TWI426356B - 微影裝置及表面清潔方法 - Google Patents

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Description

微影裝置及表面清潔方法
本發明係關於一種微影裝置及一種清潔一浸沒微影裝置之一表面的方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間11。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然而，另一流體可為適當的，特別為濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)的流體。排除氣體之流體係特別理想的。因為曝光輻射在液體中將具有更短波長，所以此情形之要點係實現更小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸沒液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有類似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可為適當的其他液體包括烴，諸如芳族、氟代烴及/或水溶液。
將基板或基板及基板台浸漬於液體浴中(見(例如)美國專利第US 4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在必須被加速之大液體本體。此情形需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可能導致不良且不可預測之效應。
所提議之另一配置係使液體供應系統使用液體限制系統而僅在基板之局域化區域上及在投影系統之最終元件與基板之間提供液體(基板通常具有大於投影系統之最終元件之表面區域的表面區域)。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以安排此情形之方式。此類型之配置可被稱作局域化浸沒系統。
另一配置為全濕潤配置，其中浸沒液體係未受限制的，如PCT專利申請公開案第WO 2005/064405號中所揭示。在此系統中，浸沒液體係未受限制的。基板之整個頂部表面被覆蓋於液體中。此情形可為有利的，因為基板之整個頂部表面因而被曝露至實質上相同條件。此情形可具有用於基板之溫度控制及處理的優點。在WO 2005/064405中，液體供應系統將液體提供至投影系統之最終元件與基板之間的間隙。允許該液體洩漏(或流動)遍及基板之剩餘部分。基板台之邊緣處的障壁防止液體逸出，使得可以受控方式自基板台之頂部表面移除液體。儘管此系統改良基板之溫度控制及處理，但仍可能會發生浸沒液體之蒸發。美國專利申請公開案第US 2006/0119809號中描述一種有助於減輕該問題之方式。提供一部件，該部件在所有位置中覆蓋基板，且經配置以使浸沒液體延伸於該部件與該基板及/或固持該基板之基板台之頂部表面之間。
在全文各自以引用之方式併入本文中的歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中，揭示複式載物台或雙載物台浸沒微影裝置之觀念。此裝置具備用於支撐一基板之兩個台。在無浸沒液體之情況下藉由在第一位置處之台進行調平量測，且在存在浸沒液體之情況下藉由在第二位置處之台進行曝光。或者，該裝置僅具有一個台。
在曝光浸沒微影裝置中之基板之後，可將基板台遠離於其曝光位置而移動至基板可被移除且藉由不同基板替換之位置。此情形被稱作基板調換(substrate swap)。在雙載物台微影裝置中，台之調換可發生於投影系統下方。
在浸沒裝置中，藉由流體處理系統或裝置來處理浸沒流體。在一實施例中，流體處理系統可供應浸沒流體且因此為流體供應系統。在一實施例中，流體處理系統可至少部分地限制浸沒流體且藉此為流體限制系統。在一實施例中，流體處理系統可提供對浸沒流體之障壁且藉此為障壁部件(諸如流體限制結構)。在一實施例中，流體處理系統可產生或使用流體(諸如氣體)流動，例如，以有助於處理液體(例如，有助於控制浸沒流體之流動及/或位置)。氣體流動可形成用以限制浸沒流體之密封件，因此，流體處理結構可被稱作密封部件；此密封部件可為流體限制結構。在一實施例中，將浸沒液體用作浸沒流體。在該情況下，流體處理系統可為液體處理系統。流體處理系統可位於投影系統與基板台之間。在認為內容背景適當的情況下，關於前述描述，在此段落中對關於流體所定義之特徵的參考可被理解為包括關於液體所定義之特徵。
需要解決一微影裝置(特別為一浸沒微影裝置)中之污染物的問題。詳言之，需要解決藉由移除頂部塗層材料及/或基板材料及/或任何其他污染材料之粒子產生之污染物的問題。通常，一些清潔方法不允許線上清潔。因此，使用此等方法來完成清潔會導致該微影裝置之顯著停機時間。
舉例而言，需要提供一種微影裝置及一種用於處理一浸沒類型投影裝置中之污染物的清潔方法。理想地，該裝置及該方法係關於一種線上清潔方法。
根據一態樣，提供微影裝置，該微影裝置包含：一流體處理系統，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之間的一空間，該流體處理系統包含至少兩個開口，該至少兩個開口經組態以將液體供應至該流體處理系統與該基板及/或該台之間的一間隙且自該間隙抽取液體；及一控制器，其經組態以控制通過該至少兩個開口之一液體流動方向，使得在一清潔操作期間，通過該至少兩個開口中之至少兩者的該等液體流動方向相反。
根據一另外態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一流體處理系統，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之間的一空間，該流體處理系統包含：一液體開口，其經組態以將液體供應至該流體處理系統與該基板及/或該台之間的一間隙且自該間隙抽取液體；及一供應開口，其係自該液體開口徑向地向外，該供應開口經組態以將液體供應至該間隙；及一控制器，其經組態以控制通過該液體開口之一液體流動方向。
根據一另外態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含一流體處理系統，該流體處理系統經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之間的一空間，該流體處理系統包含一液體供應管路或抽取管路，該液體供應管路或抽取管路經組態以將清潔液體供應至該流體處理系統或自該流體處理系統抽取清潔液體，其中該液體供應管路或抽取管路之一內部表面係可撓性的且抵抗一有機液體之腐蝕。
根據一另外態樣，提供一種清潔一浸沒微影裝置之一表面的方法，該方法包含：經由一液體開口而將清潔液體供應至一流體處理系統與一基板及/或一台之間的一間隙，該流體處理系統係用於將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與該基板或該台之間的一空間；經由一另外液體開口而自該間隙抽取該清潔液體；及控制通過該液體開口及該另外液體開口之一液體流動方向，使得經由該另外液體開口而將該清潔液體供應至該間隙，且經由該液體開口而自該間隙抽取該清潔液體。
根據一另外態樣，提供一種清潔一浸沒微影裝置之一表面的方法，該方法包含：經由一液體開口而將清潔液體供應至一流體處理系統與一基板及/或一台之間的間隙，該流體處理系統係用於將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與該基板或該台之間的一空間；及自該空間經由自該液體開口徑向地向外之一供應開口而將浸沒液體供應至該間隙。
根據一另外態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一流體處理系統，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之一表面之間的一空間，該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束引導至該基板之一目標部分，該流體處理系統包含：一供應開口，其經組態以將清潔液體供應至該流體處理系統與該基板及/或該台之間的一間隙；及一抽取開口，其經組態以自該間隙抽取清潔液體，該抽取開口係自該供應開口徑向地向外；及一控制器，其經組態以控制通過該間隙之一液體流動方向，使得該液體流動之至少一部分通過該投影系統與該基板及/或該台之該表面之間。
根據一另外態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一流體處理結構，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之間的一空間，該流體處理結構包含至少兩個開口，該至少兩個開口經組態以在曝光一基板期間自該流體處理結構與該基板及/或該台之間的一間隙抽取浸沒液體，且各自經組態以在一清潔操作期間作為用以抽取液體之一抽取開口或用以供應一清潔液體之一供應開口；及一控制器，其經組態以控制該至少兩個開口，使得在該清潔操作期間，至少一開口為一供應開口且至少一開口為一抽取開口。
根據一另外態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一流體處理結構，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之間的一空間，該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束引導至該基板之一目標部分，該流體處理結構包含至少兩個表面，其中一徑向內部表面係圍繞該經圖案化輻射光束之一光徑而形成，且一徑向外部表面係形成於該徑向內部表面之一外側處，其中該兩個表面經組態以在曝光一基板期間自該流體處理結構與該基板及/或該台之間的一間隙抽取浸沒液體，且經組態以在一清潔操作期間作為用以抽取液體之一抽取表面或用以供應一清潔液體之一供應表面；及一控制器，其經組態以控制該至少兩個表面，使得在該清潔操作期間，該至少兩個表面中之一者為一供應表面且該至少兩個表面中之另一者為一抽取表面。
