えてもよい。照射位置調節部７は、パルスレーザ光３１の照射位置を調節する機構である。照射位置調節部７は、レーザ光集光光学系２２を用いて構成される。なお、照射位置調節部７は、ＥＵＶ光の重心位置制御において、マニピュレータ２２４の代わりに、高反射ミラー３３１を搭載する上述のステージ及び高反射ミラー３３２を搭載する上述のステージを駆動させる場合、これらのステージを用いて構成されてもよい。或いは、照射位置調節部７は、高反射ミラー３３１及び３３２を搭載するこれらのステージと、レーザ光集光光学系２２とを用いて構成されてもよい。照射位置調節部７の動作は、制御部８によって制御される。 
　第１実施形態に係る制御部８は、ＥＵＶ光の重心位置制御を実行するにあたって、ＥＵＶ光２７７の目標重心位置を較正する機能を含む。
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様である。 
　［３．２　動作］ 
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。具体的には、ＥＵＶ光２７７の重心位置制御における目標重心位置を較正する際に、第１実施形態に係る制御部８が実行する処理について説明する。なお、この「目標重心位置」とは、言い換えれば、重心位置制御における制御目標値である。ＥＵＶ光の重心制御を実行するにあたって、ＥＵＶ光２７７の目標重心位置を較正するために制御部８が実行する処理を、単に、目標重心位置の較正処理ともいう。
　図４は、第１実施形態に係る制御部８によって実行される目標重心位置の較正処理を説明するためのフローチャートを示す。制御部８は、まずステップＳ１において、重心位置の制御目標値、つまり目標重心位置を読み込む。この制御目標値は、最初は一定の値とされていて、記憶手段に記憶されていてもよい。制御部８は、次にステップＳ２において、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれにより計測されたＥＵＶ光２７７のエネルギを検出する。制御部８は、次にステップＳ３において、現在のＥＵＶ光２７７の重心位置を算出する。この算出は、前述した数式１及び数式２によってなされる。すなわち、本第１実施形態でも、前述したＥＵＶCentroidＸ及びＥＵＶCentroidＹの値が求められる。
　制御部８は、次にステップＳ４において、上記算出されたＥＵＶ光２７７の重心位置が制御目標値、つまり目標重心位置となるように、パルスレーザ光３１の集光位置を制御する。この集光位置の制御は、比較例のＥＵＶ光生成装置１におけるのと同様に、マニピュレータ２２４や、高反射ミラー３３１を搭載するステージや、或いは高反射ミラー３３２を搭載するステージを駆動させることによってなされる。
　以上説明したステップＳ１～ステップＳ４の処理は、先に述べた比較例のＥＵＶ光生成装置１における処理と基本的に同様である。比較例においては、処理の流れはステップＳ４からステップＳ２に戻って、パルスレーザ光３１の集光位置の制御が繰り返しなされる。それに対して本第１実施形態においては、比較例のＥＵＶ光生成装置１とは異なる点として、さらにステップＳ５及びステップＳ６の処理がなされる。なお、ステップＳ１～ステップＳ６の処理は、露光装置９にＥＵＶ光２７７を供給する通常の処理がなされている間に、それと並行してなされ得る。
　ステップＳ５において、制御部８は、上記制御目標値が最適であるかどうかを判別する。この判別は、例えば、前述したシューティングずれが小さく抑えられて、ＥＵＶ光２７７のエネルギが所定の閾値以上になっているか否かを判別する等によってなされる。主には、後述の傾きαによって判定している。なお、このＥＵＶ光２７７のエネルギは、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれから送信された複数の計測値の平均値であってもよい。さらには、ＥＵＶ光２７７のエネルギだけでなく、ＥＵＶ光２７７のエネルギのばらつきや後述するＥＵＶDoseError３σ[％]の値が所定の閾値以下になっているか否かによって、上記の判別を行うようにしてもよい。
　ステップＳ５において上記制御目標値が最適であると判別された場合、処理の流れはステップＳ２に戻って、それ以降の処理が繰り返される。一方、ステップＳ５において上記制御目標値が最適ではないと判別された場合、処理の流れはステップＳ６に移って、制御目標値の自動補正がなされる。なお、本第１実施形態においては、この制御目標値の自動補正が本開示における「目標重心位置の較正」に相当する。
