JP4555903B2 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
本願は、2004年12月2日に出願された特願2004−349730号、及び2005年6月14日に出願された特願2005−173339号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
また、本発明は、光路空間の液体の供給及び排出を円滑に行い、基板を精度良く露光できる露光装置、及びその露光装置を用いたデバイス製造方法を提供することを目的とする。
図1は第1の実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持する基板ホルダPHを備えた基板ステージPSTと、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに保持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。
なお、本実施形態においては、第1液浸領域LR1は基板P上に形成されるものとして説明する場合があるが、投影光学系PLの像面側において、第1光学素子LS1と対向する位置に配置された物体上、例えば基板ステージPSTの上面などにも形成可能である。
マスクステージMST上には移動鏡51が設けられている。また、移動鏡51に対向する位置にはレーザ干渉計52が設けられている。マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及びθZ方向の回転角(場合によってはθX、θY方向の回転角も含む)はレーザ干渉計52によりリアルタイムで計測される。レーザ干渉計52の計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、レーザ干渉計52の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動し、マスクステージMSTに保持されているマスクMの位置制御を行う。
次に、第2の実施形態として、第1光学素子LS1を交換する手順について説明する。
第1液浸領域LR1(第1空間K1)の第1液体LQ1中に、例えば感光剤(フォトレジスト)に起因する異物など、基板P上から発生した不純物等が混入することによって、その第1液体LQ1が汚染する可能性がある。第1液浸領域LR1の第1液体LQ1は第1光学素子LS1の下面T1にも接触するため、その汚染された第1液体LQ1によって、第1光学素子LS1の下面T1が汚染する可能性がある。また、空中を浮遊している不純物が、投影光学系PLの像面側に露出している第1光学素子LS1の下面T1に付着する可能性もある。そこで、汚染された第1光学素子LS1は、所定のタイミングで交換される。
貫通孔65を介した第2空間K2の液体排出作業(第1光学素子の交換作業、あるいは第2液体LQ2を新たなものに置き換える作業を含む)を行うときには、制御装置CONTは、バルブ91を駆動して、第2供給口32と気体供給系90とを接続する流路を開け、第2供給口32より第1光学素子LS1の上面T2に気体を吹き付ける。貫通孔65を介した第2空間K2の液体排出作業と並行して、気体を吹き付けることで、第1光学素子LS1の上面T2に付着している液体(液滴)は、吹き付けられた気体の流れによって、貫通孔65まで円滑に移動する。したがって、第2空間K2に存在する第2液体LQ2をより良好に除去することができる。気体を吹き付ける場合、液体排出作業の開始時には、湿度の高い気体を供給し、一定時間経過後に湿度を除去した気体(ドライエア等)を供給することが望ましい。あるいは、液体排出作業の開始時から徐々に湿度を除去した気体を供給してもよい。そうすることによって、気化熱による急激な温度低下を防ぐことができる。
次に、第3の実施形態を図18を参照しながら説明する。本実施形態の特徴的な部分は、第2ノズル部材72が第1光学素子LS1を真空吸着保持している点にある。図18において、第2ノズル部材72は、第1光学素子LS1を真空吸着保持する保持部100を備えている。保持部100は、第2ノズル部材72のうち、第1光学素子LS1の上面T2と対向する下面72Kに設けられている。第2ノズル部材72の下面72Kは、第1光学素子LS1の上面T2のうち露光光ELが通過する領域とは異なる領域に対向している。保持部100は、第2ノズル部材72の下面72Kに環状に形成された真空吸着溝101を含んで構成されている。真空吸着溝101の一部には、不図示の真空系に接続された吸着孔が形成されている。第2ノズル部材72の下面72Kと第1光学素子LS1の上面T2とを接触させた状態で、真空系を駆動することにより、第2ノズル部材72に設けられた保持部100は、第1光学素子LS1を真空吸着保持する。また、第2ノズル部材72には、板ばね103を含む第2保持部102が設けられている。第2保持部102は板ばね103によって第1光学素子LS1の周縁部の一部を保持可能である。こうすることにより、保持部100による第1光学素子LS1の真空吸着保持が行われなかったときに、第2保持部102が第1光学素子LS1を保持することで、第1光学素子LS1の落下を防止することができる。
第4実施形態について説明する。図19は第4実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図、図20及び図21は図19の要部拡大図である。以下の説明において、第1の実施形態と同一又は同等の構成部分については、その説明を簡略若しくは省略する。
第5実施形態について図33を参照して説明する。以下の説明において、上述の第4実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
第6実施形態について図34を参照して説明する。図34において、第1光学素子LS1のフランジ部F1には切欠部278Bが形成されている。切欠部278Bは、平面視において、V溝状に形成されている。第1光学素子LS1と第2ノズル部材272との間に形成された排出口252は、第1光学素子LS1の切欠部278Bを含んでいる。一方、第2ノズル部材272には切欠部は設けられていない。このように、切欠部をV溝状に形成してもよい。また、切欠部としては、例えば円弧状など、任意の形状を採用することができる。
