KR20080098324A

KR20080098324A - 세정 장치, 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치 세정 방법

Info

Publication number: KR20080098324A
Application number: KR20080041294A
Authority: KR
Inventors: 종 안토니우스 마르티누스 코넬리스 페트루스 드; 마르코 코어트 스타벤가; 바우케 얀센; 레이몬드 제라르두스 마리우스 비렌; 코르넬리스 티멘 호에커드; 한스 얀센; 피터 프란시스쿠스 완텐; 요하네스 빌헬무스 야코부스 레오나르두스 쿠이퍼스
Original assignee: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date: 2007-05-04
Filing date: 2008-05-02
Publication date: 2008-11-07
Anticipated expiration: 2028-05-02
Also published as: CN101299133A; JP5198624B2; JP4686571B2; KR101024566B1; JP5036885B2; TW200845129A; CN101299133B; JP5097843B2; JP4912352B2; JP4908454B2; JP2008294439A; JP2011238940A; US9013672B2; US20080271750A1; TWI385711B; JP2011238939A; KR20100039311A; JP2008277819A; JP2011187971A; TW201234414A

Abstract

표면을 세정하도록 구성된 메가소닉 트랜스듀서를 갖는 액침 리소그래피 투영 장치 및 액침 리소그래피 투영 장치의 표면을 세정하기 위해 액체를 통하여 메가소닉 파를 이용하는 방법이 개시되어 있다. 액체 내에서는 흐름, 바람직하게는 방사상의 흐름이 발생된다.

액침액, 세정액, 첨가제, 계면활성제, 메가소닉 트랜스듀서

Description

세정 장치, 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치 세정 방법{A CLEANING DEVICE, A LITHOGRAPHIC APPARATUS AND A LITHOGRAPHIC APPARATUS CLEANING METHOD}

본 발명은 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치의 세정 방법에 관한 것이다.

본 출원은 "Lithographic Apparatus and Lithographic Apparatus Cleaning Method"을 발명의 명칭으로 하여 2007년 5월 4일자로 출원된 미국 특허 가출원 번호 60/924,244호를 우선권으로 주장하며, 이 특허 출원의 내용이 본 명세서 내에 참고자료로 원용되어 있다.

리소그래피 장치는 기판 상에 통상적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)로 지칭되는 패터닝 디바이스가 집적회로의 각각의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟 영역(예컨대, 하나의 다이(die)의 일부분, 하나의 다이, 또는 여러 개의 다이를 포함하는) 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감 응재(레지스트)층 위로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟 영역들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 전체 패턴을 타겟 영역 상으로 한번에 노광함으로써 각각의 타겟 영역이 조사(照射)되는 소위 스테퍼(stepper), 및 방사 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동시에 스캐닝함으로써 각각의 타겟 영역이 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.

리소그래피 투영 장치 내의 기판을 물과 같은 상대적으로 높은 굴절률을 갖는 액체에 액침(immersion)시켜 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우도록 하는 것이 제안되어 있다. 이와 같이 하는 요지는, 노광 방사선이 액체 내에서는 더 짧은 파장을 가질 것이기 때문에, 더 작은 특징부의 이미징을 가능하게 하기 위해서이다(액체의 영향은 시스템의 유효 NA를 증가시키고 또한 초점 거리를 증가시키는 것으로서 간주될 것이다). 고체 입자(예컨대, 석영)가 부유 상태로 존재하고 있는 물을 포함한 다른 액침액도 제안되어 있다.

그러나, 기판 또는 기판 테이블을 액체의 수조(bath)에 담그는 것(예컨대, 미국 특허 번호 4,509,852호를 참조)은 스캐닝 노광 동안에 상당한 부피의 액체가 가속되어야 한다는 것을 의미한다. 이와 같이 하기 위해서는 모터를 추가하거나 더 강력한 모터를 사용할 필요가 있으며, 액체 내의 요동이 바람직하지 않은 동시 에 예측 가능하지 않은 영향을 야기할 것이다.

이에 대하여 제안된 해법 중의 하나에서는, 액체 공급 시스템으로 하여금, 기판의 국소 영역 및 투영 시스템의 최종 요소와 기판의 사이에만, 액체 제한 시스템(liquid confinement system)을 이용하여 액체를 제공하도록 한다(기판은 일반적으로 투영 시스템의 최종 요소보다 큰 표면적을 갖는다). 이것을 달성하기 위해 제안된 방식 중의 하나가 국제 공개 번호 WO 99/49504의 PCT 특허 출원 공보에 개시되어 있다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 액체는 바람직하게는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 적어도 하나의 유입구(IN)에 의해 기판 상에 제공되고, 투영 시스템 아래를 통과한 후에 적어도 하나의 배출구(OUT)에 의해 제거된다. 즉, 기판이 최종 요소 아래에서 -X 방향으로 스캔될 때, 액체는 최종 요소의 +X 측에서 제공되고, -X 측에서 흡수된다. 도 2에는, 액체가 유입구(IN)를 통해 제공되어, 저압 소스에 연결되어 있는 배출구(OUT)에 의해 최종 요소의 다른 측면에서 흡수되는 구성이 개략적으로 도시되어 있다. 도 2의 예시에서, 액체는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 제공되지만, 반드시 그러할 필요는 없다. 최종 요소 주변에 위치된 다양한 배향과 개수의 유입구와 배출구가 이용될 수도 있다. 그에 대한 일례로서, 도 3에는, 양쪽 측면에 위치된 4 세트의 유입구와 배출구가 최종 요소 주위에 규칙적인 패턴으로 제공되는 예가 도시되어 있다.

국소 액체 공급 시스템을 이용한 또 다른 액침 리소그래피 해법이 도 4에 도시되어 있다. 액체는 투영 시스템(PL)의 양측면 상의 2개의 홈형 유입구(IN)에 의해 공급되며, 유입구(IN)의 외측에 방사상으로 배열된 복수의 불연속 배출구(OUT) 에 의해 제거된다. 유입구(IN) 및 배출구(OUT)는 중앙에 구멍이 형성되어 있는 플레이트 내에 배치되고, 그 구멍을 통해 투영 빔이 투영된다. 액체는 투영 시스템(PL)의 한 측면 상의 하나의 홈형 유입구(IN)에 의해 공급되고, 투영 시스템(PL)의 다른 측면 상의 복수의 불연속 배출구(OUT)에 의해 제거되어, 투영 시스템(PL)과 기판(W) 사이에 얇은 액체막의 흐름을 발생한다. 어느 유입구(IN)와 배출구(OUT)의 조합을 사용할지에 대한 선택은 기판(W)의 이동 방향에 좌우될 것이다(유입구(IN)와 배출구(OUT)의 다른 조합은 비작동 상태로 된다).

본 명세서에 그 전체 내용이 참조되어 있는 유럽 특허 출원 공보 EP 1420300 및 미국 특허 출원 공보 US 2004-0136494에는, 2중 또는 듀얼 스테이지 액침 리소그래피 장치의 개념이 개시되어 있다. 이러한 장치에는 기판을 지지하기 위한 2개의 테이블이 제공된다. 액침액이 없는 제1 위치에 있는 테이블에서는 레벨링 측정이 수행되고, 액침액이 존재하는 제2 위치에 있는 테이블에서는 노광이 수행된다. 이와 달리, 이 장치는 하나의 테이블만을 가질 수도 있다.

액침액은 리소그래피 장치 및/또는 기판의 일부분으로부터 부스러기 또는 입자(예컨대, 제조 공정에서 남겨진)를 부상(lift)시키거나 또는 구성요소를 침식하여 입자를 유발시킨다. 이러한 파편은 이미징 후에 기판 상에 잔류되거나, 또는 투영 시스템과 기판 사이의 액체 내에 부유 상태로 있는 동안 이미징을 방해할 수도 있다. 그러므로, 액침 리소그래피 장치에서는 오염에 관한 사항이 해소되어야 한다.

예컨대, 용이하고 효율적으로 세정될 수 있는 리소그래피 장치를 제공하고, 또한 액침 리소그래피 장치를 효율적으로 세정하는 방법을 제공하는 것이 바람직할 것이다.

본 발명의 특징에 따라, 액침 리소그래피 투영 장치를 세정하기 위한 장치가 제공되며, 상기 장치는, 상기 액침 리소그래피 장치의 표면을 세정하도록 구성된 메가소닉 트랜스듀서(megasonic transducer), 상기 메가소닉 트랜스듀서와 세정될 상기 표면 사이에 액체를 공급하도록 구성되어 배치된 액체 공급 시스템, 및 세정액의 유출시킬 수 있도록 구성된 세정액 배출구를 포함한다.

본 발명의 특징에 따라, 액침 리소그래피 투영 장치가 제공되며, 상기 장치는, 기판을 유지하도록 구성되어 배치된 기판 테이블, 패터닝된 방사 빔을 상기 기판 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템, 표면을 세정하도록 구성된 메가소닉 트랜스듀서, 상기 메가소닉 트랜스듀서와 세정될 상기 표면 사이에 액체를 공급하도록 구성되어 배치된 액체 공급 시스템, 및 세정액의 유출을 허용하도록 구성된 세정액 배출구를 포함한다.

본 발명의 특징에 따라, 메가소닉 트랜스듀서로부터 방출되는 메가소닉 파(megasonic wave)를 이용하여 액침 리소그래피 투영 장치의 표면을 세정하는 방법이 제공되며, 상기 방법은, 세정될 표면 및 상기 메가소닉 트랜스듀서의 표면을 액체로 덮는 단계, 상기 메가소닉 파를 상기 액체 내에 도입시키는 단계, 및 세정될 상기 표면에 인접해 있는 액체 배출구를 통해 상기 액체를 추출하는 단계를 포함한다.

본 발명의 특징에 따라, 리소그래피 투영 장치의 구성요소의 표면을 세정하기 위한 세정 장치가 제공되며, 상기 세정 장치는, 상기 표면에 인접하여 액체의 흐름을 생성하도록 구성된 액체 흐름 발생 장치, 및 상기 액체를 통해 상기 표면 상에 음파(sonic wave)를 방출하도록 구성된 소닉 트랜스듀서를 포함한다.

본 발명의 특징에 따라, 리소그래피 투영 장치가 제공되며, 상기 장치는, 기판을 유지하도록 구성되어 배치된 기판 테이블, 패터닝된 방사 빔을 상기 기판 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템, 상기 리소그래피 투영 장치의 구성요소의 표면을 세정하도록 구성된 세정 장치를 포함하며, 상기 세정 장치는, 상기 표면에 인접하여 액체의 흐름을 생성하도록 구성된 액체 흐름 발생 장치, 및 상기 액체를 통해 상기 표면 상에 음파를 방출하도록 구성된 소닉 트랜스듀서를 포함한다.

본 발명의 특징에 따라, 리소그래피 투영 장치의 구성요소의 표면을 세정하는 방법이 제공되며, 상기 방법은, 상기 표면 상에 액체를 제공하는 단계, 상기 액체에서 흐름을 발생시키는 단계, 및 상기 액체를 통과하여 음파를 제공하는 단계를 포함한다.

