JP2008300824A - 洗浄装置、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置洗浄方法 - Google Patents
洗浄装置、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008300824A JP2008300824A JP2008120654A JP2008120654A JP2008300824A JP 2008300824 A JP2008300824 A JP 2008300824A JP 2008120654 A JP2008120654 A JP 2008120654A JP 2008120654 A JP2008120654 A JP 2008120654A JP 2008300824 A JP2008300824 A JP 2008300824A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- cleaning
- cleaned
- transducer
- flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】表面を洗浄するメガソニックトランスデューサを有する液浸リソグラフィ投影装置、及び液体を通じてメガソニック波を使用して液浸リソグラフィ投影装置を洗浄する方法が開示される。液体には流れ、望ましくは放射状流れが誘起される。
【選択図】図1
Description
Claims (42)
- 液浸リソグラフィ投影装置を洗浄する装置であって、
液浸リソグラフィ装置の表面を洗浄するメガソニックトランスデューサと、
メガソニックトランスデューサと洗浄対象表面との間に液体を供給する液体供給システムと、
流出洗浄液を収容する洗浄液排出口と、を備えることを特徴とする装置。 - 前記排出口は洗浄対象表面に隣接することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記排出口は洗浄対象表面のうち洗浄中の領域に隣接することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 使用時において洗浄中の領域から汚染物質が液体流れへともたらされ、該液体流れは該洗浄中の領域を越えて前記排出口へと流れることで該液体流れの汚染物質濃度は前記排出口に向けて増大するように構成されていることを特徴とする請求項3に記載の装置。
- 前記排出口は前記トランスデューサの表面に画定されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記排出口は、前記液体供給システムによる液体供給領域の側部に前記トランスデューサから離れて配置されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記領域は洗浄対象表面であることを特徴とする請求項6に記載の装置。
- 最も液体が汚染された領域へと向かう液体流れを使用時に生成するよう構成されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記液体流れは放射状であることを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 汚染物質濃度がより高い液体の領域へと向かう液体流れを使用時に生成するよう構成されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記領域は、メガソニックトランスデューサと洗浄対象表面との間に位置することを特徴とする請求項10に記載の装置。
- 洗浄対象表面上の一領域へと向かう液体流れを使用時に生成し、該液体流れが前記洗浄対象表面の前記一領域を通過して前記排出口に向かうように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- メガソニックトランスデューサと洗浄対象表面との間に液体流れがあることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 請求項1に記載の装置を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
- 基板を保持する基板テーブルと、
パターンが付与された放射ビームを基板に投影する投影系と、
表面を洗浄するメガソニックトランスデューサと、
メガソニックトランスデューサと洗浄対象表面との間に液体を供給する液体供給システムと、
洗浄液の流出を許容する洗浄液排出口と、を備えることを特徴とする液浸リソグラフィ投影装置。 - メガソニックトランスデューサから発せられるメガソニック波を使用して液浸リソグラフィ投影装置の表面を洗浄する方法であって、
洗浄対象表面とメガソニックトランスデューサの表面とを液体で覆い、
該液体にメガソニック波を導入し、
洗浄対象表面に隣接する液体排出口を通じて液体を排出することを含むことを特徴とする方法。 - 前記排出において液体に放射状流れが誘起されることを特徴とする請求項16に記載の方法。
- リソグラフィ投影装置の構成要素の表面を洗浄する洗浄装置であって、
該表面に隣接する液体流れを生成する液体流れ誘起装置と、
該液体を通じて該表面に音波を放射する音響変換器と、を備えることを特徴とする洗浄装置。 - 前記液体流れ誘起装置は、前記表面に垂直な軸に対し放射方向成分を有する液体流れを生成し、前記音響変換器は、前記軸の周囲で前記表面に音波を放射することを特徴とする請求項18に記載の洗浄装置。
- 前記液体流れは、前記軸に向かう放射方向内向きの流れであることを特徴とする請求項19に記載の洗浄装置。
- 前記表面に液体を供給する液体供給装置をさらに備えることを特徴とする請求項18に記載の洗浄装置。
- 使用時に前記音響変換器と前記表面との間に気液界面が実質的に存在しないように構成されていることを特徴とする請求項21に記載の洗浄装置。
- 前記液体供給装置は、リソグラフィ投影装置の基板テーブルに搭載されていることを特徴とする請求項21に記載の洗浄装置。
- 前記液体流れ誘起装置は、前記軸に対し放射方向外向きに液体を供給することを特徴とする請求項18に記載の洗浄装置。
- 前記液体流れ誘起装置は、前記音響変換器と前記表面との間から液体を排出する液体排出装置を備えることを特徴とする請求項18に記載の洗浄装置。
- 前記液体排出装置は、前記表面に垂直な軸と同軸である排出口を備えることを特徴とする請求項25に記載の洗浄装置。
- 前記排出口は、使用時において前記表面に対向する面にあることを特徴とする請求項26に記載の洗浄装置。
- 前記液体流れ誘起装置は、前記音響変換器と前記表面との間から液体を排出する液体排出口を備え、該排出口は、前記音響変換器を貫通しているか、または複数の音響変換器の間を通ることを特徴とする請求項18に記載の洗浄装置。
- 前記音響変換器が1つのユニットであるとみなされる場合において、液体排出のための軸が該ユニットを貫通していることを特徴とする請求項18に記載の洗浄装置。
- 液体に添加物を供給する添加物供給装置をさらに備えることを特徴とする請求項18に記載の洗浄装置。
- 液体の泡立ちを回避すべく所定レベル以下に前記液体流れ誘起装置を制御する制御部をさらに備えることを特徴とする請求項18に記載の洗浄装置。
- 基板を保持する基板テーブルと、
パターンが付与された放射ビームを基板に投影する投影系と、
リソグラフィ投影装置の構成要素の表面を洗浄する洗浄機構であって、該表面に隣接する液体流れを生成する液体流れ誘起機構と、該表面に該液体を通じて音波を放射する音響変換器と、を備える洗浄機構と、を備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置。 - リソグラフィ投影装置の構成要素の表面を洗浄する方法であって、
該表面に液体を供給し、
該液体に流れを生じさせ、
該液体を通じて音波を与えることを含むことを特徴とする方法。 - 前記表面に垂直な軸に対して放射状の流れを液体に生じさせることを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 前記放射状の流れは前記軸に向かう内向きの流れであることを特徴とする請求項34に記載の方法。
- 前記軸に対し放射方向外向きに前記表面へと前記液体が供給されることを特徴とする請求項34に記載の方法。
- 前記表面に垂直な軸と同軸の排出口を通じて液体を排出することで該液体に流れを生じさせることを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 前記排出口は、音波を生成する音響変換器を貫通しているか、または複数の音響変換器の間を通っていることを特徴とする請求項37に記載の方法。
- 洗浄対象表面に使用時において対向する面を有する音響変換器と、
前記音響変換器と洗浄対象表面との間に液体を供給する液体供給システムと、
前記音響変換器と前記表面との間から液体を除去する排出器であって、前記変換器と前記表面との間において前記変換器の前記面の中心へと実質的に向かう放射方向内向きの液体流れが使用時に生じるように該排出器の注入口が位置決めされている排出器と、を備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置。 - 前記排出器は減圧源に取り付けられていることを特徴とする請求項39に記載のリソグラフィ投影装置。
