TWI385711B - 清潔器件、微影裝置及微影裝置清潔方法 - Google Patents

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Description

清潔器件、微影裝置及微影裝置清潔方法
本發明係關於一種微影裝置及一種用於清潔微影裝置之方法。
本申請案主張2007年5月4日申請之美國臨時專利申請案第60/924,244號，名為"微影裝置及微影裝置清潔方法(Lithographic Apparatus and Lithographic Apparatus Cleaning Method)"的優先權及權利。該申請案之全部內容以引用之方式併入本文中。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化器件轉印 至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。因為在液體中曝光輻射將具有更短波長，所以此情形之要點為致能更小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效NA且亦增加焦點深度。)已提議其他浸沒液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水。
然而，將基板或基板與基板台浸沒於液體浴中(例如，見美國專利第4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在必須被加速之大量液體。此需要額外或更強大之馬達，且液體中之紊流可能導致不良且不可預測之效應。
所提議之解決方案中之一者係使液體供應系統使用液體限制系統而僅在基板之區域化區域上及在投影系統之最終元件與基板之間提供液體(基板通常具有比投影系統之最終元件大的表面面積)。在PCT專利申請公開案第WO99/49504號中揭示一種經提議以針對此情形所配置之方式。如圖2及圖3所說明，液體藉由至少一入口IN而供應至基板上(較佳地沿著基板相對於最終元件之移動方向)，且在投影系統下穿過之後藉由至少一出口OUT移除。亦即，隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示液體經由入口IN被供應且在元件之另一側上藉由連接至低壓源之出口OUT被吸取的配置。在圖2之說明中，沿著基板相對 於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此狀況。圍繞最終元件所定位之入口及出口之各種定向及數目為可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在任一側上入口與出口之四個集合。
圖4中展示具有區域化液體供應系統之另一浸沒微影解決方案。液體藉由投影系統PL之任一側上的兩個凹槽入口IN供應，且藉由自入口IN徑向向外所配置之複數個離散出口OUT移除。可在中心中具有孔之板中配置入口IN及OUT，且經由該孔而投影投影光束。液體藉由投影系統PL之一側上的一凹槽入口IN供應，且藉由投影系統PL之另一側上的複數個離散出口OUT移除，從而導致液體薄膜在投影系統PL與基板W之間的流動。對使用入口IN與出口OUT之哪一組合的選擇可視基板W之移動方向而定(入口IN與出口OUT之另一組合為不活動的)。
在歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中，揭示了複式平台或雙平台浸沒微影裝置之觀念，該等專利申請公開案中之每一者的全部內容以引用方式併入本文中。該裝置具備用於支撐基板之兩個台。在無浸沒液體之情況下藉由第一位置處之台來執行調平(leveling)量測，且在存在浸沒液體之情況下藉由第二位置處之台來執行曝光。或者，裝置僅具有一個台。
浸沒液體可自微影裝置及/或基板或腐蝕組件之部分提昇碎片或粒子(例如，自製造過程所留下)，以便引入粒 子。此碎片可在成像之後接著留在基板上，或可在懸浮於投影系統與基板之間的液體中時干擾成像。因此，應在浸沒微影裝置中處理污染問題。
需要(例如)提供一種可經容易且有效地清潔之微影裝置，以及提供一種用於有效地清潔浸沒微影裝置之方法。
根據本發明之一態樣，提供一種用以清潔浸沒微影投影裝置之裝置，其包含：超高頻音波傳感器，超高頻音波傳感器經組態以清潔浸沒微影裝置之表面；液體供應系統，液體供應系統經建構及配置以在超高頻音波傳感器與待清潔之表面之間供應液體；及清潔液體出口，清潔液體出口經組態以容納清潔流體流出。
根據本發明之一態樣，提供一種浸沒微影投影裝置，其包含：基板台，基板台經建構及配置以固持基板；投影系統，投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板上；超高頻音波傳感器，超高頻音波傳感器經組態以清潔表面；液體供應系統，液體供應系統經建構及配置以在超高頻音波傳感器與待清潔之表面之間供應液體；及清潔流體出口，清潔流體出口經組態以允許清潔流體流出。
根據本發明之一態樣，提供一種使用自超高頻音波傳感器所發出之超高頻音波來清潔浸沒微影投影裝置之表面的方法，其包含：將待清潔之表面及超高頻音波傳感器之表面覆蓋於液體中；將超高頻音波引入至液體中；及經由鄰接待清潔之表面的液體出口而提取液體。
根據本發明之一態樣，提供一種用以清潔微影投影裝置之組件之表面的清潔器件，清潔器件包含：液體流動引發器件，液體流動引發器件經組態以形成鄰近表面之液體流動；及音波傳感器，音波傳感器經組態以經由液體而將音波發射至表面上。
根據本發明之一態樣，提供一種微影投影裝置，其包含：基板台，基板台經建構及配置以固持基板；投影系統，投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板上；及清潔器件，清潔器件用以清潔微影投影裝置之組件的表面，清潔器件包含：液體流動引發器件，液體流動引發器件經組態以形成鄰近表面之液體流動；及音波傳感器，音波傳感器經組態以經由液體而將音波發射至表面上。
根據本發明之一態樣，提供一種清潔微影投影裝置之組件之表面的方法，該方法包含：在表面上提供液體；在液體中引發流動；及經由液體而提供音波。