본 발명의 특징에 따라, 리소그래피 장치의 대상물(object)의 표면을 세정하는 방법이 제공되며, 상기 방법은, 세정될 상기 표면과 소닉 트랜스듀서 사이에 제1 첨가제를 포함한 액체를 제공하는 단계, 상기 소닉 트랜스듀서로부터의 음파를 상기 표면 상으로 방출하는 단계, 세정될 상기 표면과 상기 소닉 트랜스듀서 사이에 상기 제1 첨가제와는 상이한 제2 첨가제를 포함한 액체를 제공하는 단계, 및 상기 소닉 트랜스듀서로부터의 음파를 상기 표면 상으로 방출하는 단계를 포함한다.

본 발명의 특징에 따라, 리소그래피 투영 장치가 제공되며, 상기 장치는, 사용 시에 세정될 표면과 마주보게 되는 면을 갖는 소닉 트랜스듀서, 상기 소닉 트랜스듀서와 세정될 표면 사이에 액체를 제공하도록 구성된 액체 공급 시스템, 및 상기 소닉 트랜스듀서와 상기 표면 사이로부터 상기 액체를 제거하도록 구성된 추출기(extractor)를 포함하며, 상기 추출기의 유입구는, 사용 시에, 실질적으로 상기 소닉 트랜스듀서의 상기 면의 중앙을 향하는 상기 소닉 트랜스듀서와 상기 표면 사이의 상기 액체의 방사상의 내향 흐름이 형성되도록 위치되어 있다.

이하에서는, 단지 예시를 목적으로 하는 본 발명의 실시예를 대응하는 부분에 대응하는 도면 부호가 부여되어 있는 첨부된 개략 도면을 참조하여 설명할 것이다.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 이 리소그래피 장치는 다음을 포함한다:

- 방사 빔(B, 예컨대 UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(조명기, IL);

- 패터닝 디바이스(예컨대, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정의 파라미터에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제1 위치 설정 기(PM)에 연결된 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT);

- 기판(예컨대, 레지스트가 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정의 파라미터에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2 위치 설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예컨대, 웨이퍼 테이블)(WT); 및

- 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사 빔에 부여된 패턴을, 기판(W)의 타겟 영역(C)(예컨대 하나 이상의 다이를 포함하는) 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템(예컨대, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS).

조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기, 또는 다른 형태의 광학 구성요소들 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.

지지 구조체는 패터닝 디바이스의 배향, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예컨대 패터닝 디바이스가 진공 분위기에서 유지되는지의 여부와 같은 기타 조건들에 좌우되는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동가능한 프레임(frame) 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예컨대 투영 시스템에 대하여 요구된 위치에 있도록 할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟 영역에 패턴을 생성하기 위하여 방사 빔의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 어떠한 디바이스도 포함되는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사 빔에 부여된 패턴은, 예컨대 위상 반전 피처(phase shifting feature) 또는 이른바 어시스트 피처(assist feature)를 포함하는 경우, 기판의 타겟 영역 내의 요구되는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟 영역에 생성될 디바이스 내의 특정 기능층에 대응할 것이다.

패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형 모두 가능하다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램 가능한 미러 어레이, 및 프로그램 가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상 반전형 및 감쇠 위상 반전형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램 가능한 미러 어레이의 예는 작은 미러들의 매트릭스 배열을 채용하며, 그 각각의 미러들은 입사하는 방사 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 미러들은 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사 빔에 패턴을 부여한다.

본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 액침액의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 반사 굴절(catadioptric), 자기, 전자기, 및 정전기 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 사용되는 "투영 렌즈"라는 용어는 "투영 시스템"이라는 좀더 일반적인 용어의 동의어로 간주할 수 있다.

본 명세서에서 설명한 바와 같이, 이 장치는 투과형(예컨대, 투과 마스크를 채용함)이다. 이와 달리, 이 장치는 반사형(예컨대, 전술한 바와 같은 유형의 프로그래머블 미러 어레이를 채용하거나, 또는 반사 마스크를 채용함)일 수도 있다.

리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2개 이상의 지지 구조체)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는, 추가 테이블 및/또는 지지 구조체가 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 하나 이상의 테이블 및/또는 지지 구조체가 노광에 사용되고 있는 동안 다른 하나 이상의 테이블 및/또는 지지 구조체에서는 준비 작업 단계가 수행될 수도 있다.

도 1을 참조하면, 조명기(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사 빔을 수광한다. 예컨대, 방사선 소스가 엑시머 레이저인 경우, 방사선 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 방사선 소스는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 고려되지 않으며, 방사 빔은, 예컨대 적절한 지향 미러 및/또는 빔 확장기(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 지원으로, 방사선 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예컨대 방사선 소스가 수은 램프인 경우, 이 방사선 소스는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수도 있다. 방사선 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템으로 지칭될 수도 있다.

조명기(IL)는 방사 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기의 퓨필 평면(pupil plane) 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 조명기(IL)는 집속기(integrator, IN) 및 집광기(condenser, CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 조명기는 방사 빔의 단면에 요구되는 균일성 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사 빔을 컨디셔닝 하는데 사용될 수 있다.

방사 빔(B)은 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예컨대, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로질러, 방사 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟 영역(C) 상에 포커싱(focusing) 된다. 제2 위치 설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량형 센서)의 지원으로, 기판 테이블(WT)은 예컨대 방사 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟 영역(C)을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 마찬가지로, 제1 위치 설정기(PM) 및 다른 위치 센서(도 1에 명시되어 도시되어 있지는 않음)는, 예컨대 마스크 라이브러리(library)로부터의 기계적 인출 후 또는 스캔하는 동안, 방사 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키기 위해 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은, 제1 위치 설정기(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략적 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 미세 위치 설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제2 위치 설정기(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수 있다. 스테퍼의 경우(스캐 너와는 달리), 지지 구조체(MT)는 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있고, 그렇지 않으면 고정될 것이다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 지정된 타겟 영역을 점유하고 있지만, 이들 마크들은 타겟 영역 사이의 공간 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있다). 마찬가지로, 패터닝 디바이스(MA) 상에 하나 이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.

도시된 장치는 다음 모드들 중 하나 이상의 모드로 사용될 수 있다:

1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟 영역(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광). 이후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟 영역(C)이 노광될 수 있도록 X 방향 및/또는 Y 방향으로 이동된다. 스텝 모드에서, 최대 크기의 노광 필드는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟 영역(C)의 크기를 제한한다.

2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사 빔에 부여된 패턴이 타겟 영역(C) 상에 투영되는 동안에 동시에 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광). 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 최대 크기의 노광 필드는 단일 동적 노광시의 타겟 영역의 폭(스캐닝 되지 않는 방향 에서의 폭)을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟 영역의 높이(스캐닝 방향에서의 높이)를 결정한다.

3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램 가능한 패터닝 디바이스를 가진 채로 기본적으로 정지 상태로 유지되며, 방사 빔에 부여된 패턴이 타겟 영역(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스가 채택되며, 프로그램 가능한 패터닝 디바이스는, 기판 테이블(WT)의 각각의 이동 후에 또는 스캔 중의 연속적인 방사선 펄스의 사이에서, 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급한 바와 같은 타입의 프로그램 가능한 미러 어레이와 같은 프로그램 가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크 없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.

또한, 전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.

이에 대해 제안된 국소 액체 공급 시스템을 이용한 또 다른 액침 리소그래피 해법(IH)은, 액체 공급 시스템에, 투영 시스템의 최종 요소와 기판 테이블 사이의 공간의 경계의 적어도 일부분을 따라 연장하는 장벽 부재(barrier member)를 설치하는 것이다. 이러한 해법이 도 5에 예시되어 있다. 장벽 부재는, 투영 시스템에 대하여 Z 방향(광축 방향)에서는 약간의 상대적인 움직임이 있을 수도 있지만, XY 평면에서는 실질적으로 정지 상태이다. 본 실시예에서는, 밀봉부가 장벽 부재와 기판의 표면 사이에 형성되며, 이러한 밀봉부로는 유리 밀봉부 등의 비접촉식 밀봉 부가 가능하다.

장벽 부재(12)는 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간(11)에 적어도 부분적으로는 액체를 수용한다. 기판(W)에 대한 비접촉식 밀봉부(16)는 투영 시스템의 이미지 필드 주위에 형성되어, 액체가 기판 표면과 투영 시스템의 최종 요소 사이의 공간 내에 제한될 것이다. 이 공간은, 투영 시스템(PS)의 최종 요소의 아래에 위치되어 이 최종 요소를 둘러싸는 장벽 부재(12)에 의해 적어도 부분적으로 구획되거나 형성된다. 액체는 액체 유입구(13)에 의해 투영 시스템 아래와 장벽 부재(12) 내의 공간에 유입되고, 액체 배출구(13)에 의해 제거될 것이다. 장벽 부재(12)는 투영 시스템의 최종 요소 위로 약간 연장하고, 액체 레벨은 액체의 버퍼가 제공되도록 최종 요소 위로 상승한다. 일실시예에서는, 장벽 부재(12)의 내주부의 상부는 투영 시스템 또는 투영 시스템의 최종 요소의 형상에 밀접하게 부합하여, 예컨대 둥근 형태로 될 것이다. 내주부의 바닥부는 케이스 형태일 필요는 없지만 이미지 필드(image field)의 형상, 예컨대 직사각형 형상에 밀접하게 부합한다.

사용 동안에 장벽 부재(12)의 바닥부와 기판(W)의 표면 사이에 형성되는 가스 밀봉부(16)에 의해 액체가 공간(11) 내에 제한된다. 가스 밀봉부는 예컨대 공기 또는 합성 공기에 의해 형성되지만, 본 실시예에서는, 압력 하에서 유입구(15)를 통해 장벽 부재(12)와 기판 사이의 갭에 제공되고, 배출구(14)를 통해 추출되는 N₂ 또는 다른 비활성 가스에 의해 형성된다. 액체를 제한하는 고속의 가스 흐름이 내측에 생성되도록, 가스 유입구(15) 상의 과도한 압력, 배출구(14) 상의 진공 레벨, 및 갭의 기하학적 구조가 결정되어 배치된다. 이들 유입구/배출구는 공간(11)을 둘러싸는 환형의 홈일 것이며, 가스(16)의 흐름은 액체를 공간(11) 내에 제한하는 데 유효하다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공보 US 2004-0207824에 개시되어 있다.

전술한 바와 같이, 액침 리소그래피 장치는 기판이 액체를 통해 이미징되는 장치이다. 즉, 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판 사이에 액침액이 제공된다. 이러한 구성은 하나 이상의 특별한 문제를 야기한다. 구체적으로, 액체는 장치 내에 제한되어야 하며, 또한 액체는 가급적이면 이미징 동안에 결함을 발생하거나 및/또는 이미징 후와 다운스트리밍 프로세싱 이전에 기판 표면 상에 잔류됨으로써 결함을 발생할 수도 있는 외부 물체의 입자가 없도록 유지되어야 할 것이다. 간혹, 액침액은 입자를 의도적으로 부유 상태로 포함하는 경우도 있다.

외부 물체 입자의 문제점을 해소하는 한 가지 방법은, 세정액을 세정될 표면에 도포하거나 및/또는 음파(초음파 또는 메가소닉 파)를 표면을 세정하기 위해 액체에 주입하는 것이다. 세정액은 액침액과 동일할 수도 있고 동일하지 않을 수도 있다. 예컨대, 세정액으로는 극도로 순수한 물이 가능하다.