　以下、図５乃至図１０を参照して、この制御目標値の自動補正について詳しく説明する。本第１実施形態においてＥＵＶ光２７７は、前述したバースト発光される。図５は、図４のステップＳ６でなされる処理を詳しく示すフローチャートである。制御部８は、まずステップＳ１１において、必要なデータをサンプリングする。すなわち制御部８は、１つのバースト毎に、後述するＥＵＶDoseError３σ[％]の値、前述したＥＵＶCentroidＸの平均値、およびＥＵＶCentroidＹの平均値を求める。制御部８は、これらの値を、１バースト毎に１サンプル分として、サンプル数Ｎ分蓄積する。これらのサンプリングをする区間は、Ｎをウィンドウとした移動区間として働く。つまり、最新のＮバースト分のデータが保持される。従って、サンプル数Ｎ分のデータが蓄積された後は、バースト毎にデータが順次更新される。このとき、ＥＵＶDoseError３σ[％]が異常な値を示すデータの組は、異常値としてサンプルから除去してもよい。なおサンプル数Ｎの値は、一般に１００～１０００程度とされる。
　ここで、ＥＵＶDoseError３σ[％]について説明する。ＥＵＶDoseErrorは、ＥＵＶ光源の光量安定性の重要な指標の１つであり、積算露光量(Dose)の目標エネルギに対する偏差量(Error)である。そして、この偏差量の１バースト内でのばらつきを、標準偏差をσとして３σで表したパラメータが、ＥＵＶDoseError３σ[％]である。本実施形態では、主に、このパラメータが最小となるＥＵＶ光の目標重心位置を求めるようにしている。積算露光量(Dose)は、一例として、ある決められた区間Ｍでの重みづけ移動平均値として計算される。
　図６は、上記ＥＵＶDoseError、ＥＵＶCentroidＸ、およびＥＵＶCentroidＹを概念的に示している。この図６において、上下に並んでいる５段の波形の中で、上から下に向かって１段目の波形がバースト期間を定める、レーザ装置１の出力期間を制御するゲート信号のパターンである。２段目の波形は、ＥＵＶ光２７７のエネルギを示す。また、そこに併せて示されている破線の横線は、目標エネルギを示す。そして、３段目、４段目および５段目に示されている波形がそれぞれ、ＥＵＶDoseError、ＥＵＶCentroidＸ、およびＥＵＶCentroidＹを概念的に示している。
　なお、上記の移動平均値を算出するために、移動ウィンドウが好適に用いられ得る。そのウィンドウは、矩形や台形状であってもよい。例えば、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３１の周波数が１００ｋＨｚの場合、Ｍ＝８００パルスで、立ち上がり区間、立下り区間がそれぞれ３００パルス分の台形ウィンドウが典型的に用いられる。図７は、この台形のウィンドウと、ＥＵＶDoseErrorとを概念的に示している。この図７の左右方向中央に、台形のウィンドウを概略的に示す。その左側には、ＥＵＶ光２７７のエネルギを示す。また、そこに併せて示されている破線の横線は、目標エネルギを示す。そして、台形のウィンドウの右側には、ＥＵＶ光２７７のエネルギと目標エネルギとの偏差であるＥＵＶDoseErrorを概念的に示している。
　この図７の例では、バースト発光が開始して各バーストの１番目のパルスが発せられた時点で、露光量(Dose)としてＥＵＶ光２７７のエネルギが計測開始される。このＥＵＶ光２７７のエネルギとしては、例えば複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれが計測したエネルギの平均値であってもよいし、ＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのいずれか１つが計測したエネルギであってもよい。そして、１つのウィンドウ幅分、つまりＭ＝８００パルス分のエネルギ計測値が蓄積されると、その時点でＥＵＶDoseErrorの算出が開始され、この算出は、１バースト内の最後のパルスを計測するまで続けられる。この算出が１バーストについてなされると、次いで、その１つのバーストに関するDoseError３σ[％]の値が求められる。
