JP2018185548A - ターゲット材料の供給および回収のための方法ならびに装置 - Google Patents

Abstract

【課題】過剰な時間のロスを必要とせず液滴ジェネレータにターゲット材料を供給しかつ未使用のターゲット材料を除去する。【解決手段】液滴ジェネレータのノズル部分の温度が維持されている間にターゲット材料が補充され得るターゲット材料リザーバを有する液滴ジェネレータを備え得るＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システムが開示される。選択的に使用済みターゲット材料を排出するためのシステムも開示される。【選択図】図３

Description

[0001] 本開示は、ＥＵＶシステムにおけるターゲット材料の供給および回収に関連する。

[0002] 例えば約５０ｎｍまたはそれ以下の波長を有する電磁放射（軟Ｘ線と称されることもある）であり、また約１３．５ｎｍの波長の光を含む極端紫外線は、シリコンウェハなどの基板において極めて小さいフィーチャを作成するためのフォトリソグラフィプロセスにおいて使用され得る。この記述および本明細書の他の記述において光という用語は、この用語を用いて記述された放射がスペクトルの可視部内に無い可能性があると理解されている場合においても使用される。

[0003] ＥＵＶ光を生成する方法は、ターゲット材料を液体状態からプラズマ状態に遷移させることを含む。ターゲット材料は、ＥＵＶ領域内に一つ以上の輝線を有する少なくとも1つの要素（例えば、キセノン、リチウムまたはスズ）を含むことが好ましい。そのような方法のうちの1つであって、多くの場合レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれる方式では、必要とされるプラズマは、必要とされる輝線発光要素を有するターゲット材料を、レーザビームを用いて照射することによって作られ得る。

[0004] ターゲット材料は、いかなる形状にあってもよい。ターゲット材料は、固形または溶融したものであってよい。溶融されている場合は、連続流または離散液滴の流れなどの複数の異なる方法で吐出され得る。例えば、下記の記述の大部分におけるターゲット材料は流れまたは離散液滴として吐出される溶融スズである。しかしながら、当業者には、その他の材料の形態および送出モードが使用可能であることが理解される。

[0005] そのため、一つのＬＰＰ技術は、ターゲット材料液滴流を生成しかつレーザ光パルスで少なくともいくつかの液滴を照射することを含む。より理論的な観点においては、ＬＰＰ光源はキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ）などの少なくとも1つのＥＵＶ放出素子を有するターゲット材料にレーザエネルギーを蓄積することによりＥＵＶ放射を生成し、数１０ｅＶの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマを作り出す。

[0006] これらのイオンの脱励起および再結合中に生成されたエネルギー放射は、プラズマからあらゆる方向に放出される。一つの一般的な配置においては、近法線入射ミラー（「コレクタミラー」または単に「コレクタ」と称されることが多い）は光を中間位置に集光、誘導（またいくつかの配置においては集束）するように位置決めされる。集光された光はその後、中間位置からスキャナ光学部のセットそして最終的にはウェハにリレーされる。

[0007] 液滴流は、液滴ジェネレータによって生成される。液滴を放出する、ノズルまたはノズルアセンブリと称されることもある液滴ジェネレータの一部は、真空チャンバ内に位置付けられる。離散液滴の流れとして吐出された溶融スズの例を考慮するに、液滴ジェネレータにターゲット材料を供給することおよび気化していないターゲット材料の回収は技術的に困難である。これは部分的には、液滴ジェネレータは、作動中はターゲット材料の融点よりも高い温度に維持されなければならないことに起因する。さらには、液滴ジェネレータの内側は、ノズルから溶融されたターゲット材料を排出するための圧力に維持されることにも起因する。

[0008] 一般的には、液滴ジェネレータを減圧かつ冷却し、液滴ジェネレータを開け、液滴ジェネレータ内に固形のターゲット材料を装填し、液滴ジェネレータを閉じ、液滴ジェネレータを再加圧かつ加熱することによって、液滴ジェネレータにターゲット材料を供給することが可能となる。この液滴ジェネレータにスズを供給する方法は、大幅な時間がかかるものであると共に労働集約的であるということが理解される。この方法は、液滴ジェネレータの動作を停止させることも含み、結果として著しい時間のロスに繋がるものである。このことは、液滴ジェネレータが高い頻度で再装填されなければならない設計のものである場合には、著しい障害となる。

[0009] また、液滴ジェネレータが停止されかつターゲット材料の融点よりも低い温度に冷却された場合には、液滴ジェネレータを再稼働するのは困難となり得る。このことは少なくとも部分的には、ノズルが極めて小さいオリフィスを有し得ることに起因する。ノズルの温度がターゲット材料の溶融温度よりも低くなることを可能にすることは、ノズル内のターゲット材料の固形化を引き起こし得る。このことは次に、汚染物質粒子の形成を引き起こすまたは可能にする。これらの粒子は、ターゲット材料を再溶融するようノズルが再加熱された場合に、ターゲット材料から沈殿して放出される可能性がある。またいくつかの粒子は、熱収縮と熱膨張および関連する機械的処理の影響あるいは液滴ジェネレータが空になった際の表面張力の影響によってノズルの上流の表面から移動し得る。粒子はノズルを詰まらせる可能性があり、それにより液滴ジェネレータの再稼働が困難あるいは不可能となる。同様に、液滴ジェネレータのターゲット材料が尽きた場合には、液滴ジェネレータのノズルを冷却することはノズル健全性にひどい悪影響を及ぼす可能性があり、また液滴ジェネレータの再稼働を困難または不可能にする可能性がある。

[0010] したがって、安全な取り扱いが可能となる温度に下がるまで液滴ジェネレータ全体を冷却し、ターゲット材料を補充することは、必ずしも液滴ジェネレータの再装填の実施可能な方法ではない。また、液滴ジェネレータを停止する必要があるたび、あるいはターゲット材料の補充が必要とされるたびに液滴ジェネレータを交換または補修する必要性があることは、ＥＵＶ光生成システムにとって著しい時間のロスにつながりまた液滴ジェネレータの使用寿命を制限する。

[0011] 同じような問題が、液滴としてチャンバに導入されたが気化されていないターゲット材料の回収において存在する。この問題は、例えば、液滴ジェネレータが継続的に稼働し、かつ光の生成は液滴を気化させるレーザを開始させることと停止させることによって制御されるシステムにおいて発生し得る。好ましくは真空チャンバ内の真空を破壊することなく、真空チャンバから未使用のターゲット材料を除去するための対策を取らねばならない。

[0012] そのため、過剰な時間のロスを必要とせず液滴ジェネレータにターゲット材料を供給しかつ未使用のターゲット材料を除去する必要がある。液滴ジェネレータが再装填作業の後に確実に再稼働することを可能にする方法で液滴ジェネレータに供給をする必要もある。また、再装填中、所定の位置に置かれたままである上に引き続き作動したままにあることが可能な液滴ジェネレータを設計することは有利なことである。気化されていないターゲット材料を素早く効率的に除去することができるようにする必要もある。

