JPWO2017077614A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents
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Abstract
Description
1.EUV光生成システムの全体説明
1.1 構成
1.2 動作
2.用語の説明
3.課題
3.1 比較例の構成
3.2 比較例の動作
3.3 課題
4.第1実施形態
4.1 構成
4.2 動作
4.3 作用効果
5.第2実施形態
5.1 構成
5.2 動作
5.3 作用効果
6.第3実施形態
6.1 構成
6.2 動作
6.3 作用効果
7.第4実施形態
7.1 構成
7.2 作用効果
8.その他
[1.1 構成]
図1に、例示的なLPP方式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。
EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給器26を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給器26は、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給器26から供給されるターゲット27の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照すると、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
「ターゲット」は、チャンバ内に導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してEUV光を放射する。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されるターゲットの一形態である。
「プラズマ生成領域」は、チャンバ内の所定領域である。プラズマ生成領域は、チャンバ内に出力されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。
「ターゲット軌道」は、チャンバ内に出力されたターゲットが進行する経路である。ターゲット軌道は、プラズマ生成領域において、チャンバ内に導入されたレーザ光の光路と交差してもよい。
「光路軸」は、光の進行方向に沿って光のビーム断面の中心を通る軸である。
「光路」は、光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれてもよい。
図2及び図3を用いて、比較例のEUV光生成装置1について説明する。
比較例のEUV光生成装置1は、ターゲットセンサ4を含むEUV光生成装置1であってもよい。
図2は、比較例のEUV光生成装置1の構成を説明するための図を示す。
比較例のEUV光生成装置1は、チャンバ2と、ターゲット供給器26と、ターゲットセンサ4とを含んでもよい。
チャンバ2の内部には、レーザ光集光ミラー22と、EUV集光ミラー23とが設けられてもよい。
EUV集光ミラー23の反射面231は、第1焦点F1及び第2焦点F2を有する回転楕円面に形成されてもよい。
第1焦点F1は、プラズマ生成領域25に位置してもよい。第2焦点F2は、プラズマ生成領域25よりも反射面231から離れた位置にある中間集光点292に位置してもよい。
ターゲット供給器26の動作は、EUV光生成制御部5によって制御されてもよい。
ターゲット供給器26は、タンク261と、圧力調節器262と、ガスボンベ263と、2軸ステージ264とを含んでもよい。
圧力調節器262は、ガスボンベ263に充填された不活性ガスがタンク261内へ供給される際の圧力を調節することによって、タンク261内に収容されたターゲット27に加わる圧力を調節してもよい。それにより、圧力調節器262は、タンク261内からチャンバ2内へ出力されるターゲット27の速度を所望の速度に調節してもよい。