根據本發明之一態樣，提供一種清潔微影裝置之物件之表面的方法，該方法包含：在待清潔之表面與音波傳感器之間提供包括第一添加劑之液體；將音波自傳感器發射至表面上；在待清潔之表面與音波傳感器之間提供包括不同於第一添加劑之第二添加劑的液體；及將音波自傳感器發射至表面上。
根據本發明之一態樣，提供一種微影投影裝置，其包含：音波傳感器，音波傳感器具有在使用中面向待清潔之 表面的面；液體供應系統，液體供應系統經組態以在音波傳感器與待清潔之表面之間提供液體；及提取器，提取器經組態以自音波傳感器與表面之間移除液體，提取器之入口經定位成使得在使用中形成液體在傳感器與大體上朝向傳感器之面之中心的表面之間的徑向向內流動。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。
該裝置包含：
照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至第一定位器PM，第一定位器PM經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至第二定位器PW，第二定位器PW經組態以根據某些參數來精確地定位基板；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以藉由圖案化器件MA來將被賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化器件"同義。
本文所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、 電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，該裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，該裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上支撐結構)之類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外台及/或支撐結構，或可在一或多個台及/或支撐結構上執行預備步驟，同時將一或多個其他台及/或支撐結構用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射器時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件(諸 如，積光器IN及聚光器CO)。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且由圖案化器件圖案化。在橫穿圖案化器件MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器，或電容式感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位圖案化器件MA。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
已提議之具有區域化液體供應系統解決方案的另一浸沒微影解決方案IH為提供具有障壁部件之液體供應系統，障壁部件沿著投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分延伸。圖5中說明該解決方案。障壁部件在XY平面中相對於投影系統而大體上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於障壁部件與基板之表面之間，且可能為諸如氣體密封件之無接觸密封件。
障壁部件12在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統之影像場而形成至基板之無接觸密封件16，使得液體被限制於基板表面與投影系統之最終元件之間的空間內。藉由在投影系統PS之最終元件下方及圍繞投影系統PS之最終元件所定位的障壁部件12來至少部分地界限或形成空間。液體藉由液體入口13而被帶進投影系統下方及障壁部件12內之空間且可藉由液體出口13移除。障壁部件12可延伸至略高於投影系統之最終元件，且液體位準上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。障壁部件12具有內部周邊，在一實施例中，內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀，例如，矩形，但並非需要為此狀況。
藉由氣體密封件16而在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間形成於障壁部件12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件係由氣體(例如，空氣或合成空氣)形成， 但在一實施例中，由N2 或另一惰性氣體形成，氣體經由入口15而在壓力下提供至障壁部件12與基板之間的間隙且經由出口14被提取。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得存在限制液體之向內高速氣體流動。彼等入口/出口可為圍繞空間11之環形凹槽，且氣體流動16對於在空間11中含有液體為有效的。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示該系統。
如上文所述，浸沒微影裝置為經由液體而成像基板之裝置。亦即，浸沒液體提供於投影系統PS之最終元件與基板之間。此配置可引起一或多個特定問題。詳言之，液體應被限制於裝置中，且液體亦應儘可能保持無外物粒子，該等粒子可在成像期間及/或藉由在成像之後及在下游處理之前留在基板表面上而導致缺陷。有時，浸沒液體故意地包括懸浮粒子。
一種處理外物粒子問題之方式為藉由將清潔液體施加至待清潔之表面及/或將音波(超音波或超高頻音波)引入至液體中以清潔表面。清潔液體可能或可能不與浸沒液體相同。其可(例如)為超純水。