根據一另外態樣，提供一種清潔一浸沒微影裝置之一表面的方法，該方法包含：將浸沒液體供應至一投影系統之一最終元件與一基板或一台之間的一空間；及將清潔液體供應至該基板及/或該台與一流體處理系統之間的一間隙，該流體處理系統係用於將浸沒液體限制至該空間，其中該清潔液體濃於該浸沒液體。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：
-　照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；
-　支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位圖案化器件MA之第一定位器PM；
-　基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗佈抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位基板W之第二定位器PW；及
-　投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化器件。支撐結構MT以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，該輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源SO形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構MT(例如，光罩台)上之圖案化器件MA(例如，光罩)上，且係藉由圖案化器件MA而圖案化。在橫穿圖案化器件MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可定位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
可將用於在投影系統PS之最終元件與基板之間提供液體之配置分類成至少三種通用種類。此等種類為浴類型配置、所謂的局域化浸沒系統及全濕潤浸沒系統。在浴類型配置中，基板W之實質上全部及(視情況)基板台WT之部分被浸漬於液體浴中。
局域化浸沒系統使用液體供應系統，其中液體僅提供至基板之局域化區域。藉由液體填充之空間的平面圖小於基板之頂部表面的平面圖，且填充有液體之區域相對於投影系統PS保持實質上靜止，而基板在該區域下方移動。圖2至圖5展示可用於此系統中之不同供應器件。存在密封特徵以將液體密封至局域化區域。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以安排此情形之方式。
在全濕潤配置中，液體係未受限制的。基板之實質上整個頂部表面及基板台之全部或部分被覆蓋於浸沒液體中。覆蓋至少該基板之液體的深度較小。液體可為在基板上之液體膜(諸如液體薄膜)。浸沒液體可供應至投影系統及面對該投影系統之對向表面或其附近(此對向表面可為基板及/或基板台之表面)。圖2至圖5之液體供應器件中的任一者可用於此系統中。然而，密封特徵可能不存在、可能未被啟動、可能不如正常一樣有效率，或可能以另外方式對於將液體僅密封至局域化區域係無效的。
如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基板上(較佳地，沿著基板相對於最終元件之移動方向)。液體在已通過投影系統PS下方之後係藉由至少一出口而移除。亦即，隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示如下配置：液體係經由入口而被供應且在元件之另一側上藉由連接至低壓力源之出口而被吸取。在圖2之說明中，沿著基板W相對於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此情況。圍繞最終元件所定位之入口及出口的各種定向及數目均係可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在任一側上的入口與出口之四個集合。應注意，在圖2及圖3中藉由箭頭來展示液體之流動方向。
圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸沒微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側上的兩個凹槽入口而被供應，且藉由自該等入口徑向地向外所配置之複數個離散出口而被移除。可在中心具有孔之板中配置入口，且投影光束被投影通過該孔。液體係藉由投影系統PS之一側上的一個凹槽入口而被供應，且藉由投影系統PS之另一側上的複數個離散出口而被移除，從而導致液體薄膜在投影系統PS與基板W之間流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。應注意，在圖4中藉由箭頭來展示流體及基板W之流動方向。
已提議之另一配置係提供具有液體限制結構之液體供應系統，液體限制結構沿著投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分延伸。圖5中說明此配置。
圖5示意性地描繪具有液體限制結構12之局域化液體供應系統或流體處理結構，液體限制結構12沿著投影系統PS之最終元件與對向表面(例如，諸如基板台WT之台的對向表面，或可藉由該基板台支撐之基板W的對向表面。該台可具有可用作該等對向表面之蓋板)之間的空間11之邊界之至少一部分延伸。(請注意，此外或在替代例中，除非另有明確敍述，否則在以下本文中對基板W之表面的參考亦指代基板台WT之表面)。液體限制結構12可在XY平面中相對於投影系統PS實質上靜止。液體限制結構12可在Z方向上(例如，在光軸之方向上)相對於投影系統移動。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構12與對向表面之間。密封件可為諸如氣體密封件之無接觸密封件(美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示具有氣體密封件之此系統)或液體密封件。
液體限制結構12使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統PS之影像場形成對基板W之無接觸密封件(諸如氣體密封件16)，使得液體受限制於基板W之表面與投影系統PS之最終元件之間的空間11內。藉由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的液體限制結構12而至少部分地形成空間11。液體係藉由液體入口13而被帶入投影系統PS下方及液體限制結構12內之空間11中。可藉由液體出口13移除液體。液體限制結構12可延伸至略高於投影系統PS之最終元件。液體液位上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，液體限制結構12具有內部周邊，內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統PS或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如，矩形)，但並非需要為此情況。
可藉由無接觸密封件(例如，氣體密封件16)而使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間可形成於液體限制結構12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件16係藉由氣體(例如，空氣或合成空氣)形成，但在一實施例中，藉由N2 或另一惰性氣體形成該氣體密封件。氣體密封件16中之氣體係經由入口15而在壓力下提供至液體限制結構12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14而被抽取。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得存在限制液體之向內高速氣體流動。氣體對液體限制結構12與基板W之間的液體之力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可為連續或不連續的。氣體流動對於使在空間11中含有液體係有效的。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。在另一實施例中，液體限制結構12不具有氣體密封件。
本發明之一實施例可適用的其他類型之液體限制結構包括所謂的氣體拖曳液體限制結構，諸如2009年5月25日申請之美國專利申請案第US 61/181,158號中所描述的氣體拖曳液體限制結構，該案之全文以引用之方式併入本文中。美國專利申請公開案第US 2008/0212046號提供另外細節，且其內容之全文亦以引用之方式併入本文中。
圖5之實例為所謂的局域化區域配置，其中液體在任一時間僅提供至基板W之頂部表面的局域化區域。其他配置係可能的，例如，可使用在液體限制結構12之下表面17上使用單相抽取器的配置。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2006/0038968號中描述一種包含具有多孔部件之單相抽取器的抽取器總成。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2006/0158627號中詳細地揭示一種結合凹座及氣體刀來使用此抽取器總成之配置。或者或另外，抽取器總成可包含雙相抽取器。
