TWI826559B - 延長靶材輸送系統壽命之裝置及方法 - Google Patents
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- H05G—X-RAY TECHNIQUE
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Abstract
本發明揭示一種用於產生EUV輻射之系統，其中流經一小滴產生器中之一噴嘴的孔口中之靶材的電流係藉由為該電流提供替代低阻抗路徑及/或藉由限制施加至該小滴產生器之一驅動信號之一高頻分量來控制。
Description
本發明係關於自經由容器中靶材之放電或雷射切除產生之電漿來產生遠紫外線(「EUV」)輻射之裝置及方法。在此類應用中，使用光學元件(例如)來收集及引導輻射供用於半導體光微影及檢測中。
可在光微影製程中使用遠紫外線輻射，例如具有大約50nm或更小之波長的電磁輻射(有時亦稱為軟x射線)且包括波長為約13.5nm之輻射，以在諸如矽晶圓之基板中產生極小特徵。
用於產生EUV輻射之方法包括將靶材轉換成電漿狀態。靶材較佳地包括在電磁波譜之EUV部分中具有一或多個發射譜線之至少一種元素，例如，氙、鋰或錫。靶材可為固體、液體或氣體。一種技術涉及產生靶材小滴串流且藉由一或多個雷射輻射脈衝輻照該等小滴中之至少一些。此類源藉由將雷射能量耦合至具有至少一種EUV發射元素之靶材中，產生具有電子溫度為數10eV之高度電離之電漿來產生EUV輻射。
用於產生小滴之一種技術涉及熔融諸如錫之靶材，且接著迫使其在高壓下穿過相對較小直徑的孔口，諸如直徑約0.5μm至約30μm之孔口，以產生小滴速度在約30m/s至約150m/s的範圍內之小滴串流。
在大多數情況下，在稱為瑞立分裂(Rayleigh breakup)之製程中，串流離開孔口之不穩定性將使得串流分裂成小滴。此等小滴可具有不同速度，且可彼此組合以聚結成較大小滴。
在此處考慮之EUV產生製程中，需要控制分裂/聚結製程。舉例而言，為了使小滴與驅動雷射之光學脈衝同步，可將振幅超過隨機雜訊之振幅的重複擾動施加於連續串流。藉由以與脈衝式雷射之重複率相同的頻率(或其高階諧波)施加擾動，可使小滴與雷射脈衝同步。舉例而言，可藉由將電可致動元件(諸如壓電材料)耦接至串流且以週期性波形驅動電可致動元件來將擾動施加於串流。在一個實施例中，電可致動元件將在直徑上收縮及膨脹(約數奈米)。此尺寸變化與界定空腔之結構，諸如經歷對應的直徑收縮及膨脹之套管或毛細管機械耦接。空腔內部的例如熔融錫之靶材管柱亦在直徑上收縮及膨脹(且在長度上膨脹及收縮)，以在噴嘴出口處誘發串流之速度擾動。
如本文所使用，術語「電可致動元件」及其派生詞意謂在經受電壓、電場、磁場或其組合時經受尺寸變化的材料或結構，且包括但不限於壓電材料、電致伸縮材料及磁致伸縮材料。使用電可致動元件來控制小滴串流之裝置及方法揭示於例如標題為「Laser Produced Plasma EUV Light Source Having a Droplet Stream Produced Using a Modulated Disturbance Wave」且於2009年1月15日公佈之美國專利申請公開案第2009/0014668 A1號及標題為「Droplet Generator with Actuator Induced Nozzle Cleaning」且於2013年8月20日發佈之美國專利第8,513,629號中，其兩者以全文引用之方式併入本文中。
因此，小滴產生器之任務為將適當大小之小滴置放於主焦
點中，其中其將用於EUV產生。小滴必須在一定的空間及時間穩定性準則內，亦即，以在可接受之邊限內為可重複的位置及時序達至主焦點。該等小滴亦必須以給定頻率及速度到達。此外，小滴必須完全聚結，其意謂小滴必須為單分散的(均一大小)且以給定驅動頻率到達。舉例而言，小滴串流應不含同軸「衛星」小滴，亦即，未能聚結成主小滴之靶材之較小小滴。滿足此等準則由於小滴產生器效能隨時間變化之事實而變得複雜化。舉例而言，當小滴產生器之效能變化時，其可產生在到達主焦點時未完全聚結之小滴。最終，小滴產生器效能將惡化至小滴產生器必須脫機以進行維護或更換之程度。
此類小滴產生器之另一失效模式為小滴串流角度之逐漸漂移。此類漂移產生EUV源操作之不穩定性且在一些情況下，當角度變得太大且小滴開始夾住小滴產生器之出口孔時，導致小滴損失。此類漂移趨向於為單向漂移且可變大直至小滴產生器導向系統超出範圍以校正小滴位置或直至小滴經出口孔夾住。小滴之此損失導致小滴產生器調換，其影響總體系統可用性。
因此需要延長此類小滴產生器之壽命以便提高系統可用性。
下文呈現一或多個實施例之簡化概述以便提供對實施例之基本理解。此概述並非所有預期實施例之廣泛綜述，且既不意欲識別所有實施例之關鍵或決定性要素，亦不意欲設定對任何或所有實施例之範疇之限制。其唯一目的在於以簡化形式呈現一或多個實施例的一些概念以作為稍後呈現之更詳細描述的序言。
揭示一種用於產生EUV輻射之系統，其中流經一小滴產生器中之一噴嘴的孔口中之靶材的電流係藉由為該電流提供替代低阻抗路徑及/或藉由限制施加至該小滴產生器之一驅動信號之一高頻分量來控制。