與超音波相比，超高頻音波產生空化氣泡(其爆聚或振動)，其極小且因此可極接近於待清潔之表面。然而，存在對可使用超高頻音波而引入至液體中之能量的限制。通常，儘管超音波能量可引入至液體中之任何處且將分布於整個液體中，但超高頻音波能量僅區域地較高且因此必須直接被引導至待清潔之表面。亦即，在引入超高頻音波之 傳感器與待清潔之表面之間必須存在直接路徑(視線/直線)。該路徑之整個長度應填充有液體。
超高頻音波頻率通常被視為在750 kHz至3 MHz之間。為了本目的，使用高於約750 kHz、高於1 MHz或高於1.5 MHz之頻率。
隨著經引入音波能量之頻率增加，接近待清潔之物件之表面之清潔流體中的停滯邊界層變得更薄。在超高頻音波頻率下，藉由超高頻音波脈衝及在清潔流體中具有高速壓力波之聲射流以及氣泡振動及在更低程度上之空化與氣泡爆裂來部分地實現清潔。
在超高頻音波頻率下，直徑小於0.5 μm之粒子可被移除，而不損壞經清潔之表面。如以上所提及，應存在自傳感器至經清潔之表面的清晰路徑(視線)。為了進一步增加清潔效率，可將氣體溶解至液體中以促進空化(氣泡形成)。適當氣體包括氮、二氧化碳或氧及彼等氣體之混合物(包括空氣)，但其他氣體亦可為適當的，諸如，臭氧或氫(含有水)。針對微影裝置在液體中使用(例如)界面活性劑(諸如，清潔劑、肥皂)、酸、鹼或溶劑(諸如，非極性有機溶劑或極性有機溶劑)或H2 O2 溶液或任何其他適當化學品可進一步增強清潔效率。在清潔液體中使用清潔劑或溶劑或添加H2 O2 溶液可推進流體之氧化本性，藉此幫助移除有機污染。另一實例為次氯酸鹽。
亦有可能(例如)藉由添加具有比液體(例如，水)低之極性的液體可混溶溶劑(例如，水可混溶溶劑)來改變清潔流 體極性，液體可混溶溶劑之實例包括乙醇、酮、有機酸、胺，等等。乙醇之實例包括：二乙二醇單丁醚及/或乙氧基化二級C12-14乙醇，例如，烷氧基聚伸乙基氧基乙醇。添加該添加劑之一潛在問題為所得清潔流體之更低閃點。因此，添加具有高閃點之有機基添加劑以便改變清潔流體特性而不導致易燃性危險為所要的。該添加劑可包括N-甲基吡咯啶酮(NMP)、乙二醇醚，等等。當然，可將其他添加劑添加至液體。舉例而言，可能需要添加在待移除之一或多個特定污染物上具有特定化學攻擊之化學品。舉例而言，可藉由諸如甲基乙基酮、乙酸乙酯及/或丙酮之化學品來移除抗蝕劑粒子。在一實施例中，液體可為水、二乙二醇單丁醚及C12-14二級乙氧基化乙醇(諸如，TLDR-A001或TLDR-A001-C4，其由Tokyo Ohko Kogyo Co., Ltd.製造)的混合物。
在本發明之一實施例中，以多步驟方式來執行表面之清潔，其中在不同步驟期間移除不同污染物。因此，在第一步驟中，使用具有第一特定添加劑之液體來移除第一污染物。接著，使用音波而經由具有第一特定添加劑之液體來清潔表面。在第二步驟中，在音波傳感器與待清潔之表面之間使用具有不同於第一添加劑且經設計以攻擊不同污染物之第二添加劑的液體。可執行任何數目之此等步驟，且可能或可能沒有必要在使用具有不同添加劑(例如，為不同之第一添加劑與第二添加劑可能不相容)之液體之間沖洗表面。該連續清潔策略可導致高總粒子移除。
可能想要在浸沒微影裝置中清潔之物件包括(但不限於)支撐基板W之基板台WT的一或多個部分(其頂部表面)、在成像期間浸沒於浸沒液體中之投影系統PS的最終元件，及/或在成像期間於投影系統PS之最終元件與基板W之間提供液體的液體限制系統(例如，圖2至圖5所說明之液體限制系統)。以下將關於清潔基板台之頂部表面及障壁部件來描述本發明之一或多項實施例，但本發明不限於僅清潔基板台及障壁部件。
在一實施例中，液體供應系統在音波傳感器與待清潔之表面之間提供液體。在實施例中，液體供應系統提供液體流動，使得隨著清潔表面而移除液體，使得運走自表面所移除之粒子。一適當液體為以超純形式之水。然而，其他類型之液體可為適當的。此外，對液體之添加物(諸如，如以上所提及之界面活性劑)亦可具有優點。其他清潔液體包括(例如)水/過氧化氫、水/乙醇、水/異丙醇(IPA)、水/氨，或水/丙酮混合物。可用作添加物之其他化學品包括氫氧化四甲基銨(TMAH)及SC-1或SC-2。
將氣體(或某些溶劑)引入至液體中之一原因在於此促進穩定空化。此導致穩定氣泡形成於液體中。此等氣泡接著由超高頻音波振動，其導致可能比所謂的瞬間空化(其為溶劑汽化成氣泡且接著爆聚或崩潰之空化)對經清潔之表面進行少損壞的清潔。此等猛烈爆聚可導致表面之損壞且通常在超音波頻率下所見且在超高頻音波頻率下較不顯著，在超高頻音波頻率下，所產生之氣泡傾向於比在超音 波頻率下所產生之氣泡小。然而，如上文所述，應在待清潔之表面之視線內供應超高頻音波。
高達100秒之處理時間可導致在約1 MHz之頻率下高達100%的粒子移除效率。若聲頻遠遠超過3 MHz以上，則粒子移除效率與僅高於1 MHz之頻率相比可顯著地降低。將氣體引入至液體中具有對粒子移除效率之主要效應。34 nm直徑之SiO2 粒子的移除可自零移除效率增加至30%移除效率，其中在20 ppm之位準下之氧引入至液體中。因此，高於約5 ppm之氣體濃度可為有用的。
溫度亦可為值得注意的，且應在高溫下經溶解之較少氣體上在高溫(例如，55℃)下之更快反應時間之間取得平衡。
亦存在液體之pH之效應。在低pH下，在液體中存在許多H+ 離子，其導致正表面電荷。類似地，在高pH下，液體含有許多OH- 離子，其導致負表面電荷。因此，確保液體之pH遠離於pH 7會增加粒子在其已被移除之後的再沈積不會出現的可能性。此外，粒子及表面均被相等地充電(正充電或負充電)時粒子與表面之間的靜電推斥輔助自表面提昇粒子。
傳感器之功率理想地在0.2 W/cm2 與5 W/cm2 之間，照射距離在5 nm與20 nm之間，且清潔時間在10秒與90秒之間。對於自超高頻音波傳感器行進至待清潔之表面的直接路徑之來自超高頻音波傳感器的聲波，若干設計經提議以清潔浸沒微影裝置之不同部分。
超高頻音波清潔器良好地適合於自表面移除粒子。