本發明之一實施例可應用於全濕潤浸沒裝置中所使用之流體處理結構。在全濕潤實施例中，例如，藉由允許液體洩漏出將液體限制於投影系統之最終元件與基板之間的限制結構，允許流體覆蓋基板之實質上全部及基板台之整個頂部表面的全部或部分。可在2008年9月2日申請之美國專利申請案第US 61/136,380號中找到用於全濕潤實施例之流體處理結構的實例。
上文所界定之浸沒空間的表面可(例如)經由浸沒液體小滴之蒸發而經歷污染物。詳言之，若未迅速地移除污染物，則流體處理結構及基板台WT易於經歷污染物之積聚。實際上，曝光至浸沒液體的浸沒系統之任何表面均可經歷污染物。因此，需要清潔此等表面，以便防止污染物之積聚超出可接受位準。
清潔方法可涉及使用高度氧化清潔材料。清潔材料之實例包括臭氧、過氧化氫、肥皂、有機溶劑、鹼性液體及/或氨。此等清潔材料可具有與其相關聯之一或多個問題。舉例而言，存在對組件表面之損害的危險。此外，此等清潔材料可能需要仔細處理，以便減少潛在的損傷危險。另外，清潔材料可將沈積物留置於其被曝光至之表面上。在可重新使用裝置之前，可能需要移除此等沈積物。用以移除此等沈積物之清洗應澈底，且因此可耗費顯著時間。此情形在使用有機清潔溶劑時可為特定問題，有機清潔溶劑不易於藉由使用水進行清洗加以移除。
理想清潔方法涉及將清潔液體注射至浸沒液體供應件中，浸沒液體供應件提供至在投影系統之最終元件下方的空間。可線上執行此清潔方法。然而，此方法限於處理頂部塗層材料之污染物，因為用於該目的之清潔液體不會侵蝕用於液體處理系統中之材料。相反地，能夠溶解光阻之清潔液體亦腐蝕液體被供應通過之結構。為此，此方法對於由光阻層之粒子造成的污染物無效。因此，此等微影裝置與用以處理光阻污染物之清潔液體不相容。
可在清潔操作期間使用為液體限制系統之部分的流體處理結構。若表面係用於(例如)量測基板與來自投影系統之照明輻射之間的相對位置，則裝置之表面之清潔可至關重要。舉例而言，在微影裝置中，在編碼器系統中用於此等位置量測之量測光柵定位於基板台之周邊上。因此，在曝光操作期間，浸沒液體可遍佈量測光柵，量測光柵可藉由保護蓋或塗層加以覆蓋。結果，量測光柵易受由(例如)粒子及浸沒液體小滴造成的污染物。
或者或另外，流體處理結構(例如)在將一基板以另一基板進行調換期間可能不位於該基板正上方，且可能位於量測光柵之全部或部分上方，藉此可能導致污染物。由於污染物，故使用光柵之位置量測可發生故障或為錯誤的。此外，當使用流體處理結構來執行清潔操作時，需要防止浸沒液體或清潔液體之損耗。
當使用流體處理結構來清潔微影裝置之表面時，抽取供應至表面之流體。在一些流體處理結構中，可在曝光操作期間使用單相抽取器來抽取浸沒液體。此單相抽取器可包含多孔部件，其另外被稱作微篩(micro sieve)。當在清潔期間使用此流體處理結構時，通過多孔部件而抽取流體。此情形可導致粒子或污染物阻塞多孔部件。若發生此阻塞，則可能需要使用諸如超高頻音波振盪傳感器(megasonic transducer)清潔器之清潔工具來離線清潔多孔部件。不可避免地，此情形涉及一些維護停機時間。
另外，若多孔部件之底部與待清潔表面之間的間隙狹窄，則可抽汲至間隙中之清潔液體的量有限。此情形可限制清潔之有效性，且可耗費更長時間來達成所要清潔度。如先前所提及，損耗流體係不良的。在清潔操作期間，在流體處理結構與待清潔表面之間存在相對移動。除非精確地控制彎液面，否則流體損耗係不可避免的。
在清潔操作期間所使用之清潔流體可遵循與在曝光操作期間之浸沒液體相同的流徑。通常，液體可供應至在投影系統下方之空間、徑向地向外流動通過流體處理系統與對向表面(例如，基板及/或台)之間的間隙，且接著藉由抽取器加以抽取。抽取器通常為包含多孔部件之單相抽取器。污染物可積聚於多孔部件中或上。
防止或減少污染物累積於流體處理結構之多孔部件中或上的一可能性係在清潔期間通過多孔部件而相反地抽汲清潔液體。因此，單相抽取器(例如，微篩)經調適以取決於操作類型而供應或抽取液體。在清潔期間，可朝向待清潔表面通過多孔部件而相反地抽汲浸沒液體及/或清潔液體。亦即，用以在曝光操作期間抽取浸沒液體之抽取器係相反地用以朝向待清潔表面通過多孔部件而抽汲清潔液體。
然而，在使用此裝置的情況下，在投影系統下方之間隙中的流動始終係在相同方向上，通常自中心徑向地向外。因此，黏附於表面上且不能藉由在該方向上之流動進行移動的粒子將保留於受污染表面上。
圖6及圖7示意性地描繪根據本發明之一實施例的流體處理系統。箭頭指示液體流動方向。在兩個開口之間的圖6及圖7中之流動方向相反，此在下文將加以更詳細地描述。根據一實施例，微影裝置包含：流體處理系統12，其經組態以將浸沒液體限制至投影系統PS之最終元件與基板W及/或台之間的空間11；及控制器30。流體處理系統12包含至少兩個開口10，其係用以將液體供應至流體處理系統12與基板W及/或台之間的間隙且自間隙抽取液體。控制器30經組態以控制通過至少兩個開口10之液體流動方向，使得在清潔操作期間，通過至少兩個開口10中之至少兩者的液體流動方向相反。
在一實施例中，流體處理系統12包含至少兩個開口10，其經組態以在曝光基板W期間自流體處理系統12與基板W及/或台之間的間隙抽取浸沒液體。至少兩個開口10各自經組態以在清潔操作期間作為用以抽取液體之抽取開口或用以供應清潔液體之供應開口。控制器30經組態以控制通過至少兩個開口10之液體流動方向，使得在清潔操作期間，至少一開口為供應清潔液體之供應開口且至少一開口為抽取液體之抽取開口。
至少兩個開口10可定位於不同徑向位置處。換言之，開口10中之一者可經定位成自開口10中之另一者徑向地向外。在一替代實施例中，至少兩個開口10具有相同徑向位置。此情形意謂至少兩個開口10與投影系統PS之最終元件相隔相同距離。在此情況下，開口10處於在方位角上不同的位置。此情形意謂開口10定位於圍繞被定中心於投影系統PS上之圓之圓周的不同點處。
在一實施例中，在清潔操作期間通過至少一供應開口10之液體流動方向與通過至少一抽取開口10之液體流動方向相反。在一實施例中，液體流動方向係橫越空間11，實質上平行於台及/或基板W之表面。在一實施例中，開口10在流體處理系統之下表面17上形成閉合迴路。此迴路在下表面17上形成一管路。藉由開口10界定之此管路可為連續或不連續的。
在一實施例中，可「切換」間隙中清潔液體(其可與浸沒液體混合)之流動，使得流動方向改變，藉此以有效地清潔微影裝置之部分。切換清潔液體之流動方向的一優點在於：其有助於藉由使流動維持遠離於投影系統之最終元件而保護最終元件免於清潔液體及/或污染物。切換流動之另外優點在於：當開口10正在供應清潔液體時，清潔液體在「侵蝕」該開口處之污染物方面最有效。當進行「切換」時，其他開口受益於此有效清潔。
一實施例藉由提供具有能夠進行在兩個方向上之流動之至少兩個開口10的流體處理系統12來實現此「切換」。在一實施例中，至少兩個開口10中之至少一者對應於一抽取器。詳言之，至少兩個開口10中之至少一者可為(例如)單相抽取器(亦即，僅抽取一相(亦即，液體)之抽取器(例如，微篩))、針狀液體抽取器或雙相抽取器。
在同一實施例中，至少兩個開口10中之另一者可為另一抽取器、同一抽取器之不同隔室，或可能根本不為抽取器。舉例而言，開口可為用以將液體供應至流體處理系統12與待清潔表面之間的間隙的開口。
一般而言，可藉由調適流體處理系統12之入口或出口來形成開口10，使得可使用開口10來執行將液體供應至間隙及自間隙抽取液體之功能。可根據同一類型之不同入口或出口、根據不同類型之入口或出口或根據同一入口或出口之分段隔室來調適開口10。
在一實施例中，藉由提供具有至少兩個隔室之分段供應器/抽取器來形成開口10。在此情況下，該等隔室中之一者可供應液體，而另一隔室抽取液體。相反地，典型系統之單相抽取器係在內部連接於流體處理系統中。換言之，抽取器之所有部分均連接至相同負壓。因此，不可能通過抽取器之一部分供應液體且自抽取器之另一部分抽取流體。
在一實施例中，存在對應於供應器/抽取器之兩個隔室的兩個開口10。每一隔室包含用以將液體供應至流體處理系統12與基板W及/或台之間的間隙且自間隙抽取液體的開口。
在一實施例中，存在對應於供應器/抽取器之四個隔室的四個開口10。在此情況下，一個隔室可供應液體，而另外三個隔室抽取液體。隔室之數目不受到特別地限制，且可為偶數或奇數。在給出隔室之數目的情況下，關於哪一(哪些)隔室供應液體及哪一(哪些)隔室抽取液體之配置僅在如下程度上受到限制：該等開口中之至少一者供應液體，而該等開口中之至少一者抽取液體。
自間隙所抽取之清潔液體可能不為純清潔液體。此係因為：在清潔操作期間，浸沒液體可連續地供應至在投影系統之最終元件正下方的空間。此情形導致藉由浸沒液體稀釋清潔液體。將浸沒液體供應至在投影系統PS之最終元件下方之空間之目的中的一者係有助於防止清潔液體損害投影系統之最終元件。浸沒液體流動產生降低清潔液體與最終元件之間的接觸的正壓力。結果，可藉由浸沒液體稀釋自間隙所抽取之清潔液體。
使用「切換」流動之此清潔方法可用以清潔微影裝置之基板W或台，或清潔流體處理系統12自身。
在曝光操作期間，理想地將用於「切換」流動之開口10設定至抽取模式。為了實現此情形，上述控制器30視情況經進一步組態以在曝光操作期間控制通過至少兩個開口10之液體流動方向，使得至少兩個開口10自間隙抽取液體。
在一實施例中，控制器30經組態以控制通過間隙之液體流動方向，使得液體流動之至少一部分通過微影裝置之投影系統PS與基板W及/或台之表面之間。確保微影裝置之投影系統PS與基板W及/或台之表面之間的液體流動會改良流體處理系統12之清潔。