第7実施形態について図35を参照して説明する。図35において、第1光学素子LS1のフランジ部F1の所定位置には、このフランジ部F1を貫通する貫通孔(排出流路)254が形成されており、この貫通孔254の上端部が、第2空間K2の液体LQを排出する排出口252となっている。このように、排出口252を、第1光学素子LS1の上面T2のうち露光光ELが通過する所定領域AR2以外の領域に設けるようにしてもよい。
第8実施形態について図36を参照して説明する。図36において、第2ノズル部材272の内側面272T(又は上面)の所定位置には、第2空間K2の液体LQを排出する排出口252が形成されている。このように、排出口252を、第2ノズル部材272の一部に設けるようにしてもよい。なおこの場合、第2ノズル部材272のうち、排出口252が形成されている面(領域)は、第1光学素子LS1の上面T2(所定領域AR2)とほぼ同じ高さ又は上面T2(所定領域AR2)よりも低く設けられていることが望ましい。
第9実施形態について図37を参照して説明する。本実施形態において、第1光学素子LS1は第1ノズル部材271によって支持されている。また、第1ノズル部材271は、第1空間K1を液体LQで満たすための供給口212及び回収口222を有しているとともに、第2空間K2を液体LQで満たすための供給口232を有している。更に、本実施形態の第1ノズル部材271は、第2空間K2より排出された液体LQを捕集する捕集部材としての機能を有している。
なお、第1実施形態の凹部75に、図28に示すような回収管243及び第2液体回収装置241を設け、この回収管243及び第2液体回収装置241を介して、凹部75に流出してきた第2液体LQ2を排出するようにしてもよい。
また、第1実施形態の貫通孔65の下部に配置された液体回収器68に代えて、第4〜第9の実施形態で説明した捕集部材及び吸引装置を設けてもよい。
このように、各実施形態は、その構成の一部を他の実施形態と組み合わせたり、置き換えることが可能であることは言うまでもない。
上述の各実施形態においては、基板Pの露光中に第2液体LQ2の供給及び回収を行わない構成について説明したが、第2液体LQ2の供給及び回収に伴う振動が露光精度に影響を及ぼさない場合には、基板Pの露光中であっても第2液体LQ2の供給及び回収を行ってもよい。
Claims (39)
- 投影光学系を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系は、該投影光学系の像面に最も近い第1光学素子と、前記第1光学素子に次いで前記像面に近い第2光学素子とを有し、
前記第2光学素子の下面よりも高い位置に設けられ、前記第1光学素子の上面と前記第2光学素子の下面との間の空間に満たされた液体を回収する回収口を備えた露光装置。 - 前記第2光学素子の側面を囲むように設けられたノズル部材を有し、
前記回収口は前記ノズル部材のうち前記側面に対向する位置に設けられている請求項1記載の露光装置。 - 前記空間に液体を供給する供給口を備え、
前記供給口は前記ノズル部材に設けられている請求項2記載の露光装置。 - 前記ノズル部材は、前記第1光学素子を真空吸着保持する保持部を有する請求項2又は3記載の露光装置。
- 前記ノズル部材は、前記第1光学素子の上面のうち前記露光光が通過する領域とは異なる領域に対向する下面を有し、前記保持部は前記ノズル部材の下面に設けられている請求項4記載の露光装置。
- 前記空間とその外側の空間との間の液体の流通を抑制する抑制機構を備えた請求項1〜5のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記第2光学素子は、ノズル部材の上面と対向する第1面を有し、前記シール部材は前記ノズル部材の上面と前記第1面との間に設けられている請求項6記載の露光装置。
- 前記ノズル部材の上面のうち前記シール部材の外側には、前記空間より流出した液体を保持するための凹部が設けられている請求項7記載の露光装置。
- 前記空間から液体が流出したか否かを検出する検出器を備えた請求項1〜8のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記検出器はノズル部材の上面に設けられている請求項9記載の露光装置。
- 前記検出器は光ファイバを含む請求項9又は10記載の露光装置。
- 前記第1光学素子を保持する保持部材を有し、
前記保持部材には、前記空間の液体を排出するための孔が形成されている請求項1〜11のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記保持部材は前記第1光学素子の上面よりも低い第2面を有し、前記孔は前記第2面に設けられている請求項12記載の露光装置。
- 前記孔より液体を排出するときに前記空間に気体を供給する気体供給系を備えた請求項12又は13記載の露光装置。
- 投影光学系を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系は、該投影光学系の像面に最も近い第1光学素子と、前記第1光学素子に次いで前記像面に近い第2光学素子とを有し、
前記第2光学素子を囲むように環状に設けられ、前記第1光学素子と前記第2光学素子との間に液体の液浸領域を形成するための液体供給口及び液体回収口のうち少なくともいずれか一方を有するノズル部材を備え、
前記ノズル部材は、前記第1光学素子を真空吸着保持する保持部を備えた露光装置。 - 投影光学系を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系は、該投影光学系の像面に最も近い第1光学素子と、前記第1光学素子に次いで前記像面に近い第2光学素子とを有し、
前記第1光学素子と前記第2光学素子との間の空間に液体の液浸領域を形成する液浸機構と、
前記空間から液体が流出したか否かを検出する検出器とを備えた露光装置。 - 前記検出器は、光ファイバを含む請求項16記載の露光装置。
- 投影光学系を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系を構成する複数の光学素子のうち所定の光学素子の上面に液体の液浸領域を形成する液浸機構を備え、
前記所定の光学素子を保持する保持部材には、前記液浸領域の液体を排出するための排出口が設けられている露光装置。 - 前記保持部材は、前記投影光学系の像面に最も近い位置に配置された光学素子を保持する請求項18記載の露光装置。
- 前記排出口は前記所定の光学素子の上面よりも低い位置に設けられている請求項18又は19記載の露光装置。