　制御部８は、次に図５のステップＳ１２において、以下のデータ解析を行う。すなわち制御部８は、前述したように１つのバースト毎に求めた、合計Ｎバースト分のＥＵＶDoseError３σ[％]の値と、ＥＵＶCentroidＸの平均値との関係を図８に示すように１次関数で近似させ、その傾きαＸを求める。また制御部８は、１つのバースト毎に求めた、合計Ｎバースト分のＥＵＶDoseError３σ[％]の値と、ＥＵＶCentroidＹの平均値との関係を図９に示すように１次関数で近似させ、その傾きαＹを求める。
　制御部８は、次に図５のステップＳ１３において、ＥＵＶ光２７７の重心位置の制御目標値、つまり目標重心位置を、上記傾きαＸの値、および傾きαＹの値に基づいて更新する。この更新について、以下、図１０を参照して説明する。なお以下の説明においては、ＥＵＶ光２７７の重心位置を単に「重心位置」と称することもある。また以下の説明においては、重心位置におけるＸ軸座標成分の制御目標値を較正する点に関して説明するが、重心位置におけるＹ軸座標成分の制御目標値を較正する場合も、以下の説明と同様に行えばよい。ここで、Ｘ軸座標およびＹ軸座標とは、先に述べた通り、それぞれ図１に示すＸ方向に関する座標、Ｙ方向に関する座標のことである。一方、以下では、図１０に示すようにＥＵＶCentroidＸの値をｘ座標に取り、ＥＵＶDoseError３σ[％]の値をｙ座標に取るｘｙ直交座標系を考える。
　重心位置を示すＥＵＶCentroidＸと、ＥＵＶDoseError３σ[％]との関係は、後者が極値を取る領域の近辺において、２次の多項式で近似できることが分かっている。そこで、最適な重心位置の制御目標値が前述したデブリ等によって経時変化することを考慮した関係式は、極のｘ座標が時間ｔに応じて変化することを関数ｐ(ｔ)により表現した式ｙ＝ａ(ｘ－ｐ(ｔ))2 ＋ｑで表すことができる。ここで、時間ｔの関数となる重心位置の制御目標値をＣtと表し、特に制御目標値のｘ座標をＣt,x[％]と表す。こうした場合は、Ｃt,x[％]＝ｐ(ｔ) となる状態が、ＥＵＶDoseError３σ[％]が最小となる最適な重心位置状態を意味する。初期状態t ＝0における近似式ｙ＝ａ(ｘ－ｐ(0))2 ＋ｑによれば、ＥＵＶCentroidＸ[％]に対するＥＵＶDoseError３σ[％]の関係式を求めることができる。すなわち、ＥＵＶ光出力制御を有効にした状態で、プラズマ生成領域Ｒ１に到達するように制御されたターゲット２７に対してパルスレーザ光３１の集光位置を空間的に走査することで、上記関係式を求めることができる。
　先に図５のステップＳ５において求めたαxを、Ｃt,x[％]における微分係数ｙ’(Ｃt,x)と考えると、上述の式ｙ＝ａ(ｘ－ｐ(ｔ))2 ＋ｑから
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
 となる。従って、新たな重心位置の制御目標値Ｃnt,x は、比例ゲインＫpを用いて、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
 で表される。こうして制御部８は、図５のステップＳ１３において、ＥＵＶ光２７７の重心位置の制御目標値を、上記傾きαＸの値に基づいて更新する。この更新がなされることにより、傾きαＸの値は０（ゼロ）に近付いて行き、重心位置の制御目標値がより適切な値に設定される。なお、本第１実施形態においては、上記の比例ゲインＫpを考慮しないで、言い換えれば数式４においてゲインＫp＝１として、制御目標値の更新を行うようにしてもよい。
　なお、本第１実施形態においては、ｙ’≠ 0のとき重心位置の制御目標値が不適切であることを意味するが、後述する閾値αthを用いて、制御目標値の更新を実行しない不感帯を設けてもよい。また、適正な定数ａおよびｑは、予め実験等によって求められ得る。
　第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様である。 
　［３．３　作用効果］ 
　第１実施形態における制御部８は、ＥＵＶ光２７７の重心位置の制御を行う際に、その都度、ＥＵＶ光２７７の目標重心位置をより適正な位置に較正し得る。すなわち、制御部８は、検出感度や汚染のされ方等の影響でＥＵＶ光センサ４３の計測精度が安定していなくても、その計測精度を考慮した最適な位置に目標重心位置を較正し得る。それにより、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、適切なＥＵＶ光の重心位置制御を恒常的に実行できるので、パルスレーザ光３１の照射位置を適切な位置に制御し得る。その結果、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、シューティングずれを抑制して、ＥＵＶ光２７７の性能劣化を抑制し得る。さらに第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光２７７の生成及び供給を続けた状態でシューティングずれを抑制できるので、稼働率を高く維持し得る。