음파에 비해, 메가소닉 파는 캐비테이션 기포(cavitation bubble)(내파(implosion)하거나 또는 진동하는 기포)를 발생하며, 이 캐비테이션 기포는 매우 작아서 세정될 표면에 밀착하게 될 것이다. 그러나, 메가소닉을 이용하여 액체 내에 제공될 수도 있는 에너지의 양에는 한계가 있다. 일반적으로, 초음파 에너지는 액체의 어느 곳에도 제공될 수 있고, 액체 전반에 분포될 수 있는 반면, 메가소닉 에너지는 국소적으로만 집중되므로 세정될 표면에 일직선으로 지향되어야 한다. 즉, 메가소닉 파를 제공하는 트랜스듀서와 세정될 표면 간에는 직접 경로(조준선/일직선)가 존재하여야 한다. 그 경로의 전체 길이는 액체로 채워져야 한다.

메가소닉 주파수는 일반적으로 750㎑ 내지 3㎒의 범위에 있도록 고려된다. 본 발명의 용도를 위해서는, 약 750㎑ 이상, 1㎒ 이상, 또는 1.5㎒ 이상의 주파수가 이용된다.

세정될 물체의 표면 부근의 세정액 내의 흐르지 않는 경계층(stagnant boundary layer)은, 제공되는 소닉 에너지의 주파수가 증가될 때에는 더욱 박막화된다. 메가소닉 주파수에서, 세정은, 부분적으로는, 기포 진동 및 더 적은 정도의 캐비테이션(cavitation)과 기포의 터짐뿐만 아니라 세정액 내의 고속 압력파를 갖는 메가소닉 펄싱 및 음향 스트리밍에 의해 달성된다.

메가소닉 주파수에서는, 직경이 0.5㎛ 미만인 입자는 세정될 표면에 대한 손상 없이 제거될 것이다. 전술한 바와 같이, 트랜스듀서에서부터 세정될 표면까지의 세정 경로(조준선)가 존재하여야 한다. 세정 효율을 더욱 증가시키기 위해서는, 캐비테이션(기포 형성)을 촉진하기 위해 액체에 가스가 용해될 것이다. 적합한 가스로는 질소, 이산화탄소, 산소 및 이들 가스의 혼합물(공기 포함)이 있지만, 오존 또는 수소(물을 포함) 등의 다른 가스도 적합할 것이다. 예컨대, 액상의 계면활성제(세제, 비누 등), 산성 액체, 알칼리성 액체, 무극성 유기 솔벤트 또는 극 성 유기 솔벤트 등의 솔벤트, H₂O₂ 용액, 또는 임의의 다른 적합한 화학물을 리소그래피 장치에 사용하면, 세정 효율을 추가로 향상시킬 수 있다. 세정액에 세제 또는 솔벤트를 사용하거나 또는 H₂O₂ 용액을 추가하면, 유체의 산화성(oxidizing nature)을 향상시킬 수 있어, 유기 오염물을 제거하는 데 도움을 줄 것이다. 또 다른 예로는 하이포아염소산염(hypochlorite)이 있다.

예컨대, 액체(예컨대, 물)보다 낮은 극성을 갖는 액체-혼화성 솔벤트(a liquid-miscible solvent)(예컨대, 물-혼화성 솔벤트)를 첨가함으로써 세정액 극성을 변경시킬 수 있으며, 그 예로는 알코올, 케톤, 유기산, 아민 등이 있다. 알코올의 예로는, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 및/또는 에톡시산화 2차 C12-14-알코올, 예컨대 알딜옥시폴리에틸렌옥시에탄올이 있다. 이러한 첨가제의 첨가 시에 발생할 수도 있는 한 가지 문제점은 그 결과의 세정액의 인화점(flash point)이 낮아진다는 것이다. 그러므로, 인화가능성의 위험을 초래하지 않고 세정액 특성을 변화시키기 위해서는 높은 인화점을 갖는 유기계 첨가제를 첨가하는 것이 요망된다. 이러한 첨가제로는 N-메틸피롤리돈(NMP), 글리콜 에테르 등이 있다. 물론, 세정액에 다른 첨가제를 첨가할 수도 있다. 예컨대, 제거될 하나 이상의 특정 오염물에 대해 특정한 화학적 공격성(chemical attack)을 갖는 화학물을 첨가하는 것이 바람직할 것이다. 예컨대, 레지스트 입자는 메틸에틸케톤, 에틸아세테이트 및/또는 아세톤 등의 화학물로 제거될 수 있다. 본 실시예에서는, 세정액으로는, 물, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 및 "Tokyo Ohko Kogyo Co., Ltd"에서 제조되는 "TLDR-A001" 또는 "TLDR-A001-C4" 등의 "알코올, C12-14-2차, 에톡시산화"의 혼합물이 가능하다.

본 발명의 일실시예에서, 표면의 세정은 복수의 단계로 수행되어, 상이한 오염물이 상이한 단계 동안에 제거된다. 그러므로, 제1 단계에서는 제1 오염물을 제거하기 위해 특정의 제1 첨가제를 갖는 세정액이 사용된다. 그 후, 특정의 제1 첨가제를 갖는 세정액을 통해 표면을 세정하기 위해 음파가 사용된다. 제2 단계에서는, 소닉 트랜스듀서와 세정될 표면 사이에서 상이한 오염물을 공격하도록 고안된 제1 첨가제와는 상이한 제2 첨가제를 갖는 액체가 사용된다. 이들 단계는 복수 회에 걸쳐 수행될 수 있으며, 상이한 첨가제를 갖는 세정액을 사용하는 사이에 표면의 헹굼(rinsing)을 필요로 할 수도 있고, 필요로 하지 않을 수도 있다(예컨대, 서로 상이한 제1 첨가제와 제2 첨가제가 양립 가능하지 않을 수도 있음). 이러한 순차적인 세정 방안은 전체적인 입자 제거 성능을 상승시키는 결과로 나타날 수 있다.

액침 리소그래피 장치에서 세정을 필요로 하는 대상으로는, 기판(W)을 지지하는 기판 테이블(WT)의 하나 이상의 부분(그 상면), 이미징 동안 액침액에 액침되는 투영 시스템(PS)의 최종 요소, 및/또는 이미징 동안 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이에 액체를 제공하는 액체 제한 시스템(예컨대, 도 2 내지 도 5에 예시된 액체 제한 시스템)이 있지만, 이들로만 한정되지는 않는다. 본 발명의 이하의 실시예들에서는 기판 테이블의 상면과 장벽 부재를 세정하는 것에 관련하여 설명될 것이지만, 본 발명은 기판 테이블과 장벽 부재를 세정하는 것으로만 한정되 지 않는다.

일실시예에서, 액체 공급 시스템은 소닉 트랜스듀서와 세정될 표면 사이에 액체를 제공한다. 본 실시예에서, 액체 공급 시스템은, 표면이 세정될 때에 그 표면에서 제거된 입자가 운반되도록 액체가 제거되는 액체의 흐름을 제공한다. 한 가지 적합한 액체는 극히 순수한 형태의 물이다. 그러나, 다른 유형의 액체가 적합할 수도 있다. 더욱이, 전술한 바와 같은 계면활성제 등의 액체에 대한 첨가제 역시 장점을 가질 수도 있다. 다른 세정액으로는, 예컨대 물/수소 과산화물, 물/에탄올, 물/이소-프로필알코올(IPA), 물/알루미늄 또는 물/아세톤 혼합물이 있다. 첨가제로서 유용한 다른 화학물로는, 테트라메틸암모니움 하이드록사이드(TMAH) 및 SC-1 또는 SC-2가 있다.

가스(또는 일부 솔벤트)를 액체에 주입하는 한 가지 이유는, 이와 같이 함으로써 안정한 캐비테이션이 촉진되기 때문이다. 그 결과, 액체 내에 안정한 기포가 형성된다. 이들 기포는 그 후 메가소닉 파에 의해 진동되어, 소위 과도기적인 캐비테이션(transient cavitation), 즉 솔벤트가 기포로 증발한 후에 내파하거나 붕괴하는 캐비테이션보다, 세정될 표면에 손상을 덜 줄 가능성이 높은 세정을 발생한다. 이러한 강렬한 내파는 표면의 손상을 초래할 것이며, 초음파 주파수에는 통상적으로 나타나지만, 초음파 주파수에서 생성된 것보다 더 작은 기포를 생성하는 메가소닉 주파수에서는 현저하게 발생하지는 않을 것이다. 그러나, 전술한 바와 같이, 메가소닉 파는 메가소닉 파에 의해 세정될 표면의 조준선에 공급되어야 한다.

최대 100초의 처리 시간은 약 1 ㎒의 주파수에서 최대 100％의 입자 제거 효 율을 발생할 것이다. 음향 주파수(acoustic frequency)가 3 ㎒를 훨씬 초과하는 경우에는, 입자 제거 효율은 1 ㎒보다 약간 높은 주파수에 비해 급격하게 감소될 것이다. 가스를 액체에 주입함으로써, 입자 제거 효율에 대해 상당한 효과를 갖게 된다. 액체에 20 ppm의 레벨로 산소를 주입하면, 34 ㎚ 직경의 SiO₂ 입자 제거 효율이 0％에서 30％로 증가될 것이다. 그러므로, 대략 5 ppm 이상의 가스 농도가 이용될 수 있다.

온도 또한 중요한 요소이며, 고온(예컨대, 55℃)에서는 반응 시간이 더 빨라지지만 더 적은 양의 가스가 용해된다는 점을 고려하여 이들이 균형을 이루도록 온도를 적절하게 선택하여야 한다.

액체의 pH에 따른 영향도 존재한다. 낮은 pH에서는, 액체 내에 다수의 H⁺ 이온이 존재하여 양의 표면 전하를 발생하지만, 높은 pH에서는, 액체 내에 다수의 OH^- 이온이 존재하여 음의 표면 전하를 발생한다. 따라서, 액체의 pH가 pH 7에서 멀어지도록 함으로써, 입자를 제거한 후에 이들 입자가 다시 침적되는 현상이 발생하지 않을 가능성이 증가된다. 더욱이, 입자와 표면이 동일하게 하전될 때에(양 또는 음 중의 하나로) 입자와 표면 간의 정전기적 반발력은 입자를 표면으로부터 부상시키는 데 도움을 준다.

트랜스듀서의 파워는 0.2∼5 W/㎠, 조사 거리는 5∼20 ㎜, 세정 시간은 10∼90 초인 것이 바람직하다. 메가소닉 트랜스듀서로부터 세정될 표면으로 직접 경로를 이동하는 메가소닉 트랜스듀서로부터의 음향파(acoustic wave)에 대해서는, 액 침 리소그래피 장치의 상이한 부분을 세정하기 위해 여러 가지의 설계가 제안되어 있다.

메가소닉 세정기는 입자를 표면으로부터 제거하는 데 매우 적합하다.