2軸ステージ264は、タンク261を、図4を用いて後述する座標系のX軸及びZ軸に略平行な方向に移動させることによって、チャンバ2内へ出力されたターゲット27のターゲット軌道Tを、プラズマ生成領域25を通る所望の軌道に調節してもよい。
具体的には、ターゲットセンサ4は、プラズマ生成領域25に供給されたターゲット27を撮像し、そのターゲット27の位置、速度又はターゲット軌道Tを計測するセンサであってもよい。
ターゲットセンサ4の動作は、EUV光生成制御部5によって制御されてもよい。
ターゲットセンサ4は、光源部41と、受光部42とを含んでもよい。
具体的には、光源部41は、プラズマ生成領域25に位置する第1焦点F1及びその近傍に照明光を出力してもよい。第1焦点F1の近傍は、第1焦点F1よりもターゲット供給器26側にあるターゲット軌道T上の領域であってもよい。
光源部41は、例えば、単波長の連続レーザ光を出力するCW(Continuous Wave)レーザ等を用いて構成されてもよい。或いは、光源部41は、複数の波長を有する連続光を出力するランプ等を用いて構成されてもよい。
光源部41は、チャンバ2の壁2aに接続されてもよい。
光源部41は、照明光の出射口が、プラズマ生成領域25に位置する第1焦点F1を向くように配置されてもよい。
ターゲット27からの反射光は、プラズマ生成領域25に供給されたターゲット27に向けて光源部41から出力された照明光のうち、当該ターゲット27によって反射された照明光であってもよい。
具体的には、受光部42は、プラズマ生成領域25に位置する第1焦点F1及びその近傍に位置するターゲット27からの反射光を受光してターゲット27の像を撮像してもよい。
受光部42は、例えば、CCD(Charge-Coupled Device)等のイメージセンサを用いて構成されてもよい。
受光部42は、チャンバ2の壁2aに接続されてもよい。
受光部42は、ターゲット27からの反射光の光路上に配置されてもよい。
受光部42は、ターゲット27からの反射光の入射口が、プラズマ生成領域25に位置する第1焦点F1を向くように配置されてもよい。
比較例のEUV光生成装置1の動作について説明する。
ターゲット供給器26は、タンク261内に収容されたターゲット27をチャンバ2内に出力してもよい。出力されたターゲット27は、プラズマ生成領域25に向かってターゲット軌道T上を進行し得る。
光源部41は、プラズマ生成領域25に位置する第1焦点F1及びその近傍に照明光を出力してもよい。
チャンバ2内に出力されたターゲット27が第1焦点F1を通過する場合、光源部41から出力された照明光は、ターゲット27を照射し得る。ターゲット27に照射された光は、ターゲット27の表面で反射され得る。ターゲット27からの反射光は、受光部42にて受光され得る。
受光部42は、ターゲット27からの反射光を撮像してもよい。受光部42は、ターゲット27の画像を取得してもよい。受光部42は、取得された画像からターゲット27の位置、速度又はターゲット軌道Tを計測してもよい。受光部42は、この計測結果を示す信号をEUV光生成制御部5に送信してもよい。
EUV光生成制御部5は、当該計測結果に基づいてターゲット供給器26を制御して、ターゲット27の位置、速度又はターゲット軌道Tを制御してもよい。
図3は、比較例のEUV光生成装置1の課題を説明するための図を示す。
ターゲットセンサ4の受光部42は、上述のように、ターゲット27からの反射光を受光して、ターゲット27の像を撮像してもよい。
しかしながら、受光部42は、光源部41及び受光部42の位置によっては、迷光を撮像することがあり得る。迷光は、受光部42にて受光された光のうち、ターゲット27の位置、速度又はターゲット軌道Tの計測に不必要な光であり得る。迷光は、ターゲット27からの反射光以外の光であり得る。
特に、光源部41から出力された照明光がターゲット27を照射せずに第1焦点F1を通過し、EUV集光ミラー23の反射面231に入射することがあり得る。すると、反射面231に入射した照明光は、反射面231で反射され、中間集光点292に位置する第2焦点F2に到達し得る。第2焦点F2に到達した照明光は、第2焦点F2の周囲にある壁291等によって散乱し得る。このとき、壁291等による散乱光の一部は、再び反射面231に入射し、再び反射面231で反射されることがあり得る。すると、反射面231で反射された散乱光は、第1焦点F1を通過して受光部42にて受光され、迷光として撮像されることがあり得る。