根據一實施例之一個態樣，揭示一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號；電連接件，其與該電可致動元件經配置以控制流經該孔口處之該靶材之一電流量。該等電連接件與該電可致動元件可經配置以在該電可致動元件與接地之間提供不穿過該孔口處之該靶材的一低阻抗路徑。界定一空腔之該結構可包含一圓柱形管且該電可致動元件包含一圓柱形壓電元件，該圓柱形壓電元件經配置以圍繞該圓柱形管且具有藉由一低阻抗路徑連接至接地之一內表面。該靶材施配器可進一步包含圍繞界定一空腔之該結構的至少一部分之一導電塗層。該導電塗層可具有小於約1E-06 Ohm-m之一電阻率。該導電塗層可經限於界定包括該孔口之該結構之一區域。該電可致動元件可定位於不具有一導電塗層之該空腔之一第一軸向部分周圍。可經由一低阻抗路徑將該導電塗層連接至接地。該裝置可進一步包含在該導電塗層頂部上之一絕緣塗層。可經由直接終止於該電可致動元件處之一RF同軸電纜將該驅動信號產生器電耦接至該電可致動元件。
根據一實施例之另一態樣，揭示一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之
一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之最高頻率分量經限於約3.5MHz至約7MHz之範圍內的一值。
根據一實施例之另一態樣，揭示一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之一最小上升/下降時間在約50ns至約100ns之範圍內。
根據一實施例之另一態樣，揭示一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之一最大電壓經界定以限制穿過該孔口中之靶材之一電流。
根據一實施例之另一態樣，揭示一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信
號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號包括一實質上恆定DC偏壓。該偏壓可為負。該偏壓可為正。該偏壓可在驅動波形包含正極性脈衝之情況下為負，且在該驅動波形包含負極性脈衝之情況下為正。
根據一實施例之另一態樣，揭示一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之最高頻率分量經限於約3.5MHz至約7MHz之範圍內的一值；及電連接件，其與該電可致動元件經配置以控制流經該孔口處之該靶材的一電流量。
根據一實施例之另一態樣，揭示一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以該供應驅動信號；電連接件，其與該電可致動元件經配置且該驅動信號之一參數經選擇以控制流經該孔口處之該靶材的一電流量。
根據一實施例之另一態樣，揭示一種在用於產生EUV輻射之一裝置中施配靶材之方法，該方法包含以下步驟：提供一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；提供一電可致動元
件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；且將一驅動信號供應至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號包括一實質上恆定DC偏壓。
根據一實施例之另一態樣，揭示一種在用於產生EUV輻射之一裝置中施配靶材之方法，該方法包含以下步驟：提供一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；提供一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；且將一驅動信號供應至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之一最小上升/下降時間在約50ns至約100ns之範圍內。
根據一實施例之另一態樣，揭示一種在用於產生EUV輻射之一裝置中施配靶材之方法，該方法包含以下步驟：提供一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；提供一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；且將一驅動信號供應至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之一最大電壓經界定以限制穿過該孔口中之靶材之一電流。
下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之其他實施例、特徵及優勢，以及各種實施例之結構及操作。
10:EUV輻射源
12:輻射光束
14:小滴
20:EUV輻射源
22:脈衝式或連續雷射源
24:靶材輸送系統
26:真空腔室
28:輻照區
30:集光器
40:中間點
50:積體電路微影掃描儀
52:矽晶圓工件
54:倍縮光罩或光罩
60:EUV光源控制器系統
62:目標位置偵測回饋系統
65:雷射發射控制系統
70:小滴影像器
90:目標輸送控制系統/小滴產生器
92:目標輸送機構
230:驅動信號產生器/驅動信號源
250:控制器
252:資料處理模組
254:攝影機
256:光電二極體
258:雷射
300:空腔
310:毛細管
320:孔口
330:小滴
340:電可致動元件
350:電極
360:電極
370:導電塗層
380:絕緣塗層
390:接合層
400:小滴產生器籠
410:連接件
420:連接件
430:出口孔
450:接地小滴產生器外殼
