TW201234414A - A cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method - Google Patents

Description

201234414 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一種用於清潔微影裝置之 方法。 本申請案主張2007年5月4曰申請之美國臨時專利申請案 第60/924,244號’名為”微影裝置及微影裝置清潔方法 (Lithographic Apparatus and Lithographic Apparatus Cleaning Method)"的優先權及權利。該申請案之全部内容 以引用之方式併入本文中。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案施加至基板上（通常施加至基板 之目標部分上）的機器。微影裝置可用於（例如）積體電路 (1C)之製造中。在該情況下，圖案化器件（其或者被稱作光 罩或主光罩）可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖 案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分 (例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒）上。圖 案之轉印通常係、經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料 (抗蝕劑)層上。—般而言’單一基板將含有經順次圖案化 之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進 器’其中藉由—次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射 每-目標部分；及所謂的掃描器’其中藉由在給定方向 (掃柄方向）上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平 行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有 可月b措由將圖案壓印至基板上來蔣Jg|宏 Φ微上水將圔案自圖案化器件轉印 161153.doc 201234414 至基板。 已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對較高折 射率之液體（例如，水）中，以便填充投影系統之最終元件 與基板之間的空間β因為在液體中曝光輻射將具有更短波 長，所以此情形之要點為致能更小特徵之成像。（液體之 效應亦可被視為增加系統之有效ΝΑ且亦增加焦點深度。） 已提議其他浸沒液體，包括懸浮有固體粒子（例如，石英） 之水。 然而，將基板或基板與基板台浸沒於液體浴中（例如， 見美國專利第4,509,852號）意謂在掃描曝光期間存在必須 被加速之大量液體。此需要額外或更強大之馬達且液體 中之紊流可能導致不良且不可預測之效應。 所提議之解決方案中之一者係使液體供應系統使用液體 限制系統而僅在基板之區域化區域上及在投影系統之最終 元件與基板之間提供液體（基板通常具有比投影系統之最 終元件大的表面面積）^在PCT專利申請公開案第w〇 99/49504號中揭示一種經提議以針對此情形所配置之方 式。如圖2及圖3所說明，液體藉由至少—入口以而供應至 基板上（較佳地沿著基板相對於最終元件 在投影系統下穿過之後藉由至少一出口贿移動二^ 隨著在·Χ方向上於元件下方掃描基板，在元件之+χ側處 供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示液體經 由入口m被供應且在元件之另一側上藉由連接至低壓源之 出口 out被吸取的配置。在圖2之說明中，沿著基板相對 161153.doc 201234414 於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此狀況。 圍繞最終元件所定位之入口及出口之各種定向及數目為可 能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案 來提供在任一側上入口與出口之四個集合。

圖4中展示具有區域化液體供應系統之另一浸沒微影解 決方案。液體藉由投影系統PL之任一側上的兩個凹槽入口 IN供應，且藉由自入口 IN徑向向外所配置之複數個離散出 口0UT移除。可在中心中具有孔之板t配置入口 IN及 OUT，且經由該孔而投影投影光束。液體藉由投影系訊 之一側上的—凹槽人口1N供應，且藉由投影系統PL之另— 側上的複數個離散出口OUT移除，從而導致液體薄膜在投 影系統PL與基板W之間的流動。對使用入口 IN與出口 0UT 之哪一組合的選擇可視基板w之移動方向而以人σΙΝ與 出口 OUT之另一組合為不活動的）。 在歐洲專利申請公開案第EP 142〇3〇〇號及美國專利申請 a開案第US 20〇4_〇136494號中，揭示了複式平台或雙平 台浸沒微影裝置之觀念，該料利 又 :全部内容以引用方式併入本文中。該裝置具備 ::之兩個台。在無浸沒液體之情況下藉由第一位置處之 行調平UeVeling)量測，且在存在浸沒液體之情況下 :。-位置處之台來執行曝光。或者，裝置僅具有一個 浸沒液體可自微影 幵碎片或粒子（例如 裝置及/或基板或腐钮組件之部分提 ，自製造過程所留下），以便引入粒 16II53.doc 201234414 子。此碎片可在成像之後接著留在基板上，或可在懸浮於 投影系統與基板之間的液體中時干擾成像。因此，應在浸 沒微影裝置中處理污染問題。 【發明内容】 需要（例如）提供一種可經容易且有效地清潔之微影裝 置，以及提供一種用於有效地清潔浸沒微影裝置之方法。 根據本發明之一態樣，提供一種用以清潔浸沒微影投影 裝置之裝置’纟包含：超高頻音波傳感器’超高頻音波傳 感器經組態以清潔浸沒微影裝置之表面；液體供應系統， 液體供應系統經建構及配置以在超高頻音波傳感器與待清 潔之表面之間供應液體；及清潔液體出口，清潔液體出口 經組態以容納清潔流體流出。 根據本發明之一態樣，提供一種浸沒微影投影裝置其 包含.基板台，基板台經建構及配置以固持基板；投影系 統’投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板 超问頻θ波傳感器，超高頻音波傳感器經組態以清潔 ，面’液體供應系、統’液體供應系統經建構及配置以在超 门頻曰波傳感器與待清潔之表面之間供應液體；及清潔流 體出口’清潔流體出口經組態以允許清潔流體流出。 。。才f據本發明之_ @樣，提供—種使用自超高頻音波傳感 盗所發出之超高頻音波來清潔浸沒微影投影裝置之表面的 方法’其包含：將待清潔之表面及超高頻音波傳感器之表 面復蓋於液體中；將超高頻音波引入至液體中丨及經由鄰 接待清潔之表面的液體出σ而提取液體。 161153.doc 201234414 根據本發明之—態樣，提供—種用以清潔微影投影裝置 之組件之表面的清潔器# ’清潔器件包含：液體流動引發 器件’液體流動引發器件經組態以形成鄰近表面之液體流 動，及曰波傳感器，音波傳感器經組態以經由液體而將音 波發射至表面上。 人根據本發明之-態樣，提供-種微影投影裝置，其包 含：基板台，基板台經建構及配置以固持基板；投影系 統’投影系統經組態以將經㈣化㈣光束投影至基板 上；及清潔器件’清潔器件用以清潔微影投影裝置之組件 的表面，清潔器件包含：液體流動引發器#，液體流動引 :器件經組態以形成鄰近表面之液體流動；及音波傳感 益’音波傳感器經組態以經由液體而將音波發射至表面 根據本發明之一態樣，提供一種清潔微影投影裝置之組 表面的方法’ 5亥方法包含：在表面上提供液體；在液 體中引發流動；及經由液體而提供音波。 