- 前記排出口より液体を排出するときに、前記所定の光学素子の上面に気体を供給する気体供給系を備えた請求項18〜20のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記液浸機構は、前記所定の光学素子の上面に液体を供給する供給口及び液体を回収する回収口のうち少なくともいずれか一方を有し、
前記気体供給系は、前記供給口及び前記回収口のうち少なくともいずれか一方から気体を供給する請求項21記載の露光装置。 - 前記気体供給系は、前記保持部材に設けられた気体吹出口を含む請求項21又は22記載の露光装置。
- 第1光学素子を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記第1光学素子の上面のうち、前記露光光が通過する所定領域が液浸領域となるように、前記第1光学素子の上面側に液体を供給する供給口と、
前記第1光学素子の外周部を支持する支持部を有し、前記第1光学素子を囲む枠部材と、
前記第1光学素子と前記枠部材との少なくとも一方に設けられ、前記第1光学素子の上面側に供給された液体を排出する排出口とを備えた露光装置。 - 前記排出口は、前記第1光学素子と前記枠部材との間に形成される請求項24記載の露光装置。
- 前記排出口は、前記第1光学素子の外縁部及び前記枠部材の内縁部の少なくとも一方に設けられた切欠部を有する請求項25記載の露光装置。
- 前記供給口は、前記所定領域の外側に設けられている請求項24〜26のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記排出口は、前記所定領域を挟んで前記供給口から離れた位置に設けられている請求項24〜27のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記排出口から排出された液体を捕集する捕集部材を有する請求項25〜28のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記捕集部材に捕集された液体を吸引回収する吸引装置を備えた請求項29記載の露光装置。
- 前記所定領域よりも高い位置に設けられ、前記液体を回収する回収口を有する請求項24〜30のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記回収口は、前記排出口の近傍に設けられている請求項31記載の露光装置。
- 前記回収口は、前記所定領域を挟んで前記供給口と対向する位置に設けられている請求項31又は32記載の露光装置。
- 前記第1光学素子の上面に対向する下面を有する第2光学素子を有し、
前記液体は、前記第1光学素子の上面と前記第2光学素子の下面との間に保持される請求項24〜33のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記露光光が通過する投影光学系を有し、
前記第1光学素子は、前記投影光学系の像面に最も近い位置に設けられ、
前記第2光学素子は、前記第1光学素子に次いで前記像面に近い位置に設けられる請求項34記載の露光装置。 - 請求項1〜請求項35のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
- 前記排出口は、前記第1光学素子の外縁部又は前記枠部材のいずれかに形成される請求項24記載の露光装置。
- 前記排出口は、前記第1光学素子の外縁部に形成された切欠部と、前記枠部材の内縁部との間に形成される請求項25記載の露光装置。
- 前記排出口は、前記第1光学素子の外縁部と、前記枠部材の内縁部に形成された切欠部との間に形成される請求項25記載の露光装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE602005019689D1 (de) | 2004-01-20 | 2010-04-15 | Zeiss Carl Smt Ag | Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse |
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JP4715505B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2011-07-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE102006021797A1 (de) | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
JP5156740B2 (ja) * | 2006-07-03 | 2013-03-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | リソグラフィ投影対物器械を修正/修理する方法 |
US7900641B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US7924404B2 (en) * | 2007-08-16 | 2011-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL1035908A1 (nl) | 2007-09-25 | 2009-03-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2003392A (en) * | 2008-09-17 | 2010-03-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
NL2004497A (en) | 2009-05-01 | 2010-11-02 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
CN102652349A (zh) * | 2009-12-28 | 2012-08-29 | 株式会社尼康 | 液浸构件、液浸构件的制造方法、曝光装置、及元件制造方法 |
US9256137B2 (en) * | 2011-08-25 | 2016-02-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method |
