TWI653509B - 用於屏蔽光罩的設備 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一種設備。該設備包含場產生器，用以產生場屏蔽以保護光罩免於外來粒子之汙染。

Description

用於屏蔽光罩的設備

本發明係關於用於屏蔽光罩的設備。

矽晶片或晶圓之製造典型涉及無數的加工步驟，諸如光微影。於光微影中，沉積有光阻之晶圓表面係透過圖案化光罩暴露於輻射源。為了將光罩的圖案投影至晶圓上，輻射源，諸如紫外光，沿著輻射路徑行進且入射在圖案化光罩上或從圖案化光罩反射出。接著晶圓經歷顯影及蝕刻製程，以移除不想要的部分同時於其上留下光罩所定義之圖案。

隨著產業持續降低裝置大小的趨勢，晶圓上的線寬被縮小並且裝置計數係相應地增加。一方面，光罩圖案的保真度要求越來越嚴格。另一方面，將光罩圖案影像無錯誤轉換到晶圓上也在決定最終半導體產品品質上扮演重要角色。結果，圍繞圖案化光罩之潔淨環境是必須的。此外，重要的是保持光罩之操作表面遠離否則可能阻礙輻射行進路徑或使光罩表面粗糙之外來粒子或汙染物，而使得沒有缺陷會發生，諸如不想要的開路或閉路。因此，需要用於光罩之有效屏蔽機制。

本揭露提供一種設備。該設備包含一場產生器，用以產生一場屏蔽以保護一光罩免於外來粒子之汙染。

本揭露提供一種用於屏蔽光罩之設備。該設備包含一光罩及圍繞該光罩之磁場產生器。該磁場產生器係用以在該光罩上方產生磁場。

本揭露提供一種用於屏蔽光罩之設備。該設備包含一光罩及圍繞該光罩之電場產生器。該電場產生器係用以在該光罩上方產生電場。

10‧‧‧光罩

10A‧‧‧第一側

10B‧‧‧第二側/背側

20‧‧‧場產生器/磁場產生器

30‧‧‧場產生器/電容器/電場產生器

40‧‧‧電連接

50‧‧‧電力儲存單元

60‧‧‧屏蔽元件

100‧‧‧光罩屏蔽設備

102‧‧‧基板

102A‧‧‧表面

104‧‧‧圖案化層

202‧‧‧第一場產生器

204‧‧‧第二場產生器

301‧‧‧光罩屏蔽設備

302‧‧‧光罩屏蔽設備

303‧‧‧光罩屏蔽設備

304‧‧‧光罩屏蔽設備

310‧‧‧第一場產生器

320‧‧‧第一場產生器

330‧‧‧第一場產生器

332‧‧‧磁鐵

332-1‧‧‧磁鐵

332-2‧‧‧磁鐵

332-3‧‧‧磁鐵

332-4‧‧‧磁鐵

332-5‧‧‧磁鐵

332-6‧‧‧磁鐵

332-7‧‧‧磁鐵

332-8‧‧‧磁鐵

340‧‧‧第一場產生器

342‧‧‧磁鐵/第一磁鐵群

344‧‧‧磁鐵/第二磁鐵群

400‧‧‧光罩屏蔽設備

410‧‧‧第二場產生器

510‧‧‧第二場產生器

520‧‧‧第二場產生器

532‧‧‧磁條/磁鐵陣列

534‧‧‧磁條/二維陣列/磁鐵陣列

536‧‧‧磁條/磁鐵陣列

542‧‧‧磁鐵

544‧‧‧磁鐵

546‧‧‧磁鐵

552‧‧‧磁鐵陣列

554‧‧‧磁鐵陣列

556‧‧‧磁鐵陣列

562‧‧‧磁鐵

564‧‧‧磁鐵

566‧‧‧磁鐵

700‧‧‧光罩屏蔽設備

702‧‧‧第一電極

704‧‧‧第二電極

706‧‧‧構件

800‧‧‧光罩屏蔽設備

810‧‧‧遮光器

820‧‧‧光學裝置

822‧‧‧孔

824‧‧‧孔

826‧‧‧孔

830‧‧‧光學調變器

840‧‧‧場產生器

842‧‧‧場產生器

850‧‧‧遮光器

860‧‧‧遮光器

900‧‧‧光罩屏蔽設備

901‧‧‧葉片

902‧‧‧葉片

903‧‧‧葉片

904‧‧‧葉片

905‧‧‧孔

906‧‧‧場產生器

921‧‧‧葉片

922‧‧‧葉片

923‧‧‧葉片

924‧‧‧葉片

925‧‧‧孔

926‧‧‧場產生器

1000‧‧‧系統

L1‧‧‧輻射源

L2‧‧‧輻射源/反射輻射束

R1‧‧‧反射光

R2‧‧‧反射光

P1‧‧‧外來粒子

P2‧‧‧外來粒子

F1‧‧‧磁場線

F2‧‧‧磁場線

F3‧‧‧磁場線

F4‧‧‧電場線

F01‧‧‧磁場

F02‧‧‧電場

C1‧‧‧分量磁場

C2‧‧‧分量磁場

C3‧‧‧分量磁場

C4‧‧‧分量磁場

C5‧‧‧分量磁場

C6‧‧‧分量磁場

C7‧‧‧分量磁場

C8‧‧‧分量磁場

S1‧‧‧第一側

S2‧‧‧第二側

S3‧‧‧第三側

S4‧‧‧第四側

本揭露之態樣將在與隨附圖式一同閱讀下列詳細說明下被最佳理解。請注意，根據業界標準作法，各種特徵未依比例繪製。事實上，為了使討論內容清楚，各種特徵的尺寸可刻意放大或縮小。

