WO2023140155A1 - 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体 - Google Patents

塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体 Download PDF

Info

Publication number
WO2023140155A1
WO2023140155A1 PCT/JP2023/000457 JP2023000457W WO2023140155A1 WO 2023140155 A1 WO2023140155 A1 WO 2023140155A1 JP 2023000457 W JP2023000457 W JP 2023000457W WO 2023140155 A1 WO2023140155 A1 WO 2023140155A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
coating film
substrate
gas
wafer
coating liquid
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/000457
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
哲夫 福岡
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to CN202380017360.XA priority Critical patent/CN118556278A/zh
Priority to KR1020247027344A priority patent/KR20240135825A/ko
Priority to JP2023575211A priority patent/JPWO2023140155A1/ja
Publication of WO2023140155A1 publication Critical patent/WO2023140155A1/ja

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/06—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface with a blast of gas or vapour
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/26—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by applying the liquid or other fluent material from an outlet device in contact with, or almost in contact with, the surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/28—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by transfer from the surfaces of elements carrying the liquid or other fluent material, e.g. brushes, pads, rollers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/40—Distributing applied liquids or other fluent materials by members moving relatively to surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/04—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Definitions

  • the present disclosure relates to a coating film forming apparatus, a coating film forming method, and a storage medium.
  • Patent Literature 1 describes forming a coating film on the peripheral edge of a rotating wafer by moving a nozzle so that the position to which the processing liquid (coating liquid) is supplied moves between the outer periphery and the peripheral edge of the wafer.
  • the present disclosure provides a technique capable of suppressing swelling of the inner peripheral end of the coating film when forming the annular coating film along the circumference of the substrate on the peripheral edge of the substrate.
  • a coating film forming apparatus of the present disclosure includes a rotation holding unit that holds and rotates a substrate, a coating liquid nozzle that discharges a coating liquid to a first position on the periphery of the rotating substrate to form an annular coating film along the circumference of the substrate; a gas nozzle provided for discharging a gas to a second position on the rotating substrate closer to the rotation center of the substrate than the first position and downstream in the rotation direction of the substrate, and for shaping the coating film by the flow of the gas from the second position toward the peripheral edge of the substrate; Prepare.
  • FIG. 1 is a longitudinal side view of a coating film forming apparatus according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 2 is a cross-sectional plan view of the coating film forming apparatus
  • FIG. 3 is a plan view showing gas nozzles and coating liquid nozzles provided in the coating film forming apparatus
  • FIG. It is a side view which shows the said gas nozzle
  • 3 is a plan view showing gas nozzles and coating liquid nozzles provided in the coating film forming apparatus
  • FIG. It is a side view which shows operation
  • It is a side view which shows operation
  • It is a side view which shows operation
  • It is a side view which shows operation
  • FIG. 4 is a plan view showing another configuration example of the coating film forming apparatus; It is explanatory drawing which shows the process in the said another structural example.
  • FIG. 5 is a longitudinal side view showing another configuration example of the gas nozzle; 4 is a plan view of a wafer for explaining the positional relationship between the gas nozzle and the wafer; FIG. FIG.
  • 11 is a plan view showing a configuration example of still another gas nozzle; It is a longitudinal side view of the said gas nozzle. It is a graph chart which shows the result of an evaluation test. It is a graph chart which shows the result of an evaluation test. It is a graph chart which shows the result of an evaluation test. It is a graph chart which shows the result of an evaluation test. It is a graph chart which shows the result of an evaluation test. It is a graph chart which shows the result of an evaluation test.
  • a coating film forming apparatus 1 according to an embodiment of the present disclosure will be described with reference to the vertical cross-sectional side view of FIG. 1 and the cross-sectional plan view of FIG.
  • This coating film forming apparatus 1 rotates a wafer W, which is a circular substrate, and discharges a coating liquid from a nozzle onto the peripheral edge portion of the surface of the wafer W. As shown in FIG. The coating liquid flows from the discharged position toward the peripheral edge of the wafer W, thereby forming an annular coating film M along the periphery of the wafer W. As shown in FIG.
  • the coating film forming apparatus 1 supplies the wafer W with a gas for preventing the formation of the hump M1, which is a protrusion at the inner peripheral end of the coating film M, which will be described in detail later.
  • the diameter of the wafer W is 300 mm, and the gas supplied to the wafer W is air.
  • the coating film forming apparatus 1 includes a spin chuck 11 , a rotating mechanism 12 , pins 13 , an elevating mechanism 14 , a guide ring 15 and a cup 21 .
  • the spin chuck 11 is connected to a rotating mechanism 12 including a motor.
  • the rotation mechanism 12 rotates the spin chuck 11 vertically at a rotation speed according to a control signal output from the control unit 10, which will be described later.
  • the center P of the wafer W is placed on the spin chuck 11 so as to be aligned with the rotation center of the spin chuck 11 in plan view, so the center P is also the rotation center of the wafer W.
  • FIG. The rotation direction of the wafer W is clockwise in plan view.
  • Three pins 13 for supporting the wafer W are provided so as to surround the spin chuck 11 in plan view (only two pins are shown in FIG. 1), and can be moved up and down by a lifting mechanism 14 .
  • the wafer W is transferred between the transfer mechanism (not shown) for the wafer W and the spin chuck 11 by the pins 13 .
  • a guide ring 15 having a chevron-shaped longitudinal section is provided on the lower side of the spin chuck 11, and the outer peripheral edge of the guide ring 15 is bent and extends downward.
  • the guide ring 15 serves to guide the liquid spilled from the wafer W to the bottom of the cup 21 .
  • the cup 21 is circular, surrounds the guide ring 15, the spin chuck 11, and the wafer W placed on the spin chuck 11, and is provided to prevent the coating liquid from scattering.
  • the upper side of the cup 21 is open so that the wafer W can be transferred.
  • a gap 22 is formed between the side peripheral surface of the cup 21 and the outer peripheral edge of the guide ring 15 to form a liquid and gas discharge path.
  • An upright exhaust pipe 23 is provided on the lower side of the cup 21 and an exhaust port 24 is opened at the upper end of the exhaust pipe 23 .
  • the inside of the cup 21 is constantly evacuated through the exhaust port 24 while the wafer W is being processed.
  • a drain port 25 is opened at the bottom of the cup 21 .
  • the coating film forming apparatus 1 also includes a guide 31 , a moving mechanism 32 , a support 33 , a coating liquid nozzle 41 and a gas nozzle 42 .
  • the guide 31 is provided on the rear side with respect to the cup 21 so as to extend horizontally from side to side.
  • the moving mechanism 32 is movable along the extending direction of the guide 31 .
  • the support 33 has an arm portion 34 extending forward from the moving mechanism 32 and a sub-arm portion 35 connected to the arm portion 34 , and is raised and lowered by the moving mechanism 32 .
  • the left side and the right side in the following description are assumed to be the left side and the right side when viewed from the rear to the front.
  • the arm portion 34 and the sub-arm portion 35 are branched while extending forward to form the sub-arm portion 35, and the sub-arm portion 35 extends leftward.
  • a coating liquid nozzle 41 and a gas nozzle 42 are provided at the tip of the arm portion 34 and the tip of the sub-arm portion 35, respectively. Therefore, the coating liquid nozzle 41 and the gas nozzle 42 are connected to a moving mechanism 32 common to these nozzles 41 and 42 via a support 33, and the moving mechanism 32 can horizontally move left and right and move up and down.
  • the coating liquid nozzle 41 and the gas nozzle 42 are configured to be movable between a standby position outside the cup 21 (that is, outside the wafer W placed in the cup 21) in plan view and a processing position above the peripheral edge of the wafer W.
  • 2 shows a state in which the coating liquid nozzle 41 and the gas nozzle 42 are positioned at the standby position
  • a plan view of FIG. 3 shows a state in which the coating liquid nozzle 41 and the gas nozzle 42 are positioned at the processing position.
  • the coating liquid nozzle 41 and the gas nozzle 42 eject the coating liquid and air toward the peripheral portion of the wafer W, respectively.
  • the standby position and processing position of the coating liquid nozzle 41 are the first standby position and first processing position, respectively
  • the standby position and processing position of the gas nozzle 42 are the second standby position and second processing position, respectively.
  • the coating liquid nozzle 41 is configured, for example, as a cylindrical body having an outer peripheral wall that tapers toward the tip side, and has a circular discharge port on the tip surface thereof.
  • the coating liquid nozzle 41 is connected to the coating liquid supply section 41A via a pipe.
  • the coating liquid supply unit 41A includes a valve, a storage section in which the coating liquid is stored, a pump, and the like, and pressure-feeds the coating liquid from the storage section toward the coating liquid nozzle 41 and discharges it from the coating liquid nozzle 41 .
  • the orientation of the coating liquid nozzle 41 will be described.
  • the coating liquid nozzle 41 discharges the coating liquid downward from the center side of the wafer W toward the peripheral edge side. That is, the coating liquid is discharged obliquely with respect to the vertical and horizontal surfaces.
  • the direction of rotation of the wafer W is indicated by an arrow.
  • the coating liquid nozzle 41 discharges the coating liquid in a direction following the rotation direction of the wafer W in plan view. By discharging the coating liquid in such a manner, the coating liquid is prevented from being repelled by the wafer W and scattering, and the uniformity of the thickness of the coating film is improved. It should be noted that following the rotation direction will be described more specifically when the gas nozzle 42 is described.
  • the projection area R1 is the area projected onto the wafer W by extending the ejection port of the coating liquid nozzle 41 at the processing position in the ejection direction of the coating liquid, and P1 is the center of the projection area R1.
  • the projection region R1 corresponds to the first position on the wafer W where the coating liquid is discharged. Also, the direction in which the coating liquid is ejected from the coating liquid nozzle 41 is indicated by a dashed line as D1 in the drawing. Since this dashed line is represented as a straight line passing through the center of the ejection port of the coating liquid nozzle 41, it is drawn so as to pass through the center P1 of the projection region R1.
  • the hump M1 which is the protrusion of the coating film M described above, will be described with reference to FIG.
  • Most of the coating liquid discharged toward the projection region R1 flows toward the peripheral edge of the wafer W due to the fact that the coating liquid is discharged from the center side toward the peripheral side and the centrifugal force of the wafer W.
  • part of the coating liquid moves from the projection area R1 to a position near the center P of the wafer W outside the projection area R1 due to the pressure applied when it collides with the wafer W.
  • the coating liquid is less supplied than in the area extending from the projection region R1 to the peripheral edge of the wafer W, and the flow of the coating liquid slows down, so the drying of the coating liquid progresses relatively quickly.
  • the above-described hump M1 may be formed at the position. From a different point of view, it can be said that drying of the coating liquid progresses quickly in the hump M1. Since the hump M1 is formed as described above, the hump M1 has an annular shape along the circumference of the wafer W, for example.
  • the gas nozzle 42 is configured to discharge the air so as to form an air flow from the inner peripheral end of the coating film M toward the outer edge (that is, the peripheral end of the wafer W), and the wind pressure of the air can break the humps M1 before solidification and push the coating liquid forming the humps M1 toward the outer edge side of the coating film M.
  • the gas nozzle 42 shapes the coating film M so that the hump M1 is removed.
  • the period during which air is discharged from the gas nozzle 42 is set so as to overlap the period during which the coating liquid is discharged from the coating liquid nozzle 41.
  • the gas nozzle 42 will be described below.
  • the gas nozzle 42 is configured, for example, as a cylindrical body having an outer peripheral wall that tapers toward the tip side, and a circular discharge port 43 is opened on the tip surface of the gas nozzle 42 .
  • the gas nozzle 42 is also connected to a gas supply section 42A via a pipe.
  • the gas supply unit 42A includes a valve, a flow control mechanism, an air supply source, and the like. By opening and closing the valve, the supply of air from the air supply source to the gas nozzle 42 is stopped.
  • the flow rate of air supplied to the gas nozzle 42 (that is, the flow rate of air discharged from the gas nozzle 42) is adjusted to a predetermined flow rate by the flow rate adjustment mechanism.
  • the temperature of the air supplied from the gas supply section 42A to the gas nozzle 42 is, for example, 16.degree. C. to 24.degree.
  • FIG. 1 The arrangement of the gas nozzles 42 at the processing position will be described below with reference to FIGS. 3 and 4.
  • FIG. the gas nozzle 42 is provided to apply the wind pressure toward the peripheral edge of the wafer W to the inner peripheral edge of the coating film M.
  • the gas nozzle 42 discharges air downward from the center side of the wafer W toward the peripheral edge side so that the action can be reliably performed. That is, the air is discharged obliquely with respect to the vertical and horizontal planes.
  • a projection region R2 is a region obtained by extending the ejection port of the gas nozzle 42 at the processing position and projected onto the wafer W in the gas ejection direction