[0013] 以下の記述は、実施形態の基本的な理解を提供するための1つまたは複数の実施形態の単純化された概要を示す。この概要は、全ての想定される実施形態の広範囲にわたる概要ではなく、また全ての実施形態の重要なあるいは決定的な要素を特定することおよび、いずれかのまたはすべての実施形態の範囲を描写することを意図していない。この概要の唯一の目的は、後述のより詳細な記載の導入として一つまたは複数の実施形態のいくつかの概念を単純な形態で示すことである。

[0014] 一態様では、ＥＵＶ光源の照射領域にターゲット材料を送出するよう適合されたターゲット材料送出システムを備えるＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システムであって、
ターゲット材料送出システムは、ターゲット材料リザーバと、ターゲット材料リザーバと流体連通する第１部分を有する導管と、導管の第２部分と流体連通するノズルと、ノズルおよび第２部分を、ノズルおよび第２部分内のターゲット材料の溶融温度よりも低くない第１温度に維持することが可能なように配置されたヒータと、を備え、導管は、第１部分の温度が第１温度を実質的に下回る周囲温度である時、第２部分を第１温度に維持することが可能となるように温度差を維持することができるよう適合されている、ＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システムが提供される。導管はフリーズ弁を含み得る。また導管は、ステンレス鋼などの低い熱伝導性を有する材料から作成されてよい。導管は、導管を十分に長くすることによって、温度差を維持することができるように適合されてよい。導管は、第１部分と第２部分との間に断熱材から作成されたセクションを含んでよい。

[0015] 別の態様では、ＥＵＶ光源の照射領域にターゲット材料を送出するよう適合されたターゲット材料送出システムおよびターゲット材料送出システムにターゲット材料を供給するよう適合されたターゲット材料供給システムを備えるＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システムであって、ターゲット材料送出システムは、ターゲット材料リザーバと、ターゲット材料リザーバと流体連通するノズルと、ノズルを、ノズル内のターゲット材料を液状に保つのに十分な温度を上回る温度に維持することが可能なように配置されたヒータと、を備えるＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システムが提供される。ターゲット材料供給システムは、ターゲット材料を保有するための貯蔵庫を備える。ターゲット材料取扱システムは、ターゲット材料リザーバと貯蔵庫との間に置かれ、かつ貯蔵庫からターゲット材料リザーバにターゲット材料を移送するための経路を選択的に確立するよう適合されたターゲット材料移送システムをさらに備える。

[0016] ターゲット材料移送システムは、貯蔵庫からターゲット材料リザーバにターゲット材料を移送するための経路を選択的に確立しかつ液滴ジェネレータプラズマ源材料リザーバから貯蔵庫を選択的に隔離するための弁を備えてよい。貯蔵庫は、一定量の固体形態のターゲット材料を受容するように適合され、ターゲット材料取扱システムは、貯蔵庫内の固形ターゲット材料が液体ターゲット材料となるようにするためのヒータを含み得る。

[0017] ターゲット材料移送システムは、貯蔵庫とターゲット材料リザーバとの間に熱駆動弁をさらに含み得る。ターゲット材料移送システムは、ターゲット材料送出システムが貯蔵庫から独立して移動されることを可能にするために貯蔵庫とターゲット材料リザーバとの間に可撓性のある線をさらに含み得る。

[0018] 別の態様では、ＥＵＶ光源の照射領域にターゲット材料を送出するよう適合されたターゲット材料送出システムおよびターゲット材料送出システムにターゲット材料を供給するよう適合されたターゲット材料供給システムを備えるＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システムが提供される。ターゲット材料送出システムは、ターゲット材料リザーバと、ターゲット材料リザーバと流体連通するノズルと、ノズルを、ノズル内のターゲット材料を液状に保つのに十分な温度を上回る温度に維持することが可能なように配置されたヒータと、を備える。ターゲット材料供給システムは、ターゲット材料を保有するための第１貯蔵庫および第２貯蔵庫を備える。ターゲット材料取扱システムは、ターゲット材料リザーバと第１貯蔵庫および前記第２貯蔵庫との間に置かれ、第１貯蔵庫および第２貯蔵庫からターゲット材料リザーバにターゲット材料を移送するための経路を選択的に確立するよう適合されたターゲット材料移送システムをさらに備える。

[0019] ターゲット材料移送システムは、第１貯蔵庫からターゲット材料リザーバにターゲット材料を移送するための経路を選択的に確立しかつターゲット材料リザーバから第１貯蔵庫を選択的に隔離するための弁を備えることができる。第１貯蔵庫は、一定量の固体形態のターゲット材料を受容するように適合され、ターゲット材料取扱システムは、第１貯蔵庫内の固形ターゲット材料が液体ターゲット材料となるようにするためのヒータを含み得る。第１貯蔵庫は、一定量の固体形態のターゲット材料を受容するように適合されることができ、ターゲット材料取扱システムは、第１貯蔵庫内の固形ターゲット材料が液体ターゲット材料となるようにするためのヒータを含み得る。第２貯蔵庫は、一定量の固体形態のターゲット材料を受容するように適合されてよく、ターゲット材料取扱システムは第２貯蔵庫内の固形ターゲット材料が液体ターゲット材料となるようにするためのヒータを含み得る。

[0020] 第１貯蔵庫および第２貯蔵庫は、一定量の固体形態のターゲット材料を受容するようそれぞれ適合されてよく、ターゲット材料取扱システムは、第１貯蔵庫内の固形ターゲット材料が液体ターゲット材料なるようにするための第１ヒータおよび第２貯蔵庫内の固形ターゲット材料が液体ターゲット材料となるようにするための第２ヒータを含み得る。

[0021] ターゲット材料取扱システムは、第１貯蔵庫がターゲット材料リザーバと流体連通し、第２貯蔵庫がターゲット材料リザーバと流体連通しない第１の状態と、第１貯蔵庫が前記ターゲット材料リザーバと流体連通せず、第２貯蔵庫がターゲット材料リザーバと流体連通する第２の状態と、を有するように適合されてよい。

[0022] ターゲット材料移送システムは、第１貯蔵庫と前記ターゲット材料リザーバとの間に熱駆動弁をさらに含んでよく、また第２貯蔵庫と液滴ジェネレータプラズマ源材料リザーバとの間に熱駆動弁をさらに含んでよい。ターゲット材料移送システムは、ターゲット材料送出システムが第１貯蔵庫から独立して移動されることを可能にするために第１貯蔵庫とターゲット材料リザーバとの間に可撓性のある線をさらに含み得る。ターゲット材料移送システムは、ターゲット材料送出システムが第２貯蔵庫から独立して移動されることを可能にするために第２貯蔵庫とターゲット材料リザーバとの間に可撓性のある線をさらに含み得る。