根據本發明之—態樣，提供—種清潔微影裝置之物件之 ::的方法，該方法包含：在待清潔之表面與音波傳感器 4供包括第-添加劑之液體；將音波自傳感器發射至 面上；在待清潔之表面與音波傳感器之間提供包括不同 :一添加劑之第二添加劑的液體；及將音波自傳感器發 射至表面上。 根據本發明之一能嫂，拉说 _ —八'了、/ 办直 ， 吞 曰波傳感器，音波傳 Α得U态具有在使用中面向待清潔 . 〈心樣如供一種微影投影裝置，其包 之 J6I I53.doc 201234414 表面的面；液體供應系統，液體供應系統經組態以在音皮 傳感器與待清潔之表面之間提供液體；及提取器，提取器 經組態以自音波傳感器與表面之間移除液體，提取器之入 口經定位成使得在使用中形成液體在傳感器與大體上朝向 傳感器之面之中心的表面之間的徑向向内流動。 【實施方式】 現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之 實施例’在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。 該裝置包含： 照明系統（照明器）IL，其經組態以調節輻射光束B(例 如’ UV輻射或DUV輻射）； 支撐結構（例如，光罩台）MT，其經建構以支撐圖案化器 件（例如，光罩）MA且連接至第一定位器pM，第—定位器 PM經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件；° 基板台（例如，晶圓台）WT，其經建構以固持基板（例 如，塗覆抗蝕劑之晶圓）W且連接至第二定位器pw，第二 定位器PW經組態以根據某些參數來精確地定位基板丨及 投影系統（例如，折射投影透鏡系統）PS，其經組態以藉 由圖案化器件MA來將被賦予至輻射光束B之圖案 板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒）上’。、、’ 土 照明系統可包括用於引導、成形或控_之各種類型 的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其 他類型之光學組件，或其任何組合。 16H53.doc 201234414 支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其 他條件（諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中）而定的 方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空'靜 電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為（例 如）框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐 結構可確保圖案化器件（例如）相對於投影系統而處於所要 位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均 與更通用之術語"圖案化器件"同義。 本文所使用之術語”圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代 了用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在 基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如， 右被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特 u，則該圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的 所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標 β分中所形成之器件（諸如，積體電路）中的特定功能層。 圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括 光罩 '可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在 微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移 之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列 之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者 可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輕射光束。傾 斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。 本文所使用之術語"投影系統”應被廣泛地解釋為涵蓋任 於何類型之投影系统’包括折射、反射、反射折射、磁性、 161153.doc 201234414 電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝 光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其 他因素。可認為本文對術語”投影透鏡”之任何使用均與更 通用之術語”投影系統"同義。 如此處所描繪，該裝置為透射類型（例如，使用透射光 罩）。或者，該裝置可為反射類型（例如，使用如以上所提 及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩）。 微影裝置可為具有兩個（雙平台）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上支撐結構）之類型。在該等"多平台"機器 中，可並行地使用額外台及/或支撐結構，或可在一或多 個台及/或支撐結構上執行預備步驟，同時將一或多個其 他台及/或支撐結構用於曝光。 參看圖1，照明器仏自輻射源so接收輻射光束。舉例而 :：輻射源為準分子雷射器時’輻射源與微影裝置可為 早獨實體。在該等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之 一部分，且輻射光束借助於包含（例如）適當引導鏡面及/或 光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源s〇傳遞至照明 器IL。在其他狀況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源 可為微影裝置之整體部分。輻射源S〇及照明器虬連同光束 傳送系統BD(需要時）可被稱作輻射系統。 器江可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整 通常’可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的 照明 器AD。 至少外部徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別被稱作〇 外部及σ内部此外’照明器IL可包含各種其他組件（諸 161153.doc •10· 201234414 如，積光器IN及聚光器c〇)。