DE102015219671A1 (de) | 2015-10-12 | 2017-04-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Baugruppe, Projektionssystem, Metrologiesystem und EUV-Lithographieanlage |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004019128A2 (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
JP2005268742A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2005347617A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006019720A (ja) * | 2004-06-04 | 2006-01-19 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2006024915A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-01-26 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2006295107A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-10-26 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2007027674A (ja) * | 2004-11-19 | 2007-02-01 | Nikon Corp | メンテナンス方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JP2897355B2 (ja) * | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JP2830492B2 (ja) * | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
US5874820A (en) * | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5528118A (en) * | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5623853A (en) * | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
DE69735016T2 (de) * | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
TW529172B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
JP3806670B2 (ja) | 2002-06-12 | 2006-08-09 | 住友金属建材株式会社 | 土留め用かご枠の連結部材 |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
CN101470360B (zh) * | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
EP1420302A1 (en) * | 2002-11-18 | 2004-05-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10324477A1 (de) * | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
WO2005031823A1 (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-07 | Nikon Corporation | 液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法 |
KR101330370B1 (ko) * | 2004-04-19 | 2013-11-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7180572B2 (en) * | 2004-06-23 | 2007-02-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion optical projection system |
-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004019128A2 (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
JP2005268742A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2005347617A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006019720A (ja) * | 2004-06-04 | 2006-01-19 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2006024915A (ja) * | 2004-06-10 | 2006-01-26 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2006295107A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-10-26 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2007027674A (ja) * | 2004-11-19 | 2007-02-01 | Nikon Corp | メンテナンス方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009141356A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
Also Published As
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