JP2007067099A - 露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光装置は、アライメントステーション120内の計測処理領域120aに向けて温調された気体を吹出す第1吹出部150aと、露光ステーション111内の露光処理領域111aに向けて温調された気体を吹出す第2吹出部150bとを備える。第1吹出部150a及び第2吹出部150bからの気体の吹出の方向(X方向)は、アライメントステーション120及び露光ステーション111が配列された方向(Y方向)とほぼ直交している。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態の露光装置の概略構成を示す平面図である。図1に示す露光装置10は、露光ステーション111とアライメントステーション120とを備える。露光ステーション111とアライメントステーション120は、基準面を提供するステージ定盤112を共用する。露光装置10は、ステージ定盤112上でX、Y方向に移動可能なステージ104a、104bを備える。なお、ステージ定盤112上でX、Y方向に移動可能なより多くのステージを備えてもよい。
この実施形態は、温調用の気体の吹出し方向が第1実施形態と異なる。ここでは、主に第1実施形態との相違点について説明する。ここで言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。
この実施形態は、アライメントステーションの環境と露光ステーションの環境とを分離するエアカーテンを形成するユニットを設けた点で第1、第2実施形態と異なる。ここでは、主に第1、第2実施形態との相違点について説明する。ここで言及しない事項は、第1、第2実施形態に従いうる。
次に、図4及び図5を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図4は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
101 アライメント光学系
102a、102b 微動ステージ
103a、103b ウエハチャック
104a、104b ステージ
105 投影光学系
111 露光ステーション
111a 露光処理領域
113a、113b Xミラー
114a、114b Yミラー
120 アライメントステーション
120a 計測処理領域
140a、140b Yレーザー干渉計
141a、141b Xレーザー干渉計
150a、150b、150c、150a’、150a”、150b’、150b” 吹出口
151a、151b、151c 温度センサ
152a、152b、152c、152a’、152a”、152b’、152b” 温調器
153 温調コントローラ
154 吸込口
Claims (12)
- アライメント用の計測処理が実施されるアライメントステーションと、露光処理が実施される露光ステーションと、前記アライメントステーションと前記露光ステーションとの間で入れ替え可能な2つのステージとを有する露光装置であって、
前記アライメントステーション内の計測処理領域に向けて温調された気体を吹出す第1吹出部と、
前記露光ステーション内の露光処理領域に向けて温調された気体を吹出す第2吹出部と、
を備え、前記第1吹出部及び前記第2吹出部からの気体の吹出の方向が、前記アライメントステーション及び前記露光ステーションが配列された方向とほぼ直交していることを特徴とする露光装置。 - 前記第1吹出部から吹出された気体の温度を計測する第1温度センサと、
前記第2吹出部から吹出された気体の温度を計測する第2温度センサと、
前記第1温度センサから提供される温度計測結果にしたがって温調された気体を前記第1吹出部に提供する第1温調器と、
前記第2温度センサから提供される温度計測結果にしたがって温調された気体を前記第2吹出部に提供する第2温調器と、
を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記第1吹出部及び前記第2吹出部からの気体の吹出の方向がほぼ水平方向であることを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。
- 前記第1吹出部及び前記第2吹出部からの気体の吹出の方向がほぼ鉛直方向であることを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。
- 前記アライメントステーションと前記露光ステーションとの間にエアカーテンを形成するエアカーテンユニットを更に備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。
- アライメント用の計測処理が実施されるアライメントステーションと、露光処理が実施される露光ステーションと、前記アライメントステーションと前記露光ステーションとの間で入れ替え可能な2つのステージとを有する露光装置であって、
前記アライメントステーション内の計測処理領域に向けて温調された気体を吹出す第1吹出部と、
前記露光ステーション内の露光処理領域に向けて温調された気体を吹出す第2吹出部と、
前記アライメントステーションと前記露光ステーションとの間にエアカーテンを形成するエアカーテンユニットとを備えることを特徴とする露光装置。 - 前記エアカーテンユニットは、前記アライメントステーションと前記露光ステーションとの間に配置されて、前記アライメントステーションと前記露光ステーションとを仕切るエアカーテンを形成するように気体を吹出す第3吹出部を含むことを特徴とする請求項6に記載の露光装置。
- 前記エアカーテンユニットは、温調された気体を前記第3吹出部に提供する第3温調器を更に含むことを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 前記エアカーテンユニットは、気体を吸出す吸出部を更に含むことを特徴とする請求項7又は8に記載の露光装置。
- 前記第3吹出部は、ほぼ鉛直下方に気体を噴射してダウンフローを形成することを特徴とする請求項7又は8に記載の露光装置。
- アライメント用の計測処理が実施されるアライメントステーションと、露光処理が実施される露光ステーションと、前記アライメントステーションと前記露光ステーションとの間で入れ替え可能な2つのステージとを有する露光装置であって、
前記アライメントステーションと前記露光ステーションとの間にエアカーテンを形成するエアカーテンユニットを備えることを特徴とする露光装置。 - デバイス製造方法であって、
基板に塗布された感光剤に請求項1乃至11のいずれか1項に記載の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程と、
前記潜像パターンを現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101153605B1 (ko) * | 2009-06-17 | 2012-06-11 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 프록시미티 노광 장치, 프록시미티 노광장치의 기판 온도 제어 방법 및 표시용 패널 기판의 제조 방법 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4781049B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2011-09-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2009021555A (ja) * | 2007-06-12 | 2009-01-29 | Canon Inc | 露光装置 |
US20090106307A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Nova Spivack | System of a knowledge management and networking environment and method for providing advanced functions therefor |
KR101559425B1 (ko) * | 2009-01-16 | 2015-10-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
EP2423749B1 (en) | 2010-08-24 | 2013-09-11 | ASML Netherlands BV | A lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20230130161A (ko) * | 2015-02-23 | 2023-09-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 관리 방법, 중첩 계측 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US11740564B2 (en) * | 2020-06-18 | 2023-08-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus and method using the same |
CN115903941A (zh) * | 2021-08-20 | 2023-04-04 | 长鑫存储技术有限公司 | 控温装置及控温方法 |
CN115877665A (zh) * | 2021-09-29 | 2023-03-31 | 长鑫存储技术有限公司 | 控温装置及控温方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204396A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Canon Inc | 半導体製造システムおよびデバイス製造方法 |
JP2000505958A (ja) * | 1996-12-24 | 2000-05-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置 |
JP2000311844A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
JP2002124451A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Nikon Corp | 温度制御方法、温調チャンバ及び露光装置 |