도 6은, 예컨대, 세정 위치에 있을 때에는 세정될 기판 테이블(WT)의 상면 위와 주위를 연장하는 수축 가능 장벽(80)을 포함하는 기판 테이블(WT)의 상면을 세정하기 위해 사용되는 장치를 예시하고 있다. 장벽(80)이 장벽의 세정 위치로 돌출하면, 세정될 표면 상에 액체가 제공될 수 있으며, 메가소닉 트랜스듀서(20)가 기판 테이블(WT)의 표면 위에서 이동되거나(화살표 방향 "25"로)(트랜스듀서(20)의 바닥면이 액체에 의해 덮여짐) 및/또는 기판 테이블(WT)이 트랜스듀서(20) 아래에서 이동될 수 있으며, 이에 의해 기판 테이블(WT)의 상면이 세정된다. 물론, 장벽(80)이 수축 가능하지 않고, 기판 테이블(WT)에 영구적으로 고정되거나, 또는 장벽(80)이 제거 가능한 일부분이 되는 유사한 구성 또한 가능하다. 트랜스듀서(20)는 세정 동작 동안 고정되거나 또는 이동될 수 있으며(구체적으로, Z 방향으로) 및/또는 X/Y 축으로 이동 가능할 수도 있다.

기판 테이블(WT)의 상면이 세정될 때, 그와 동시에 기판 테이블(WT)의 상면에 설치된 하나 이상의 센서를 세정하는 것도 가능하다. 이러한 유형의 센서의 예로는, 투과 이미지 센서, 렌즈 간섭계(lens interferometer) 및/또는 스폿 센서 등이 있다.

트랜스듀서에 의해 생성된 음향파가 세정될 표면 상에 90°로 충돌하도록 하는 것이 바람직할 것이다. 이를 위해, 세정될 표면에 대해 트랜스듀서(20)의 경사 를 조정하기 위한 마이크로미터(micrometer)가 제공될 것이다. 장치에 대한 설계 중의 하나에서, 표면에 대해 경사진 트랜스듀서를 제공하는 것이 이로울 것이며, 이것 또한 마이크로미터를 이용하여 조정될 수 있다. 마이크로미터는 또한 트랜스듀서로부터 세정될 표면까지의 거리를 조정하기 위해서도 이용될 수 있다.

액침 리소그래피 장치에서의 오염물의 문제는 2006년 5월 22일자로 출원된 미국 특허 출원 번호 11/437,876에서 해소되고 있다. 이 특허 출원에서, 리소그래피 장치는 표면을 용이하고 효율적으로 세정하도록 구성된 메가소닉 트랜스듀서를 포함하고 있다. 메가소닉 트랜스듀서는 표면으로부터 입자를 제거하는 데 매우 적합하다. 그러나, 입자는 세정된 표면에 재침적되어 재부착되는 경우가 있다. 흐름 속도가 0인 하나 이상의 위치(흐름이 없는 영역)에서 또는 유체와 가스(예컨대, 공기)의 계면에서 통상적으로 발생하는, 유체 흐름이 정확하게 제어되지 않는 경우에는, 재침적이 용이하게 발생한다. 따라서, 메가소닉 트랜스듀서와 세정되는 기판 사이에 액체의 흐름을 제공하는 것이 바람직하다. 구체적으로, 흐름 속도가 0인 지점(흐름이 없는 영역)이 발생하지 않도록 장치를 설계하는 것이 바람직하다.

예컨대, 세정액의 흐름이 효율적으로 제어되어, 세정되는 표면 상의 오염물 입자의 재침적을 최소로 하는 리소그래피 장치를 제공함으로써, 입자 자체가 재침적하는 전술한 문제점을 경감시키는 것이 바람직하다. 또한, 메가소닉 트랜스듀서와 세정되는 표면 사이에 액체의 흐름을 제공하여, 입자가 부유되어 있는 액체가 신속하게 밖으로 이동되도록 하는 것이 바람직하다. 그러므로, 흐름 속도가 0인 지점(흐름이 없는 영역)의 수가 감소되고, 재침적이 방지된다.

본 발명의 특징에 따라, 액침 리소그래피 투영 장치를 세정하기 위한 장치가 제공되며, 상기 세정 장치는, 액침 리소그래피 장치의 표면을 세정하도록 구성된 메가소닉 트랜스듀서, 메가소닉 트랜스듀서와 세정될 표면 사이에 액체를 공급하도록 구성되어 배치된 액체 공급 시스템, 및 세정액 배출을 행하도록 구성된 세정액 배출구를 포함한다. 세정액 배출구는 세정될 표면에 인접되어 있다. 메가소닉 트랜스듀서의 표면과 세정될 표면은 세정을 위해 세정액에 액침된다.

본 발명의 특징에 따라, 액침 리소그래피 투영 장치가 제공되며, 상기 장치는, 기판을 유지하도록 구성되어 배치된 기판 테이블, 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템, 표면을 세정하도록 구성된 메가소닉 트랜스듀서, 상기 메가소닉 트랜스듀서와 세정될 표면 사이에 액체를 공급하도록 구성되어 배치된 액체 공급 시스템, 및 세정액의 유출을 허용하도록 구성된 세정액 배출구를 포함한다. 메가소닉 트랜스듀서의 표면과 세정될 표면은 세정 동안 세정액에 액침된다.

본 발명의 특징에 따라, 메가소닉 트랜스듀서로부터 방출되는 메가소닉 파를 이용하여 액침 리소그래피 투영 장치의 표면을 세정하는 방법이 제공되며, 상기 방법은, 세정될 표면 및 상기 메가소닉 트랜스듀서의 표면을 액체로 덮는 단계, 상기 메가소닉 파를 상기 액체 내에 주입하는 단계, 및 세정될 상기 표면에 인접해 있는 액체 배출구를 통해 상기 액체를 배출하는 단계를 포함한다.

도 6에 도시된 장치의 변형예에서, 세정액(30)은 트랜스듀서(20)와 세정될 표면 사이에 흐른다. 도 7은, 메가소닉 트랜스듀서(20)가 기판 테이블(WT)의 상면 의 일부분(예컨대, 미러 블록) 위에 유지되어, 세정될 영역(A)를 형성하는 한 가지 설계를 도시하고 있다. 메가소닉 트랜스듀서의 하위면은 저장기(reservoir)에 유지된 세정액(30)에 담겨진다. 세정액(30)은 저장기의 표면에 위치된 하나 이상의 배출구(10)를 통해 저장기의 측면을 향해 메가소닉 트랜스듀서(20)로부터 멀어지도록 배출된다. 메가소닉 트랜스듀서(20)가 세정될 기판 테이블(WT)보다 작을 때에는, 트랜스듀서 및/또는 기판 테이블이 주위를 이동하여야 한다.

가스/액체(예컨대, 공기/물) 계면은 입자 재침적에 특히 민감하다. 메가소닉 트랜스듀서(20)가 기판 테이블(WT)의 표면을 가로질러 이동할 때(및/또는 그 반대), 가스/액체 계면은 중요한 세정된 영역 위를 통과한다. 그 일부가 기판 테이블(WT)로부터 제거된 오염물은, 세정되는 표면과 하나 이상의 배출구 사이에서는, 가스/액체 계면 아래의 기판 테이블(WT) 상에 침적할 수 있다.

도 8은, 메가소닉 트랜스듀서(20)와 기판 테이블(WT) 사이에 가스(즉, 공기)/액체 계면이 존재하지 않도록, 기판 테이블을 마주보는 메가소닉 트랜스듀서의 표면이 세정액에 액침되는 장치를 도시하고 있다. 이 장치에서는, 메가소닉 트랜스듀서가 이용될 수도 있는 소닉 트랜스듀서(20)가 제공된다. 세정액(30)은 기판 테이블(WT)의 상면 상에 제공된다. 예시된 장치에서, 기판 테이블 상에 제공된(또한 제거 가능하거나 수축 가능할 수도 있는) 장벽(80)은 세정액(30)이 빠져나가는 것을 방지한다. 액체는 소닉 트랜스듀서(20)의 방사상으로 외측으로 제공되며, 예컨대 장벽(80)에 밀착된 지점에 제공될 수 있다.

세정되는 기판과 소닉 트랜스듀서(20) 사이에 액체의 흐름(35)을 갖는 것이 이롭다. 구체적으로, 세정액(30)의 이동은 입자의 농도가 더 높은 영역 및 여전히 음파로 조사되는 영역을 향하는 것이 바람직하다. 이러한 구성은 액체/공기 계면이 존재하는 상황에서 특히 바람직하다. 그 이유는, 표면으로부터 제거되는 오염물 입자가 액체/공기 계면을 향해 이주(migration)하지 못하여, 세정이 향상되기 때문이다. 이것은, 도 8의 실시예에서는, 실질적으로 소닉 트랜스듀서(20)의 중앙을 통과하는(또는 적어도 소닉 트랜스듀서에 의해 둘러싸이는) 튜브 또는 파이프(100)를 통해 액체를 추출해냄으로써 달성된다. 소닉 트랜스듀서(20)는 단일 트랜스듀서인 것으로 예시되어 있지만, 세정될 표면에 직교하고 도 8에 예시된 튜브(100)와 동축을 이루는 중심축 주위에 복수의 소닉 트랜스듀서가 서로 인접하여 위치되는 것으로 제공될 수도 있음은 자명하다. 당연히, 튜브(100)는 중심축으로부터 벗어날 수도 있다.

트랜스듀서(20)는, 하면에 배출구(10)가 형성되어 있는 실질적으로 중앙에 위치하는 추출 파이프(100)를 갖는다. 배출구(10)는 세정되는 영역(A)에 인접 또는 근접되어 있거나, 또는 나란히 위치된다. 파이프(100)의 타단은 예컨대 습식 진공기, 즉 추출기에 연결되어 있다. 액체는 배출구(10)를 통해 상향으로 흡인되어, 세정액이 트랜스듀서(20) 아래에서 메가소닉 트랜스듀서(20)의 중앙을 향해 흐르도록 한다. 그러므로, 기판 테이블(WT)의 표면으로부터 분리된 오염물은, 세정되고 있는 기판 테이블(WT)의 상면의 표면에 재침적되기 전에, 세정액(30)의 흐름으로 제거된다.

메가소닉 파가 방향성이 있기 때문에, 세정은 메가소닉 파의 경로의 라인에 서 일직선으로 기판 테이블의 표면에 대해 국소화되거나 구획(compartmentalization)되는 것이 바람직하다. 도 8에 도시된 장치에서, 세정될 표면은 트랜스듀서(20)의 바로 아래에 있다. 따라서, 트랜스듀서(20) 바래 아래의 세정액 내의 입자 농도는 높은 반면, 트랜스듀서 옆의 세정액 내의 입자 농도는 낮다. 방사상 흐름(35)의 영향 하에서, 유체의 커다란 흐름(bulk flow)이 추출 파이프 배출구(10)의 지역 내에 있는 가장 오염된 영역을 향해 지향된다. 트랜스듀서 아래에 흐르는 세정액(30)은 방사상 흐름을 나타낼 수도 있다.

도 8에 도시된 구성에서는, 세정되는 기판 테이블(WT)의 영역과, 세정되는 기판 테이블의 영역에서부터 추출 파이프(100)의 배출구(10)까지에는 가스(예컨대, 공기)/액체 계면이 존재하지 않는 것이 이롭다. 본 장치는 오프-라인 세정 장치에서 실시될 수도 있다. 오프-라인 세정 장치를 사용하기 위해서는, 세정 장치는 기판 테이블(WT)에 고정된다. 기판 테이블(WT)은 세정 동안 리소그래피 장치로부터 제거될 수도 있다. 본 장치의 변형예는 인-라인 구성으로 실시될 수도 있다.

