JP2013524464A - レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出保護のためのシステム及び方法 - Google Patents

レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出保護のためのシステム及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013524464A
JP2013524464A JP2013503804A JP2013503804A JP2013524464A JP 2013524464 A JP2013524464 A JP 2013524464A JP 2013503804 A JP2013503804 A JP 2013503804A JP 2013503804 A JP2013503804 A JP 2013503804A JP 2013524464 A JP2013524464 A JP 2013524464A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target material
shroud
flow
path
droplet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013503804A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5828887B2 (ja
JP2013524464A5 (ja
Inventor
イゴー ヴィー フォーメンコフ
ウィリアム エヌ パートロ
Original Assignee
サイマー インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by サイマー インコーポレイテッド filed Critical サイマー インコーポレイテッド
Publication of JP2013524464A publication Critical patent/JP2013524464A/ja
Publication of JP2013524464A5 publication Critical patent/JP2013524464A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5828887B2 publication Critical patent/JP5828887B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21GCONVERSION OF CHEMICAL ELEMENTS; RADIOACTIVE SOURCES
    • G21G5/00Alleged conversion of chemical elements by chemical reaction
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/005X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/006X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

チャンバと、ターゲット材料放出点と照射領域の間の経路に沿ってチャンバ内の照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料の液滴の流れを供給する供給源と、ガスの少なくとも一部分が液滴流れに向かう方向に流れるチャンバ内のガス流と、EUV放射線を生成するプラズマを発生させるために照射領域で液滴を照射するビームを生成するシステムと、流れの一部分に沿って位置決めされ、液滴を流れから遮蔽する第1のシュラウド部分及び対向する開放部分を有するシュラウドとを含むことができる装置を開示する。
【選択図】 図1