WO2002075795A1 (fr) * | 2001-03-19 | 2002-09-26 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition et procede pour produire ledit dispositif |
JP2003114724A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Canon Inc | 非干渉化温調制御装置、協調空調装置、およびこれらを用いる露光装置 |
JP2004289147A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-10-14 | Nikon Corp | 露光装置とその方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP2005086030A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Canon Inc | 露光装置及び露光装置の制御方法 |
WO2005081291A1 (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2005277030A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Canon Inc | ステージ装置および露光装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60158626A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-20 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
JPH0785112B2 (ja) * | 1987-02-16 | 1995-09-13 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
US4989031A (en) * | 1990-01-29 | 1991-01-29 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JPH03252507A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-11 | Hitachi Ltd | レーザ干渉測長装置およびそれを用いた位置決め方法 |
US5877843A (en) * | 1995-09-12 | 1999-03-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
KR100542414B1 (ko) * | 1996-03-27 | 2006-05-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치및공조장치 |
TW333658B (en) * | 1996-05-30 | 1998-06-11 | Tokyo Electron Co Ltd | The substrate processing method and substrate processing system |
US6714278B2 (en) * | 1996-11-25 | 2004-03-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
JP3595756B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2004-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ方法 |
JP4085813B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2008-05-14 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
US7238199B2 (en) * | 2001-03-06 | 2007-07-03 | The Board Of Regents Of The University Of Texas System | Method and apparatus for stent deployment with enhanced delivery of bioactive agents |
JP2003115451A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-04-18 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
US6778258B2 (en) * | 2001-10-19 | 2004-08-17 | Asml Holding N.V. | Wafer handling system for use in lithography patterning |
JP3595791B2 (ja) * | 2001-11-19 | 2004-12-02 | キヤノン株式会社 | 半導体製造装置 |
JP2004128213A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Canon Inc | 温調システム及びそれを組み込んだ露光装置 |
JP2005142382A (ja) | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Canon Inc | 露光装置 |
JP4418724B2 (ja) | 2004-09-17 | 2010-02-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4781049B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2011-09-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2009021555A (ja) * | 2007-06-12 | 2009-01-29 | Canon Inc | 露光装置 |
-
2005
- 2005-08-30 JP JP2005249942A patent/JP4781049B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-08-30 US US11/468,524 patent/US7486378B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-24 US US12/236,630 patent/US8184261B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000505958A (ja) * | 1996-12-24 | 2000-05-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置 |
JPH11204396A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Canon Inc | 半導体製造システムおよびデバイス製造方法 |
JP2000311844A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
JP2002124451A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Nikon Corp | 温度制御方法、温調チャンバ及び露光装置 |
WO2002075795A1 (fr) * | 2001-03-19 | 2002-09-26 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition et procede pour produire ledit dispositif |
JP2003114724A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Canon Inc | 非干渉化温調制御装置、協調空調装置、およびこれらを用いる露光装置 |
JP2004289147A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-10-14 | Nikon Corp | 露光装置とその方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP2005086030A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Canon Inc | 露光装置及び露光装置の制御方法 |
WO2005081291A1 (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2005277030A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Canon Inc | ステージ装置および露光装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101153605B1 (ko) * | 2009-06-17 | 2012-06-11 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 프록시미티 노광 장치, 프록시미티 노광장치의 기판 온도 제어 방법 및 표시용 패널 기판의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7486378B2 (en) | 2009-02-03 |
US20090059188A1 (en) | 2009-03-05 |
US20070046911A1 (en) | 2007-03-01 |
US8184261B2 (en) | 2012-05-22 |
JP4781049B2 (ja) | 2011-09-28 |
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