도 8의 장치에서, 추출 파이프(100)는 저압 소스(an under pressure source)(습식 진공기)에 연결되며, 이로써 튜브(100)와 동축을 이루는 중심축을 향한 액체의 방사상의 내측 흐름을 발생한다. 그러나, 예컨대 액체가 튜브(100)와 동축을 이루는 축을 향해 내측으로 흐르지만(하나의 성분(compenent)으로) 정확하게 방사상을 이루지는 않는 소용돌이형 흐름과 같은 다른 유형의 흐름이 발생할 수도 있다.

도 8에서는 파이프(100)가 소닉 트랜스듀서(20)의 중앙을 향해 위치되는 것 으로 예시되어 있지만, 다른 구성 또한 가능하다. 예컨대, 세정되는 표면 자체를 통해 액체가 추출될 수도 있다. 그러나, 이러한 장치는, 소닉 트랜스듀서(20)의 위치가 세정될 표면(A)에 대해 고정되는 경우에 더욱 적합하다. 기판 테이블(WT)의 상면을 기판 테이블의 상면보다 평면적으로 더 작은 소닉 트랜스듀서(20)로 세정할 때에는, 소닉 트랜스듀서(20)는 화살표 25로 예시된 바와 같이 기판 테이블(WT)에 대해 이동되어, 기판 테이블(WT)의 상면의 전체가 세정될 수 있게 될 것이다.

오염물 입자의 농도가 낮은 영역으로부터 오염물 입자의 농도가 높은 영역을 향해 액체의 내측 흐름(35)이 발생하는 것이 바람직하다. 입자의 농도가 낮은 영역은, 소닉 트랜스듀서(20)의 중심축으로부터 방사상으로 외측에 있는 영역을 포함하며, 이 영역에서는 음파가 세정되는 표면(A)으로부터 입자를 떼어내지 못한다. 입자의 농도가 높은 영역은, 소닉 트랜스듀서(20)와 세정되는 표면(A) 사이 등의 영역을 포함한다. 이로써, 세정액은 다른 통로를 흐르지 않고 오염된 액체를 보충한다. 더욱이, 세정될 표면으로부터 제거된 입자들은 그들 자신끼리 재부착할 것이다. 방사상의 내측 흐름을 이용하면, 이러한 입자는 그들이 원래 부착되어 있는 곳의 방사상의 내측의 위치에서 그들 자신끼리 재부착할 것이다. 따라서, 기하학적으로, 재부착의 위치는 트랜스듀서(20)의 아래, 즉 입자가 소닉 트랜스듀서(20)로부터의 음파에 의해 다시 제거될 수 있는 영역이어야 한다.

내측 흐름을 생성한다는 것은 중요한 요소이지만, 이것을 달성하는 방법은 중요한 요소가 아니다. 하나 이상의 특정 실시예에 대하여 설명하였지만, 다른 구 성 또한 가능하며, 튜브(100)가 메가소닉 트랜스듀서(20) 또는 전체 트랜스듀서(20)를 형성하는 복수의 메가소닉 트랜스듀서의 중심을 반드시 일직선으로 통과할 필요도 없다는 것을 당업자는 이해할 수 있을 것이다. 예컨대, 튜브는 액체를 추출하기 위해 요구되는 위치까지 세정액(30)을 통과하여, 내측 흐름을 발생시킬 수 있으면 된다.

도 9는, 도 8의 실시예의 장벽(80)을 제거하여, 도 8의 실시예보다 인-라인으로(즉, 액침 리소그래피 장치 내에) 사용하기에 더 적합한 실시예를 도시하고 있다. 본 실시예에서, 소닉 트랜스듀서(20)는 도 8에 예시된 것과 유사하다(평면적으로 더 작은 면적을 갖는다는 점은 제외). 소닉 트랜스듀서(20)는 도 5와 관련하여 설명한 장벽 부재(12)에 의해 둘러싸여 있다. 이 장벽 부재(12)는 소닉 트랜스듀서(20)와 세정될 표면 사이에 액체가 제공되는 동안 기판 테이블(WT)의 상면에 대해 X-Y 평면으로 이동될 수 있다(그 반대도 가능함). 본 실시예에서, 마찬가지로, 액체는 액체의 요구된 내측 흐름을 제공하기 위해 튜브(100)를 통해 추출된다. 따라서, 도 5에 관하여 설명한 바와 같은 이미징 동안보다 더 높은 흐름 속도의 액체가 요구될 것이다.

기판 테이블(WT) 및/또는 트랜스듀서(20)는 기판 테이블(WT)의 상면의 전부가 세정될 수 있도록 서로에 대해 이동된다. 세정은 리소그래피 장치 내에서 자동화된 방식으로 발생하거나, 또는 손 또는 일부 공구에 의해 트랜스듀서(20)를 기판 테이블(WT)의 상면에 대해 이동시킴으로써 수동으로 수행될 수도 있다.

세정 공정이 자동화되면, 세정 공정을 자동화하기 위한 한 가지 방식은, 트 랜스듀서(20)를 정지 상태의 보관 위치에서 세정 위치(역시, 정지 상태의)로 이동 가능하도록 하고, 트랜스듀서가 세정 위치(정지 상태의)에 있을 때에 트랜스듀서(20)에 대해 기판 테이블(WT)을 이동시키는 것이다. 기판 테이블(WT)은 세정 장치의 액체 공급 시스템의 작동 전에 Z 축으로 이동될 필요가 있을 것이다. 가스 흐름(16)이 생성된 후, 장벽 부재(12)에 액체가 제공되며, 기판 테이블(WT)은 세정되도록 요구되는 표면이 세정될 수 있도록 X-Y 평면으로 이동된다.

트랜스듀서와 세정될 표면 사이의 간격을 가로지르는 액체의 흐름이 바람직하기는 하지만, 필수적인 것은 아니다.

입자가 표면에 재부착되는 것을 방지하거나 적어도 감소시키기 위한 또 다른 방법은, 트랜스듀서와 기판 사이의 액체의 하나 이상의 특성을 변경시켜, 입자의 제타 전위(zeta potential)와 표면의 제타 전위에 의해, 입자가 표면에 인력을 받지 않도록 하거나, 바람직하게는 입자가 표면으로부터 밀려나도록 하는 것이다.

제타 전위는 액체 내에서의 표면의 전위이다. 제타 전위는 일반적으로 표면으로부터의 거리에 따라 감소한다. 소정 유형의 재료는 특정 유형의 액체에 대해 소정의 제타 전위를 갖는다. 표면의 제타 전위를 변화시키는 한 가지 방법으로는, 액체 내의 전해액의 농도를 변경시키는 방법이 있으며, 제타 전위를 변경시키는 다른 방법 또는 추가의 방법으로는 액체의 pH를 변경시키는 방법이 있다. 액체 내의 전해액(예컨대, 염)의 농도 및/또는 액체의 pH의 세밀한 선택에 의하여, (i) 입자가 제거되는 표면(및/또는 접착이 방지될 어떠한 다른 표면)의 제타 전위, 및 (ii) 입자의 제타 전위가 선택될 수 있다. 이들 2가지의 제타 전위는, 이들이 동일한 극성을 가져, 각각의 제타 전위를 갖는 대상물의 하나가 다른 하나로부터 밀려나게 되도록 선택되는 것이 바람직하다.

세척되는 표면을 구성하는 재료를 알고 있고, 또한 입자를 만들어낼 가능성이 있는 재료의 유형을 알고 있으면, 액체의 pH 및/또는 전해액의 농도를 선택할 수 있다. 이들 재료가 동일한 경우에는, 표면과 입자 양자에 대해 제타 전위가 0이 되지 않는 pH 및/또는 전해액 농도를 선택하는 것이 용이하게 된다. 이러한 환경에서는, 전위가 표면과 입자 양자에 대해 양의 전위 또는 음의 전위 중의 하나가 되도록 하여, 이들이 서로를 밀어내게 되고, 입자가 표면에 재부착되기가 용이하지 않게 될 것이다. 재료가 상이한 경우에는, pH 및/또는 전해액 농도의 선택이 더 어렵게 될 수도 있지만, 제타 전위가 양자의 물질에 대해 동일한 극성을 갖도록 하는 적어도 하나의 pH 및/또는 전해액 농도가 존재할 것이다.

액체의 pH를 변경시키는 것은, 재료의 용해도에 부정적인 영향을 주어, 그 자체가 오염 또는 재료 무결성의 손실을 초래할 수 있다. 이것이 문제가 되는 경우에는, pH가 아닌 전해액 농도를 변경시키는 것이 바람직할 것이다. 전해액 농도의 변경이 우수하게 선별된 염(예컨대, NaCl)을 첨가함으로써 이루어지는 경우에는, 액체의 pH에 커다란 영향을 주지 않을 것이다(즉, 액체는 중성을 유지한다).

전술한 기술 중 2개 이상(특히, 제타 전위를 변경시키기 위해 pH 및/또는 전해액 농도를 변경시키는 것과, 계면 활성제를 사용하는 것)을 조합하여 사용하는 것이 최상의 방식이 될 것이다.

액침 후드(immersion hood)(도 5를 참조) 등의 액체 제한 시스템(LCS : Liquid Confinement System)을 세정할 때에 발생하는 문제점은, 세정이 정위치(in-situ)에서 발생하는 경우 메가소닉 파가 투영 시스템의 광학 요소(최종 광학 요소)를 아래로부터 가열할 것이라는 점이다. 그 이유는, 개구부(200)가 액체 제한 시스템(LCS)을 관통하여 구성됨에 의하여 투영 시스템(PS)의 일부분이 하부로부터 노출되기 때문이다. 개구부(200)는, 기판의 이미징 동안, 액체로 채워지며, 투영 빔(PB)은 개구부(200)를 관통하여 기판(W)으로 향한다. 따라서, 광학 요소, 통상적으로는 "WELLE" 렌즈가 가열되지 않도록 하는 동시에 광학 요소 내의 에너지를 분산시키지 않고, 액체 제한 시스템(LCS)의 표면을 세정하는 것이 바람직하다. 미국 특허 출원 번호 11/437,876을 우선권으로 주장하는 2007년 5월 18일자 출원된 미국 특허 출원 번호 11/802,082에 도시된 바와 같이, 광학 요소를 메가소닉 파로부터 차단하기 위한 실드로서 가스(예컨대, 공기) 갭이 사용될 것이다. 그러나, 특정한 조건 하에서는 액체가 그 갭에 진입할 수도 있다.