Description

〔関連出願への相互参照〕
本出願は、2010年4月9日出願の米国特許仮出願出願番号第61/342,179号、及び2011年3月30日出願の米国実用新案特許出願出願番号第13/075,500号の恩典を請求するものであり、これら特許の内容全体は、引用により本明細書に組み込まれている。
本出願は、代理人整理番号第2006−0067−01号である2008年3月17日出願の「レーザ生成プラズマEUV光源内ターゲット材料送出のためのシステム及び方法」という名称の米国特許仮出願出願番号第61/069818号に対する優先権を請求する現在は2011年1月18日に付与された米国特許第7,872,245号である代理人整理番号第2006−0067−02号の2008年6月19日出願の「レーザ生成プラズマEUV光源内ターゲット材料送出のためのシステム及び方法」という名称の米国特許出願出願番号第12/214,736号に関連し、これらの特許の各々の開示内容は、引用により本明細書に組み込まれている。
本出願は、ターゲット材料から作り出され、かつ例えばリソグラフィスキャナ/ステッパによるEUV光源チャンバ外での利用に向けて収集されて中間領域に誘導されるプラズマからのEUV光を供給する極紫外線(EUV)光源に関する。
極紫外線、例えば、約50nm又はそれ未満の波長(軟X線とも呼ばれることもある)を有し、かつ約13.5nmの波長の光を含む電磁放射線は、フォトリソグラフィ処理に使用され、基板、例えば、シリコンウェーハ内の極めて小さな特徴部を生成することができる。
誘導されるEUV光ビームを生成する方法は、以下に限定されるものではないが、1つ又はそれよりも多くの輝線がEUV範囲にある少なくとも1つの元素、例えば、キセノン、リチウム又は錫を有する材料をプラズマ状態に変換することを含む。レーザ生成プラズマ(LPP)いうことが多い1つのこのような方法において、所要のプラズマは、所要の線放出元素を有するターゲット材料をレーザビームで照射することによって生成することができる。
1つの特定のLPP技術では、ターゲット材料液滴の流れを生成し、レーザ光パルス、例えば、ゼロ、1つ、又はそれよりも多くのプレパルス、次に、主パルスで液滴の一部又は全てを照射することが関わっている。より理論的には、LPP光源は、キセノン(Xe)、錫(Sn)、又はリチウム(Li)のような少なくとも1つのEUV放射元素を有するターゲット材料内にレーザエネルギを堆積させ、数10eVの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマを作り出すことによってEUV放射線を発生させる。これらのイオンの脱励起及び再結合中に発生された強力な放射線は、全方向にプラズマから出射される。1つの一般的な構成において、近垂直入射ミラー(「集光ミラー」と呼ぶことが多い)は、中間位置、例えば焦点に光を集め、すなわち、誘導する(かつ一部の配置において集束させる)ようにプラズマから比較的短い距離、例えば、10〜50cmの場所に位置決めされる。集光光は、次に、中間位置から1組のスキャナ光学系に、最終的には、ウェーハに中継することができる。近垂直入射でEUV光を効率的に反射するために、精巧かつ比較的高価な多層コーティングを有するミラーが一般的に使用される。集光ミラー表面を清浄に保ち、かつプラズマ生成デブリから表面を保護することは、EUV光源開発者が直面する大きな課題のうちの1つである。
定量的には、中間位置で約100Wを生成することを目的として現在開発中である1つの構成では、毎秒約10,000〜200,000個の錫液滴を順次照射するように液滴発生器と同期化されたパルス集束10〜12kWCO2駆動レーザの使用が考えられている。この目的のために、比較的高い繰返し数(例えば、10〜200kHz又はそれよりも大きい)で安定した液滴流れを生成し、比較的長い期間にわたってタイミング及び位置に関して高い精度及び良好な反復性で照射部位に液滴を送出する必要性が存在する。
LPP光源に対して、イオン阻止、デブリ緩和、光学系洗浄、及び/又は熱制御のために1つ又はそれよりも多くのガスをチャンバに使用することが望ましい場合がある。一部の場合には、これらのガスは、流動し、例えば、望ましい方向に蒸気及び/又は微粒子のようなプラズマによって生成されたデブリを移動し、チャンバ出口に向けて熱を移動するなどの場合がある。一部の場合には、これらの流れは、LPPプラズマ生成中に発生する場合がある。例えば、引用により本明細書に組み込まれている現在は2010年3月2日に付与された米国特許第7,671,349号明細書である代理人整理番号第2007−0010−02号である2007年4月10日出願の米国特許出願出願番号第11/786,145号明細書を参照されたい。他の設定では、非流動性、すなわち、静的又はほぼ静的ガスの使用が必要である場合がある。静的又は流動的に関わらず、これらのガスの存在、及び/又はLPPプラズマの生成/存在は、各液滴が照射領域に進む時に各液滴を変える/影響を与え、液滴の位置的安定性に悪影響を与える場合がある。
現在は2011年1月18日に付与された米国特許第7,872,245号明細書である代理人整理番号第2006−0067−02号の2008年6月19日出願の「レーザ生成プラズマEUV光源内ターゲット材料送出のためのシステム及び方法」という名称の米国特許出願出願番号第12/214,736号明細書において、液滴が液滴放出点から照射領域に進む時に液滴経路の一部を包み込む管の使用が説明されている。説明によれば、この管は、例えば、液滴発生器起動又はシャットダウン中に液滴放出点と照射領域の間の望ましい経路からそれた液滴/ターゲット材料から集光ミラーのような光学系を遮蔽及び保護するために設けられたものである。しかし、この連続管を使用すると、特にプラズマ生成中に許容不能な液滴位置不安定性が観測されている。
米国特許第7,671,349号明細書 米国特許出願出願番号第11/786,145号明細書 米国特許第7,872,245号明細書 米国特許出願出願番号第12/214,736号明細書 米国特許第7,439,530号明細書 米国特許出願出願番号第11/174,299号明細書 米国特許第7,491,954号明細書 米国特許出願出願番号第11/580,414号明細書 米国特許第7,465,946号明細書 米国特許出願出願番号第11/406,216号明細書 米国特許第7,843,632号明細書 米国特許出願出願番号第11/505,177号明細書 米国特許第7,087,914号明細書 米国特許出願出願番号第10/803,526号明細書 米国特許第7,164,144号明細書 米国特許出願出願番号第10/900,839号明細書 米国特許第7,671,349号明細書 米国特許第7,655,925号明細書 米国特許出願出願番号第11/897,664号明細書 米国特許第6,972,421号明細書 米国特許出願出願番号第10/409,254号明細書 米国特許第7,897,947号明細書 米国特許出願出願番号第11/827,803号明細書 US2006/0255298A−1 米国特許出願出願番号第11/358,988号明細書 米国特許第7,405,416号明細書 米国特許第7,372,056号明細書 米国特許出願出願番号第11/174,443号明細書
上記を念頭に置いて、本出願人は、レーザ生成プラズマEUV光源におけるターゲット材料送出保護のためのシステム及び方法、及び対応する使用方法を開示する。
本明細書で開示されるように、第1の態様では、チャンバと、ターゲット材料放出点と照射領域の間の経路に沿ってチャンバ内の照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料液滴の流れを供給する供給源と、ガスの少なくとも一部分が液滴流れに向かう方向に流れるチャンバ内のガス流と、EUV放射線を生成するプラズマを発生させるために照射領域で液滴を照射するレーザビームを生成するシステムと、流れの一部分に沿って位置決めされ、液滴を流れから遮蔽する第1のシュラウド部分及び対向する開放部分を有するシュラウドとを含むことができる装置を開示する。
一実施形態では、シュラウドは、経路に垂直な平面において部分的にリング状の断面を有する。
特定的な実施形態では、リングは、少なくとも1つの平坦面を有する。
一実施例では、シュラウドは、経路と平行な方向に長形である。
特定的な実施例では、シュラウドは、少なくとも1つの穴が形成された管を含む。
一構成において、装置は、シュラウドと液滴放出点の間に流れに沿って位置決めされた液滴捕捉管を更に含むことができる。
1つの特定の構成において、経路は、非垂直であり、液滴捕捉管は、反射光学系を非垂直経路から逸れるターゲット材料から保護するシールドである。
同じく本明細書に開示する別の態様では、装置は、チャンバと、照射領域とターゲット材料放出点の間の経路に沿ってチャンバ内の照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料の液滴の流れを供給する供給源と、チャンバ内のガス流と、EUV放射線を生成するプラズマを発生させるために照射領域で液滴を照射するビームを生成するレーザと、流れの一部分に沿って位置決めされ、液滴の位置的安定性を増大させるために経路に垂直な平面において流れを部分的に包み込むシュラウドとを含むことができる。