[0023] 別の態様では、ＥＵＶ光源の照射領域にターゲット材料を送出するよう適合されたターゲット材料送出システムおよびターゲット材料送出システムにターゲット材料を供給するよう適合されたターゲット材料供給システムを備えるＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システムであって、ターゲット材料送出システムは、ターゲット材料リザーバと、ターゲット材料リザーバと流体連通するノズルと、ノズルをノズル内のターゲット材料を液状に保つのに十分な温度を上回る温度に維持することが可能なように配置されたヒータと、を備える、ＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システムが提供される。ターゲット材料供給システムは、ターゲット材料をペレットの形態で保有するための貯蔵庫を備え、ターゲット材料取扱システムは、ターゲット材料リザーバと貯蔵庫との間に置かれ、かつ貯蔵庫からターゲット材料リザーバにペレットを移送するための経路を選択的に確立するよう適合されたターゲット材料移送システムをさらに備える。

[0024] ターゲット材料移送システムは、貯蔵庫からターゲット材料リザーバにターゲット材料を移送するための経路を選択的に確立しかつ液滴ジェネレータプラズマ源材料リザーバから貯蔵庫を選択的に隔離するための弁を備え得る。貯蔵庫は、経路にペレットを1つずつ搬出するための搬出機構を含み得る。搬出機構は、複数の開口部を画定する構造を有する要素を備えることができ、開口部のそれぞれは前記ペレットのうち1つを受容するよう寸法決めされる。搬出機構は、開口部の1つが貯蔵庫からペレットを受容する第１位置およびペレットが経路内に放出される第２位置から開口部のそれぞれを順次移動させるように要素に機械的に結合された機構をさらに備える。

[0025] 別の態様では、ＥＵＶ光源の真空チャンバの照射領域にターゲット材料を送出するよう適合されたターゲット材料送出システムと、真空チャンバの壁内にあり照射されることなく照射領域を通過した使用済みターゲット材料を受容するように配置されたターゲット材料回収システムであって、真空チャンバの内側に流体連通しかつ使用済みターゲット材料を受容するように配置される第１ポートと、真空チャンバの外側および使用済みターゲット材料を保持するための第１ポートと第２ポートとの間のキャビティと流体連通する第２ポートと、を備えるターゲット材料回収システムと、を備える、ＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システムが提供される。このシステムは、キャビティがキャビティ内の固形使用済み材料が第２ポートから第１ポートを封止する第１温度状態およびキャビティ内の液体使用済みターゲット材料が第１ポートからキャビティを通って第２ポートを流れ出る第２温度状態を有するようにさせるための、キャビティ用の温度調節器をさらに含む。

[0026] 本発明の一態様によるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源システムに関する包括的で幅広い構想のノンスケールの概略図である。 [0027] 液滴ディスペンサの平面図である。 [0028] 本発明の別の態様による液滴ディスペンサの平面図である。 [0029] 図３に示されるような液滴ジェネレータの装填の工程を示すフローチャートである。 [0030] 本発明の別の態様による液滴ディスペンサの平面図である。 [0031] 本発明の別の態様による液滴ディスペンサの平面図である。 [0032] 図６に示されるような液滴ジェネレータの装填の工程を示すフローチャートである。 [0033] 本発明の別の態様による液滴ディスペンサの平面図である。 [0033] 本発明の別の態様による液滴ディスペンサの平面図である。 [0034] 図８Ａおよび図８Ｂに示されるような液滴ジェネレータの装填の工程を示すフローチャートである。 [0035] 図１に示されるようなシステムにおける設置されているが気化されていないターゲット材料を除去するためのシステムの部分切り取り平面図である。 [0035] 図１に示されるようなシステムにおける設置されているが気化されていないターゲット材料を除去するためのシステムの部分切り取り平面図である。 [0035] 図１に示されるようなシステムにおける設置されているが気化されていないターゲット材料を除去するためのシステムの部分切り取り平面図である。

[0036] 図面を参照して種々の実施形態の説明がされるが、本明細書を通して類似の参照番号は類似の要素を指すために使用される。後述の記載では、1つまたは複数の実施形態の徹底的な理解の促進のために説明のための複数の詳細な記述が記載されている。しかしながら、いくつかのまたは全ての事例においては、後述の実施形態のいずれもが後述の特定の設計詳細を採用しなくとも実施可能であるということは明らかである。他の事例では、一つまたは複数の実施形態の記述を容易にするため、周知の構造および装置はブロック図の形態で示されている。以下の記述は、実施形態の基本的な理解を提供するための1つまたは複数の実施形態の単純化された概要を示す。この概要は、全ての想定される実施形態の広範囲にわたる概要ではなく、また全ての実施形態の重要なあるいは決定的な要素を特定することおよび、いずれかのまたはすべての実施形態の範囲を描写することを意図していない。この概要の唯一の目的は、後述のより詳細な記載の導入として一つまたは複数の実施形態のいくつかの概念を単純な形態で示すことである。

[0037] 第１に図１を参照するに、本発明の一実施形態の一態様による例示的なＥＵＶ光源、例えばレーザ生成プラズマＥＵＶ光源２０の概略図が示されている。図示されるように、ＥＵＶ光源２０はパルスまたは連続レーザ源２２を含んでよく、レーザ源２２は例えば、１０．６μｍで放射を生成するパルスガス放電ＣＯ_２レーザ源であってよい。パルスガス放電ＣＯ_２レーザ源は、高出力および高パルス繰返し数で作動するＤＣ励起またはＲＣ励起を有し得る。

[0038] ＥＵＶ光源２０は、液体液滴または連続する液滴流の形態でターゲット材料を送出するターゲット送出システム２４も含む。ターゲット材料は、他の材料も使用可能ではあるが、スズまたはスズ化合物からなるものであってよい。ターゲット送出システム２４は、ターゲット材料をチャンバ２６の内側であってプラズマを生成するためにターゲット材料が照射され得る照射領域２８に導入にする。場合によっては、ターゲット材料が照射領域２６に向かうように、あるいは照射領域２８から離れるように操縦されることを可能にするためにターゲット材料上に電荷を帯びさせる。本明細書において使用される照射領域は、ターゲット材料照射が起こりうる領域であり、実際には照射が起こっていない時であっても照射領域であることを留意されたい。

[0039] 引き続き図１を参照するに、光源２０は、コレクタ３０などの1つまたは複数の光学要素をも含み得る。コレクタ３０は、例えば、熱誘導された層間拡散を効果的に防ぐために各境界面に堆積される追加の薄いバリア層を有するＭｏ／Ｓｉ多層でコートされたＳｉＣ基板である多層ミラーもしくは「ＭＬＭ」として実装された、法線入射リフレクタであってよい。ＡｌまたはＳｉなどのその他の基板材料も使用されてよい。コレクタ３０は、レーザ光が通過し照射領域２８に到達することを可能にする開口部を有する、長楕円形の形態であってよい。コレクタ３０は、例えば、照射領域２８に第１焦点を有し、いわゆる中間点４０（中間焦点とも称される）において第２焦点を有する楕円形であってよく、ＥＵＶ光は中間点４０において、ＥＵＶ光源２０から出力され例えば公知の方法でシリコンウェハワークピース５２を加工するために光を使用する集積回路リソグラフィツール５０などに入力される。シリコンウェハワークピース５２は次に、集積回路装置を取得するために公知の方法でさらに加工される。