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式作為實例而非作為限制來說明本發明之實施例的方法及系統。連同實施方式，圖式進一步用以解釋熟習相關技術者之原則且使其能夠製造及使用本文中呈現之
方法及系統。在圖式中，類似參考編號指示相同或功能上類似之元件。
圖1為根據本發明之一態樣的用於雷射產生電漿EUV輻射源系統之總廣泛概念的示意性未按比例繪製視圖。
圖2為圖1之系統的一部分之示意性未按比例繪製視圖。
圖3A為根據一實施例之一態樣的小滴產生器噴嘴組件之圖式。
圖3B為根據一實施例之另一態樣的小滴產生器噴嘴組件之圖式。
圖4A描繪根據本發明之一態樣之小滴產生器噴嘴組件中之壓電元件之激發波形，圖4B描繪根據本發明之一態樣之壓電元件中之產生所得電流，且圖4C描繪穿過根據本發明之一態樣之經由小滴產生器噴嘴組件中之孔口的所得模擬電流。
下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之其他特徵及優勢，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之具體實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此類實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
現在參考圖式描述各種實施例，其中類似附圖標號始終用於指代類似元件。在以下描述中，出於解釋之目的，闡述許多特定細節以便增進對一或多個實施例之透徹理解。然而，在一些或所有情況下可明顯的係，可在不採用下文所描述之特定設計細節的情況下實踐下文所描述之任何實施例。在其他情況下，以方塊圖之形式展示熟知結構及器件以便促進對一或多個實施例之描述。
然而，在更詳細地描述此類實施例之前，有指導性的為呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。在下文之實施方式及申請專利範圍中，可使用術語「向上」、「向下」、「頂部」、「底部」、「豎直」、「水平」及類似術語。此等術語僅意欲展示相對定向且不意欲展示相對於重力之任何定向。
首先參考圖1，展示根據本發明之一實施例之一個態樣的例示性EUV輻射源，例如雷射產生電漿EUV輻射源20之示意圖。如所展示，EUV輻射源20可包括脈衝式或連續雷射源22，該脈衝式或連續雷射源22可(例如)為產生輻射光束12的脈衝式氣體放電CO2雷射源。脈衝式氣體放電CO2雷射源可具有在高功率下及高脈衝重複率下操作之DC或RF激發。
EUV輻射源20亦包括用於輸送呈液滴或連續液體串流形式之靶材的靶材輸送系統24。在此實例中，靶材為液體，但其亦可為固體或氣體。靶材可由錫或錫化合物組成，但可使用其他材料。在所描繪之系統中，靶材輸送系統24將靶材之小滴14引入至真空腔室26的內部中直至輻照區28，在輻照區28中，靶材可經輻照以產生電漿。在一些情況下，電荷經置放於靶材上以准許操控靶材朝向或遠離輻照區28。應注意，如本文中所使用，輻照區為可發生靶材輻照之區域，且甚至在實際上不發生輻照時亦為輻照區。
EUV輻射源20亦可包括EUV光源控制器系統60，其亦可包括雷射發射控制系統65。EUV輻射源20亦可包括諸如目標位置偵測系統之偵測器，該偵測器可包括一或多個小滴影像器70，該小滴影像器70產生指示目標小滴(例如)相對於輻照區28之絕對或相對位置的輸出且將此輸
出提供至目標位置偵測回饋系統62。
目標位置偵測回饋系統62可使用小滴影像器70之輸出來計算目標位置及軌跡，可根據目標位置及軌跡計算目標誤差。可逐滴地或平均地或基於某一其他基礎來計算目標誤差。可隨後將目標誤差作為輸入提供至光源控制器60。作為回應，光源控制器60可產生控制信號，諸如雷射位置、方向或時序校正信號。
如圖1中所示，靶材輸送系統24可包括目標輸送控制系統90。目標輸送控制系統90可回應於信號(例如上文所描述之目標誤差，或自藉由系統控制器60提供之目標誤差導出之一些數量)而操作，以調整目標小滴14穿過輻照區28之路徑。此可例如藉由重新定位目標輸送機構92釋放目標小滴14之點來實現。可例如藉由使目標輸送機構92傾斜或藉由使目標輸送機構92偏移來重新定位小滴釋放點。目標輸送機構92延伸至腔室26中，且較佳地外部供應有靶材及氣體源以在壓力下將靶材置放於目標輸送機構92中。
關於各種小滴施配器組態及其相對優勢之更多細節可例如發現於2011年1月18日發佈的標題為「Systems and Methods for Target Material Delivery in a Laser Produced Plasma EUV Light Source」之美國專利案第7,872,245號，2008年7月29日發佈的標題為「Method and Apparatus For EUV Plasma Source Target Delivery」之美國專利案第7,405,416號及2008年5月13日發佈的標題為「LPP EUV Plasma Source Material Target Delivery System」之美國專利案第7,372,056號中，其中之每一者之內容特此以全文引用之方式併入。
繼續圖1，輻射源20亦可包括一或多個光學元件。在以下