- リソグラフィ装置の物体表面を洗浄する方法であって、
洗浄対象表面と音響変換器との間に第1添加物を含む液体を供給し、
前記変換器から前記表面に音波を放射し、
前記洗浄対象表面と前記音響変換器との間に、前記第1添加物とは異なる第2添加物を含む液体を供給し、
前記変換器から前記表面に音波を放射することを含むことを特徴とする方法。 - 一方または両方の放射ステップの後に前記表面を洗い流すことをさらに含むことを特徴とする請求項41に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US92424407P | 2007-05-04 | 2007-05-04 | |
US60/924,244 | 2007-05-04 | ||
US11/819,949 US9013672B2 (en) | 2007-05-04 | 2007-06-29 | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US11/819,949 | 2007-06-29 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011134159A Division JP5323894B2 (ja) | 2007-05-04 | 2011-06-16 | リソグラフィ装置洗浄方法 |
JP2011134129A Division JP5198624B2 (ja) | 2007-05-04 | 2011-06-16 | 洗浄装置、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008300824A true JP2008300824A (ja) | 2008-12-11 |
JP4908454B2 JP4908454B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=39938698
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008114096A Active JP4686571B2 (ja) | 2007-05-04 | 2008-04-24 | クリーニングデバイス、リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置のクリーニング方法 |
JP2008120668A Expired - Fee Related JP4912352B2 (ja) | 2007-05-04 | 2008-05-02 | 洗浄装置及びリソグラフィ装置洗浄方法 |
JP2008120654A Expired - Fee Related JP4908454B2 (ja) | 2007-05-04 | 2008-05-02 | 洗浄装置、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置洗浄方法 |
JP2011028118A Active JP5036885B2 (ja) | 2007-05-04 | 2011-02-14 | クリーニングツール、リソグラフィ装置 |
JP2011093700A Expired - Fee Related JP5097843B2 (ja) | 2007-05-04 | 2011-04-20 | 洗浄装置及びリソグラフィ装置洗浄方法 |
JP2011134159A Expired - Fee Related JP5323894B2 (ja) | 2007-05-04 | 2011-06-16 | リソグラフィ装置洗浄方法 |
JP2011134129A Expired - Fee Related JP5198624B2 (ja) | 2007-05-04 | 2011-06-16 | 洗浄装置、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置洗浄方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008114096A Active JP4686571B2 (ja) | 2007-05-04 | 2008-04-24 | クリーニングデバイス、リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置のクリーニング方法 |
JP2008120668A Expired - Fee Related JP4912352B2 (ja) | 2007-05-04 | 2008-05-02 | 洗浄装置及びリソグラフィ装置洗浄方法 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011028118A Active JP5036885B2 (ja) | 2007-05-04 | 2011-02-14 | クリーニングツール、リソグラフィ装置 |
JP2011093700A Expired - Fee Related JP5097843B2 (ja) | 2007-05-04 | 2011-04-20 | 洗浄装置及びリソグラフィ装置洗浄方法 |
JP2011134159A Expired - Fee Related JP5323894B2 (ja) | 2007-05-04 | 2011-06-16 | リソグラフィ装置洗浄方法 |
JP2011134129A Expired - Fee Related JP5198624B2 (ja) | 2007-05-04 | 2011-06-16 | 洗浄装置、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置洗浄方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7900641B2 (ja) |
JP (7) | JP4686571B2 (ja) |
KR (2) | KR101024566B1 (ja) |
CN (1) | CN101299133B (ja) |
TW (2) | TW201234414A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009141356A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
JP2011003759A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Nikon Corp | 部材の洗浄方法、露光方法、デバイス製造方法、および洗浄液 |
JP2011029599A (ja) * | 2009-05-14 | 2011-02-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び装置の動作方法 |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1486827B1 (en) | 2003-06-11 | 2011-11-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7385670B2 (en) * | 2004-10-05 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus |
US7880860B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8858805B2 (en) * | 2005-01-25 | 2014-10-14 | Robert Edward Vago | Method and device for removal of ammonia and related contaminants from water |
US8125610B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-02-28 | ASML Metherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
US7969548B2 (en) * | 2006-05-22 | 2011-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method |
JP5029611B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2012-09-19 | 株式会社ニコン | クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
US8654305B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