照明器可用以調節輻射光 束’以在其橫載面中具有所要均一性及強度分布。 輻射光束B入射於被固持於支撐結構（例如，光罩台）MT 上之圖案化器件（例如，光罩）MA上，且由圖案化器件圖案 化。在橫穿圖案化器件MA後，輻射光束B穿過投影系統 PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分^上。借 助於第二定位器PW及位置感測器if(例如，干涉量測器 件、線性編碼器，或電容式感測器），基板台WT可精確地 移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部 分C。類似地，第一定位器？河及另一位置感測器（其未在 圖1中被明確地描繪）可用以（例如）在自光罩庫之機械掏取 之後或在掃描期間相對於輻射光束3之路徑來精確地定位 圖案化器件MA。-般而言，可借助於形成第一定位器讀 之一部分的長衝程模組（粗略定位）及短衝程模組（精細定 :)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二 疋位态PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基 板台WT之移動。在步進器（與掃描器相對）之狀況下，支撐 結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使 用圖案化器件對準標記M1、奶及基板對準標記Η、以 對準圖案化器件MA及基板WMtf如所說明之基板對準 標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間 中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上曰 粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準： 記可位於該等晶粒之間。 Π 16N53.doc 201234414 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一 次性投影至目標部分c上時，使支撐結構MT及基板台WT 保持基本上靜止（亦即，單次靜態曝光）。接著，使基板台 WT在X及/或γ方向上移位，使得可曝光不同目標部分c。 在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所 成像之目標部分c的尺寸。 2 ·在掃馬模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至 目標部分c上時，同步地掃描支撐結構]^丁及基板台WT(亦 即，單次動態曝光）。可藉由投影系統”之放大率（縮小率） 及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構]^丁之速 度及方向。在掃描模式中’曝光場之最大尺寸限制單次動 態曝光中之目標部分的寬度（在非掃描方向上），而掃描運 動之長度判定目標部分之高度（在掃描方向上）。 3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至 目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固 持可程式化圖案化器#，且移動或掃描基板台WT。在此 模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一 移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更 新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可 权式化圖案化器件（諸如’如以上所提及之類型的可程式 化鏡面陣列）之無光罩微影術。 亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或 完全不同的使用模式。 161153.doc ⑧ -12- 201234414 已提議之具有區域化液體供應系統解決方案的另一浸沒 微影解決方案m為提供具有障壁部件之液體供應系統，障 壁部件沿著投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊 界之至少-部分延伸。圖5中說明該解決方案。障壁部件 在xy平面中相對於投影系統而大體上靜止，但在z方向上 (在光軸之方向上）可能存在某相對移動。在一實施例中， 密封件形成於障壁部件與基板之表面之間，且可能為諸如 氣體密封件之無接觸密封件。 障壁部件12在投影系統PS之最終元件與基板歡間的空 間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統之影像場而 形成至基板之無接觸密封件16，使得液體被限制於基板表 面與投影系統之最終元件之間的空間内。藉由在投影系統 ps之最終元件下方及圍繞投影系統ps之最終元件所定位的 障壁部件12來至少部分地界限或形成空間。液體藉由液體 入口 13而被帶進投影系統下方及障壁部件12内之空間且可 藉由液體出口 13移除。障壁部件12可延伸至略高於投影系 先之最、.s 7C件’且液體位準上升至高於最終元件，使得提 供：體緩衝。障壁部件12具有内部周邊，在—實施例中， 内^周邊在上部末端處緊密地符合投影系統或其最终元件 形狀，可(例如)為圓形。在底部處，内部周邊緊密地符 D景:像：之形狀，例如，矩形’但並非需要為此狀況。 j由氣體密封件16而在空間11中含有液體，氣體密封件 使用期間形成於障壁部件12之底部與基板％之表面之 間。亂體密封件係由氣體（例如’空氣或合成空氣）形成， 161153.doc •13· 201234414 但在一實施例中’由N2或另一惰性氣體形成，氣體經由入 口 15而在壓力下提供至障壁部件12與基板之間的間隙且經 由出口 14被提取。氣體入口 15上之過壓、出口 14上之真空 位準及間隙之幾何形狀經配置成使得存在限制液體之向内 高速氣體流動。彼等入口 /出口可為圍繞空間丨〗之環形凹 槽，且氣體流動16對於在空間11中含有液體為有效的。美 國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示該系統。 如上文所述，浸沒微影裝置為經由液體而成像基板之裝. 置。亦即，浸沒液體提供於投影系統Ps之最終元件與基板 之間。此配置可引起一或多個特定問題。詳言之，液體應 被限制於裝置中’且液體亦應儘可能保持無外物粒子，該 等粒子可在成像期間及/或藉由在成像之後及在下游處理 之前留在基板表面上而導致缺陷。有時，浸沒液體故意地 包括懸浮粒子。 種處理外物粒子問題之方式為藉由將清潔液體施加至 待清潔之表面及/或將音波（超音波或超高頻音波）引入至液 體中以清潔表^清潔液體可能或可能不與浸沒液體相 同。其可（例如）為超純水。 與超音波相比，超高頻音波產生空化氣泡(其 動）’其極小且因此可極接近於待清潔之表面。然而，存 :對可使用超高頻音波而引入至液體中之能量的限制。通 常’儘管超音波能量可引人至液體中之任何處且將分布於 1個液體中，但超高頻音波能量僅區域地較高且因此必須 直接被引導至待清潔之表面。亦即，纟引人超高頻音波之 161153.doc 201234414 傳感15與待清潔之表面之間必須存在直接路徑（視線/直 線）。該路徑之整個長度應填充有液體。 