圖6說明用以清潔(例如)基板台WT之頂部表面的裝置，基板台WT包含可收縮障壁80，可收縮障壁80在其清潔位置中延伸至高於且圍繞基板台WT之待清潔之頂部表面。一旦障壁80已上升至其清潔位置，則液體可提供於待清潔之表面上，且超高頻音波傳感器20可在基板台WT之表面上移動(在方向25上)(其中傳感器20之底部表面由液體覆蓋)，及/或基板台WT可在傳感器20下移動，藉此以清潔基板台WT之頂部表面。當然，類似配置為可能的，其中障壁80不為可收縮的且永久性地附著至基板台WT或為可移除部分。傳感器20可為固定或可移動的(特定地在Z方向上)及/或亦可在清潔操作期間於X/Y軸中移動。
當清潔基板台WT之頂部表面時，亦有可能同時清潔提供於基板台WT之頂部表面上的一或多個感測器。感測器之類型之實例包括透射影像感測器、透鏡干涉計，及/或光點感測器。
可能有用的為確保由傳感器所產生之聲波在90∘下撞擊至待清潔之表面上。為此目的，測微計可經提供以調整傳感器20相對於待清潔之表面的傾斜。在裝置之一設計中，可能有利的為提供相對於表面所傾斜之傳感器，且再次，此可使用測微計來調整。測微計亦可用以調整自傳感器至待清潔之表面的距離。
舉例而言，2006年5月22日申請之美國專利申請案第11/437,876號中處理浸沒微影裝置中之污染問題。在此申 請案中，微影裝置具有經組態以容易且有效地清潔表面之超高頻音波傳感器。超高頻音波傳感器良好地適合於自表面移除粒子。然而，粒子有時可能再沈積且自身再附著至經清潔之表面。若流體流動未被精確地控制，則再沈積易於出現，其通常在零流動速度之一或多個位置(停滯區)處或在流體與氣體(例如，空氣)之界面處發生。因此，需要在超高頻音波傳感器與經清潔之表面之間提供液體流動。詳言之，需要設計裝置以使得不存在零流動速度之位置(停滯區)。
需要藉由(例如)提供微影裝置來緩解粒子自身再附著之上述問題，在微影裝置中，清潔流體之流動經有效地控制，以便最小化污染物粒子在經清潔之表面上的再沈積。亦需要在超高頻音波傳感器與經清潔之表面之間提供液體流動，使得快速地運走懸浮有粒子之液體。因此，減少零流動速度之位置(停滯區)的數目且避免再沈積。
根據本發明之一態樣，提供一種用於清潔浸沒微影投影裝置之裝置，其包含：超高頻音波傳感器，超高頻音波傳感器經組態以清潔浸沒微影裝置之表面；液體供應系統，液體供應系統經建構及配置以在超高頻音波傳感器與待清潔之表面之間供應液體；及清潔液體出口，清潔液體出口經組態以容納清潔流體流出。清潔液體出口鄰接待清潔之表面。將超高頻音波傳感器之表面及待清潔之表面浸沒於用於清潔之清潔液體中。
根據本發明之一態樣，提供一種浸沒微影投影裝置，其 包含：基板台，基板台經建構及配置以固持基板；投影系統，投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板上；超高頻音波傳感器，超高頻音波傳感器經組態以清潔表面；液體供應系統，液體供應系統經建構及配置以在超高頻音波傳感器與待清潔之表面之間供應液體；及清潔流體出口，清潔流體出口經組態以允許清潔流體流出。清潔流體出口鄰接待清潔之表面。在清潔期間將超高頻音波傳感器之表面及待清潔之表面浸沒於清潔液體中。
根據本發明之一態樣，提供一種使用自超高頻音波傳感器所發出之超高頻音波來清潔浸沒微影投影裝置之表面的方法，其包含：將待清潔之表面及超高頻音波傳感器之表面覆蓋於液體中；將超高頻音波引入至液體中；及經由鄰接待清潔之表面的液體出口而提取液體。
在圖6所示之裝置之變化中，清潔液體30在傳感器20與待清潔之表面之間流動。圖7展示一設計，其中超高頻音波傳感器20固持於界定經清潔之區域A的基板台WT(例如，鏡面區塊)之頂部表面之一部分上。超高頻音波傳感器之下部表面浸沒於被固持於儲集器中之清潔液體30中。朝向儲集器之側且遠離於傳感器20而經由位於儲集器之表面中之一或多個出口10來提取清潔流體30。因為超高頻音波傳感器20小於待清潔之基板台WT，所以必須到處移動傳感器及/或基板台。
氣體/液體(例如，空氣/水)界面對粒子(再)沈積尤為敏感。隨著跨越基板台WT之表面而移動超高頻音波傳感器 20(及/或反之亦然)，氣體/液體界面越過臨界經清潔區域。污染物(其中一些已自基板台WT被移除)可沈積於氣體/液體界面下之基板台WT表面上，在經清潔之表面與一或多個出口之間。
圖8展示一裝置，其中超高頻音波傳感器20之面向基板台的表面浸沒於清潔液體中，使得在傳感器20與基板台WT之間不存在氣體(例如，空氣)/液體界面。在此裝置中，提供可為超高頻音波傳感器之音波傳感器20。液體30提供於基板台WT之頂部表面上。在所說明裝置中，提供於基板台(且可為可移除或可收縮的)上之障壁80防止液體30逃逸。液體自音波傳感器20被徑向向外提供，且可(例如)提供於接近於障壁80之位置處。
有利的為在經清潔之表面與音波傳感器20之面向待清潔之表面的表面之間具有液體流動35。詳言之，液體30之移動理想地朝向粒子之更高濃度區域且朝向仍由音波所照射之區域。在存在液體/空氣界面之情況下，此配置可為特定地所需的。此係因為已自表面所移除之污染物粒子不朝向液體/空氣界面遷移，使得改良清潔。在圖8之實施例中，此係藉由經由大體上穿過音波傳感器20之中心的管路或管道100(或至少使得其由音波傳感器圍繞)而提取液體來達成。音波傳感器20經說明為單一傳感器，但當然，其可經提供為圍繞中心軸線而鄰近於彼此所定位之若干音波傳感器，中心軸線垂直於待清潔之表面且與圖8所說明之管路100同軸。當然，管路100亦可自中心軸線偏移。
傳感器20具有大體上中心提取管道100，其中出口10界定於其下表面中。出口10鄰接、鄰近於或緊接於經清潔之區域A。管道100之另一末端連接至(例如)濕式真空(亦即，提取器)。經由出口10而向上抽取液體，從而導致清潔液體朝向超高頻音波傳感器20之中心而在傳感器20下流動。因此，自基板台WT之表面所釋放之污染物在其可再沈積回至基板台WT之頂部表面之經清潔的表面上之前藉由液體30之流動被移除。
因為超高頻音波為方向性的，所以清潔理想地直接在超高頻音波之路徑線中經區域化或區隔化至基板台之表面。在圖8所示之裝置中，待清潔之表面直接在傳感器20下方。因此，直接在傳感器20下之清潔流體中的粒子濃度高，而在傳感器旁邊之濃度低。在徑向流動35之影響下，朝向最受污染區域(其在提取管道出口10之區域中)而引導總體流體流動(bulk liquid flow)。在傳感器下流動之液體30可展現徑向流動。