この態様の一実施形態では、シュラウドは、経路に垂直な平面において部分的にリング状の断面を有する。
特定的な実施形態では、リングは、少なくとも1つの平坦面を有する。
この態様の特定的な実施例では、シュラウドは、経路と平行な方向に長形である。
この態様の特定的な実施例では、シュラウドは、少なくとも1つの穴が形成された管を含む。
この態様の一実施例では、装置は、シュラウドと液滴放出点の間に流れに沿って位置決めされた液滴捕捉管を更に含むことができる。
この態様の1つの特定的な実施例では、経路は、非垂直であり、液滴捕捉管は、反射光学系を非垂直経路から逸れるターゲット材料から保護するシールドである。
同じく本明細書に開示する別の態様では、方法は、ターゲット材料放出点と照射領域の間の経路に沿ってチャンバ内の照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料の液滴の流れを供給する段階と、液滴流れに向かう方向にガスを流す段階と、EUV放射線を生成するプラズマを発生させるために照射領域で液滴をレーザビームで照射する段階と、液滴を流れから遮蔽する第1のシュラウド部分及び対向する開放部分を有するシュラウドを流れの一部分に沿って位置決めする段階とを含むことができる。
この態様の特定的な実施例では、流す段階及び照射する段階は、同時に行われる。
この態様の1つの特定的な実施例では、シュラウドは、経路に垂直な平面において部分的にリング状の断面を有する。
この態様の一実施例では、リングは、少なくとも1つの平坦面を有する。
この態様の特定的な実施例では、シュラウドは、経路と平行な方向に長形である。
レーザ生成プラズマEUV光源の実施形態の概略図である。 原材料分注器の簡略概略図である。 液滴流れの一部分に沿って位置決めされ、液滴の位置的安定性を増大させるために液滴流れ経路方向に垂直な平面において流れを部分的に包み込むシュラウドを示す簡略図である。 ターゲット材料を送出するシステム上に取り付けられ、かつそこから照射領域に向けて延びるように位置決めされたたシュラウドの斜視図である。 液滴流れ出力オリフィスを有するターゲット材料を送出するシステムの斜視図である。 図4の線6−6に沿って見た時に湾曲領域及び平坦な延長部を有する部分的なリングとして成形されたシュラウドの実施形態の断面図である。 シュラウドの別の実施形態を示す図である。 C字形断面を有するシュラウドの別の実施形態を示す図である。 1つ又はそれよりも多くの貫通孔が形成された管形状を有するシュラウドの別の実施形態を示す図である。 チャンバ内のガス源からのガス流に対するシュラウドの適切な向きを示す図である。 ターゲット材料液滴の供給源、液滴捕捉管、及びシュラウドを有する装置を示す図である。
最初に図1を参照すると、EUV光源、例えば、レーザ生成プラズマEUV光源20の概略図が示されている。図1に示すと共に以下でより詳細に説明するように、LPP光源20は、一連の光パルスを生成してチャンバ26内に光パルスを送出するシステム22を含むことができる。以下で詳述するように、各光パルスは、システム12からのビーム経路に沿って進んでチャンバ26内に入って照射領域でそれぞれのターゲット液滴を照射することができる。
図1に示すシステム22に使用する適切なレーザには、パルスレーザ装置、例えば、10kW又はそれより高い比較的高い電力、及び例えば50kHz又はそれよりも高い高パルス繰返し数で作動する例えばDC又はRF励起で9.3μm又は10.6μmの放射線を生成するパルスガス放電CO2レーザ装置を含むことができる。1つの特定的な実施例では、レーザは、発振器−増幅器構成(例えば、主発振器/電力増幅器(MOPA)又は複数の増幅段を有する電力発振器/電力増幅器(POPA)を有し、かつ例えば100kHz作動が可能である比較的低エネルギ及び高い繰返し数を有するQスイッチ式主発振器により開始されるシードパルスを有する軸流RF励起CO2レーザとすることができる。発振器から次に照射領域28に入る前に、レーザパルスは、増幅、成形、及び集束させることができる。連続励起CO2増幅器をシステム22に使用することができる。例えば、発振器及び3つの増幅器(O−PA1−PA2−PA3構成)を有する適切なCO2レーザ装置は、現在は2008年10月21日に付与された米国特許第7,439,530号明細書である代理人整理番号第2005−0044−01号の2005年6月29日出願の「LPP−EUV光源駆動レーザシステム」という名称の米国特許出願出願番号第11/174,299号明細書に開示されており、この特許の開示内容全体は、引用により本明細書に組み込まれている。代替的に、レーザは、液滴が光空洞の1つのミラーとして機能するいわゆる「自己ターゲット式」レーザシステムとして構成することができる。一部の「自己ターゲット式」構成において、主発振器は不要とすることができる。自己ターゲット式レーザシステムは、現在は2009年2月17日に付与された米国特許第7,491,954号明細書である代理人整理番号第2006−0025−01号の2006年10月13日出願の「EUV光源のための駆動レーザ送出システム」という名称の米国特許出願出願番号第11/580,414号明細書に開示かつ特許請求され、この特許の開示内容全体は、引用により本明細書に組み込まれている。
用途により、他のタイプのレーザは、例えば、高電力及び高パルス繰返し数で作動するエキシマ又は分子フッ素レーザとすることができる。他の例は、例えば、ファイバ、ロッド、スラブ、又は円板状活性媒体、例えば、1つ又はそれよりも多くのチャンバ、例えば、発振チャンバ及び1つ又はそれよりも多くの増幅チャンバ(増幅チャンバは並列又は直列)、主発振器/電力発振器(MOPO)構成、主発振器/電力リング増幅器(MOPRA)構成を有する他のレーザアーキテクチャを有する固体レーザを含み、又は1つ又はそれよりも多くのエキシマ又は分子フッ素増幅器又は発振チャンバにシード光を送出する固体レーザを適切とすることができる。他の設計も、適切とすることができる。
図1に更に示すように、EUV光源20は、例えば、液滴が1つ又はそれよりも多くの光パルス、例えば、ゼロ、1つ、又はそれよりも多くのプレパルスと、次に1つ又はそれよりも多くの主パルスと相互作用して最終的にプラズマを生成してEUV放射を生成するように、照射領域28に至るチャンバ26の内部にターゲット材料の液滴を送出するターゲット材料送出システム24を含むことができる。ターゲット材料は、錫、リチウム、キセノン、又はその組合せを含む材料を含むことができるが必ずしもこれらに限定されない。EUV放出元素、例えば、錫、リチウム、キセノンなどは、液体液滴及び/又は液体液滴内に含まれた固体粒子の形態とすることができる。例えば、要素錫は、純粋な錫として、錫化合物、例えば、SnBr4、SnBr2、SnH4として、錫合金、例えば、錫ガリウム合金、錫インジウム合金、錫インジウムガリウム合金、又はその組合せとして使用することができる。使用する材料に基づいて、ターゲット材料は、室温、又は室温の近くで(例えば、錫合金、SnBr4)、高温で(例えば、純粋な錫)、又は室温よりも低い温度で(例えば、SnH4)を含む様々な温度で照射領域28に送出することができ、一部の場合には、比較的揮発性、例えば、SnBr4とすることができる。LPPのEUV光源におけるこれらの材料の使用に関する更なる詳細は、現在は2008年12月16日に付与された米国特許第7,465,946号明細書である代理人整理番号第2006−0003−01号の2006年4月17日出願の「EUV光源のための代替燃料」という名称の米国特許出願出願番号第11/406,216号明細書に示されており、この特許の内容全体は、引用により本明細書に組み込まれている。
引き続き図1に対して、EUV光源20は、光学系30、例えば、モリブデン及びシリコンの交互層を有する漸変多層コーティング、一部の場合には、1つ又はそれよりも多くの高温拡散障壁層、平滑化層、キャップ層、及び/又はエッチストップ層を有する長球面(すなわち、長軸回りに回転した惰円)の形態で反射面を有する例えば近垂直入射集光ミラーを含むことができる。図1は、システム22によって生成された光パルスが通過して照射領域28に到達することを可能にする開口を光学系30に形成することができることを示している。図示のように、光学系30は、例えば、照射領域28内又はその近くに第1の焦点、及びEUV光を光源20から出力して、例えば、集積回路リソグラフィツール(図示せず)に入力することができるいわゆる中間領域40に第2の焦点を有する長球面ミラーとすることができる。長球面ミラーの代わりに、EUV光を利用する装置へのその後の送出に向けて光を集光して中間位置に誘導する他の光学系を使用することもでき、例えば、光学系は、長軸回りに回転した放物型とすることができ、又は中間位置にリング状の断面を有するビームを送出するように構成することができることは認められるものとする。例えば、現在は2010年11月30日に付与された米国特許第7,843,632号明細書である代理人整理番号第2006−0027−01号の2006年8月16日出願の「EUV光学系」という名称の米国特許出願出願番号第11/505,177号明細書を参照することができ、この特許の内容は、引用により本明細書に組み込まれている。