  • P2 is the center of the projection region R2. Note that the projection region R2 corresponds to the second position on the wafer W where the gas is discharged.
  • FIG. 4 shows an angle between the gas ejection direction D2 and the surface of the wafer W as viewed from the side as a nozzle angle ⁇ in the side view. Since the wafer W is mounted on the spin chuck 11 so that the surface is horizontal, the side view nozzle angle ⁇ is also the angle between the horizontal plane and the gas discharge direction D2.
  • the force for pressing the hump M1 toward the peripheral edge of the wafer W can be increased as the side view nozzle angle ⁇ decreases.
  • the side view nozzle angle ⁇ is preferably 20° or more as described above.
  • the side view nozzle angle ⁇ is preferably 20° to 60°, more preferably 30° to 60°.
  • the distance between the center P2 of the projection region R2 of the gas nozzle 42 and the inner peripheral edge of the coating film M in the air ejection direction in a plan view is defined as a film separation distance L1.
  • the film separation distance L1 is preferably as small as possible.
  • the film separation distance L1 is preferably 0 mm or more and less than 5 mm, more preferably 0 mm to 3 mm.
  • the solid line indicates the gas nozzle 42 when the processing position is set such that the film separation distance L1 is 0 mm
  • the two-dot chain line indicates the gas nozzle 42 when the processing position is set such that the film separation distance L1 is greater than 0 mm.
  • the position of the inner peripheral end of the coating film M on the wafer W may be detected by, for example, conducting a test in advance, and the position of the projection region R2 of the gas nozzle 42 may be set from the position of the inner peripheral end and the film separation distance L1. Due to the spread of the coating liquid discharged from the coating liquid nozzle 41 onto the projection area R1, for example, the inner peripheral end of the coating film M may be located slightly closer to the center P of the wafer W than the projection area R1 (see FIG. 3).
  • the projection region R2 when comparing the position of the center P1 of the projection region R1 and the position of the center P2 of the projection region R2 in the radial direction of the wafer W, the projection region R2 is located closer to the center P of the wafer W even if the film separation distance L1 is 0 mm.
  • the projection region R2 is downstream in the rotational direction when viewed in the rotational direction of the wafer W with the projection region R1 as the base point
  • the projection region R1 is downstream in the rotational direction when viewed in the rotational direction of the wafer W with the projection region R2 as the base point.
  • the positional relationship between the projection regions R1 and R2 differs depending on the difference in the base point, the length of the arc region between the projection regions R1 and R2 is compared, and the projection region R1 is used as the base point based on the comparison result.
  • the positional relationship is such that the projection area R2 is positioned on the downstream side in the rotational direction with respect to the projection area R1.
  • the projection areas R1 and R2 are closer. However, the air ejected onto the projection area R2 spreads over the surface of the wafer W due to the impact caused by the collision with the projection area R2. If the distance between the projection regions R1 and R2 is too small, the liquid flow of the coating liquid discharged from the coating liquid nozzle 41 may be fanned by the air diffusing on the surface of the wafer W, and the uniformity of the thickness of the coating film M may deteriorate.
  • the separation distance L2 between the projection regions R1 and R2 in the rotation direction of the wafer W is an appropriate value, specifically, 30 mm to 100 mm, for example.
  • the gas discharge direction D2 from the gas nozzle 42 in plan view follows the rotation direction of the wafer W, that is, the direction that does not oppose the rotation of the wafer W.
  • the center P2 of the projection region R2 where the air is ejected undergoes uniform circular motion as the wafer W rotates.
  • the angle ⁇ 3 formed by the velocity vector V1 with the center P2 as a base point in plan view and the gas ejection direction D2 is an obtuse angle
  • the gas is ejected following the rotation direction of the wafer W (see FIG. 5).
  • the ejection direction D2 follows the rotation direction of the wafer W in this way, it is possible to prevent the air ejected onto the projection region R2 from being repelled by the rotation of the wafer W and scattering around, disturbing the liquid flow supplied to the wafer W and flowing to the peripheral edge of the wafer W, thereby improving the uniformity of the film thickness of the coating film M.
  • a virtual circle C2 passing through the center P2 of the projection area R2 of the gas nozzle 42 and having the center P of the wafer W as its center is set.
  • This circle C2 is a trajectory drawn by the center P2 of the projection area R2 as the wafer W rotates.
  • the plane gas ejection angle ⁇ 2 is defined as the angle formed by the tangent line T2 in plan view and the gas ejection direction D2, and the plane gas ejection angle ⁇ 2 is, for example, 30° to 90°.
  • a tangent line T1 is drawn on a circle C1 passing through the center P1 of the projection area R1 of the coating liquid nozzle 41 described above.
  • the angle formed by the tangential line T1 in plan view and the ejection direction D1 of the coating liquid is defined as a planar liquid ejection angle ⁇ 1.
  • the planar liquid ejection angle ⁇ 1 and the planar gas ejection angle ⁇ 2 are of the same magnitude, eg, 60°.
  • the ejection direction D1 of the coating liquid and the ejection direction D2 of the gas can be parallel to each other in plan view. Such parallel discharge directions D1 and D2 prevent the gas flow from the gas nozzle 42 from approaching the liquid flow from the coating liquid nozzle 41, and more reliably suppress the disturbance of the liquid flow, which is preferable.
  • the height distance between the lower end of the gas nozzle 42 and the surface of the wafer W is defined as a nozzle height distance H (see FIG. 4). If the nozzle height distance H is too large, the pressure of the air acting on the hump M1 will decrease. From such a point of view and the results of evaluation tests described later, the nozzle height distance H is preferably smaller than, for example, 10 mm, more preferably 3 mm to 5 mm.
  • the flow rate of the air discharged from the gas nozzle 42 is preferably greater than 10 L/min, for example 20 L/min or more.
  • the diameter of the discharge port 43 (diameter of the discharge port 43) L0 is, for example, 0.5 mm to 2 mm.
  • the coating film forming apparatus 1 includes a control section 10.
  • the control unit 10 is configured by a computer and has a program.
  • the program incorporates a group of steps so that a series of operations in the coating film forming apparatus 1, which will be described later, can be performed.
  • the control section 10 outputs a control signal to each section of the coating film forming apparatus 1 according to the program, and the operation of each section is controlled.
  • each operation such as the number of rotations of the spin chuck 11 by the rotation mechanism 12, the elevation of the pin 13 by the elevating mechanism 14, the supply of the coating liquid to the coating liquid nozzle 41 by the coating liquid supply unit 41A, the supply of air to the gas nozzle 42 by the gas supply unit 42A, and the movement of each nozzle by the movement mechanism 32 is controlled by the above control signal.
  • the above program is stored in a storage medium such as a compact disc, hard disk, or DVD, and installed in the control unit 10 .
  • FIGS. 6 to 8 show vertical cross sections of regions of the coating film M along the radial direction of the wafer W.
  • FIGS. 10 and 11 portions of the surface of the coating film M where drying has progressed relatively significantly are indicated by thick lines.
  • the wafer W is transferred onto the cup 21 by the transfer mechanism (not shown) while the coating liquid nozzle 41 and the gas nozzle 42 are waiting at the waiting position outside the cup 21 .
  • a wafer W is placed and held on the spin chuck 11 via the pins 13 .
  • the wafer W rotates at a rotation speed lower than 250 rpm, specifically at 100 rpm, for example.
  • the coating liquid nozzle 41 and the gas nozzle 42 are moved to their respective processing positions by the moving mechanism 32, air discharge from the gas nozzle 42 is started, and an air flow directed toward the peripheral edge of the wafer W is formed at the peripheral edge portion of the surface of the wafer W (FIG. 6).
  • the air By rotating the wafer W one or more times, for example, a plurality of times from the start of air discharge, the air is supplied to the entire peripheral portion of the wafer W, and the temperature of each portion of the peripheral portion becomes uniform. Subsequently, the coating liquid is discharged from the coating liquid nozzle 41 onto the already-described projection region R1 of the wafer W (FIG. 9). The coating liquid flows toward the peripheral edge of the wafer W due to the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W and the force of the ejection from the coating liquid nozzle 41, thereby forming the coating film M (FIG. 7). The liquid flow of the coating liquid discharged from the coating liquid nozzle 41 is indicated as 40 in each figure.
  • the side surface of the hump M1 facing the center P of the wafer W (that is, the inner peripheral end surface of the coating film M) is less likely to flow, and drying progresses relatively quickly (FIG. 10).
  • the hump M1 moves to the vicinity of the position where air is being discharged (near the previously described projection region R2), so that the hump M1 is exposed to the air flow, and wind pressure toward the peripheral edge of the wafer W acts on the hump M1. Due to this wind pressure, the side surface of the hump M1, which has been dried, cracks vertically, and the upper portion of the hump M1 shifts toward the peripheral edge of the wafer W with respect to the lower portion. The upper portion of the hump M1 moving toward the peripheral edge of the wafer W sinks downward from its original height because the fluidity of the coating film M is ensured when the air is discharged (FIG. 11).
  • the hump M1 is collapsed by the wind pressure so as to be divided into upper and lower parts, and each of the divided parts forms projections at different positions in the radial direction of the wafer W, but these projections are smaller in height than the original hump M1. Therefore, the coating film M has a uniform height in the radial direction.
  • the area of the coating film M in which the height in the radial direction is uniform in this way moves away from the position where the air is discharged due to the rotation of the wafer W, and drying and solidification progresses in each part of the area (FIG. 12).
  • the coating liquid nozzle 41 stops discharging the coating liquid (FIG. 8).
  • the ejection of the coating liquid moves to the vicinity of the projection area R2 and receives the action of air, that is, after the hump M1 is completely removed from the entire circumference of the wafer W, the ejection of air from the gas nozzle 42 is stopped.
  • the rotation of the wafer W is stopped. After that, the substrate is transferred to a transport mechanism (not shown) in the reverse operation of the transfer to the spin chuck 11 and carried out from the coating film forming apparatus 1 .
  • the coating film forming apparatus 1 since the formation of the hump M1 is suppressed, it is possible to improve the uniformity of the height of the coating film M in the radial direction. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defects in processing the wafer W in the post-process after the coating film M is formed, due to the formation of the hump M1. As a result, the yield of semiconductor products manufactured from the wafer W can be prevented from decreasing.
  • the type of the coating film M is not particularly limited, but in describing this specific example, it is assumed to be a film formed on a wafer W on which a lower layer film and a patterned resist film are sequentially formed facing upward. More specifically, the resist film is not formed on the peripheral portion of the wafer W, and the coating film M is formed so as to cover the lower layer film at the peripheral portion and surround the resist film.
  • the coating film M serves as a protective film that prevents etching of the periphery of the lower layer film when the pattern is transferred to the lower layer film by dry etching along the pattern of the resist film.
  • the coating film M is etched together with the lower layer film, and the processing conditions for the etching are set so that the coating film M is completely removed at the end of the etching.
  • this hump M1 will become a residue on the underlying film after etching. That is, since the portion forming the hump M1 in the coating film M is thicker than other portions, it may not be completely removed by etching and may remain. It is conceivable that the residue of the coating film M turns into particles and adheres to the pattern formed in the lower layer film, thereby causing the above-described decrease in yield.
  • the coating film M can be formed so as not to form the hump M1, so that the decrease in yield due to the residue can be prevented.
  • the temperature of each portion of the peripheral edge of the wafer W is uniformed by starting the supply of air from the gas nozzle 42 to the wafer W before the coating liquid nozzle 41 starts discharging the coating liquid. Therefore, after the coating liquid is supplied, the drying of the coating liquid progresses with high uniformity in each part of the peripheral portion, and thus the variation in the film thickness is suppressed, which is preferable.
  • the rotation speed of the wafer W is set lower than 250 rpm when the coating liquid and the air of the coating liquid are discharged to the wafer W because, as will be described later in the evaluation test, if the rotation speed of the wafer W is too high, the drying of the hump M1 proceeds quickly. In other words, such a rotational speed is preferable because drying of the hump M1 can be suppressed and the hump M1 can be removed with high certainty.
  • the coating liquid is applied only once to the peripheral portion of the wafer W, i.e., is not overcoated.
  • FIG. 13 a coating film forming apparatus 5, which is a modified example of the coating film forming apparatus 1, will be described with reference to FIG. 13, focusing on differences from the coating film forming apparatus 1.
  • the support 33 provided with the coating liquid nozzle 41 is not provided with the sub-arm 35 and the gas nozzle 42 , and the support 33 is composed only of the arm 34 .
  • the coating film forming apparatus 5 is provided with a guide 51, a moving mechanism 52, and an arm portion 54, which are configured in the same manner as the guide 31, the moving mechanism 32, and the arm portion 34, respectively.
  • a gas nozzle 42 is provided at the tip of the arm portion 54, and the gas nozzle 42 can be moved horizontally and vertically by the moving mechanism 52.