超面頻音波頻率通常被視為在750 kHz至3 MHz之間。為 了本目的’使用高於約750 kHz、高於1 MHz或高於1.5 MHz之頻率。 隨著經引入音波能量之頻率增加，接近待清潔之物件之 表面之清潔流體中的停滯邊界層變得更薄。在超高頻音波 頻率下，藉由超高頻音波脈衝及在清潔流體中具有高速壓 力波之聲射流以及氣泡振誠在更低程度上之空化與氣泡 爆裂來部分地實現清潔。 在超高頻音波頻率下，直徑小於μιη之粒子可被移 除:。而不損壞經清潔之表面。如以上所提及，應存在自傳 感器至經清潔之表面的清晰路徑（視線）。為了進—步增加 清潔效率，可將氣體溶解至液體中以促進空化(氣：形 二：！氣體包括氮、二氧化碳或氧及彼等氣體之混合 ι空氣），但其他氣體亦可為適當的，諸如，臭氧或 劑、肥皂)、酸、鹼或溶劑(諸如，非極性有 機=或極性有機溶劑）或叫溶液或任何 = 品可進-步增強清潔效率。在清潔液體中使用： 劑或添加h2o2溶液可推進流 岭 有機污染。另-實例為次氣酸鹽 错此幫助移除 亦有可能(例如)藉由添加具有比液體(例 性的液體可混溶溶劑(例如’水可混溶溶劑)來二 161I53.doc 15 201234414 體極性，液體可混溶溶劑之實例包括乙醇、酮、有機酸、 胺，等等。乙醇之實例包括：二乙二醇單丁醚及/或乙氧 基化二級C12-14乙醇，例如，烷氧基聚伸乙基氧基乙醇。 添加該添加劑之一潛在問題為所得清潔流體之更低閃點。 因此，添加具有尚閃點之有機基添加劑以便改變清潔流體 特！·生而不導致易燃性危險為所要的。該添加劑可包括甲 基。比嘻__P)、乙二醇趟，等等。當然，可將其他系 加劑添加至液體。舉例而言，可能需要添加在待移除之一 f多料定污染物上具有特定化學攻擊之化學品。舉例而 吕，可藉由諸如f基乙基酮、乙酸乙酷及/或丙嗣之化學 品來移除抗敍劑粒子。在-實施例中，液體可為水、二乙 二醇單丁醚及C12·14二級乙氧基化乙醇（諸如，TLDr_ A001 或 TLDR-A001-C4，甘 at , ，、由 Tokyo 〇hko Kogy〇 Co·, Ltd. 製造）的混合物》 · /本發明之—實施例中，以多步驟方式來執行表面之清 办’其中在不同步驟期間移除不同污染物。因此，在第— 步驟中，使用具有第—特定添加劑之液體來移除第—污汰 物。接著，使用音波而經由 水 弟特疋添加劑之液體來 /月為表面。在第二步驟中 之門#用良女/驟中纟日波傳感器與待清潔之表面 之間使用具有不同於篦― 杨劑且經設計以攻擊不同污染 物之弟—添加劑的液體 ’、 可此或可能沒有必要在 且 同之第一添加劍盘笛__、Λ丄由丨 马不 丨/、第一添加劑可能不相容 洗表面。唁i車嬙，主如μ Α 伙體之間冲 4連續清«略可導致高總粒子移除。 161I53.doc -16· 201234414 可能想要在浸沒微影裝置中清潔之物件包括（但不限於） 支撐基板w之基板台臂丁的一或多個部分（其頂部表面）、在 成像期間浸沒於浸沒液體中之投影系統Ps的最終元件及/ 或在成像期間於投影系統PS之最終元件與 液體的液體限制系統(例如，圖2至圖5所說明之：制 系統）。以下將關於清潔基板台之頂部表面及障壁部件來 描述本發明之—或多項實施例，但本發明不限於僅清潔基 板台及障壁部件。 在一實施例中，液體供應系統在音波傳感器與待清潔之 $面之間提供液體。在實施例中，液體供應系統提供液體 机動，使付隨著清潔表面而移除液體，使得運走自表面所 移除之粒子。一適當液體為以超純形式之水。然而，1他 類型之液體可為適當的。此外，對液體之添加物（諸如， 如以上所提及之界面活性劑）亦可具有優點。其他清潔液 體包括（例如）水/過氧化氫、水/乙醇、水/異丙醇_)、水/ 或水/丙酮混合物。可用作添加物之其他化學品包括 氫氧化四曱基銨（TMAH)及SC-ι或SC-2。 將氣體(或某些溶劑)引入至液體中之-原因在於此促進 穩定二化。此導致穩定氣泡形成於液體中。此等氣泡接著 由超冋頻音波振動’其導致可能比所謂的瞬間空化(其為 a d /飞化成氣泡且接著爆聚或崩潰之空化）對經清潔之表 面=仃少相壞的清潔。此等猛烈爆聚可導致表面之損壞且 :吊在超音波頻率下所見且在超高頻音波頻率下較不顯 著在超局頻音波頻率下，所產生之氣泡傾向於比在超音 161 J53.doc •17· 201234414 波頻率下所產生之氣泡小。然而，如上文所述，應在待清 潔之表面之視線内供應超高頻音波。 高達100秒之處理時間可導致在約！ MHz之頻率下高達 100%的粒子移除效率。若聲頻遠遠超過3 MHz以上，則粒 子移除效率與僅高於！ MHz之頻率相比可顯著地降低。將 氣體引入至液體令具有對粒子移除效率之主要效應。 34 nm直徑之Si〇2粒子的移除可自零移除效率增加至移 除效率，其中在20 ppm之位準下之氧引入至液體中。因 此，高於約5 ppm之氣體濃度可為有用的。 溫度亦可為值得注意的，且應在高溫下經溶解之較少氣 體上在高溫（例如，55t)下之更快反應時間之間取得平 衡。 亦存在液體之pH之效應。在低pH下，在液體中存在許 多Η離子，其導致正表面電荷。類似地，在高下，液體 含有許多OH·離子，其導致負表面電荷。因此，確保液體 之pH遠離於pH 7會增加粒子在其已被移除之後的再沈積不 會出現的可能性。此外，粒子及表面均被相等地充電（正 充電或負充電）時粒子與表面之間的靜電推斥輔助自表面 提昇粒子。 傳感器之功率理想地在0.2 W/cm2與5 W/cm2之間，照射 距離在5 nm與20 nm之間，且清潔時間在1〇秒與9〇秒之 間。對於自超高頻音波傳感器行進至待清潔之表面的直接 路把之來自超高頻音波傳感器的聲波，若干設計經提議以 清潔浸沒微影裝置之不同部分。 161153.doc •18- 201234414 超尚頻音波清潔器良好地適合於自表面移除粒子。 圖6說明用以清潔（例如）基板台WT之頂部表面的裝置， 基板台wt包含可收縮障壁8〇，可收縮障壁8〇在其清潔位 置中延伸至尚於且圍繞基板台WT2待清潔之頂部表面。 -旦障壁80已上升至其清潔位置’則液體可提供於待清潔 之表面上，且超高頻音波傳感器2〇可在基板台wt之表面 上移動（在方向25上）(其中傳感器2〇之底部表面由液體覆 蓋），及/或基板台WT可在傳感器2〇下移動，藉此以清潔基 板台WT之頂部表面。當然，類似配置為可能的，其令障 壁80不為可收縮的且永久性地附著至基板台為可移 除部分。傳感器20可為固定或可移動的(特定地在z方向 上）及/或亦可在清潔操作期間於χ/γ軸中移動。 當清潔基板台WT之頂部表面時，亦有可能同時清潔提 供於基板台WT之頂部表面上的-或多個感測器。感測器 之類型之實例包括透射影像感測器、透鏡干涉計，及/或 光點感測器。 可能有用的為確保由傳感器所產生之聲波在9(Γ下撞擊 至_之表面上。為此㈣，測微計可經提供以調整傳 感益20相對於待清潔之表面的傾斜。在裝置之—設叶中， 可能有利的為提供相對於表面所傾斜之傳感器，：再次： 此可使用測微計來調整。測微計亦可用以調整自傳感器至 待清潔之表面的距離。 舉例而言，2刪年5月22日申請之美國專利t請案第 咖，876號令處理浸沒微影裝置中之污染問㈣此申 16I153.doc 19 201234414 請案中，微影裝置具有經組態以容易且有效地清潔表面之 超南頻音波傳感器。超高頻音波傳感器良好地適合於自表 面移除粒子。然而，粒子有時可能再沈積且自身再附著至 經清潔之表^若流體流動未被精確地控制，則再沈積易 :出見其通常在零流動速度之一或多個位置（停滞區）處 或在流體與氣體(例如’空氣)之界面處發生。因此，需要 在超高頻音波傳感器與經清潔之表面之間提供液體流動。 詳言之，需要設計裝£以使得不存在㈣動速度之位置 (停滯區）。 