본 실시예에서, 플레이트를 포함하는 것이 바람직한 실드는 투영 시스템의 최종 요소를 메가소닉 파 및/또는 액체로부터 차폐하기 위해 사용될 것이다. 바람직하게는, 실드는 트랜스듀서(20)와 개구부(200)를 통해 노출되는 투영 시스템(PS)의 일부분 사이의 고형 장벽(solid barrier)(310)이다. 본 실시예에서는, 트랜스듀서(20)에서부터 개구부(200)까지의 모든 직선 경로 내의 물리적인 존재(장벽)가 실드가 된다. 장벽 및/또는 가스 갭(75)(장벽이 갭의 유지를 지원함)은 트랜스듀서(20)로부터의 소닉 진동을 개구부(200)에서 먼 쪽으로 반사하는 데 효과적이다. 본 실시예에서, 장벽(310)은 또한 액체가 개구부(200)를 진입하지 못하도록 개구 부(200)를 차폐한다. 이로써, 가스 갭이 완전한 상태를 유지하게 되고, 액체가 광학 요소의 표면과 접촉하지 않게 된다.

도 10 및 도 11은 액체 제한 시스템(LCS)의 하부에 고정될 수 있는 세정 툴을 도시하고 있다. 도 10의 실시예를 먼저 설명하면, 도 10에 도시된 장치는 평면적으로 볼 때에 전반적으로 원형이지만, 본 발명의 실시예는 원형이 아닌 어떠한 유형의 액체 제한 시스템과도 함께 동작할 것이다. 세정 툴은 세정 툴 본체(300)를 액체 제한 시스템(LCS)의 하면에 대해 밀봉하는 외측 밀봉부(400)에 의해 액체 제한 시스템(LCS)에 고정된다. 외측 밀봉부(400)는 통상적으로 O-링이다. 외측 밀봉부는 세정될 액체 제한 시스템(LCS)의 하부측의 최대 표면을 규정한다. 세정 툴 본체(300) 내에는, 액체 제한 시스템(LCS)의 하면에서 메가소닉 파를 지향시키도록 배치된 메가소닉 트랜스듀서(20)가 위치한다. 세정 툴 본체(300)와 액체 제한 시스템(LCS)의 하면 사이에는 세정액이 채워져, 저장기를 형성한다.

세정 장치는, 저장기의 상면과 광학 요소 사이의 가스 갭(75) 외에, 트랜스듀서(20)와 가스 갭(75) 사이에 고상의 분리기(solid separator)를 형성하는 장벽(310)을 포함하는 실드를 갖는다. 장벽(310)은 메가소닉 파를 광학 요소로부터 멀리 반사함으로써 실드의 효율성을 향상시킨다. 장벽(310)은 기능적으로는 광학 요소에 대한 보호부(umbrella)로서 동작하기 위한 형태, 즉 광학 요소를 액체로부터 차폐하기 위한 형태로 된다. 보호부는 개구부(200) 부근에서 액체 제한 시스템(LCS)에 형성된 내측 림(inner rim)(318)에 의해 형성된 개구부(200)를 덮으며, 장벽(310)(보호부)과 액체 제한 시스템(LCS) 사이의 통상적으로는 O-링인 내측 밀 봉부(500)에 의해 액체 제한 시스템(LCS)에 고정된다. 내측 밀봉부(500)는 세정액이 가스 갭(75)에 진입하여 가스 갭(75)의 성능을 위협하는 것을 차단한다.

세정 툴은 또한 장벽(310)에 부착되는 튜브(320)를 포함한다 이 튜브는 세정 툴 본체(300)를 관통하며, 세정액을 저장기에 공급하기 위한 유입구(330)를 갖는다. 유입구는, 액체 제한 시스템(LCS)에 형성된 내측 림(318) 가까이에서, 세정액 저장기의 상단부의 바로 옆 또는 인접한 부근에 위치된다. 유입구(330)는 단일 슬릿으로 제공되거나, 또는 액체의 흐름이 모든 방사상의 방향으로 제공되도록 장벽(310)의 외측 에지 주위의 복수의 불연속 구멍으로서 제공된다. 액체 제한 시스템(LCS)의 하면에는, 세정액을 제거하기 위해 저압 소스(예컨대, 습식 진공기)에 연결된 배출구(10)가 형성되어 있다. 배출구(10)는 세정될 액체 제한 시스템(LCS)의 표면에 인접하여 있거나 나란하게 위치되어 있으며, 종래의 액체 제한 시스템에서 이미 제공된 모양을 갖는다(예컨대, 도 2∼4에서의 배출구(OUT) 및/또는 도 5에서의 배출구(14)). 그러므로, 사용시에, 세정 툴 본체와 액체 제한 시스템(LCS) 사이에는 세정액이 배출구를 향해 흐른다. 그러므로, 본 실시예는 세정되는 표면을 지나게 되는 액체의 흐름을 제공한다. 액체의 흐름은 방사상이지만, 본 실시예에서는 전반적으로 외측으로 향한다. 그러나, 트랜스듀서(20)가 세정될 표면에 대해 이동하지 못하기 때문에, 이것은 본 실시예에서는 그리 중요하지 않다.

세정 툴은 인-라인 또는 오프-라인 구성으로 실시될 것이다. 오프-라인 구성으로 실시된 경우, 액체 제한 시스템(LCS)은 세정 툴에 대한 설비를 위해 리소그래피 장치로부터 제거될 수도 있다.

도 10에 도시된 장치는 하나 이상의 문제점에 직면할 수도 있다. 전위 불안정성의 제공원은 세정 툴 내의 저압부, 즉 저압부에 대한 배출구(10)의 연결관계이다. 흡인력은 변화될 수도 있으며, 기포 형성 및 압력 변동으로 인하여 제어가 곤란하게 된다. 저압의 정도가 너무 크면, 세정 수조 내에 기포가 형성된다. 이 기포는 메가소닉 트랜스듀서(20)의 성능을 위협한다. 액체 내에 계면활성제 및/또는 세제가 사용되면, 거품이 발생하며, 이에 대해서는 아래에 설명되어 있다. 저압의 정도가 너무 작으면, 장치 내에서 압력이 상승하여, 세정액이 액체 제한 시스템(LCS) 내의 배출 통로를 통해 흐르게 되어, 가스 갭(75)에 진입하게 된다.

세정 툴과 액체 제한 시스템(LCS) 사이의 밀봉부(500)는 열화되어, 액체가 가스 갭(75) 내로 누설되도록 할 수도 있다. 세정액이 광학 요소와 접촉한 이후에는, 광학 요소는 메가소닉 파를 흡수하여 가열될 수도 있다. 메가소닉 에너지에 의한 기계적인 손상이 문제가 될 수도 있다. 이러한 이유로, 온도와 메가소닉 파의 절연 실드로서의 가스 갭의 성능이 위협될 수도 있다.

내측 밀봉부(500)가 갖는 추가의 또는 다른 문제점은, 내측 밀봉부(500)를 기능하도록 하기 위해 요구되는 장벽(310)(보호부)의 사이즈에 의해 세정 툴의 설계가 정해진다는 것이다. 세정 툴은 일반적인 형태의 것이 아닐 수도 있으며, 따라서 상이한 설계의 액체 제한 시스템(LCS)에 대해 상이한 설계의 세정 툴이 요구될 수도 있다. 또한, 액체 제한 시스템(LCS)의 하부에 대해 개방되고 또한 개구부(200)와 유체 연통하는 하나 이상의 개구부가 액체 제한 시스템(LCS)에 존재할 수도 있다. 액체를 액체 제한 시스템(LCS)을 거쳐 하나 이상의 개구부를 통해 가 스 갭(75) 내로 이주시키는 것이 가능하다. 이와 같이 되면, 도 10의 실시예에서 그 액체를 제거할 방안이 없을 수도 있다.

매우 순수한 물 등의 세정액에 첨가제(예컨대, 계면활성제 및/또는 세제)를 첨가하는 것이 세정을 향상시킬 수도 있지만, 첨가제는 문제를 야기할 수도 있다. 습식 진공 시스템에서, 세정액은 휘저어져, 세정액이 거품을 발생하게 될 수도 있다. 센서와 같은 리소그래피 장치의 특정 부품은 거품과의 접촉시에 손상될 수 있으므로, 거품은 문제가 된다. 거품은 리소그래피 장치로 하여금 장애를 발생하도록 하거나 또는 제조 환경에 대한 추가의 문제점을 야기시킬 것이다. 이러한 문제점은 습식 진공 발생기에서 재순환 루프(re-cycling loop)의 사용에 의해 확대될 수도 있다. 습식 진공에 의해 제공된 것보다 낮은 압력이 사용되면, 저장기 내의 압력이 상승되어, 하나 이상의 개구부를 통한 전술한 가스 갭(75) 내로의 액체의 누출이 더욱 발생하기가 쉬울 것이다.

도 11 및 도 12에는 액체 제한 시스템(LCS)의 하면에 고정되는 세정 툴의 다른 실시예를 도시하고 있다. 본 실시예는 아래의 차이점을 제외하고는 도 10에 도시된 세정 툴과 동일한 몇몇 특징을 갖는다. 세정액(30)이 저장기 및 장벽(310)을 통해 반대 방향으로 흘러, 장벽(310) 내의 개방 개구부가 배출구(10)로서 작용한다. 장벽(310)의 개방 개구부의 림(317)은 세정될 액체 제한 시스템(LCS)의 하면에 인접하여 있거나 나란하게 위치되어 있다. 액체 제한 시스템(LCS)의 내측 림(318)과 장벽(310) 사이에는, 세정액(30)이 세정 저장기로부터 장벽(310)의 개방 개구부에 의해 형성된 배출구(10) 내로 흐르게 하기에 충분한 간극이 있다.

장벽(310)은 보호부로서 기능하며, 깔때기 형상(즉, 저장기 내의 끝이 잘린 원추 형상)을 갖는다. 이 형상은, 세정 툴의 다른 특징부와 함께, 사용시에 메가소닉 파가 실드에 충돌하는 각도와 상이한 각도로 메가소닉 파를 광학 요소로부터 멀리 반사시킨다는 점에서, 절연 실드의 효율성을 향상시킬 것이다. 세정액(30)은 장벽(310)의 림(317)을 넘쳐 흐르게 되어, 중력의 영향으로 배출구(10) 및 배출 튜브(320) 내로 흐른다. 그러므로, 장벽(310)은 중력에 의해 액체가 저장기를 빠져나오게 하는 배출구(10)를 제공한다. 따라서, 이 시스템은 개방형 시스템(폐쇄형 시스템으로 볼 수도 있는 도 10의 실시예에 비해)으로 볼 수 있다. 또한, 배출구(10) 및 배출 튜브(320)의 깔때기 형상은 저장기 외부로의 액체의 완만한 흐름을 유발시킨다. 그 이유는, 구체적으로, 개구부 및 배출 튜브(320)의 깔때기 형상에 의해, 액체가 개구부의 경사 표면을 따라 배출구의 튜브형 부분의 출발점까지 흐르기 때문이다. 이로써, 액체에 약간의 힘만 가해져도, 거품 형성의 가능성이 감소된다. 저장기의 중앙으로부터 액체를 추출함으로써, 도 8 및 도 9의 실시예에서와 같이 방사상으로 내측을 향하는 방사상의 흐름이 발생된다. 액체 유입구가 제공되며, 세정 툴 본체(300) 및/또는 액체 제한 시스템(LCS)의 표면에 설치될 수 있다.