  • the coating liquid nozzle 41 and the gas nozzle 42 are connected to different moving mechanisms 32 and 52, respectively, and can move independently of each other.
  • the moving mechanism 32 corresponds to the first moving mechanism
  • the moving mechanism 52 corresponds to the second moving mechanism.
  • the coating liquid is discharged from the coating liquid nozzle 41 at positions other than the positions described as the processing positions in the coating film forming apparatus 1 .
  • air is discharged onto the rotating wafer W from the gas nozzle 42 at the processing position.
  • the application liquid is started to be discharged from the application liquid nozzle 41 .
  • the position of the coating liquid nozzle 41 at the start of ejection is a position horizontally away from the above-described processing position as indicated by the solid line in FIG. Note that the processing position is indicated by a chain line in the figure.
  • the coating liquid nozzle 41 that has discharged the coating liquid is horizontally moved toward the processing position.
  • the projection area R1 onto the wafer W of the coating liquid nozzle 41 moves from the peripheral end of the wafer W toward the center P side of the wafer W along the radial direction of the wafer W.
  • the coating liquid nozzle 41 is stopped, and when the coating film R is formed on the entire circumference of the wafer W, the ejection of the coating liquid is stopped.
  • the gas nozzle 42 may remain stationary during the ejection of the coating liquid, or may include a period of movement.
  • the coating liquid nozzle 41 is movable independently of the gas nozzle 42 as in the coating film forming apparatus 5
  • the coating liquid nozzle 41 may be stopped at the processing position during the coating liquid ejection as described with reference to FIGS. 6 to 8.
  • the configuration of the coating film forming apparatus 1 is advantageous in that the configuration of the apparatus is simple.
  • the gas nozzle is not limited to a configuration including a circular discharge port 43 like the gas nozzle 42 described above.
  • FIG. 15 shows an example in which a gas nozzle 61 is provided instead of the gas nozzle 42 in the coating film forming apparatus 1 .
  • the gas nozzle 61 is formed in the shape of a rectangular block, and an air flow path 62 extending downward from above is formed inside the gas nozzle 61 .
  • the flow path 62 is formed obliquely from the center P side of the wafer W toward the peripheral edge side at the gas nozzle 61 at the processing position.
  • a lower end surface 63 of the gas nozzle 61 faces the wafer W, and a discharge port 64 forming a downstream end of the flow path 62 is opened in the lower end surface 63 .
  • the discharge port 64 is an arcuate slit in plan view.
  • FIG. 16 is a plan view of the wafer W.
  • FIG. 16 is a plan view of the wafer W.
  • the ejection port 64 is arcuate, the projected area R3 of the ejection port 64 onto the wafer W in the air ejection direction is also arcuate.
  • the arc of this projection region R3 is along the inner peripheral edge of the coating film M as shown in FIG. That is, the ejection port 64 is formed along the inner peripheral edge.
  • the width center P3 of the projection area R3 is indicated by a dotted line.
  • FIG. 17 shows an example in which the discharge port 64 is a linear slit instead of a curved shape along the inner peripheral edge of the coating film M.
  • the distance from the coating film M in the air ejection direction to the inner peripheral edge in the plan view differs for each part in the length direction of the width center P3 of the projection region R3.
  • the ejection port 64 may be a curved slit that does not follow the inner peripheral edge of the coating film M.
  • FIG. The positional relationship between the inner peripheral end of the coating film M and the width center P3 of the projection region R3 in this case is the same as the positional relationship between the inner peripheral end of the coating film M and the width center P3 of the projection region R3 when the ejection port 64 is a linear slit as shown in FIG.
  • it is preferable that at least part of the width center P3 is within the range described as the film separation distance L1.
  • each gas nozzle has been described as having a configuration for ejecting air from the center side of the wafer W toward the peripheral edge side, the air may be ejected vertically downward. That is, the side view nozzle angle ⁇ shown in FIG. 4 may be 90°. Since the inside of the cup 21 is evacuated while the wafer W is being processed, the air discharged in the vertical direction flows along the surface of the wafer W toward the outer circumference of the wafer W. As shown in FIG. Therefore, the wind pressure of this air can be applied to the hump M1 as described above. However, in order to obtain the effect of the air more reliably, it is preferable that the gas nozzle is configured to discharge air from the center side of the wafer W toward the peripheral edge side.
  • the period during which the coating liquid is discharged onto the wafer W overlaps with the period during which air is discharged onto the wafer W.
  • the discharge of the air may be started after the discharge of the coating liquid is completed.
  • the application liquid ejection period and the air ejection period may not overlap.
  • these discharge periods overlap, and it is more preferable to overlap the discharge periods and set the timing to start discharging the gas earlier than the timing to start discharging the coating liquid.
  • the gas to be discharged onto the wafer W is not limited to air, and an inert gas such as nitrogen gas may be used.
  • a heater, a cooling mechanism, or the like may be provided in the gas supply section 42A to supply gas at a temperature higher or lower than normal temperature to the gas nozzle 42 .
  • ⁇ Evaluation test 1 Coating films M were formed on wafers W as evaluation tests 1-1 to 1-5.
  • a testing apparatus having the same configuration as the coating film forming apparatus 1 was used. Therefore, the gas nozzle 42 already described is used as the gas nozzle.
  • the film thickness of the coating film M at each position along the radial direction was measured using a stylus profilometer. To describe this measurement in more detail, the tip (lower end) of the vertically movable needle was brought into contact with the surface of the wafer W. As shown in FIG.
  • the needle was moved along the radial direction of the wafer W toward the peripheral edge of the wafer W. As shown in FIG. The film thickness was measured by detecting the up-and-down movement of the needle moving in the radial direction.
  • the combination of the number of rotations of the wafer W during ejection of the coating liquid and air, the flow rate of the air ejected from the gas nozzle 42, and the timing of starting the ejection of air is different.
  • the rotation speed of the wafer W was set to 100 rpm, and the coating liquid and air were discharged onto the wafer W for processing.
  • the start of air discharge was set at a time several seconds after the coating film M was formed on the entire circumference of the wafer W.
  • the flow rate of the discharged air was set to 40 L/min. This flow rate corresponds to a wind speed of 7 m/sec.
  • the rotation speed of the wafer W was set to 100 rpm, and the coating liquid and air were discharged onto the wafer W for processing.
  • the air ejection start point is earlier than the application liquid ejection start point, as in the embodiment.
  • the flow rate of the air discharged from the gas nozzle 42 was set to 40 L/min as in the evaluation test 1-1.
  • evaluation test 1-3 the air flow rate was set to 30 L/min. This flow rate corresponds to a wind speed of 10 m/sec. Also, in evaluation test 1-4, the air flow rate was set to 20 L/min. This flow rate corresponds to a wind speed of 7 m/sec. Evaluation Tests 1-3 and 1-4 had the same processing conditions as Evaluation Test 1-2, except that the flow rate of air was different. Evaluation test 1-5 was performed in the same manner as evaluation test 1-3, except that the rotation speed of wafer W was set to 250 rpm. Incidentally, in the evaluation tests 1-1 to 1-5, the film separation distance L1 described with reference to FIGS. 3 and 4 was set to 0 mm.
  • FIG. 18 is a graph showing the results of Evaluation Test 1.
  • a position a predetermined distance away from the center P of the wafer W is defined as 0 mm, and the distance (unit: mm) from the position defined as 0 mm toward the peripheral edge of the wafer W along the radial direction of the wafer W is shown.
  • the distance is expressed as a position in the radial direction.
  • the vertical axis of the graph indicates the height of the surface of the coating film M (unit: ⁇ m), where the height of the surface of the wafer W on which the coating film M is not formed is 0 mm. Since the horizontal and vertical axes of the graph are set in this manner, the waveform of the graph represents the shape of the coating film M along the radial direction of the wafer W.
  • FIG. 19 and subsequent figures shown in the evaluation test 2 and subsequent tests, the vertical and horizontal axes are set in the same manner as the vertical and horizontal axes of the graph of FIG.
  • the rotation speed of the wafer W is less than 250 rpm, and more preferably 100 rpm or less, as described in the embodiment.
  • the second peak is smaller in the order of Evaluation Tests 1-4, 1-3, and 1-2. That is, the larger the flow rate of air, the smaller the second stage peak. Therefore, it can be seen that the air flow rate is preferably 20 mL/min or more, and more preferably a higher flow rate within that range.
  • ⁇ Evaluation test 2 As in Evaluation Test 1, a test apparatus was used to form a coating film M on a wafer W, and the film thickness of the coating film M was measured. In this evaluation test 2, the coating film M was formed by setting the film separation distance L1 described in FIG. In evaluation tests 2-1, 2-2, and 2-3, the film separation distance L1 was set to 0 mm, 3 mm, and 5 mm, respectively. In these evaluation tests 2-1 to 2-3, the nozzle height distance H described in FIG. 4 was set to 5 mm, and the side view nozzle angle ⁇ was set to 60°.
  • evaluation tests 2-1, 2-2, and 2-3 are indicated in the graph of FIG. 19 by broken lines, dotted lines, and solid lines, respectively.
  • evaluation test 2-3 a relatively large peak of about 3 ⁇ m was shown at a position near 0.5 mm in the radial direction, but such a large peak was not observed in evaluation tests 2-1 and 2-2. Therefore, it was confirmed that the hump M1 could not be removed in the evaluation test 2-3, but the hump M1 could be removed in the evaluation tests 2-1 and 2-2.
  • the film separation distance L1 is preferably set to a value smaller than 5 mm, and more preferably set to 0 mm to 3 mm.
  • ⁇ Evaluation test 3 As in Evaluation Test 1, a test apparatus was used to form a coating film M on a wafer W, and the film thickness of the coating film M was measured. In this evaluation test 3, the nozzle height distance H was set to a different value for each wafer W, and the coating film M was formed. As evaluation tests 3-1, 3-2, and 3-3, the nozzle height distance H was set to 3 mm, 5 mm, and 10 mm, respectively. In these evaluation tests 3-1 to 3-3, the film separation distance L1 was set to 0 mm, and the side view nozzle angle ⁇ was set to 60°.
  • Evaluation Tests 3-1, 3-2, and 3-3 are indicated in the graph of FIG. 20 by dashed lines, dotted lines, and solid lines, respectively.
  • the first and second peaks were observed at a radial position of about 0.5 mm, and the second peak was relatively large at 1.5 ⁇ m or more.
  • the hump M1 collapsed as explained in FIG. 11, and it was confirmed that the height of the protrusion of the film caused by the collapse could be suppressed.
  • the nozzle height distance H is preferably less than 10 mm, more preferably 3 mm to 5 mm.
  • ⁇ Evaluation test 4 As in Evaluation Test 1, a test apparatus was used to form a coating film M on a wafer W, and the film thickness of the coating film M was measured. In this evaluation test 4, the coating film M was formed by setting the side view nozzle angle ⁇ to a different value for each wafer W. FIG. As evaluation tests 4-1 and 4-2, the side view nozzle angles ⁇ were set to 60° and 30°, respectively. In these evaluation tests 4-1 and 4-2, the film separation distance L1 was set to 0 mm, and the nozzle height distance H was set to 3 mm.
  • evaluation tests 4-1 and 4-2 are shown in the graph of FIG. 21 by solid and dotted lines, respectively. As is clear from the waveforms of the graphs, the presence of the hump M1 was not indicated in both Evaluation Tests 4-1 and 4-2, and was considered to have been removed. As described above, the result of Evaluation Test 4 indicates that the hump M1 can be removed when the side view nozzle angle ⁇ is set to 30° to 60°, which is preferable.
  • ⁇ Evaluation test 5 As in Evaluation Test 1, a test apparatus was used to form a coating film M on a wafer W, and the film thickness of the coating film M was measured. In this evaluation test 5, the temperature of the air supplied to the gas nozzle 42 was set to a different value for each wafer W, and the coating film M was formed. The temperatures were set to 24° C., 20° C. and 16° C. for evaluation tests 5-1, 5-2 and 5-3, respectively. Note that 24°C is the same as the room temperature of the room where the test is conducted. In these evaluation tests 5-1 to 5-3, the film separation distance L1 was set to 0 mm, the nozzle height distance H was set to 3 mm, and the flow rate of discharged air was set to 20 L/min.
  • the results of evaluation tests 5-1, 5-2, and 5-3 are shown in the graph of FIG. 22 by a chain line, a dotted line, and a solid line, respectively.
  • none of the evaluation tests 5-1 to 5-3 showed the existence of the hump M1, and it is considered that it was removed. Therefore, it was shown that the air temperature in the range of 16° C. to 24° C. has little effect on the removability of the hump M1, and that the air temperature of 16° C. to 24° C. is preferable as the air temperature to be used.
  • ⁇ Evaluation test 6 As in Evaluation Test 1, a test apparatus was used to form a coating film M on a wafer W, and the film thickness of the coating film M was measured. In this evaluation test 6, the coating film M was formed by setting the flow rate of the ejected air to a different value for each wafer W. FIG. As evaluation tests 6-1, 6-2, and 6-3, the flow rates were set to 30 mL/min, 20 mL/min, and 10 mL/min, respectively. In these evaluation tests 6-1 to 6-3, the film separation distance L1 was set to 0 mm, the nozzle height distance H was set to 3 mm, and the temperature of the discharged air was set to 16.degree.
  • the results of evaluation tests 6-1, 6-2, and 6-3 are indicated by solid lines, dotted lines, and chain lines in the graph of FIG. 23, respectively.
  • the first and second peaks were observed at a position in the vicinity of 0.5 mm in the radial direction, and the height of the second peak was relatively large at 1 ⁇ m or more.
  • the peak height was 0.5 ⁇ m or less. Therefore, in Evaluation Tests 3-1 and 3-2, it was considered that the hump M1 collapsed as described with reference to FIG. 11, and it was confirmed that the height of the protrusion of the membrane caused by the collapse could be suppressed.
  • the flow rate of the discharged air is preferably greater than 10 L/min, and more preferably 20 L/min.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