それにより、受光部42は、取得された画像からターゲット27の像を正確に認識し難くなり、ターゲット27の位置、速度又はターゲット軌道Tを正確に計測し難くなり得る。その結果、これらの計測結果に含まれる誤差が大きくなり得る。
したがって、受光部42に撮像される迷光を抑制することによって、ターゲット27を高精度で計測し得る技術が望まれている。
図4〜図6を用いて、第1実施形態のEUV光生成装置1について説明する。
第1実施形態のEUV光生成装置1は、比較例のEUV光生成装置1に対して、光源部41及び受光部42の位置が異なってもよい。
第1実施形態のEUV光生成装置1の構成において、比較例のEUV光生成装置1と同様の構成については説明を省略する。
図4に示された座標系では、プラズマ生成領域25の位置にある第1焦点F1を原点とする。
図4に示された座標系では、第1焦点F1及び第2焦点F2を通る軸をZ軸とする。Z軸方向は、第1焦点F1から第2焦点F2に向かう方向であり得る。Z軸方向は、チャンバ2から露光装置6へEUV光252が出力される方向であり得る。
図4に示された座標系では、ターゲット供給器26及びプラズマ生成領域25を通る軸をY軸とする。Y軸方向は、ターゲット供給器26がチャンバ2内にターゲット27を出力する方向の反対方向であり得る。Y軸は、ターゲット軌道Tと重なり得る。
図4に示された座標系では、Y軸及びZ軸に直交する軸をX軸とする。
線分KとZ軸とが成す鋭角の角度を、θmとする。θmは、例えば、45°以上90°未満であってもよい。θmは、例えば45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°、80°、85°の何れかであってもよい。θmは、例えば84°であってもよい。
線分Kの第1焦点F1側の延長線を、K1とする。延長線K1とZ軸とが成す鋭角の角度は、θmであり得る。
線分Kの外周縁231a側の延長線を、K2とする。延長線K2とZ軸とが成す鋭角の角度は、θmであり得る。
延長線K1を、Z軸の周りに2π[rad]回転させたときに形成される面を、第1限界面Sf1とする。第1限界面Sf1は、頂点を第1焦点F1とし、半頂角をθmとし、第2焦点F2側に開いた円錐の側面のような形状であり得る。
線分K及び延長線K2を、Z軸の周りに2π[rad]回転させたときに形成される面を、第2限界面Sf2とする。第2限界面Sf2は、頂点を第1焦点F1とし、半頂角をθmとし、反射面231側に開いた円錐の側面のような形状であり得る。
チャンバ2の内部空間において、少なくとも第1限界面Sf1よりも第2焦点F2側の領域を第1領域Re1とする。
チャンバ2の内部空間において、第1限界面Sf1と第2限界面Sf2との間の領域を第2領域Re2とする。
図5は、光源部41及び受光部42の位置と迷光との関係を条件1〜4に場合分けして検証した結果を示す。
条件1の場合、受光部42にて迷光が撮像され難いという検証結果が得られた。
条件2の場合、受光部42にて迷光が撮像され難いという検証結果が得られた。
条件3の場合、受光部42にて迷光が撮像され難いという検証結果が得られた。
条件4の場合、受光部42にて迷光が撮像され易いという検証結果が得られた。
言い換えると、光源部41及び受光部42は、照明光の光路及びターゲット27からの反射光の光路の少なくとも1つが、第1焦点F1を通ると共に、第1限界面Sf1と第2限界面Sf2との間にあるチャンバ2の内部空間に含まれるように配置されるとよい。
図4に示された極座標系では、プラズマ生成領域25の位置にある第1焦点F1を極としてもよい。
図4に示された極座標系では、極である第1焦点F1からの距離を動径とし、Z軸に対する動径の角度を偏角θ[rad]としてもよい。偏角θは、極である第1焦点F1を回転中心点として、動径をZ軸に対して回転させたときの回転角度であってもよい。
