JP5045008B2 - 液浸露光用基板、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents
液浸露光用基板、露光方法及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
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本発明の第3の態様に従えば、液体(LQ)を介して基板(P)を露光する露光方法であって、前記基板の表面(Pa)に膜(Rg)を形成することと、前記基板(P)の裏面(Pb)の研磨された所定領域(A3)の少なくとも一部を保持しながら、基板(P)の表面上に液体(LQ)を供給することと、前記液体(LQ)を介して基板(P)を露光することを含む露光方法が提供される。
本発明の第3の態様によれば、基板ホルダと接触する基板裏面の所定領域を研磨しているので、基板ホルダに保持された基板上に液体が供給されても基板の裏面での液体の濡れ拡がりを抑制できる。
第1実施形態について説明する。図1(A)は本実施形態に係る基板Pを裏面側から見た図、図1(B)は基板Pを表面側から見た図、図1(C)は基板Pの断面図である。図1において、円板状の基板Pは、基材Wと、その基材Wの上面Waに形成された第1膜Rgとを備えている。本実施形態においては、基材Wは半導体ウエハを含み、第1膜Rgは基材Wの上面Waの一部に被覆された感光材(フォトレジスト)の膜を含む。基材Wは、この実施形態では、外径12インチ、厚さ0.775mmのシリコン基板を用いた。第1膜Rgは、基材Wの上面Waの周縁領域Ew以外の大部分の領域に所定の厚さ(例えば200nm程度)で形成されている。一方、基材Wの上面Waと反対側の下面Wbには膜が形成されていない。感光材は、例えばスピンコート法等の所定の塗布方法によって基材W上に塗布されるが、その基材Wの周縁部に塗布された感光材は剥離し易く、剥離した感光材は異物として作用する。そこで、基材W上に所定の塗布方法で感光材を塗布した後、上面Waの周縁領域Ewや側面Wcの感光材を除去する処理であるエッジリンス処理が行われる。これにより、第1膜Rgは、基材Wの上面Waの周縁領域Ew以外の領域に形成される。
なお、基板ホルダ4の保持機構PHに保持された基板Pの表面Paと基板ホルダ4の上面4Fとの間に段差があってもよい。
あるいは、所定領域A3のみを研磨処理された研磨面とし、第1領域A1は研磨処理されていなくてもよい。
次に、第2実施形態について図6を参照しながら説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。上述の第1実施形態においては、基板Pの裏面Pbに形成される凹部又は凸部として、刻印60を例にして説明したが、基板Pの裏面Pbの凹部又は凸部として、刻印60以外のものもある。例えば、基板Pの裏面Pbに研磨処理を施さないことで、図6(A)に示すように、基板Pの裏面Pbが粗面(いわゆる梨地)となる可能性がある。あるいは、基板Pの裏面Pbに所定の処理を施すことによって、基板Pの裏面Pbが粗面となる可能性もある。基板Pの裏面Pbのうち、基板ホルダ4の周壁部31の上面31Aと対向する所定領域A3が粗面(梨地)の場合、ギャップG1を介して第2空間V2に浸入した液体LQが、基板ホルダ4の周壁部31の上面31Aと基板Pの裏面Pbの所定領域A3との間から第1空間V1に入り込む可能性がある。図6(B)に示すように、その粗面(梨地)の領域を研磨処理して平坦にすることで、基板ホルダ4の周壁部31の上面31Aと基板Pの裏面Pbとを密着させ、第1空間V1側に液体LQが入り込む不都合を防止できる。
例えば、基板Pを基板ホルダ4に保持する前に、基板Pの裏面Pbに検出光を照射して、その裏面Pbからの光を受光することによって、所定領域A3に刻印やキズなどの凹凸が形成されていないかどうか、すなわち所定領域A3の凹凸が許容できるか否かを検査する検査装置を用いることができる。このような検査装置を設けておくことによって、基板Pbの所定領域A3に許容できない凹凸がある基板P、すなわち周壁部31の内側への液体LQの浸入を起こしそうな基板Pを露光装置EXでの露光処理から確実に除外することができる。
上記実施形態では投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系PLを用いない場合であっても、露光光はレンズなどの光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸領域が形成される。
Claims (22)
- 周壁を有する基板ホルダにより保持されつつ液体を介して露光光が照射される液浸露光用基板であって、