US8947629B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8011377B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US7866330B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US7900641B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
KR20100031694A (ko) * | 2007-05-28 | 2010-03-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 세정 장치, 및 클리닝 방법 그리고 노광 방법 |
US7916269B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method |
US20090025753A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method |
JP4961299B2 (ja) * | 2007-08-08 | 2012-06-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
NL1035942A1 (nl) * | 2007-09-27 | 2009-03-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus. |
SG151198A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-30 | Asml Netherlands Bv | Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus |
JP5017232B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-09-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置 |
NL1036273A1 (nl) * | 2007-12-18 | 2009-06-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus. |
NL1036306A1 (nl) | 2007-12-20 | 2009-06-23 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus. |
KR101423611B1 (ko) * | 2008-01-16 | 2014-07-30 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치, 노광 장치 및 클리닝 툴의 세정 방법 |
US8339572B2 (en) | 2008-01-25 | 2012-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL1036709A1 (nl) * | 2008-04-24 | 2009-10-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
SG173172A1 (en) | 2009-01-28 | 2011-08-29 | Advanced Tech Materials | Lithographic tool in situ clean formulations |
US8619231B2 (en) * | 2009-05-21 | 2013-12-31 | Nikon Corporation | Cleaning method, exposure method, and device manufacturing method |
NL2004907A (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2005167A (en) * | 2009-10-02 | 2011-04-05 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
NL2005610A (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-06 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and surface cleaning method. |
US20120019804A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, cleaning apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019803A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120160264A1 (en) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | Richard Endo | Wet Processing Tool with Site Isolation |
US8926762B2 (en) * | 2011-09-06 | 2015-01-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and methods for movable megasonic wafer probe |
US9953847B2 (en) * | 2013-09-10 | 2018-04-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Apparatus and method for cleaning |
CN104216236B (zh) * | 2014-08-22 | 2016-08-17 | 深圳市大川光电设备有限公司 | 适合影像转移曝光机的菲林与工件密着方法 |
TWI626506B (zh) * | 2016-07-28 | 2018-06-11 | 非接觸式光罩/晶圓潔淨裝置 | |
EP3447581A1 (en) * | 2017-08-23 | 2019-02-27 | ASML Netherlands B.V. | A clear-out tool, a lithographic apparatus and a device manufacturing method |
CN110560424A (zh) * | 2019-09-18 | 2019-12-13 | 宁波南大光电材料有限公司 | 一种用于光刻设备的非接触式超声清洗装置 |
FR3100998B1 (fr) * | 2019-09-25 | 2022-06-03 | Lille Ecole Centrale | Dispositif pour nettoyer un support recouvert d’un liquide |
CN112684675B (zh) * | 2020-12-30 | 2023-02-21 | 浙江启尔机电技术有限公司 | 真空系统及使用该真空系统的浸没式光刻机 |
CN113083530B (zh) * | 2021-03-01 | 2022-08-16 | 武汉大学 | 一种中心体位置可连续调节的空化喷嘴 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005005713A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2006032750A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Canon Inc | 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2006179909A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
JP2006523031A (ja) * | 2003-04-11 | 2006-10-05 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法 |
JP2006528835A (ja) * | 2003-07-24 | 2006-12-21 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および浸漬液体を浸漬空間へ導入する方法 |
Family Cites Families (214)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
ATE1462T1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-15 | Werner W. Dr. Tabarelli | Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe. |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4390273A (en) | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