詳言之，可存在將投影系統PS之最終元件下方之空間與間隙部分地分離的流道板(flow plate)。此流道板24可包含通孔，該等通孔係用以藉由允許一些液體傳遞通過該等孔來減少作用於流道板24之液體壓力。此等孔可被污染物阻塞。可藉由橫越間隙之液體流動來移除此等污染物。
為了有助於確保該流動傳遞通過空間11下方之間隙，流體處理系統12可具有至少兩個供應開口10，其中上游開口係形成於傳遞通過間隙之液體上游，且下游開口係形成於傳遞通過間隙之液體下游。圖6、圖7及圖8中描繪此組態。在圖6及圖8中，圖式之左側的開口10為上游開口，且圖式之右側的開口10為下游開口。在圖7中，開口10之角色係顛倒的。傳遞通過兩個開口之液體傳遞通過在空間11正下方之間隙。
在具有上游開口10及下游開口10之此等實施例中，控制器30可經組態以取決於所要流動方向而控制下游開口以供應液體及控制上游開口以停止供應液體。換言之，藉由該控制器來判定上游開口10及下游開口10之角色，以便實現在特定方向上通過空間11下方之間隙的液體流動。
可存在自此等開口徑向地向外之外部抽取器40，其係用以誘發在特定方向上通過間隙之流動。圖8中描繪此外部抽取器。
在一實施例中，存在自供應開口10徑向地向外之至少兩個外部抽取器40。至少兩個外部抽取器40定位於浸沒空間11之相反側上。視情況，控制器30經組態以控制至少一外部抽取器40以抽取液體，且控制空間之相反側上的另一至少一抽取器40以停止抽取。圖8中描繪此實施例。虛線箭頭表示通過該等外部抽取器中之一者的潛在液體流動。具體而言，液體在抽取器藉由控制器30控制為開啟時流動，但在抽取器藉由控制器30控制為關閉時不流動。控制器30取決於所要液體流動方向而執行此控制。
類似於上文所描述的開口10之控制，控制器30可經組態以控制兩個或兩個以上開口10之功能，以取決於供應開口相對於液體流動之位置而充當上游開口及下游開口，在使用中，該液體流動係在投影系統PS與基板W及/或台之表面之間。亦即，若開口處於通過空間11下方之間隙的液體流動下游，則開口經控制以充當抽取開口。或者，若開口處於液體流動上游，則開口經控制以充當將液體供應至間隙之液體入口。
在一實施例中，通過投影系統PS與基板W及/或台之表面之間的液體流動之部分傳遞通過經圖案化輻射光束之路徑。視情況，流體處理系統12具有下表面17。視情況，一或多個供應開口形成於下表面17中。視情況，一或多個抽取開口形成於下表面17中。當然，該(該等)抽取開口可為任何類型，諸如針狀液體抽取器、微篩或雙相抽取器。
可藉由虛設表面來替換基板W。當將一基板W以另一基板進行替換時，可使用此虛設表面。虛設表面係用以防止液體自流體處理系統逸出。若發生此逸出，則投影系統可不良地獲得乾燥汙斑。
台可為基板台WT、量測台及/或擋板部件之表面。可將擋板部件用作虛設表面。擋板部件/虛設表面可包含至少一液體抽取器，其經組態以移除未藉由流體處理系統12回收之任何液體。量測台可為用以量測投影系統PS之屬性之系統的部分。
如上文所提及，用於切換流動之開口可為單相抽取器(經調適以除了能夠抽取液體以外亦能夠供應液體)(亦即(例如)，包含多孔部件之抽取器)之隔室。在此情況下，微影裝置視情況進一步包含多孔部件，液體在經由至少兩個開口10中之至少一者加以供應時及在經由至少兩個開口10中之至少一者加以抽取時流動通過該多孔部件。
然而，可使用其他類型之開口，且多孔部件並非必要的。詳言之，該等開口中之一或多者可為針狀液體抽取器。此等針狀液體抽取器可經定位以環繞投影系統PS下方之空間。
圖8描繪包括外部清潔抽取器40之實施例。此實施例係與圖6及圖7所描繪之實施例相同，惟以下描述除外。在此實施例中，流體處理系統進一步包含自至少兩個開口10徑向地向外之抽取器40。此抽取器40之目的係有助於防止間隙中之清潔液體逸出。理想地，微影裝置之控制器30經進一步組態以控制抽取器40，使得抽取器40在清潔操作期間僅進行抽取。
此抽取器40可被稱作清潔抽取器40。圖8中之點線箭頭表示可能以另外方式損耗之任何液體的抽取。抽取器40可採取狹縫之形式。抽取器40可包含包圍至少兩個開口10之複數個開口。
在正常操作期間，浸沒液體可在自多孔部件徑向地向內之位置處提供至投影系統PS之最終元件下方的空間，且通過至少兩個開口10加以抽取。在此情況下，浸沒液體彎液面係自清潔抽取器40徑向地向內。因此，在正常曝光操作期間，清潔抽取器40並非必要的，因為在曝光操作期間之浸沒液體在到達清潔抽取器40之前被抽取。
然而，在清潔期間，使用清潔抽取器40以經由自多孔部件徑向地向內之一或多個開口且經由多孔部件自身而抽取提供至流體處理系統12與待清潔表面之間的間隙的流體。在一實施例中，清潔抽取器40經最佳化以用於清潔微影裝置之表面，而非經最佳化以用於掃描。實務上，此情形可意謂清潔抽取器40經組態及配置以藉由自間隙抽取所有流體來限制在上方經定位有流體處理系統12之表面的污染物。抽取器可經最佳化以用於清潔之另一方式係配置抽取器40，使得抽取器40之開口大於用於切換流動之至少兩個開口10的開口。此情形有助於防止抽取器40被粒子阻塞。
藉由自間隙抽取流體及污染物，清潔抽取器40可將流體彎液面牽制於間隙中。此情形相較於經由多孔部件而抽取所有流體時之情況允許更精確的彎液面控制。此情形具有如下有益效應：可更準確地控制清潔，使得待清潔表面(例如，量測光柵)可被清潔直至其邊緣而無液體損耗(例如，沿著其側)。
圖9及圖10描繪經分段成使得存在用於切換流動之四個開口之單相類型抽取器之一可能組態的平面圖。此等開口對應於分段單相抽取器10之四個隔室，分段單相抽取器10已經調適以除了能夠自間隙抽取液體以外亦能夠將液體供應至間隙。應瞭解，對於存在用於切換流動之兩個以上開口的實施例，針對開口之每一可能配對，流動可能未必在相反方向上流動。當然，開口10無需對應於微篩或任何其他單相抽取器/供應器。開口10可經組態以供應及抽取雙相流體。
在圖9及圖10中，箭頭指示流動方向。在兩個圖中，液體係通過自至少兩個開口10徑向地向內之供應通道18而供應至間隙。該等圖描繪開口10之間的可能流動圖案。液體係藉由箭頭開始之開口10而供應至間隙，且通過箭頭結束之開口10而自間隙加以抽取。
當然，其他圖案係可能的。舉例而言，在存在四個開口時，該等開口中之一者可供應液體，而三個開口抽取液體。開口之數目無需限於四個。開口之數目可為五個、六個、七個，等等。所存在之開口愈多，則用於流動切換之可能圖案的數目愈大。
圖11描繪如下實施例：其中至少兩個開口10連接至用以通過該開口而將液體供應至間隙之供應管路80，及用以通過該開口而自間隙抽取液體的與供應管路80分離之抽取管路90。換言之，存在用於傳遞通過開口之液體之供應及抽取之功能的分離管道。
圖12描繪如下實施例：其中至少兩個開口10係經由來自連接至該開口的流體處理系統12中之凹座19的單一管路進行連接，其中該一管路連接至供應管路及抽取管路。可藉由三通閥21來實現該等管路之此連接及控制。此實施例具有相較於圖11所描繪之實施例佔據較少空間的優點。
用於清潔曝光至浸沒液體之表面的典型清潔液體包括含有過氧化氫之溶液及/或含有臭氧之溶液。可使用鹼性液體或氨。若清潔劑中之臭氧及/或過氧化氫的濃度高於特定位準，則可能會發生對經清潔表面之損害。然而，需要能夠溶解光阻之清潔液體以移除包含光阻之粒子的污染物。亦即，為了自微影裝置之表面充分地移除污染物，需要使用腐蝕性清潔液體。然而，使用此腐蝕性流體之不利方面在於：其腐蝕清潔裝置自身。
用於流體處理系統12中之液體供應管路或抽取管路可藉由使用此清潔液體而受到損害。另外，用以將此等管路連接至流體處理結構之O型環可藉由此等流體而受到損害。供應管路及抽取管路應係可撓性的，以便減少微影裝置中之振動傳輸。因而，已使用不抵抗腐蝕性清潔液體之聚合物。因此，必須使用較不有效之清潔液體。
根據一實施例，提供一種微影裝置，該微影裝置包含流體處理系統12，流體處理系統12經組態以將浸沒液體限制至投影系統PS之最終元件與基板W及/或台之間的空間11。流體處理系統12包含液體供應管路或抽取管路，液體供應管路或抽取管路經組態以將清潔液體供應至流體處理系統12或自流體處理系統12抽取清潔液體。理想地，液體供應管路或抽取管路之內部表面係由可撓性且抵抗有機液體之腐蝕的材料製成。舉例而言，該有機液體可為溶劑或肥皂。理想地，該材料抵抗用作清潔液體之鹼性液體及/或氨的腐蝕。
在一實施例中，液體供應管路或抽取管路之內部表面抵抗用於溶解光阻之流體的腐蝕。用於溶解光阻之此流體可用於自基板之光阻層移除污染物。藉由抵抗此流體之腐蝕的液體供應管路或抽取管路，流體處理系統係與此清潔流體相容，且因此可用於光阻污染物清潔操作。理想地，內部表面係可撓性的。
適於溶解光阻之清潔流體的實例包括：酮，諸如環己酮、二丙酮醇及/或丙酮；酯，諸如乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸乙酯及/或伽瑪丁內酯；及/或乙二醇醚，諸如二乙二醇丁基醚(DEGBE)。
根據一實施例，可將化學惰性之可撓性聚合物材料(諸如PTFE及PFA)及/或316L類型不鏽鋼用於液體供應管路及/或抽取管路之內部表面。可使用其他可撓性金屬管道，諸如由高鎳合金製成之管道。可撓性金屬管道可為螺旋形波紋的、環形波紋的或螺旋形波峰熔接的。金屬管道可為單層或多層。上文所提及之材料僅係例示性的。可使用抗腐蝕性且可形成為可撓性管路之其他材料。
在一實施例中，液體供應管路或抽取管路係藉由抵抗有機溶劑之腐蝕之材料製成的連接器而連接至液體供應開口或抽取開口。舉例而言，該連接器可為O型環。
圖13示意性地描繪如下實施例：其中流體處理系統12包含自至少一開口10徑向地向外之液體供應開口25，液體供應開口25經組態以將液體供應至間隙。至少一開口10執行與關於圖6及圖7所描繪之實施例所描述之至少兩個開口相同的功能。亦即，可使用該至少一開口以將液體供應至間隙或自間隙抽取液體。圖13描繪兩個開口10。此等開口可為分離開口。或者，其可為單一開口之部分。在此情況下，單一開口可為環形。