前記基板ホルダに保持される裏面と、
前記露光光が照射され、且つ液体が供給される表面とを備え、
前記基板ホルダに保持されたときに前記周壁の上面と対向する前記裏面の所定領域が平坦であり、
前記裏面に凹凸部を有し、
前記凹凸部は、前記裏面のうち前記所定領域以外の領域に形成される基板。 - 周壁を有する基板ホルダにより保持されつつ液体を介して露光光が照射される液浸露光用基板であって、
前記基板ホルダに保持される裏面と、
前記露光光が照射され、且つ液体が供給される表面とを備え、
前記基板ホルダに保持されたときに前記周壁の上面と対向する前記裏面の所定領域が平坦であり、
前記裏面に凹凸部を有し、
前記凹凸部は、前記裏面のエッジから第1の幅の第1領域に形成される基板。 - 周壁を有する基板ホルダにより保持されつつ液体を介して露光光が照射される液浸露光用基板であって、
前記基板ホルダに保持される裏面と、
前記露光光が照射され、且つ液体が供給される表面とを備え、
前記基板ホルダに保持されたときに前記周壁の上面と対向する前記裏面の所定領域が平坦であり、
前記基板が円板状であり、前記所定領域が基板の所定半径領域に位置する環状領域である基板。 - 前記基板ホルダは前記周壁の内側に前記裏面を支持する支持部を有し、
前記周壁で囲まれた空間が負圧にされることによって前記支持部に保持される請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板。 - 前記裏面に凹凸部を有し、
前記凹凸部は、前記裏面のうち前記所定領域以外の領域に形成される請求項2または3に記載の基板。 - 前記凹凸部は、前記裏面のエッジから第1の幅の第1領域に形成される請求項1または3に記載の基板。
- 前記凹凸部は刻印を含む請求項1、2、5および6のいずれか一項に記載の基板。
- 前記所定領域は研磨処理された研磨面である請求項1〜7のいずれか一項記載の基板。
- 前記所定領域を含む前記裏面のエッジから第2の幅の第2領域が前記研磨面である請求項8記載の基板。
- 前記基板の裏面が粗面であり、前記所定領域のみが研磨処理されている請求項8または9に記載の基板。
- 前記基板が円板状であり、前記所定領域が基板の所定半径領域に位置する環状領域である請求項1または2に記載の基板。
- 請求項1〜請求項11のいずれか一項記載の基板の表面に液体の液浸領域を形成し、前記液体を介して前記基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法。
- 請求項12記載の露光方法により基板を露光することと、
露光した基板を現像することと、
現像した基板を加工することを含むデバイス製造方法。 - 液体を介して基板を露光する露光方法であって、
前記基板の表面に膜を形成することと、
前記基板の裏面の研磨された所定領域の少なくとも一部を保持しながら、基板の表面上に液体を供給することと、
前記液体を介して基板を露光することを含み、
前記基板が円板状であり、基板の前記所定領域が環状領域であり、環状領域を環状部材で支持しつつ環状領域と環状部材で形成される空間を減圧することによって環状領域を環状部材で密着させる露光方法。 - 液体を介して基板を露光する露光方法であって、
前記基板の表面に膜を形成することと、
前記基板の裏面の研磨された所定領域の少なくとも一部を保持しながら、基板の表面上に液体を供給することと、
前記液体を介して基板を露光することを含み、
前記裏面の所定領域とは異なる領域に凹凸部が形成されている露光方法。 - 環状領域と環状部材で形成される空間において、基板の裏面を複数の支持部材で支持する請求項14または15に記載の露光方法。
- 前記基板が、周壁を有する基板ホルダにより保持され、基板の裏面の周壁の上面と対向する領域が研磨されている請求項14〜16のいずれか一項に記載の露光方法。
- さらに、前記基板ホルダは前記周壁の内側に前記裏面を支持する支持部を有する請求項14〜17のいずれか一項に記載の露光方法。
- さらに、前記裏面の所定領域とは異なる領域に凹凸部が形成されている請求項14に記載の露光方法。
- 前記基板の表面に液体を供給する前に、前記所定領域の状態を検査することを含む請求項14〜19のいずれか一項記載の露光方法。
- 前記所定領域の凹凸が許容範囲か否かを検査する請求項20記載の露光方法。
- 請求項14〜21のいずれか一項に規定された露光方法により基板を露光することと、
露光した基板を現像することと、
現像した基板を加工することを含むデバイス製造方法。
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