US4405701A (en) | 1981-07-29 | 1983-09-20 | Western Electric Co. | Methods of fabricating a photomask |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS6265326U (ja) | 1985-10-16 | 1987-04-23 | ||
JPS62121417U (ja) | 1986-01-24 | 1987-08-01 | ||
JPS63157419U (ja) | 1987-03-31 | 1988-10-14 | ||
US5040020A (en) * | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
US5039349A (en) | 1990-05-18 | 1991-08-13 | Veriflo Corporation | Method and apparatus for cleaning surfaces to absolute or near-absolute cleanliness |
US5121256A (en) | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US6297871B1 (en) | 1995-09-12 | 2001-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
WO1998009278A1 (en) * | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JPH1133506A (ja) | 1997-07-24 | 1999-02-09 | Tadahiro Omi | 流体処理装置及び洗浄処理システム |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH11162831A (ja) | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
WO1999027568A1 (fr) | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Nikon Corporation | Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
AU1505699A (en) | 1997-12-12 | 1999-07-05 | Nikon Corporation | Projection exposure method and projection aligner |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP2000323396A (ja) | 1999-05-13 | 2000-11-24 | Canon Inc | 露光方法、露光装置、およびデイバイス製造方法 |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
JP3704260B2 (ja) | 1999-09-22 | 2005-10-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
TW591653B (en) | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
JP4352598B2 (ja) * | 2000-08-24 | 2009-10-28 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置および携帯端末 |
SE519629C2 (sv) * | 2000-11-20 | 2003-03-18 | Abb Ab | Förfarande och anordning för styrning av roterande maskin samt regleringsenhet och motorsystem |
JP3453366B2 (ja) | 2001-01-25 | 2003-10-06 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | 基板の洗浄装置および洗浄方法 |
US20020104454A1 (en) | 2001-02-06 | 2002-08-08 | Eric Verschueren | Apparatus for cleaning a surface |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
US6897941B2 (en) * | 2001-11-07 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
US7014956B2 (en) * | 2002-01-04 | 2006-03-21 | Intel Corporation | Active secondary exposure mask to manufacture integrated circuits |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US6932899B2 (en) * | 2002-09-10 | 2005-08-23 | Stealth Industries Ltd. | Pool skimmer basket kit |
US7198055B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-04-03 | Lam Research Corporation | Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG2010050110A (en) * | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101349876B (zh) * | 2002-11-12 | 2010-12-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
TWI251127B (en) * | 2002-11-12 | 2006-03-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1586386A4 (en) | 2002-12-03 | 2010-04-21 | Nikon Corp | METHOD AND DEVICE FOR REMOVING CONTAMINATION AND EXPOSURE METHOD AND DEVICE |
SG152063A1 (en) | 2002-12-10 | 2009-05-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
EP1571694A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-10-15 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
WO2004053957A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
TW200421444A (en) | 2002-12-10 | 2004-10-16 | Nippon Kogaku Kk | Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device |
KR20120127755A (ko) | 2002-12-10 | 2012-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
WO2004053956A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR20110086130A (ko) | 2002-12-10 | 2011-07-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US6992750B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
CN100429748C (zh) | 2002-12-10 | 2008-10-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
JP4184346B2 (ja) | 2002-12-13 | 2008-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去 |
EP1579435B1 (en) | 2002-12-19 | 2007-06-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