圖1係根據本揭露的一些實施例之光罩屏蔽設備的示意圖。

圖2A至2D係根據本揭露的一些實施例之圖1中光罩屏蔽設備的場產生器的示意圖。

圖3係根據本揭露的一些實施例之光罩屏蔽設備的示意圖。

圖4A及4B係根據本揭露的一些實施例之圖3中光罩屏蔽設備的場產生器的示意圖。

圖5係根據本揭露的一些實施例之光罩屏蔽設備的示意圖。

圖6係根據本揭露的一些實施例之光罩屏蔽設備的示意圖。

圖7係根據本揭露的一些實施例之光罩屏蔽設備的示意圖。

圖8係根據本揭露的一些實施例之系統的示意圖。

圖9A及9B係根據本揭露的一些實施例之圖8中系統之遮光器的示意圖。

下列揭露提供許多用於實施所提供標的之不同特徵的不同實施例、或實例。為了簡化本揭露，於下描述件及配置的具體實例。當然這些僅為實 例而非意圖為限制性。例如，在下面說明中，形成第一特徵在第二特徵上方或上可包括其中第一及第二特徵係經形成為直接接觸之實施例，以及也可包括其中額外特徵可形成在第一與第二特徵之間而使得第一及第二特徵不可直接接觸之實施例。此外，本揭露可重複參考編號及/或字母於各種實例中。此重複係為了簡單與清楚之目的且其本身並不決定所討論的各種實施例及/或構形之間的關係。

再者，空間相關詞彙，諸如“在...之下”、“下面”、“下”、“上面”、“上”和類似詞彙，可為了使說明書便於描述如圖式繪示的一個元件或特徵與另一個(或多個)元件或特徵的相對關係而使用於本文中。除了圖式中所畫的方位外，這些空間相對詞彙也意圖用來涵蓋裝置在使用中或操作時的不同方位。該設備可以其他方式定向(旋轉90度或於其它方位)，據此在本文中所使用的這些空間相關說明符可以類似方式加以解釋。

光罩或光罩係使用在光微影操作中。光罩係用以提供用於半導體電路製造之經界定圖案。排列在光罩上的經界定圖案被轉換到晶圓表面上。然而，出現在用於光微影之輻射源的行進路徑中之外來粒子可干擾暴露操作並影響所得電路效能。反過來，任何額外保護機制可複雜化光罩之處理及檢查操作。因此，將暴露環境控制為無汙染物並同時維持暴露製程有效率是種挑戰。

本揭露呈現一種設備，其用以使光罩屏蔽於否則會附接至晶圓表面或阻礙輻射行進路徑之外來粒子或任何其它汙染物。該設備係用以藉由使用一種場能量將不想要的粒子移離光罩的表面。故，光罩可以有效的方式受保護而免於粒子汙染。

圖1係根據本揭露的一些實施例之光罩屏蔽設備100的示意圖。光罩屏蔽設備100包含光罩10及場產生器20。

光罩10包含基板102及圖案化層104。此外，光罩10包含第一側10A及與第一側10A相對之第二側10B。第一側10A作為光罩10的前側。第一側10A接收輻射源L1之於已定入射角的入射束。在一些實施例中，第一側10A反射入射輻射束L1成被反射輻射束L2。第二側10B作為光罩10的背側。在一些實施例中，背側不會接收任何用於光微影之輻射或光源。基板102係設置在背側10B上。圖案化層104係設置在基板102上方且在前側10A上。

在一些實施例中，輻射或光束L1或L2包含預定輻射形式，諸如具有365nm、248nm、193nm、157nm或13.5nm波長之光源。在一些實施例中，光罩10係用以使用紫外(ultraviolet，UV)光作為光微影之光源。在一些實施例中，輻射束是X射線、電子、或離子形式。

在一些實施例中，光罩10係穿透式光罩，而使得基板102可為透明以使輻射或光通過。基板102可由合適的材料形成，諸如熔矽石。在一些實施例中，光罩10係反射式光罩，而使得基板102可用以反射暴露光。在一些實施例中，基板102包含層狀結構。例如，基板102可由背側材料、多層結構及帽蓋層所形成。背側材料係設置在光罩10的背側10B上。在一些實施例中，背側材料係氮化鉻(CrN)所製。在一些實施例中，多層結構係設置在背側材料上方。多層結構可包含MoSi。在一些實施例中，帽蓋層係設置在多層結構及背側材料上方。在一些實施例中，帽蓋層係設置在多層結構及圖案化層104之間。在一些實施例中，帽蓋層係Ru及Si所製。