在圖8所示之配置中，有利地在基板台WT之經清潔之區域中及自基板台之經清潔之區域至通至提取管道100的出口10不存在氣體(例如，空氣)/液體界面。可在離線清潔裝置中實施此裝置。為了使用離線清潔裝置，將清潔裝置緊固至基板台WT。可在清潔期間自微影裝置移除基板台WT。可於在線配置中實施此裝置之變體。
在圖8之裝置中，管道100連接至受壓源(濕式真空)，且此導致液體朝向與管路100同軸之中心軸線的徑向向內流 動。然而，其他類型之流動亦可出現，例如，漩渦類型流動，其中液體朝向與管路100同軸之軸線而向內流動(以一分量)，但不精確地徑向流動。
儘管圖8中以經由音波傳感器20之中心所定位之管道100來說明，但其他配置為可能的。舉例而言，可經由經清潔之表面自身而提取液體。然而，該裝置更適合於相對於待清潔之表面A來固定音波傳感器20之位置的情況。應瞭解，當藉由音波傳感器20來清潔基板台WT之頂部表面(其在計劃中小於基板台之頂部表面)時，可如箭頭25所說明相對於基板台WT來移動音波傳感器20(及/或反之亦然)，使得可清潔基板台WT之頂部表面的全部。
所需的為液體自污染物粒子之低濃度區域朝向粒子之高濃度區域的向內流動35。粒子之低濃度區域包括自音波傳感器20之中心軸線徑向向外之區域，其中音波不將粒子自經清潔之表面A分離。粒子之高濃度區域包括諸如在音波傳感器20與經清潔之表面A之間的區域。以此方式，清潔液體補給受污染液體，而非採取其他方式。此外，已自待清潔之表面所移除之粒子可自身再附著。在徑向向內流動的情況下，該等粒子將自身再附著於自其原先被附著之處徑向向內之位置中。幾何學上，再附著位置因此應在傳感器20下，亦即，在其可由來自音波傳感器20之音波再次移除的區域中。
所需的為向內流動之產生，而非此係如何被達成。以上已描述一或多個特定實施例，但當然，熟習此項技術者將 知道，其他配置為可能的，且管路100未必需要直接穿過超高頻音波傳感器20或形成總傳感器20之複數個超高頻音波傳感器的中心。舉例而言，管路可穿過液體30至需要提取液體藉此以引發向內流動之位置。
圖9展示廢除圖8之實施例之障壁80且比圖8之實施例更適合於在線(亦即，在浸沒微影裝置中)使用的實施例。在此實施例中，音波傳感器20類似於圖8所說明之音波傳感器(除了其在計劃中具有更小區域以外)。音波傳感器20由以上關於圖5所描述之障壁部件12圍繞。此障壁部件12可接著相對於基板台WT之頂部表面而在X-Y平面中移動(或反之亦然)，同時在音波傳感器20與待清潔之表面之間提供液體。在此實施例中，仍經由管路100而提取出液體，以提供液體之所要向內流動。可因此需要比如關於圖5所描述之成像期間所需之流動速率高的液體流動速率。
基板台WT及/或傳感器20相對於彼此而移動，使得可清潔基板台WT之頂部表面的全部。清潔可以自動化方式發生於微影裝置內，或可藉由利用手或利用某工具相對於基板台WT之頂部表面而移動傳感器20(及/或反之亦然)來手動地執行。
若清潔過程為自動化的，則一種針對此情形所配置之方式為使傳感器20可自靜止儲存位置移動至(靜止)清潔位置且在傳感器處於(靜止)清潔位置時相對於傳感器20而移動基板台WT。基板台WT可能需要在清潔器件之液體供應系統之啟動之前在Z軸中移動。一旦已形成氣體流動16，則 障壁部件12經供應有液體且基板台WT在X-Y平面中移動，使得可清潔需要被清潔之表面。
需要跨越傳感器與待清潔之表面之間的距離之液體流動，但非必需。
用以防止或至少減少粒子至表面之再附著的另一方式為改變傳感器與表面之間的液體之一或多個性質，以確保粒子之界達電位(zeta potential)及表面之界達電位使得粒子不附著至表面，理想地使得自表面推斥粒子。
界達電位為液體中之表面的電位。界達電位通常隨著自表面之距離而降低。給定類型之材料針對特定類型之液體具有給定界達電位。一種改變表面之界達電位的方式為改變液體中之電解質的濃度，且用以改變界達電位之替代方法或另一方法為改變液體之pH。藉由仔細選擇液體中之電解質(例如，鹽)的濃度及/或液體之pH，可選擇(i)自其中移除粒子之表面(及/或將避免黏著之任何其他表面)的界達電位，及(ii)粒子之界達電位。理想地，彼等兩個界達電位可經選擇，使得其具有相同極性，且因此物件中具有各別界達電位之每一者或一者可自另一者推斥。
可藉由對製成經清潔之表面之材料的認識及藉由對將可能製成粒子之材料之類型的認識來選擇液體之pH及/或電解質之濃度。若材料相同，則應易於選擇界達電位針對表面及粒子兩者為非零時之pH及/或電解質濃度。在該情況下，電位針對表面及粒子兩者將為正或負，使得其將彼此推斥且粒子將不可能再黏著至表面。若材料不同，則pH及/ 或電解質濃度將更難以選擇，但可能將存在界達電位針對兩種材料將具有相同極性時之至少一pH及/或電解質濃度。
改變液體之pH可能對材料溶解度具有負面影響，其自身可導致污染或材料完整性損失。若認為此為一問題，則可能需要改變電解質濃度而非pH。若此係藉由添加良好選擇之鹽(例如，NaCl)來進行，則此可能不極大地影響液體之pH(亦即，液體保持中性)。
以上技術中之兩者或兩者以上的組合使用(詳言之，改變pH及/或電解質濃度以改變界達電位及界面活性劑之使用)可為最佳方法。
在清潔液體限制系統LCS(諸如，浸沒蓋(見(例如)圖5))中所遭遇之問題為：若清潔自下方原位發生，則超高頻音波可加熱投影系統之(最終)光學元件。此係因為投影系統PS之一部分因為經由液體限制系統LCS來形成孔隙200而自下方曝光。孔隙200在基板之成像期間填充有液體，且投影光束PB穿過孔隙200至基板W上。因此，需要清潔液體限制系統LCS之表面，而不加熱光學元件(通常為WELLE透鏡)，且不分散光學元件中之能量。如主張來自美國專利申請案第11/437,876號之優先權之於2007年5月18日所申請之美國專利申請案第11/802,082號中先前所示，氣體(例如，空氣)間隙可用作用以使光學元件與超高頻音波絕緣之屏蔽。然而，液體可在某些條件下進入該間隙。
在一實施例中，理想地包含板之屏蔽可用以使投影系統 之最終元件與超高頻音波及/或液體屏蔽。理想地，屏蔽為傳感器20與投影系統PS之經由孔隙200所曝光之部分之間的固體障壁310。在一實施例中，屏蔽為自傳感器20至孔隙200之所有筆直路徑中的實體存在物(障壁)。障壁及/或氣體間隙75(其由障壁幫助維持)對於遠離於孔隙200而反射自傳感器20之音波振動為有效的。在一實施例中，障壁310亦密封孔隙200，使得無液體進入孔隙200。此幫助確保氣體間隙之完整性，且無液體接觸光學元件之表面。
