JP2015532505A - Euv光のためのターゲット材料プッシュアウトの事前補償 - Google Patents
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Abstract
Description
数学的には、事前補償補正は、以下の通りである。
K*(OLavg-Tb)
ここで、Kは、学習利得であり、OLavgは、前のバーストに対して段階703では計算された推定開ループ軸線方向位置データの平均であり、Tbは、1次焦点105の軸線方向位置である。事前補償補正は、計算されたOLavgに反対方向であるべきである。OLavgを計算するのに用いられるデータポイントの数は、液滴107を感知する時のセンサ201のフレーム/秒の速度及びバーストが発生した時間の長さに依存する。一実施形態において、センサ速度が常に一貫しているわけではなく、センサ201は常に良好な画像を捕捉することができるわけではないので、位置データは、定められた頻度でのデータサンプリングの前にデータフレーム間の間隙を埋めて「連続」信号を生成するために反復される。
数学的には、以下の通りである。
Ti+1=Ti-K*(OLavg-Tb)
ここで、Tiは、前のバーストの事前補償ターゲットであり、Ti+1は、更新された事前補償ターゲットである。従って、y軸コントローラ603Yは、y軸に沿って更新された事前補償ターゲットを計算し、z軸コントローラ603Zは、z軸に沿って更新された事前補償ターゲットを計算する。重要なことに、この更新された事前補償ターゲットは、1次焦点105ではなく、次のバーストが始まる時にプッシュアウト現象が液滴1次焦点105に押し戻すことを可能にする学習された変位である。当業者は、他の学習アルゴリズム(例えば、最小平均二乗又は再帰最小自乗方程式)を事前補償されたターゲットを更新するのに使用することができることを認識するであろう。
102 レーザビーム
105 1次焦点
106 液滴発生器
108 楕円形コレクター
Claims (18)
- 極紫外レーザ光源のバースト発射中にターゲット材料液滴の1次焦点からのプッシュアウトを事前補償する方法であって、
液滴発生器から1つ又はそれよりも多くの液滴がレーザ照射されることになっているターゲット位置まで送出された該1つ又はそれよりも多くの液滴をバースト中に感知する段階と、
前記バースト内の前記1つ又はそれよりも多くの感知された液滴の各々に対して軸線方向位置を計算する段階と、
前記バースト内の前記1つ又はそれよりも多くの液滴の各々に対する液滴毎のフィードバックを該バースト内の該1つ又はそれよりも多くの液滴の各々に対して前記計算された軸線方向位置から差し引くことにより、該バースト内の該1つ又はそれよりも多くの液滴の各々に対する開ループ液滴位置を推定する段階と、
前記バーストが終了した後に、該バースト内の前記1つ又はそれよりも多くの液滴からの前記開ループ液滴位置に基づいて事前補償補正を計算する段階と、
前記事前補償補正を用いて更新ターゲット位置を計算する段階と、
後続バースト中にターゲット材料の液滴を前記更新ターゲット位置に送出するために液滴発生器を再位置決めするように1つ又はそれよりも多くのアクチュエータに指令する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記バーストは、連続バーストモード内で発射された長いバーストであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記バーストは、ストロボスコープバーストモード内で発射された短いバーストであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ターゲット位置は、1次焦点であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記バースト内の前記1つ又はそれよりも多くの液滴の各々に対する前記軸線方向位置は、該バースト内の該1つ又はそれよりも多くの液滴の各々に対するz軸に沿った位置であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記バースト内の前記1つ又はそれよりも多くの液滴の各々に対する前記軸線方向位置は、該バースト内の該1つ又はそれよりも多くの液滴の各々に対するy軸に沿った位置であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記事前補償補正は、学習利得に基づいていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記1つ又はそれよりも多くのアクチュエータは、微細移動アクチュエータであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記1つ又はそれよりも多くのアクチュエータのうちの少なくとも1つが、粗移動アクチュエータであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 極紫外レーザ光源のバースト発射中にターゲット材料液滴の1次焦点からのプッシュアウトを事前補償するためのシステムであって、
液滴発生器と、
センサと、
1つ又はそれよりも多くの軸コントローラと、
前記液滴発生器を位置決めする1つ又はそれよりも多くのアクチュエータと、
を含み、
前記センサは、前記液滴発生器から1つ又はそれよりも多くの液滴がレーザ照射されることになっているターゲット位置まで送出された該1つ又はそれよりも多くの液滴をバースト中に感知し、
前記1つ又はそれよりも多くの軸コントローラは、
前記1つ又はそれよりも多くの液滴の各々の軸線方向位置を計算し、
前記バースト内の前記1つ又はそれよりも多くの感知された液滴の各々に対して開ループ液滴位置を推定し、
前記バーストが終了した後に、該バースト内の前記1つ又はそれよりも多くの液滴の前記開ループ液滴位置に基づいて事前補償補正を計算し、
前記事前補償補正を用いて更新ターゲット位置を計算し、かつ
後続バースト中にターゲット材料の液滴を前記更新ターゲット位置に送出するために前記液滴発生器を再位置決めするように1つ又はそれよりも多くのアクチュエータに指令する、
ことを特徴とするシステム。 - 前記バーストは、連続バーストモード内で発射された長いバーストであることを特徴とする請求項10に記載のシステム。
- 前記バーストは、ストロボスコープバーストモード内で発射された短いバーストであることを特徴とする請求項10に記載のシステム。
- 前記ターゲット位置は、1次焦点であることを特徴とする請求項10に記載のシステム。
- 前記バースト内の前記1つ又はそれよりも多くの液滴の各々に対する前記軸線方向位置は、該バースト内の該1つ又はそれよりも多くの液滴の各々に対するz軸に沿った位置であることを特徴とする請求項10に記載のシステム。
- 前記バースト内の前記1つ又はそれよりも多くの液滴の各々に対する前記軸線方向位置は、該バースト内の該1つ又はそれよりも多くの液滴の各々に対するy軸に沿った位置であることを特徴とする請求項10に記載のシステム。
- 前記事前補償補正は、学習利得に基づいていることを特徴とする請求項10に記載のシステム。
- 前記1つ又はそれよりも多くのアクチュエータは、微細移動アクチュエータであることを特徴とする請求項10に記載のシステム。
- 前記1つ又はそれよりも多くのアクチュエータのうちの少なくとも1つが、粗移動アクチュエータであることを特徴とする請求項10に記載のシステム。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017154528A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2018030122A1 (ja) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成方法 |
JP2019529977A (ja) * | 2016-09-14 | 2019-10-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外光源におけるターゲット軌道計測 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6087105B2 (ja) * | 2012-10-23 | 2017-03-01 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US8872123B2 (en) * | 2013-01-10 | 2014-10-28 | Asml Netherlands B.V. | Method of timing laser beam pulses to regulate extreme ultraviolet light dosing |
US9678431B2 (en) * | 2015-03-16 | 2017-06-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV lithography system and method with optimized throughput and stability |
US9591734B1 (en) * | 2015-09-29 | 2017-03-07 | Asml Netherlands B.V. | Reduction of periodic oscillations in a source plasma chamber |