AU2003283717A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
JP4488004B2 (ja) | 2003-04-09 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ流体制御システム |
EP3352010A1 (en) | 2003-04-10 | 2018-07-25 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
KR101745223B1 (ko) | 2003-04-10 | 2017-06-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
EP2950148B1 (en) | 2003-04-10 | 2016-09-21 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
KR101498405B1 (ko) | 2003-04-11 | 2015-03-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
EP1614000B1 (en) | 2003-04-17 | 2012-01-18 | Nikon Corporation | Immersion lithographic apparatus |
DE10318238B4 (de) | 2003-04-23 | 2007-02-01 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Innenflächen von Gewindebohrungen |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI616932B (zh) | 2003-05-23 | 2018-03-01 | Nikon Corp | Exposure device and component manufacturing method |
US7274472B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-09-25 | Timbre Technologies, Inc. | Resolution enhanced optical metrology |
DE10324477A1 (de) * | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2843472B1 (en) | 2003-07-08 | 2016-12-07 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
SG109000A1 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7370659B2 (en) | 2003-08-06 | 2008-05-13 | Micron Technology, Inc. | Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines |
KR20050017142A (ko) | 2003-08-08 | 2005-02-22 | 삼성전자주식회사 | 린스 용액 및 이를 이용한 반도체 소자 세정 방법 |
JP2005072404A (ja) | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Sony Corp | 露光装置および半導体装置の製造方法 |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
JP4305095B2 (ja) | 2003-08-29 | 2009-07-29 | 株式会社ニコン | 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法 |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
KR101590686B1 (ko) | 2003-09-03 | 2016-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101238134B1 (ko) | 2003-09-26 | 2013-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영노광장치 및 투영노광장치의 세정방법, 메인터넌스 방법 그리고 디바이스의 제조방법 |
KR20060126949A (ko) | 2003-10-08 | 2006-12-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법 |
US7411653B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP2005159322A (ja) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
EP1531362A3 (en) * | 2003-11-13 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
KR101163095B1 (ko) | 2003-12-23 | 2012-07-06 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 표면 조사 방법, 감광 층을 패터닝하는 방법, 제거가능한 보호 층의 제거 방법 및 블랭크 |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
JP2005191393A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2005191381A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4843503B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
WO2005074606A2 (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Rochester Institute Of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
US7050146B2 (en) * | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4018647B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
JP4548341B2 (ja) | 2004-02-10 | 2010-09-22 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法 |
US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
JP4510494B2 (ja) | 2004-03-29 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP2005286068A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
US20050250054A1 (en) | 2004-05-10 | 2005-11-10 | Ching-Yu Chang | Development of photolithographic masks for semiconductors |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
US20070216889A1 (en) | 2004-06-04 | 2007-09-20 | Yasufumi Nishii | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device |
EP3203498A1 (en) * | 2004-06-09 | 2017-08-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8698998B2 (en) | 2004-06-21 | 2014-04-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device |
DE102004033208B4 (de) | 2004-07-09 | 2010-04-01 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Vorrichtung zur Inspektion eines mikroskopischen Bauteils mit einem Immersionsobjektiv |