在一實施例中，液體供應開口25經定位成自外部抽取器40徑向地向內(若外部抽取器40亦存在於該實施例中)。此液體供應開口25可供應浸沒液體或清潔液體。
圖13所描繪之實施例對於藉由流體處理系統來清潔台之操作係有利的。甚至在傳遞通過至少一開口10之液體傳遞通過多孔部件的情況下，亦可清潔台，而多孔部件不會被粒子或污染物阻塞。
在一實施例中，在清潔操作期間，控制器30控制流體處理結構與其正在清潔之表面之間的相對移動，使得通過至少一開口10所供應之清潔液體係與投影系統之最終元件實質上隔離。此情形可藉由確保清潔液體在自至少一開口10徑向地向外之方向上流動而達成。此情形避免清潔液體接觸投影系統之最終元件，對於清潔液體接觸投影系統之最終元件的情況，清潔流體將必須自至少一開口10徑向地向內行進。
可藉由除了藉由經定位成自至少一開口10徑向地向內之一或多個開口供應之清潔液體以外的液體之流動來確保清潔液體之徑向向外(相對於向內)流動。此額外流動防止清潔液體之徑向向內流動。或者或另外，控制器30可控制流體處理結構與表面之間的相對移動，使得相對速度不超過特定臨限值。此情形之原因在於：若相對速度過大，則結構12與表面之間的間隙中的清潔液體可到達投影系統PL之最終元件下方的空間11。
圖14描繪本發明之一實施例的另外變化。此實施例可具有圖6至圖13所描繪之實施例的特徵，惟以下描述除外。在此實施例中，用於切換流動之至少兩個開口22、23在流體處理系統12中具有不同徑向位置。具體而言，如圖14所描繪，開口22係自開口23徑向地向內。因而，類似於上文關於圖6至圖8所描述之至少兩個開口10的此等開口具有不同徑向位置。
圖14所描繪之實施例包含用於切換流動之至少兩個開口22、23。當然，如先前所提及，開口可或者具有相同徑向位置，但其位置在方位角上不同。
因此，在一實施例中，流體處理系統12包含兩個表面，其中徑向內部表面22係圍繞經圖案化輻射光束之光徑而形成，且徑向外部表面23係形成於該徑向內部表面之外側處。兩個表面經組態以在曝光基板W期間自流體處理系統12與基板W及/或台之間的間隙抽取浸沒液體，且經組態以在清潔操作期間作為用以抽取液體之抽取表面或用以供應清潔液體之供應表面。控制器30經組態以控制兩個表面22、23，使得在清潔操作期間，一表面為供應表面且另一表面為抽取表面。
視情況，兩個表面為階梯形，使得存在兩個水平面，每一水平面對應於在上方經定位有流體處理系統12的基板或台之表面上方不同高度(亦即，間隙寬度)處之表面中的一者。或者，兩個表面22、23可配置於同一水平面處，如圖14所描繪。該等表面為可包含多孔部件(例如，微篩)之液體供應器/抽取器之部分。
在清潔操作期間，可通過此兩個表面中之徑向內部表面而供應清潔液體，且通過該兩個表面中之徑向外部表面而抽取清潔液體。可切換流動，使得通過徑向外部表面而供應流體且通過徑向內部表面而抽取流體。
根據一種經提議用於清潔表面(諸如光柵)之方法，使用位準感測器來偵測污染物，且使用流體處理結構來清潔表面。或者或另外，可存在專用於偵測污染物之分離感測器。可使用專用於偵測污染物之位準感測器及/或分離感測器來偵測表面上之污染物。
在一實施例中，可週期性地清潔表面。可根據一實施例來實施週期性清潔系統而無需大量停機時間。此係因為：在使用本發明之一實施例的情況下，可線上執行清潔。
圖15及圖16所描繪之另外實施例提供一種微影裝置，該微影裝置包含流體處理系統12及控制器30。此實施例係與關於圖6至圖12所描述之實施例相同，惟以下描述除外。流體處理系統12包含液體開口10及供應開口25。液體開口10經組態以將液體供應至流體處理系統12與基板W及/或台之間的間隙且自間隙抽取液體。供應開口25係自液體開口10徑向地向外。供應開口25經組態以將液體供應至間隙。因此，存在能夠進行在兩個方向上之流動(亦即，用於流體供應及抽取)之一開口，及僅需要能夠進行供應功能之另一開口。控制器30經組態以控制通過液體開口10之液體流動方向。
此實施例之液體開口10類似於先前所描述之至少兩個開口10。亦即，在曝光操作期間，液體開口10可抽取供應至自液體開口10徑向地向內之間隙的浸沒液體。在清潔操作期間，液體開口10可將清潔液體供應至間隙。
視情況，流體處理系統12進一步包含自供應開口25徑向地向外之抽取器40。抽取器40經組態以自間隙抽取氣體及/或液體。此抽取器40有助於牽制彎液面，藉此防止液體損耗。為此，控制器30可經組態以控制抽取器40，使得實質上無液體逸出間隙。
視情況，如圖15及圖16所描繪，流體處理系統12進一步包含自上述抽取器40徑向地向外之另外抽取器50，另外抽取器50經組態以自間隙抽取液體。此另外抽取器50有助於在清潔期間控制彎液面。在一實施例中，另外抽取器50包含多孔部件。在一實施例中，另外抽取器50可為雙相抽取器50，雙相抽取器50經組態以自間隙抽取氣體及液體，藉此牽制彎液面。
圖15及圖16描繪另外抽取器50係特別有用之實施例。圖15描繪在清潔操作期間之流體處理系統12。圖16描繪在曝光操作期間之流體處理系統12。在此實施例中，流體處理系統12在流體處理系統12之下表面17中進一步包含凹座60。凹座60經定位成自供應開口25徑向地向外。在一實施例中，微影裝置進一步包含超高頻音波振盪傳感器70，超高頻音波振盪傳感器70經組態以清潔物件之表面。傳感器70可定位於凹座60內。在使用傳感器70的情況下，將超高頻音波振盪引入至表面上之液體中以清潔表面。超高頻音波振盪傳感器70之使用對於台之清潔特別有利。
在一實施例中，微影裝置之控制器30經組態以控制通過液體開口10之液體流動方向，使得在清潔操作期間通過液體開口10而將液體供應至間隙，且在曝光操作期間通過液體開口10而自間隙抽取液體。
視情況，液體開口10連接至經組態以通過液體開口10而將液體供應至間隙之供應管路，及經組態以通過液體開口10而自間隙抽取液體的與供應管路分離之抽取管路。如上文所描述，在一實施例中，供應管路之內部表面及抽取管路之內部表面係由可撓性且抵抗有機溶劑之腐蝕的材料製成。
上文針對浸沒液體供應及/或流體抽取所提及之液體開口10可經定位成自供應開口25徑向地向內。此液體開口10可用於將浸沒液體供應至在投影系統之最終元件正下方的空間。
視情況，提供多孔部件，液體在經由液體開口10加以供應時及在經由液體開口10加以抽取時流動通過該多孔部件。可使用此多孔部件以允許將液體開口10用作單相抽取器，從而抽取液體而非氣體。或者，可使用雙相抽取器。可藉由一塊多孔材料來形成多孔部件。或者，可藉由在流體處理系統12之下表面17中加工一系列孔來形成多孔部件。
視情況，如圖5所描繪，浸沒液體供應開口13經組態以將浸沒液體供應至空間11。此浸沒液體供應開口13可應用於圖6至圖19所描繪之實施例中的任一者。此浸沒液體供應開口13可形成於將浸沒液體限制至空間的流體處理系統12之表面中。以此方式，浸沒液體隨著通過投影系統PS與基板W及/或台之表面而可稀釋清潔液體。另外，防止清潔液體接觸投影系統PS之表面。
在一實施例中，微影裝置包含浸沒液體控制器30，浸沒液體控制器30經組態以控制通過浸沒液體供應開口13之浸沒液體供應，使得在清潔操作期間，浸沒液體橫越部分地形成空間11的投影系統PS之表面而流動。
視情況，流體處理系統12包含限制結構，該限制結構環繞空間以將浸沒液體限制至空間。
將流體處理系統12用於清潔微影裝置之表面的一潛在問題在於：在一些情況下，有可能使清潔液體接觸投影系統PS之最終元件，該最終元件極接近於流體處理系統12之液體限制結構。若發生此問題，則清潔液體可能會損害投影系統PS之最終元件。因此，需要防止發生此問題。
因此，根據本文中所描述之實施例中之任一者的微影裝置可進一步包含保護配置，該保護配置經組態以防止清潔液體接觸投影系統PS之最終元件。在一實施例中，保護配置防止供應至間隙之清潔液體與供應至空間11之浸沒液體之間的接觸。或者，清潔液體與浸沒液體可彼此接觸。
存在可體現此保護特徵之各種結構方式。下文詳述此等結構之實例。
在一實施例中，保護配置包含：如圖5及圖17所描繪之最終元件液體供應開口13，其經組態以將浸沒液體供應至最終元件下方之空間；及控制器30，其經組態以控制該最終元件液體供應開口，使得在清潔操作期間，在空間中存在橫越最終元件之浸沒液體流動。以此方式，可藉由空間中之浸沒液體充分地稀釋清潔液體，使得經稀釋混合物不會導致對最終元件之損害。浸沒液體流動可防止清潔液體到達該元件。清潔液體之濃度可朝向投影系統PS之最終元件降低，使得在該元件自身處，實質上不存在清潔液體。
或者或另外，如圖5及圖17所描繪，保護配置可包含：最終元件液體供應開口13，其經組態以將浸沒液體供應至空間11；及控制器30，其經組態以控制通過最終元件液體供應開口13之浸沒液體供應，使得在清潔操作期間，在高於將清潔液體供應至間隙之壓力的壓力下藉由該最終元件液體供應開口來供應浸沒液體。此情形藉由將相對較強的液體流動提供成遠離於投影系統PS之最終元件來保護最終元件。
或者或另外，保護配置可包含：閉合圓盤，其經組態以提供空間之下部限制表面；及器件，其經組態以在流體處理系統12與閉合圓盤之間產生且維持間隙。可藉由間隙液體供應件來維持此間隙。間隙液體供應件可產生足夠用於液體承載之壓力，藉此防止閉合圓盤與流體處理系統12之下表面17之間的間隙閉合。
圖17展示流體處理系統12及閉合圓盤之定向。使用連接至負壓之出口14以相抵於流體處理系統12來推動閉合圓盤20。若藉由出口14來推動閉合圓盤20以接觸液體限制系統12，則可能會由於自閉合圓盤20或流體處理系統12之表面釋放(主要地係由其實體接觸起始)粒子而出現浸沒液體之微粒污染物。