引き続き図1を参照すると、EUV光源20は、EUVコントローラ60を含むことができ、EUVコントローラ60は、システム22内の1つ又はそれよりも多くのランプ及び/又はレーザ装置を起動させることによってチャンバ26内に送出する光パルスを生成する発射制御システム65を含むことができる。EUV光源20は、例えば、照射領域28に対して1つ又はそれよりも多くの液滴の位置及び/又はタイミングを示す出力を供給する1つ又はそれよりも多くの液滴撮像器70、例えば、CCD及び/又はバックライトストロボスコープ照明及び/又は光カーテンを使用して画像を捕捉するシステムを含むことができる液滴位置検知システムを含むことができる。撮像器70は、液滴位置検出フィードバックシステム62にこの出力を供給することができ、液滴位置検出フィードバックシステム62は、例えば、液滴単位で又は平均して液滴誤差を計算することができる液滴位置及び軌跡を計算することができる。液滴位置誤差は、次に、コントローラ60への入力として供給することができ、コントローラ60は、例えば、ソースタイミング回路を制御するために、及び/又は例えばチャンバ26内の照射領域28に送出された光パルスの位置及び/又は集束力を変えるようにレーザビーム位置及び成形システムを制御するためにシステム22に位置、方向、及び/又はタイミング補正信号を供給することができる。更なる詳細は、例えば、現在は2006年8月8日に付与された米国特許第7,087,914号明細書である代理人整理番号第2003−0125−01号の2004年3月17日出願の「高繰返し数レーザ生成プラズマEUV光源」という名称の米国特許出願出願番号第10/803,526号明細書、及び/又は現在は2007年1月16日に付与された米国特許第7,164,144号明細書である代理人整理番号第2004−0044−01号の2004年7月27日出願の「EUV光源」という名称の米国特許出願出願番号第10/900,839号明細書に示されており、これらの各々の内容は、引用により本明細書に組み込まれている。
EUV光源20は、光源20によって生成されたEUV光の様々な特性を測定する1つ又はそれよりも多くのEUV測定計器を含むことができる。これらの特性には、例えば、強度(例えば、全体的強度又は特定のスペクトル帯域における強度)、スペクトル帯域幅、偏光、ビーム位置、指向性などを含むことができる。EUV光源20に対して、計器は、例えば、ピックオフミラーを使用して例えばEUV出力の一部をサンプリングするか、又は「未集光の」EUV光をサンプリングすることによって下流ツール、例えば、フォトリソグラフィスキャナがオンラインである間に作動するように構成することができ、及び/又は下流ツール、例えば、フォトリソグラフィスキャナが例えばオフラインである間に、例えば、EUV光源20のEUV出力全体を測定することによって作動させることができる。
図1に更に示すように、EUV光源20は、望ましい照射領域28に到達する液滴の誤差を補正し及び/又は液滴の生成をパルスレーザシステム22と同期させるために、例えば、原材料分注器82からのターゲット材料の放出点を修正し及び/又は液滴形成タイミングを修正するように、コントローラ60からの信号(一部の実施例では上述の液滴誤差又はそこから導出した何らかの数量を含むことができる)に応答して作動可能な液滴制御システム80を含むことができる。
図1は、EUV光源20が、液滴位置的安定性を増大させるシュラウド84を含むことができることも概略的に示しており、すなわち、本明細書で使用する時の用語「液滴位置的安定性」及びその派生語は、各液滴が液滴放出点と照射領域の間の距離の一部又は全部にわたって進む時に液滴と連続的液滴の間の経路の変動の尺度を意味する。EUV光源20内の使用に適するシュラウドの例には、以下に説明するように、シュラウド320(図4)、320’(図、7)、320’’(図8)、320’’’(図9)を含むことができるがこれらに限定されない。
「液滴の位置的安定性」の1つの多少定性的な尺度は、約1〜2mmの視野を有する診断レーザビーム、例えば、レーザダイオードを液滴流れの一部を通してカメラ上に通すことに関わっている。1つのこのような構成において、20hzで出力光パルスを生成する診断レーザに関連して20hzのフレームレートを有するカメラを使用して視野を通過する40,000個/秒の液滴を有する液滴流れを評価した。フレームレートを液滴発生器の位相と同期化した状態で、映像としてフレームを表示することによって「液滴の位置的安定性」の定性的尺度を取得することができる。具体的には、この技術に対して、完全な「液滴の位置的安定性」(取得可能な場合)は、映像、すなわち、時間と共に変わらない静止画像において、非移動中の液滴として現れる。他方、非常に不安定である液滴流れは、画面上の点に関して目立つほどに移動する液滴として現れる。
図1は、H2、水素ラジカル、He、Ar、HBr、HCl、又はその組合せのような1つ又はそれよりも多くのガスをポート86を通じてチャンバ26内に導入してポート88を使用してそこから排出することができることも概略的に示している。これらのガスは、例えば、近くの光学系を保護するためにLPPプラズマによって生成される高速で移動するイオンを遅せらせるために、光学系又は他の構成要素からの蒸気及び他のデブリの吹き付けによる除去、光学系又は構成要素上に堆積した材料に食刻するか又は代替的に化学的に変えることなどの光学系洗浄、及び/又は特定の光学系/構成要素から熱を除去するなどの熱制御を含むがこれらの限定されないデブリ緩和に向けて、又はチャンバから全体的に熱を除去するためにチャンバ26に使用することができる。一部の場合には、これらのガスは、例えば、望ましい方向に蒸気及び/又は微粒子のようなプラズマによって生成されたデブリを移動してチャンバ出口などに向けて熱を移動するために流れる場合がある。一部の場合には、これらの流れは、LPPプラズマ生成中に発生する場合がある。他の構成では、非流動性、すなわち、静的又はほぼ静的ガスの使用が必要である場合がある。本明細書で使用する時の「静的ガス」という用語は、使用中のポンプと流体連通していないある一定の容積のガスを意味する。一部の実施例では、ガスは、LPPプラズマ生成中に静的であり、LPPプラズマ生成の期間と期間の間に流れる場合があり、例えば、流れは、EUV光出力のバーストとバーストの間にのみ発生する場合がある。静的又は流動的に関わらずこれらのガスの存在、及び/又はLPPプラズマの生成/存在は、照射領域に進む時に各液滴を変える/影響を与え、液滴の位置的安定性に悪影響を与える可能性がある。
チャンバガスの方向的な流れに関する更なる詳細は、図10を参照して以下に示す。
LPPプラズマチャンバ内のガスの使用に関する更なる詳細は、現在は2010年3月2日に付与された米国特許第7,671,349号明細書である代理人整理番号第2007−0010−02号の2007年4月10日出願の「レーザ生成プラズマEUV光源」という名称の米国特許出願出願番号第11/786,145号明細書、現在は2011年1月18日に付与された米国特許第7,872,245号明細書である代理人整理番号第号2006−0067−02の2008年6月19日出願の「レーザ生成プラズマEUV光源内のターゲット材料送出のためのシステム及び方法」という名称の米国特許出願出願番号第12/214,736号明細書、現在は2010年2月20日に付与された米国特許第7,655,925号明細書である代理人整理番号第2007−0039−01号の2007年8月31日出願の「レーザ生成プラズマEUV光源のためのガス管理システム」という名称の米国特許出願出願番号第11/897,664号明細書、及び現在は2005年12月6日に付与された米国特許第6,972,421号明細書である代理人整理番号第2002−0030−01号の2003年4月8日出願の米国特許出願出願番号第10/409,254号明細書に見ることができ、これらの特許は、本明細書においてその全内容が引用により組み込まれている。
図2は、概略図により本明細書に説明する一部の実施形態又は全てに使用することができる簡素化した原材料分注器92の構成要素を示している。図2に示すように、原材料分注器92は、図示の例に対して、例えば、圧力P下で流体96、例えば、溶融錫を保持するリザーバ94である導管を含むことができる。また、図示のように、リザーバ94には、加圧流体96がオリフィスを通ることを可能にするオリフィス98を形成することができ、その後に複数の液滴102a、bに分解される連続的な流れ100が確立される。
引き続き図2に対して、原材料分注器92は、流体98と電気起動可能要素104を駆動する信号発生器106とに作動可能に結合された電気起動可能要素104を有する流体の乱れを生成するサブシステムを更に含む。一構成において、流体は、圧力下で強制的にリザーバから流れ、比較的小さい直径及び約10〜50mmの長さを有する導管、例えば、毛細管を通過して導管のオリフィスを出る連続的な流れが作り出され、連続的な流れは、次に、液滴に分解され、例えば、リング状又はチューブ状の形状を有する電気起動可能要素を管の回りに位置決めすることができる。駆動された時に、電気起動可能要素は、選択的に導管を圧搾して流れを乱すことができる。