림(317)은 액체 제한 시스템(LCS)의 내측 림(318)을 상보(complement)하는 단면 변형 또는 성형으로 제공되어, 저장기 외부의 세정액(30)의 흐름 경로가 곡선으로 되게 하거나, 또는 세정액이 림(317)과 내측 림(318)을 분리시키는 공간을 통과할 때에 방향을 변경시키도록(즉, 직선을 이루지 않도록) 할 수 있다. 이에 대해서는 도 12를 참조하기 바란다. 이에 의해, 메가소닉 파가 개구부(200)에 진입 하게 되는 것을 방지할 수 있을 것이다. 이와 달리 또는 이에 추가하여, 이러한 단면 변형 또는 성형은, 림(317)의 형상을 상보하도록, 액체 제한 시스템(LCS)의 내측 림(318)에 제공될 수도 있다. 림(317)의 상단부의 높이와 저장기 내의 유체정역학적 압력(hydrostatic pressure)은 가스 갭(75)의 크기를 결정한다.

액체의 흐름은 세정액 내에서의 기포의 생성을 방지하기 위해 약간의 저압을 제공하는 "저속" 펌프(325)(배출구(10)에 연결됨)에 의해 지원될 수도 있다. 대표적인 흐름 속도는 0.5∼3 ℓ/min 이다. 본 실시예에서, 세정액 흐름은 습식 진공기를 통과하지 못한다. 깔때기 형상의 장벽(310)과 저속 펌프 사이, 바람직하게는 배출 튜브(320) 중에는 제한부(328)(즉, 흐름 제한기)가 존재할 수도 있다. 제한부는 거품의 형성을 최소화하는 데 도움을 준다.

본 실시예에서, 세정액이 세정 툴을 통해 흐르도록 하기 위해 사용되는 압력은 항상 동일하다. 이 압력은 깔때기 형상의 장벽(310)의 림(317)과 세정액을 저장기 내로 공급하기 위한 유입구 간의 높이의 차이에 의해 결정된다. 본 실시예에서, 세정 장치는, 세정 장치를 작동하기 위해 요구되는 압력이 자동으로 제어되기 때문에 안정한 시스템이 된다. 그러므로, 가스 갭(75)에 넘쳐흐르게 되는 위험이 감소되어, 가스 갭(75)이 더욱 안정하게 된다. 세정 툴은 온도 변동 및/또는 메가소닉 파로부터 광학 요소의 효과적인 절연 차폐를 제공할 것이다.

깔때기 형상의 장벽(310)에 평행하게 설치되어, 표시기(indicator)로서 사용될 수 있는 저장기와 유체 연통하는 튜브(340)는, 향상된 안정성 및 추가의 제어를 제공한다. 튜브(340) 내의 세정액의 레벨은 저장기 내의 세정액의 레벨과 동일하 므로, 가스 갭(75)이 충분히 큰지의 여부에 관하여 판단이 이루어질 수 있다. 표시기는, 가스 갭(75)이 세정액(30)으로 넘쳐 흐르게 될 수도 있는 장벽(310)의 튜브 내의 막힘이 있는지를 나타내줄 수 있다.

세정 툴 내의 압력을 일정하게 하는 것의 장점은 저장기 내에 형성된 기포의 양을 감소시킬 수 있다는 점이다. 그 결과, 메가소닉 트랜스듀서의 효율이 증가할 것이다.

세정액이 세정 툴을 통해 원활하게 흐를 때, 공지의 습식 진공 시스템에서보다 적은 가스/세정액 접촉이 발생할 것이다. 따라서, 세정 툴 내의 거품 형성이 감소될 것이다. 이로써, 통상적으로 거품을 과도하게 형성하여 일반적으로 사용이 제한되는 첨가제(계면활성제 및/또는 세제)를 세정액에 첨가할 수 있게 된다. 이러한 첨가제로는 비누 등의 계면활성제가 있다. 첨가제는 첨가제의 거품 형성 특성을 제어하기 위해 에이전트(agent)를 포함하는 비누 제형(soap formulation) 등의 제형일 수도 있다. 제형이 이러한 에이전트를 포함하지 못한다면, 거품 형성을 감소 및 제어하기 위해 세정액에 거품 형성 방지 첨가제가 첨가될 수도 있다. 거품 형성 방지 첨가제의 예로는, 파라핀, 폴리글리콜 또는 폴리디메틸실록산 등의 실리콘을 기반으로 하는 화합물이 있으며, 이러한 것으로만 한정되지는 않는다.

본 실시예에서, 시스템은 폐쇄형이 아닌 개방형임에 유의하기 바란다. 따라서, 내측 밀봉부가 필요하지 않다(외측 밀봉부는 여전히 존재함)는 장점을 제공한다. 도 10에 도시된 세장 장치에서는, 보호부(310)가 액체 제한 시스템(LCS)에 형성된 개구부(200)에 고정되도록 치수가 정해진다. 따라서, 상이한 유형의 액체 제 한 시스템(LCS)에 대해서는, 다소 상이한 설계의 세정 툴 및 완전히 상이한 프로세스 설정이 요구될 수도 있다. 도 11 및 도 12의 세정 장치는 고정된 프로세스 설정을 이용하여 다수의 유형의 액체 제한 시스템(LCS)과 함께 사용될 수 있다.

도 10 내지 도 12에 도시된 세정 툴은, 세정액(30)이 방사상의 흐름을 나타내도록 수정될 수도 있다.

또한, 거품 형성을 방지하기 위해 중력에 의해 세정 툴 내의 저장기로부터 세정액을 빨아들이는 개념은, 단지 도 11 및 도 12에 예시된 유형뿐만 아니라 어떠한 유형의 세정 툴에도 사용될 수 있다. 구체적으로, 이러한 개념(즉, 중력에 의해 세정액을 배출하도록 구성되어 배치된 배출구를 설치하는 개념)은 도 6 내지 도 8에 예시된 장치에도 적용될 수 있다. 그러나, 이 경우에는, 도 6 내지 도 8에 예시된 장치의 방사상의 흐름 특성이 희생될 수도 있다(그러나, 반드시 그러한 것은 아님).

메가소닉 세정 툴을 액체 제한 시스템(LCS)에 부착하여 트랜스듀서(20)를 작동시킴으로써, 세정될 부분에 진동을 발생시킬 것이다(예컨대, ㎒ 범위로). 이러한 범위의 진동은 기포 캐비테이션, 메가소닉 펄싱, 음향 스트리밍을 야기할 것이며, 이들은 함께 메가소닉 세정을 위한 토대가 될 것이다. 세정액(30)의 공급은 광학 요소가 메가소닉 에너지에 대해 보호되는 방식으로 이루어지며, 세정액은 세정 장치 내에서의 부정적인 영향(기포, 입자 재침적, 및/또는 거품 형성 등)이 방지되는 방식으로 제공된다.

예시된 세정액 공급 구성은 예컨대 리소그래피 장치의 청결성을 향상시켜 결 함도 레벨(defectivity level)의 감소에 기여함으로써 수율을 향상시킬 것이다.

예시된 실시예 전부는 오프-라인으로 실시될 수도 있다. 또한 실시예의 온-라인 실시도 가능하다.

본 명세서에서는, 집적회로(IC)의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대해 언급하였지만, 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드의 제조와 같은 기타 응용예들을 가질 수 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 다른 응용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟 영역"과 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(전형적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 또는 계측 장비, 또는 검사 장치에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 상기 기판 처리 장치와 여타 기판 처리 장치에 본 명세서의 개시 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.

본 명세서에 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 자외선(UV) 방사선(예컨대, 365, 248, 193, 157, 또는 126 nm의 파장을 가짐)을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.

본 명세서에서 고려되는 "렌즈"라는 용어는, 굴절성 및 반사성 광학 요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 나타낼 수 있다.

이상에서 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예컨대, 본 발명은 상기 개시된 바와 같은 방법을 설명하는 기계 판독 가능한 명령어들의 하나 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 디스크 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다. 본 발명은 전술한 컴퓨터 프로그램에 의해 프로그래밍될 수도 있는 컨트롤러의 제어 하에 수행될 수 있다.

본 발명의 하나 이상의 실시예는, 액침액이 수조 형태 내에 제공되는지 아니면 기판의 국소 표면적 상에만 제공되는지에 상관없이 전술한 유형을 포함한 어떠한 액침 리소그래피 장치에도 적용할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 고려된 바와 같은 액체 공급 시스템은 폭 넓게 해석되어야 한다. 어떠한 실시예에서는, 액체 공급 시스템은, 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 액체를 제공하는 메카니즘이거나 또는 구조물의 조합일 수도 있다. 액체 공급 시스템은, 액체를 공간에 제공하는 하나 이상의 구조물, 하나 이상의 액체 유입구, 하나 이상의 가스 유입구, 하나 이상의 가스 배출구, 및/또는 하나 이상의 액체 배출구의 조합을 포함할 것이다. 일실시예에서, 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 일부분이 되거나, 또는 공간이 기판 및/또는 기판 테이블을 감쌀 수도 있다. 액체 공급 시스템은, 옵션으로, 액체의 위치, 양, 질, 형상, 흐름 속도 또는 기타 다른 특성을 제어하기 위한 하나 이상의 요소를 더 포함할 수도 있다.

본 발명의 장치에 사용된 액침액은 사용된 노광 방사선의 요구된 성질 및 파장에 따라 상이한 조성을 가질 수도 있다. 193 ㎚의 노광 파장에 대해서는, 극히 순수한 물 또는 물을 기반으로 하는 조성물이 사용될 수 있으며, 이러한 이유로, 액침액은 간혹 물로도 지칭되며, 친수성, 소수성, 습기 등과 같은 물과 관련된 용어가 사용될 수도 있다.

전술한 내용은 예시를 위한 것으로, 본 발명을 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 하기 청구항들의 범위를 벗어나지 않고서도 전술한 본 발명에 대한 변형예가 이루어질 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하고 있다.

도 2는 리소그래피 투영 장치에 사용하기 위한 액체 공급 시스템을 도시하고 있다.

도 3은 리소그래피 투영 장치에 사용하기 위한 액체 공급 시스템을 도시하고 있다.

도 4는 리소그래피 투영 장치에 사용하기 위한 또 다른 액체 공급 시스템을 도시하고 있다.

도 5는 리소그래피 장치에 사용하기 위한 또 다른 액체 공급 시스템의 단면도이다.

도 6은 기판 테이블을 세정하도록 구성된 세정 장치의 설계를 단면도 형태로 도시하고 있다.

도 7은 기판 테이블을 세정하도록 구성된 다른 세정 장치의 설계의 일부분을 단면도 형태로 도시하고 있다.

도 8은 기판 테이블을 세정하기 위한 본 발명의 실시예의 단면도이다.

도 9는 기판 테이블을 세정하기 위한 본 발명의 다른 실시예의 단면도이다.

도 10은 액체 제한 시스템을 세정하기 위한 본 발명의 실시예의 단면도이다.

도 11은 액체 제한 시스템을 세정하기 위한 본 발명의 다른 실시예의 단면도이다.