圖10及圖11展示可緊固至液體限制系統LCS之下側的清潔工具。將首先描述圖10之實施例。注意，裝置在計劃中整體為圓形，但本發明之一實施例可與任何類型之液體限制系統協作，甚至不為圓形之液體限制系統。工具藉由外部密封件400而緊固至液體限制系統LCS，外部密封件400將清潔工具本體300密封至液體限制系統LCS之下表面。外部密封件400通常為O型環。外部密封件界定液體限制系統LCS之下側之待清潔的最大表面。在工具本體300內的為超高頻音波傳感器20，其經組態以在液體限制系統LCS之下表面處引導超高頻音波。清潔流體填充工具本體300與液體限制系統LCS之下表面之間的空間，且因此形成儲集器。
清潔裝置具有屏蔽，除了儲集器之頂部表面與光學元件之間的氣體間隙75以外，屏蔽還包含形成傳感器20與間隙75之間的固體分離器之障壁310。障壁310藉由遠離於光學元件而反射超高頻音波來改良屏蔽之有效性。障壁310係 以功能上用作光學元件之傘狀物的形式，亦即，用以使光學元件與液體屏蔽。傘狀物覆蓋由圍繞孔隙200而形成於液體限制系統LCS中之內部輪緣318所界定的孔隙200，且藉由障壁310(傘狀物)與液體限制系統LCS之間的內部密封件500(通常為O型環)而緊固至液體限制系統LCS。內部密封件500防止清潔液體進入間隙75來損害間隙75之效能。
清潔工具亦包含附著至障壁310之管路320。管路穿過工具本體300。管路具有入口330以將清潔液體供應至儲集器中。入口經定位成接近或鄰近清潔液體儲集器之頂部，接近形成於液體限制系統LCS中之內部輪緣318。入口330經提供為單一裂縫或為圍繞障壁310之外部邊緣的複數個離散孔，使得在所有徑向方向上提供液體流動。形成於液體限制系統LCS之下表面中的為連接至受壓源(例如，濕式真空)以移除清潔流體之出口10。出口10鄰接、鄰近於或緊接於液體限制系統LCS之待清潔的表面，且為已經存在於習知液體限制系統上之特徵(例如，圖2至圖4中之任一者中的出口OUT及/或圖5中之出口14)。因此，在使用中，清潔液體朝向出口而在工具本體與液體限制系統LCS之間流動。因此，此實施例亦提供穿過經清潔之表面的液體流動。液體流動為徑向的，但在此實施例中，流動通常向外。然而，因為傳感器20不相對於待清潔之表面而移動，所以該情形在此實施例中不如此重要。
清潔工具可經實施為在線或離線配置。若以離線配置來實施，則液體限制系統LCS可自微影裝置被移除以用於配 合至清潔工具。
圖10所示之裝置可能遭遇一或多個問題。潛在不穩定性源為清潔工具中之受壓，亦即，出口10至受壓之連接。吸力可變化且由於氣泡形成及壓力變化而難以控制。若受壓過大，則氣泡形成於清潔浴內。氣泡損害超高頻音波傳感器20之效能。若在液體中使用界面活性劑及/或清潔劑，則發泡可能出現-見下文。若受壓過小，則壓力積聚於裝置內，從而導致清潔液體流過液體限制系統LCS中之現有通路且因此溢出氣體間隙75。
工具與液體限制系統LCS之間的密封件500可能退化，從而允許液體洩漏至間隙75中。一旦清潔液體接觸光學元件，則光學元件可吸收超高頻音波且可加熱。由超高頻音波能量所造成之機械損壞可為一問題。由於此等原因，可能損害作為溫度及超高頻音波之絕緣屏蔽之氣體間隙的效能。
內部密封件500之另一或替代問題為：清潔工具之設計係由為使內部密封件500起作用所需要之障壁310(傘狀物)的尺寸界定。清潔工具可能不為通用的，且因此可能針對液體限制系統LCS之不同設計而需要清潔工具之不同設計。又，在液體限制系統LCS中可能存在一或多個孔隙，孔隙對液體限制系統LCS之下側開放且亦與孔隙200進行流體連通。有可能使液體經由液體限制系統LCS而遷移穿過此等一或多個孔隙至間隙75中。一旦至此處，則可能不存在藉以移除圖10之實施例中之該液體的方式。
儘管添加劑(例如，界面活性劑及/或清潔劑)至清潔液體(諸如，超純水)之添加可能改良清潔，但添加劑可能導致問題。在濕式真空系統中，攪動清潔液體，其可能導致清潔液體發泡。發泡為一問題，因為微影裝置之某些組件(諸如，感測器)可在與發泡體接觸時被損壞。發泡體可導致微影裝置發生故障或導致製造環境之其他問題。問題可能藉由濕式真空產生器中之再循環迴路的使用而增強。若使用比由濕式真空所提供之壓力低的壓力，則此允許儲集器內之壓力積聚，使得以上所提及之液體經由一或多個孔隙至間隙75中的洩漏可更可能出現。
圖11及圖12中所示的為配合至液體限制系統LCS之下表面之清潔工具的另一實施例。其具有與圖10所示之具有以下修改之工具相同之特徵中的一些。液體30經由儲集器及障壁310而在相反方向上流動，因此障壁310中之開放孔隙用作出口10。障壁310之開放孔隙的輪緣317鄰接、鄰近於或緊接於液體限制系統LCS之待清潔的下表面。在液體限制系統LCS之內部輪緣318與障壁310之間存在足夠間隙以用於使清潔液體30自清潔儲集器流動至由屏蔽310之開放孔隙所界定的出口10中。
障壁310用作傘狀物且為漏斗形狀(或換言之，儲集器中之截頂錐形狀)。此形狀連同此清潔工具之其他特徵可改良絕緣屏蔽之有效性，此在於：在使用中，超高頻音波在與其撞擊於屏蔽上時之角度不同的角度下遠離於光學元件被反射。液體30流過障壁310之輪緣317且在重力影響下向 下流動至出口10中及流出管路320中。因此，障壁310提供液體在重力下退出儲集器所穿過之出口10。因此，系統可被視作開放系統(與圖10之可被視作封閉系統之實施例相比)。此外，出口10及管路320之漏斗形狀導致液體平緩地流出儲集器。此係特定地由於孔隙及管路320之漏斗形狀，使得液體流下孔隙之傾斜表面至出口之管路部分的開始處。以此方式，將極小力施加至液體以減少發泡之可能性。自儲集器之中心提取液體會導致徑向流動，其在此狀況下為如在圖8及圖9之實施例中的徑向向內。液體入口經提供，且此可提供於工具本體300中及/或液體限制系統LCS之表面中。