論述中，集光器30用作此類光學元件之實例，但該論述亦適用於其他光學元件。集光器30可為正入射角反射器，例如實施為具有沈積於每個介面處之額外薄障壁層(例如B4C、ZrC、Si3N4或C)之MLM，以有效地阻止熱誘發之層間擴散。亦可使用其他基板材料，諸如鋁(Al)或矽(Si)。集光器30可呈長橢球之形式，其具有中心孔徑來允許雷射輻射12通過且到達輻照區28。集光器30可例如呈橢球形狀，該橢球在輻照區28處具有第一焦點且在所謂的中間點40(亦稱為中間焦點40)處具有第二焦點，其中EUV輻射可自EUV輻射源10輸出且輸入至例如積體電路微影掃描儀50，該積體電路微影掃描儀50使用輻射例如來使用倍縮光罩或光罩54以已知方式來處理矽晶圓工件52。隨後，以已知方式另外處理矽晶圓工件52以獲得積體電路器件。
圖2更詳細地說明小滴產生系統。靶材輸送系統24將小滴輸送至腔室26內之輻照位點/主焦點28。驅動信號產生器230向小滴產生器90中之電可致動元件提供驅動波形，該電可致動元件於小滴串流中誘發速度擾動。驅動波形可包含單一正弦波、具有不同頻率之若干正弦波的組合或正弦波及脈衝波之組合。藉由謹慎地選擇驅動波形之參數，吾人可對熔融錫射流施加速度擾動，其導致在距小滴產生系統5-20cm之典型距離處以40-100kHz之頻率形成小滴，該等小滴為EUV光源之正常操作所需要的。驅動信號產生器230至少部分基於來自資料處理模組252之資料在控制器250之控制下操作。資料處理模組252自一或多個偵測器接收資料。在所展示之實例中，偵測器包括攝影機254及光電二極體256。小滴由一或多個雷射258照明。在此典型配置中，偵測器偵測/成像串流中預期已出現聚結之點處的小滴。此外，偵測器及雷射經配置於真空腔室26之外部且
經由真空腔室26之壁中的窗口檢視串流。
靶材輸送系統24可包括在壓力下容納流體(例如熔融錫)之儲集器。儲集器與終止於噴嘴中之空腔流體連通，該噴嘴之孔口允許儲集器中之加壓流體流經孔口而建立連續串流，該連續串流隨後分裂成複數個微滴，該複數個微滴隨後聚結成較大之小滴。
圖3A中展示此類配置。在圖3A中，界定空腔300之結構呈套管或毛細管310之形式。毛細管310終止於具有孔口320之噴嘴中。空腔300中之熔融靶材管柱處於壓力下且以串流形式自孔口320排出且分裂成小滴330。如上文所提及，空腔300中之靶材管柱中之速度擾動係由電可致動元件340誘發，在所展示之實例中，該電可致動元件340為圓柱形。電可致動元件340可為例如壓電元件。在所展示之組態中，電可致動元件340在其外徑上具有電極350且在其內徑上具有電極360。藉由連接件410將電極350連接至驅動信號源230。連接件410可為終止於外部電極350處之RF同軸電纜(例如，具有50Ohm標稱阻抗)。藉由連接件420將電極360連接至接地電位。驅動信號源230向元件340施加驅動信號，使得機械耦接至空腔300中之靶材的電可致動元件340之尺寸改變。
亦如所展示，毛細管310塗覆有可為例如鉻之導電塗層370。此外，可藉由絕緣塗層380塗覆導電塗層370。絕緣塗層380可經配置以僅覆蓋導電塗層370之一部分，例如在與電可致動元件340軸向共同延伸之區域中。絕緣塗層380之目的為在PZT電極360與導電塗層370之間提供絕緣層。藉由形成接合層390之黏著材料將電可致動元件340接合至導電塗層或絕緣塗層(若存在)。小滴產生器之末端可包覆於小滴產生器籠400中。導電塗層370之目的為保護離開孔口320之靶材免受藉由毛細管上
未補償之表面電荷產生之靜電場的影響，使得小滴不會帶電、彼此排斥且無法聚結。導電塗層370較佳具有不大於約1E-06 Ohm-m之電阻率。導電塗層可經由孔口接地至錫串流。除孔口處之接地路徑外，導電塗層370亦可具有至接地小滴產生器外殼450之專用連接件。
如所提及，可存在小滴串流330側向漂移之趨勢，使得最終串流夾住小滴產生器籠400中之出口孔430的邊緣。呈現導致小滴串流之漂移的一個機構為在噴嘴孔口中形成SnOx顆粒。藉助於電解、電泳或諸如焦耳加熱(Joule heating)之熱機構，藉由流經噴嘴孔口之具有RF分量(本文中稱為RF信號)的電流來促進噴嘴孔口中SnOx顆粒之形成。
流經噴嘴孔口之RF電流之一個源似乎為流經噴嘴上之導電塗層且繼續流向噴嘴中之熔融錫的電流。此RF電流存在之一個原因為對於較高頻率分量，在圍繞毛細管之呈壓電管形式之電可致動元件與經由接合層(及絕緣層，若存在)之導電塗層之間的寄生電容之阻抗小於較低頻率分量，而連接件420之大部分電感阻抗較大。因此，較大部分之返回電流經導向較低阻抗路徑，亦即經由寄生電容且經由噴嘴內部之錫。
因此需要藉由減小返回(接地)連接件420上之寄生電感來減小流經噴嘴之RF電流。減小此電感之一個方式係為內部電極360提供極短連接件420。舉例而言，先前實施之此返迴路徑之實體長度可在約50cm至約100cm之範圍內。此可對應於約0.5μH至約2μH之範圍上的寄生電感。在小滴產生器之各種實施中，諸如10cm或更小之較短連接件可減小寄生電感。
更具體言之，電極360可藉由提供至安裝於噴嘴上且自身接地之小滴產生器籠400之電連接件而接地。在此情況下，至接地之電路
徑的長度減小至約3cm且與此連接件相關聯之寄生電感減小至約35nH。電極360亦可藉由提供至其他接地元件(諸如小滴產生器之加熱器區塊)之較短電線連接件而接地。接地連接件420之電感亦可藉由將內部電極360接地至小滴產生器之金屬外殼來實現。
因此，存在多個路徑，電流可藉由該多個路徑在小滴產生器組件中及周圍流動。自小滴產生器之關鍵功能之觀點看，此等不同路徑基本上等效。然而，此等路徑中之一些導致非所需電流流經噴嘴孔口中之錫，因此促進阻礙錫流動的SnOx顆粒之形成。因此目標為使更多之電流流經不涉及噴嘴孔口中之錫的路徑。如上文所闡述，實現此之一個措施可為減小至接地之一些其他路徑之電感。實現此之另一方式將為控制驅動信號之頻率。就經由噴嘴孔口中錫之路徑之阻抗主要為電容式，且其他路徑之阻抗主要為電感式之程度而言，接著採取措施限制驅動信號中之高頻分量將傾向於使穿過噴嘴之路徑具有較高阻抗。
圖3B展示圖3A之配置的替代方案，其中導電塗層370經修改且至電可致動元件340之電極350、360經配置以更接近毛細管310之孔口320末端。在圖3B之配置中，毛細管310之部分不具有導電塗層，例如，在軸對稱Cr濺鍍期間，毛細管經遮蔽，以移除內部壓電電極與導電塗層370之間的較小間隙電容器，同時保持毛細管310前表面與孔口320錫之間的導電路徑以防止使自由飛行聚結變得困難之微滴充電。亦在圖3B中，至電可致動元件340之電極350、360經重新定位(亦即，翻轉)，使得內部電極360環繞電可致動元件340之向前的表面(與向後的表面相對)以抑制已知為微滴充電之電磁場，為微滴充電使得自由飛行聚結變得困難。
因此，減輕小滴之漂移的另一方法為降低調變信號之高頻
含量。此可例如藉由增大調變信號之脈衝波分量之上升時間及下降時間以避免高頻傅立葉(Fourier)分量處於更尖銳過渡或在驅動信號不含有脈衝波分量之情況下藉由限制正弦波之最大頻率來進行。因此，例如此目的需要驅動信號中脈衝之上升及/或下降時間在約50ns至約100ns之範圍內且正弦波頻率經限制於約3.5MHz至約7MHz以減輕漂移影響。同樣，此係因為在較低頻率下，連接件420之阻抗較低，而包括壓電元件之寄生電容及噴嘴中之錫的路徑之阻抗顯著較高。因此，流經噴嘴中之錫的RF電流之量值減小。此外，驅動信號之量值可減小。然而，如所指出，此等技術之可用性可受限於考慮到其可降低小滴聚結效率。
減輕小滴串流之漂移之此方法具有不需要改變小滴產生器之硬體的優勢。然而，其具有不足之處，其減小可用於實現小滴之最優聚結的信號之頻率分量的選擇範圍。此驅動信號通常經優化以獲得儘可能短之聚結且較高頻率分量通常有益於此結果。增加激發波形之高頻分量之能量亦提高小滴時序穩定性。
圖4A、圖4B及圖4C展示在小滴產生器操作期間模擬電流/電壓波形之實例，其中脈衝信號用於錫射流調變。圖4A展示用於電可致動元件(在此情況下為壓電元件)之驅動信號之輸入電壓波形，且圖4B展示所得輸入電流。圖4C展示所得孔口電流。如可見，在此操作期間產生電壓/電流尖峰。經由噴嘴中之熔融Sn傳播之寄生電流尖峰促進SnOx形成。在圖4C中，此等稱為孔口電流波形。藉由如上文所描述之此等電流尖峰來刺激SnOx形成。因此，噴嘴孔口中之SnOx形成之問題可藉由控制(亦即，減少，包括消除)此等電流尖峰來減輕。
如上文所提及，控制此等寄生電流尖峰之一個措施係為電
可致動元件內部電極提供低阻抗電連接件。一較長(約0.5m至約1m)導線通常穿過小滴產生器之整個主體至導線末端之RF型(例如，BNC)連接器。導線之電感為約0.5μH，當快速上升(約10ns至約20ns之上升時間)之驅動信號通過導線時，其產生電壓/電流尖峰。藉由較短(小於約10cm)導線提供電可致動元件至接地之替代低電感電連接件有助於減少此等尖峰且消除漂移問題。
當在使用脈衝調變信號波形時導致SnOx形成之電流尖峰具有某一極性時，可使用將驅動信號偏壓至相對極性之DC來防止此等尖峰達至將另外有助於SnOx形成之值。舉例而言，當電流尖峰為正時，可施加約-2V至約-10V範圍內之負偏壓，且反之亦然。
上文已憑藉說明特定功能及其關係的實施之功能建置區塊來描述本發明。為便於描述，本文中已任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行特定功能及其關係，便可界定替代邊界。
特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般性質，使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及指導進行解譯。本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
本發明之其他態樣闡明於以下編號條項中。
1.一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含：一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，電連接件，其與該電可致動元件經配置以控制流經該孔口處之該靶材之一電流量。
2.如條項1之裝置，其中電連接件與該電可致動元件經配置以在該電可致動元件與接地之間提供不穿過該孔口處之該靶材的一低阻抗路徑。
3.如條項1之裝置，其中界定一空腔之該結構包含一圓柱形管且該電可致動元件包含一圓柱形壓電元件，該圓柱形壓電元件經配置以圍繞該圓柱形管且具有藉由一低阻抗路徑連接至接地之一內表面。
4.如條項1之裝置，其中該內表面在該電可致動元件最接近於該孔口之一部分處連接至接地。
5.如條項1之裝置，其中該靶材施配器進一步包含圍繞界定一空腔之該結構的至少一部分之一導電塗層。
6.如條項5之裝置，其中該導電塗層具有小於約1E-06 Ohm-m一電阻率。
7.如條項5之裝置，其中該導電塗層經限於界定包括該孔口之該結構的一區域。
8.如條項5之裝置，其中該電可致動元件經定位以圍繞不具有一導電塗層之該空腔的一第一軸向部分。
9.如條項5之裝置，其中經由一低阻抗路徑將該導電塗層連接至接地。
10.如條項5之裝置，其進一步包含在該導電塗層頂部上之一絕緣塗層。
11.如條項1之裝置，其中經由直接終止於該電可致動元件之一RF同軸電纜將該驅動信號產生器電耦接至該電可致動元件。
12.一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含：一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之最高頻率分量經限於約3.5MHz至約7MHz之範圍內的一值。
13.一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含：一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及
一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之一最小上升/下降時間在約50ns至約100ns之範圍內。
14.一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含：一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之一最大電壓經界定以限制穿過該孔口中之靶材之一電流。
15.一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含：一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號包括一實質上恆定DC偏壓。
16.如條項15之裝置，其中該偏壓為負。
17.如條項15之裝置，其中該偏壓為正。
18.如條項15之裝置，其中該偏壓在該驅動波形包含正極性脈衝之
情況下為負，而在該驅動波形包含負極性脈衝之情況下為正。
19.一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含：一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之最高頻率分量經限於約3.5MHz至約7MHz之範圍內的一值；及電連接件，其與該電可致動元件經配置以控制流經該孔口處之該靶材之一電流量。
20.一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含：一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，電連接件，其與該電可致動元件經配置且該驅動信號之一參數經選擇以控制流經該孔口處之該靶材之一電流量。
21.一種在用於產生EUV輻射之一裝置中施配靶材之方法，該方法
包含以下步驟：提供一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；提供一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；且將一驅動信號供應至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號包括一實質上恆定DC偏壓。
22.一種在用於產生EUV輻射之一裝置中施配靶材之方法，該方法包含以下步驟：提供一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；提供一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；且將一驅動信號供應至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之一最小上升/下降時間在約50ns至約100ns之範圍內。
23.一種在用於產生EUV輻射之一裝置中施配靶材之方法，該方法包含以下步驟：提供一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；提供一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動
信號在該小滴串流中誘發速度擾動；且將一驅動信號供應至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之一最大電壓經界定以限制穿過該孔口中之靶材之一電流。
其他實施在申請專利範圍之範疇內。
230:驅動信號產生器
300:空腔
310:毛細管
320:孔口
330:小滴
340:電可致動元件
350:電極
360:電極
370:導電塗層
380:絕緣塗層
390:接合層
400:小滴產生器籠
410:連接件
420:連接件
430:出口孔
450:接地小滴產生器外殼
Claims (23)
- 一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含：一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口(orifice)的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動(velocity perturbations)；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，電連接件，其與該電可致動元件經配置以控制流經該孔口處之該靶材之一電流量。
- 如請求項1之裝置，其中電連接件與該電可致動元件經配置以在該電可致動元件與接地之間提供不穿過該孔口處之該靶材的一低阻抗路徑。
- 如請求項1之裝置，其中界定一空腔之該結構包含一圓柱形管且該電可致動元件包含一圓柱形壓電元件，該圓柱形壓電元件配置以圍繞該圓柱形管且具有藉由一低阻抗路徑連接至接地之一內表面。
- 如請求項1之裝置，其中該內表面在該電可致動元件最接近於該孔口之一部分處連接至接地。
- 如請求項1之裝置，其中該靶材施配器進一步包含圍繞界定一空腔之該結構的至少一部分之一導電塗層。
- 如請求項5之裝置，其中該導電塗層具有小於約1E-06 Ohm-m之一電阻率。
- 如請求項5之裝置，其中該導電塗層經限於界定包括該孔口之該結構的一區域。
- 如請求項5之裝置，其中該電可致動元件定位於不具有一導電塗層之該空腔的一第一軸向部分周圍。
- 如請求項5之裝置，其中經由一低阻抗路徑將該導電塗層連接至接地。
- 如請求項5之裝置，其進一步包含在該導電塗層頂部上之一絕緣塗層。
- 如請求項1之裝置，其中經由直接終止於該電可致動元件之一RF同軸電纜將該驅動信號產生器電耦接至該電可致動元件。
- 一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含：一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔 及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之最高頻率分量經限於約3.5MHz至約7MHz之範圍內的一值。
- 一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含：一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之一最小上升/下降時間在約50ns至約100ns之範圍內。
- 一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含：一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號 在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之一最大電壓經界定以限制穿過該孔口中之靶材之一電流。
- 一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含：一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號包括一實質上恆定DC偏壓。
- 如請求項15之裝置，其中該偏壓為負。
- 如請求項15之裝置，其中該偏壓為正。
- 如請求項15之裝置，其中該偏壓在該驅動波形包含正極性脈衝之情況下為負，且在該驅動波形包含負極性脈衝之情況下為正。
- 一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含：一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔 及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之最高頻率分量經限於約3.5MHz至約7MHz之範圍內的一值；及電連接件，其與該電可致動元件經配置以控制流經該孔口處之該靶材之一電流量。
- 一種用於產生EUV輻射之裝置，其包含：一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；及一驅動信號產生器，其電耦接至該電可致動元件以供應該驅動信號，電連接件，其與該電可致動元件經配置且該驅動信號之一參數經選擇以控制流經該孔口處之該靶材之一電流量。
- 一種在用於產生EUV輻射之一裝置中施配靶材之方法，該方法包含以下步驟： 提供一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；提供一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；且將一驅動信號供應至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號包括一實質上恆定DC偏壓。
- 一種在用於產生EUV輻射之一裝置中施配靶材之方法，該方法包含以下步驟：提供一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構；提供一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；且將一驅動信號供應至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之一最小上升/下降時間在約50ns至約100ns之範圍內。
- 一種在用於產生EUV輻射之一裝置中施配靶材之方法，該方法包含以下步驟：提供一靶材施配器，該靶材施配器包含界定經配置以接收靶材之一空腔及經配置以自該空腔接收靶材且輸送靶材之一小滴串流之一孔口的一結構； 提供一電可致動元件，其機械耦接至該空腔且經配置以基於一驅動信號在該小滴串流中誘發速度擾動；且將一驅動信號供應至該電可致動元件以供應該驅動信號，其中該驅動信號之一最大電壓經界定以限制穿過該孔口中之靶材之一電流。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200944061A (en) * | 2008-03-17 | 2009-10-16 | Cymer Inc | Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source |
| US20140102875A1 (en) * | 2012-10-16 | 2014-04-17 | Silvia De Dea | Target material supply apparatus for an extreme ultraviolet light source |
| US20150230325A1 (en) * | 2014-02-10 | 2015-08-13 | Cymer, Llc | Methods and apparatus for laser produced plasma euv light source |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7372056B2 (en) | 2005-06-29 | 2008-05-13 | Cymer, Inc. | LPP EUV plasma source material target delivery system |
| US7897947B2 (en) | 2007-07-13 | 2011-03-01 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave |
| US7405416B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
| US6912267B2 (en) | 2002-11-06 | 2005-06-28 | University Of Central Florida Research Foundation | Erosion reduction for EUV laser produced plasma target sources |
| US8829477B2 (en) * | 2010-03-10 | 2014-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning |
| US8513629B2 (en) * | 2011-05-13 | 2013-08-20 | Cymer, Llc | Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning |
| US8263953B2 (en) * | 2010-04-09 | 2012-09-11 | Cymer, Inc. | Systems and methods for target material delivery protection in a laser produced plasma EUV light source |
| JP5881345B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2016-03-09 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| WO2014120985A1 (en) * | 2013-01-30 | 2014-08-07 | Kla-Tencor Corporation | Euv light source using cryogenic droplet targets in mask inspection |
| US10880979B2 (en) * | 2015-11-10 | 2020-12-29 | Kla Corporation | Droplet generation for a laser produced plasma light source |
| NL2018004A (en) | 2015-12-17 | 2017-06-26 | Asml Netherlands Bv | Droplet generator for lithographic apparatus, euv source and lithographic apparatus |
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-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200944061A (en) * | 2008-03-17 | 2009-10-16 | Cymer Inc | Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source |
| US20140102875A1 (en) * | 2012-10-16 | 2014-04-17 | Silvia De Dea | Target material supply apparatus for an extreme ultraviolet light source |
| US20150230325A1 (en) * | 2014-02-10 | 2015-08-13 | Cymer, Llc | Methods and apparatus for laser produced plasma euv light source |
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