도 12는 도 11의 실시예의 상세 구성에 대한 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : 배출구

20 : 메가소닉(소닉) 트랜스듀서

30 : 세정액

80 : 장벽

100 : 추출 튜브(파이프)

Claims

액침 리소그래피 투영 장치(immersion lithographic projection apparatus)를 세정하기 위한 세정 장치에 있어서,

상기 액침 리소그래피 투영 장치의 표면을 세정하도록 구성된 메가소닉 트랜스듀서(megasonic transducer);

상기 메가소닉 트랜스듀서와 세정될 표면 사이에 액체를 공급하도록 구성되어 배치된 액체 공급 시스템; 및

세정액을 유출시킬 수 있도록 구성된 세정액 배출구

를 포함하는 세정 장치.
제1항에 있어서,

상기 세정액 배출구는 세정될 표면에 인접하여 위치되어 있는, 세정 장치.
제1항에 있어서,

상기 세정액 배출구는 세정될 표면의 세정 영역에 인접하여 위치되어 있는, 세정 장치.
제3항에 있어서,

상기 세정 장치는, 사용시에, 액체 흐름이 상기 세정액 배출구를 향해 상기 세정 영역 위를 흐를 때에, 오염물이 상기 세정 영역으로부터 상기 액체 흐름 내로 제공되어, 상기 액체 흐름이 상기 세정액 배출구 가까이에서는 오염물 농도가 증가되어 있도록 구성되어 배치되는, 세정 장치.
제1항에 있어서,

상기 세정액 배출구는 상기 메가소닉 트랜스듀서의 표면에 형성되는, 세정 장치.
제1항에 있어서,

상기 세정액 배출구는, 상기 액체 공급 시스템이 액체를 공급하는 지역의 측면을 향하고 상기 메가소닉 트랜스듀서로부터 멀어지도록 위치되는, 세정 장치.
제6항에 있어서,

상기 지역은 세정될 표면인, 세정 장치.
제1항에 있어서,

상기 세정 장치는, 사용시에, 세정액의 가장 오염된 지역을 향하는 세정액의 커다란 흐름을 생성하도록 구성되어 배치되는, 세정 장치.
제5항에 있어서,

상기 커다란 흐름은 방사상의 흐름인, 세정 장치.
제1항에 있어서,

상기 세정 장치는, 더 높은 오염물 농도를 갖는 세정액의 지역을 향하는 커다란 액체 흐름을 생성하도록 구성되어 배치되는, 세정 장치.
제10항에 있어서,

상기 지역은 상기 메가소닉 트랜스듀서와 세정될 상기 표면 사이에 위치되어 있는, 세정 장치.
제1항에 있어서,

상기 세정 장치는, 사용시에, 세정될 상기 표면의 영역을 향하는 커다란 액체 흐름을 생성하여, 상기 커다란 액체 흐름이 세정될 상기 표면의 영역을 지나쳐 상기 세정액 배출구를 향하도록 구성되어 배치되는, 세정 장치.
제1항에 있어서,

상기 커다란 액체 흐름은 상기 메가소닉 트랜스듀서와 세정될 상기 표면 사이에서 이루어지는, 세정 장치.
액침 리소그래피 투영 장치를 세정하기 위한 세정 장치를 포함하는 리소그래 피 장치로서,

상기 세정 장치는,

상기 액침 리소그래피 투영 장치의 표면을 세정하도록 구성된 메가소닉 트랜스듀서(megasonic transducer);

상기 메가소닉 트랜스듀서와 세정될 표면 사이에 액체를 공급하도록 구성되어 배치된 액체 공급 시스템; 및

세정액을 유출시킬 수 있도록 구성된 세정액 배출구

를 포함하는,

리소그래피 장치.
액침 리소그래피 투영 장치에 있어서,

기판을 유지하도록 구성되어 배치된 기판 테이블;

패터닝된 방사 빔을 상기 기판 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템;

표면을 세정하도록 구성된 메가소닉 트랜스듀서;

상기 메가소닉 트랜스듀서와 세정될 상기 표면 사이에 액체를 공급하도록 구성되어 배치된 액체 공급 시스템; 및

세정액의 유출을 허용하도록 구성된 세정액 배출구

를 포함하는 액침 리소그래피 투영 장치.
메가소닉 트랜스듀서로부터 방출되는 메가소닉 파(megasonic wave)를 이용하 여 액침 리소그래피 투영 장치의 표면을 세정하는 방법에 있어서,

세정될 표면 및 상기 메가소닉 트랜스듀서의 표면을 액체로 덮는 단계;

상기 메가소닉 파를 상기 액체 내에 도입시키는 단계; 및

세정될 상기 표면에 인접하여 있는 액체 배출구를 통해 상기 액체를 추출하는 단계

를 포함하는 세정 방법.
제16항에 있어서,

상기 액체를 추출하는 단계는 상기 액체의 방사상의 흐름을 발생시키는, 세정 방법.
리소그래피 투영 장치의 구성요소의 표면을 세정하기 위한 세정 장치에 있어서,

상기 표면에 인접하여 액체의 흐름을 생성하도록 구성된 액체 흐름 발생 장치; 및

상기 액체를 통해 상기 표면 상에 음파(sonic wave)를 방출하도록 구성된 소닉 트랜스듀서(sonic transducer)

를 포함하는 세정 장치.
제18항에 있어서,

상기 액체 흐름 발생 장치는 상기 표면에 직교하는 축에 대해 방사상의 요소(a radial component)로 액체의 흐름을 생성하도록 구성되며,

상기 소닉 트랜스듀서는 상기 축을 중심으로 상기 표면 상에 상기 음파를 방출하도록 구성되는,

세정 장치.
제19항에 있어서,

상기 액체 흐름은 상기 축을 향해 방사상으로 내측으로 이루어지는, 세정 장치.
제18항에 있어서,

상기 표면에 액체를 공급하도록 구성된 액체 공급 장치를 더 포함하는, 세정 장치.
제21항에 있어서,

상기 세정 장치는, 사용시에, 상기 소닉 트랜스듀서와 상기 표면 사이에 실질적으로 액체/가스 계면이 없도록 구성되는, 세정 장치.
제21항에 있어서,

상기 액체 공급 장치는, 리소그래피 투영 장치의 기판 테이블 상에 탑재되 는, 세정 장치.
제18항에 있어서,

상기 액체 흐름 발생 장치는, 상기 액체가 상기 축의 방사상으로 외측으로 공급되도록 배치되는, 세정 장치.
제18항에 있어서,

상기 액체 흐름 발생 장치는, 상기 소닉 트랜스듀서와 상기 표면 사이로부터 액체를 제거하도록 구성된 액체 제거 장치를 포함하는, 세정 장치.
제25항에 있어서,

상기 액체 제거 장치는 상기 표면에 직교하는 축과 동축인 배출구를 포함하는, 세정 장치.
제26항에 있어서,

상기 배출구는 사용시에 상기 표면을 마주보는 면에 있는, 세정 장치.
제18항에 있어서,

상기 액체 흐름 발생 장치는, 상기 소닉 트랜스듀서와 상기 기판 사이로부터 액체를 제거하도록 구성된 액체 배출구를 포함하며, 상기 액체 배출구는 상기 소닉 트랜스듀서를 관통하거나 또는 복수의 상기 소닉 트랜스듀서 사이에 있는, 세정 장치.
제18항에 있어서,

상기 소닉 트랜스듀서가 하나의 유닛으로서 고려되는 경우에는, 상기 액체를 제거하기 위한 축은 상기 유닛을 관통하는, 세정 장치.
제18항에 있어서,

상기 액체에 첨가제를 공급하도록 구성된 첨가제 공급 장치를 더 포함하는, 세정 장치.
제18항에 있어서,

상기 액체의 거품 형성을 방지하기 위해 상기 액체 흐름 발생 장치를 소정의 레벨 아래로 제어하도록 구성된 컨트롤러를 더 포함하는, 세정 장치.
리소그래픽 투영 장치에 있어서,

기판을 유지하도록 구성되어 배치된 기판 테이블;

상기 기판 상에 패터닝된 방사 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템;

상기 리소그래피 투영 장치의 구성요소의 표면을 세정하도록 구성된 세정 장치

를 포함하며,

상기 세정 장치는, 상기 표면에 인접하여 액체의 흐름을 생성하도록 구성된 액체 흐름 발생 장치와, 상기 액체를 통해 상기 표면 상에 음파를 방출하도록 구성된 소닉 트랜스듀서를 포함하는,

리소그래픽 투영 장치.
리소그래피 투영 장치의 구성요소의 표면을 세정하는 방법에 있어서,

상기 표면 상에 액체를 제공하는 단계;

상기 액체 내에서 흐름을 발생시키는 단계; 및

상기 액체를 통하여 음파를 제공하는 단계

를 포함하는 세정 방법.
제33항에 있어서,

상기 액체 내에서 흐름을 발생시키는 단계는, 상기 표면에 직교하는 축에 대해 상기 액체 내에서 방사상의 흐름을 발생시키는 단계를 포함하는, 세정 방법.
제34항에 있어서,

상기 방사상의 흐름은 상기 축을 향해 내측으로 향하는, 세정 방법.
제34항에 있어서,

상기 액체는 상기 표면 상에 상기 축의 방사상의 외측으로 제공되는, 세정 방법.
제33항에 있어서,

상기 액체에서 흐름을 발생시키는 단계는, 상기 표면에 직교하는 축과 동축인 배출구를 통해 상기 액체를 제거함으로써 달성되는, 세정 방법.
제37항에 있어서,

상기 배출구는, 음파를 제공하는 소닉 트랜스듀서를 관통하거나 또는 복수의 상기 소닉 트랜스듀서 사이에 있는, 세정 방법.
리소그래피 투영 장치에 있어서,

사용 시에 세정될 표면과 마주보는 면을 갖는 소닉 트랜스듀서;

상기 소닉 트랜스듀서와 세정될 상기 표면 사이에 액체를 제공하도록 구성된 액체 공급 시스템; 및

상기 소닉 트랜스듀서와 상기 표면 사이로부터 상기 액체를 제거하도록 구성된 추출기(extractor)

를 포함하며,

상기 추출기의 유입구는, 사용 시에, 실질적으로 상기 소닉 트랜스듀서의 상기 면의 중앙을 향하는 상기 소닉 트랜스듀서와 상기 표면 사이의 상기 액체의 방 사상의 내측 흐름이 형성되도록 위치되어 있는,

리소그래픽 투영 장치.
제39항에 있어서,

상기 추출기는 저압 소스(an under pressure source)에 연결되어 있는, 리소그래픽 투영 장치.
리소그래피 장치의 대상물(object)의 표면을 세정하는 방법에 있어서,

(a) 세정될 상기 표면과 소닉 트랜스듀서 사이에 제1 첨가제를 포함한 액체를 제공하는 단계;

(b) 상기 소닉 트랜스듀서로부터의 음파를 상기 표면 상으로 방출하는 단계;

(c) 세정될 상기 표면과 상기 소닉 트랜스듀서 사이에, 상기 제1 첨가제와는 상이한 제2 첨가제를 포함한 액체를 제공하는 단계; 및

(d) 상기 소닉 트랜스듀서로부터의 음파를 상기 표면 상으로 방출하는 단계

를 포함하는 세정 방법.
제41항에 있어서,

상기 (b) 및 (d) 단계 중의 하나의 단계 후에, 또는 상기 (b) 및 (d) 단계의 양자의 단계 후에, 상기 표면을 헹구는 단계를 더 포함하는, 세정 방법.