圖案化層104係放置在基板102上方。圖案化層104係用以攜帶預定電路圖案並將該預定電路圖案轉換到晶圓表面。圖案化層104可包括中空部 分，透過該中空部分輻射源可發射到光罩10上。取決於光罩種類，輻射源可穿通過基板102或可被基板102反射。在本實施例中，圖案化層104係反射式。光罩10可在前側10A之表面包含光吸收性材料或抗反射塗層。入射束L1撞擊在圖案化層104上，且束L1的一部分透過中空部分撞擊在基板102上的表面102A處。僅在表面102A處被接收之束部分被反射並形成被反射束L2。輻射束未被反射之剩餘部分係被圖案化層104的吸收性材料吸收。在一些實施例中，吸收性材料可包含TaBO、TaBN、TaN、TaNO、Ni、Au、Ag、C、Te、Pt、Pd或Cr。

參考圖1，第一外來粒子P1及第二外來粒子P2出現在光罩10的前側10A上面。粒子P1或P2可出現在朝向光罩10之輻射束L1的行進路徑中。替代地，粒子P1或P2可出現在從光罩10反射之輻射束L2的行進路徑中。在一些實施例中，粒子P1或P2可以是靠近光罩10。粒子P1及P2可落在前側10A或光罩10的另一表面上或附接至前側10A或光罩10的另一表面。在一些實施例中，粒子P1或P2可分別阻礙束L1或L2之傳輸路徑的一部份。因此，可能扭曲或模糊對應於在圖案化層104上之所界定電路圖案之光轉換圖案。當粒子大小係與圖案之線寬可相比擬時，該情況可能更糟。

光罩屏蔽設備100係用以產生場屏蔽，該場屏蔽藉由使用一種場能量將靠近光罩10的粒子P1及P2排開。在一些實施例中，場能量可以是磁場或電場。在一些實施例中，外來粒子P1或P2可展現磁特性，諸如鐵磁性、抗磁性或順磁性。光罩屏蔽設備100係用以藉由使用磁場將磁粒子P1或P2移離光罩10。磁粒子P1及P2遷移的起效用原則被稱為磁動力學。

仍參考圖1，場產生器20係圍繞光罩10設置。場產生器20係用以產生圍繞光罩10之磁場屏蔽。在一些實施例中，場產生器20可由第一場產生器 202及第二場產生器204中之一者所組成。在一些實施例中，場產生器20可包含第一場產生器202及第二場產生器204二者。第一場產生器202可從光罩10的側向側環繞光罩10。在一些實施例中，有至少兩個環繞光罩10之第一場產生器202。該等第一場產生器202係用以在圖案化層104上方共同地產生第一磁場，如藉由代表性磁場線F1所繪示者。該等第一場產生器202所產生之第一磁場F1覆蓋在圖案化層104上方之空間的至少一部份。此外，第一磁場F1具備場方向及對應場強度之分布。隨同磁場線F1標示之箭頭表示於箭頭所在位置處的第一磁場的方向。該等第一場產生器202所產生之第一磁場的場強度一般係藉場線F1的密度表示。為了容易例示說明，僅一個磁場線F1被顯示於圖1中。技術領域中具有通常知識者將認知到，更多磁場線F1可被繪示以表示第一磁場的場強度。

在一些實施例中，第二場產生器204係抵靠光罩10的第二側10B設置。在一些實施例中，對於基板102來說，第二場產生器204係相異於圖案化層104設置。在一些實施例中，第二場產生器204可與光罩10接觸。在一些實施例中，間隙或中介組件可出現在第二場產生器204與光罩10之間，而使得第二場產生器204與光罩10不彼此接觸。

該等第二場產生器204係用以在圖案化層104上方產生第二磁場，如藉由代表性磁場線F2所繪示者。第二場產生器204所產生之第二磁場F2覆蓋在圖案化層104上方之空間的至少一部份。第一磁場F1及第二磁場F2可至少部分重疊。此外，第二磁場F2具備場方向及對應場強度之分布。隨同磁場線F2標示之箭頭表示於該位置處的對應磁場方向。第二場產生器204所產生之磁場的場強度一般係藉場中場線的密度表示。為了容易例示說明，僅一個磁場線F2被顯示於圖1中。技術領域中具有通常知識者將認知到， 大於一個磁場線F2可被繪示以表示場強度。在一些實施例中，第二磁場F2可具有與第一磁場F1所具者不同的分布。

在本實施例中，粒子P1及P2係暴露於輻射L1且可攜帶靜電電荷。在替代實施例中，輻射源L1包含具有相對較高能量例如高至92eV之極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光。在如此強的輻射源中，粒子P1或P2可被離子化，此係光電子效應所致。在一些實施例中，中性粒子P1或P2可被轉換成雙極，且相應地展現電極性。同時，當粒子P1或P2進入在圖案化層104上方的磁場空間時，那些粒子可經歷由第一磁場F1或第二磁場F2所組成之複合磁場。結果，沿著向光罩10的前側10A之方向行進的雙極性粒子P1或P2可經歷勞侖茲力並且將遵照勞侖茲力定律沿著另一方向重定向而離開前側10A。

在一些實施例中，第一場產生器202或第二場產生器204係用以產生從光罩10的前側10A離開之磁場。此外，當與在前側10A上方之磁場F1或F2相比時，此種離開前側10A分布之磁場係可忽略。於本揭露中，用語「可忽略」被稱作就值或數目而言係相對較小。在一些實施例中，可忽略強度可解釋為小於參考強度的10%。在一些實施例中，可忽略強度可解釋為小於參考強度的1%。在一些實施例中，可忽略強度可解釋為小於參考強度的1ppm(百萬分率)。在一些實施例中，基於業界標準，可忽略強度可稱作具有實質上零值。