需要藉由（例如）提供微影裝置來緩解粒子自身再附著之 上述問題，在微影裝置中，清潔流體之流動經有效地控 制，以便最小化污染物粒子在經清潔之表面上的再沈積。 亦需要在㈣員1_器與經清潔之表面之間提供液體 流動，使得快速地運走懸浮有粒子之液體。因此，減少零 *IL動速度之位置（停滯區）的數目且避免再沈積。 根據本發明之一態樣，提供一種用於清潔浸沒微影投影 裝置之裝置，其包含：超高頻音波傳感器，超高頻音波傳 感器經組態以清潔浸沒微影裝置之表面；液體供應系統， 液體供應系統經建構及配置以在超高頻音波傳感器與待清 潔之表面之間供應液體；及清潔液體出口，清潔液體出口 經組態以容納清潔流體流出。清潔液體出口鄰接待清潔之 表面。將超高頻音波傳感器之表面及待清潔之表面浸沒於 用於清潔之清潔液體中。 根據本發明之一態樣，提供一種浸沒微影投影裝置，其 161153.doc -20· 201234414 包含：基板台’基板台經建構及配置以固持基板；投影系 統，投料統經組態以將經㈣化輻射光束投影至基板 上超冋頻曰波傳感器，超高頻音波傳感器經組態以清潔 =面；液體供應系統’液體供應系統經建構及配置以在超 南頻音波傳感器與待清潔之表面之間供應液體；及清潔流 體出口，清潔流體出口經組態以允許清潔流體流出。清潔 流體出口鄰接待清潔之表面。在清潔期間將超高頻音波傳 感器之表面及待清潔之表㈣沒於清潔液體中。 根據本發明之-⑮樣，提供—種使用自超高頻音波傳感 器所發出之超高頻音波來清潔浸沒微影投影裝置之表面的 方法’其包含··將待清潔之表面及超高頻音波傳感器之表 面覆蓋於液體中；將超高頻音波引人至液體中；及經由鄰 接待清潔之表面的液體出口而提取液體。 7在圖6所示之裝置之變化中，清潔液體3G在傳感器⑼與 待清潔之表面之間流動。圖7展示—設計，其中超高頻音 波傳感器2G S]持於界定經清潔之區域A的基板台WT(例 ^鏡面區塊）之頂部表面之—部分上。超高頻音波傳感 器之下部表面浸沒於被固持於儲#器中之清潔液體3〇中。 朝向儲集器之側且遠離於傳感器2〇而經由位於儲集器之表 面中之-或多個出口 10來提取清潔流體3Q。因為超高頻音 波傳感器20小於待清潔之基板台WT ,所以必須到處移動 傳感器及/或基板台。 氣體/液體（例如，空氣/水）界面對粒子（再）沈積尤為敏 感。隨著跨越基板台WT之表面而移動超高頻音波傳感器 161153.doc 2! 201234414 2〇(及/或反之亦然），氣體/液體界面越過臨界經清潔區 域。污染物（其中一些已自基板台WT被移除）可沈積於氣體/ 液體界面下之基板台WT表面上，在經清潔之表面與一或 多個出口之間。 圖8展示一裝置’其中超高頻音波傳感器20之面向基板 台的表面浸沒於清潔液體中，使得在傳感器2〇與基板台 WT之間不存在氣體（例如，空氣）/液體界面。在此裝置 中’ k供可為超尚頻音波傳感器之音波傳感器2〇。液體3〇 提供於基板台WT之頂部表面上。在所說明裝置中，提供 於基板台（且可為可移除或可收縮的）上之障壁8〇防止液體 3〇逃逸。液體自音波傳感器2〇被徑向向外提供，且可（例 如）提供於接近於障壁80之位置處。 有利的為在經清潔之表面與音波傳感器2〇之面向待清潔 之表面的表面之間具有液體流動35。詳言之，液體3〇之移 動理釔地朝向粒子之更局濃度區域且朝向仍由音波所照射 之區域。在存在液體/空氣界面之情況下，此配置可為特 定地所需的。此係因為已自表面所移除之污染物粒子不朝 向液體/空氣界面遷移，使得改良清潔。在圖8之實施例 中，此係藉由經由大體上穿過音波傳感器2〇之中心的管路 或s道100(或至少使得其由音波傳感器圍繞）而提取液體來 達成。音波傳感器20經說明為單一傳感器，但當然，其可 經提供為圍繞中心軸線而鄰近於彼此所定位之若干音波傳 感器中〜軸線垂直於待清潔之表面且與圖8所說明之管 路100同軸。當然，管路100亦可自中心軸線偏移。 161153.doc -22· 201234414 p傳感咨20具有大體上中心提取管道⑽，其中出口⑽ .^於其下表面中。出口 _接、鄰近於或緊接频清潔之 ^或s S道100之另一末端連接至（例如）濕式真空（亦 ί7提取益）。經由出口 1〇而向上抽取液體，從而導致清 潔液體朝向超.高頻音波傳感器2〇之中心而在傳感器2〇下流 動因此，自基板台W丁之表面所釋放之污染物在其可再 沈積回至基板台WT之頂部表面之經清潔的表面上之前藉 由液體3 0之流動被移除。 一因為超高頻音波為方向性的’所以清潔理想地直接在超 间頻s波之路徑線中經區域化或區隔化至基板台之表面。 在圖8所示之裝置中，待清潔之表面直接在傳感器π下 方因此，直接在傳感器20下之清潔流體中的粒子濃度 问而在傳感器旁邊之濃度低。在徑向流動3 5之影響下， 朝向最受污染區域（其在提取管道出口 1〇之區域中）而引導 總體流體流動（bulk liquid flowp在傳感器下流動之液體 3 〇可展現徑向流動。 在圖8所示之配置中，有利地在基板台WT之經清潔之區 域中及自基板台之經清潔之區域至通至提取管道1〇〇的出 口 10不存在氣體（例如，空氣）/液體界面。可在離線清潔裝 置中實施此裝置。為了使用離線清潔裝置，將清潔裝置緊 固至基板台WT。可在清潔期間自微影裝置移除基板台 WT。可於在線配置中實施此裝置之變體。 在圖8之裝置中’管道1〇〇連接至受壓源（濕式真空），且 此導致液體朝向與管路1 〇〇同軸之中心軸線的徑向向内流 161153.doc •23· 201234414 動。然而，其他類型之流動亦可出現，例如，漩渦類型流 動其中液體朝向與官路1 00同軸之軸線而向内流動(以一 分量）’但不精確地徑向流動。 儘管圖8中以經由音波傳感器20之中心所定位之管道1〇〇 來說明，但其他配置為可能的。舉例而言，可經由經清潔 之表面自身而提取液體。然而，該裝置更適合於相對於待 清潔之表面A來固定音波傳感器2〇之位置的情況。應瞭 解▲藉由曰波傳感器20來清潔基板台WT之頂部表面（其 在計劃中小於基板台之頂部表面）時，可如箭頭25所說明 相對於基板台WT來移動音波傳感器20(及/或反之亦然）， 使得可清潔基板SWT之頂部表面的全部。 所需的為液體自污染物粒子之低濃度區域朝向粒子之高 濃度區域的向内流動35。粒子之低濃度區域包括自音波傳 感器20之中心軸線徑向向外之區域，其中音波不將粒子自 經清潔之表面A分離。粒子之高濃度區域包括諸如在音波 傳感器20與經清潔之表面A之間的區域。以此方式，清潔 液體補給受污染液體，而非採取其他方式。此外，已自待 清潔之表面所移除之粒子可自身再附著。在徑向向内流動 的情況下，該等粒子將自身再附著於自其原先被附著之處 徑向向内之位置中。幾何學上，再附著位置因此應在傳感 器2〇下，亦即，在其可由來自音波傳感器2〇之音波再次移 除的區域中。 所需的為向内流動之產生，而非此係如何被達成。以上 已描述一或多個特定實施例，但當然，熟習此項技術者將 161153.doc -24- 201234414 知道，其他配置為可能的，且管路100未必需要直接穿過 超高頻音波傳感器20或形成總傳感器20之複數個超高頻音 波傳感器的中心《舉例而言，管路可穿過液體3〇至需要提 取液體藉此以引發向内流動之位置。 圖9展示廢除圖8之實施例之障壁80且比圖8之實施例更 適合於在線（亦即’在浸沒微影裝置中）使用的實施例。在 此實施例中，音波傳感器20類似於圖8所說明之音波傳感 器（除了其在計劃中具有更小區域以外）。音波傳感器2〇由 以上關於圖5所描述之障壁部件12圍繞。此障壁部件丨之可 接著相對於基板台W丁之頂部表面而在χ·γ平面中移動（或 反之亦然）’同時在音波傳感器2〇與待清潔之表面之間提 供液體。在此實施例中，仍經由管路1〇〇而提取出液體， 以提供液體之所要向内流動。