本開示の塗布膜形成装置は、基板を保持して回転させる回転保持部と、回転する前記基板の周縁部の第１位置に塗布液を吐出して当該基板の周に沿った環状の塗布膜を形成する塗布液ノズルと、回転する前記基板において前記第１位置よりも当該基板の回転中心寄りで当該基板の回転方向の下流側の第２位置にガスを吐出し、当該第２の位置から前記基板の周端に向う前記ガスの流れによって前記塗布膜を整形するために設けられるガスノズルと、を備える。

Description

塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体
　本開示は、塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体に関する。
　半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）の周縁部に塗布液を供給して塗布膜を形成する場合が有る。特許文献１には回転するウエハに対して、当該ウエハの外周と周縁部との間で処理液（塗布液）が供給される位置が移動するようにノズルを移動させることで、当該周縁部に塗布膜を形成することについて記載されている。
国際公開番号２０１８－２０７６７２号公報
　本開示は、基板の周縁部に当該基板の周に沿った環状の塗布膜を形成するにあたり、当該塗布膜の内周端が隆起することを抑制することができる技術を提供する。
　本開示の塗布膜形成装置は、基板を保持して回転させる回転保持部と、
回転する前記基板の周縁部の第１位置に塗布液を吐出して当該基板の周に沿った環状の塗布膜を形成する塗布液ノズルと、
回転する前記基板において前記第１位置よりも当該基板の回転中心寄りで当該基板の回転方向の下流側の第２位置にガスを吐出し、当該第２の位置から前記基板の周端に向う前記ガスの流れによって前記塗布膜を整形するために設けられるガスノズルと、
を備える。
　本開示は、基板の周縁部に当該基板の周に沿った環状の塗布膜を形成するにあたり、当該塗布膜の内周端が隆起することを抑制することができる。
本開示の一実施形態に係る塗布膜形成装置の縦断側面図である。 前記塗布膜形成装置の横断平面図である。 前記塗布膜形成装置に設けられるガスノズル及び塗布液ノズルを示す平面図である。 前記ガスノズルを示す側面図である。 前記塗布膜形成装置に設けられるガスノズル及び塗布液ノズルを示す平面図である。 前記塗布膜形成装置の動作を示す側面図である。 前記塗布膜形成装置の動作を示す側面図である。 前記塗布膜形成装置の動作を示す側面図である。 前記塗布膜の状態を示すためのウエハの縦断側面図である。 前記塗布膜の状態を示すためのウエハの縦断側面図である。 前記塗布膜の状態を示すためのウエハの縦断側面図である。 前記塗布膜の状態を示すためのウエハの縦断側面図である。 前記塗布膜形成装置の他の構成例を示す平面図である。 前記他の構成例における処理を示す説明図である。 前記ガスノズルの他の構成例を示す縦断側面図である。 前記ガスノズルとウエハとの位置関係とを説明するためのウエハの平面図である。 さらに他のガスノズルの構成例を示す平面図である。 前記ガスノズルの縦断側面図である 評価試験の結果を示すグラフ図である。 評価試験の結果を示すグラフ図である。 評価試験の結果を示すグラフ図である。 評価試験の結果を示すグラフ図である。 評価試験の結果を示すグラフ図である。
　本開示の一実施形態に係る塗布膜形成装置１について、図１の縦断側面図及び図２の横断平面図を参照して説明する。この塗布膜形成装置１は、円形の基板であるウエハＷを回転させると共に、当該ウエハＷの表面の周縁部にノズルから塗布液を吐出する。吐出された位置から塗布液はウエハWの周端へと向かうことで、ウエハＷの周に沿った円環状の塗布膜Ｍが形成される。後に詳しく述べるがこのように塗布膜Ｍを形成するにあたり、塗布膜形成装置１は塗布膜Ｍの内周端における隆起であるハンプＭ１の形成を防止するためのガスを、ウエハＷに供給する。なお、本例ではウエハＷの直径は３００ｍｍであり、当該ウエハＷに供給されるガスはエアである。
　塗布膜形成装置１は、スピンチャック１１、回転機構１２、ピン１３、昇降機構１４、ガイドリング１５及びカップ２１を備えている。回転保持部であるスピンチャック１１は、ウエハＷの裏面の中心部を真空吸着することで、当該ウエハＷを水平に保持する。スピンチャック１１は、モータを含む回転機構１２に接続されている。当該回転機構１２は、後述の制御部１０から出力される制御信号に応じた回転数で、スピンチャック１１を鉛直回りに回転させる。ウエハＷの中心Ｐは、平面視でスピンチャック１１の回転中心に揃うように当該スピンチャック１１に載置されるので、当該中心ＰはウエハＷの回転中心でもある。ウエハＷの回転方向は、平面視で時計回りである。
平面視でスピンチャック１１を囲むように、ウエハＷを支持するためのピン１３が３本設けられており（図１では２本のみ表示）、昇降機構１４によって昇降自在に構成されている。ピン１３によって、図示しないウエハＷの搬送機構とスピンチャック１１との間で、ウエハＷが受け渡される。また、スピンチャック１１の下方側には縦断面形状が山形のガイドリング１５が設けられており、このガイドリング１５の外周縁は下方側に屈曲して延びている。当該ガイドリング１５は、ウエハＷからこぼれ落ちた液をカップ２１の底部にガイドする役割を有する。
続いて、カップ２１について説明する。カップ２１は円形であり、ガイドリング１５、スピンチャック１１及び当該スピンチャック１１に載置されるウエハＷを囲み、塗布液の飛散を抑えるために設けられている。上記のウエハＷの受け渡しが行えるように、カップ２１は上側が開口している。なお、カップ２１の側周面とガイドリング１５の外周縁との間に、液及び気体の排出路をなす隙間２２が形成されている。そして、前記カップ２１の下方側には起立した排気管２３が設けられ、排気管２３の上端には排気口２４が開口している。当該排気口２４より、ウエハＷの処理中は常時カップ２１内の排気が行われる。また、カップ２１の底部には排液口２５が開口している。
また塗布膜形成装置１は、ガイド３１、移動機構３２、支持体３３、塗布液ノズル４１及びガスノズル４２を備えている。ガイド３１はカップ２１に対する後方側に、左右に水平に伸びるように設けられている。そして、移動機構３２はガイド３１の伸長方向に沿って移動自在である。支持体３３は移動機構３２から前方へ向って伸びる腕部３４と、腕部３４に接続される副腕部３５とを備えており、移動機構３２によって昇降する。ところで以降の説明中の左側、右側は、後方から前方へ向って見た左側、右側であるものとする。
腕部３４及び副腕部３５についてより詳しく述べると、腕部３４が前方へと伸びる途中で分岐することで副腕部３５が形成されており、当該副腕部３５は左方へと伸びる。腕部３４の先端、副腕部３５の先端に塗布液ノズル４１、ガスノズル４２が夫々設けられている。従って、塗布液ノズル４１及びガスノズル４２は、支持体３３を介してこれらのノズル４１、４２に共通の移動機構３２に接続されており、当該移動機構３２によって左右の水平移動及び昇降が可能である。
そして塗布液ノズル４１及びガスノズル４２は、平面視でカップ２１の外側（即ち、カップ２１内に載置されるウエハＷの外側）である待機位置と、ウエハＷの周縁部の上方である処理位置との間を移動自在に構成されている。図２では塗布液ノズル４１及びガスノズル４２が待機位置に位置する状態、図３の平面図では塗布液ノズル４１及びガスノズル４２が処理位置に位置する状態を示している。処理位置において、塗布液ノズル４１、ガスノズル４２は塗布液、エアをウエハＷの周縁部に向けて夫々吐出する。なお、塗布液ノズル４１についての待機位置、処理位置は夫々第１待機位置、第１処理位置であり、ガスノズル４２についての待機位置、処理位置は夫々第２待機位置、第２処理位置である。
塗布液ノズル４１は例えば先端側に向うにつれて細る外周壁を備えた円筒体として構成されており、その先端面に円形の吐出口を備えている。当該塗布液ノズル４１は、配管を介して塗布液供給部４１Ａに接続されている。塗布液供給部４１Ａは、バルブ、塗布液が貯留される貯留部、ポンプなどを含み、貯留部から塗布液ノズル４１へ向けて塗布液を圧送し、塗布液ノズル４１から吐出させる。
塗布液ノズル４１の向きについて述べる。回転するウエハＷに吐出された塗布液がウエハＷの中心Ｐ寄りに移動することを抑制して所望の幅の塗布膜Ｍを形成するために、塗布液ノズル４１は、ウエハＷの中心側から周端側に向かうように下方へと塗布液を吐出する。つまり塗布液は、鉛直面及び水平面に対して斜め方向に吐出される。
図３ではウエハＷの回転方向を矢印で示している。平面視で塗布液ノズル４１は、ウエハＷの回転方向に倣う方向へ塗布液を吐出する。そのように吐出することで塗布液がウエハＷに弾かれて飛散することが抑制され、塗布膜の膜厚の均一性が高くなるようにしている。なお、回転方向に倣うことについてはガスノズル４２について説明する際に、より具体的に述べる。図３中、処理位置における塗布液ノズル４１の吐出口を、塗布液の吐出方向に伸ばしてウエハＷに投影した領域を投影領域Ｒ１として示し、その投影領域Ｒ１の中心をＰ１として表している。なお当該投影領域Ｒ１は、ウエハＷにおいて塗布液が吐出される第１位置に相当する。また、上記の塗布液ノズル４１の塗布液の吐出方向について、図中にＤ１として鎖線で示している。この鎖線は塗布液ノズル４１の吐出口の中心を通過する直線として表しているので、上記の投影領域Ｒ１の中心Ｐ１を通過するように引かれている。
ここで上記した塗布膜Ｍの隆起であるハンプＭ１について、ウエハＷの縦断側面図である図４を参照して説明する。上記の投影領域Ｒ１に向けて吐出された塗布液のうちの多くは、中心部側から周縁部側へ向けて塗布液が吐出されること、及びウエハＷの遠心力によって、ウエハＷの周端へ向けて流れる。しかし、一部の塗布液はウエハＷへの衝突時に加わる圧力によって、投影領域Ｒ１からその外側のウエハＷの中心Ｐ寄りの位置に移動する。当該中心Ｐ寄りの位置では投影領域Ｒ１からウエハＷの周端に至る領域に比べて塗布液が供給され難く、当該塗布液の流れが緩やかになることから、比較的速やかに塗布液の乾燥が進行する。このように当該中心Ｐ寄りの位置への塗布液の供給と乾燥とが共に進行することで、当該位置にて上記したハンプＭ１が形成される場合が有る。見方を変えれば、ハンプＭ１では塗布液の乾燥が速やかに進行すると言える。なお、以上のようにハンプＭ１は形成されるため、当該ハンプＭ１は例えばウエハＷの周に沿った環状となる。
上記のガスノズル４２は、塗布膜Ｍの内周端から外縁（即ちウエハＷの周端）に向うエアの流れが形成されるように当該エアの吐出を行い、当該エアの風圧によって、固化する前のハンプＭ１を崩し、当該ハンプＭ１を構成する塗布液を塗布膜Ｍの外縁側へ向けて押しやることができるように構成されている。このようにガスノズル４２は、ハンプＭ１が除去されるように、塗布膜Ｍの整形を行う。なおその効果を確実に得るために、流動性が消失する前のハンプＭ１にエアを吐出することを目的として、本例ではガスノズル４２からエアが吐出される期間が、塗布液ノズル４１から塗布液が吐出される期間に重なるように設定される。
以下、ガスノズル４２について説明する。ガスノズル４２は例えば先端側に向うにつれて細る外周壁を備えた円筒体として構成されており、当該ガスノズル４２の先端面に円形の吐出口４３が開口している。またガスノズル４２は、配管を介してガス供給部４２Ａに接続されている。ガス供給部４２Ａはバルブ、流量調整機構、エアの供給源などを含む。バルブの開閉により、エア供給源からガスノズル４２に対するエアの給断がなされる。そして、ガスノズル４２に供給されるエアの流量（即ち、ガスノズル４２から吐出されるエアの流量）は流量調整機構によって所定の流量となるように調整される。なお、このようにガス供給部４２Ａからガスノズル４２に供給されるエアの温度は、例えば１６℃～２４℃である。
以下、処理位置におけるガスノズル４２の配置について図３、図４を用いて説明する。上記したようにガスノズル４２は、塗布膜Ｍの内周端に対してウエハＷの周端へ向かう風圧の作用を与えるために設けられる。その作用が確実になされるように、ガスノズル４２はウエハＷの中心側から周端側に向けて下方へとエアを吐出する。つまり、鉛直面及び水平面に対して斜め方向にエアが吐出される。図中、処理位置におけるガスノズル４２の吐出口を、ガスの吐出方向に伸ばしてウエハＷに投影した領域を投影領域Ｒ２として示し、その投影領域Ｒ２の中心をＰ２として表している。なお当該投影領域Ｒ２は、ウエハＷにおいてガスが吐出される第２位置に相当する。
また、上記のガスノズル４２のガスの吐出方向について、図中にＤ２として鎖線で示している。この鎖線はガスノズル４２の吐出口４３の中心を通過する直線として表している。従って、当該鎖線は投影領域Ｒ２の中心Ｐ２を通過するように引かれている。側面視における上記のガスの吐出方向Ｄ２とウエハＷの表面とがなす角度を、側面視ノズル角度θとして図４に示している。なお、表面が水平となるようにウエハＷはスピンチャック１１に載置されるので、当該側面視ノズル角度θは水平面とガスの吐出方向Ｄ２とがなす角度でもある。
ガスノズル４２から吐出されるエアの流量が一定であるとして、側面視ノズル角度θが小さいほどハンプＭ１をウエハＷの周端に向けて押圧する力を強くすることができる。ただし、側面視ノズル角度θが小さ過ぎると、ガスノズル４２とウエハＷとが接触してしまうリスクが大きくなる。その観点から、上記したように側面視ノズル角度θは２０°以上であることが好ましい。また、後述の評価試験で説明するように、側面視ノズル角度θを３０°あるいは６０°に設定したことで、ハンプＭ１を除去できたことが確認されている。従って、側面視ノズル角度θについては２０°～６０°とすることが好ましく、３０°～６０°とすることがより好ましい。
また平面視でのエアの吐出方向において、ガスノズル４２の投影領域Ｒ２の中心Ｐ２と、塗布膜Ｍの内周端との距離を膜離間距離Ｌ１とする。この膜離間距離Ｌ１については、塗布膜Ｍに作用するエアの圧力を十分高くする観点から、小さいほど好ましい。後述する評価試験で説明するように、膜離間距離Ｌ１について０ｍｍ以上、且つ５ｍｍより小さくすることが好ましく、０ｍｍ～３ｍｍとすることがより好ましい。なお、図４では膜離間距離Ｌ１が０ｍｍとなるように処理位置を設定した場合のガスノズル４２を実線で、膜離間距離Ｌ１が０ｍｍより大きくなるように処理位置を設定した場合のガスノズル４２を二点鎖線で夫々示している。
上記のウエハＷ上における塗布膜Ｍの内周端の位置については例えば予め試験を行うことで検出しておき、その内周端の位置と上記の膜離間距離Ｌ１とからガスノズル４２の投影領域Ｒ２の位置を設定すればよい。なお、塗布液ノズル４１から投影領域Ｒ１に吐出された塗布液の広がりによって、例えば塗布膜Ｍの内周端は当該投影領域Ｒ１よりも、若干ウエハＷの中心Ｐ寄りに位置する場合が有る（図３参照）。その場合は、当該ウエハＷの径方向における投影領域Ｒ１の中心Ｐ１の位置と、投影領域Ｒ２の中心Ｐ２の位置とを比較すると、例えば膜離間距離Ｌ１を０ｍｍとしても投影領域Ｒ２の方がウエハＷの中心Ｐ寄りに位置することになる。
続いて、投影領域Ｒ１と、投影領域Ｒ２とのウエハＷの回転方向の位置関係について述べると、図３に示すように投影領域Ｒ２は投影領域Ｒ１に対して回転方向の下流側に位置する。この回転方向の下流側について補足して述べておくと、ウエハＷの回転方向に見て、投影領域Ｒ１、Ｒ２との間には当該回転方向に沿った２つの円弧領域が位置することになるが、この２つの円弧領域のうち短い方の円弧領域を見た場合における回転方向の下流側である。さらに詳しく述べると、図３に示すように投影領域Ｒ１を基点としてウエハＷの回転方向に見れば投影領域Ｒ２が回転方向の下流側であり、投影領域Ｒ２を基点としてウエハＷの回転方向に見れば投影領域Ｒ１が回転方向の下流側である。このように基点の違いによって投影領域Ｒ１、Ｒ２の位置関係は異なるが、投影領域Ｒ１、Ｒ２との間における上記の円弧領域の長さを比較し、その比較結果から投影領域Ｒ１を基点とするということである。
上記したように、ハンプＭ１においては比較的速やかに乾燥が進行する。乾燥が進行してハンプＭ１が固化すると、このハンプＭ１を風圧によって崩して除去することができなくなってしまう。つまりハンプＭ１を除去するためには、エアが供給されるハンプＭ１がウエハＷに吐出された直後であって十分な流動性を有する塗布液によって構成されていることが求められる。それ故に、投影領域Ｒ２が投影領域Ｒ１に対して回転方向の下流側に位置する位置関係とする。
そしてエアの効果をより確実に得るためには、投影領域Ｒ１、Ｒ２の距離がより近いことが好ましい。ただし投影領域Ｒ２に吐出されたエアはその投影領域Ｒ２との衝突による衝撃で、当該ウエハＷ表面を拡散する。投影領域Ｒ１、Ｒ２間の距離が小さすぎると、塗布液ノズル４１から吐出される塗布液の液流が、上記のウエハＷ表面を拡散するエアによって煽られ、塗布膜Ｍの膜厚の均一性が低下するおそれが有る。従って、上記のエアによる塗布膜Ｍの高い押圧効果を得つつ、塗布液の液流の乱れをより確実に抑える観点から、ウエハＷの回転方向における投影領域Ｒ１、Ｒ２の離間距離Ｌ２については適切な値、具体的には例えば３０ｍｍ～１００ｍｍとすることが好ましい。
上記した回転方向における投影領域Ｒ１、Ｒ２の離間距離Ｌ２について補足しておく。図３に示すように、ウエハＷの中心Ｐから投影領域Ｒ２の中心Ｐ２を通過してウエハＷの周端へ向うように仮想の直線Ｌ３を引くとする。その一方で、ウエハＷの中心Ｐを中心とし、且つ投影領域Ｒ１の中心Ｐ１を通過する仮想の円Ｃ１を設定し、この円Ｃ１と直線Ｌ３との交点をＰ０とする。円Ｃ１のうち、投影領域Ｒ１の中心Ｐ１と交点Ｐ０との間の円弧の長さが、離間距離Ｌ２である。なお、以上に述べたように塗布液ノズル４１、ガスノズル４２のウエハＷの回転方向における位置は異なるが、図示の便宜上、図１ではこれらのノズルについて回転方向における位置が同じであってウエハＷの径方向に沿って並んでいるように示している。
以下、図５のウエハＷの平面図も参照して説明を続ける。平面視においてガスノズル４２によるガスの吐出方向Ｄ２は、ウエハＷの回転方向に倣う方向、即ちウエハＷの回転に逆らわない方向となるようにする。この回転方向に倣うことについても補足すると、エアが吐出される投影領域Ｒ２の中心Ｐ２はウエハＷが回転していることで等速円運動している。平面視で当該中心Ｐ２を基点とする速度ベクトルＶ１と、ガスの吐出方向Ｄ２とがなす角度θ３が鈍角である場合、ウエハＷの回転方向に倣ってガスが吐出されていることになる（図５参照）。このように吐出方向Ｄ２がウエハＷの回転方向に倣うことで、投影領域Ｒ２に吐出されるエアがウエハＷの回転に弾かれて周囲に飛散し、ウエハＷに供給されて当該ウエハＷの周端へと流れる液流を乱してしまうことを防ぐことができるため、塗布膜Ｍの膜厚の均一性の向上を図ることができる。
ところでガスノズル４２の投影領域Ｒ２の中心Ｐ２を通過し、ウエハＷの中心Ｐを中心とする仮想の円Ｃ２を設定する。この円Ｃ２は、投影領域Ｒ２の中心Ｐ２がウエハＷの回転によって描く軌跡である。この円Ｃ２についての当該Ｐ２における接線Ｔ２を引く。上記したようにガスの吐出方向Ｄ２が回転方向に倣うようにガスノズル４２を配置するにあたり、平面視における接線Ｔ２とガスの吐出方向Ｄ２とがなす角度を平面ガス吐出角度θ２とすると、当該平面ガス吐出角度θ２は例えば３０°～９０°である。
また、上記した塗布液ノズル４１の投影領域Ｒ１の中心Ｐ１を通過する円Ｃ１について、当該Ｐ１における接線Ｔ１を引く。平面視における接線Ｔ１と塗布液の吐出方向Ｄ１とがなす角度を平面液吐出角度θ１とする。本例では平面液吐出角度θ１、平面ガス吐出角度θ２は同じ大きさであり、例えば共に６０°である。なお、平面視での塗布液の吐出方向Ｄ１、ガスの吐出方向Ｄ２を互いに並行させることができる。このように吐出方向Ｄ１、Ｄ２が並行することで、ガスノズル４２からのガス流が、塗布液ノズル４１からの液流に近接することを防ぎ、上記の液流が乱れることをより確実に抑制できるために好ましい。
また、ガスノズル４２の下端とウエハＷの表面との高さ距離について、ノズル高さ距離Ｈとする（図４参照）。このノズル高さ距離Ｈについては、大き過ぎるとハンプＭ１へ作用するエアの圧力が低下してしまい、小さすぎるとガスノズル４２とウエハＷとが接触してしまうおそれが有る。このような観点と後述の評価試験の結果とから、ノズル高さ距離Ｈについては例えば１０ｍｍより小さくすることが好ましく、３ｍｍ～５ｍｍとすることがより好ましい。
さらに、そのハンプＭ１に作用するエアの圧力を十分に高くする観点と、後述の評価試験の結果とから、ガスノズル４２から吐出するエアの流量は１０Ｌ／分よりも大きく、例えば２０Ｌ／分以上とすることが好ましい。そして、そのハンプＭ１へ作用するエアの圧力を十分に高くすると共に、吐出口４３が小さすぎることによって圧力損失が大きくなりすぎることを防止する観点から、吐出口４３の口径（吐出口４３の直径）Ｌ０は、例えば０．５ｍｍ～２ｍｍとする。
また図１に示すように塗布膜形成装置１は、制御部１０を備えている。制御部１０はコンピュータにより構成されており、プログラムを備えている。プログラムには、後述する塗布膜形成装置１における一連の動作を実施することができるように、ステップ群が組み込まれている。そして、当該プログラムによって制御部１０は塗布膜形成装置１の各部に制御信号を出力し、当該各部の動作が制御される。具体的には回転機構１２によるスピンチャック１１の回転数、昇降機構１４によるピン１３の昇降、塗布液供給部４１Ａによる塗布液ノズル４１への塗布液の供給、ガス供給部４２Ａよるガスノズル４２へのエアの供給、移動機構３２による各ノズルの移動などの各動作が、上記の制御信号によって制御される。上記のプログラムは、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、ＤＶＤなどの記憶媒体に格納されて、制御部１０にインストールされる。
続いて塗布膜形成装置１によるウエハＷに対する処理動作について、ウエハＷ、塗布液ノズル４１及びガスノズル４２の各側面を示す図６～図８を参照して説明する。図６～図８でも図１と同様、塗布液ノズル４１、ガスノズル４２についてはウエハＷの回転方向における位置が同じでウエハＷの径方向に沿って並んでいるように示している。また、そのウエハＷの処理中、当該ウエハＷ表面で起きていると推定される塗布膜Ｍの状態変化について、図９～図１２を参照して説明する。この図９～図１２は塗布膜ＭについてウエハＷの径方向に沿った領域の縦断面を示しており、そのうちの図１０、図１１では塗布膜Ｍの表面について、乾燥が比較的大きく進行している部位を太線で表している。
先ず、既述したカップ２１の外側の待機位置にて塗布液ノズル４１及びガスノズル４２が待機した状態で、図示しない搬送機構によりカップ２１上にウエハＷが搬送される。ピン１３を介してウエハＷがスピンチャック１１上に載置されて保持される。そして、ウエハＷが例えば２５０ｒｐｍより低い回転数、具体的には例えば１００ｒｐｍで回転する。続いて、移動機構３２によって塗布液ノズル４１及びガスノズル４２が各々の処理位置へ移動すると、ガスノズル４２からエアの吐出が開始され、ウエハＷの表面の周縁部において当該ウエハＷの周端へ向う気流が形成される（図６）。