在一些實施例中，光罩屏蔽設備100可包含電力儲存單元50。電力儲存單元50可用以提供能量以供給電力給場產生器20。電力儲存單元50可電偶合至第一場產生器202或第二場產生器204。電力儲存單元可以是電池或電力產生器。替代地，光罩屏蔽設備100可包含電連接40。電連接40係用 以傳輸電力給場產生器20。電連接40可由合適的導電材料所形成。在一些實施例中，電力儲存單元50可透過電連接40耦合至場產生器20。

圖2A至2D分別係根據本揭露的一些實施例之光罩屏蔽設備301至304的示意圖。具體地，圖2A至2D分別繪示第一場產生器310至340的示意俯視圖。此外，標記數個箭頭且各箭頭表示各別磁場的極性方向。如下面圖2A及2B所繪示，例示性磁鐵可具有各別的磁極對，包含北極及南極。磁極對用以產生以場線表示之磁場。磁場線之各者形成閉路，如藉由圖1之磁場線F1或F2所繪示者。閉路場線F1或F2包括起自北極，從磁體外部通過且朝向南極並回到南極之場方向。又者，場線指示於磁鐵內從南極往北極指之極性方向。繪示於圖2A至2D中之各箭頭的方向表示於箭頭所在位置處之相鄰區域中磁場的極性方向。

參考圖2A，光罩屏蔽設備301包含光罩10(未分開標示)及第一場產生器310。此外，光罩10包括基板102及圖案化層104。第一場產生器310環繞光罩10。在一些實施例中，第一場產生器310係圍繞基板102設置，而使得基板102的表面102A暴露。在替代實施例中，第一場產生器310可圍繞圖案化層104設置並覆蓋表面102A的一部份。在一些實施例中，第一場產生器310可與光罩10接觸或實體分開。

在一些實施例中，第一場產生器310共形地適配光罩10的側向輪廓。在一些實施例中，第一場產生器310包含多邊形形狀，諸如三角形、四邊形、六邊形或類似物。在一些實施例中，第一場產生器310包含長方形或正方形形狀。在替代實施例中，第一場產生器310包含圓形形狀，諸如圓的或橢圓形形狀。在一些實施例中，第一場產生器310在中心包含中空部分。在一些實施例中，第一場產生器310包含框邊形狀。

第一場產生器310係用以產生磁力。在一些實施例中，第一場產生器310包含鐵磁性元件。例如，第一場產生器310包括永久性磁鐵。在一些實施例中，第一場產生器310可包含磁性元件，諸如鐵、鎳、鈷及稀土金屬之合金。在一些實施例中，第一場產生器310包含電磁鐵。例如，第一場產生器310可包括線圈。在一些實施例中，第一場產生器310包含耦合至線圈並用以供給電力之電源或導體。第一場產生器310可用以藉由使電流穿通過電磁鐵的線圈來產生磁力。

分布在圖案化層104上方之磁場可基於為第一場產生器310所決定之不同材料、構形及參數控制。參考圖2A，第一場產生器310係用以產生預定磁場分布。在一些實施例中，預定磁場分布係透過第一磁性產生器310的不同部件或區域的數個分量磁場(例如分量場C1)的疊加產生。在本實施例中，第一磁性產生器310可被分成多個，可能是八個相鄰區。可能之八個區之各者係用以提供分量磁場，例如C1至C8。分量磁場之各者在第一磁性產生器310內部具有各別的極性方向，如藉由對應箭頭所標記者。此外，分量磁場C1至C8之各者係以圍繞在圍住相應箭頭圓圈的相鄰區的場覆蓋來描述。

參考圖2A，第一場產生器310包含第一側S1、第二側S2、第三側S3及第四側S4。第一側與第二側係彼此相對，而第三側與第四側係彼此相對。第一側或第三側係實質上垂直於第二側或第四側設置。再者，第一場產生器310係用以在第一側、第二側、第三側及第四側上分別產生分量場C2、C4、C6及C8。在第一側上的分量場C2包括指向270度之極性方向D1，其中零度參考物係與x軸的正方向一致。極性方向D1係實質上等於在第三側上之分量場C6所具者。又者，在第三側上的分量場C4包括指向90度之極性 方向D2。極性方向D2係實質上等於在第四側上之分量場C8所具者。極性方向D1係與極性方向D2實質上相反。在一些排列中，在第一側S1及第三側S3上的極性方向D1係與在第二側S2及第四側S4上的極性方向D2相反。此種排列可幫助增加在光罩10的前側10A上方的場強度同時管理在背側10B下面的複合場強度。故，場分布可更集中並因此在形成對抗在光罩10的前側10A上方的外來粒子的場屏蔽上更有效。