様々な液滴分注器構成に関する更なる詳細及び対応する利点は、現在は2011年1月18日に付与された米国特許第7,872,245号明細書である代理人整理番号第号2006−0067−02の2008年6月19日出願の「レーザ生成プラズマEUV光源内のターゲット材料送出のためのシステム及び方法」という名称の米国特許出願出願番号第12/214,736号明細書、現在は2011年3月1日に付与された米国特許第7,897,947号明細書である代理人整理番号第号2007−0030−01の2007年7月13日出願の「変調妨害波を使用して生成した液滴流れを有するレーザ生成プラズマEUV光源」という名称の米国特許出願出願番号第11/827,803号明細書、代理人整理番号第2005−0085−01号であり、2006年2月21日に出願され、US2006/0255298A−1として2006年11月16日公開の「プレパルスによるレーザ生成プラズマEUV光源」という名称の米国特許出願出願番号第11/358,988号明細書、現在は2008年7月29日に付与された米国特許第7,405,416号明細書である代理人整理番号第2004−0008−01号の2005年2月25日出願の「EUVプラズマ源ターゲット送出の方法及び装置」という名称の米国特許出願出願番号第11/358,988号明細書、及び現在は2008年5月13日に付与された米国特許第7,372,056号明細書である代理人整理番号第2005−0003−01号の2005年6月29日出願の「LPP−EUV光源材料ターゲット送出システム」という名称の米国特許出願出願番号第11/174,443号明細書に見ることができ、これらの各々の内容は、引用により本明細書に組み込まれている。
図3をここで参照すると、EUV反射光学系300、例えば、モリブデン及びシリコンの交互層、一部の場合には、1つ又はそれよりも多くの高温拡散障壁層、平滑化層、キャップ層、及び/又はエッチストップ層を伴う例えば漸変多層コーティングを有する回転楕円の形態の反射面を有する近垂直入射集光ミラーを有する装置が示されている。図3は、装置は、ターゲット材料放出点を有してターゲット材料310、例えば、ターゲット材料液滴の流れを送出するシステムを更に含むことができることも示している。照射領域314でターゲット材料を照射してEUV光を発生させるレーザビームを生成するシステム(図1を参照されたい)を設けることができる。図3に示すように、ターゲット材料310を送出するシステムは、ターゲット材料310を送出するシステムを異なる方向に傾かせることができるステアリング機構315上に取り付けられ、集光ミラーの焦点に対して液滴の位置を調節することができ、かつ流れ軸に沿って小さい増分で液滴発生器を平行移動することができる。図3に更に示すように、プラズマ生成に使用されない液滴及びレーザ照射に露光されて直線的な経路から偏向された材料は、照射領域314を超えて何らかの距離を進むことが許容され、図示の例に対して、ある一定の構造体、例えば、長形管316(円形、卵形、矩形、正方形のような断面を有する)を含む捕捉器により捕捉される。更に詳しく言えば、長形管316は、照射領域を通過したターゲット材料を受け取り、かつ受け取られた材料が跳ね返って反射型光学系に到達することを防止するように位置決めすることができる。一部の場合には、跳ね返りの影響は、例えば、約3よりも大きい比較的大きな縦横比L/Wを有する管を使用することによって低減/防止することができ、ここで、Lは、管長であり、Wは、Lに垂直な最大管内寸である。管316の内壁に衝突すると、ターゲット材料液滴は速度を失い、ターゲット材料は、次に図示のように専用容器318内に収集することができる。
図3は、シュラウド320を上述の流れの一部分に沿って位置決めすることができ、シュラウドが、液滴の位置的安定性を増大させるために経路に垂直な平面において流れを部分的に包み込むことも示している。
図4は、シュラウド320の斜視図を示している。図示のように、シュラウド320は、ターゲット材料310を送出するシステム上に取り付けられ、かつそこから照射領域に向けて延びるように位置決めすることができる。図4は、シュラウドには、矢印323の方向に延びる横シュラウド開口部321を形成することができることを示している。
図5は、液滴流れ出力オリフィス322を有するターゲット材料310を送出するシステムの一部を示している。比較図4及び図5を比較すると、シュラウド320は、液滴流れ出力オリフィス322を部分的に取り囲むことができることが見られる。
図6は、シュラウド320の断面図を示している。図6で分るように、シュラウド320は、湾曲領域324及び平坦延長部326a、bを有する「U字」形の断面を含む部分的なリングとして成形することができる。例えば、シュラウドは、モリブデン又はステンレス鋼(例えば、316ステンレス)で製造することができ、かつ液滴流れ出力オリフィス322から約30mm延びることができる。
図7は、より長い延長部長さ(例えば、液滴流れ出力オリフィス322から約150mmの延長部及びより長い平坦面326’)を有するEUV光源20に使用されるシュラウド320’の別の実施形態を示している。
図8は、図4の線6−6に沿って見た時にC字形断面を有するEUV光源20に使用されるシュラウド320’’の別の実施形態を示している。
図9は、管の壁を通って延びる1つ又はそれよりも多くの貫通孔328a、bが形成された管形状を有するEUV光源20に使用されるシュラウド320’’’の別の実施形態を示している。
図10は、チャンバ26内のガス源352からのガス流(矢印350a,b,cにより図示)に対するシュラウド320の適切な向きを示している。この実施形態に示すように、ガスは、集光ミラーの開口を通って照射部位314に向けて流れる。レーザシステム22からの光は、窓354及び集光ミラーの開口を通じてチャンバ26に入って照射部位314に至ることも見ることができる。図示のように、集光ミラー開口を通る流れを案内する任意的な円錐部材356を設けることができる。図10は、シュラウド320を横方向シュラウド開口部がガス流の下流に位置決めされるような向きに配置することができることを示している。
図11は、照射領域502とターゲット材料放出点506の間の経路504に沿って照射領域502にターゲット材料を送出するターゲット材料液滴の供給源500を有する装置を示している。図示のように、装置は、EUV反射光学系508(例えば、光学系300に関して上述したようなもの)と、望ましい経路から外れるターゲット材料、例えば、経路512に沿った材料を受け取る液滴捕捉管510とを含むことができる。使用時には、液滴捕捉管510は、EUV光を発生させるためにターゲット材料の照射中に所定の位置のままとすることができる(すなわち、通常の光源作動中は据え付けられたままとすることができる)。
更に図示のように、液滴捕捉管510は、管が少なくとも部分的にターゲット材料放出点を取り囲む位置から、放出点506と照射領域502の間に位置決めされた管終点514まで延びることができる。同じく図示のように、液滴捕捉管510は、望ましい経路504に沿って中心が置かれた開口部516の形成された閉鎖端を終点に有することができる。この構成では、経路504に沿って進むターゲット材料は、液滴捕捉管510を出ることになり、一方、経路504から外れるターゲット材料は、捕捉されて閉鎖端管510に保持されることになる。
「35U.S.C.§112」を満足するために必要とされる詳細において本特許出願において説明しかつ例示した特定の実施形態は、上述の実施形態の1つ又はそれよりも多くの上述の目的を、及び上述の実施形態により又はその目的のあらゆる他の理由で又はその目的のために解決すべき問題を完全に達成することができるが、上述の実施形態は、本出願によって広く考察された内容を単に例示しかつ代表することは、当業者によって理解されるものとする。単数形での以下の請求項における要素への言及は、解釈において、明示的に説明していない限り、このような要素が「1つ及び1つのみ」であることを意味するように意図しておらず、かつ意味しないものとし、「1つ又はそれよりも多い」を意味する意図とし、かつ意味するものとする。当業者に公知か又は後で公知になる上述の実施形態の要素のいずれかに対する全ての構造的及び機能的均等物は、引用により本明細書に明示的に組み込まれると共に、特許請求の範囲によって包含されるように意図されている。本明細書及び/又は本出願の請求項に使用され、かつ本明細書及び/又は本出願の請求項に明示的に意味を与えられたあらゆる用語は、このような用語に関するあらゆる辞書上の意味又は他の一般的に使用される意味によらず、その意味を有するものとする。実施形態として本明細書で説明した装置又は方法は、それが特許請求の範囲によって包含されるように本出願において説明した各及び全て問題に対処又は解決することを意図しておらず、また必要でもない。本発明の開示内容におけるいかなる要素、構成要素、又は方法段階も、その要素、構成要素、又は方法段階が特許請求の範囲において明示的に詳細に説明されているか否かに関係なく、一般大衆に捧げられることを意図したものではない。特許請求の範囲におけるいかなる請求項の要素も、その要素が「〜のための手段」という語句を使用して明示的に列挙されるか又は方法の請求項の場合にはその要素が「行為」ではなく「段階」として列挙されていない限り、「35U.S.C.§112」第6項の規定に基づいて解釈されないものとする。
20 EUV光源
24 ターゲット材料送出システム
60 EUVコントローラ
80 液滴制御システム
84 シュラウド