圖17展示經維持成與流體處理系統12相隔一設定距離之閉合圓盤20。以此方式，存在至少兩個優點。第一優點在於：不可能自閉合圓盤20或液體限制系統12之表面釋放粒子。第二優點在於：特別地經由出口14而藉由浸沒液體11之循環來移除存在於該液體中之任何粒子。
存在可將閉合圓盤固持成與流體處理系統12相隔一距離之若干方式。一方式係藉由在出口14與氣體流動15之間維持平衡狀態，如圖5所示。此平衡可不僅用以含有浸沒液體11，而且使閉合圓盤恰好「漂浮」於液體限制系統下方。
代替閉合圓盤，保護配置可包含擋板部件，該擋板部件置放於流體處理系統12內且定位於與投影系統PS相反的空間之側上，使得可將液體限制於該空間中及投影系統PS與該擋板部件之間。擋板部件在流體處理系統12中可為可伸縮的。
圖18中說明擋板部件之一實施例。擋板部件允許基板台WT完全遠離於投影系統PS及液體限制結構12而移動，以用於自基板台WT移除基板W且將新基板W置放於基板台WT上。因此，其可用於(例如)雙載物台機器。
擋板部件150係以一板之形式，該板具有大於流體處理系統12中之局域化區域或孔徑之主要橫截面區域的主要橫截面區域。擋板部件150之形狀可為任何形狀，只要其覆蓋該孔徑即可。擋板部件150不為基板且可相對於基板台WT及流體處理系統12移動，且可藉由任何方式(例如，藉由真空夾持或以磁性方式)而附接至流體處理系統12。
擋板部件150經配置以防止最終元件下方之空間與間隙之間的液體流動。擋板部件150亦經配置成使得其不密封流體處理系統12之下表面17上的入口及出口。此情形使能夠在間隙中執行清潔，而無清潔液體進入空間。
或者或另外，保護配置可包含流道板，該流道板實質上平行於基板或基板台以將空間劃分成兩個部分，該板具有一孔徑。該孔徑之目的係允許輻射光束自投影系統之最終元件通過該孔徑而傳遞至流體處理系統下方之基板。
或者或另外，如圖18所描繪，保護配置包含：液體液位感測器32，其經組態以監視空間中之液體液位；及液位控制器33，其經組態以在清潔操作期間控制液體供應，使得液體液位不超過特定液位。
圖19描繪根據本發明之一實施例的流道板，其係用於保護微影裝置之投影系統PS之最終元件。另外，流道板具有防止或減少來自基板上之抗蝕劑及/或頂部塗層之污染物輸送及浸沒液體(例如，超純水)中之溫度梯度的有益效應。提供板24以將投影系統PS與基板W之間的空間劃分成兩個部分。板24具有孔徑或窗口24a以允許輻射光束PB之透射。該孔徑或窗口略微大於曝光場EF，以適應自投影系統PS至基板W的光束PB之會聚。
或者或另外，保護配置包含壓力供應件34，壓力供應件34經組態以將在最終光學元件正下方之空間中的壓力增加至高於大氣壓力。
用以保護投影系統之最終元件免於清潔液體之另一方式係將浸沒液體供應至最終元件下方之空間，且使用密度大於浸沒液體之密度的清潔液體。此方式之目的係防止清潔液體上升至高於浸沒液體以到達最終元件。具體而言，在一實施例中，藉由將浸沒液體供應至投影系統之最終元件下方的空間且將濃於浸沒液體之清潔液體供應至基板及/或台與流體處理系統之間的間隙來執行清潔操作。在一實施例中，經由分離開口而供應浸沒液體及清潔液體。浸沒液體與清潔液體彼此實質上不混合。
在一實施例中，控制器30控制至空間之浸沒液體供應，使得浸沒液體遠離於最終元件而流動。在此實施例中，無需藉由流體處理系統將清潔液體供應至間隙。舉例而言，可自待清潔表面下方供應清潔液體。
在此實施例中，適合用作清潔液體之液體為能夠溶解光阻之液體。清潔液體應與其將接觸之材料化學相容。視情況，經由多孔部件而將清潔液體供應至間隙。在此情況下，清潔液體能夠傳遞通過多孔部件而不阻塞，且能夠在短時間範圍(例如，少於30分鐘)內藉由浸沒液體而被清洗出多孔部件。
濃於浸沒液體之適當清潔液體的實例為：伽瑪丁內酯，其具有1,129 kgm-3 之密度；及乳酸乙酯，其具有1,030 kgm-3 之密度。浸沒液體可為水。浸沒液體與更濃清潔液體之此組合可應用於本文中之實施例中的任一者。
如先前所提及，將流體處理系統12用於清潔微影裝置或其檢修在清潔(例如)量測光柵之情況下特別有利。如圖20所描繪，微影裝置可包含參考框架RF、光柵51及感測器52。光柵51附接至台WT或參考框架RF。感測器52附接至台WT及參考框架RF中之另一者。感測器52經組態以偵測藉由光柵繞射及/或反射之輻射，以便量測台WT與參考框架RF之間的相對位置。台可為基板台(如圖20所描繪)，或量測台。
在一態樣中，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一流體處理系統，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之間的一空間，該流體處理系統包含至少兩個開口，該至少兩個開口經組態以將液體供應至該流體處理系統與該基板及/或該台之間的一間隙且自該間隙抽取液體；及一控制器，其經組態以控制通過該至少兩個開口之一液體流動方向，使得在一清潔操作期間，通過該至少兩個開口中之至少兩者的該等液體流動方向相反。
在一實施例中，該控制器經進一步組態以在一曝光操作期間控制通過該至少兩個開口之該液體流動方向，使得該至少兩個開口自該間隙抽取液體。
在一實施例中，該微影裝置進一步包含一多孔部件，該液體在經由該至少兩個開口中之至少一者加以供應時及在經由該至少兩個開口中之至少一者加以抽取時流動通過該多孔部件。
在一實施例中，該流體處理系統進一步包含自該至少兩個開口徑向地向外之一抽取器。
在一實施例中，該控制器經進一步組態以控制該抽取器，使得該抽取器在一清潔操作期間僅進行抽取。
在一實施例中，存在該至少兩個開口中之四者。
在一實施例中，至少兩個開口連接至經組態以通過該開口而將液體供應至該間隙之一供應管路，及經組態以通過該開口而自該間隙抽取液體的與該供應管路分離之一抽取管路。
在一實施例中，該供應管路之一內部表面及該抽取管路之一內部表面係由可撓性且抵抗一有機溶劑之腐蝕的一材料製成。
在一實施例中，該流體處理系統進一步包含自該至少兩個開口徑向地向外之一液體供應開口，該液體供應開口經組態以將液體供應至該間隙。
在一態樣中，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一流體處理系統，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之間的一空間，該流體處理系統包含一液體開口及一供應開口，該液體開口經組態以將液體供應至該流體處理系統與該基板及/或該台之間的一間隙且自該間隙抽取液體，該供應開口係自該液體開口徑向地向外，該供應開口經組態以將液體供應至該間隙；及一控制器，其經組態以控制通過該液體開口之一液體流動方向。
在一實施例中，該流體處理系統進一步包含自該供應開口徑向地向外之一抽取器，該抽取器經組態以自該間隙抽取氣體及/或液體。
在一實施例中，該流體處理系統進一步包含自該抽取器徑向地向外之一另外抽取器，該另外抽取器經組態以自該間隙抽取液體。
在一實施例中，該控制器經組態以控制通過該液體開口之該液體流動方向，使得在一清潔操作期間通過該液體開口而將液體供應至該間隙，且在一曝光操作期間通過該液體開口而自該間隙抽取液體。
在一實施例中，該流體處理系統在該流體處理系統之一下表面中包含自該供應開口徑向地向外之一凹座。
在一實施例中，該微影裝置進一步包含一超高頻音波振盪傳感器，該超高頻音波振盪傳感器經組態以清潔一物件之一表面，該傳感器位於該凹座內。
在一實施例中，該液體開口連接至經組態以通過該液體開口而將液體供應至該間隙之一供應管路，及經組態以通過該液體開口而自該間隙抽取液體的與該供應管路分離之一抽取管路。
在一實施例中，該供應管路之一內部表面及該抽取管路之一內部表面係由可撓性且抵抗一有機溶劑之腐蝕的一材料製成。
在一態樣中，提供一種微影裝置，該微影裝置包含一流體處理系統，該流體處理系統經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之間的一空間，該流體處理系統包含一液體供應管路或抽取管路，該液體供應管路或抽取管路經組態以將清潔液體供應至該流體處理系統或自該流體處理系統抽取清潔液體，其中該液體供應管路或抽取管路之一內部表面係可撓性的且抵抗一有機液體之腐蝕。
在一實施例中，該液體供應管路或抽取管路之該內部表面係由抵抗用於溶解光阻之一流體之腐蝕的一材料製成。
在一實施例中，該液體供應管路或抽取管路之該內部表面係由選自由PTFE、PFA及316L類型不鏽鋼組成之一群組的一材料製成。
在一實施例中，該微影裝置進一步包含：一第二液體供應管路或抽取管路，其經組態以將浸沒液體供應至該流體處理系統或自該流體處理系統抽取浸沒液體；及一控制器，其經組態以控制是否經由該液體供應管路或抽取管路而將清潔液體供應至該流體處理系統及/或自該流體處理系統抽取清潔液體，或是否經由該第二液體供應管路或抽取管路而將浸沒液體供應至該流體處理系統及/或自該流體處理系統抽取浸沒液體。
在一實施例中，該液體供應管路或抽取管路經進一步組態以將浸沒液體供應至該流體處理系統或自該流體處理系統抽取浸沒液體，且該微影裝置進一步包含一控制器，該控制器經組態以控制是否經由該液體供應管路或抽取管路而將清潔液體或浸沒液體供應至該流體處理系統及/或自該流體處理系統抽取清潔液體或浸沒液體。
在一實施例中，該流體處理系統進一步包含連接至該液體供應管路或抽取管路之一液體供應開口或抽取開口，該液體供應開口或抽取開口經組態以將清潔液體供應至該流體處理系統與該基板及/或該台之間的一間隙，或自該流體處理系統與該基板及/或該台之間的一間隙抽取清潔液體。
在一實施例中，該液體供應管路或抽取管路係藉由抵抗一有機溶劑之腐蝕之一材料製成的一連接器而連接至該液體供應開口或抽取開口。
在一實施例中，該微影裝置進一步包含一保護配置，該保護配置經組態以防止清潔液體接觸該投影系統之該最終元件。
在一實施例中，該保護配置經組態以防止供應至該間隙之清潔液體與供應至該空間之浸沒液體之間的接觸。