US7307263B2 (en) | 2004-07-14 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, radiation system, contaminant trap, device manufacturing method, and method for trapping contaminants in a contaminant trap |
US7224427B2 (en) | 2004-08-03 | 2007-05-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method |
US20060027248A1 (en) | 2004-08-09 | 2006-02-09 | Applied Materials, Inc. | Megasonic cleaning with minimized interference |
US7304715B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006063201A (ja) | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Sanyo Chem Ind Ltd | 洗浄剤 |
JP3977364B2 (ja) * | 2004-09-03 | 2007-09-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP4772306B2 (ja) | 2004-09-06 | 2011-09-14 | 株式会社東芝 | 液浸光学装置及び洗浄方法 |
US7385670B2 (en) * | 2004-10-05 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus |
TW200628995A (en) | 2004-10-13 | 2006-08-16 | Nikon Corp | Exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
JP2006120674A (ja) | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Canon Inc | 露光装置及び方法、デバイス製造方法 |
JP2006134999A (ja) | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Sony Corp | 液浸型露光装置、及び、液浸型露光装置における保持台の洗浄方法 |
JP2006133661A (ja) | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Minebea Co Ltd | カラーホイールおよびその製造方法と製造用治具 |
US7414699B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-08-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7362412B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system |
JP4555903B2 (ja) * | 2004-12-02 | 2010-10-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101339887B1 (ko) * | 2004-12-06 | 2013-12-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 노광 장치, 및디바이스 제조 방법 |
US7234452B2 (en) * | 2004-12-20 | 2007-06-26 | Eaton Corporation | Controlling vapor emission in a small engine fuel tank system |
JP2006210408A (ja) | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Nikon Corp | 投影光学系の検査装置、及び投影光学系の製造方法 |
JP2006210782A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Jsr Corp | 液浸露光用液体および液浸露光方法 |
JP2006310706A (ja) | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Nikon Corp | 光学部品の洗浄方法、液浸投影露光装置および露光方法 |
US20060250588A1 (en) * | 2005-05-03 | 2006-11-09 | Stefan Brandl | Immersion exposure tool cleaning system and method |
US7315033B1 (en) | 2005-05-04 | 2008-01-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for reducing biological contamination in an immersion lithography system |
WO2006122578A1 (en) | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Freescale Semiconductor, Inc. | Contaminant removal apparatus and method therefor |
JP4255459B2 (ja) | 2005-06-15 | 2009-04-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
US20070085989A1 (en) | 2005-06-21 | 2007-04-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method |
US20070002296A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography defect reduction |
US20070004182A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and system for inhibiting immersion lithography defect formation |
US7262422B2 (en) | 2005-07-01 | 2007-08-28 | Spansion Llc | Use of supercritical fluid to dry wafer and clean lens in immersion lithography |
DE102005031792A1 (de) | 2005-07-07 | 2007-01-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Entfernung von Kontamination von optischen Elementen, insbesondere von Oberflächen optischer Elemente sowie ein optisches System oder Teilsystem hierfür |
JP2007029973A (ja) | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Sony Corp | レーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法 |
JP4752374B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | 露光装置、液体保持方法、及びデバイス製造方法 |
JP4687334B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2011-05-25 | Jsr株式会社 | 液浸露光用液体および液浸露光方法 |
JP2007096254A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-04-12 | Nikon Corp | 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2007088328A (ja) | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Toshiba Corp | 液浸型露光装置の洗浄方法 |