Claims (21)

  1. チャンバと、
    前記チャンバ内の照射領域にターゲット材料放出点と該照射領域の間の経路に沿ってターゲット材料を送出するターゲット材料の流れを供給する供給源と、
    ガスの少なくとも一部分が前記流れに向かう方向に流れる前記チャンバ内のガス流と、
    EUV放射線を生成するプラズマを発生させるために前記照射領域でターゲット材料を照射するレーザビームを生成するシステムと、
    前記流れの一部分に沿って位置決めされ、該流れを前記ガス流から遮蔽する第1のシュラウド部分及び対向する開放部分を有するシュラウドと、
    を含むことを特徴とする装置。
  2. 前記シュラウドは、前記経路に垂直な平面において部分的にリング状の断面を有することを特徴とする請求項1に記載の装置。
  3. 前記リングは、少なくとも1つの平坦面を有することを特徴とする請求項2に記載の装置。
  4. 前記シュラウドは、前記経路と平行な方向に長形であることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  5. 前記シュラウドは、少なくとも1つの穴が形成された管を含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
  6. 前記シュラウドと前記ターゲット材料放出点の間に前記流れに沿って位置決めされた液滴捕捉管を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
  7. 前記経路は、非垂直であり、前記液滴捕捉管は、該非垂直経路から逸れるターゲット材料から反射光学系を保護するシールドであることを特徴とする請求項6に記載の装置。
  8. チャンバと、
    前記チャンバ内の照射領域に該照射領域とターゲット材料放出点の間の経路に沿ってターゲット材料を送出するターゲット材料液滴の流れを供給する供給源と、
    前記チャンバ内のガス流と、
    EUV放射線を生成するプラズマを発生させるために前記照射領域で液滴を照射するビームを生成するレーザと、
    前記流れの一部分に沿って位置決めされ、液滴の位置的安定性を増大させるために前記経路に垂直な平面において該流れを部分的に包み込むシュラウドと、
    を含むことを特徴とする装置。
  9. 前記シュラウドは、前記経路に垂直な平面において部分的にリング状の断面を有することを特徴とする請求項8に記載の装置。
  10. 前記リングは、少なくとも1つの平坦面を有することを特徴とする請求項9に記載の装置。
  11. 前記シュラウドは、前記経路と平行な方向に長形であることを特徴とする請求項8に記載の装置。
  12. 前記シュラウドは、少なくとも1つの穴が形成された管を含むことを特徴とする請求項8に記載の装置。
  13. 前記シュラウドと前記ターゲット材料放出点の間に前記流れに沿って位置決めされた液滴捕捉管を更に含むことを特徴とする請求項8に記載の装置。
  14. 前記経路は、非垂直であり、前記液滴捕捉管は、該非垂直経路から逸れるターゲット材料から反射光学系を保護するシールドであることを特徴とする請求項13に記載の装置。
  15. チャンバ内の照射領域にターゲット材料放出点と該照射領域の間の経路に沿ってターゲット材料を送出するターゲット材料液滴の流れを供給する段階と、
    前記液滴流れに向かう方向にガスを流す段階と、
    EUV放射線を生成するプラズマを発生させるために前記照射領域で液滴をレーザビームで照射する段階と、
    液滴を前記ガス流から遮蔽する第1のシュラウド部分及び対向する開放部分を有するシュラウドを前記流れの一部分に沿って位置決めする段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
  16. 前記流す段階及び照射する段階は、同時に行われることを特徴とする請求項15に記載の方法。
  17. 前記シュラウドは、前記経路に垂直な平面において部分的にリング状の断面を有することを特徴とする請求項15に記載の方法。
  18. 前記リングは、少なくとも1つの平坦面を有することを特徴とする請求項15に記載の方法。
  19. 前記シュラウドは、前記経路と平行な方向に長形であることを特徴とする請求項15に記載の方法。
  20. 前記シュラウドと前記ターゲット材料放出点の間に前記流れに沿って液滴捕捉管を位置決めする段階を更に含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
  21. 前記流れの少なくとも一部分が、液滴の流れであることを特徴とする請求項1に記載の装置。
JP2013503804A 2010-04-09 2011-04-01 レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出保護のためのシステム及び方法 Active JP5828887B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US34217910P 2010-04-09 2010-04-09
US61/342,179 2010-04-09
US13/075,500 US8263953B2 (en) 2010-04-09 2011-03-30 Systems and methods for target material delivery protection in a laser produced plasma EUV light source
US13/075,500 2011-03-30
PCT/US2011/030981 WO2011126949A1 (en) 2010-04-09 2011-04-01 Systems and method for target material delivery protection in a laser produced plasma euv light source