可因此需要比如關於圖5所 描述之成像期間所需之流動速率高的液體流動速率。 基板台WT及/或傳感器2G相對於彼此而移動，使得可清 潔基板台WT之頂部表面的全部。清潔可以自動化方式發 WT之頂部表面而移動傳感器2〇(及/或反之亦然）來: 台 生於微影裝置内，或可藉由利用手或利用某工具相對於基 板 & τ一- - · 動地執行 程為自動化的’則一種針對此情形所配置之方 :=广靜止储存位置移動至(靜·位置 A板!二 幻清潔位置時相對於傳感器2。而移動 基板台WT。基板台WT可能带 ㈣ 統之啟動之俞㈣“ 件之液體供應系 之啟動之别在Z轴中移動。—旦已形成氣體流動16，則 J61I53.doc -25· 201234414 中移動， 之液體流 障壁部件12經供應有液體且基板台貿丁在χ·γ平面 使得可清潔需要被清潔之表面。 需要跨越傳感器與待清潔之表面之間的距離 動，但非必需。 用以防止或至少減少粒子至表面之再附著的另一方式為 改變傳感器與表面之間的液體之—或多個性質，以確保粒 子之界達電位（Zeta p〇tential)及表面之界達電位使得粒子 不附著至表面，理想地使得自表面推斥粒子。 界達電位為液體中之表面的電位。界達電位通常隨著自 表面之距離而降低。給定類型之材料針對特定類型之液體 具有給定界達電位。-種改變表面之界達電位的方式為改 變液體中之電解質的濃度，且用以改變界達電位之替代方 法或另-方法為改變液體之PH。藉由仔細選擇液體中之電 解質（例如，鹽）的濃度及/或液體之pH’可選擇⑴自其中 移除粒子之表面（及/或將避免黏著之任何其他表面）的界達 電位，及⑻粒子之界達電位。理想地，㈣兩個界達電 位可經選擇，使得其具有相同極性，A因此物件中具有各 別界達電位之每一者或一者可自另一者推斥。 可藉由對製成經清潔之表面之材料的認識及藉由對將可 能製成粒子之材料之類型的認識來選擇液體之或電 解質之濃度。若材料相同，則應易於選擇界達電位針對表 面及粒子兩者為非零時之pH及/或電解質濃度。在該情^ 下，電位針對表面及粒子兩者將為正或負，使得其將彼此 推斥且粒子將不可能再黏者至表面。苦好 右材枓不同，則pH及/ 16ll53.doc •26- 201234414 或電解質濃度將更難以 、擇，但可能將存在界達電位針對 兩種材料將具有相同極 度。 寺之至^、一 PH及/或電解質濃 欠液體之pH可此對材料溶解度具有負面影響，|自身 可導致污染或材料完整性損失。若認為此為一問題:、則可 能需要改變電解質濃度而非pH。若此係藉由添加良好選擇 之鹽（例如，NaC1)來進行，則此可能不極大 PH(亦即，液體保持中性)。 S履體之 以上技術中之兩者或兩者以上的組合使用（詳言之，改 變PH及/或電解質遭度以改變界達電位及界面活性劑之使 用）可為最佳方法。 在清潔液體限制系統Lcs(諸如，浸沒蓋（見（例如）圖5)) 中所遭遇之問題為：若清潔自下方原位發生，則超高頻音 波可加熱投影系統之（最終）光學元件。此係因為投影系統 PS之一部分因為經由液體限制系統LCS來形成孔隙200而 自下方曝光。孔隙200在基板之成像期間填充有液體，且 投影光束PB穿過孔隙2〇〇至基板界上。因此，需要清潔液 體限制系統LCS之表面，而不加熱光學元件（通常為 WELLE透鏡）’且不分散光學元件中之能量。如主張來自 美國專利申請案第11/437,876號之優先權之於2007年5月18 曰所申請之美國專利申請案第11/8〇2,〇82號中先前所示， 氣體（例如’空氣）間隙可用作用以使光學元件與超高頻音 波絕緣之屏蔽。然而，液體可在某些條件下進入該間隙。 在一實施例中，理想地包含板之屏蔽可用以使投影系統 'fc 161153.doc •27· 201234414 之最終元件與超高頻音波及/或液體屏蔽。理想地，屏蔽 為傳感器20與投影系統PS之經由孔隙2〇〇所曝光之部分之 間的固體障壁310。在一實施例中，屏蔽為自傳感器2〇至 孔隙200之所有筆直路徑中的實體存在物（障壁）。障壁及/ 或氣體間隙75(其由障壁幫助維持）對於遠離於孔隙2〇〇而反 射自傳感器20之音波振動為有效的。在一實施例中，障壁 3 10亦密封孔隙200 ’使得無液體進入孔隙2〇〇。此幫助確 保氣體間隙之完整性，且無液體接觸光學元件之表面。 圖ίο及圖11展示可緊固至液體限制系統LCS之下側的清 潔工具。將首先描述圖10之實施例。注意，裝置在計劃中 整體為圓形，但本發明之一實施例可與任何類型之液體限 制系統協作，甚至不為圓形之液體限制系統。工具藉由外 部密封件400而緊固至液體限制系統Lcs，外部密封件4〇〇 將清潔工具本體300密封至液體限制系統L(：s之下表面。 外部密封件400通常為〇型環。外部密封件界定液體限制系 統LCS之下側之待清潔的最大表面。在工具本體3〇〇内的 為超高頻音波傳感器20,其經組態以在液體限制系統咖 清潔流體填充工具本體3〇〇 之間的空間，且因此形成儲 之下表面處引導超兩頻音波。 與液體限制系統LCS之下表面 集器》 清潔裝置具有屏蔽’除了儲集器之頂部表面與光學力 之間的氣體間隙75以外’屏蔽還包含形成傳感器2味〜 75之間的固體分離器之障壁31G。障壁3ι〇藉由遠離於y 元件而反射超高頻音波來改良屏蔽之有效性。障壁Η -28- 161153.doc

201234414 以功能上用作光學元件之傘狀物的形式，亦即，用以使光 學凡件與液體屏蔽。傘狀物覆蓋由圍繞孔隙200而形成於 液體限制系統LCS中之内部輪緣3 18所界定的孔隙2〇〇，且 藉由障壁31〇(傘狀物）與液體限制系統LCS之間的内部密封 件500(通常為〇型環）而緊固至液體限制系統lCS ^内部密 封件500防止清潔液體進入間隙75來損害間隙乃之效能。 清潔工具亦包含附著至障壁310之管路320。管路穿過工 具本體300。管路具有入口 33()以將清潔液體供應至儲集器 卜。入口經定位成接近或鄰近清潔液體儲集器之頂部，接 近形成於液體限制系統LCS中之内部輪緣318。入口33〇經 k供為單一裂縫或為圍繞障壁31〇之外部邊緣的複數個離 ΐ孔：使得在所有徑向方向上提供液體流動。形成於液體

清潔工具可經實施為在線或離線配 施，則液體限制系統LCS可自微3 配置。若以離線配置來 影裝置被移除以用於配 16J153.doc -29· 201234414 合至清潔工具。 圖ίο所示之裝置可能遭遇一或多個問題。潛在不穩定性 源為清潔工具中之受壓，亦即，出口1〇至受壓之連接。吸 力可變化且由於氣泡形成及壓力變化而難以控制。若受壓 過大’則氣泡形成於清潔浴内。氣泡損害超高頻音波傳感 器20之效此。右在液體中使用界面活性劑及/或清潔劑， 則發泡可能出現-見下文。若受壓過小，則壓力積聚於裝 置内’從而導致清潔液體流過液體限制系統LCS中之現有 通路且因此溢出氣體間隙75。 工具與液體限制系統LCS之間的密封件5〇〇可能退化， 旦滑潔液體接觸光學元 從而允許液體洩漏至間隙75中 件’則光學元件可吸㈣高頻音波且可加熱4超高頻音 ^能量所造成之機械損壞可為—問題。由於此等原因，可 能損害作為溫度及超高頻音波之絕緣屏蔽之氣體間隙的效 月& y.u 内部密封件5G〇之另—或替代問題為：#潔工具之設計 係由為使内部密封件起作用所需要之障壁别（傘狀物） 的尺寸界疋。清潔工具可能不為通㈣，且因此可能針對 液體限制系統LCS之不同設計而需要清潔工具之不同設 6十。又，在液體限制系統LCS令可能存在一或多個孔隙， :隙對液體限制系統LCS之下側開放且亦與孔隙_^ 連I有可此使液體經由液體限制系統LCS而遷移穿 過此等-或多個孔隙至間隙75中…旦至此處，則可能不 存在藉以移除圖1〇之實施例中之該液體的方式。 161153.doc 201234414 儘管添加糾例如，界面活性劑及/或清㈣）至清潔液體 ，，超純水)之添加可能改良清潔，但添加劑可能導致 問題。