[0040] ＥＵＶ光源２０は、レーザ発射制御システム６５ならびに例えばレーザビーム位置決めシステム（図示されず）をも含み得るＥＵＶ光源コントローラシステム６０をも含み得る。ＥＵＶ光源２０は、ターゲット位置検出システムを含むことができ、ターゲット位置検出システムは、例えば照射領域２８に関連する、ターゲット液滴の絶対または相対位置を示す出力を生成する1つまたは複数の液滴撮像装置７０を含むことができ、この出力をターゲット位置検出フィードバックシステム６２に提供することができる。ターゲット位置検出フィードバックシステム６２はこの出力を使用してターゲット位置および軌跡を算出することができ、算出されたターゲット位置および軌跡からターゲットエラーの算出が可能である。ターゲットエラーは、液滴ごとに、または平均、またはその他の基準を基に算出することができる。ターゲットエラーはその後光源コントローラ６０への入力として提供され得る。それに対して、光源コントローラ６０は、レーザ位置、方向およびタイミング補正信号などの制御信号を生成しかつこの制御信号をレーザビーム位置決めコントローラ（図示されず）に提供することができる。レーザビーム位置決めシステムは、例えば、チャンバ内のレーザビーム焦点の位置および／または集束力を変えるよう、レーザタイミング回路の制御ならびに／またはレーザビーム位置および成形システム（図示されず）を制御するために制御信号を使用することができる。

[0041] 図１に示されるように光源２０は、ターゲット送出制御システム９０を含み得る。ターゲット送出制御システム９０は、照射領域２８内のターゲット液滴の位置のエラーを補正するために、例えば、上記ターゲットエラーまたはシステムコントローラ６０によって提供されるターゲットエラーから導出されたある量などの信号に応答して作動することができる。ターゲット液滴の位置のエラーの補正は、例えば、ターゲット送出機構９２がターゲット液滴を放出するポイントの位置付けを再度行うことによって達成し得る。ターゲット送出機構９２は、チャンバ２６内に延び、また加圧下でターゲット送出機構９２にターゲット材料を配置するためにターゲット材料とガス源が外部から供給されるものである。

[0042] 図２は、チャンバ２６にターゲット材料を送出するためのターゲット送出機構９２をより詳細に示す。図２に示される一般化された実施形態について、ターゲット送出機構９２はスズなどの溶融されたターゲット材料を保有するリザーバ９４を備え得る。加熱要素（図示されず）は、ターゲット送出機構９２またはその選択されたセクションをターゲット材料の溶融温度よりも上の温度に制御可能に維持する。溶融されたターゲット材料は、供給線９８を通して導入されたアルゴンなどの不活性ガスを使用することにより、圧力下に置かれることができる。圧力は好ましくは、ターゲット材料がフィルタ９８のセットを通過することを強制する。材料は、フィルタ９８から弁１００を通ってノズル１０２まで達し得る。例えば、弁１００は熱動弁であってよい。弁１００を確立するためにペルチェ素子が採用されてよく、弁１００を閉じるためにフィルタ９８とノズル１０２との間のターゲット材料が冷却され、弁１００を開けるために固形化したターゲット材料が加熱される。また図２は、ターゲット送出システム９２は可動部材１０４に結合しており、それにより可動部材１０４の動きがノズル１０２から液滴が放出されるポイントでの位置を変えることを示している。参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、Ｃｙｍｅｒ Ｉｎｃ．に譲渡された同時係属米国特許出願第１３／３２８，６２８号に記載されるように、可動部材１０４の動きは液滴放出点位置決めシステムによって制御される。

[0043] ターゲット送出機構９２には、1つまたは複数の変調または非変調ターゲット材料ディスペンサが使用可能である。例えば、変調ディスペンサは、オリフィスが形成される毛細管を有するものが使用され得る。ノズル１０２は、1つまたは複数の電気駆動可能な要素、例えばピエゾ電気材料から作成されたアクチュエータを含むことができ、それは毛細管を変形させるよう選択的に膨張または収縮しノズル１０２からの原料物質の放出を調節することができる。変調液滴ディスペンサの例は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる「ＭＥＴＨＯＤ ＡＮＤ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＦＯＲ ＥＵＶ ＰＬＡＳＭＡ ＳＯＵＲＣＥ ＴＡＲＧＥＴ ＤＥＬＩＶＥＲＹ」と題された２００５年２月２５日に出願された米国特許出願番号第１１／０６７，１２４号からの米国特許番号第７，８３８，８５４号、「ＬＰＰ ＥＵＶ ＰＬＡＳＭＡ ＳＯＵＲＣＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＴＡＲＧＥＴ ＤＥＬＩＶＥＲＹ ＳＹＳＴＥＭ」と題された２００８年３月１２日に出願された米国特許出願番号第１２／０７５，６３１号からの米国特許番号第７，５８９，３３７号、「ＳＯＵＲＣＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＤＩＳＰＥＮＳＥＲ ＦＯＲ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ」と題された２００６年２月２１日に出願された米国特許出願番号第１１／３５８，９８３号に見ることができる。非変調液滴ディスペンサの一例は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる「ＬＡＳＥＲ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＰＬＡＳＭＡ ＥＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ ＷＩＴＨ ＰＲＥ−ＰＵＬＳＥ」と題された２００６年２月２１日に出願された同時係属米国特許出願番号第１１／３５８，９８８に見ることができる。

[0044] 本発明の一態様によると、図３に示されるように、液滴ジェネレータ内にターゲット材料を再装填する方法は、少なくともノズルアセンブリ１０２を含むセクションである液滴ジェネレータの第２セクションをターゲット材料の融点より上の温度に維持しながら、少なくとも、リザーバ９４を少なくとも含むセクションである液滴ジェネレータの第１セクションのみを冷却することを含む。そのためノズルアセンブリ１０２は、粒子が形成または射出されない状況に維持される。これにより、液滴ジェネレータが順調に再開できる可能性が増加する。

[0045] 同時に、リザーバ９４の温度は、オフにしなければリザーバ９４の温度をターゲット材料の融点より高く維持するヒータをオフにすることによって低下させられるあるいは低下することが可能となる。代替的には、リザーバ９４の強制的な冷却を用いることもできる。これは、リザーバ９４内のターゲット材料が液体から固体へと遷移しかつリザーバの安全な取り扱い（すなわち、リザーバを開けて固形ターゲット材料の新たな部分を装填すること）が可能となる温度にリザーバ９４を冷却することができることを意味する。