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013524464A true JP2013524464A (ja) 2013-06-17
JP2013524464A5 JP2013524464A5 (ja) 2014-05-22
JP5828887B2 JP5828887B2 (ja) 2015-12-09

Family

ID=44760255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013503804A Active JP5828887B2 (ja) 2010-04-09 2011-04-01 レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出保護のためのシステム及び方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8263953B2 (ja)
EP (1) EP2556514A4 (ja)
JP (1) JP5828887B2 (ja)
KR (1) KR101726281B1 (ja)
CN (1) CN102822903B (ja)
SG (1) SG184080A1 (ja)
TW (1) TWI507089B (ja)
WO (1) WO2011126949A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016531392A (ja) * 2013-08-02 2016-10-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 放射源用コンポーネント、関連した放射源およびリソグラフィ装置
JP2016540346A (ja) * 2013-12-02 2016-12-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. レーザ生成プラズマeuv光源におけるソース材料送出の装置
US10681795B2 (en) 2013-12-02 2020-06-09 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of source material delivery in a laser produced plasma EUV light source
JP2021021760A (ja) * 2019-07-25 2021-02-18 ギガフォトン株式会社 Euvチャンバ装置、極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8304752B2 (en) * 2009-04-10 2012-11-06 Cymer, Inc. EUV light producing system and method utilizing an alignment laser
JP5693587B2 (ja) * 2009-09-25 2015-04-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 放射源コレクタ装置、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP5765730B2 (ja) * 2010-03-11 2015-08-19 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
EP2742780B1 (en) 2011-08-12 2017-03-15 ASML Netherlands BV Radiation source
US9279445B2 (en) * 2011-12-16 2016-03-08 Asml Netherlands B.V. Droplet generator steering system
KR20140036538A (ko) * 2012-09-17 2014-03-26 삼성전자주식회사 극자외선 생성 장치, 이를 포함하는 노광 장치 및 이러한 노광 장치를 사용해서 제조된 전자 디바이스
US9341752B2 (en) * 2012-11-07 2016-05-17 Asml Netherlands B.V. Viewport protector for an extreme ultraviolet light source
NL2011663A (en) * 2012-11-15 2014-05-19 Asml Netherlands Bv Radiation source and method for lithography.
CN103149804B (zh) * 2013-01-22 2015-03-04 华中科技大学 一种基于径向偏振激光驱动的极紫外光源产生装置及方法
JP6321777B6 (ja) * 2013-04-05 2018-07-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ソースコレクタ装置、リソグラフィ装置及び方法
KR102115543B1 (ko) * 2013-04-26 2020-05-26 삼성전자주식회사 극자외선 광원 장치
US9497840B2 (en) * 2013-09-26 2016-11-15 Asml Netherlands B.V. System and method for creating and utilizing dual laser curtains from a single laser in an LPP EUV light source
US9241395B2 (en) * 2013-09-26 2016-01-19 Asml Netherlands B.V. System and method for controlling droplet timing in an LPP EUV light source
WO2015097794A1 (ja) 2013-12-25 2015-07-02 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US10349491B2 (en) 2015-01-19 2019-07-09 Tetra Tech, Inc. Light emission power control apparatus and method
CA2893007C (en) 2015-01-19 2020-04-28 Tetra Tech, Inc. Sensor synchronization apparatus and method
US9849894B2 (en) 2015-01-19 2017-12-26 Tetra Tech, Inc. Protective shroud for enveloping light from a light emitter for mapping of a railway track
CA2892885C (en) 2015-02-20 2020-07-28 Tetra Tech, Inc. 3d track assessment system and method
US10880979B2 (en) * 2015-11-10 2020-12-29 Kla Corporation Droplet generation for a laser produced plasma light source
US10149374B1 (en) * 2017-08-25 2018-12-04 Asml Netherlands B.V. Receptacle for capturing material that travels on a material path
CN108031975B (zh) * 2017-10-24 2020-02-21 广东工业大学 一种连续多层液滴包裹的激光诱导植入制备方法
US11013097B2 (en) 2017-11-15 2021-05-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for generating extreme ultraviolet radiation
US10631392B2 (en) * 2018-04-30 2020-04-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV collector contamination prevention
US10807623B2 (en) 2018-06-01 2020-10-20 Tetra Tech, Inc. Apparatus and method for gathering data from sensors oriented at an oblique angle relative to a railway track
US11377130B2 (en) 2018-06-01 2022-07-05 Tetra Tech, Inc. Autonomous track assessment system
US10625760B2 (en) 2018-06-01 2020-04-21 Tetra Tech, Inc. Apparatus and method for calculating wooden crosstie plate cut measurements and rail seat abrasion measurements based on rail head height
US10730538B2 (en) 2018-06-01 2020-08-04 Tetra Tech, Inc. Apparatus and method for calculating plate cut and rail seat abrasion based on measurements only of rail head elevation and crosstie surface elevation
US11550233B2 (en) * 2018-08-14 2023-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography system and operation method thereof
NL2023879A (en) * 2018-09-26 2020-05-01 Asml Netherlands Bv Apparatus for and method of controlling introduction of euv target material into an euv chamber
TWI826559B (zh) * 2018-10-29 2023-12-21 荷蘭商Asml荷蘭公司 延長靶材輸送系統壽命之裝置及方法
KR20200052124A (ko) * 2018-11-06 2020-05-14 삼성전자주식회사 Euv 집광 장치 및 상기 euv 집광 장치를 포함하는 리소그래피 장치
CA3130198C (en) 2019-05-16 2022-05-17 Darel Mesher System and method for generating and interpreting point clouds of a rail corridor along a survey path
CN113634383A (zh) * 2021-07-14 2021-11-12 江汉大学 一种基于电场力诱导的极紫外光源液滴靶发生装置及方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008293738A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Komatsu Ltd Euv光発生装置および方法
WO2009117048A2 (en) * 2008-03-17 2009-09-24 Cymer, Inc. System and methods for target material delivery in a laser produced plasma euv light source