この場合、光源部41及び受光部42は、照明光の光路及びターゲット27からの反射光の光路の少なくとも1つが、第1焦点F1を通ると共に、第2領域Re2を示す数式2を満たす偏角θで記述されるチャンバ2の内部空間に含まれるように配置されてもよい。
図6は、第1実施形態のEUV光生成装置1を説明するための図を示す。
第1実施形態に係る光源部41及び受光部42は、図5の条件1に適合するように配置されてもよい。
第1実施形態に係る光源部41は、光源部41から出力される照明光の光路が、第1焦点F1を通ると共に第2領域Re2に含まれるように配置されてもよい。
より詳細には、第1実施形態に係る光源部41は、光源部41の照明光軸が、第1焦点F1を通ると共に第2領域Re2に含まれるように配置されてもよい。
照明光軸とは、光源部41から出力される照明光の光路軸であってもよい。
より詳細には、第1実施形態に係る受光部42は、受光部42の受光光軸が、第1焦点F1を通ると共に第1領域Re1に含まれるように配置されてもよい。
受光光軸とは、ターゲット27からの反射光のうち受光部42によって受光される光の光路軸であってもよい。
第1実施形態に係る光源部41は、第2領域Re2から第1焦点F1及びその近傍に向けて照明光を出力してもよい。
第1実施形態に係る受光部42は、第1領域Re1から第1焦点F1及びその近傍を撮像してもよい。照明光がターゲット27を照射するとき、受光部42は、ターゲット27からの反射光として、第1焦点F1及びその近傍から第1領域Re1に向かう反射光を受光してもよい。
チャンバ2の壁2a等を照射して拡散した光は、光量が低下しているため受光部42に到達し難く、迷光にはなり難い。仮に受光部42にて受光されたとしても、チャンバ2の壁2a等を照射して拡散した光は、ターゲット27の位置、速度又はターゲット軌道Tの計測に影響を与え難い。
第1実施形態に係る光源部41は、出力した照明光による迷光が発生し難いように配置され得る。
すなわち、第1実施形態のEUV光生成装置1は、迷光の発生自体を抑制することによって、受光部42に撮像される迷光を抑制し得る。
それにより、第1実施形態のEUV光生成装置1は、プラズマ生成領域25に供給されたターゲット27を高精度で計測し得る。
図7を用いて、第2実施形態のEUV光生成装置1について説明する。
第2実施形態のEUV光生成装置1は、第1実施形態のEUV光生成装置1に対して、光源部41及び受光部42の位置が異なってもよい。
第2実施形態に係る光源部41及び受光部42は、図5の条件2に適合するように配置されてもよい。
第2実施形態のEUV光生成装置1の構成において、第1実施形態のEUV光生成装置1と同様の構成については説明を省略する。
図7は、第2実施形態のEUV光生成装置1を説明するための図を示す。
第2実施形態に係る光源部41は、光源部41から出力される照明光の光路が、第1焦点F1を通ると共に第2領域Re2に含まれるように配置されてもよい。
より詳細には、第2実施形態に係る光源部41は、光源部41の照明光軸が、第1焦点F1を通ると共に第2領域Re2に含まれるように配置されてもよい。
第2実施形態に係る受光部42は、受光部42にて受光されるターゲット27からの反射光の光路が、第1焦点F1を通ると共に第2領域Re2に含まれるように配置されてもよい。
より詳細には、第2実施形態に係る受光部42は、受光部42の受光光軸が、第1焦点F1を通ると共に第2領域Re2に含まれるように配置されてもよい。
第2実施形態に係る光源部41は、第1実施形態と同様に、第2領域Re2から第1焦点F1及びその近傍に向けて照明光を出力してもよい。
第2実施形態に係る受光部42は、第2領域Re2から第1焦点F1及びその近傍を撮像してもよい。照明光がターゲット27を照射するとき、受光部42は、ターゲット27からの反射光として、第1焦点F1及びその近傍から第2領域Re2に向かう反射光を受光してもよい。
光源部41から出力された照明光は、第1実施形態と同様に、第1焦点F1を通過した後、チャンバ2の壁2a等を照射して拡散し得るため、迷光にはなり難い。