在一些實施例中，第一場產生器310係進一步用以在其之四個角落分別產生分量場C1、C3、C5及C7。在一些實施例中，分量場C1、C3、C5及C7之各者包含與極性方向D1及D2不同之極性方向D3。在一些實施例中，分量場C1、C3、C5及C7可包括統一極性方向D3。在一些實施例中，分量場C1、C3、C5及C7可包括不同極性方向，諸如分別沿著315度、225度、135度及45指向。可有大於一個貢獻圖2A中之極性方向的構形。可構成相似於圖2A中所具者之極性方向分布之任何組件(諸如磁鐵)、材料及構形係在本揭露所涵蓋之範疇內。

圖2B顯示根據本揭露的一些實施例之光罩屏蔽設備302的示意圖。光罩屏蔽設備302包含第一場產生器320，第一場產生器320用以在其之四個角落產生分量場C1、C3、C5及C7。參考圖2A及2B，第一場產生器320的極性方向係相似於第一場產生器310的極性方向，除了第一場產生器320的分量場C1、C3、C5及C7與第一場產生器310的對應者至少包括一個不同極性方向D4，例如指向零度。在一些實施例中，於分量場C1、C3、C5及C7之中，他們之中至少兩者可包括相同極性方向D4。例如，第一場產生器320的分量場C1、C3、C5及C7分別可指向零度、180度、零度及180度。此種排列可幫助增加在光罩10的前側10A上方的場強度同時管理在背側10B下 面的複合場強度。故，場分布可更集中並因此在形成對抗在光罩10的前側10A上方的外來粒子的場屏蔽上更有效。

圖2C顯示根據本揭露的一些實施例之光罩屏蔽設備303的示意圖。光罩屏蔽設備303包含由數個離散磁性元件諸如磁鐵332所形成之第一場產生器330。在一些實施例中，該等磁鐵332具有相等大小及相似形狀。在一些實施例中，該等磁鐵332中之至少一者可包含四邊形形狀，諸如長方形或正方形。在一些實施例中，該等磁鐵332中之至少一者可包含三角形形狀。該等磁鐵332係用以形成至少一個磁條(或一維陣列)，如第一場產生器330的磁鐵332-1、332-5及332-6。在一些實施例中，該等磁鐵332之各者可彼此接觸或實體分開。

在一些實施例中，該等磁鐵332之各者可經定向以依所欲決定其之極性方向。例如，磁鐵332-1可沿極性方向D5(亦即，指向270度)定向，磁鐵332-2可沿極性方向D6(亦即，指向90度)定向，磁鐵332-3可沿極性方向D5定向，且磁鐵332-4可沿極性方向D6定向。磁鐵332-1及磁鐵332-3係以相同極性方向D5定向。此外，磁鐵332-1及磁鐵332-2係以實質上相對極性方向定向。

再者，第一場產生器330包含分別設置在其之四個角落的磁鐵332-5、332-6、332-7及332-8。在一些實施例中，磁鐵332-5、332-6、332-7及332-8可沿相等或不同極性方向定向。在一些實施例中，磁鐵332-5、332-6、332-7及332-8中之至少一者可沿垂直於極性方向D5及D6之極性方向定向，諸如指向零度或180度。

圖2D顯示根據本揭露的一些實施例之光罩屏蔽設備304的示意圖。光罩屏蔽設備304包含第一場產生器340。在一些實施例中，第一場產生器340 包含數個離散磁性元件，諸如磁鐵342及344。在一些實施例中，第一場產生器340係由第一磁鐵群342及第二磁鐵群344所構成。從俯視視角，磁鐵342包含三角形形狀，而從俯視視角，磁鐵344包含四邊形形狀，諸如梯形。在一些實施例中，三角形磁鐵342係圍繞第一場產生器340的角落設置。在一些實施例中，一個磁鐵344係設置在該等磁鐵342中之兩個之間。相似地，一個磁鐵342係設置在該等磁鐵344中之兩個之間。磁鐵342或344的極性方向可以與第一場產生器310、320或330的那些極性方向相似之方式排列。

圖3係根據本揭露的一些實施例之光罩屏蔽設備400的透視圖。光罩屏蔽設備400包含光罩10(未分開標示)，光罩10包含基板102及圖案化層104。此外，光罩屏蔽設備400包含第二場產生器410。參考圖1及4，第二場產生器410係靠近光罩10的背側10B設置。在一些實施例中，第二場產生器410係抵靠光罩10的基板102設置。在一些實施例中，第二場產生器410係由二維陣列所形成。在一些實施例中，第二場產生器410係面對光罩10的背側10B。

在一些實施例中，第二場產生器410係用以產生圍繞光罩10之磁力。在一些實施例中，第二場產生器410係用以產生實質上分布在光罩10的前側10A上方之磁場，如藉由磁場線F3所繪示者。在一些實施例中，第二場產生器410係用以使得當與在前側10A上方之磁場F3相比時，靠近光罩10的背側10 B所產生的磁場F01係可忽略。

圖4A係根據本揭露的一些實施例之第二場產生器510的示意圖。在一些實施例中，第二場產生器510包含數個離散磁性元件，諸如磁鐵542、544及546。在一些實施例中，磁鐵542、544或546具有實質上相等大小及相似 形狀。在一些實施例中，從剖面視角，磁鐵542、544或546可包含四邊形形狀，諸如長方形或正方形。在一些實施例中，從俯視視角，磁鐵542、544或546可包含四邊形形狀，諸如長方形或正方形。該等磁鐵542係用以形成第二場產生器510的至少一個磁條532(一維陣列)。相似地，該等磁鐵544及546係分別用以形成磁條534及536。至少一部份的該等磁鐵544形成第二場產生器510的二維陣列534。在一些實施例中，磁鐵542、544及546形成磁鐵矩陣。在一些實施例中，磁鐵542、544及546之各者可彼此接觸或實體分開。