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5360165A (en) 1992-09-28 1994-11-01 Singhal Tara C Spray paint nozzle and nozzle shroud
US5897307A (en) 1997-06-24 1999-04-27 Chang; Ming Yu Disposable lighter having a safety function of preventing unwanted ignition
US6364172B1 (en) 1998-12-10 2002-04-02 Afa Polytek, B.V. Liquid dispenser and assembly methods therefor
US7014068B1 (en) 1999-08-23 2006-03-21 Ben Z. Cohen Microdispensing pump
US6831963B2 (en) * 2000-10-20 2004-12-14 University Of Central Florida EUV, XUV, and X-Ray wavelength sources created from laser plasma produced from liquid metal solutions
US6972421B2 (en) 2000-06-09 2005-12-06 Cymer, Inc. Extreme ultraviolet light source
US7465946B2 (en) * 2004-03-10 2008-12-16 Cymer, Inc. Alternative fuels for EUV light source
US7491954B2 (en) * 2006-10-13 2009-02-17 Cymer, Inc. Drive laser delivery systems for EUV light source
US7598509B2 (en) * 2004-11-01 2009-10-06 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US20060255298A1 (en) 2005-02-25 2006-11-16 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source with pre-pulse
US7897947B2 (en) * 2007-07-13 2011-03-01 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave
US7372056B2 (en) 2005-06-29 2008-05-13 Cymer, Inc. LPP EUV plasma source material target delivery system
US7405416B2 (en) * 2005-02-25 2008-07-29 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery
US7439530B2 (en) 2005-06-29 2008-10-21 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US7843632B2 (en) 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
US7671349B2 (en) 2003-04-08 2010-03-02 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
JP4264505B2 (ja) * 2003-03-24 2009-05-20 独立行政法人産業技術総合研究所 レーザープラズマ発生方法及び装置
US7217940B2 (en) * 2003-04-08 2007-05-15 Cymer, Inc. Collector for EUV light source
JP4262032B2 (ja) 2003-08-25 2009-05-13 キヤノン株式会社 Euv光源スペクトル計測装置
DE102004005242B4 (de) * 2004-01-30 2006-04-20 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur plasmabasierten Erzeugung intensiver kurzwelliger Strahlung
DE102004005241B4 (de) * 2004-01-30 2006-03-02 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Einrichtung zur plasmabasierten Erzeugung weicher Röntgenstrahlung
US7164144B2 (en) * 2004-03-10 2007-01-16 Cymer Inc. EUV light source
US7087914B2 (en) * 2004-03-17 2006-08-08 Cymer, Inc High repetition rate laser produced plasma EUV light source
DE102004036441B4 (de) * 2004-07-23 2007-07-12 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Dosieren von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung
DE102004042501A1 (de) 2004-08-31 2006-03-16 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung zur Bereitstellung eines reproduzierbaren Targetstromes für die energiestrahlinduzierte Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung
US20060081726A1 (en) * 2004-10-14 2006-04-20 Gerondale Scott J Controlled drop dispensing tips for bottles
DE102005007884A1 (de) * 2005-02-15 2006-08-24 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter (EUV-) Strahlung
US7449703B2 (en) * 2005-02-25 2008-11-11 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery target material handling
DE102005015274B4 (de) * 2005-03-31 2012-02-23 Xtreme Technologies Gmbh Strahlungsquelle zur Erzeugung kurzwelliger Strahlung
JP2006294606A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Xtreme Technologies Gmbh プラズマ放射線源
JP5156192B2 (ja) * 2006-01-24 2013-03-06 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US8158960B2 (en) * 2007-07-13 2012-04-17 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
DE102006017904B4 (de) * 2006-04-13 2008-07-03 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz und minimaler Kontamination
JP5076087B2 (ja) * 2006-10-19 2012-11-21 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置及びノズル保護装置
US7812329B2 (en) * 2007-12-14 2010-10-12 Cymer, Inc. System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (EUV) photolithography apparatus
US7655925B2 (en) 2007-08-31 2010-02-02 Cymer, Inc. Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source
US8467032B2 (en) * 2008-04-09 2013-06-18 Nikon Corporation Exposure apparatus and electronic device manufacturing method
JP2010103499A (ja) * 2008-09-29 2010-05-06 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置および極端紫外光生成方法
JP5580032B2 (ja) * 2008-12-26 2014-08-27 ギガフォトン株式会社 極端紫外光光源装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008293738A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Komatsu Ltd Euv光発生装置および方法
WO2009117048A2 (en) * 2008-03-17 2009-09-24 Cymer, Inc. System and methods for target material delivery in a laser produced plasma euv light source

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016531392A (ja) * 2013-08-02 2016-10-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 放射源用コンポーネント、関連した放射源およびリソグラフィ装置
JP2016540346A (ja) * 2013-12-02 2016-12-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. レーザ生成プラズマeuv光源におけるソース材料送出の装置
JP2019012293A (ja) * 2013-12-02 2019-01-24 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. レーザ生成プラズマeuv光源におけるソース材料送出の装置及び方法
US10681795B2 (en) 2013-12-02 2020-06-09 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of source material delivery in a laser produced plasma EUV light source
JP2021021760A (ja) * 2019-07-25 2021-02-18 ギガフォトン株式会社 Euvチャンバ装置、極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法
JP7328046B2 (ja) 2019-07-25 2023-08-16 ギガフォトン株式会社 Euvチャンバ装置、極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011126949A1 (en) 2011-10-13
KR20130042488A (ko) 2013-04-26
US20110248191A1 (en) 2011-10-13
CN102822903B (zh) 2016-04-27
US8263953B2 (en) 2012-09-11
TWI507089B (zh) 2015-11-01
SG184080A1 (en) 2012-10-30
CN102822903A (zh) 2012-12-12
JP5828887B2 (ja) 2015-12-09
TW201143540A (en) 2011-12-01
EP2556514A1 (en) 2013-02-13
KR101726281B1 (ko) 2017-04-12
EP2556514A4 (en) 2014-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5828887B2 (ja) レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出保護のためのシステム及び方法
JP6784737B2 (ja) レーザ生成プラズマeuv光源におけるソース材料送出の装置及び方法
KR101618143B1 (ko) Euv 생성 챔버에서 백스플래시를 방지하기 위한 액적 캐처용 시스템, 방법 및 장치
JP5597993B2 (ja) レーザ生成プラズマeuv光源
US10237960B2 (en) Apparatus for and method of source material delivery in a laser produced plasma EUV light source
US8969838B2 (en) Systems and methods for protecting an EUV light source chamber from high pressure source material leaks
US11988967B2 (en) Target material supply apparatus and method

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140401

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140401

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20140707

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20140715

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150302

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150602

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150604

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20150622

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20150714

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150925

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151020

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5828887

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250