第2実施形態に係る光源部41は、第1実施形態と同様に、出力した照明光による迷光が発生し難いように配置され得る。
それにより、第2実施形態のEUV光生成装置1は、第1実施形態と同様に迷光の発生自体を抑制し、プラズマ生成領域25に供給されたターゲット27を高精度で計測し得る。
図8を用いて、第3実施形態のEUV光生成装置1について説明する。
第3実施形態のEUV光生成装置1は、第1実施形態のEUV光生成装置1に対して、光源部41及び受光部42の位置が異なってもよい。
第3実施形態に係る光源部41及び受光部42は、図5の条件3に適合するように配置されてもよい。
第3実施形態のEUV光生成装置1の構成において、第1実施形態のEUV光生成装置1と同様の構成については説明を省略する。
図8は、第3実施形態のEUV光生成装置1を説明するための図を示す。
第3実施形態に係る光源部41は、光源部41から出力される照明光の光路が、第1焦点F1を通ると共に第1領域Re1に含まれるように配置されてもよい。
より詳細には、第3実施形態に係る光源部41は、光源部41の照明光軸が、第1焦点F1を通ると共に第1領域Re1に含まれるように配置されてもよい。
第3実施形態に係る受光部42は、受光部42にて受光されるターゲット27からの反射光の光路が、第1焦点F1を通ると共に第2領域Re2に含まれるように配置されてもよい。
より詳細には、第3実施形態に係る受光部42は、受光部42の受光光軸が、第1焦点F1を通ると共に第2領域Re2に含まれるように配置されてもよい。
第3実施形態に係る光源部41は、第1領域Re1から第1焦点F1及びその近傍に向けて照明光を出力してもよい。
第3実施形態に係る受光部42は、第2領域Re2から第1焦点F1及びその近傍を撮像してもよい。照明光がターゲット27を照射するとき、受光部42は、ターゲット27からの反射光として、第1焦点F1及びその近傍から第2領域Re2に向かう反射光を受光してもよい。
壁291等による散乱光の一部は、再び反射面231に入射して反射され、受光部42に向かって進む場合があり得る。しかしながら、壁291等による散乱光の一部は、受光部42の視野角内には進入し難く、受光部42にて受光され難い。受光部42の視野角から外れた散乱光は、チャンバ2の壁2a等を照射して拡散し得る。
チャンバ2の壁2a等を照射して拡散した光は、光量が低下しているため受光部42に到達し難く、迷光にはなり難い。仮に受光部42にて受光されたとしても、チャンバ2の壁2a等を照射して拡散した光は、ターゲット27の位置、速度又はターゲット軌道Tの計測に影響を与え難い。
第3実施形態に係る受光部42は、壁291等による散乱光などの迷光の要因となる光が発生しても、これを受光し難いように配置され得る。
第3実施形態のEUV光生成装置1は、迷光の要因となる光を受光部42にて受光され難くすることによって、受光部42に迷光が撮像されることを抑制し得る。
それにより、第3実施形態のEUV光生成装置1は、プラズマ生成領域25に供給されたターゲット27を高精度で計測し得る。
図9及び図10を用いて、第4実施形態のEUV光生成装置1について説明する。
第4実施形態のEUV光生成装置1は、第1実施形態のEUV光生成装置1に対して、光源部41の位置が異なってもよい。
第4実施形態に係る光源部41は、第1実施形態と同様に、光源部41から出力される照明光の光路が、第1焦点F1を通ると共に第2領域Re2に含まれるように配置されてもよい。
より詳細には、第4実施形態に係る光源部41は、光源部41の照明光軸が、第1焦点F1を通ると共に第2領域Re2に含まれるように配置されてもよい。
但し、第4実施形態に係る光源部41は、光源部41から出力される照明光のビームダイバージェンスを考慮して配置されてもよい。
第4実施形態のEUV光生成装置1の構成において、第1実施形態のEUV光生成装置1と同様の構成については説明を省略する。
図9は、第4実施形態のEUV光生成装置1に含まれる光源部41を説明するための図を示す。図10は、図9に示された第1焦点F1付近を拡大した図を示す。