エアの吐出の開始時からウエハＷが１回以上、例えば複数回回転することで、ウエハＷの周縁部全体にエアが供給され、当該周縁部の各部における温度が揃う。続いて、塗布液ノズル４１から既述したウエハＷの投影領域Ｒ１へ塗布液が吐出される（図９）。この塗布液が、ウエハＷの回転による遠心力と、塗布液ノズル４１からの吐出の勢いとによって、ウエハＷの周端へ向けて流れて塗布膜Ｍが形成され（図７）、この塗布膜Ｍの内周端にハンプＭ１が形成される。なお、塗布液ノズル４１から吐出される塗布液の液流を、各図中４０として表示している。上記したように塗布液はウエハＷの中心Ｐ寄りには移動し難く、従ってハンプＭ１について、ウエハＷの中心Ｐに向う側面（即ち、塗布膜Ｍの内周端面）については、塗布液の流れが起こりにくいことで、比較的乾燥が速やかに進行する（図１０）。
ウエハＷの回転により、ハンプＭ１がエアの吐出がなされている位置付近（既述した投影領域Ｒ２付近）に移動することで、ハンプＭ１がエアの気流に曝され、当該ハンプＭ１にウエハＷの周端へ向かう風圧が作用する。この風圧により、乾燥が進行していたハンプＭ１の側面が上下に割れると共に、ハンプＭ１の上部側が下部側に対してウエハＷの周端側へ向けてずれるように移動する。ウエハＷの周端側へ移動するハンプＭ１の上部側は、このエアの吐出時には塗布膜Ｍの流動性が担保されている状態であるため、元の高さから下方に沈むように移動する（図１１）。
以上のように風圧によってハンプＭ１は上下に分かれるように崩され、分かれた夫々がウエハＷの径方向に異なる位置に突部を形成することになるが、これらの突部は元のハンプＭ１の高さよりも小さい。従って、塗布膜Ｍについては径方向における高さが均されることになる。
塗布膜Ｍについてこのように径方向についての高さが均された領域は、ウエハＷの回転によってエアの吐出がなされる位置から遠ざかり、その領域中の各部で乾燥、固化が進行する（図１２）。ウエハＷの回転、ウエハＷへの塗布液及びエアの吐出が続けられることで、既述した塗布膜Ｍの形成と、塗布膜Ｍの形成に伴って生じるハンプＭ１の除去（具体的にはハンプＭ１の崩壊）とが、ウエハＷの回転方向に異なる位置で並行して行われる。
そして、塗布液の吐出開始からウエハＷが１回転することで塗布液がウエハＷの全周に亘って供給され、ウエハＷの周縁部全体を被覆する環状の塗布膜Ｍが形成されると、塗布液ノズル４１からの塗布液の吐出が停止する（図８）。その塗布液の吐出を停止したときにウエハＷにおいて投影領域Ｒ１に位置していた領域が投影領域Ｒ２付近に移動してエアの作用を受けた後、つまりウエハＷの周全体でハンプＭ１の除去が完了した後で、ガスノズル４２からのエアの吐出が停止する。塗布膜Ｍの乾燥が進行して所望の膜厚になるとウエハＷの回転が停止する。その後、スピンチャック１１への受け渡しとは逆の動作で図示しない搬送機構に受け渡され、塗布膜形成装置１から搬出される。
このように塗布膜形成装置１によれば、ハンプＭ１の形成が抑制されるので塗布膜Ｍについて、径方向においての高さの均一性を高くすることができる。従って、このハンプＭ１が形成されることによる、塗布膜Ｍを形成した後の後工程でのウエハＷに対する処理の不具合の発生を抑制することができる。その結果として、ウエハＷから製造される半導体製品の歩留りの低下を防止することができる。
上記の後工程の不具合について、具体例を挙げて説明する。塗布膜Ｍの種類としては特に制限は無いが、この具体例を説明するにあたって下層膜、パターンが形成されたレジスト膜が上方に向けて順に形成されたウエハＷに形成される膜であるものとする。さらに詳しく述べると、ウエハＷの周縁部にはレジスト膜が形成されておらず、塗布膜Ｍはその周縁部において下層膜を被覆し、レジスト膜を囲むように形成されている。そして、塗布膜Ｍは、レジスト膜のパターンに沿って下層膜をドライエッチングして当該下層膜にパターンを転写する際に、下層膜の周縁部のエッチングを防止する保護膜の役割を有するものとする。
下層膜と共に塗布膜Ｍもエッチングされるものとし、エッチング終了時において塗布膜Ｍは全て除去することを図って当該エッチングの処理条件を設定したとする。しかし、ハンプＭ１が形成されていると、このハンプＭ１がエッチング後に下層膜上の残渣となってしまうことが考えられる。つまり、塗布膜ＭにおいてハンプＭ１をなす部位は他の部位に比べて膜厚が大きいため、エッチングにより除去されきれず、残ってしまうおそれがある。この塗布膜Ｍの残渣がパーティクルとなって下層膜に形成されたパターンに付着することで上記した歩留りの低下を招くことが考えられるが、塗布膜形成装置１によればハンプＭ１が形成されないように塗布膜Ｍを形成することができるので、当該残渣に起因する歩留りの低下を防止することができる。
ところで上記の処理例では、塗布液ノズル４１による塗布液の吐出の開始前からガスノズル４２からウエハＷへのエアの供給が開始されることで、ウエハＷの周縁部における各部の温度が揃えられている。そのために塗布液の供給後、周縁部の各部で均一性高く塗布液の乾燥が進行するため、膜厚のばらつきが抑制されるので好ましい。また、上記したように塗布液の塗布液及びエアをウエハＷに吐出する際にウエハＷの回転数を２５０ｒｐｍよりも低い回転数としているのは、後の評価試験でも述べるようにウエハＷの回転数が大きすぎるとハンプＭ１の乾燥が速やかに進行してしまうためである。つまり、このような回転数とすることは、ハンプＭ１の乾燥を抑えて確実性高くハンプＭ１を除去することができるため好ましい。
なお上記の処理例では、塗布液がウエハＷの周縁部に一回のみ塗布される、即ち重ね塗りされないように述べたが重ね塗りされてもよく、その場合であってもハンプＭ１を除去することができる。
続いて、塗布膜形成装置１の変型例である塗布膜形成装置５について、塗布膜形成装置１との差異点を中心に、図１３を参照して説明する。塗布膜形成装置５では塗布液ノズル４１が設けられる支持体３３には副腕部３５及びガスノズル４２が設けられておらず、支持体３３は腕部３４のみにより構成されている。塗布膜形成装置５では、ガイド３１、移動機構３２、腕部３４と夫々同様に構成されたガイド５１、移動機構５２、腕部５４が設けられており、この腕部５４の先端にガスノズル４２が設けられており、移動機構５２により、ガスノズル４２は左右方向における水平移動及び昇降移動が可能である。従って、塗布膜形成装置５では塗布液ノズル４１と、ガスノズル４２とが互いに異なる移動機構３２、５２に夫々接続されており、互いに独立して移動することができる。この塗布膜形成装置５において、移動機構３２は第１移動機構、移動機構５２は第２移動機構に夫々相当する。
この塗布膜形成装置５によるウエハＷの処理例について、図１４を参照して説明する。この処理例では塗布液ノズル４１について、塗布膜形成装置１で処理位置として述べた位置以外の位置でも塗布液の吐出が行われる。先ず、塗布膜形成装置１と同様に処理位置におけるガスノズル４２から回転するウエハＷにエアを吐出する。続いて、塗布液ノズル４１から塗布液の吐出を開始する。ただし吐出開始時の塗布液ノズル４１の位置は図１４に実線で示すように既述した処理位置から水平方向に離れた位置であり、塗布液はウエハＷの外側に吐出される。なお、処理位置については図中に鎖線で表示している。
そして、塗布液を吐出した状態の塗布液ノズル４１を処理位置へ向けて水平に移動させる。この移動により、当該塗布液ノズル４１のウエハＷへの投影領域Ｒ１についてはウエハＷの周端からウエハＷの径方向に沿ってウエハＷの中心Ｐ側へ向けて移動する。そして、塗布液ノズル４１が処理位置に移動したら塗布液ノズル４１を静止させ、ウエハＷの周全体に塗布膜Ｒが形成されたら、塗布液の吐出を停止させる。以上のように塗布液ノズル４１によって成膜を行うにあたり、ガスノズル４２は塗布液の吐出中において静止させたままとしてもよいし、移動する期間が含まれていてもよい。
なお、この塗布膜形成装置５のように塗布液ノズル４１がガスノズル４２とは独立して移動可能な装置構成とした場合であっても、図６～図８で説明したように塗布液の吐出中は、塗布液ノズル４１が処理位置で静止するように処理を行ってもよい。ただし、その場合は塗布膜形成装置１の構成とすることが、装置構成が簡素であるという点で有利である。
ガスノズルとしては、上記のガスノズル４２のように円形の吐出口４３を備える構成とすることには限られない。図１５では塗布膜形成装置１において、ガスノズル４２の代わりにガスノズル６１を設けた例を示している。ガスノズル６１は角型のブロック状に形成されており、その内部に上方から下方へ向うエアの流路６２が形成されている。流路６２は処理位置におけるガスノズル６１において、ウエハＷの中心Ｐ側から周端側に向かうように斜めに形成されている。そして、ガスノズル６１の下端面６３はウエハＷに対向し、この下端面６３には流路６２の下流端をなす吐出口６４が開口している。この吐出口６４は平面視で円弧状のスリットである。
以下、ウエハＷの平面図である図１６を用いて、処理位置に配置されたガスノズル６１とウエハＷに形成される塗布膜Ｍとの位置関係を説明する。吐出口６４が円弧状であるため、当該吐出口６４についてエアの吐出方向に向けたウエハＷへの投影領域Ｒ３に関しても円弧状である。この投影領域Ｒ３の円弧は、図１６に示すように塗布膜Ｍの内周端に沿っている。つまり上記の吐出口６４は、当該内周端に沿うように形成されている。そのように吐出口６４が形成されることで、ウエハＷにおいてハンプＭ１をエアにより押圧可能な範囲が比較的大きくなるので、当該ハンプＭ１について確実性高く除去することができる。
図１６中、投影領域Ｒ３の幅中心Ｐ３について、点線で表示している。図３、図４において膜離間距離Ｌ１について説明したが、図１６に示すように塗布膜Ｍの内周端に沿って吐出口６４を形成した場合は、投影領域Ｒ３の幅中心Ｐ３の長さ方向の各部と塗布膜Ｍとの間の平面視でのエアの吐出方向における距離を、当該膜離間距離Ｌ１として述べた距離とすればよい。
図１７においては吐出口６４について、塗布膜Ｍの内周端に沿った曲線状とする代わりに直線状のスリットとした例を示している。このように吐出口６４を形成した場合は、投影領域Ｒ３の幅中心Ｐ３の長さ方向における各部毎に、平面視でのエア吐出方向における塗布膜Ｍとの内周端との距離が互いに異なる。そのように幅中心Ｐ３の各部と塗布膜Ｍの内周端との距離が異なる場合は、その各部のうちの一部が膜離間距離Ｌ１として説明した範囲内に収まれば、ハンプＭ１に十分な風圧を作用させることができるので好ましい。なお、幅中心Ｐ３の長さ方向における全体が膜離間距離Ｌ１として説明した範囲内に収まれば、ハンプＭ１に対して風圧をより確実に作用させることができるため、より好ましい。
なお吐出口６４について、塗布膜Ｍの内周端に沿わない曲線状のスリットとしてもよい。その場合における当該塗布膜Ｍの内周端と投影領域Ｒ３の幅中心Ｐ３との位置関係についても、図１７のように吐出口６４を直線状のスリットとした場合における塗布膜Ｍの内周端と投影領域Ｒ３の幅中心Ｐ３との位置関係と同様のことが言える。つまり、幅中心Ｐ３のうちの少なくとも一部が膜離間距離Ｌ１として説明した範囲内に収まるようにすることが好ましい。
ところで、各ガスノズルについてウエハＷの中心側から周端側に向けてエアを吐出する構成を備えるものとして説明したが、鉛直下方にエアを吐出してもよい。つまり、図４で示した側面視ノズル角度θは９０°であってもよい。ウエハＷの処理中にカップ２１内は排気されているため、鉛直方向に吐出されたエアは、ウエハＷの表面をウエハＷの外周へ向けて流れる。従って、上記したようにハンプＭ１にこのエアの風圧を作用させることができる。しかし、より確実にエアの効果を得るためには、ガスノズルについてはウエハＷの中心側から周端側に向けてエアを吐出する構成とすることが好ましい。