[0046] 再装填に続いて、液滴ジェネレータリザーバ９４はターゲット材料の融点より高い温度まで加熱されることができ、液滴ジェネレータ９４は同一のノズルアセンブリを使用して短い時間で再稼働することができる。ターゲット材料リザーバ９４およびノズルアセンブリ９２はそれぞれ各自の互いに独立して制御可能なヒータのセットを有し得る。

[0047] 図３に示されるようなシステムを実行するにあたり、リザーバ９４の温度をターゲット材料の融点より実質的に低い温度（すなわちスズの場合は約２０から約２３０℃までの範囲）に低減し、それと同時にノズルアセンブリ１０２の温度をそのような値よりも高く（すなわち約２４０から約２７０℃までの範囲を）維持することを可能にするために、液滴ジェネレータ９２がノズルアセンブリ１０２とリザーバ９４との間に著しく低い熱伝導性を有することを確実にするための施策をとることが好ましい。これは、液滴ジェネレータ９２のこれらの二つの要素を接続する低い熱伝導性を有する材料を選択することにより達成可能である。ステンレス鋼はそのような材料の一例である。これは、リザーバ９４とノズルアセンブリ１０２とを接続する液滴ジェネレータのセクションの断面を減少させ長さを増加させることによっても達成可能である。図３に示されるように、接続セクションの増加された長さは、接続ブロック１０６を含み得る。接続ブロック１０６は、図示されるようにフィルタ９８および弁１００の上流またはノズル１０２の上流のいずれか他の位置に置かれてよい。

[0048] 本発明の別の態様によると、弁１００は取り除かれてよくリザーバ９４とノズルアセンブリ１０２とを接続するチューブ１０８の一部が、再装填の間リザーバ９４に導入され得る空気への露出からノズルアセンブリ１０２の内部に溶融状態で残留するターゲット材料を保護する弁としての機能を果たし得る。溶融状態のターゲット材料の空気への露出は、ターゲット材料の急速な酸化および危険なほど高い濃度で酸素がターゲット材料に取り込まれること（これは酸化物粒子の形成につながる）を招く可能性がある。チューブ１０８の一部を弁として使用することは、ＥＵＶチャンバ２６内の真空をも保護し、大気圧の影響下でターゲット材料がノズル１０２を通って流れることを防ぐ。

[0049] 確実な弁動作を達成するために、チューブ１０８は小さな内径を有することが好ましい。現在の好ましい実施形態では、直径は約０．５から２．０ミリメートルの範囲にある。また、チューブ１０８は、ターゲット材料による表面の濡れ性が適度に良好な材料から作成されるのが好ましい。例えば、ターゲット材料がスズの場合は、チューブ１０８はモリブデンから作成されてよい。

[0050] また、液滴ジェネレータ９２は、液滴ジェネレータ９２を構成するコンポーネントにおける温度勾配がコンポーネントの作成に使用される材料の引張り強さを安全に下回る応力につながるよう設計されるのが好ましい。

[0051] 次に図４を参照するに、図３に示されるような配置においてターゲット材料を装填するためのステップは以下のようにすることができる。液滴ジェネレータ９２が減圧された後は、ステップＳ１においてリザーバ９４の温度は、ノズルアセンブリ１０２内のターゲット材料を溶融された状態に保つようノズルアセンブリ１０２を十分に高い温度に維持しつつも安全な取り扱いが可能となる温度まで低減される。次にステップＳ２でリザーバ９４が開けられ、ステップ３で固形ターゲット材料がリザーバ９４内に置かれる。次にステップ４でリザーバ９４が閉じられ、ステップ５でスズの溶融温度よりも高い温度に加熱される。その後液滴ジェネレータ９２は再加圧される。

[0052] 上記システムの利点は、ノズルアセンブリ１０２を冷却した後に再加熱する必要性を無くす点にある。しかしながら、上記システムは液滴ジェネレータ９２を再装填するためには液滴ジェネレータ９２の動作を休止させる必要があるという欠点がある。液滴ジェネレータ９２へのターゲット材料の供給が補充されている間でも、液滴ジェネレータ９２が基本的に継続して作動することを可能とするシステムを有することが好ましい。そのような配置は、図５に示される。リザーバ９２は、弁１１４を有するパイプ１１２を用いて外部リザーバ１１０に結合されてよい。本明細書のこの記載および他の記載では、「外部」とは液滴ジェネレータ９２の外部にあることを意味する。バルブ１１４は、フリーズ弁であってよい。そのような配置は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、Ｃｙｍｅｒ Ｉｎｃ．に譲渡された米国特許出願第７，１２２，８１６に記載される。このようなシステムではオペレータは、弁１１４を閉じることにより外部リザーバ１１０を装填し、外部リザーバ１１０を減圧かつ冷却し、外部リザーバ１１０を開けて固形ターゲット材料を加え、外部リザーバ１１０を閉じ、そして外部リザーバ１１０内のターゲット材料が液状化するようにターゲット材料を加熱し得る。オペレータはその後、弁１１４を開けることにより外部リザーバ１１０を液滴ジェネレータリザーバ９４と流体連通させ、それによって溶融されたターゲット材料がリザーバ９４に流れ込むことを引き起こす。例えば、レベルディテクタによって液滴ジェネレータ９４内で低いレベルが検出された場合には外部リザーバ１１０の定期的な再充満が必要とされるが、液滴ジェネレータ９２が作動している間に実施することができるため時間の節約となる。

[0053] 図５で示される配置では、液滴ジェネレータ９２は可撓性のある加熱された線１１６によって外部リザーバ１１０に接続される。これにより、液滴ジェネレータ９２が外部リザーバ１１０から実質的に独立して移動することが可能になる。可動部材１０４を移動させているシステムは外部リザーバ１１０の質量を移動する必要がないため、液滴ジェネレータ９２の繰り返し可能かつ制御可能な位置決めが単純化される。外部リザーバは、液滴ジェネレータよりも大きいターゲット材料の容量を有し得る。またこれにより、可動部材に結合したシステムが扱わなければならないターゲット材料の質量が減少される。

[0054] 図６に示されるように、本発明の別の態様によると、第１外部リザーバ１１８および第２外部リザーバ１２０が提供される。外部リザーバ１１８は、第１弁１２４により共通線１２２に接続される。外部リザーバ１２０は、第２弁１２６により共通線１２２に接続される。共通線１２２は、加熱された可撓性のある線１１６によって液滴ジェネレータ９２に接続される。弁１２４、１２６は、基本的には、ターゲット材料を溶融するのに十分なほど熱いときは開いており、ターゲット材料を溶融するのには冷たすぎるときには閉じているフリーズ弁であることが好ましい。

[0055] 上記の理由により液滴ジェネレータ９２の質量を最小化するために、液滴ジェネレータリザーバ９４の容積は好ましくは外部リザーバ１１８、１２０の容積よりも少ない。