輪緣317可具備補充液體限制系統LCS之內部輪緣318的橫截面變化或形狀，使得清潔液體30在儲集器外之流動路徑彎曲或另外在其穿過將輪緣317與內部輪緣318分離之空間時改變方向(亦即，不筆直)。見圖12。此可防止超高頻音波進入孔隙200。或者，或此外，橫截面變化或成形可提供於液體限制系統LCS之內部輪緣318上，以便補充輪緣317之形狀。輪緣317之頂部的高度連同儲集器中之靜水壓力判定間隙75之尺寸。
液體流動可藉由'緩慢'泵325(連接至出口10)來輔助，'緩慢'泵325提供較小受壓以避免在液體中產生氣泡。典型流動速率介於0.5公升/分鐘與3公升/分鐘之間。在一實施例中，液體流動不穿過濕式真空。在漏斗形狀障壁310與緩慢泵之間的可為理想地在流出管路320中之限制件328(亦 即，流動限制器)。限制件幫助最小化發泡體之形成。
在一實施例中，用以導致液體流過清潔工具之壓力始終相同。藉由漏斗形狀障壁310之輪緣317與用以將清潔液體30供應至儲集器中之入口之間的高度差來判定壓力。在一實施例中，清潔裝置為穩定系統，因為自動地控制為操作清潔裝置所需要之壓力。因此，減少溢出間隙75之風險，使得間隙75更穩定。工具可提供用於使光學元件與溫度變化及/或超高頻音波絕緣之有效絕緣屏蔽。
提供經改良安全性及另一控制之特徵為管路340，其可經提供成平行於漏斗形狀障壁310且與可用作指示器之儲集器進行流體連通。管路340中之液體位準與儲集器中之液體位準相同，且因此可進行關於氣體間隙75是否足夠大之判斷。指示器可展示在障壁310中於管路中是否存在阻塞，其可導致氣體間隙75溢滿清潔流體30。
工具中之一致壓力的優點可為減少形成於儲集器內之氣泡的量。超高頻音波傳感器之有效性可因此而增加。
隨著清潔液體平穩地流過清潔工具，可存在比已知濕式真空系統中少的氣體/清潔液體接觸。因此，可減少清潔工具內之發泡。此使添加劑(界面活性劑及/或清潔劑)能夠添加至通常將過分地發泡且因此通常可能被禁止使用之清潔流體。該添加劑可為諸如肥皂之界面活性劑。添加劑可為諸如肥皂調配物之調配物，其包括用以控制添加劑之發泡特性的試劑。若調配物不包括該試劑，則可將抗發泡添加劑添加至液體以減少及控制發泡。抗發泡試劑之實例包 括(但不限於)基於石蠟、聚乙二醇或諸如聚二甲基矽氧烷之聚矽氧的化合物。
注意，在一實施例中，系統為開放的而非封閉的。因此，無需內部密封件(仍存在外部密封件)。此可提供一優點。在圖10之裝置中，傘狀物310經定尺寸以配合形成於液體限制系統LCS中之孔隙200。因此，可針對不同類型之液體限制系統LCS而需要清潔工具之略微不同的設計及完全不同之處理設定。圖11及圖12之清潔裝置可使用固定處理設定而與若干類型之液體限制系統LCS一起被使用。
圖10至圖12所示之清潔工具可經修改，使得清潔流體30展現徑向流動。
此外，應瞭解，可在任何類型之清潔工具中且非僅在圖11及圖12所說明之類型中使用在重力下於清潔工具中遠離於儲集器而抽吸清潔液體以便避免發泡之觀念。詳言之，可將相同觀念(亦即，提供經建構及配置以允許液體在重力下流出的出口)應用於圖6至圖8之裝置，但其可能(但未必)意謂犧牲彼等裝置之徑向流動特徵。
將超高頻音波清潔工具附著至液體限制系統LCS及啟動傳感器20將引發對待清潔之部分的振動(例如，在MHz範圍內)。此範圍內之振動可導致氣泡空化、超高頻音波脈衝，及聲射流，其一起可為用於超高頻音波清潔之基礎。顯著地，以使得相抵於超高頻音波能量而保護光學元件之方式來提供清潔液體30之供應，且以使得避免裝置中之負面效應(如氣泡、粒子再沈積及/或發泡)的方式來引入清潔 流體。
例示性流體供應組態可(例如)藉由改良微影裝置之清潔度(其又有助於減少缺陷度位準)來改良產品良率。
可離線實施所有實施例。可存在實施例之在線實施。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有約365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)。
術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射及反射光學組件。因此，透鏡為光學元件，且在一實施例中，光學元件為透鏡。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以 與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。本發明可在控制器之控制下被執行，或許藉由以上所提及之電腦程式來程式化。
本發明之一或多項實施例可應用於任何浸沒微影裝置，詳言之(但不獨佔式地)，以上所提及之彼等類型，且無論浸沒液體是以浴之形式被提供還是僅提供於基板之區域化表面區域上。應廣泛地解釋如本文所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構之組合。其可包含一或多個結構、一或多個液體入口、一或多個氣體入口、一或多個氣體出口及/或將液體提供至空間之一或多個液體出口之組合。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況而進一步包括一或多個元件，以控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵。
根據所使用之曝光輻射之所要性質及波長，裝置中所使用之浸沒液體可具有不同組合物。對於193 nm之曝光波長，可使用超純水或基於水之組合物，且由於此原因，有時將浸沒液體稱作水及與水相關術語，諸如，可使用親 水、疏水、濕度，等等。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的是，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
10‧‧‧出口
11‧‧‧空間
12‧‧‧障壁部件
13‧‧‧液體入口
14‧‧‧出口
15‧‧‧入口
16‧‧‧氣體流動
20‧‧‧超高頻音波傳感器
25‧‧‧方向
30‧‧‧清潔液體
75‧‧‧氣體間隙
80‧‧‧障壁
100‧‧‧管道
200‧‧‧孔隙
300‧‧‧清潔工具本體
310‧‧‧障壁
317‧‧‧輪緣
318‧‧‧內部輪緣
320‧‧‧管路
325‧‧‧'緩慢'泵
328‧‧‧限制件
330‧‧‧入口
340‧‧‧管路
400‧‧‧外部密封件