US9778022B1 (en) * | 2016-09-14 | 2017-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Determining moving properties of a target in an extreme ultraviolet light source |
WO2018211551A1 (ja) * | 2017-05-15 | 2018-11-22 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット計測装置及び極端紫外光生成装置 |
US10314154B1 (en) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for extreme ultraviolet source control |
WO2019186754A1 (ja) | 2018-03-28 | 2019-10-03 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法 |
US10925142B2 (en) * | 2018-07-31 | 2021-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV radiation source for lithography exposure process |
US20200057376A1 (en) * | 2018-08-14 | 2020-02-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography system and lithography method |
WO2020165942A1 (ja) * | 2019-02-12 | 2020-08-20 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置、ターゲット制御方法、及び電子デバイスの製造方法 |
KR102375567B1 (ko) * | 2019-11-01 | 2022-03-16 | 주식회사 포스코 | 고정장치 및 이를 이용한 밸런스 레버 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100258750A1 (en) * | 2009-04-09 | 2010-10-14 | Partlo William N | System, method and apparatus for aligning and synchronizing target material for optimum extreme ultraviolet light output |
JP2011003887A (ja) * | 2009-05-21 | 2011-01-06 | Gigaphoton Inc | チャンバ装置におけるターゲット軌道を計測及び制御する装置及び方法 |
JP2012134447A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-07-12 | Komatsu Ltd | 光学装置、光学装置を備えるレーザ装置、及びレーザ装置を備える極端紫外光生成システム |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4872189A (en) * | 1987-08-25 | 1989-10-03 | Hampshire Instruments, Inc. | Target structure for x-ray lithography system |
US7372056B2 (en) | 2005-06-29 | 2008-05-13 | Cymer, Inc. | LPP EUV plasma source material target delivery system |
US6930851B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-08-16 | Seagate Technology Llc | Guiding a sensor using a broadly-curved lateral profile |
US7718985B1 (en) * | 2005-11-01 | 2010-05-18 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Advanced droplet and plasma targeting system |
US7501642B2 (en) * | 2005-12-29 | 2009-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source |
NL2003772A (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-14 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method to compensate for the effect of disturbances on the projection system of a lithographic apparatus. |
US9072153B2 (en) * | 2010-03-29 | 2015-06-30 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation system utilizing a pre-pulse to create a diffused dome shaped target |
WO2014203804A1 (ja) * | 2013-06-20 | 2014-12-24 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム |
WO2015041260A1 (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
-
2012
- 2012-09-28 US US13/631,645 patent/US9238243B2/en active Active
-
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-
2016
- 2016-01-13 US US14/995,166 patent/US9588430B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100258750A1 (en) * | 2009-04-09 | 2010-10-14 | Partlo William N | System, method and apparatus for aligning and synchronizing target material for optimum extreme ultraviolet light output |
JP2011003887A (ja) * | 2009-05-21 | 2011-01-06 | Gigaphoton Inc | チャンバ装置におけるターゲット軌道を計測及び制御する装置及び方法 |
JP2012134447A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-07-12 | Komatsu Ltd | 光学装置、光学装置を備えるレーザ装置、及びレーザ装置を備える極端紫外光生成システム |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017154528A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2017154111A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JPWO2017154528A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2019-01-31 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US10225918B2 (en) | 2016-03-08 | 2019-03-05 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generating apparatus |
WO2018030122A1 (ja) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成方法 |
WO2018029759A1 (ja) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成方法 |
US10667375B2 (en) | 2016-08-08 | 2020-05-26 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation method |
JP2019529977A (ja) * | 2016-09-14 | 2019-10-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外光源におけるターゲット軌道計測 |
JP7265981B2 (ja) | 2016-09-14 | 2023-04-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外光源におけるターゲット軌道計測 |
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