[0056] 次に図７を参照するに、図６に示されているような配置にターゲット材料を装填するためのステップは以下のようであってよい。まず、ステップＳ１０で少なくとも第１外部リザーバ１１８にターゲット材料が装填され閉じられる。次に、ステップＳ１２で第１外部リザーバ１１８内のターゲット材料が溶融される。次にステップＳ１４で第１外部リザーバ１１８が加圧される。次にステップＳ１６で第１弁１２４が開けられる。Ｓ１８およびＳ２０などのステップでは、第１外部リザーバ１１８が枯渇するまでターゲット材料の供給がなされる。本明細書のこの記載および他の記載では、この文脈において枯渇するということは、第１外部リザーバ１１８におけるターゲット材料の量が所定のしきい値より下に下がったということを意味することが理解される。

[0057] 直前に記載のステップが実行されている間は、第２外部リザーバ１２０はステップＳ２４、Ｓ２６およびＳ２８においてターゲット材料が装填され、加熱され、かつ加圧される。これらのステップは、第１外部リザーバ１１８におけるターゲット材料が枯渇する前のどの時点においても実行可能であることが理解される。これが発生すると、次にステップＳ２２で第１弁が閉じられ、ステップＳ３０で第２外部リザーバ１２０を液滴ジェネレータリザーバ９４に接続するために第２弁が開けられる。直前に記載のステップが実施されている間、ステップＳ１０、１２および１４において第１外部リザーバ１１８にターゲット材料が装填され、加熱され、かつ加圧される。これらのステップは、第２外部リザーバ１２０におけるターゲット材料が枯渇する前のどの時点においても実行可能であることが理解される。これが発生すると、次にステップＳ２２で第１弁が閉じられ、ステップＳ３０で第２外部リザーバ１２０を液滴ジェネレータリザーバ９４に接続するために第２弁が開けられる。その後、第２外部リザーバ１２０の液滴ジェネレータリザーバ９４への溶融されたターゲット材料の供給開始の準備が整うようにステップがタイミング制御および順序付けられて、第２外部リザーバ１２０は上記のように再充満され、この順序付けは無期限に継続される。このように液滴ジェネレータ９２は、ほぼ無尽蔵の量のターゲット材料が供給されることができ、また液滴ジェネレータ９２を再充満するための中断時間を要することなく継続して作動することができる。

[0058] 一例として、上記の継続的な再充満方法においては、液滴ジェネレータ内には、好ましくは第１および第２外部リザーバ１１８、１２０よりも小さい容積を有するリザーバ９４がある。例えば、液滴ジェネレータリザーバ９４の容積は約５０立方センチメートルから約１５０立方センチメートルの範囲内にあり得る。より大きい第１および第２外部リザーバ１１８、１２０の容積はそれぞれ、例えば、約２００立方センチメートルから約４００立方センチメートルの範囲内にあり得る。

[0059] この配置では、液滴ジェネレータリザーバ９４にターゲット材料を現在供給している外部リザーバは、液滴ジェネレータリザーバ９４の継続的な充満を可能にするため液滴ジェネレータ９２における圧力よりもわずかに高い圧力に維持されている。第１外部リザーバ１１８が枯渇すると、弁１２４、１２６は、第２外部リザーバ１２０に切り替えるよう順序付けられている。同時に、第１外部リザーバ１１８は液滴ジェネレータ９２から分離され、冷却され、そして固形ターゲット材料を装填される。次に第１外部リザーバ１１８は加熱され液滴ジェネレータ９２にターゲット材料を供給する準備が整っているように保たれる。この方法においては、液滴ジェネレータ９２へのターゲット材料の供給は基本的には継続的であるため、くりかえし時間は問題にならない。またこの方法は、より高い圧力およびより早くより正確な操縦に使用する可能性のある低質量液滴ジェネレータ９２の使用を可能にする。

[0060] 図８Ａおよび図８Ｂに示されるように、本発明の別の態様によると、ターゲット材料を補充するためのシステムは、ターゲット材料のペレット１２４によって再充満されることが可能なホッパー１２２を含み得る。ホッパー１２２は、インライン隔離弁１２８を含む送出線１２６によって液滴ジェネレータリザーバ９４に接続され得る。ホッパー１２２は、隔離弁１２８が閉じている間に充満されてよい。次に、液滴ジェネレータ９２は以下の一連の動作を用いることにより再充満されることができる。

[0061] ホッパー１２２に接続された真空線１３０は開けられる。真空線１３０が開けられている間、ホッパー２００に接続された不活性ガス供給線１３２も開けられる。これは結果として、ホッパー１２２から不純物を流し出す浄化につながる。

[0062] 次に真空線１３０がオフにされ、不活性ガス供給線１３２内の圧力が液滴ジェネレータリザーバ９４内の圧力と一致するように増加する。次に隔離弁１２８が開けられ、ホッパー１２２内の圧力が液滴ジェネレータリザーバ９４内の圧力よりもわずかに高いレベルまで増加する。次に、ホッパー１２２内のペレット１２４は、ペレット１２４のうちの一つを送出線１２６に搬出するホッパー２００内の搬出機構１３４に送られる。

[0063] 図８Ａおよび図８Ｂに示される実施形態では、搬出機構１３４はディスク１３６として構成される。ディスク１３６は、ペレット１２４のうち1つを受容するよう寸法決めされた少なくとも二つの開口部１３８を備える。図８Ｂに示された例示的な実施形態では、ディスク１３６は８つの等間隔で隔たれた円周開口部１３８を備える。しかしながら、当業者であれば、その他の数および配置の開口部１３８も使用可能であることが容易に理解される。ディスク１３６は、各開口部１３８がペレット１２４を受容する第１位置からペレット１２４が送出線１２６に入る第２位置まで移動するよう回転される。ディスク１３６は、ディスク１３６に結合されたシャフト１４２を有するモータ１４０によって回転されることが好ましい。モータ１４０は、弁１２８の動作も制御可能なコントローラ１４４によって制御される。搬出機構１３４がペレット１２４を搬出する頻度は、コントローラ１４４が実行するターゲット材料消費アルゴリズムによって制御可能である。

[0064] 図９を参照するに、図８Ａおよび図８Ｂに示されるような配置にターゲット材料を装填させるためのステップは以下のようであってよい。まず、ステップＳ４０で弁１２８が閉じられる。次にステップＳ４２でホッパー２００にペレット１２４が装填される。次にホッパー２００は、ステップＳ４４で上述のごとく浄化される。次にホッパー２００は、ステップＳ４６で加圧される。次に、ステップＳ４８で弁１２８が開けられる。ステップＳ５０では、ホッパー２００内の圧力が送出線１２６内の圧力よりも高いレベルまで増加され、搬出機構はペレットを送出線に送出するよう作動する。