図9及び図10は、第4実施形態に係る光源部41が、第2領域Re2から第1焦点F1及びその近傍に照明光を出力した際に、第1焦点F1を通る照明光の光路が反射面231の外周縁231aと交差する場合を示している。
ここで、光源部41の照明光軸を、Aとする。すなわち、光源部41から出力される照明光の光路軸を、Aとする。
照明光の光路軸AとY軸とが成す鋭角の角度を、θ1とする。
照明光の発散角を、半値でθdとする。
第1焦点F1を通過する際の照明光のビーム幅を、半値でWとする。ビーム幅の半値Wは、1/(e2)又は4σで定義された値であってもよい。ビーム幅の半値Wは、第1焦点F1を通過する際における照明光のビーム半径であり得る。
第1焦点F1を通過する際の照明光の光路がZ軸を横切る位置であって、反射面231側の位置を、xとする。
第1焦点F1から位置xまでの距離を、Xとする。
反射面231の外周縁231aと位置xとを結ぶ線分をBとする。
線分BとZ軸とが成す鋭角の角度を、θxとする。
反射面231の外周縁231aからZ軸までの距離を、Rとする。
反射面231の外周縁231aから第1焦点F1までのZ軸方向における距離を、Lとする。距離Lは、Z軸に沿った方向における距離であって外周縁231aから第1焦点F1までの距離であり得る。
反射面231の外周縁231aから位置xまでのZ軸方向における距離を、Laとする。
図10に示された三角形を参照すると、正弦定理より数式4が成り立ち得る。
距離Laは、図9より、数式8のように記述され得る。
反射面231に係る距離R及び距離Lは、EUV集光ミラー23の設計で予め定められる値であり得る。
よって、光源部41は、第2領域Re2から第1焦点F1及びその近傍に照明光を出力する際、ビーム幅及び発散角の半値W及びθdを有して第1焦点F1を通る照明光の光路が数式15を満たさない偏角θで記述されるように、照明光を出力してもよい。
よって、光源部41は、第2領域Re2から第1焦点F1及びその近傍に照明光を出力する際、ビーム幅及び発散角の半値W及びθdを有して第1焦点F1を通る照明光の光路が数式17を満たす偏角θで記述されるように、照明光を出力してよい。
言い換えると、第4実施形態に係る光源部41は、光源部41から出力される照明光の光路が、第1焦点F1を通り、且つ、数式2及び数式17を満たす偏角θで記述されるチャンバ2の内部空間に含まれるように配置されてもよい。
第4実施形態のEUV光生成装置1の動作については、第1実施形態のEUV光生成装置1と同様であるため説明を省略する。
第4実施形態に係る光源部41は、照明光のビームダイバージェンスまで考慮して、出力した照明光による迷光が発生し難いように配置され得る。
それにより、第4実施形態のEUV光生成装置1は、迷光の発生自体を更に抑制し、プラズマ生成領域25に供給されたターゲット27を更に高精度で計測し得る。
上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。
11 …EUV光生成システム
2 …チャンバ
2a …壁
21 …ウインドウ
22 …レーザ光集光ミラー
23 …EUV集光ミラー
231 …反射面
231a …外周縁
24 …貫通孔
25 …プラズマ生成領域
251 …EUV光
252 …EUV光
26 …ターゲット供給器
261 …タンク
262 …圧力調節器
263 …ガスボンベ
264 …2軸ステージ
27 …ターゲット
271 …ドロップレット
28 …ターゲット回収器
29 …接続部
291 …壁
292 …中間集光点
293 …アパーチャ
3 …レーザ装置
31 …パルスレーザ光
32 …パルスレーザ光
33 …パルスレーザ光
34 …レーザ光進行方向制御部
4 …ターゲットセンサ
41 …光源部
42 …受光部
5 …EUV光生成制御部
6 …露光装置
A …照明光軸
B …線分
F1 …第1焦点
F2 …第2焦点
K …線分
K1 …延長線
K2 …延長線
Re1 …第1領域
Re2 …第2領域
Sf1 …第1限界面
Sf2 …第2限界面
T …ターゲット軌道
x …位置
X …距離