在一實施例中，該保護配置包含：一最終元件液體供應開口，其經組態以將浸沒液體供應至該空間；及一控制器，其經組態以控制通過該最終元件液體供應開口之一浸沒液體供應，使得在一清潔操作期間，在該空間中存在橫越該最終元件之一浸沒液體流動。
在一實施例中，該保護配置包含：一最終元件液體供應開口，其經組態以將浸沒液體供應至該空間；及一控制器，其經組態以控制通過該最終元件液體供應開口之一浸沒液體供應，使得在一清潔操作期間，在高於將清潔液體供應至該間隙之壓力的一壓力下藉由該最終元件液體供應開口來供應浸沒液體。
在一實施例中，該保護配置包含：一閉合圓盤，其經組態以提供該空間之一下部限制表面；及一器件，其經組態以在該流體處理系統與該閉合圓盤之間產生且維持一間隙。
在一實施例中，該保護配置包含一擋板部件，該擋板部件置放於該流體處理系統內，可定位於與該投影系統相反的該空間之一側上，使得可將該液體限制於該空間中及該投影系統與該擋板部件之間。
在一實施例中，該保護配置包含一板，該板實質上平行於該基板或該台以將該空間劃分成兩個部分，該板具有一孔徑。
在一實施例中，該保護配置包含：一液體液位感測器，其經組態以監視該空間中之一液體液位；及一液位控制器，其經組態以在一清潔操作期間控制液體供應，使得該液體液位不超過一特定液位。
在一實施例中，該保護配置包含一壓力供應件，該壓力供應件經組態以將在該最終元件正下方之該空間中的一壓力增加至高於大氣壓力。
在一實施例中，該微影裝置進一步包含：一參考框架；一光柵，其附接至該台或該參考框架；及一感測器，其附接至該台及該參考框架中之另一者，該感測器經組態以偵測藉由該光柵繞射及/或反射之輻射，以量測該台與該參考框架之間的相對位置。
在一態樣中，提供一種清潔一浸沒微影裝置之一表面的方法，該方法包含：經由一液體開口而將清潔液體供應至一流體處理系統與一基板及/或一台之間的一間隙，該流體處理系統係用於將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與該基板或該台之間的一空間；經由一另外液體開口而自該間隙抽取該清潔液體；及控制通過該液體開口及該另外液體開口之一液體流動方向，使得經由該另外液體開口而將該清潔液體供應至該間隙，且經由該液體開口而自該間隙抽取該清潔液體。
在一實施例中，該方法進一步包含自該空間經由自該液體開口及該另外液體開口徑向地向外之一供應開口而將浸沒液體供應至該間隙。
在一實施例中，該方法進一步包含自該空間經由自該供應開口徑向地向外之一抽取器而自該間隙抽取該清潔液體。
在一態樣中，提供一種清潔一浸沒微影裝置之一表面的方法，該方法包含：經由一液體開口而將清潔液體供應至一流體處理系統與一基板及/或一台之間的間隙，該流體處理系統係用於將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與該基板或該台之間的一空間；及自該空間經由自該液體開口徑向地向外之一供應開口而將浸沒液體供應至該間隙。
在一實施例中，該方法進一步包含經由自該供應開口徑向地向外之一抽取器而自該間隙抽取液體。
在一實施例中，該方法進一步包含防止清潔液體接觸該投影系統之該最終元件。
在一實施例中，該防止涉及將浸沒液體供應至該空間，使得在該空間中存在橫越該最終元件之一浸沒液體流動。
在一實施例中，該防止涉及在高於將清潔液體供應至該間隙之壓力的一壓力下將浸沒液體供應至該空間。
在一實施例中，該防止涉及在該流體處理系統與一閉合圓盤之間產生且維持一間隙，該閉合圓盤係用於提供該空間之一下部限制表面。
在一實施例中，該防止涉及將一擋板部件定位於與該投影系統相反的該空間之一側上，使得可將該液體限制於該空間中及該投影系統與該擋板部件之間。
在一實施例中，該防止涉及監視該空間中之一液體液位，且控制至該空間之一液體供應，使得該液體液位不超過一特定液位。
在一實施例中，該防止涉及將在該最終光學元件正下方之該空間中的一壓力增加至高於大氣壓力。
在一實施例中，該方法係用於清潔附接至該微影裝置之該台或一參考框架的一光柵。
在一實施例中，該光柵為用於量測該台與該參考框架之間的相對位置之一系統之部分。
在一態樣中，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一流體處理系統，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之一表面之間的一空間，該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束引導至該基板之一目標部分，該流體處理系統包含一供應開口及一抽取開口，該供應開口經組態以將清潔液體供應至該流體處理系統與該基板及/或該台之間的一間隙，該抽取開口經組態以自該間隙抽取清潔液體，該抽取開口係自該供應開口徑向地向外；及一控制器，其經組態以控制通過該間隙之一液體流動方向，使得該液體流動之至少一部分通過該投影系統與該基板及/或該台之該表面之間。
在一實施例中，該流體處理系統具有至少兩個供應開口，其中一上游開口係形成於通過該投影系統與該基板及/或該台之該表面之間的該液體上游，且一下游開口係形成於通過該投影系統與該基板及/或該台之該表面之間的該液體下游。
在一實施例中，該控制器經組態以控制該下游開口以供應液體及控制該上游開口以停止供應液體。
在一實施例中，該控制器經組態以控制該至少兩個供應開口之功能，以取決於該供應開口相對於該液體流動之位置而充當上游開口及下游開口，在使用中，該液體流動係在該投影系統與該基板及/或該台之該表面之間。
在一實施例中，通過該投影系統與該基板及/或該台之該表面之間的該液體流動之該部分傳遞通過該經圖案化輻射光束之一路徑。
在一實施例中，該流體處理系統具有一下表面。
在一實施例中，該等開口中之一或多者形成於該下表面中。
在一實施例中，該抽取開口形成於該下表面中。
在一實施例中，該基板為一虛設表面。
在一實施例中，該台為一台、一量測台及/或一擋板部件之表面。
在一實施例中，經組態以供應浸沒液體及/或抽取液體之一液體開口經定位成自該供應開口徑向地向內。
在一實施例中，一多孔部件處於該液體開口中，因此，通過該液體開口之該液體流動通過該多孔部件。
在一實施例中，一浸沒液體供應開口經組態以將浸沒液體供應至該空間。
在一實施例中，該浸沒液體供應開口形成於經組態以將浸沒液體限制至該空間的該流體處理系統之一表面中，使得該浸沒液體隨著通過該投影系統與該基板及/或該台之該表面而可稀釋該清潔液體，且使得防止該清潔液體接觸該投影系統之一表面。
在一實施例中，該微影裝置包含一浸沒液體控制器，該浸沒液體控制器經組態以控制通過該浸沒液體供應開口之該浸沒液體供應，使得在一清潔操作期間，一浸沒液體流動橫越部分地形成該空間的該投影系統之該表面而流動。
在一實施例中，該流體處理系統包含一限制結構，該限制結構環繞該空間以將該浸沒液體限制至該空間。
在一態樣中，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一流體處理結構，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之間的一空間，該流體處理結構包含至少兩個開口，該至少兩個開口經組態以在曝光一基板期間自該流體處理結構與該基板及/或該台之間的一間隙抽取浸沒液體，且各自經組態以在一清潔操作期間作為用以抽取液體之一抽取開口或用以供應一清潔液體之一供應開口；及一控制器，其經組態以控制該至少兩個開口，使得在該清潔操作期間，至少一開口為一供應開口且至少一開口為一抽取開口。
在一實施例中，在該清潔操作期間通過該至少一供應開口之一液體流動方向與通過該至少一抽取開口之一液體流動方向相反。
在一實施例中，該液體流動方向係橫越該空間。
在一實施例中，該等開口在該流體處理結構之一下表面上形成一閉合迴路。
在一態樣中，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一流體處理結構，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之間的一空間，該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束引導至該基板之一目標部分，該流體處理結構包含至少兩個表面，其中一徑向內部表面係圍繞該經圖案化輻射光束之一光徑而形成，且一徑向外部表面係形成於該徑向內部表面之一外側處，其中該兩個表面經組態以在曝光一基板期間自該流體處理結構與該基板及/或該台之間的一間隙抽取浸沒液體，且經組態以在一清潔操作期間作為用以抽取液體之一抽取表面或用以供應一清潔液體之一供應表面；及一控制器，其經組態以控制該至少兩個表面，使得在該清潔操作期間，該至少兩個表面中之一者為一供應表面且該至少兩個表面中之另一者為一抽取表面。
在一態樣中，提供一種清潔一浸沒微影裝置之一表面的方法，該方法包含：將浸沒液體供應至一投影系統之一最終元件與一基板或一台之間的一空間；及將清潔液體供應至該基板及/或該台與一流體處理系統之間的一間隙，該流體處理系統係用於將浸沒液體限制至該空間，其中該清潔液體濃於該浸沒液體。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
當藉由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文中所描述之控制器可各自或組合地為可操作的。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何適當組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令進行操作。