參考圖4A，第二場產生器510係參照具有x軸、y軸及z軸的笛卡兒坐標定向。此外，圖4A中標記在磁鐵上之十字符號表示磁鐵指向沿z軸之負方向的極性方向。相似地，圖4A中標記在磁鐵上之點符號表示此磁鐵指向沿z軸之正方向的極性方向。在一些實施例中，磁條532的各磁鐵可在統一極性方向上定向。例如，磁鐵542可沿藉由十字符號表示之極性方向D7定向。在一些實施例中，磁條536的各磁鐵可在統一極性方向上定向。例如，磁鐵546可沿藉由點符號表示之極性方向D8定向。在一些實施例中，磁鐵陣列534的各磁鐵可在統一極性方向上定向。例如，磁鐵544可經排列以提供極性方向D9，其中方向D9係沿第二場產生器510的頂部表面從磁鐵陣列532指向磁鐵陣列536，亦即沿y軸之正方向。

圖4B係根據本揭露的一些實施例之第二場產生器520的示意圖。在一些實施例中，第二場產生器520包含數個離散磁性元件，諸如磁鐵562、564及566。磁鐵562、564或566分別形成磁鐵陣列552、554及556。在一些實施例中，磁鐵可包含用於不同磁鐵陣列之不同形狀或幾何。例如，從俯視視角、仰視視角及剖面視角，磁鐵562、564及566之各者具有四邊形表面。 在一些實施例中，從俯視視角及仰視視角，磁鐵562、564及566之各者具有長方形或正方形表面，而從剖面視角，磁鐵562、564及566之各者含有梯形表面。在一些實施例中，磁鐵562及566之各者具有大於頂部表面之底部表面。在一些實施例中，磁鐵564之各者具有大於底部表面之頂部表面。在一些實施例中，在第二場產生器520中之磁鐵中之至少一者包含楔形狀。其中磁鐵562或566中之至少一者具有大於頂部表面之底部表面的該等排列可在光罩10的前側10A上方產生較大磁場。

圖5係根據本揭露的一些實施例之光罩屏蔽設備700的示意圖。光罩屏蔽設備700包含光罩10及場產生器30。

參考圖1及5，替代於場產生器20，光罩屏蔽設備700包含場產生器30。在一些實施例中，場產生器30係用以產生場屏蔽，諸如電場。在一些實施例中，場產生器30係用以產生圍繞光罩10之電場屏蔽。在一些實施例中，場產生器30係用以產生電場屏蔽，該電場屏蔽實質上分布在跨光罩10的前側10A上方之空間，如藉由電場線F4所繪示者。在一些實施例中，場產生器30係用以使得當與在前側10A上方之電場F4相比時，靠近光罩10的背側10B所產生的電場F02係可忽略。

在一些實施例中，外來粒子P1係帶電。在一些實施例中，場產生器30係用以將帶電粒子P1移離光罩10。例如，場產生器30係用以產生用以移動帶電粒子P1之庫侖力。庫侖力係基於粒子P1的參數諸如其之質量、速度及電荷品質，以及場產生器30所提供的電場強度(藉由場線F4所表示者)決定。

在一些實施例中，外來粒子P2係中性。在一些實施例中，場產生器30係用以使中性粒子P2帶電或極化。在一些實施例中，在場產生器30所提供之電場屏蔽之空間內的中性粒子P2可被極化成電雙極。在一些實施例中， 場產生器30係用以提供抵抗帶電或極化粒子的漂移力並將帶電或極化粒子移離光罩10。在一些實施例中，場產生器30係用以提供非均勻電場，以產生電力諸如飄移力。飄移力的方向及強度係基於所產生電場(藉由場線F4表示)的梯度向量及關於帶電粒子的可極化性因子決定。

在一些實施例中，場產生器30係由電容器所形成。電容器30可包含第一電極702及第二電極704。對於光罩10來說，第一電極702以及第二電極704係設置在相異側。在一些實施例中，第一電極702具有第一表面，該第一表面面對第二電極704的第二表面，此等表面二者被稱作場產生器30的電容面積。在一個實施例中，第一表面及第二電極704具有實質上相等的電容面積。相應地，所得電場F4包括均勻分布。

在替代實施例中，第一表面具有與第二表面所具者不同的形狀。在一個實施例中，第一表面或第二表面可包含平坦表面、彎曲表面或頂點。在一些實施例中，第一表面或第二表面可包含波形。故，第一表面可具有與第二表面不同的電容形狀，即便第一表面及第二表面二者具有實質上星等電容面積。在其中第一表面具有與第二表面不同之電容面積或電容形狀之例子中，所得電場F4可包括非均勻分布。

在一些實施例中，場產生器30可包含構件706。在一些實施例中，構件706係面對光罩10的基板102。在一些實施例中，構件706係用以耦合第一電極702以及第二電極704。構件706可係電性絕緣或導電材料所製。

在一些實施例中，光罩屏蔽設備700可包括耦合製場產生器30之電力儲存單元50或電連結40。電力儲存單元50或電連結40係用以供給電力給場產生器30，進而可建立電場。

圖6係根據本揭露的一些實施例之光罩屏蔽設備800的示意俯視圖。在本實施例中，第一電極702具有大於第二電極704所具者之電容面積。故，電場線F4係以非均勻方式分布。

圖7係根據本揭露的一些實施例之光罩屏蔽設備900的示意圖。光罩屏蔽設備900包含磁場產生器20及電場產生器30，其等係分別用以產生磁場及電場。在一些實施例中，磁場產生器20可包含第一場產生器202及第二場產生器204中之一者。在一些實施例中，磁場產生器20可包含第一場產生器202及第二場產生器204二者。在一些實施例中，光罩屏蔽設備900包含屏蔽元件60，屏蔽元件60用以使涉及電磁能量操作之其他鄰近組件或儀器屏蔽於磁場。在一些實施例中，屏蔽元件60係設置在場產生器20及場產生器30之間。在一些實施例中，屏蔽元件60係整合到場產生器30中。在一些實施例中，屏蔽元件60環繞場產生器30。屏蔽元件60可由高滲透性材料諸如金屬所形成。

圖8係根據本揭露的一些實施例之系統1000的示意圖。系統1000係用以產生用於製造半導體裝置或元件之特徵的微影圖案。在一實施例中，系統1000包含微影系統諸如EUV掃描系統。參考圖8，系統1000包含光罩10、遮光器810、光學裝置820、光學調變器830及場產生器840及842。

在一些實施例中，微影圖案係以圖案化輻射束形式轉移。為了完成圖案轉移，系統1000係用以接收來自輻射源(未分開顯示)之輻射束L1或L2並透過光罩10形成微影圖案。在一些實施例中，系統1000包含輻射源或輻射源係在系統1000外部。光罩10包含相似於提及圖1、5及7之說明所繪示的那些組件，且光罩10的詳情不在此重複。

系統1000係進一步用以在圖案形成之前或之後透過光學元件諸如光學調變器830傳遞輻射束。例如，光學調變器830係用以接收來自輻射源之撞擊入射輻射束L1或L2。在一些實施例中，孔包含透鏡。在一實施例中，光學調變器830包含用以反射或準直入射輻射之反射器或準直器。此外，系統1000係用以在微影圖案產生之前或之後透過至少一個光學元件，諸如光學裝置820或遮光器810的孔形成光路徑。結果，光罩10所界定之微影圖案透過被反射束R1或R2被轉移到後續光學元件或目標晶圓(未分開顯示)。

光學裝置820包含至少一個孔，該孔用以使輻射束通過而到目標晶圓。例如，光學裝置820係用以重新導向或處理穿通過孔822之入射輻射束L1、L2。在一些實施例中，光學裝置820可包含照明裝置。又者，系統1000包含圍繞孔822之場產生器840。場產生器840係用以使圍繞孔822之光路徑屏蔽於被外來粒子阻礙或阻擋。有效地，輻射束的傳輸路徑可淨空而免於粒子汙染或阻礙。在一些實施例中，場產生器840可相似於參照圖1、5及7之場產生器20或30實施且其詳情不在此重複。

在另一實施例中，光學裝置820係用以處理(在束圖案形成之後)從光罩10通過的被反射光R1或R2並將其導向通過另一孔824。在一些實施例中，光學裝置820可包含成像裝置。又者，系統1000包含圍繞孔824之場產生器842。場產生器842係用以使圍繞孔824之光路徑屏蔽於被外來粒子阻礙或阻擋。在一些實施例中，場產生器842可相似於參照圖1、5及7之場產生器20或30實施且其詳情不在此重複。

在一些實施例中，系統1000可包含由遮光器810所形成之可受控孔。例如，遮光器810係用以允許入射光L1或L2穿通過並發射給光罩10。遮光 器810包含孔826(未明確顯示但於圖8中以虛線標記)且係用以決定遮光器速度以便控制通過而到光罩10上之輻射L1或L2的量。

遮光器810包含至少一個遮光器葉片。在一些實施例中，遮光器葉片可由不透明材料所構成且係用以控制穿通過孔826之光的量。在一些實施例中，遮光器810可以是光圈遮光器，其包含複數個重疊的葉片。在一些實施例中，複數個葉片包含刀葉形狀。其它種類的遮光器810，例如焦平面遮光器或電子遮光器也在本揭露所涵蓋之範疇內。在一些實施例中，系統1000包含具有遮光器810之光罩遮罩(reticle masking，REMA)刀葉系統。

圖9A係根據本揭露的一些實施例之圖8A之系統1000之遮光器850的示意圖。遮光器850包含第一遮光器葉片901、第二遮光器葉片902、第三遮光器葉片903及第四遮光器葉片904。遮光器葉片901、902、903及904共同地受控以形成孔905。替代地，當遮光器850打開時，孔905係被遮光器葉片901、902、903及904環繞。在一些實施例中，遮光器850包含控制器，該控制器用以管理葉片901、902、903及904及相應之孔905的大小。在本實施例中，葉片901至904包含具有圓角之類三角形形狀。儘管如此，前述葉片901至904可包含其他合適的形狀，諸如多邊形形狀。再者，葉片901至904可包含直的或彎曲的邊緣，以及直角或圓角。遮光器850之葉片901至904的數目及在圖8中所顯示之形狀係例示說明用。其他的數目及形狀的遮光器850之遮光器葉片係在本揭露所涵蓋之範疇內。