W …ビーム幅の半値
θ …偏角
θ1 …角度
θd …発散角の半値
θm …角度
θx …角度
Claims (6)
- 内部の生成領域に供給されたターゲットから極端紫外光が生成されるチャンバと、
前記生成領域で生成された前記極端紫外光を反射面で反射し、前記生成領域よりも前記反射面から離れた所定の集光点に集光する集光ミラーと、
前記チャンバに接続され、前記生成領域に供給される前記ターゲットに向けて照明光を出力する光源部と、
前記チャンバに接続され、前記ターゲットに向けて出力された前記照明光のうち前記ターゲットからの反射光を受光して前記ターゲットの像を撮像する受光部と、
を備え、
前記集光ミラーの前記反射面は、前記生成領域を第1焦点とし前記所定の集光点を第2焦点とする回転楕円面に形成され、
前記反射面の外周縁及び前記第1焦点を結ぶ線分の前記第1焦点側の延長線を、前記第1焦点及び前記第2焦点を通る軸の周りに回転させたときに形成される面を第1限界面とし、
前記反射面の外周縁及び前記第1焦点を結ぶ前記線分並びにその前記外周縁側の延長線を、前記第1焦点及び前記第2焦点を通る前記軸の周りに回転させたときに形成される面を第2限界面とすると、
前記光源部及び前記受光部は、前記照明光の光路及び前記反射光の光路の少なくとも1つが、前記第1限界面と前記第2限界面との間にある前記チャンバの内部空間に含まれるように配置されている
極端紫外光生成装置。 - 前記第1焦点を極とし、前記極からの距離を動径とし、前記第1焦点及び前記第2焦点を通る前記軸に対する前記動径の角度を偏角θ[rad]とする極座標系を用いて、前記チャンバの前記内部空間を記述する場合において、
前記反射面の前記外周縁及び前記第1焦点を結ぶ前記線分と、前記第1焦点及び前記第2焦点を通る前記軸とが成す鋭角の角度をθmとし、
0<θ≦θmの関係を満たす前記内部空間に含まれる領域を第1領域とし、
θm<θ<(π−θm)の関係を満たす前記内部空間に含まれる領域を第2領域をとすると、
前記光源部及び前記受光部は、前記照明光の光路及び前記反射光の光路の少なくとも1つが、前記第2領域に含まれるように配置されている
請求項1に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記光源部は、前記照明光の前記光路が、前記第1焦点を通ると共に前記第2領域に含まれるように配置され、
前記受光部は、前記反射光の前記光路が、前記第1焦点を通ると共に前記第1領域に含まれるように配置されている
請求項2に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記照明光の発散角の半値をθdとし、
前記第1焦点を通過する前記照明光のビーム幅の半値をWとし、
前記反射面の前記外周縁から前記第1焦点及び前記第2焦点を通る前記軸までの距離をRとし、
前記第1焦点及び前記第2焦点を通る前記軸に沿った方向における距離であって前記反射面の前記外周縁から前記第1焦点までの前記距離を、Lとすると、
前記光源部は、前記照明光の前記光路が、
R(θdsinθ−cosθ)<L(θdcosθ+sinθ)−W
の関係を満たす前記偏角θで記述される前記内部空間に含まれるように配置されている
請求項3に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記光源部は、前記照明光の前記光路が、前記第1焦点を通ると共に前記第2領域に含まれるように配置され、
前記受光部は、前記反射光の前記光路が、前記第1焦点を通ると共に前記第2領域に含まれるように配置されている
請求項2に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記光源部は、前記照明光の前記光路が、前記第1焦点を通ると共に前記第1領域に含まれるように配置され、
前記受光部は、前記反射光の前記光路が、前記第1焦点を通ると共に前記第2領域に含まれるように配置されている
請求項2に記載の極端紫外光生成装置。
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