［４．第２実施形態］ 
　［４．１　構成］ 
　次に図１１を参照して、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と対比すると、図５のステップＳ１３において、ＥＵＶ光２７７の重心位置制御における制御目標値、つまり目標重心位置を更新する処理が相違する。第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１における制御部８は、この相違する処理を実行するための構成を備え得る。以上の点以外、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成とされてよい。
　［４．２　動作］
　図１１は、図４のステップＳ６でなされる処理に代えて実行され得る、ＥＵＶ光２７７の重心位置の制御目標値を更新する処理を示すフローチャートである。なおこの処理については、以下、特にＸ軸座標成分の制御目標値を較正する場合と、Ｙ軸座標成分の制御目標値を較正する場合とに分けて説明しない。しかし、図１１に示す傾きαとして図８に示す傾きαＸを用いればＸ軸座標成分の制御目標値を較正可能であり、図９に示す傾きαＹを用いればＹ軸座標成分の制御目標値を較正可能である。
　制御部８は、まずステップＳ２１において傾きαを算出する。この算出は、第１実施形態におけるのと同様になされ得る。制御部８は、次にステップＳ２２において傾きαの絶対値を、予め定められた閾値αthと比較する。傾きαの絶対値が閾値αthよりも小さい場合、制御部８は制御目標値の更新処理は不要とみなして、一連の処理を終了する。一方、傾きαの絶対値が閾値αthよりも大きい場合、制御部８は次にステップＳ２３において、傾きαの値が正値であるか負値であるか判定する。傾きαの値が正値である場合、制御部８はステップＳ２４において、現在の制御目標値Ｃtから一定補正量Δを減じ、それを新たな重心位置の制御目標値Ｃnt, とする。他方、傾きαの値が負値である場合、制御部８はステップＳ２５において、現在の制御目標値Ｃtに一定補正量Δを加え、それを新たな重心位置の制御目標値Ｃnt, とする。
　図４に示す処理において、ステップＳ６に代えて以上の処理が繰り返しなされることにより、傾きαの絶対値が次第に小さい値に変えられて行く。そして、ついにはステップＳ２２において、傾きαの絶対値が閾値αthよりも小さいと判定される。そこで制御部８は、制御目標値の更新処理は不要とみなして、一連の処理を終了する。なお、閾値αthの典型値は０．００１～１程度であり、一定補正量Δは典型的には０．０００１～０．１％程度の微小量である。閾値αthをこのような値としておくことにより、本実施形態では、傾きαの値が、次第に０（ゼロ）に近付くように変えられて行く。こうして図４の処理が繰り返されることにより重心位置の制御目標値が、ゼロに近い傾きαの値に基づいて、より適切な値に設定される。
　［４．３　作用効果］
　以上の通り動作する本第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、基本的に、第１実施形態におけるのと同様の作用効果が得られる。また、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、重心位置の制御目標値は、一定補正量Δが減じられ、或いは加えられる処理が繰り返されて、緩やかに最適値に設定されるようになる。
［５．第３実施形態］ 
　［５．１　構成］ 