JP2007103658A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Canon Inc | 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法 |
US7986395B2 (en) * | 2005-10-24 | 2011-07-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography apparatus and methods |
CN1963673A (zh) | 2005-11-11 | 2007-05-16 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 浸润式微影曝光设备及方法 |
JP2007142217A (ja) | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | イマージョン式リソグラフィ露光装置およびその方法 |
JP2007150102A (ja) | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Fujitsu Ltd | 露光装置及び光学素子の洗浄方法 |
US8125610B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-02-28 | ASML Metherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
US7462850B2 (en) | 2005-12-08 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Radical cleaning arrangement for a lithographic apparatus |
US7405417B2 (en) | 2005-12-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination |
US20070146658A1 (en) * | 2005-12-27 | 2007-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US7522263B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
JP4704221B2 (ja) | 2006-01-26 | 2011-06-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2007227543A (ja) | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Toshiba Corp | 液浸光学装置、洗浄方法及び液浸露光方法 |
JP2007227580A (ja) | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Sony Corp | 液浸型露光装置および液浸型露光方法 |
KR20080114691A (ko) | 2006-03-13 | 2008-12-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 메인터넌스 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP2007266074A (ja) | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び液浸リソグラフィーシステム |
JP2007294817A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Sokudo:Kk | 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置 |
US7628865B2 (en) | 2006-04-28 | 2009-12-08 | Asml Netherlands B.V. | Methods to clean a surface, a device manufacturing method, a cleaning assembly, cleaning apparatus, and lithographic apparatus |
WO2007135990A1 (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
US7969548B2 (en) * | 2006-05-22 | 2011-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method |
JP5019170B2 (ja) | 2006-05-23 | 2012-09-05 | 株式会社ニコン | メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2007317987A (ja) | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Sokudo:Kk | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20090025804A1 (en) * | 2006-06-12 | 2009-01-29 | Anthony Caminiti | Cleaning related apparatus |
US8564759B2 (en) * | 2006-06-29 | 2013-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
KR20090033170A (ko) | 2006-06-30 | 2009-04-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 메인터넌스 방법, 노광 방법 및 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8011377B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US7866330B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8947629B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US7900641B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US7916269B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method |
US20090025753A1 (en) | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method |
SG151198A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-30 | Asml Netherlands Bv | Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus |
NL1035942A1 (nl) | 2007-09-27 | 2009-03-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus. |
JP5017232B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-09-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置 |
NL1036273A1 (nl) * | 2007-12-18 | 2009-06-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus. |
NL1036306A1 (nl) | 2007-12-20 | 2009-06-23 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus. |
US8339572B2 (en) | 2008-01-25 | 2012-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8654306B2 (en) | 2008-04-14 | 2014-02-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method |
NL2005610A (en) | 2009-12-02 | 2011-06-06 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and surface cleaning method. |
-
2007