本發明之一或多個實施例可適用於任何浸沒微影裝置，特別地(但不獨佔式地)為上文所提及之該等類型，且無論浸沒液體是以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，或是未受限制的。在一未受限制配置中，浸沒液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸沒系統中，液體供應系統可能不限制浸沒流體或其可能提供浸沒液體限制之比例，但未提供浸沒液體之實質上完全限制。
應廣泛地解釋如本文中所預期之液體供應系統。在特定實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間的機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、包括一或多個液體開口10之一或多個流體開口、一或多個氣體開口或用於二相流之一或多個開口的組合。該等開口可各自為通向浸沒空間之入口(或來自流體處理結構之出口)或離開浸沒空間之出口(或通向流體處理結構之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流率或任何其他特徵的一或多個元件。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
10．．．供應開口/抽取開口/液體開口/分段單相抽取器
11．．．空間/浸沒液體
12．．．液體限制結構/流體處理系統
13．．．液體入口/液體出口/浸沒液體供應開口/最終元件液體供應開口
14．．．出口
15．．．氣體入口/氣體流動
16．．．氣體密封件
17．．．液體限制結構之下表面/流體處理系統之下表面
18．．．供應通道
19．．．凹座
20．．．閉合圓盤
21．．．三通閥
22．．．開口/徑向內部表面
23．．．開口/徑向外部表面
24．．．流道板
24a．．．孔徑/窗口
25．．．液體供應開口
30．．．控制器
32．．．液體液位感測器
33．．．液位控制器
34．．．壓力供應件
40．．．外部抽取器/外部清潔抽取器
50．．．另外抽取器/雙相抽取器
51．．．光柵
52．．．感測器
60．．．凹座
70．．．超高頻音波振盪傳感器
80．．．供應管路
90．．．抽取管路
150．．．擋板部件
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
EF．．．曝光場
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PB．．．輻射光束
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
RF．．．參考框架
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2及圖3描繪用於微影投影裝置中之液體供應系統；
圖4描繪用於微影投影裝置中之另外液體供應系統；
圖5描繪用於微影投影裝置中之另外液體供應系統；
圖6及圖7描繪根據本發明之一實施例之流體處理系統及控制器的橫截面圖；
圖8描繪根據本發明之一實施例之流體處理系統及控制器的橫截面圖；
圖9及圖10描繪根據本發明之一實施例之分段多孔部件的平面圖；
圖11及圖12描繪根據本發明之一實施例之流體處理系統及控制器的橫截面圖；
圖13描繪根據本發明之一實施例之流體處理系統及控制器的橫截面圖；
圖14描繪根據本發明之一實施例之流體處理系統及控制器的橫截面圖；
圖15及圖16描繪根據本發明之一實施例之流體處理系統及控制器的橫截面圖；
圖17描繪根據本發明之一實施例的閉合圓盤；
圖18描繪根據本發明之一實施例的擋板部件；
圖19描繪根據本發明之一實施例的保護流道板；及
圖20描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。
10．．．供應開口/抽取開口/液體開口/分段單相抽取器
11．．．空間/浸沒液體
12．．．液體限制結構/流體處理系統
17．．．液體限制結構之下表面/流體處理系統之下表面
24．．．流道板
30．．．控制器
PS．．．投影系統
W．．．基板

Claims (13)

  1. 一種微影裝置，其包含：一流體處理系統，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之間的一空間，該流體處理系統包含至少兩個開口，該至少兩個開口經組態以將液體供應至該流體處理系統與該基板及/或該台之間的一間隙且自該間隙抽取液體；及一控制器，其經組態以控制通過該至少兩個開口之一液體流動方向，使得在一清潔操作期間，通過該至少兩個開口中之至少兩者的該等液體流動方向相反。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該控制器經進一步組態以在一曝光操作期間控制通過該至少兩個開口之該液體流動方向，使得該至少兩個開口自該間隙抽取液體。
  3. 如請求項1或2之微影裝置，其進一步包含一多孔部件，該液體在經由該至少兩個開口中之至少一者加以供應時及在經由該至少兩個開口中之至少一者加以抽取時流動通過該多孔部件。
  4. 如請求項1或2之微影裝置，其中該流體處理系統進一步包含自該至少兩個開口徑向地向外之一抽取器，及/或其中該流體處理系統進一步包含自該至少兩個開口徑向地向外之一液體供應開口，該液體供應開口經組態以將液體供應至該間隙，及/或其中存在該至少兩個開口中之四者。
  5. 如請求項4之微影裝置，其中該控制器經進一步組態以 控制該抽取器，使得該抽取器在一清潔操作期間僅進行抽取。
  6. 如請求項1或2之微影裝置，其中該至少兩個開口連接至：一供應管路，其經組態以通過該開口而將液體供應至該間隙；及一抽取管路，其經組態以通過該開口而自該間隙抽取液體的與該供應管路分離。
  7. 如請求項6之微影裝置，其中該供應管路之一內部表面及該抽取管路之一內部表面係由可撓性且抵抗一有機溶劑之腐蝕的一材料製成。
  8. 一種微影裝置，其包含：一流體處理系統，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之間的一空間，該流體處理系統包含：一液體開口，其經組態以將液體供應至該流體處理系統與該基板及/或該台之間的一間隙且自該間隙抽取液體；及一供應開口，其係自該液體開口徑向地向外，該供應開口經組態以將液體供應至該間隙；及一控制器，其經組態以控制通過該液體開口之一液體流動方向。
  9. 一種清潔一浸沒微影裝置之一表面的方法，其包含：經由一液體開口而將清潔液體供應至一流體處理系統與一基板及/或一台之間的一間隙，該流體處理系統係用於將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與該基板 或該台之間的一空間；經由一另外液體開口而自該間隙抽取該清潔液體；及控制通過該液體開口及該另外液體開口之一液體流動方向，使得經由該另外液體開口而將該清潔液體供應至該間隙，且經由該液體開口而自該間隙抽取該清潔液體。
  10. 一種清潔一浸沒微影裝置之一表面的方法，其包含：經由一液體開口而將清潔液體供應至一流體處理系統與一基板及/或一台之間的間隙，該流體處理系統係用於將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與該基板或該台之間的一空間；自該空間經由自該液體開口徑向地向外之一供應開口而將浸沒液體供應至該間隙；及控制通過該液體開口之一液體流動方向，使得該清潔液體係經由該液體開口而供應至該間隙並自該間隙抽取。
  11. 一種微影裝置，其包含：一流體處理系統，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之一表面之間的一空間，該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束引導至該基板之一目標部分，該流體處理系統包含：一供應開口，其經組態以將清潔液體供應至該流體處理系統與該基板及/或該台之間的一間隙；及一抽取開口，其經組態以自該間隙抽取清潔液體，該 抽取開口係自該供應開口徑向地向外；及一控制器，其經組態以控制通過該間隙之一液體流動方向，使得該液體流動之至少一部分通過該投影系統與該基板及/或該台之該表面之間。
  12. 一種微影裝置，其包含：一流體處理結構，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之間的一空間，該流體處理結構包含至少兩個開口，該至少兩個開口經組態以在曝光一基板期間自該流體處理結構與該基板及/或該台之間的一間隙抽取浸沒液體，且各自經組態以在一清潔操作期間作為用以抽取液體之一抽取開口或用以供應一清潔液體之一供應開口；及一控制器，其經組態以控制該至少兩個開口，使得在該清潔操作期間，至少一開口為一供應開口且至少一開口為一抽取開口。
  13. 一種微影裝置，其包含：一流體處理結構，其經組態以將浸沒液體限制至一投影系統之一最終元件與一基板及/或一台之間的一空間，該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束引導至該基板之一目標部分，該流體處理結構包含至少兩個表面，其中一徑向內部表面係圍繞該經圖案化輻射光束之一光徑而形成，且一徑向外部表面係形成於該徑向內部表面之一外側處，其中該兩個表面經組態以在曝光一基板期間自該流體處理結構與該基板及/或該台之間的一間隙抽 取浸沒液體，且經組態以在一清潔操作期間作為用以抽取液體之一抽取表面或用以供應一清潔液體之一供應表面；及一控制器，其經組態以控制該至少兩個表面，使得在該清潔操作期間，該至少兩個表面中之一者為一供應表面且該至少兩個表面中之另一者為一抽取表面。
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