[0065] 好ましい実施形態では、ペレット１２４は実質的に球形である。開口部１３８は、ペレット１２４のうちの一つを受容するよう成形され寸法決めされる。

[0066] ホッパー２００は、頻繁な再充満の必要性をなくすのに十分な数のペレット１２４を受容するが、操縦が困難となるまで液滴ジェネレータ９２の質量が増加するほど大量のペレット１２４は受容しないように寸法決めされている。

[0067] 真空チャンバ２６で気化されていないターゲット材料の回収も技術的難関である。再び例として溶融スズを使用するに、スズの捕集には典型的にはキャッチャモジュールが使用される。キャッチャモジュールは最終的には溶融スズで充満される。キャッチャモジュールを取り外す必要がなくまたキャッチャモジュールの作動圧力を低く維持しつつキャッチャモジュールからターゲット材料を排出することを可能とすることが望ましい。そのため、真空を破壊することなくスズの抜き取りを可能にする弁を設けることが望ましい。溶融状態のスズは基本的には全ての金属に対して非常に反応性が高いため、真空チャンバ２６と大気との隔離を可能とするスズの腐食作用に耐え得る弁の開発が必要である。

[0068] 図１０を参照するに、本発明の別の態様によると、システムはチャンバ２６内の真空と大気との隔離を維持しながらターゲット材料の除去のため弁作用を実施するように構成されたキャッチャモジュール１４６を含む。キャッチャモジュール１４６は、入口ポート１５０が照射領域２８を通過したが気化されていないターゲット材料の液滴１５２を受容する位置で、チャンバ２６の底面１４８内に組み込まれる。入口ポート１５０は、キャッチャモジュール１４６内のキャビティ１５４中に延在する。

[0069] キャビティ１５４は、残留ターゲット材料が常に入口ポート１５０の底部と出口ポート１５６との間に存在するよう構成される、すなわち、ある一定の量のターゲット材料は入口ポート１５０の底部と出口ポート１５６を隔てるキャビティ１５４内に常に保持される。排水動作が完了するにつれて、キャッチャモジュール１４６は冷却要素１５８によって冷却される。ターゲット材料の相変化に付随する密度の変化は、キャビティ１５４内のターゲット材料の容積の減少につながり、入口ポート１５０の端部の周りのターゲット材料が収縮しその結果として入口ポート１５０と出口ポート１５６とを隔離する固い真空シールが生じる。キャビティ１５４内のターゲット材料が溶融し入口ポート１５０と出口ポート１５６との間に流体連通が再び確立されるように冷却要素１５８の動作を中断させることによって、新たな排水動作が開始する。所定の動作で抽出されたターゲット材料の量は、抽出動作がさほど頻繁に実施されなくてもよいほどの多さではあるが、入口ポート１５０の底部と出口ポート１５６との間には常にターゲット材料が存在するのに十分なほどの少なさであるのが望ましい。

[0070] 現在の好適な実施形態では、入口ポート１５０は円筒チューブとして構成されることが好ましい。キャビティ１５４は、円筒断面を有するのが好ましい。出口ポート１５６も円筒断面を有するのが好ましい。示される実施形態では、出口ポート１５６はキャビティ１５４と一体であるが、その他の配置も可能である。

[0071] 上記説明は複数の実施形態の例を含む。もちろん、上述の実施形態の説明を目的としてコンポーネントや方法に関する考え得るあらゆる組合せを記載することは不可能であるが、当業者であれば、様々な実施形態のさらに多くの組み合わせや並べ替えが可能であることを認識し得る。従って、記載された実施形態は、添付の請求項の意図および範囲内に該当する全てのそのような改変、修正および変更と包含することを意図している。さらに「含む（Ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」という用語が詳細な説明または特許請求の範囲で使用される限り、「備える（Ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」が請求項において転換語として使用されたとき解釈されるように、かかる用語は、「備える（Ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語と同様に包括的な意味をもつことを意図している。さらには、記述される態様および／または実施形態の要素は単数形として記載されているが、単数形に限定していることが明示されていない限りは、複数形も考慮される。付加的に、特に明記していない限りはいずれかの態様および／または実施形態の全てまたは一部は、その他のいずれかの態様および／または実施形態の全てまたは一部と共に使用され得る。

Claims (27)