- 2007-06-29 US US11/819,959 patent/US7900641B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-29 US US11/819,949 patent/US9013672B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-29 US US11/819,954 patent/US7841352B2/en active Active
-
2008
- 2008-04-22 TW TW101110471A patent/TW201234414A/zh unknown
- 2008-04-22 TW TW97114672A patent/TWI385711B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-04-24 JP JP2008114096A patent/JP4686571B2/ja active Active
- 2008-04-30 CN CN2008100949783A patent/CN101299133B/zh active Active
- 2008-05-02 JP JP2008120668A patent/JP4912352B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-02 JP JP2008120654A patent/JP4908454B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-02 KR KR20080041294A patent/KR101024566B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-02-26 KR KR1020100017706A patent/KR20100039311A/ko not_active Application Discontinuation
-
2011
- 2011-02-14 JP JP2011028118A patent/JP5036885B2/ja active Active
- 2011-04-20 JP JP2011093700A patent/JP5097843B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-16 JP JP2011134159A patent/JP5323894B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-16 JP JP2011134129A patent/JP5198624B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006523031A (ja) * | 2003-04-11 | 2006-10-05 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法 |
JP2005005713A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2006528835A (ja) * | 2003-07-24 | 2006-12-21 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および浸漬液体を浸漬空間へ導入する方法 |
JP2006032750A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Canon Inc | 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2006179909A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置とデバイス製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009141356A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
JP2011029599A (ja) * | 2009-05-14 | 2011-02-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び装置の動作方法 |
US8564757B2 (en) | 2009-05-14 | 2013-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus |
JP2011003759A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Nikon Corp | 部材の洗浄方法、露光方法、デバイス製造方法、および洗浄液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5097843B2 (ja) | 2012-12-12 |
US20080271750A1 (en) | 2008-11-06 |
JP5198624B2 (ja) | 2013-05-15 |
JP2011097108A (ja) | 2011-05-12 |
JP2008277819A (ja) | 2008-11-13 |
TW200845129A (en) | 2008-11-16 |
US9013672B2 (en) | 2015-04-21 |
JP5036885B2 (ja) | 2012-09-26 |
JP2008294439A (ja) | 2008-12-04 |
JP4908454B2 (ja) | 2012-04-04 |
KR20100039311A (ko) | 2010-04-15 |
TWI385711B (zh) | 2013-02-11 |
KR20080098324A (ko) | 2008-11-07 |
JP2011238940A (ja) | 2011-11-24 |
JP4686571B2 (ja) | 2011-05-25 |
JP2011187971A (ja) | 2011-09-22 |
JP4912352B2 (ja) | 2012-04-11 |
US20080273181A1 (en) | 2008-11-06 |
CN101299133B (zh) | 2012-07-25 |
JP2011238939A (ja) | 2011-11-24 |
US7841352B2 (en) | 2010-11-30 |
US7900641B2 (en) | 2011-03-08 |
US20080271747A1 (en) | 2008-11-06 |
TW201234414A (en) | 2012-08-16 |
CN101299133A (zh) | 2008-11-05 |
JP5323894B2 (ja) | 2013-10-23 |
KR101024566B1 (ko) | 2011-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5198624B2 (ja) | 洗浄装置、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置洗浄方法 | |
KR101213594B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치 클리닝 방법 | |
US8947629B2 (en) | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method | |
JP5102247B2 (ja) | 液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
US7866330B2 (en) | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method | |
US20110292359A1 (en) | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101221 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110315 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110318 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110420 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110425 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120110 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120112 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4908454 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |