JP2007288108A - デバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】材料層に欠陥が生じることに起因する露光不良の発生を抑制し、基板を良好に露光できる露光工程を含むデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】デバイス製造方法は、基板上に露光光を照射して基板を露光する工程を含み、基板の基材上にＨＭＤＳ層を形成した後、ＨＭＤＳ層上に反射防止層を形成する工程を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板を露光する工程を含むデバイス製造方法に関する。

フォトリソグラフィ工程において、下記特許文献に開示されているような、液体を介して基板を露光する液浸露光方法が案出されている。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

露光される基板は、例えば半導体ウエハ等の基材とその基材上に形成される感光材層及び反射防止層等の材料層とを含む。材料層に欠陥が生じた場合、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。そのため、材料層に欠陥が生じることを抑制する必要がある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、材料層の欠陥等に起因する露光不良の発生を抑制し、基板を良好に露光できる露光工程を含むデバイス製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。

本発明の第１の態様に従えば、基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する工程を含むデバイス製造方法において、基板（Ｐ）の基材（Ｗ）上にＨＭＤＳ層（Ｂｈ）を形成した後、ＨＭＤＳ層（Ｂｈ）上に反射防止層（Ｂａ）を形成する工程を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第１の態様によれば、露光不良の発生を抑制してデバイスを製造することができる。

本発明の第２の態様に従えば、基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する工程を含むデバイス製造方法において、基板（Ｐ）の基材（Ｗ）上に第１反射防止層（Ｂａ１）を形成する第１工程（ＳＡ０）と、第１工程（ＳＡ０）で形成した第１反射防止層（Ｂａ１）上にＨＭＤＳ層（Ｂｈ）を形成する第２工程（ＳＡ１）と、第２工程（ＳＡ１）で形成したＨＭＤＳ層（Ｂｈ）上に第１反射防止層（Ｂａ１）とは異なる第２反射防止層（Ｂａ２）を形成する第３工程（ＳＡ２’）と、第３工程（ＳＡ２’）で形成した第２反射防止層（Ｂａ２）上に所定の材料層（Ｒｇ、Ｔｃ）を形成する第４工程（ＳＡ３、ＳＡ４）と、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第２の態様によれば、露光不良の発生を抑制してデバイスを製造することができる。

本発明によれば、露光不良の発生を抑え、基板を良好に露光することができ、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを備えたデバイス製造システムＳＹＳを示す図である。図１において、デバイス製造システムＳＹＳは、露光装置ＥＸと、露光装置ＥＸに接続されたコータ・デベロッパ装置ＣＤとを備えている。

露光装置ＥＸは、デバイスを製造するためのパターンを有するマスクＭを保持して移動可能なマスクステージ３と、基板Ｐを保持する基板ホルダ４Ｈを有し、基板ホルダ４Ｈに基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ４と、マスクステージ３に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。なお、ここでいうマスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たすノズル部材７１を備えている。ノズル部材７１は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い最終光学素子ＦＬの下面と、基板Ｐの表面との間の露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たす。ノズル部材７１は、投影光学系ＰＬの投影領域を含む基板Ｐ上の一部の領域に、投影領域よりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する。なお、ノズル部材７１は、液浸領域ＬＲを、基板Ｐ上だけでなく例えば基板ステージ４の一部等にも形成可能である。本実施形態では、液体ＬＱとして水（純水）を用いる。

コータ・デベロッパ装置ＣＤは、露光処理される前の基板Ｐの基材上に感光材（フォトレジスト）等を塗布するコーティング装置（不図示）、及び露光処理された後の基板Ｐを現像するデベロッパ装置（不図示）を含む。露光装置ＥＸとコータ・デベロッパ装置ＣＤとはインターフェースＩＦを介して接続されており、基板Ｐは不図示の搬送装置により、露光装置ＥＸとコータ・デベロッパ装置ＣＤとの間でインターフェースＩＦを介して搬送可能である。

また、本実施形態においては、コータ・デベロッパ装置ＣＤは、基板Ｐ上にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の層を形成可能な処理装置８０を備えている。処理装置８０は、密閉室８１と、密閉室８１の内部に設けられ、基板Ｐを保持する保持装置８２と、ガス状のＨＭＤＳを密閉室８１の内部に供給するガス供給装置８３とを備えている。保持装置８２は、保持した基板Ｐを加熱可能である。処理装置８０は、保持装置８２で保持した基板Ｐを加熱した状態で、ガス供給装置８３よりガス状のＨＭＤＳを密閉室８１の内部に供給する。これにより、基板Ｐの表面とガス状のＨＭＤＳとが接触し、基板Ｐの表面にＨＭＤＳの層が形成される。図１に示すように、本実施形態においては、保持装置８２は、基板Ｐの下面側に所定の空間が形成されるように基板Ｐを保持し、基板Ｐの上面、側面、及び下面のそれぞれにＨＭＤＳの層を形成可能である。以下の説明においては、ＨＭＤＳの層を適宜、ＨＭＤＳ層、と称し、基板Ｐ上にＨＭＤＳ層を形成する処理を適宜、ＨＭＤＳ処理、と称する。

図２は、コータ・デベロッパ装置ＣＤのコーティング装置、及び処理装置８０によって処理された基板Ｐの一例を示す側断面図、図３は、図２の基板Ｐの周縁近傍の拡大図である。図２及び図３において、基板Ｐは、基材Ｗと、その基材Ｗ上に形成されたＨＭＤＳ層Ｂｈと、そのＨＭＤＳ層Ｂｈ上に形成された反射防止層（bottom ARC(Anti-Reflective Coating))Ｂａと、その反射防止層Ｂａ上に形成された感光材層Ｒｇと、その感光材層Ｒｇ上に形成された保護層Ｔｃとを有している。基板Ｐは、液浸法に基づいて露光される。