在濕式真空系統中，搜動清潔液體，其可能導致清 潔液體發泡。發泡為一問題，因為微影襄置之某些組件 (諸士感測器）可在與發泡體接觸時被損壞。發泡體可導 =微影裝置發生故障或導致製造環境之其他問題。問題可 藉由/.，,、式真工產生器中之再循環迴路的使用而增強。若 :用比由濕式真空所提供之壓力低的壓力，則此允許儲集 盗内之壓力積聚，使得以上所提及之液體經由一或多個孔 隙至間隙75中的洩漏可更可能出現。 及圖12中所示的為配合至液體限制系統[eg之下表 ®之清潔ι具的另·"實施例。其具有與圖1G所示之具有以 改之：L具相同之特徵中的—些。液體Μ經由儲集器及 Ρ早壁310而在相反方向上流動’因此障壁310中之開放孔隙 用作出口 10。障壁310之開放孔隙的輪緣317鄰接、鄰近於 或緊接於液體限制系統LCS之待清潔的下表面。在液體限 制系、’充LCS之内部輪緣3 18與障壁31 〇之間存在足夠間隙以 用於使清潔液體30自清潔儲集器流動至由屏蔽3 1〇之開放 孔隙所界定的出口 1 〇中。 障壁310用作傘狀物且為漏斗形狀（或換言之，儲集器中 之截頂錐形狀）^此形狀連同此清潔工具之其他特徵可改 良絕緣屏蔽之有效性，此在於：在使用中，超高頻音波在 與其撞擊於屏蔽上時之角度不同的角度下遠離於光學元件 被反射。液體30流過障壁310之輪緣317且在重力影響下向 161153.doc •31 · 201234414 下流動至出口 1 〇中及流出管路320中。因此，障壁3丨〇提供 液體在重力下退出儲集器所穿過之出口10。因此，系統可 被視作開放系統（與圖丨0之可被視作封閉系統之實施例相 比）。此外，出口 1 〇及管路32〇之漏斗形狀導致液體平緩地 流出儲集器。此係特定地由於孔隙及管路32〇之漏斗形 狀，使知·液體流下孔隙之傾斜表面至出口之管路部分的開 始處。以此方式，將極小力施加至液體以減少發泡之可能 性。自儲集器之中心提取液體會導致徑向流動，其在此狀 况下為如在圖8及圖_9之實施例中的徑向向内。液體入口經 提供，且此可提供於工具本體3〇〇中及/或液體限制系統 LCS之表面中。 輪緣317可具備補充液體限制系統LCS之内部輪緣318的 橫截面變化或形狀，使得清潔液體3〇在儲集器外之流動路 徑彎曲或另外在其穿過將輪緣317與内部輪緣318分離之空 間時改變方向（亦即，不筆直）。見圖12。此可防止超高頻 曰波進入孔隙200。或者，或此外，橫截面變化或成形可 k供於液體限制系統LCS之内部輪緣3 18上，以便補充輪 緣317之形狀β輪緣317之頂部的高度連同儲集器中之靜水 壓力判定間隙75之尺寸。 液體流動可藉由’緩慢，系325(連接至出口 1〇)來輔助，，緩 慢’果325提供較小受壓以避免在液體中產生氣泡。典型流 動速率介於0.5公升/分鐘與3公升/分鐘之間◊在一實施例 中，液體流動不穿過濕式真空。在漏斗形狀障壁3 10與緩 L泵之間的可為理想地在流出管路32〇中之限制件Μ”亦 161153.doc ⑧ •32· 201234414 即’ j動限制器”限制件幫助最小化發泡體之形成。 -貰β例巾肖以導致液體流過清潔工具之屋力始終 相同。藉由漏斗形狀障壁31G之輪緣317與用以將清潔液體 供應至儲集器中之人σ之間的高度差來判μ力。在一 〜中4裝置為穩定系統，因為自動地控制為操作 清潔裝置所需要之壓力。因此，減少溢出間隙75之風險， 使得間隙二更穩定。工具可提供用於使光學元件與溫度變 化及/或超同頻音波絕緣之有效絕緣屏蔽。 提供經改良安全性及另—控制之特徵為管路州，立可 =供成平行於漏斗形狀障壁31。且與可用作指示器：儲 =進行流體連通。管路34〇中之液體位準與儲集器中之 (位準相同，且因此可進行關於氣體間㈣是否足夠大 指示器可展示在障壁31〇中於管路中是否存在阻 土，，、可導致氣體間隙75溢滿清潔流體3〇。 =中之一致壓力的優點可為減少形成於儲集器内之氣 泡的置。超高頻音波傳感器之有效性可因此而增加。 ，者清潔液體平穩地流過清潔工具，可存在比已知濕式 工：：統中少的氣體/清潔液體接觸。因此，可減少清潔 力、=泡。此使添加劑(界面活性劑及/或清潔劑)能夠 通常將過分地發泡且因此通常可能被禁止使用之清 二：該添加劑可為諸如肥息之界面活性劑。添加劑可 巴矣調配物之調配物’其包括用以控制添加劑之發 劑的试劑。若調配物不包括該試劑，則可將抗發泡添 1添加至液體以減少及控制發泡。抗發泡試劑之實例包 16U53.doc -33- 201234414 、聚乙二醇或諸如聚二甲基矽氧烷 括（但不限於）基於石蠟 之聚矽氧的化合物。 注意，在-實施例中，系統為開放的而非封閉的。因 此’無需内部密封件（仍存在外部密封件此可提供一優 點。在圖1G之裝置巾，傘狀物3難t尺寸以配合形成於 液體限制系統LCS中之孔隙2〇〇。因&，可針對不同類型 之液體限制系統LCS而需要清潔工具之略微不同的設計及 完全不同之處理設定。圖n及圖12之清潔裝置可使用固定 處理設定而與若干類型之液體限制系統LCS-起被使用。 圖10至圖12所示之清潔卫且όρ碰你_ η 凃工具了經修改，使得清潔流體3〇 展現徑向流動。 此外’應瞭解，可在任何類型之清潔工具中且非僅在圖 11及㈣所說明之類型中使用在重力下於清潔工具中遠離 於儲集器而抽吸清潔液體以便避免發泡之觀念。詳言之， 可將相同觀念（亦即，提供經建構及配置以允許液體在重 力下流出的出口）應用於圖6至圖8之裝置，但其可能（但未 必）意谓犧牲彼等裝置之徑向流動特徵。 將超高頻音波清潔工具附著至液體限制系統⑽及啟動 傳感器20將引發對待清潔之部分的振動（例如，在範 圍内）。此範圍内之振動可導致氣泡空化、超高頻音波脈 衝，及聲射流，其一起可為用於超高頻音波清潔之基礎。 顯著地，以使得相抵於超高頻音波能量而保護光學元件之 方式來提供清潔液體3 〇之供應，且以使得避免裴置中之負 面效應（如氣泡、粒子再沈積及/或發泡）的方式來弓丨入清潔 161153.doc -34- 201234414 流體。 例示性流體供應組態可（例如）藉由改良微影裝置之清潔 度（其又有助於減少缺陷度位準）來改良產品良率。 可離線實施所有實施例。可存在實施例之在線實施。 儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使 用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用， 諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測 圖案 '平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭，等 等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中， 可認為本文對術語"晶圓”或，，晶粒”之任何使用分別與更通 用之術語”基板”或”目標部分"同義。可在曝光之前或之後 在（例如）軌道（通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗 蝕劑之工具）、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提 及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基 板處理工具。另外，可將基板處理-次以上，（例如）以便 形成多層ic，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含 有多個經處理層之基板。 本文所使用之術語，，輻射"及"光束，，涵蓋所有類型之電磁 輻射，包括紫外線（uv)輻射（例如，具有約3以nm、 248 nm、193 nm、157 咖或126 nm 之波長）。 術6吾透鏡在情境允許時可指代各種類型之光學組件中 之任者或組合，包括折射及反射光學組件。因此，透鏡 為光學元件’且在一實施例中，光學元件為透鏡。 儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以

I61153.doc •35· 201234414 :所1::方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而 採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以 上所揭不之方法夕秘。。 儲存媒&可讀指令的—或多個序列；或資料 保存媒體（例如，半導 千導體圮憶體、磁碟或光碟），其具有儲 ^ U電腦程式。本發明可在控制n之控制下被執 订或許藉由以上所提及之電腦程式來程式化。 _月之或夕項實施例可應用於任何浸沒微影裝置， 不獨佔式地)，以上所提及之彼等類型，且無論 次沒液體是以浴之形式被提供還是僅提供於基板之區域化 表面區域上。應廣泛地解釋如本文所預期之液體供應系 統。在某些實施例中’液體供應系統可為將液體提供至投 影系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構之組 。。其可包含一或多個結構、一或多個液體入口、一或多 個氣體入口、一或多個氣體出口及/或將液體提供至空間 之一或多個液體出口之組合。在一實施例中，空間之表面 可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全覆 蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板 台。液體供應系統可視情況而進一步包括一或多個元件， 以控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其 他特徵。 根據所使用之曝光輻射之所要性質及波長，裝置中所使 用之浸沒液體可具有不同組合物。對於193 nm之曝光波 長，可使用超純水或基於水之組合物，且由於此原因，有 時將浸沒液體稱作水及與水相關術語，諸如，可使用親 161153.doc • 36 - 201234414 水、疏水、濕度，等等。 以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習 此項技術者而言將顯而易見的是，可在不脫離以下所闊明 之申請專利範圍之範•的情況下對如所描述之本發明進行 修改。 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2及圖3描繪用於在微影投影裝置中使用之液體供應系 統； 圖4描繪用於在微影投影裝置中使用之另一液體供應系 統； 圖5以橫載面描繪用於在微影裝置中使用之另一液體供 應系統； 圖6以橫截面說明經組態以清潔基板台之清潔裝置的設 計； 又 圖7以橫截面說明經組態以清潔基板台之另一清潔裝置 之設計的一部分； & 圖8以橫截面說明用以清潔基板台之本發明 J 貫施 例； 圖9以橫截面說明用以清潔基板台之本發明的另— 貫施 例； 圖10以橫截面說明用以清潔液體限制系統之本發明的一 實施例； 圖11以橫截面說明用以清潔液體限制系統之 个赞明的另 161153.doc •37- 201234414 一實施例；及 圖12以橫戴面說明圖11之實施例的細節。 【主要元件符號說明】 10 出口 11 空間 12 障壁部件 13 液體入口 14 出口 15 入口 16 氣體流動 20 超高頻音波傳感器 25 方向 30 清潔液體 75 氣體間隙 80 障壁 100 管道 200 孔隙 300 清潔工具本體 310 障壁 317 輪緣 318 内部輪緣 320 管路 325 ’緩慢’泵 328 限制件 I61153.doc -38- 201234414 330 入口 340 管路 400 外部密封件 500 内部密封件 A 經清潔之區域 B 輻射光束 BD 光束傳送系統 C 目標部分 CO 聚光器 IF 位置感測器 IH 浸沒微影解決方案 IL 照明系統 IN 積光器 LCS 清潔液體限制系統 Ml 圖案化器件對準標記 M2 圖案化器件對準標記 MA 圖案化器件 MT 支撐結構 OUT 出口 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PL 投影系統 PM 第一定位器 PS 投影糸統 161153.doc -39- 201234414 PW 第二定位器 so 輻射源 w 基板 WT 基板台 X 方向 Y 方向 z 方向 161153.doc -40- ⑧

Claims (1)

1. 201234414 七、申請專利範園： 1. 一種用以清潔一微影裝置之一元件（c〇mp〇nent)2 —表面 的清潔工具，該清潔工具包含： 一超音波傳感器； 一液體供應裝置，其經組態以供應液體至位於待清潔 之該表面與該超音波傳感器之間的一儲集器；及 一液體出口，其經組態以移除由該液體供應裝置所提 供之液體，該出口係位於一障壁内，該清潔工具經建構 及配置俾使该障壁被設計成在一易碎元件及/或該超音波 傳感器之間提供針對超音波的一防護。 2.如凊求項!之清潔工具，其經組態以清潔一液體限制結 構，该液體限制結構在待清潔之該表面内具有一孔，該 障壁覆蓋該孔。 3. 4. 如請求項！或2之清潔工具，其包含—輪緣，使用時液 體在该輪緣上流過以進入該出口。 如明求項3之清潔工具’其中該出口之輪緣經調整大小 及形狀以與該孔之輪緣分離⑷仙丨），俾使該出口之輪緣 與该孔之輪緣之間的流動路徑彎曲或改變方向。 其中液體在該出口之輪緣與該 5.如請求項4之清潔工具 孔之輪緣之間流動。 6. 如凊求項4或5之清潔工具， 輪緣之間的流動路徑並非筆 其中該出口之輪緣與該孔之 直的。 如上述請求項任一項之清潔工具 液體流進該出 其中在重力影響下， 口 〇 161153.doc 201234414 8. 9. 10. 11. 12. 13. 14. 如上述請求項任—項之清潔卫具，其中該 狀。 马漏斗 如上述請求項卜項之清潔工具，其中該出D之平 徑隨著與該傳感器的距離增加。 如上述請求項任—項之清潔卫具，其中在—頂部部份， 該出口之-側與垂直傾斜，俾使在使用時，液體流過該 側下方。 如上述請求項任一項之清潔工具，其中該出口貼合至一 受壓源，俾使在使用時，液體以〇5至3公升/分鐘之速 流過該出口。 ' 如上述請求項任一項之清潔工具，其中該出口係實質上 位於一區域之中央，利用該液體供應裝置提供該液體至 5亥區域’俾以促進液體之徑向流動來通過該表面。 如上述請求項任一項之清潔工具，其進一步包含一入口 以提供液體，及一控制器’其經組態以控制該入口内之 液體壓力’並進而控制該儲集器内之液體高度。 一種浸沒微影投影裝置，其包含： 一超音波傳感器； 一液體供應裝置，其經組態以供應液體至位於待清潔 之該表面與該超音波傳感器之間的一儲集器；及 一液體出口 ’其經組態以移除由該液體供應裝置所提 供之液體，該出口係位於一障壁内，該投影裝置經建構 及配置俾使該障壁被設計成在一易碎元件及該超音波傳 感器之間提供針對超音波的一防護。 161153.doc 201234414 15. —種清潔一元件之一表面的方法，該方法包含： 在該元件之該表面與一超音波源之間提供液體至一儲 集器内； 允許液體流出該儲集器；及 防護一易碎元件，使其免於該超音波傳感器之超音 波。 161153.doc