　次に図１２を参照して、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図１に示す第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と対比すると、ビームスプリッタ５００およびレーザ光センサ５０１が含まれている点で異なる。ビームスプリッタ５００は、レーザ装置３からレーザ光集光光学系２２に向かうパルスレーザ光３１の光路に挿入され、パルスレーザ光３１の一部を反射させ、残余を透過させる。レーザ光センサ５０１は、ビームスプリッタ５００で反射した一部のパルスレーザ光３１のエネルギを検出する。さらに第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態及び第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１と対比すると、ＥＵＶ光２７７の重心位置の制御目標値を較正する処理が相違する。第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１における制御部８は、この相違する処理を実行するための構成を備え得る。以上の点以外、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態或いは第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成とされてよい。
　［５．２　動作］
　第１実施形態及び第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１においては、ＥＵＶCentroidＸとＥＵＶDoseError３σ[％]との関係、及びＥＵＶCentroidＹとＥＵＶDoseError３σ[％]との関係に基づいて、重心位置の制御目標値を較正している。しかし本開示においては、ＥＵＶDoseError３σ[％]に代えてその他のパラメータを用いて、重心位置の制御目標値を較正するようにしてもよい。そのようなパラメータとしては、ＥＵＶ光２７７のエネルギに関連するパラメータや、パルスレーザ光３１のエネルギに関連するパラメータが利用され得る。さらに具体的には、前者のパラメータとして、前述したバースト発光がなされる場合等における複数のＥＵＶ光２７７のエネルギばらつきを示す３σ値が挙げられる。一方、後者のパラメータとしては、パルスレーザ光を増幅する光増幅器の電源を構成するインバータ回路から出力されるインバータ電流のデューティ比[％]が挙げられる。またこのデューティ比のばらつきを示す３σ値も挙げられる。図１３には、このインバータ電流の波形の一例を示す。図示のようにインバータ電流は、電流指令値となるゲート信号によって値が変化し、このゲート信号の幅が上記デューティ比に対応する。さらに、前者と後者に関わるパラメータとして、ＥＵＶ変換効率も挙げられる。このＥＵＶ変換効率は、パルスレーザ光３１のプラズマ生成領域Ｒ１への入射エネルギに対するＥＵＶ発光エネルギの比率である。
　上述のような各種パラメータを利用する場合は、図１０の縦軸に、ＥＵＶDoseError３σ[％]に代えてそのパラメータの値を取り、その他は既述の実施形態におけるのと同様の処理を行えばよい。ただし、そのパラメータとしてＥＵＶ変換効率を用いる場合は、ＥＵＶ変換効率の最大値付近を通る直線の傾きαを算出する。そしてＥＵＶ変換効率の分布を示す近似曲線は、上に凸の曲線となる。そこで、図１１に示したような処理を行う場合は、ステップＳ２３の判定結果がＮｏの場合はステップＳ２４に、Ｙｅｓの場合はステップＳ２５に処理が流れるようにする。
　図１２に示すビームスプリッタ５００およびレーザ光センサ５０１は、パルスレーザ光３１のエネルギに関連するパラメータや、このパラメータおよびＥＵＶ光２７７のエネルギ双方に関連するパラメータを利用するために設けられている。すなわち、その場合は、ビームスプリッタ５００で分岐されたパルスレーザ光３１のエネルギがレーザ光センサ５０１によって検出される。そしてこのレーザ光センサ５０１の出力が、制御部８に入力される。
　［５．３　作用効果］
　以上の通り動作する本第３施形態のＥＵＶ光生成装置１によれば、基本的に、第１実施形態におけるのと同様の作用効果が得られる。
［６．その他］ 
　上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。 
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。 
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。 
　１　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成装置 
　１１　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成システム 
　２　　　　　　　　　…チャンバ 
　２１１　　　　　　　…壁 
　２１２　　　　　　　…ターゲット供給路 
　２１５　　　　　　　…ウィンドウ 
　２１６　　　　　　　…ウィンドウ 
　２１７　　　　　　　…ウィンドウ 
　２２　　　　　　　　…レーザ光集光光学系 
　２２１　　　　　　　…レーザ光集光ミラー 
　２２２　　　　　　　…軸外放物面ミラー 
　２２３　　　　　　　…平面ミラー 
　２２４　　　　　　　…マニピュレータ 
　２３　　　　　　　　…ＥＵＶ光集光光学系 
　２３１　　　　　　　…ＥＵＶ光集光ミラー 
　２３２　　　　　　　…貫通孔 
　２４　　　　　　　　…接続部 
　２４１　　　　　　　…壁 
　２４２　　　　　　　…アパーチャ 
　２５　　　　　　　　…ターゲット供給器 
　２５１　　　　　　　…タンク 
　２５２　　　　　　　…ノズル 
　２５３　　　　　　　…ヒータ 
　２５４　　　　　　　…圧力調節器 
　２５５　　　　　　　…ピエゾ素子 
　２６　　　　　　　　…ステージ 
　２７　　　　　　　　…ターゲット 
　２７５　　　　　　　…プラズマ 
　２７６　　　　　　　…放射光 
　２７７　　　　　　　…ＥＵＶ光 
　２８　　　　　　　　…ターゲット回収器 
　３　　　　　　　　　…レーザ装置 
　３１　　　　　　　　…パルスレーザ光 
　３３　　　　　　　　…レーザ光伝送光学系 
　３３１　　　　　　　…高反射ミラー 
　３３２　　　　　　　…高反射ミラー 
　４１　　　　　　　　…ターゲット検出センサ 
　４１０　　　　　　　…照明部 
　４１１　　　　　　　…光源 
　４１２　　　　　　　…照明光学系 
　４２０　　　　　　　…検出部 
　４２１　　　　　　　…光センサ 
　４２２　　　　　　　…受光光学系 
　４３　　　　　　　　…ＥＵＶ光センサ 
　４３ａ　　　　　　　…ＥＵＶ光センサ 
　４３ｂ　　　　　　　…ＥＵＶ光センサ 
　４３ｃ　　　　　　　…ＥＵＶ光センサ 
　５００　　　　　　　…ビームスプリッタ
　５０１　　　　　　　…レーザ光センサ
　７　　　　　　　　　…照射位置調節部 
　８　　　　　　　　　…制御部 
　８１　　　　　　　　…遅延回路 
　９　　　　　　　　　…露光装置 
　ＩＦ　　　　　　　　…中間集光点 
　Ｑ　　　　　　　　　…ターゲット軌道 
　Ｒ１　　　　　　　　…プラズマ生成領域 
　Ｒ２　　　　　　　　…ターゲット検出領域 

Claims (20)

  1. 　チャンバ内の所定領域に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることによって生成されたＥＵＶ光のエネルギを互いに異なる方向から計測する複数のＥＵＶ光センサと、 
    　前記所定領域に供給された前記ターゲットに対する前記レーザ光の照射位置を調節する照射位置調節部と、
    　前記複数のＥＵＶ光センサの計測結果から特定された前記ＥＵＶ光の重心位置が目標重心位置となるよう前記照射位置調節部を制御する制御部と、 
    　を備え、
    　前記制御部は、
    　　前記複数のＥＵＶ光センサが計測したＥＵＶ光エネルギから得られた複数のＥＵＶ光の重心位置と、前記複数のＥＵＶ光の重心位置に対応するＥＵＶ光の計測エネルギに関わるパラメータとに基づいて前記目標重心位置を較正する
    　ＥＵＶ光生成装置。 
  2. 　前記制御部は、
    　　前記ＥＵＶ光の計測エネルギと目標エネルギとの差を前記パラメータとして前記目標重心位置を較正する 
    　請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置。 
  3. 　前記制御部は、
    　　前記ＥＵＶ光の計測エネルギと目標エネルギとの差のばらつきを前記パラメータとして前記目標重心位置を較正する 
    　請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置。 
  4. 　前記制御部は、
    　　前記ＥＵＶ光の計測エネルギと目標エネルギとの差のばらつきを、標準偏差に基づいて算出する 
    　請求項３に記載のＥＵＶ光生成装置。 
  5. 　前記制御部は、
    　　前記ＥＵＶ光の計測エネルギのばらつきを前記パラメータとして前記目標重心位置を較正する
    　請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置。
  6. 　前記制御部は、