本実施形態においては、基材Ｗは、半導体ウエハを含み、基材Ｗの表面は、シリコン基板の表面を含む。ＨＭＤＳ層Ｂｈは、基材Ｗの上面、基材Ｗの側面、及び基材Ｗの下面の一部を覆うように形成されている。反射防止層Ｂａは、ＨＭＤＳ層Ｂｈの上面のうち、そのＨＭＤＳ層Ｂｈの周縁領域を除く大部分の領域を覆うように形成されている。感光材層Ｒｇは、反射防止層Ｂａの上面のうち、その反射防止層Ｂａの周縁領域を除く大部分の領域を覆うように形成されている。すなわち、本実施形態においては、感光材層Ｒｇの上面側から見た外形は、反射防止層Ｂａよりも僅かに小さくなるように形成されている。保護層Ｔｃは、感光材層Ｒｇ、及び感光材層Ｒｇの外側に配置されている反射防止層Ｂａの全てを覆うように形成されている。ＨＭＤＳ層Ｂｈは、反射防止層Ｂａの外側で、基材Ｗの表面と感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとが接触しないように形成されている。

次に、上述の基板Ｐを製造する手順について、図４のフローチャート図、及び図５の模式図を参照しながら説明する。ここで、以下の説明においては、基材Ｗの表面（上面、側面、下面）に形成された材料層のうち、最も表層の材料層の表面（露出面）を適宜、基板Ｐの表面（上面、側面、下面）と言う。

処理装置８０によって、基材Ｗの上面、側面、及び下面の一部に、ＨＭＤＳ層Ｂｈを形成するＨＭＤＳ処理が行われる（ステップＳＡ１）。ＨＭＤＳ層Ｂｈは、処理装置８０によって、ガス状のＨＭＤＳを基材Ｗ上にもたらすことによって形成可能である。図５（Ａ）に示すように、ＨＭＤＳ層Ｂｈは、基材Ｗの上面、基材Ｗの側面、及び基材Ｗの下面の周縁領域を覆うように形成される。

基板Ｐの基材Ｗ上にＨＭＤＳ層Ｂｈを形成した後、図５（Ｂ）に示すように、そのＨＭＤＳ層Ｂｈ上に、反射防止層Ｂａが形成される（ステップＳＡ２）。反射防止層Ｂａを形成する工程は、反射防止層Ｂａを形成するための反射防止材の膜を基板Ｐ上（ＨＭＤＳ層Ｂｈ）上に形成する処理と、その基板Ｐ上に形成された膜のうち、基板Ｐの上面の周縁領域、側面、及び裏面の周縁領域を含む基板Ｐの周縁部の膜を除去するエッジリンス処理とを含む。

なお、以下の説明において、エッジリンス処理は、基板Ｐの上面側から基板Ｐの周縁部にシンナーなどの溶剤を吹き付けるリンス処理と、基板Ｐの裏面側から基板Ｐの周縁部に向けてシンナーなどの溶剤を吹き付けるリンス処理（所謂バックリンス処理）とを含む。ただし、基板Ｐの上面の周縁領域のリンス処理が必要ない場合、あるいは基板Ｐの上面のリンスすべき周縁領域の幅が非常に小さい場合には、基板Ｐの裏面側から基板Ｐの周縁部に向けて溶剤を吹き付けるバックリンス処理を行うだけでもよい。

反射防止材の膜は、例えばスピンコーティング法（塗布法）、若しくはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）及びＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）等の蒸着法（成膜法）を用いて、基板Ｐ上（ＨＭＤＳ層Ｂｈ上）に形成可能である。本実施形態では、反射防止材の膜は、コータ・デベロッパ装置ＣＤにおいて、スピンコーティング法によって、基板Ｐ上（ＨＭＤＳ層Ｂｈ上）に形成される。スピンコーティング法によって基板Ｐ上に反射防止材を塗布した後、基板Ｐの周縁部の反射防止材を例えば溶剤などを用いて除去するエッジリンス処理が行われる。これにより、ＨＭＤＳ層Ｂｈの上面の周縁領域等を含む基板Ｐの周縁部から、反射防止材が除去され、ＨＭＤＳ層Ｂｈの上面の周縁領域を除く大部分の領域に反射防止層Ｂａが形成される。エッジリンス後においても、ＨＭＤＳ層Ｂｈは除去されず、基板Ｐの周縁部に形成されている。すなわち、ＨＭＤＳ層Ｂｈは、基板Ｐの周縁部のエッジリンス処理される部分に形成され、反射防止層Ｂａの外側の基材Ｗの上面、側面、及び下面の一部に形成されている。

基板Ｐ上に反射防止層Ｂａを形成した後、図５（Ｃ）に示すように、その反射防止層Ｂａ上に、感光材層Ｒｇが形成される（ステップＳＡ３）。感光材層Ｒｇを形成する工程は、感光材層Ｒｇを形成するための感光材（フォトレジスト）の膜を基板Ｐ上に形成する処理と、その基板Ｐ上に形成された膜のうち、基板Ｐの上面の周縁領域、側面、及び裏面の周縁領域を含む基板Ｐの周縁部の膜を除去するエッジリンス処理とを含む。本実施形態においては、感光材として化学増幅型レジストが用いられる。本実施形態においては、感光材の膜は、コータ・デベロッパ装置ＣＤにおいて、スピンコーティング法によって、基板Ｐ上（反射防止層Ｂａ上）に形成される。スピンコーティング法によって基板Ｐ上に感光材を塗布した後、基板Ｐの周縁部の感光材を、例えば溶剤などを用いて除去するエッジリンス処理が行われる。これにより、基板Ｐの周縁部から、感光材が除去され、反射防止層Ｂａの上面の周縁領域を除く大部分の領域に感光材層Ｒｇが形成される。エッジリンス後においても、ＨＭＤＳ層Ｂｈは除去されず、基板Ｐの周縁部に形成されている。すなわち、ＨＭＤＳ層Ｂｈは、基板Ｐの周縁部のエッジリンス処理される部分に形成され、反射防止層Ｂａの外側の基材Ｗの上面、側面、及び下面の一部に形成されている。

基板Ｐ上に感光材層Ｒｇを形成した後、図５（Ｄ）に示すように、その感光材層Ｒｇ上に、保護層Ｔｃが形成される（ステップＳＡ４）。保護層Ｔｃを形成する工程は、保護層Ｔｃを形成するための保護材の膜を基板Ｐ上に形成する処理と、その基板Ｐ上に形成された膜のうち、基板Ｐの上面の周縁領域、側面、及び裏面の周縁領域を含む基板Ｐの周縁部の膜を除去するエッジリンス処理とを含む。保護層Ｔｃは、トップコート層と呼ばれる材料層であって、例えば液体ＬＱから感光材層Ｒｇ、反射防止層Ｂａ、及び基材Ｗの少なくとも１つを保護する機能を有する。また、保護層（トップコート層）Ｔｃは、撥液性（撥水性）を有している。保護層Ｔｃを形成する保護材は、例えばフッ素系材料を含む。本実施形態においては、保護材の膜は、コータ・デベロッパ装置ＣＤにおいて、スピンコーティング法によって、基板Ｐ上（感光材層Ｒｇ上）に形成される。スピンコーティング法によって基板Ｐ上に保護材を塗布した後、基板Ｐの周縁部の保護材を、例えば溶剤などを用いて除去するエッジリンス処理が行われる。これにより、基板Ｐの周縁部から、保護材が除去され、基板Ｐの上面に保護層Ｔｃが形成される。エッジリンス後においても、ＨＭＤＳ層Ｂｈは除去されず、基板Ｐの周縁部に形成されている。すなわち、ＨＭＤＳ層Ｂｈは、基板Ｐの周縁部のエッジリンス処理される部分に形成され、反射防止層Ｂａの外側の基材Ｗの上面、側面、及び下面の一部に形成される。また、本実施形態においては、保護層Ｔｃは、保護層ＴｃとＨＭＤＳ層Ｂｈとの間に形成された反射防止層Ｂａ及び感光材層Ｒｇの露出面の全てを覆うように形成される。なお、保護層Ｔｃのリンス処理を行うときに、本実施形態のように、基板Ｐの上面のリンスすべき周縁領域が非常に小さい場合には、エッジリンス処理として、バックリンス処理を行うだけでもよい。

また、ＨＭＤＳ層Ｂｈ、反射防止層Ｂａ、レジスト層Ｒｇ、及び保護層Ｔｃのそれぞれを形成する動作に対して所定のタイミングで、必要に応じて、ベーク処理等の所定の処理が実行される。

コータ・デベロッパ装置ＣＤにおける処理が終了した後、基板Ｐは所定の搬送装置によって露光装置ＥＸへ搬送される。露光装置ＥＸは、基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成し、その液体ＬＱを介して基板Ｐの表面に露光光ＥＬを照射する（ステップＳＡ５）。本実施形態においては、基板Ｐの上面は保護層Ｔｃによって形成されており、液浸領域ＬＲの液体ＬＱは、基板Ｐの保護層Ｔｃと接触する。基板Ｐの液体ＬＱと接触する液体接触面が撥液性を有する保護層Ｔｃによって形成されているので、液浸領域ＬＲを基板Ｐ上に良好に形成することができる。また、撥液性を有する保護層Ｔｃによって、液体ＬＱの回収性を高めることができ、基板Ｐ上に液体ＬＱが残留することを抑制できる。また、例えば保護層Ｔｃ上に液体ＬＱが付着し、その液体ＬＱが気化した後に保護層Ｔｃ上に付着跡（所謂ウォーターマーク）が形成されても、液浸露光後にこの保護層Ｔｃを除去することにより、ウォーターマークを保護層Ｔｃとともに除去することができる。そして、ウォーターマークを保護層Ｔｃとともに除去した後に、現像処理等の所定のプロセス処理を実行することができる。

露光処理された後の基板Ｐは、コータ・デベロッパ装置ＣＤに搬送され、ポストベーク処理等の所定の処理を施された後、デベロッパ装置において現像処理される。そして、ドライエッチング処理等の所定の後処理が行われ、基板Ｐ上にパターンが形成される。

本実施形態においては、シリコン基板を含む基材Ｗの表面にＨＭＤＳ層Ｂｈを形成し、そのＨＭＤＳ層Ｂｈ上に反射防止層Ｂａを形成した後、その反射防止層Ｂａ上に感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃを形成している。ＨＭＤＳ層Ｂｈと反射防止層Ｂａとの相性（密着性）は良好であり、反射防止層Ｂａと感光材層Ｂａとの相性（密着性）も良好であり、ＨＭＤＳ層Ｂｈと保護層Ｔｃとの相性（密着性）も良好である。

また、本実施形態においては、反射防止層Ｂａ、感光材層Ｒｇ、及び保護層Ｔｃのそれぞれは、スピンコーティング法によって基板Ｐ上に所定の材料を塗布した後、エッジリンス処理することによって形成される。例えば感光材層Ｒｇを形成するために感光材を基板Ｐ上に塗布した後、エッジリンス処理しない場合、例えば基板Ｐを搬送する搬送装置の搬送アームと基板Ｐの周縁部とが接触すると、その基板Ｐの周縁部に形成されている感光材の膜の一部が基板Ｐから剥がれる可能性がある。また、基板Ｐを保管するキャリアの棚等の支持部と基板Ｐの周縁部とが接触した場合にも、その基板Ｐの周縁部に形成されている感光材の膜の一部が基板Ｐから剥がれる可能性がある。剥がれた感光材は異物となって、搬送アーム及びキャリア等を汚染する可能性がある。また、その異物が清浄な基板Ｐと接触し、汚染が拡大する可能性もある。また、その異物が基板Ｐ上に付着した状態で露光した場合、基板Ｐ上に形成されるパターンに欠陥が生じる可能性がある。また、スピンコーティング法によって基板Ｐ上に感光材を塗布した後、基板Ｐの周縁部の感光材の膜が中央部より厚くなる現象が生じる場合がある。その基板Ｐの周縁部の感光材は剥離しやすく、異物となりやすい。反射防止層Ｂａを形成するための反射防止材、及び保護層Ｔｃを形成するための保護材をスピンコーティング法によって基板Ｐ上に塗布した後、エッジリンス処理しない場合も、反射防止材の膜の一部、あるいは保護材の膜の一部が剥がれて異物となる可能性が高くなる。本実施形態においては、エッジリンス処理を行うことによって、異物の発生を抑制することができる。

そして、本実施形態においては、ＨＭＤＳ層Ｂｈは、基板Ｐの周縁部のエッジリンス処理される部分に形成されており、反射防止層Ｂａの外側で、基材Ｗの表面と感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとが接触することを阻止している。例えばシリコン基板を含む基材Ｗの表面が親液性（親水性）であり感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃが撥液性である場合など、基材Ｗの表面と感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとの相性（密着性）が良好で無い場合、基材Ｗと感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとが直接的に接触すると、基材Ｗから感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃが剥がれ、異物となる可能性が高くなる。例えば、ＨＭＤＳ層Ｂｈを形成しないで、基材Ｗ上に反射防止層Ｂａを形成し、その上に感光材を塗布する場合、コーティング装置の性能等によっては、先に基材Ｗ上に形成されている反射防止層Ｂａの外側に感光材がはみ出し、基材Ｗ上に感光材が塗布される可能性がある。このはみ出した部分の感光材は、基材Ｗから剥がれやすくなる。

本実施形態においては、ＨＭＤＳ層Ｂｈは、反射防止層Ｂａの外側で、基材Ｗの表面と感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとが接触しないように形成されている。ＨＭＤＳ層Ｂｈと感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとの相性（密着性）は良好であるため、本実施形態のように、ＨＭＤＳ層Ｂｈを、基材Ｗの表面と感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとが接触しないように、反射防止層Ｂａの外側の基材Ｗの表面の少なくとも一部の領域に形成することで、反射防止層Ｂａの外側に、感光材層Ｒｇが形成された場合でも、基材Ｗ上のＨＭＤＳ層Ｂｈと感光材層Ｒｇとを良好に接着させることができ、基材Ｗから感光材層Ｒｇが剥がれることを抑制することができる。同様に、反射防止層Ｂａの外側に、保護層Ｔｃが形成された場合でも、基材Ｗ上のＨＭＤＳ層Ｂｈと保護層Ｔｃとを良好に接着させることができ、基材Ｗから保護層Ｔｃが剥がれることを抑制することができる。

また、本実施形態においては、保護層ＴｃとＨＭＤＳ層Ｂｈとの間に、反射防止層Ｂａ及び感光材層Ｒｇを含む複数の材料層が形成され、保護層Ｔｃは、それら複数の材料層の露出面の全てを覆うように形成される。基板Ｐを液浸露光した場合、例えば反射防止層Ｂａと感光材層Ｒｇとの界面に液体ＬＱが浸入する可能性がある。本実施形態においては、反射防止層Ｂａ及び感光材層Ｒｇの露出面の全てを保護層Ｔｃで覆っているので、反射防止層Ｂａと感光材層Ｒｇとの界面に液体ＬＱが浸入することを抑制することができる。したがって、液体ＬＱの浸入に起因して反射防止層Ｂａ及び感光材層Ｒｇの少なくとも一方に欠陥が生じることを抑制することができる。また、ＨＭＤＳ層Ｂｈと保護層Ｔｃとの相性（密着性）は良好であり、保護層ＴｃとＨＭＤＳ層Ｂｈとの界面に液体ＬＱが浸入することが抑制されている。

図６は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。照明光学系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。本実施形態においては、照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。

マスクステージ３は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置３Ｄの駆動により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ３（ひいてはマスクＭ）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報はレーザ干渉計３Ｌによって計測される。制御装置７は、レーザ干渉計３Ｌの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置３Ｄを駆動し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置制御を行う。

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ４は、基板Ｐを保持する基板ホルダ４Ｈを有しており、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置４Ｄの駆動により、基板ホルダ４Ｈに基板Ｐを保持した状態で、ベース部材ＢＰ上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ホルダ４Ｈは、基板ステージ４上に設けられた凹部４Ｒに配置されており、基板ステージ４のうち凹部４Ｒ以外の上面４Ｆは、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。なお、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面と、基板ステージ４の上面４Ｆとの間に段差があってもよい。基板ステージ４（ひいては基板Ｐ）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報はレーザ干渉計４Ｌによって計測され、基板ステージ４に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出系によって検出される。制御装置７は、レーザ干渉計４Ｌの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置４Ｄを駆動し、基板ステージ４に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。

ノズル部材７１は、最終光学素子ＦＬと基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋに対して液体ＬＱを供給する供給口１２と、液体ＬＱを回収する回収口２２とを有している。供給口１２には、供給管１３を介して液体供給装置１１が接続されている。回収口２２には、回収管２３を介して液体回収装置２１が接続されている。本実施形態においては、回収口２２には多孔部材（メッシュ）が配置されている。

液体供給装置１１は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。また、液体回収装置２１は、真空系等を備えており、液体ＬＱを回収可能である。液体供給装置１１から送出された液体ＬＱは、供給管１３及び供給口１２を介して光路空間Ｋに供給される。真空系を含む液体回収装置２１が駆動されることにより回収口２２から回収された液体ＬＱは、回収管２３を介して液体回収装置２１に回収される。制御装置７は、液体供給装置１１による液体供給動作と液体回収装置２１による液体回収動作とを並行して行うことで、最終光学素子ＦＬと基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たし、基板Ｐ上の一部の領域に、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを覆うように、液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する。

露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐに投影している間、ノズル部材７１を用いて、露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たす。露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと光路空間Ｋを満たす液体ＬＱとを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐ上に照射することによって、マスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影して、基板Ｐを露光する。

図７は、液浸領域ＬＲが基板Ｐの上面の周縁領域に形成されている状態を示す図である。基板Ｐの上面の周縁領域を露光するとき、あるいは液浸領域ＬＲを基板ステージ４の上面４Ｆに移動するとき等においては、図７に示すように、液浸領域ＬＲが、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの上面と、その基板Ｐの周囲に設けられた基板ステージ４の上面４Ｆとの間の第１ギャップ上に配置される可能性がある。本実施形態においては、基板ステージ４の上面４Ｆは撥液性を有し、基板Ｐの上面及び側面も、撥液性を有する保護層Ｔｃ及びＨＭＤＳ層Ｂｈによって形成されているので、その第１ギャップへの液体ＬＱの浸入を抑制することができる。

また、基板ホルダ４Ｈは、基板Ｐを吸着保持するために、基板Ｐの下面との間で負圧空間３０を形成するための周壁（シール部材）３３を有している。周壁３３の上面は基板Ｐの下面と対向する。本実施形態においては、基板ホルダ４Ｈの周壁３３の上面と対向する基板Ｐの下面の周縁領域にも、撥液性を有するＨＭＤＳ層Ｂｈが形成されているので、仮に第１ギャップに液体ＬＱが浸入しても、周壁３３の上面と基板Ｐの下面との間の第２ギャップを介して、基板Ｐの下面側に形成されている負圧空間３０に液体ＬＱが浸入する（回り込む）ことを抑制することができる。したがって、例えば基板Ｐの下面が濡れたことによって、基板ホルダ４Ｈで基板Ｐを良好に保持できなくなったり、あるいは、搬送装置を用いて基板ホルダ４Ｈから基板Ｐを搬出（アンロード）する際、その搬送装置が基板Ｐを良好に保持できなくなる等の不具合の発生を抑制することができる。

以上説明したように、基板Ｐの基材Ｗ上にＨＭＤＳ層Ｂｈを形成した後、ＨＭＤＳ層Ｂｈ上に反射防止層Ｂａを形成することで、その上に形成される感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃの少なくとも一方が基板Ｐから剥がれる等の欠陥が生じることを抑制できる。したがって、異物等に起因する露光不良の発生を抑制してデバイスを良好に製造することができる。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図８は、第２実施形態に係る基板Ｐを示す拡大断面図である。図８において、ＨＭＤＳ層Ｂｈ上に形成される反射防止層Ｂａは、第１反射防止層Ｂａ１と、その第１反射防止層Ｂａ１上に形成される第１反射防止層Ｂａ１とは異なる第２反射防止層Ｂａ２とを含む。図８に示すように、本実施形態においては、第１反射防止層Ｂａ１と第２反射防止層Ｂａ２とは接触している。第１反射防止層Ｂａ１と第２反射防止層Ｂａ２とは、その光学特性が互いに異なる。例えば、第１反射防止層Ｂａ１と第２反射防止層Ｂａ２とは、露光光ＥＬに対する屈折率及び吸収率の少なくとも一方が互いに異なる。これにより、例えば基板Ｐに第１角度で入射する露光光ＥＬの第１成分と、第１角度とは異なる第２角度で入射する露光光ＥＬの第２成分との両方の反射を抑えることができる等、照射される露光光ＥＬの反射をより良好に抑えることができる。もちろん、反射防止層Ｂａが３つ以上の複数の反射防止層を含むものであってもよい。

なお、上述の第１、第２実施形態においては、説明を簡単にするために、シリコン基板上にＨＭＤＳ層Ｂｈを形成した場合を例にして説明したが、基材Ｗの表面（下地）がＳｉＯ_２等の酸化膜の場合もある。また、基材Ｗの表面（下地）が、前のプロセスまでに形成されたＳｉＯ_２等の酸化膜層、ＳｉＯ_２及びＳｉＮｘ等の絶縁層、Ｃｕ及びＡｌ−Ｓｉ等の金属・導体層、アモルファスＳｉ等の半導体層の少なくとも１つの表面である場合もある。いずれの場合も、その基材Ｗの表面と、感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとが接触すると、感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃの少なくとも一部が剥がれて、異物となる可能性があるが、上述の実施形態のように、反射防止層Ｂａの外側の基材Ｗの表面の少なくとも一部の領域（エッジリンス処理される部分の領域）に、ＨＭＤＳ層Ｂｈを形成することによって、異物の発生を抑えることができる。

なお、上述の第１、第２本実施形態においては、ＨＭＤＳ層Ｂｈは、基材Ｗの上面の全域に形成されているが、反射防止層Ｂａの外側の基材Ｗの上面の周縁領域のみに形成されていてもよい。この場合も、基材Ｗの上面の周縁領域に形成されたＨＭＤＳ層Ｂｈによって、反射防止層Ｂａの外側で、基材Ｗの表面と感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとの接触を阻止することができる。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。本実施形態の特徴的な部分は、基板Ｐの基材Ｗ上に第１反射防止層Ｂａ１を形成した後、その上にＨＭＤＳ層Ｂｈを形成し、その上に第２反射防止層Ｂａ２を形成する点にある。換言すれば、基材の表面が第１反射防止層で形成され、その基材上（第１反射防止層上）に、ＨＭＤＳ層Ｂｈを形成する点にある。

図９は、第３実施形態に係る基板Ｐの一例を示す側断面図、図１０は、図９の基板Ｐの周縁近傍の拡大図である。図９及び図１０において、基板Ｐは、基材Ｗと、その基材Ｗ上に形成された第１反射防止層Ｂａ１と、その第１反射防止層Ｂａ１上に形成されたＨＭＤＳ層Ｂｈと、そのＨＭＤＳ層Ｂｈ上に形成された第１反射防止層Ｂａ１とは異なる第２反射防止層Ｂａ２と、その第２反射防止層Ｂａ２上に形成された感光材層Ｒｇと、その感光材層Ｒｇ上に形成された保護層Ｔｃとを有している。ＨＭＤＳ層Ｂｈは、第１反射防止層Ｂａ１と第２反射防止層Ｂａ２との間に形成されている。第１反射防止層Ｂａ１と第２反射防止層Ｂａ２とは、その光学特性が互いに異なる。例えば、第１反射防止層Ｂａ１と第２反射防止層Ｂａ２とは、露光光ＥＬに対する屈折率及び吸収率の少なくとも一方が互いに異なる。

上述の実施形態と同様、基材Ｗは、半導体ウエハを含み、基材Ｗの表面は、シリコン基板の表面を含む。第１反射防止層Ｂａ１は、無機材料を含み、基材Ｗの上面、基材Ｗの側面、及び基材Ｗの下面の一部を覆うように形成されている。ＨＭＤＳ層Ｂｈは、第１反射防止層Ｂａ１の全てを覆うように形成されている。第２反射防止層Ｂａ２は、ＨＭＤＳ層Ｂｈの上面のうち、そのＨＭＤＳ層Ｂｈの周縁領域を除く大部分の領域を覆うように形成されている。感光材層Ｒｇは、第２反射防止層Ｂａ２の上面のうち、その第２反射防止層Ｂａ２の周縁領域を除く大部分の領域を覆うように形成されている。保護層Ｔｃは、感光材層Ｒｇ、及び感光材層Ｒｇの外側に配置されている第２反射防止層Ｂａ２の全てを覆うように形成されている。

次に、上述の基板Ｐを製造する手順について、図１１のフローチャート図を参照しながら説明する。

基板Ｐの基材Ｗの上面、側面、及び下面の一部に、第１反射防止層Ｂａ１を形成する処理が行われる（ステップＳＡ０）。第１反射防止層Ｂａ１は、例えばＳｉＯＮ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ等の無機材料を含む。第１反射防止層Ｂａ１は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、あるいはＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）等の蒸着法（成膜法）を用いて、基材Ｗ上に形成可能である。

基板Ｐの基材Ｗ上に第１反射防止層Ｂａ１を形成した後、処理装置８０によって、第１反射防止層Ｂａ１上に、ＨＭＤＳ層Ｂｈを形成するＨＭＤＳ処理が行われる（ステップＳＡ１）。ＨＭＤＳ層Ｂｈは、第１反射防止層Ｂａ１の露出面の全てを覆うように形成される。

基板Ｐ上にＨＭＤＳ層Ｂｈを形成した後、そのＨＭＤＳ層Ｂｈ上に、第２反射防止層Ｂａ２が形成される（ステップＳＡ２’）。第２反射防止層Ｂａ２を形成する工程は、上述の第１実施形態のステップＳＡ２とほぼ同様、第２反射防止層Ｂａ２を形成するための反射防止材の膜を基板Ｐ上（ＨＭＤＳ層Ｂｈ）上にスピンコーティング法（塗布法）によって形成する処理と、その基板Ｐ上に形成された膜のうち、基板Ｐの上面の周縁領域、側面、及び裏面の周縁領域を含む基板Ｐの周縁部の膜を除去するエッジリンス処理とを含む。これにより、ＨＭＤＳ層Ｂｈの上面の周縁領域を除く大部分の領域に第２反射防止層Ｂａ２が形成される。本実施形態においても、ＨＭＤＳ層Ｂｈは、基板Ｐの周縁部のエッジリンス処理される部分に形成され、第２反射防止層Ｂａ２の外側に形成されている。

基板Ｐ上に第２反射防止層Ｂａ２を形成した後、その第２反射防止層Ｂａ２上に、感光材層Ｒｇが形成される（ステップＳＡ３）。感光材層Ｒｇを形成する工程は、感光材層Ｒｇを形成するための感光材（フォトレジスト）の膜をスピンコーティング法によって基板Ｐ上に形成する処理と、その基板Ｐ上に形成された膜のうち、基板Ｐの上面の周縁領域、側面、及び裏面の周縁領域を含む基板Ｐの周縁部の膜を除去するエッジリンス処理とを含む。これにより、第２反射防止層Ｂａ２の上面の周縁領域を除く大部分の領域に感光材層Ｒｇが形成される。

基板Ｐ上に感光材層Ｒｇを形成した後、その感光材層Ｒｇ上に、保護層Ｔｃが形成される（ステップＳＡ４）。保護層Ｔｃを形成する工程は、保護層Ｔｃを形成するための保護材の膜をスピンコーティング法によって基板Ｐ上に形成する処理と、その基板Ｐ上に形成された膜のうち、基板Ｐの上面の周縁領域、側面、及び裏面の周縁領域を含む基板Ｐの周縁部の膜を除去するエッジリンス処理とを含む。保護層Ｔｃは、保護層ＴｃとＨＭＤＳ層Ｂｈとの間に形成された第２反射防止層Ｂａ２及び感光材層Ｒｇの露出面の全てを覆うように形成される。なお、保護層Ｔｃのリンス処理を行うときに、本実施形態のように、基板Ｐの上面のリンスすべき周縁領域が非常に小さい場合には、エッジリンス処理として、バックリンス処理を行うだけでもよい。

また、第１反射防止層Ｂａ１、ＨＭＤＳ層Ｂｈ、第２反射防止層Ｂａ２、レジスト層Ｒｇ、及び保護層Ｔｃのそれぞれを形成する動作に対して所定のタイミングで、必要に応じて、ベーク処理等の所定の処理が実行される。

コータ・デベロッパ装置ＣＤにおける処理が終了した後、基板Ｐは所定の搬送装置によって露光装置ＥＸへ搬送される。露光装置ＥＸは、基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成し、その液体ＬＱを介して基板Ｐの表面に露光光ＥＬを照射する（ステップＳＡ５）。

露光処理された後の基板Ｐは、コータ・デベロッパ装置ＣＤに搬送され、ポストベーク処理等の所定の処理を施された後、デベロッパ装置において現像処理される。そして、ドライエッチング処理等の所定の後処理が行われ、基板Ｐ上にパターンが形成される。

本実施形態においても、互いに異なる第１反射防止層Ｂａ１と第２反射防止層Ｂａ２とによって、基板Ｐに第１角度で入射する露光光ＥＬの第１成分と、第１角度とは異なる第２角度で入射する露光光ＥＬの第２成分との両方の反射を抑えることができる等、照射される露光光ＥＬの反射をより良好に抑えることができる。

また、本実施形態のように、第１反射防止層Ｂａ１を形成するとき、ＣＶＤ法など、基板Ｐを加熱する処理が含まれる場合であっても、第１反射防止層Ｂａ１を形成した後、その第１反射防止層Ｂａ１上にＨＭＤＳ層Ｂｈを形成しているので、ＨＭＤＳ層Ｂｈが加熱されることはない。したがって、加熱によるＨＭＤＳ層Ｂｈの劣化又は欠陥も生じない。ＨＭＤＳ層Ｂｈと第１反射防止層Ｂａ１との相性（密着性）は良好であり、基材Ｗと第１反射防止層Ｂａ１との相性（密着性）も良好である。

本実施形態において、例えば第１反射防止層Ｂａ１の表面が親液性であり感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃが撥液性である場合など、第１反射防止層Ｂａ１の表面と感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとの相性（密着性）が良好で無い場合、第１反射防止層Ｂａ１と感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとが直接的に接触すると、第１反射防止層Ｂａ１から感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃが剥がれ、異物となる可能性が高くなる。本実施形態においては、第１反射防止層Ｂａ１の露出面の全てがＨＭＤＳ層Ｂｈで覆われているので、第２反射防止層Ｂａ２の外側で、第１反射防止層Ｂａ１の表面と感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとが接触することが阻止されている。ＨＭＤＳ層Ｂｈと感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとの相性（密着性）は良好であるため、感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃの少なくとも一方の一部が基板Ｐより剥がれて異物となることを抑制することができる。

なお、本実施形態においては、第１反射防止層Ｂａ１が無機材料を含む場合を例にして説明したが、第１反射防止層Ｂａ１は無機材料を含まなくてもよい。また、例えばスピンコーティング法など、加熱処理を伴わない方法を用いて第１反射防止層Ｂａ１を形成してもよい。また、第１反射防止層Ｂａ１をスピンコーティング法を用いて形成する場合、エッジリンス処理を実行することができる。

また、第１反射防止層Ｂａ１と感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとの相性（密着性）が良好である場合には、ＨＭＤＳ層Ｂｈで第１反射防止層Ｂａ１の露出面の全てを覆わずに、第１反射防止層Ｂａ１と感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃの少なくとも一方とが接触してもよい。

なお、第３実施形態においても、ＨＭＤＳ層Ｂｈは、第２反射防止層Ｂａ２の外側の基材Ｗの上面の周縁領域のみに形成されていてもよい。この場合も、ＨＭＤＳ層Ｂｈによって、第２反射防止層Ｂａ２の外側で、基材Ｗの表面と感光材層Ｒｇ及び保護層Ｔｃとの接触を阻止することができる。

また、第３実施形態においても、基材Ｗの表面（下地）は、酸化膜層、絶縁層、金属・導体層、及び半導体層の少なくとも１つの表面であってもよい。

なお、上述の第１〜第３実施形態においては、保護層Ｔｃは、基板Ｐの上面のみに形成されているが、基材Ｗと接触せず、ＨＭＤＳ層と接触可能な場合には、基板Ｐの側面、及び基板Ｐの下面の一部に形成されてもよい。また、保護層Ｔｃを省略してもよい。