また、既述した実施形態ではウエハＷへの塗布液の吐出を行う期間と、ウエハＷへのエアの吐出を行う期間とが重なるが、ハンプＭ１が流動性を持った状態でエアが供給されればよいため、使用する塗布液の性質によっては塗布液の吐出終了後にエアの吐出を開始してもよい。つまり、塗布液の吐出期間とエアの吐出期間とは重ならないようにしてもよい。ただし、より確実にハンプＭ１を除去するためにはこれらの吐出期間が重なるようにすることが好ましく、そのように吐出期間を重ねた上でガスの吐出開始のタイミングを、塗布液の吐出開始のタイミングよりも早くすることがより好ましい。
また、ウエハＷに吐出するガスとしてはエアであることに限られず、例えば窒素ガスなどの不活性ガスを用いてもよい。また、ガス供給部４２Ａにヒーターや冷却機構などを設け、常温に対して高い温度あるいは低い温度のガスをガスノズル４２に供給してもよい。
そして、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び組み合わせがなされてもよい。
〔評価試験〕
続いて、本技術に関連した評価試験について説明する。
・評価試験１
評価試験１－１～１－５としてウエハＷに塗布膜Ｍを形成した。この処理は、塗布膜形成装置１と同様の構成の試験装置を用いた。従ってガスノズルとしては、既述したガスノズル４２が用いられている。そして塗布膜を形成したウエハＷについて、触針式段差計を用いて、径方向に沿った各位置の塗布膜Ｍの膜厚を測定した。この測定についてより詳しく述べると、上下動可能な針の先端（下端）をウエハＷの表面に当接させた。そして、この針をウエハＷの径方向に沿って、当該ウエハＷの周端へ向けて移動させた。この径方向に移動中の針の上下動を検出することで膜厚を測定した。評価試験１－１～１－５間では、塗布液及びエアの吐出中のウエハＷの回転数、ガスノズル４２から吐出するエアの流量、エアの吐出を開始するタイミングの組み合わせについて異なる。
評価試験１－１としては、ウエハＷの回転数を１００ｒｐｍとしてウエハＷに塗布液及びエアを吐出して処理を行った。エアの吐出開始は、塗布膜ＭをウエハＷの全周に形成してから数秒遅れた時点とした。吐出されるエアの流量は、４０Ｌ／分とした。なおこの流量は、風速として７ｍ／秒に相当する。
評価試験１－２としては、ウエハＷの回転数を１００ｒｐｍとしてウエハＷに塗布液及びエアを吐出して処理を行った。エアの吐出開始時点は、実施形態と同様に、塗布液の吐出開始時点よりも早いタイミングとした。そして、ガスノズル４２から吐出されるエアの流量は、評価試験１－１と同じく４０Ｌ／分とした。
評価試験１－３としては、エアの流量を３０Ｌ／分とした。この流量は、風速として１０ｍ／秒に相当する。また、評価試験１－４として、エアの流量を２０Ｌ／分とした。この流量は、風速として７ｍ／秒に相当する。エアの流量が異なることを除いて、評価試験１－３、１－４は、評価試験１－２と同じ処理条件である。評価試験１－５としては、ウエハＷの回転数を２５０ｒｐｍとした他は、評価試験１－３と同様に処理を行った。なお、評価試験１－１～１－５では、図３、図４で説明した膜離間距離Ｌ１は、０ｍｍに設定した。
図１８は、評価試験１の結果を示すグラフ図である。図１８のグラフでは、評価試験１－１、１－２、１－３、１－４、１－５の結果を細い実線、点線、一点鎖線、二点鎖線、太い実線で夫々示している。グラフの横軸については、ウエハＷの中心Ｐから所定の距離だけ離れた位置を０ｍｍとし、その０ｍｍとした位置からウエハＷの径方向に沿ってウエハＷの周端に向った距離（単位：ｍｍ）を示している。以下、当該距離を径方向の位置として表記する。そして、グラフの縦軸については、塗布膜Ｍが形成されていないウエハＷの表面の高さを０ｍｍとして、塗布膜Ｍの表面の高さ（単位：μｍ）を示している。このようにグラフの横軸及び縦軸を設定しているので、グラフの波形はウエハＷの径方向に沿った塗布膜Ｍの形状を表していることになる。なお、この評価試験２以降の試験で示す、図１９以降に説明する各図のグラフについても、縦軸及び横軸を評価試験１の図１８のグラフの縦軸及び横軸と同様に設定しているため、波形によって塗布膜Ｍの形状が表される。
評価試験１－１のグラフの波形では、径方向の位置が０．５ｍｍ付近の位置に３μｍ程度の比較的大きなピークが示されており、ハンプＭ１を除去することができなかったことが確認された。評価試験１－２～１－５については当該、径方向の位置が０．５ｍｍ～０．５ｍｍよりも若干大きい範囲内に１段目のピーク及び２段目のピークが見られる。２段目のピークは、１段目のピークよりもウエハＷの周端寄りに現れたピークである。これらの各段のピークは、図１１で述べたようにハンプＭ１が崩壊することで生じた膜の突部を示していると考えられる。評価試験１－２～１－５の各々における１段目のピーク及び２段目のピークは、評価試験１－１における波形のピークよりも小さく、１．３μｍ以下である。従って、評価試験１－２～１－５では、エアの吐出によってハンプＭ１を除去することができたことが確認された。
また、この評価試験１－１～１－５の結果から、乾燥が進行する前の塗布膜Ｍにエアを吐出することがハンプＭ１を除去するために必要であることが分かる。従って、実施形態として示した塗布液の吐出前からウエハＷへのエアの吐出を開始することは、ハンプＭ１の除去の確実性を高めるために好ましい。
また、評価試験１－２～１－４の結果と、評価試験１－５の結果とを比較すると、回転数を１００ｒｐｍとした評価試験１－２～１－４では、回転数を２５０ｒｐｍとした評価試験１－５に比べて１段目のピークが小さい。これは実施形態でも述べたように、評価試験１－２～１－４ではウエハＷの回転数が比較的低いことにより、塗布膜Ｍの内周端の乾燥が抑制されたため、エアによる押圧の効果がより大きく得られたためであると考えられる。従って、以上の試験結果から、実施形態でも述べたようにウエハＷの回転数は２５０ｒｐｍよりも小さくすると好ましく、１００ｒｐｍ以下とするとより好ましい。
そして評価試験１－２～１－４間で結果を比較すると、評価試験１－４、１－３、１－２の順で２段目のピークが小さい。つまり、エアの流量が大きいほど２段目のピークが小さい。従って、エアの流量としては２０ｍＬ／分以上とすることが好ましく、その範囲の中でより大きい流量とすることがより好ましいことが分かる。
・評価試験２
評価試験１と同様に、試験装置を用いてウエハＷに塗布膜Ｍを形成して塗布膜Ｍの膜厚を測定した。この評価試験２では、図４等で述べた膜離間距離Ｌ１についてウエハＷ毎に異なる値に設定して塗布膜Ｍを形成した。評価試験２－１、２－２、２－３として、膜離間距離Ｌ１を０ｍｍ、３ｍｍ、５ｍｍに夫々設定した。これら評価試験２－１～２－３では、図４で説明したノズル高さ距離Ｈは５ｍｍ、側面視ノズル角度θは６０°とした。
評価試験２－１、２－２、２－３の結果について、図１９のグラフに鎖線、点線、実線で夫々示している。評価試験２－３では、径方向の位置が０．５ｍｍ付近の位置にて、３μｍ程度の比較的大きなピークが示されたが、評価試験２－１、２－２ではそのような大きなピークが見られない。従って、評価試験２－３ではハンプＭ１を除去することができなかったが、評価試験２－１、２－２ではハンプＭ１を除去することができたことが確認された。この評価試験２の結果から、膜離間距離Ｌ１は５ｍｍより小さい値にすることが好ましく、０ｍｍ～３ｍｍとすることがより好ましいことが分かる。
・評価試験３
評価試験１と同様に、試験装置を用いてウエハＷに塗布膜Ｍを形成して塗布膜Ｍの膜厚を測定した。この評価試験３では、ノズル高さ距離ＨについてウエハＷ毎に異なる値に設定して塗布膜Ｍを形成した。評価試験３－１、３－２、３－３として、ノズル高さ距離Ｈを３ｍｍ、５ｍｍ、１０ｍｍに夫々設定した。これら評価試験３－１～３－３では、上記した膜離間距離Ｌ１を０ｍｍ、側面視ノズル角度θを６０°に設定した。
評価試験３－１、３－２、３－３の結果について、図２０のグラフに鎖線、点線、実線で夫々示している。グラフの波形から明らかなように、評価試験３－３では径方向の位置が０．５ｍｍ付近において１段目のピーク及び２段目のピークが見られ、２段目のピークについては１．５μｍ以上と、比較的大きかった。しかし、評価試験３－１、３－２ではそのような大きなピークが確認されていない。従って、評価試験３－１、３－２では図１１で説明したようにハンプＭ１が崩壊したと考えられ、そして、その崩壊によって生じた膜の突部の高さも抑制できていることが確認された。このように評価試験３の結果から、ノズル高さ距離Ｈは１０ｍｍより小さい値にすることが好ましく、３ｍｍ～５ｍｍとすることがより好ましいことが分かる。
・評価試験４
評価試験１と同様に、試験装置を用いてウエハＷに塗布膜Ｍを形成して塗布膜Ｍの膜厚を測定した。この評価試験４では、側面視ノズル角度θについて、ウエハＷ毎に異なる値に設定して塗布膜Ｍを形成した。評価試験４－１、４－２として、当該側面視ノズル角度θを６０°、３０°に夫々設定した。これら評価試験４－１～４―２では、上記した膜離間距離Ｌ１は０ｍｍ、ノズル高さ距離Ｈは３ｍｍとした。
評価試験４－１、４－２の結果について、図２１のグラフに実線、点線で夫々示している。グラフの波形から明らかなように、評価試験４－１、４－２共にハンプＭ１の存在が示されず、除去されたと考えられる。このように評価試験４の結果から、側面視ノズル角度θを３０°～６０°とした場合にはハンプＭ１を除去可能であるために好ましいということが示された。
・評価試験５
評価試験１と同様に、試験装置を用いてウエハＷに塗布膜Ｍを形成して塗布膜Ｍの膜厚を測定した。この評価試験５では、ガスノズル４２に供給されるエアの温度について、ウエハＷ毎に異なる値に設定して塗布膜Ｍを形成した。評価試験５－１、５－２、５－３として、当該温度を２４℃、２０℃、１６℃に夫々設定した。なお、２４℃は当試験が行われる部屋の室温と同じである。これら評価試験５－１～５―３では、上記した膜離間距離Ｌ１を０ｍｍ、ノズル高さ距離Ｈを３ｍｍ、吐出するエアの流量を２０Ｌ／分に設定した。
評価試験５－１、５－２、５－３の結果について、図２２のグラフに鎖線、点線、実線で夫々示している。グラフの波形から明らかなように、評価試験５－１～５－３についていずれもハンプＭ１の存在が示されず、除去されたと考えられる。従って、１６℃～２４℃の範囲においてエアの温度がハンプＭ１の除去性に与える影響は小さく、当該１６℃～２４℃は使用するエアの温度として好ましいことが示された。
・評価試験６
評価試験１と同様に、試験装置を用いてウエハＷに塗布膜Ｍを形成して塗布膜Ｍの膜厚を測定した。この評価試験６では、吐出するエアの流量について、ウエハＷ毎に異なる値に設定して塗布膜Ｍを形成した。評価試験６－１、６－２、６－３として、当該流量を３０ｍＬ／分、２０ｍＬ／分、１０ｍＬ／分に夫々設定した。これら評価試験６－１～６―３では、上記した膜離間距離Ｌ１を０ｍｍ、ノズル高さ距離Ｈを３ｍｍ、吐出するエアの温度を１６℃に設定した。
評価試験６－１、６－２、６－３の結果について、図２３のグラフに実線、点線、鎖線で夫々示している。グラフの波形から明らかなように、評価試験６－３では径方向の位置が０．５ｍｍ付近に１段目のピーク及び２段目のピークが見られ、２段目のピークの高さが１μｍ以上と比較的大きかった。しかし評価試験６－１、６－２ではそのような大きなピークは見られず、ピークの高さは０．５μｍ以下であった。従って、評価試験３－１、３－２では図１１で説明したようにハンプＭ１が崩壊したと考えられ、その崩壊によって生じた膜の突部の高さも抑制できていることが確認された。このように評価試験６の結果から、吐出するエアの流量は１０Ｌ／分より大きくすることが好ましく、２０Ｌ／分とすることがより好ましいことが分かる。
Ｗ　　　　ウエハ
Ｒ１　　　投影領域
Ｒ２　　　投影領域
４１　　　塗布液ノズル
４２　　　ガスノズル