    　　前記複数のＥＵＶ光の重心位置と、前記パラメータとの関係を１次関数に近似させ、その傾きに基づいて前記目標重心位置を較正する
    　請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置。
  7. 　前記制御部は、
    　　前記傾きの値が次第にゼロに近付いて行くように前記目標重心位置の較正を繰り返す
    　請求項６に記載のＥＵＶ光生成装置。
  8. 　前記照射位置調節部は、 
    　　前記レーザ光を前記所定領域に集光する集光ミラーと、 
    　　前記集光ミラーの位置及び姿勢の少なくとも１つを調節するマニピュレータと、 
    　を含む 
    　請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置。 
  9. 　チャンバ内の所定領域に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることによって生成されたＥＵＶ光のエネルギを互いに異なる方向から計測する複数のＥＵＶ光センサと、 
    　前記所定領域に供給された前記ターゲットに対する前記レーザ光の照射位置を調節する照射位置調節部と、 
    　前記複数のＥＵＶ光センサの計測結果から特定された前記ＥＵＶ光の重心位置が目標重心位置となるよう前記照射位置調節部を制御する制御部と、 
    　を備え、 
    　前記制御部は、 
    　　前記複数のＥＵＶ光センサが計測したＥＵＶ光エネルギから得られた複数のＥＵＶ光の重心位置と、前記複数のＥＵＶ光の重心位置に照射されるレーザ光のエネルギに関わるパラメータとに基づいて前記目標重心位置を較正する
    　ＥＵＶ光生成装置。 
  10. 　前記制御部は、
    　　前記複数のＥＵＶ光の重心位置に照射されるレーザ光のエネルギのばらつきを前記パラメータとして前記目標重心位置を較正する 
    　請求項９に記載のＥＵＶ光生成装置。
  11. 　前記制御部は、　　
    　　前記レーザ光を増幅する増幅器における電流のデューティ比を前記パラメータとして前記目標重心位置を較正する 
    　請求項９に記載のＥＵＶ光生成装置。
  12. 　前記制御部は、
    　　前記レーザ光を増幅する増幅器における電流のデューティ比のばらつきを前記パラメータとして前記目標重心位置を較正する 
    　請求項９に記載のＥＵＶ光生成装置。
  13. 　前記制御部は、
    　　前記複数のＥＵＶ光の重心位置に照射されるレーザ光のエネルギに対する、前記複数のＥＵＶ光の重心位置に対応するＥＵＶ光の計測エネルギの比率を前記パラメータとして前記目標重心位置を較正する
    　請求項９に記載のＥＵＶ光生成装置。
  14. 　ターゲットにレーザ光が照射されることによって生成されたＥＵＶ光の重心位置を制御する方法であって、
    　前記ＥＵＶ光のエネルギを互いに異なる方向から計測し、
    　前記計測したＥＵＶ光エネルギから得られた複数のＥＵＶ光の重心位置と、前記複数のＥＵＶ光の重心位置に対応するＥＵＶ光の計測エネルギに関わるパラメータとに基づいて前記目標重心位置を較正する
    　ＥＵＶ光の重心位置の制御方法。
  15. 　前記ＥＵＶ光の計測エネルギと目標エネルギとの差を前記パラメータとする 
    　請求項１４に記載のＥＵＶ光の重心位置の制御方法。 
  16. 　前記ＥＵＶ光の計測エネルギと目標エネルギとの差のばらつきを前記パラメータとする
    　請求項１４に記載のＥＵＶ光の重心位置の制御方法。 
  17. 　前記ＥＵＶ光の計測エネルギと目標エネルギとの差のばらつきを、標準偏差に基づいて算出する 
    　請求項１６に記載のＥＵＶ光の重心位置の制御方法。
  18. 　前記ＥＵＶ光の計測エネルギのばらつきを前記パラメータとする
    　請求項１４に記載のＥＵＶ光の重心位置の制御方法。
  19. 　前記複数のＥＵＶ光の重心位置と、前記パラメータとの関係を１次関数に近似させ、その傾きに基づいて前記目標重心位置を較正する
    　請求項１４に記載のＥＵＶ光の重心位置の制御方法。
  20. 　前記傾きの値が次第にゼロに近付いて行くように前記目標重心位置の較正を繰り返す
    　請求項１９に記載のＥＵＶ光の重心位置の制御方法。
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