また、上述の第１〜第３実施形態において、感光材層Ｒｇを形成した後、その感光材層Ｒｇ上に、所定の材料層として、反射防止層（top ARC(Anti-Reflective Coating))を形成し、その反射防止層上に保護層Ｔｃを形成するようにしてもよい。

なお、上述の各実施形態の投影光学系は、最終光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、最終光学素子の物体面側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。

なお、上述の各実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ_２レーザである場合、このＦ_２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ_２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも適用できる。

更に、特開平１１−１３５４００号公報や特開２０００−１６４５０４号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。

また、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。

また、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１２に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光工程を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

第１実施形態に係る露光装置を備えたデバイス製造システムを示す概略構成図である。 第１実施形態に係る基板の一例を模式的に示す側断面図である。 図２の基板の周縁近傍の拡大図である。 第１実施形態に係るデバイス製造方法の一例を示すフローチャート図である。 第１実施形態に係るデバイス製造方法の一例を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 露光装置の動作の一例を示す模式図である。 第２実施形態に係る基板の一例を模式的に示す側断面図である。 第３実施形態に係る基板の一例を模式的に示す側断面図である。 図９の基板の周縁近傍の拡大図である。 第３実施形態に係るデバイス製造方法の一例を示すフローチャート図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

Ｂａ…反射防止層、Ｂａ１…第１反射防止層、Ｂａ２…第２反射防止層、Ｂｈ…ＨＭＤＳ層、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＲ…液浸領域、Ｐ…基板、Ｒｇ…感光材層、Ｔｃ…保護層、Ｗ…基材

Claims (21)

1. 基板上に露光光を照射して前記基板を露光する工程を含むデバイス製造方法において、
   前記基板の基材上にＨＭＤＳ層を形成した後、前記ＨＭＤＳ層上に反射防止層を形成する工程を含むデバイス製造方法。
2. 前記ＨＭＤＳ層上に形成される反射防止層は、第１反射防止層と、前記第１反射防止層上に形成される該第１反射防止層とは異なる第２反射防止層とを含む請求項１記載のデバイス製造方法。
3. 前記反射防止層上に所定の材料層を形成する工程を有し、
   前記ＨＭＤＳ層は、前記反射防止層の外側で、前記基材の表面と前記材料層とが接触しないように形成される請求項１又は２記載のデバイス製造方法。
4. 前記材料層は、感光材層を含む請求項３記載のデバイス製造方法。
5. 前記材料層は、前記感光材層上に形成される保護層を含む請求項４記載のデバイス製造方法。
6. 前記保護層と前記ＨＭＤＳ層との間に、前記反射防止層及び前記感光材層を含む複数の材料層が形成され、
   前記保護層は、複数の材料層の露出面の全てを覆うように形成される請求項５記載のデバイス製造方法。
7. 前記ＨＭＤＳ層は、前記反射防止層の外側の前記基材の表面の少なくとも一部の領域に形成される請求項１〜６のいずれか一項記載のデバイス製造方法。
8. 前記ＨＭＤＳ層は、少なくとも前記基板の周縁部のエッジリンス処理される部分に形成される請求項１〜７のいずれか一項記載のデバイス製造方法。
9. 前記ＨＭＤＳ層は、少なくとも前記基材の上面の周縁領域に形成される請求項８記載のデバイス製造方法。
10. 前記ＨＭＤＳ層は、前記基材の側面に形成される請求項８又は９記載のデバイス製造方法。
11. 前記ＨＭＤＳ層は、前記基材の下面の少なくとも一部に形成される請求項８〜１０のいずれか一項記載のデバイス製造方法。
12. 前記基材の表面は、シリコン基板の表面を含む請求項１〜１１のいずれか一項記載のデバイス製造方法。
13. 前記基材の表面は、酸化膜層、金属層、及び絶縁層の少なくとも１つの表面を含む請求項１〜１２のいずれか一項記載のデバイス製造方法。
14. 前記基材の表面は、前記ＨＭＤＳ層上に形成される反射防止層とは別の反射防止層の表面を含む請求項１〜１３のいずれか一項記載のデバイス製造方法。
15. 前記別の反射防止層は、無機材料を含む請求項１４記載のデバイス製造方法。
16. 基板上に露光光を照射して前記基板を露光する工程を含むデバイス製造方法において、
    前記基板の基材上に第１反射防止層を形成する第１工程と、
    前記第１工程で形成した前記第１反射防止層上にＨＭＤＳ層を形成する第２工程と、
    前記第２工程で形成した前記ＨＭＤＳ層上に前記第１反射防止層とは異なる第２反射防止層を形成する第３工程と、
    前記第３工程で形成した前記第２反射防止層上に所定の材料層を形成する第４工程と、を含むデバイス製造方法。
17. 前記ＨＭＤＳ層は、前記第１反射防止層の露出面の全てを覆うように形成される請求項１６デバイス製造方法。
18. 前記第１反射防止層は、無機材料を含む請求項１６又は１７記載のデバイス製造方法。
19. 前記材料層は、感光材層を含む請求項１６〜１８のいずれか一項記載のデバイス製造方法。
20. 前記材料層は、前記感光材層上に形成される保護層を含む請求項１９記載のデバイス製造方法。
21. 液体を介して前記基板上に露光光を照射する請求項１〜２０のいずれか一項記載のデバイス製造方法。
    

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