1. ＥＵＶ光源の照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料送出システムを備えるＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システムであって、
   前記ターゲット材料送出システムは、
   ターゲット材料リザーバと、
   前記ターゲット材料リザーバと流体連通する第１部分を有する導管と、
   前記導管の第２部分と流体連通するノズルと、
   前記ノズルおよび前記第２部分を、前記ノズルおよび前記第２部分内の前記ターゲット材料の溶融温度よりも低くない第１温度に維持することが可能なヒータと、を備え、
   前記導管は、前記第１部分の温度が前記第１温度を実質的に下回る周囲温度である時、前記第２部分を前記第１温度に維持し得るように温度差を維持することができる、ＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システム。
2. 前記導管は、フリーズ弁を含む、請求項１に記載のシステム。
3. 前記導管は、低い熱伝導性を有する材料から作成されている、請求項１に記載のシステム。
4. 前記導管は、ステンレス鋼から作成されている、請求項１に記載のシステム。
5. 前記導管は、前記導管を十分に長くすることによって、温度差を維持することができる、請求項１に記載のシステム。
6. 前記導管は、前記第１部分と前記第２部分との間にセクションを含み、前記セクションは断熱材から作成されている、請求項１に記載のシステム。
7. ＥＵＶ光源の照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料送出システムと、前記ターゲット材料送出システムにターゲット材料を供給するターゲット材料供給システムと、を備えるＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システムであって、
   前記ターゲット材料送出システムは、
   ターゲット材料リザーバと、
   前記ターゲット材料リザーバと流体連通するノズルと、
   前記ノズルを、前記ノズル内のターゲット材料を液状に保つのに十分な温度を上回る温度に維持することが可能なヒータと、を備え、
   前記ターゲット材料供給システムは、ターゲット材料を保有する貯蔵庫を備え、
   前記ターゲット材料取扱システムは、前記ターゲット材料リザーバと前記貯蔵庫との間に配置されかつ前記貯蔵庫から前記ターゲット材料リザーバに前記ターゲット材料を移送するための経路を選択的に確立するターゲット材料移送システムをさらに備える、ＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システム。
8. 前記ターゲット材料移送システムは、前記貯蔵庫から前記ターゲット材料リザーバに前記ターゲット材料を移送するための経路を選択的に確立しかつ前記液滴ジェネレータプラズマ源材料リザーバから前記貯蔵庫を選択的に隔離する弁を備える、請求項７に記載のシステム。
9. 前記貯蔵庫は、一定量の固体形態のターゲット材料を受容し、
   前記ターゲット材料取扱システムは、前記貯蔵庫内の固形ターゲット材料が液体ターゲット材料となるようにするヒータを含む、請求項７に記載のシステム。
10. 前記ターゲット材料移送システムは、前記貯蔵庫と前記ターゲット材料リザーバとの間に熱駆動弁をさらに含む、請求項７に記載のシステム。
11. 前記ターゲット材料移送システムは、前記ターゲット材料送出システムが前記貯蔵庫から独立して移動されることを可能にするために前記貯蔵庫と前記ターゲット材料リザーバとの間に可撓性のある線をさらに含む、請求項７に記載のシステム。
12. ＥＵＶ光源の照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料送出システムと、前記ターゲット材料送出システムにターゲット材料を供給するターゲット材料供給システムと、を備えるＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システムであって、
    前記ターゲット材料送出システムは、
    ターゲット材料リザーバと、
    前記ターゲット材料リザーバと流体連通するノズルと、
    前記ノズルを、前記ノズル内のターゲット材料を液状に保つのに十分な温度を上回る温度に維持することが可能なヒータと、を備え、
    前記ターゲット材料供給システムは、ターゲット材料を保有する第１貯蔵庫および第２貯蔵庫を備え、
    前記ターゲット材料取扱システムは、前記ターゲット材料リザーバと前記第１貯蔵庫および前記第２貯蔵庫との間に配置され前記第１貯蔵庫および前記第２貯蔵庫から前記ターゲット材料リザーバに前記ターゲット材料を移送するための経路を選択的に確立するターゲット材料移送システムをさらに備える、ＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システム。
13. 前記ターゲット材料移送システムは、前記第１貯蔵庫から前記ターゲット材料リザーバに前記ターゲット材料を移送するための経路を選択的に確立しかつ前記ターゲット材料リザーバから前記第１貯蔵庫を選択的に隔離する弁を備える、請求項１２に記載のシステム。
14. 前記第１貯蔵庫は、一定量の固体形態のターゲット材料を受容し、
    前記ターゲット材料取扱システムは、前記第１貯蔵庫内の固形ターゲット材料が液体ターゲット材料となるようにするヒータを含む、請求項１２に記載のシステム。
15. 前記第２貯蔵庫は、一定量の固体形態のターゲット材料を受容し、
    前記ターゲット材料取扱システムは、前記第２貯蔵庫内の固形ターゲット材料が液体ターゲット材料となるようにするヒータを含む、請求項１２に記載のシステム。
16. 前記第１貯蔵庫および前記第２貯蔵庫は、一定量の固体形態のターゲット材料をそれぞれ受容し、
    前記ターゲット材料取扱システムは、前記第１貯蔵庫内の固形ターゲット材料が液体ターゲット材料となるようにする第１ヒータと、前記第２貯蔵庫内の固形ターゲット材料が液体ターゲット材料となるようにする第２ヒータと、を含む、請求項１２に記載のシステム。
17. 前記ターゲット材料取扱システムは、前記第１貯蔵庫が前記ターゲット材料リザーバと流体連通し前記第２貯蔵庫が前記ターゲット材料リザーバと流体連通しない第１の状態と、前記第１貯蔵庫が前記ターゲット材料リザーバと流体連通せず前記第２貯蔵庫が前記ターゲット材料リザーバと流体連通する第２の状態と、を有する、請求項１６に記載のシステム。
18. 前記ターゲット材料移送システムは、前記第１貯蔵庫と前記ターゲット材料リザーバとの間に熱駆動弁をさらに含む、請求項１２に記載のシステム。
19. 前記ターゲット材料移送システムは、前記第２貯蔵庫と前記液滴ジェネレータプラズマ源材料リザーバとの間に熱駆動弁をさらに含む、請求項１２に記載のシステム。
20. 前記ターゲット材料移送システムは、前記ターゲット材料送出システムが前記第１貯蔵庫から独立して移動されることを可能にするために前記第１貯蔵庫と前記リザーバとの間に可撓性のある線をさらに含む、請求項１２に記載のシステム。
21. 前記ターゲット材料移送システムは、前記ターゲット材料送出システムが前記第２貯蔵庫から独立して移動されることを可能にするために前記第２貯蔵庫と前記リザーバとの間に可撓性のある線をさらに含む、請求項１２に記載のシステム。
22. ＥＵＶ光源の照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料送出システムと、前記ターゲット材料送出システムにターゲット材料を供給するターゲット材料供給システムと、を備えるＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システムであって、
    前記ターゲット材料送出システムは、
    ターゲット材料リザーバと、
    前記ターゲット材料リザーバと流体連通するノズルと、
    前記ノズルを、前記ノズル内のターゲット材料を液状に保つのに十分な温度を上回る温度に維持することが可能なヒータと、を備え、
    前記ターゲット材料供給システムは、ターゲット材料をペレットの形態で保有する貯蔵庫を備え、
    前記ターゲット材料取扱システムは、前記ターゲット材料リザーバと前記貯蔵庫との間に配置されかつ前記貯蔵庫から前記ターゲット材料リザーバに前記ペレットを移送するための経路を選択的に確立するターゲット材料移送システムをさらに備える、ＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システム。
23. 前記ターゲット材料移送システムは、前記貯蔵庫から前記ターゲット材料リザーバに前記ターゲットを移送するための経路を選択的に確立しかつ前記液滴ジェネレータプラズマ源材料リザーバから前記貯蔵庫を選択的に隔離する弁を備える、請求項２２に記載のシステム。
24. 前記貯蔵庫は、前記経路に前記ペレットを1つずつ搬出する搬出機構を含む、請求項２２に記載のシステム。
25. 前記搬出機構は、複数の開口部を画定する構造を有する要素を備え、
    前記開口部のそれぞれは前記ペレットのうち1つを受容するよう寸法決めされる、請求項２４に記載のシステム。
26. 前記搬出機構は、前記開口部の1つが前記貯蔵庫からペレットを受容する第１位置および前記ペレットが前記経路内に放出される第２位置から、前記開口部のそれぞれを順次移動させるように、前記要素に機械的に結合された機構をさらに備える、請求項２５に記載のシステム。
27. ＥＵＶ光源の真空チャンバの照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料送出システムと、
    前記真空チャンバの壁内にあり照射されることなく前記照射領域を通過した使用済みターゲット材料を受容するターゲット材料回収システムであって、
    前記真空チャンバの内側に流体連通しかつ前記使用済みターゲット材料を受容する第１ポートと、
    前記真空チャンバの外側と、使用済みターゲット材料を保持する前記第１ポートと第２ポートとの間のキャビティと、に流体連通する第２ポートと、
    前記キャビティが、前記キャビティ内の固形使用済み材料が前記第２ポートから前記第１ポートを封止する第１温度状態と、前記キャビティ内の液体使用済みターゲット材料が前記第１ポートから前記キャビティを通って前記第２ポートを流れ出る第２温度状態と、を有するようにさせる温度調節器と、を備える、ターゲット材料回収システムと、
    を備える、ＥＵＶ光源ターゲット材料取扱システム。