遮光器850進一步包含場產生器906，場產生器906用以使圍繞孔905之光路徑屏蔽於不想要之粒子。在一些實施例中，場產生器906係用以產生圍繞孔905之磁場及/或電場。在一些實施例中，場產生器包含匹配葉片901 至904靠近孔905之邊緣的形狀。在一些實施例中，取決於孔905的開口形狀，場產生器906包含框邊形狀或四邊形形狀。

在一些實施例中，葉片901、902、903及904可被移動或樞轉以便決定孔905的大小。在該例子中，場產生器906可包含大於一個對應於遮光器850之葉片的場產生元件(未明確顯示)。場產生元件係用以隨著對應遮光器葉片的運動移動。在一些實施例中，場產生元件可彼此分開。在一些實施例中，場產生元件包含條形狀或四邊形形狀。

圖9B係根據本揭露的一些實施例之系統1000之遮光器860的示意圖。遮光器860包含第一遮光器葉片921、第二遮光器葉片922、第三遮光器葉片923及第四遮光器葉片924。遮光器葉片921、922、923及924共同地用以形成孔925。替代地，孔925係被遮光器葉片921、922、923及924環繞。將圖9B與圖9A相比較，葉片921至924包含具有圓角的四邊形形狀。其他的數目及形狀的遮光器葉片係在本揭露所涵蓋之範疇內。

遮光器860進一步包含場產生器926，場產生器926用以使圍繞孔925之輻射束的光路徑屏蔽於不想要之粒子。在一些實施例中，場產生器926係用以產生圍繞孔925之磁場及/或電場。在一些實施例中，場產生器包含匹配遮光器葉片921至924靠近孔925之邊緣的形狀。在一些實施例中，場產生器906包含框邊形狀或四邊形形狀。

在一些實施例中，葉片921、922、923及924可被移動或樞轉以便決定孔925的大小。在該例子中，場產生器926可包含大於一個對應於遮光器860之可動葉片的場產生元件(未明確顯示)。場產生元件係用以隨著對應遮光器葉片的運動移動。在一些實施例中，場產生元件可彼此分開。在一些實施例中，間隔式場產生元件包含條形狀或四邊形形狀。

本揭露提供一種設備。該設備包含一場產生器，用以產生保護一光罩免於外來粒子之一場屏蔽。

本揭露提供一種用於光罩屏蔽之設備。該設備包含一光罩及圍繞該光罩之一磁場產生器。該磁場產生器係用以在該光罩上方產生磁場。

本揭露提供一種用於光罩屏蔽之設備。該設備包含一光罩及圍繞該光罩之一電場產生器。該電場產生器係用以在該光罩上方產生電場。

前面列述了數個實施例的特徵以便本技術領域具有通常知識者可更佳地理解本揭露之態樣。本技術領域具有通常知識者應了解它們可輕易地使用本揭露作為用以設計或修改其他製程及結構之基礎以實現本文中所介紹實施例的相同目的及/或達成本文中所介紹實施例的相同優點。本技術領域具有通常知識者也應體認到此等均等構造不會悖離本揭露之精神及範疇，以及它們可在不悖離本揭露之精神及範疇下做出各種改變、取代、或替代。

Claims (10)

1. 一種設備，包含場產生器，用以產生場屏蔽以保護一光罩免於外來粒子汙染，其中所述光罩包括在第一側上的圖案化層，且所述場屏蔽實質上分佈在所述第一側上方。
2. 如請求項1的設備，其中所述場產生器包括磁場產生器，用以產生磁場以使靠近所述光罩的外來粒子展現鐵磁性、抗磁性或順磁性，進而移離所述光罩。
3. 如請求項1的設備，更包括電場產生器，用以產生電場以使靠近所述光罩的外來粒子帶電或極化，進而移離所述光罩。
4. 如請求項2的設備，其中所述磁場產生器包括圍繞所述光罩的複數磁性元件。
5. 如請求項1的設備，其中所述光罩經配置以反射紫外光及轉換預定圖案。
6. 一種用於光罩屏蔽的設備，所述設備包括：光罩，包括圖案化層；及磁場產生器，其圍繞所述光罩，所述磁場產生器經配置以產生實質上分布在所述圖案化層上方之空間的磁場。
7. 如請求項6的設備，其經配置以產生指向第一極性方向的第一分量場，及指向與所述第一極性方向相對的第二極性方向的第二分量場。
8. 一種用於光罩屏蔽的設備，所述設備包括：光罩，包括圖案化層；及電場產生器，其圍繞所述光罩，所述電場產生器經配置以產生實質上分布在所述圖案化層上方之空間的電場。
9. 一種用於產生光刻圖案的系統，所述設備包括：輻射源，其經配置以發射輻射；孔，其用於使所述輻射通過；及場產生器，其經配置以產生場以便屏蔽所述孔免於外來粒子污染。
10. 如請求項9的系統，其進一步包括經配置以控制所述孔的遮光器。