500‧‧‧內部密封件
A‧‧‧經清潔之區域
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束傳送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IH‧‧‧浸沒微影解決方案
IL‧‧‧照明系統
IN‧‧‧積光器
LCS‧‧‧清潔液體限制系統
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
OUT‧‧‧出口
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PL‧‧‧投影系統
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2及圖3描繪用於在微影投影裝置中使用之液體供應系統；圖4描繪用於在微影投影裝置中使用之另一液體供應系統；圖5以橫截面描繪用於在微影裝置中使用之另一液體供應系統；圖6以橫截面說明經組態以清潔基板台之清潔裝置的設計；圖7以橫截面說明經組態以清潔基板台之另一清潔裝置之設計的一部分；圖8以橫截面說明用以清潔基板台之本發明的一實施例；圖9以橫截面說明用以清潔基板台之本發明的另一實施例；圖10以橫截面說明用以清潔液體限制系統之本發明的一實施例；圖11以橫截面說明用以清潔液體限制系統之本發明的另 一實施例；及圖12以橫截面說明圖11之實施例的細節。
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束傳送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IH‧‧‧浸沒微影解決方案
IL‧‧‧照明系統
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向

Claims (17)

  1. 一種用以清潔一浸沒微影投影裝置內之一物件之裝置，該物件係為支撐一基板之一基板台的一或多個部分、在成像期間浸沒於浸沒液體中之一投影系統的一最終元件，及/或在成像期間於該投影系統之該最終元件與該基板之間提供液體的液體限制系統，該裝置包含：一超高頻音波傳感器，該超高頻音波傳感器經組態以清潔該浸沒微影裝置內之該物件之一表面；一液體供應系統，該液體供應系統經建構及配置以在該超高頻音波傳感器與待清潔之該表面之間供應液體；及一清潔液體出口，該清潔液體出口經組態以鄰接待清潔之該表面，及排出一清潔流體之流出物，其中該清潔液體出口係具有該超高頻音波傳感器，並配置成面對待清潔之該表面。
  2. 如請求項1之裝置，其中該超高頻音波傳感器，經配置成面對待清潔之該表面，俾使一氣體/液體介面圍繞該超高頻音波傳感器。
  3. 如請求項1之裝置，其中該出口係連接至待清潔之該表面的一清潔區域。
  4. 如請求項3之裝置，其經建構及配置成使得在使用中，當液體流動朝向該出口而流過該清潔區域時，一污染物自該清潔區域提供至該液體流動中，使得該液體流動朝向該出口以污染物濃度而增加。
  5. 如請求項1之裝置，其中該出口係配置於被該傳感器圍繞 之一部分上。
  6. 如請求項1之裝置，其經建構及配置以在使用中產生朝向一最受污染液體區域所引導之一總體液體流動。
  7. 如請求項5之裝置，其中該總體流動為徑向的。
  8. 如請求項1之裝置，其經建構及配置以在使用中產生朝向具有一較高污染物濃度之一液體區域所引導的一總體液體流動。
  9. 如請求項8之裝置，其中該區域位於該超高頻音波傳感器與待清潔之該表面之間。
  10. 如請求項1之裝置，其經建構及配置以在使用中產生朝向待清潔之該表面之一區域的一總體液體流動且使得該總體液體流動朝向該出口而流過待清潔之該表面的該區域。
  11. 如請求項1之裝置，其中該總體液體流動係在該超高頻音波傳感器與待清潔之該表面之間。
  12. 一種微影裝置，其包含如請求項1-11任一項之裝置。
  13. 一種浸沒微影投影裝置，其包含：一基板台，該基板台經建構及配置以固持一基板；一投影系統，該投影系統經組態以將一經圖案化光束投影至該基板上；一超高頻音波傳感器，該超高頻音波傳感器經組態以清潔該浸沒微影投影裝置內之一物件之一表面；一液體供應系統，該液體供應系統經建構及配置以在該超高頻音波傳感器與待清潔之該表面之間供應液體；及 一清潔流體出口，該清潔流體出口經組態以鄰接待清潔之該表面且直接排出位於該超高頻音波傳感器及待清潔之該表面之間的一液體區域之一清潔流體，該清潔流體出口配置成面對該超高頻音波傳感器，超高頻音波係引入至該液體區域內其中，該物件係為該基板台的一或多個部分、在成像期間浸沒於浸沒液體中之該投影系統的一最終元件，及/或在成像期間於該投影系統之該最終元件與該基板之間提供液體的液體限制系統。
  14. 一種使用自一超高頻音波傳感器所發出之超高頻音波來清潔一浸沒微影投影裝置內之一物件之一表面的方法，該物件係為支撐一基板之一基板台的一或多個部分、在成像期間浸沒於浸沒液體中之一投影系統的一最終元件，及/或在成像期間於該投影系統之該最終元件與該基板之間提供液體的液體限制系統，該方法包含：將待清潔之該表面及該超高頻音波傳感器之一表面覆蓋於液體中；將超高頻音波引入至該液體中；及經由鄰接待清潔之該表面的一液體出口而提取液體，其中該清潔液體出口係具有該超高頻音波傳感器，並配置成面對待清潔之該表面。
  15. 如請求項14之方法，其中該提取引發一徑向液體流動。
  16. 一種使用自一超高頻音波傳感器所發出之超高頻音波來清潔一浸沒微影投影裝置內之一物件之一表面的方法， 該物件係為支撐一基板之一基板台的一或多個部分、在成像期間浸沒於浸沒液體中之一投影系統的一最終元件，及/或在成像期間於該投影系統之該最終元件與該基板之間提供液體的液體限制系統，該方法包含：將待清潔之該表面及該超高頻音波傳感器之一表面以液體覆蓋；將超高頻音波引入至該液體中；及直接藉由鄰接待清潔之該表面的一液體出口自一區域提取液體，超高頻音波係引入至該區域內。
  17. 如請求項16之方法，其中該提取引發一徑向液體流動。
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