 

Claims (16)

  1. 基板を保持して回転させる回転保持部と、
    回転する前記基板の周縁部の第１位置に塗布液を吐出して当該基板の周に沿った環状の塗布膜を形成する塗布液ノズルと、
    回転する前記基板において前記第１位置よりも当該基板の回転中心寄りで当該基板の回転方向の下流側の第２位置にガスを吐出し、当該第２位置から前記基板の周端に向う前記ガスの流れによって前記塗布膜を整形するために設けられるガスノズルと、
    を備える塗布膜形成装置。
  2. 前記塗布液ノズルについて、前記第１位置に前記塗布液を吐出する前記基板の上方である第１処理位置と、平面視で前記基板の外側である第１待機位置と、の間で移動させ、且つ、
    前記ガスノズルについて、前記第２位置に前記塗布液を吐出する前記基板の上方である第２処理位置と、平面視で前記基板の外側である第２待機位置と、の間で移動させる移動機構が設けられる請求項１記載の塗布膜形成装置。
  3. 前記移動機構は、前記塗布液ノズル及び前記ガスノズルに共通の移動機構である請求項２記載の塗布膜形成装置。
  4. 前記移動機構は、前記塗布液ノズルを移動させる第１移動機構と、
    前記塗布液ノズルとは独立して前記ガスノズルを移動させる第２移動機構と、を備える請求項２記載の塗布膜形成装置。
  5. 前記ガスの吐出時における前記ガスノズルの前記基板の表面に対する高さは、１ｍｍ～５ｍｍである請求項２記載の塗布膜形成装置。
  6. 前記ガスノズルは、前記基板の中心側から周端側へ向かうように前記ガスを前記第２位置に吐出する請求項１記載の塗布膜形成装置。
  7. 前記基板の表面と前記ガスノズルによるガスの吐出方向とが側面視でなす角度は６０°以下である請求項６記載の塗布膜形成装置。
  8. 前記ガスノズルは、平面視で前記基板の回転方向に倣う方向へ前記ガスを吐出する請求項１記載の塗布膜形成装置。
  9. 平面視での前記基板の回転による前記第２位置の中心の軌跡がなす円に対して引いた接線と、前記ガスノズルのガスの吐出方向とがなす角度は、３０°～９０°である請求項８記載の塗布膜形成装置。
  10. 前記基板の回転方向における前記第１位置と前記第２位置との距離は、３０ｍｍ～１００ｍｍである請求項１記載の塗布膜形成装置。
  11. 平面視での前記ガスの吐出方向において、前記第２位置の中心と前記塗布膜の内周端との距離は０ｍｍ～３ｍｍである請求項１記載の塗布膜形成装置。
  12. 前記塗布液ノズルから前記第１位置へ前記塗布液を吐出する期間と、前記ガスノズルから前記第２位置へのガスを吐出する期間と、が重なる請求項１記載の塗布膜形成装置。
  13. 前記ガスノズルから前記第２位置への前記ガスの吐出は、前記塗布液ノズルから前記第１位置への前記塗布液の吐出の開始前に開始される請求項１２記載の塗布膜形成装置。
  14. 前記ガスノズルの吐出口の口径は、０．５ｍｍ～２ｍｍである請求項１記載の塗布膜形成装置。
  15. 回転保持部により基板を保持して回転させる工程と、
    回転する前記基板の周縁部の第１位置に、塗布液ノズルから塗布液を吐出して当該基板の周に沿った環状の塗布膜を形成する工程と、
    回転する前記基板において前記第１位置よりも当該基板の回転中心寄りで当該基板の回転方向の下流側の第２位置にガスノズルからガスを吐出する工程と、
    当該第２位置から前記基板の周端に向う前記ガスの流れによって前記塗布膜を整形する工程と、
    を備える塗布膜形成方法。
  16. 塗布膜形成装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項１５に記載された塗布膜形成方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

     
PCT/JP2023/000457 2022-01-24 2023-01-11 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体 WO2023140155A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202380017360.XA CN118556278A (zh) 2022-01-24 2023-01-11 涂布膜形成装置、涂布膜形成方法以及存储介质
KR1020247027344A KR20240135825A (ko) 2022-01-24 2023-01-11 도포막 형성 장치, 도포막 형성 방법 및 기억 매체
JP2023575211A JPWO2023140155A1 (ja) 2022-01-24 2023-01-11

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022008914 2022-01-24
JP2022-008914 2022-01-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023140155A1 true WO2023140155A1 (ja) 2023-07-27

Family

ID=87348810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/000457 WO2023140155A1 (ja) 2022-01-24 2023-01-11 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2023140155A1 (ja)
KR (1) KR20240135825A (ja)
CN (1) CN118556278A (ja)
TW (1) TW202342179A (ja)
WO (1) WO2023140155A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009212132A (ja) * 2008-02-29 2009-09-17 Nikon Corp 基板、基板の処理方法及び処理装置、基板の処理システム、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2016107272A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2020047855A (ja) * 2018-09-20 2020-03-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009212132A (ja) * 2008-02-29 2009-09-17 Nikon Corp 基板、基板の処理方法及び処理装置、基板の処理システム、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2016107272A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2020047855A (ja) * 2018-09-20 2020-03-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN118556278A (zh) 2024-08-27
KR20240135825A (ko) 2024-09-12
TW202342179A (zh) 2023-11-01
JPWO2023140155A1 (ja) 2023-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9972512B2 (en) Liquid processing method, memory medium and liquid processing apparatus
US9613836B2 (en) Coating film forming apparatus, coating film forming method, and recording medium
US10134610B2 (en) Substrate processing method for drying a substrate by discharging gas to liquid layer on the substrate while rotating the substrate
WO2008041625A1 (fr) Appareil de revêtement en film
TWI845543B (zh) 塗布膜形成方法及塗布膜形成裝置
JP2018121045A (ja) 塗布膜除去装置、塗布膜除去方法及び記憶媒体
US9805957B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and computer-readable storage medium recording therein substrate processing program
JP6780330B2 (ja) 塗布膜除去装置、塗布膜除去方法及び記憶媒体
WO2023140155A1 (ja) 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体
KR102607485B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
US10840083B2 (en) Substrate cleaning method, method for creating substrate cleaning recipe, and device for creating substrate cleaning recipe
US5688555A (en) Gas barrier during edge rinse of SOG coating process to prevent SOG hump formation
JP2024133317A (ja) 基板の下面に対するガス整流部材
US20200096867A1 (en) Edge bead removal system and method of treating a substrate
JP6569574B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20230219116A1 (en) Coating film forming method, coating film forming apparatus, and storage medium
TWI762188B (zh) 製造半導體裝置的方法與製程設備
JP7202901B2 (ja) 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置
TWI686243B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP7202960B2 (ja) 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置
JP2022062395A (ja) 液処理装置及び洗浄方法
JP2024059806A (ja) 塗布処理装置
KR20240139212A (ko) 기판 처리 장치
JPH09260276A (ja) 塗布方法および塗布装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23743150

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2023575211

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202380017360.X

Country of ref document: CN

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20247027344

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE