KR20080074043A - 노광장치 - Google Patents

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KR20080074043A
KR20080074043A KR1020080011681A KR20080011681A KR20080074043A KR 20080074043 A KR20080074043 A KR 20080074043A KR 1020080011681 A KR1020080011681 A KR 1020080011681A KR 20080011681 A KR20080011681 A KR 20080011681A KR 20080074043 A KR20080074043 A KR 20080074043A
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liquid
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exposure apparatus
chuck
nozzle
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KR1020080011681A
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이즈미 츠카모토
히데키 노가와
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

액체를 통해서 기판 상의 복수의 샷 영역을 노광하는 노광장치는, 상기 기판을 홀드 척과, 상기 척의 주위에 배치된 판을 포함하는 이동가능 스테이지와, 원판으로부터의 빛을 상기 척에 의해 홀드된 상기 기판에 투영하는 투영 광학계와, 상기 투영 광학계의 최종 광학 소자의 주위에 배치된 제 1 액체 공급 노즐과, 상기 스테이지 상에 배치된 복수의 제 2 액체 공급 노즐을 구비한다. 상기 노광장치는 상기 제 1 액체 공급 노즐을 통해서 상기 최종 광학소자와 상기 기판과의 사이의 간극에 액체를 공급한다. 상기 노광장치는, 상기 기판 상에서의 노광 샷 영역의 위치에 근거해 상기 복수의 제 2 액체 공급 노즐로부터 액체를 공급하는 노즐을 선택하고, 상기 선택된 제 2 액체 공급 노즐을 이용해 상기 척과 상기 판과의 사이의 간극에 상기 액체를 공급한다.
노광장치, 광학소자, 액체공급노즐, 투영광학계

Description

노광장치{EXPOSURE APPARATUS}
본 발명은, 원판으로부터의 빛을 기판에 투영하는 투영 광학계의 최종 광학 소자와 해당 기판과의 간극에 채워진 액체를 통해서 해당 기판을 노광하는 노광장치에 관한 것이다.
종래에는, 포토리소그래피 기술을 이용해 반도체 메모리나 논리 회로 등의 미세한 반도체소자 또는 액정 표시 소자를 제조할 때에, 축소 투영 노광장치가 사용되고 있다. 이 축소 투영 노광장치는, 원판에 형성된 회로 패턴을 투영 광학계에 의해 기판에 투영해 회로 패턴을 전사한다. 이 원판은, 레티클, 마스크 등이다. 또, 이 기판은 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등이다.
축소 투영 노광장치로 기판에 전사할 수 있는 최소의 패턴 사이즈(즉, 축소 투영 노광장치의 해상도)는, 노광에 이용하는 빛의 파장에 비례하지만, 투영 광학계의 개구수(NA)에 반비례한다. 따라서, 파장을 짧게 하거나 또는 NA를 증가시키면 해상도는 좋아진다. 근래에는, 고밀도 회로 패턴의 요청에 따라, 해상도를 높이는 것이 중요해지고 있다. 따라서, 노광 광의 단파장화와 함께, 투영 광학계의 고NA화 가 기대되고 있다. 현재, 투영 광학계의 NA는 가속도적으로 진행되어, NA=0.9를 넘는 광학계의 개발이 가까운 장래에 시작할 것이다.
한편, 파장이 짧은 광원이 요구됨에 따라, KrF(krypton fluoride) 레이저 광원(파장 248nm) 대신에 ArF(argon fluoride) 레이저 광원(파장 193nm)이 사용된다. 현재는, 차세대의 광원으로서, F2(molecular fluoride) 레이저 광원(파장 157 nm), 혹은 EUV 광원(파장 13.5nm)이 개발되고 있다.
상기 상황에서, 광원의 파장을 변경하지 않고 더욱 해상도를 증가시키는 방법으로서 액침 노광 기술이 주목되고 있다. 액침 노광 기술은, 투영 광학계의 웨이퍼측의 매질로서 액체를 사용해서 고NA화를 실현한다. 즉, 투영 광학계의 최종면과 웨이퍼 표면과의 사이의 간극은 액체로 채워져 있다. 매질의 굴절률을 n로 하면, NA=n·sinθ이므로, 공기보다 높은 굴절률, 즉 n>1을 가진 매질로 간극을 충전함으로써 투영 광학계의 NA는 공기보다 n배까지 크게 될 수가 있다. NA를 크게 할 수 있기 때문에, 전술한 대로 해상도를 향상시킬 수가 있다.
액침 노광 방식은, 2가지의 방식, 즉 웨이퍼를 국소적으로 액침하는 로컬 필(local fill) 방식과 웨이퍼 전면을 노광 중에 액침하는 풀 필드(full field) 방식을 포함한다. 본 발명은 로컬 필 방식의 노광장치와 관련이 있다.
로컬 필 방식의 액침 노광을 수행할 때에 중요한 것은, 투영 광학계의 최종면 또는 최종 광학소자와, 기판(피노광체인 웨이퍼)의 표면의 피노광 영역과의 사이의 간극을 완전하게 액체로 채워서, 노광 중에 이 상태를 유지하는 것이다. IC나 LSI 등의 반도체 칩을 제조하는 실리콘 웨이퍼 등, 노광된 기판은 통상 원형이며, 노광영역은 일반적으로는 직사각형이다. 이 때문에, 웨이퍼의 주변의 노광 영역에서는, 웨이퍼의 굴곡된 구성으로 인해 상기와 같은 이상적인 액침 상태를 유지하는 것이 곤란하다. 덧붙여, 이하의 설명에 있어서, 노광 영역을 노광 대상 샷 또는 노광 대상 샷 영역이라고도 칭하는 경우가 있다는 점에 유념한다.
예를 들면, 웨이퍼 주변의 노광 영역에서는 투영 광학계의 최종 광학소자와 웨이퍼 사이의 간극을 충전할 때 필요한 액체의 체적이 웨이퍼의 중앙 영역의 노광 영역에 비해 크게 변화한다. 이 때문에, 통상의 액침 액체 공급 기구는, 노광 샷 영역에 공급된 액체의 양을 그것의 위치에 따라 변경하지 않으면, 웨이퍼 주변의 노광시에는 실용적이지 않다. 즉, 종래의 액침 노광장치에서는, 웨이퍼의 주변부에 인접하는 노광 샷 영역을 액 침할 때 어떠한 보완 기능이 필요하다.
본 발명은, 기판 주위에 인접하는 노광 샷 영역을 유리하게 액침할 수 있는 노광장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 국면에 따른, 액체를 통해서 기판 상의 복수의 샷 영역을 노광하는 노광장치는, 상기 기판을 홀드 척과, 상기 척의 주위에 배치된 판을 포함하는 이동가능 스테이지와, 원판으로부터의 빛을 상기 척에 의해 홀드된 상기 기판에 투영하는 투영 광학계와, 상기 투영 광학계의 최종 광학 소자의 주위에 배치된 제 1 액체 공급 노즐과, 상기 스테이지 상에 배치된 복수의 제 2 액체 공급 노즐을 구비한다. 상기 노광장치는 상기 제 1 액체 공급 노즐을 통해서 상기 최종 광학소자와 상기 기판과의 사이의 간극에 액체를 공급한다. 상기 노광장치는, 상기 기판 상에서의 노광 샷 영역의 위치에 근거해 상기 복수의 제 2 액체 공급 노즐로부터 액체를 공급하는 노즐을 선택하고, 상기 선택된 제 2 액체 공급 노즐을 이용해 상기 척과 상기 판과의 사이의 간극에 상기 액체를 공급한다.
본 발명의 한층 더한 특징들 및 국면들은 첨부된 도면을 참조하면서 이하의 상세한 예시적인 실시 예의 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명에 의하면, 기판 주위에 인접하는 노광 샷 영역을 유리하게 액침할 수 있는 노광장치를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 다양한 예시적인 실시 예, 특징, 및 국면을 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
본 발명의 예시적인 실시 예에 따른 노광장치는, 웨이퍼(기판)를 홀드하는 척과, 상기 척의 주위에 배치되고 상기 척에 의해 홀드된 웨이퍼와 실질적으로 동일한 높이의 표면을 갖는 판을 포함하는 이동가능 스테이지를 구비한다. 또, 노광장치는, 레티클(원판)로부터의 빛을 상기 척에 의해 홀드된 웨이퍼에 투영하는 투영 광학계와, 최종 광학소자의 주위를 따라 배치된 제 1 액체 공급 노즐을 더 구비한다. 상기 제 1 액체 공급 노즐을 통해서 액체를 상기 최종 광학 소자와 상기 웨 이퍼와의 사이의 간극에 공급한다. 상기 간극에 채워진 액체를 통해서 상기 척에 의해 홀드되는 웨이퍼를 노광한다. 게다가, 노광장치는, 상기 스테이지에 배치된 제 2 액체 공급 노즐을 포함한다. 상기 제 2 액체 공급 노즐을 통해서 상기 척과 상기 판과의 사이의 간극에 액체를 공급한다. 상기 제 2 액체 공급 노즐은, 상기 척의 주위에 복수 배치하는 것이 바람직하다.
본 발명의 노광장치에 의해, 웨이퍼의 주변에 위치하는 영역을 노광하는 경우, 그 샷 영역 부근의 웨이퍼 주변에 배치된 제 2 액체 공급 노즐을 통해서 액침 액체를 공급한다. 제 2 액체 공급 노즐을 통해서 액침 액체를 공급함으로써, 상기 간극에 충전되어야 하는 액침 액체의 체적을 조절한다. 이것은 웨이퍼 주변의 샷 영역을 덮는 데에 필요한 액침 액체의 체적의 변화가 웨이퍼의 중앙 영역보다 큰 경우에 효과적이다.
제 2 액체 공급 노즐을 통한 액체의 공급은, 웨이퍼(기판) 상에서의 노광 샷 영역의 위치와 스테이지의 구동 조건에 근거해 제어된다. 웨이퍼 상의 노광 샷 영역과 스테이지의 구동 조건에 근거해, 복수의 제 2 액체 공급 노즐로부터, 액체를 공급하는 제 2 액체 공급 노즐을 선택하고, 선택한 제 2 액체 공급 노즐을 통해서 액체를 공급한다. 덧붙여, 제 2 액체 공급 노즐을 통해서 공급해야 하는 액체의 양, 즉 샷 영역과 웨이퍼의 중앙 영역에 공급되는 액침 액체의 체적 간의 차와, 공급의 타이밍은, 웨이퍼 상의 노광 샷 영역의 위치와 웨이퍼 스테이지의 구동 조건에 따라 미리 산출될 수 있다. 또, 웨이퍼 상의 노광 샷 영역의 배치와 웨이퍼 스테이지의 구동 조건은 노광장치로 취득되기 때문에, 액체의 양과 타이밍은 자동 제 어가 가능하다.
또, 웨이퍼 스테이지의 속도가 변할 때 액침 액체 표면의 수위가 변화하므로, 척과 판과의 사이의 간극에 있어서 액위계(liquid gauge)를 설정한다. 이 간극에서 액위(liquid level)를 계측하도록 액위계를 구성한다. 계측한 액위에 근거해 상기 제 2 액체 공급 노즐을 통해 공급되는 액체를 조절하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 노광장치는, 투영 광학계의 최종 광학소자의 주위에 배치된 제 1 액체 회수 노즐과, 상기 스테이지 상에 배치된 제 2 액체 회수 노즐을 더 구비한다. 상기 최종 광학소자와 상기 척에 의해 홀드된 웨이퍼와의 사이의 간극으로부터 제 1 액체 회수 노즐을 통해서 액체를 회수한다. 상기 척과 상기 판(평판)과의 사이의 간극으로부터 제 2 액체 회수 노즐을 통해서 액체를 회수한다. 이 경우, 웨이퍼 상의 노광 샷 영역의 위치와 스테이지의 구동 조건에 근거해, 제 2 액체 회수 노즐로부터의 액체의 회수를 제어한다. 예를 들면, 웨이퍼의 외측으로부터 내측을 향해 웨이퍼를 노광하는 경우, 제 2 액체 회수 노즐에 의해, 웨이퍼의 내측에 최종 광학소자가 접근할 때 불필요하게 되는 액체의 양을 회수한다.
액침 액체가 시간의 경과에 따라 변질되기 때문에, 웨이퍼 교환시에 이 갭 내의 액침 액체를 회수함으로써, 다음의 웨이퍼에서는 새로운 액침 액체를 공급할 수 있다.
[제 1 예시적인 실시 예]
도 1은 본 발명의 제 1 예시적인 실시 예에 따른 액침 노광장치의 단면을 나타낸다. 노즐 1a와 1b는 액침 액체를 공급뿐만 아니라 회수하도록 구성된 통상의 액체 공급/회수 노즐인 제 1 액체 공급/회수 노즐이다. 노즐 2a와 2b는 웨이퍼 주변에 노광 영역이 위치할 때에 액침 액체를 공급하도록 구성된 제 2 액체 공급 노즐이다. 또, 액침 노광장치는, 액침 액체(3), 웨이퍼(기판;4), 투영 렌즈(투영 광학계;5), 판(평판;6), 웨이퍼(4)를 홀드하도록 구성된 척(7), 웨이퍼 스테이지(10) 및 판(6)을 더 구비한다. "A"부는, 웨이퍼(4)와 판(6)과의 사이의 갭을 나타낸다.
웨이퍼(4)의 주변에 노광 영역이 위치한 경우, 도 1에 나타낸 여유분의 A부와 같은 갭과, 웨이퍼 에지의 영향으로 인해, 액침해야 하는 체적이 웨이퍼의 중앙영역을 노광하는 경우보다 증가한다. 웨이퍼를 교환할 때 A부를 사용한다. 노즐 2a를 통한 액침 액체의 공급에 의해 액침해야 할 체적의 증감을 보완해 적절한 액침 상태를 유지한다. 노즐 2a는 통상의 액체 공급/회수 노즐인 노즐 1a, 1b와 비슷한 액침 액체의 공급 기능을 갖는다.
노즐(제 2 액체 공급 노즐) 2a를 통한 공급의 시기와 양은, 노광장치가 노광 영역과 웨이퍼 스테이지의 구동 조건, 예를 들면 속도, 가속도, 및 방향을 취득하기 때문에 산출이 가능하다. 따라서, 노광장치의 소프트웨어의 제어하에 노즐 2a를 통한 액체의 공급을 자동으로 실시하는 것이 가능하다. 노즐 2b가 노광 영역(노광 샷 영역)으로부터 멀리 있기 때문에 노즐 2b를 통해 액침 액체를 공급하지 않는다.
[제 2 예시적인 실시 예]
노즐 2a 및 2b를 복수개 이용하는 또 다른 실시 예를 제공한다.
도 2는, 도 1(수직면에 의한 단면)을 위에서 본 도 1의 단면도의 일례이다. 투영 렌즈(5)로부터 빛을 투영하는 노광부(C부)에 대해 웨이퍼 스테이지(10)가 이 동함에 따라 웨이퍼 주변의 노광 영역(B부)의 전면이 주사 노광된다. 이 웨이퍼 스테이지(10) 상에는, 웨이퍼(4), 척(7), 및 판(6)이 탑재되어 있다.
도 2에서는, 웨이퍼 스테이지(10)가 Ya 방향으로 주사한다. 웨이퍼 스테이지(10)가 Ya 방향으로 주사하면, 노광부(C부)는 웨이퍼(4)의 주위를 향하여 이동한다. A부은 액체로 채워지기 때문에, 노즐 2a를 통해서 액침 액체를 공급한다. 이때, 노즐 2b는 노광 영역으로부터 멀리 있기 때문에, 노즐 2b를 통해서 액침 액체를 공급하지 않는다. 이와 같이, 웨이퍼 스테이지(10)의 구동 조건에 따라, A부가 액침되는 경우를 용이하게 판단할 수 있다. 이 때문에, 액침 액체가 A부의 근방에 있는 노즐로부터 A부에 선택적으로 공급되는 것이 가능해진다.
또, 웨이퍼 스테이지(10)의 구동 조건에 따라, 액침 액체의 공급에 사용되지 않는 노즐을 판정할 수 있다. 이것에 의해, 더 이상 필요하지 않은 액침 액체를 사용되지 않는 노즐로부터 선택적으로 회수할 수 있다. 덧붙여, 1개의 노즐이 액침 액체의 공급과 회수 기능을 가져도 되지만, 액침 액체의 오염 때문에 공급 전용 노즐 및 회수 전용 노즐을 복수 개소에 배치할 수도 있다는 점에 유념한다.
[제 3 예시적인 실시 예]
도 3은, 본 발명의 제 3 예시적인 실시 예에 따른 액침 노광장치의 액침 기구의 구성 예를 나타낸다. 이 구성은, 웨이퍼(4)의 표면이 판(6)의 표면과 높이가 같지 않은 경우에 특히 유효하다. 본 예시적인 실시 예에서는, 투영 렌즈(5) 아래의 노광영역이 웨이퍼(4)의 외측에서 내측으로 상대적으로 이동하는 Yb 방향으로 웨이퍼 스테이지(10)가 구동된다. 이 경우, 처음에는, 웨이퍼(4)의 중앙부를 노광 하는 경우보다, 액침에 필요한 액체의 체적이 빠르게 증가한다. 이 때문에, 노즐 1a뿐만 아니라 노즐 2a를 통해서 액침 액체를 공급할 필요가 있다. 그러나, 웨이퍼(4)의 내측으로 투영 렌즈(5)기 이동하면 액침에 필요한 액체의 체적이 감소한다. 통상의 액침 액체 공급/회수 노즐(제 1 액체 회수 노즐)인 노즐 1b뿐만 아니라 노즐(제 2 액체 회수 노즐) 2c가 불필요한 액체를 회수한다. 판(6)의 외측에의 액체의 누설을 방지하기 위해서, 노즐 2c를 판의 외측에 설치해도 된다.
[제 4 예시적인 실시 예]
도 4는, 본 발명의 제 4 예시적인 실시 예에 따른 액침 노광장치의 액침 기구의 구성 예를 나타낸다. 이 구성은, 웨이퍼(4)의 표면과 판(6)의 표면과의 높이가 같은 경우에 특히 유효하다. 이 액침 노광장치는 제 2 액체 공급 노즐인 노즐 2a 및 2d와, 수위 모니터(8)를 구비한다. 웨이퍼(4) 주위에 설치된 노즐 2a 및 2d를 통해서 공급된 액침 액체의 양을, 수위 모니터(8)의 측정 결과에 따라 제어한다. 이것에 의해, 웨이퍼(4)를 덮는 액체의 액위와 판(6)을 덮는 액체의 액위가 상시 같은 높이가 된다. 이와 같이 하면, 판(6), A부, 및 웨이퍼(4)를 덮는 액체의 액위가 같은 높이가 된다. 따라서, 웨이퍼(4) 상의 노광영역 B부의 위치에 관계없이 웨이퍼(4)를 용이하게 적절히 액침할 수가 있다.
이상 설명한 예시적인 실시 예에 의하면, 로컬 필 방식의 액침 노광장치에서 노광영역이 웨이퍼 주변인 경우에도, 웨이퍼 주변이나 웨이퍼 근방의 상태에 의존하지 않고, 적절한 액침 상태를 유지할 수가 있다.
[제 5 예시적인 실시 예]
다음에, 상술한 노광장치를 이용한 미소 디바이스(IC나 LSI 등의 반도체 칩, 액정 패널, CCD, 박막 자기 헤드, 마이크로머신 등)의 제조 프로세스를 설명한다.
도 5는 반도체 디바이스의 제조 프로세스의 예를 나타내는 플로차트다.
스텝 S1는 반도체 디바이스의 회로를 설계하기 위한 회로설계공정이다. 스텝 S2는 설계한 회로 패턴에 근거해, 원판 또는 레티클이라고도 칭할 수 있는 마스크를 제작하기 위한 마스크 제작공정이다.
스텝 S3은 실리콘 등의 재료를 이용해 기판이라고 칭할 수 있는 웨이퍼를 제조하는 웨이퍼 제조공정이다. 스텝 S4는 "전공정"으로 불리며, 상기 준비한 마스크를 설치한 노광장치를 이용해, 리소그래피 기술에 의해 웨이퍼 상에 실제의 회로를 형성하는 웨이퍼 프로세스이다.
스텝 S5는 "후공정"으로 불리며, 스텝 S4에서 제작된 웨이퍼를 이용해 반도체 칩을 형성하는 조립공정이다. 이 후공정은, 어셈블리 공정(다이싱, 본딩)과, 패키징 공정(칩 봉입) 등을 포함한다. 스텝 S6은 스텝 S5에서 제작된 반도체 디바이스를 검사하는 검사공정이다. 이 검사는, 동작 확인 테스트, 내구성 테스트 등을 포함한다. 스텝 S7은 상술한 공정을 통해서 완성된 반도체 디바이스를 출하하기 위한 출하공정이다.
상기 스텝 S4의 웨이퍼 프로세스는, 웨이퍼의 표면을 산화시키는 산화스텝과, 웨이퍼 표면에 절연막을 형성하는 CVD(chemical vapor depositioin) 스텝과, 웨이퍼 상에 전극을 증착에 의해 형성하는 전극 형성스텝을 포함한다. 또, 상기 스텝 S4의 웨이퍼 프로세스는 웨이퍼에 이온을 주입하는 이온 주입스텝과, 웨이퍼에 감광제를 도포하는 레지스트 처리스텝과, 상기의 노광장치를 이용해, 회로 패턴을 가진 마스크로 레지스트 처리 스텝 후의 웨이퍼를 노광하는 노광 스텝을 포함한다. 게다가, 상기 스텝 S4의 웨이퍼 프로세스는 노광 스텝에서 노광한 웨이퍼를 현상하는 현상 스텝과, 현상 스텝에서 현상한 레지스트 상 이외의 부분을 에칭하는 에칭 스텝과, 에칭 스텝 후에 남은 불필요한 레지스트를 제거하는 레지스트 박리 스텝을 포함한다. 이러한 스텝을 반복함으로써, 웨이퍼 상에 다중으로 회로 패턴을 형성한다.
예시적인 실시 예를 참조하면서 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 이들 바람직한 실시 예에 한정되는 것이 아니다. 이하의 특허청구범위는 본 발명의 범주를 벗어나지 않고 다양한 변경 및 변형이 가능하다.
도 1은, 본 발명의 제 1 예시적인 실시 예에 따른 액침 노광장치의 액침기구의 구성 예를 나타낸다.
도 2는, 도 1에 나타낸 웨이퍼 스테이지의 상면도다.
도 3은, 본 발명의 제 3 예시적인 실시 예에 따른 액침 노광장치의 액침기구의 구성 예를 나타낸다.
도 4는, 본 발명의 제 4 예시적인 실시 예에 따른 액침 노광장치의 액침기구의 구성 예를 나타낸다.
도 5는, 디바이스의 제조 프로세스의 예를 나타낸다.

Claims (7)

  1. 액체를 통해서 기판 상의 복수의 샷 영역을 노광하는 노광장치로서,
    상기 기판을 홀드하는 척과, 상기 척의 주위에 배치된 판을 포함하는 이동가능 스테이지와,
    원판으로부터의 빛을 상기 척에 의해 홀드된 상기 기판에 투영하는 투영 광학계와,
    상기 투영 광학계의 최종 광학 소자의 주위에 배치된 제 1 액체 공급 노즐과,
    상기 스테이지 상에 배치된 복수의 제 2 액체 공급 노즐을 구비하고,
    상기 노광장치는 상기 제 1 액체 공급 노즐을 통해서 상기 최종 광학소자와 상기 기판과의 사이의 간극에 액체를 공급하고,
    상기 노광장치는, 상기 기판 상에서의 노광 샷 영역의 위치에 근거해 상기 복수의 제 2 액체 공급 노즐로부터 액체를 공급하는 노즐을 선택하고, 상기 선택된 제 2 액체 공급 노즐을 이용해 상기 척과 상기 판과의 사이의 간극에 상기 액체를 공급하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 제 2 액체 공급 노즐은 상기 척의 주위에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 척과 상기 판과의 사이의 간극에 있어서의 액위를 계측하는 액위계를 더 구비하고, 상기 노광장치는 상기 계측된 액위에 근거해 상기 제 2 액체 공급 노즐을 통해서 상기 액체의 공급을 제어하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 투영 광학계의 최종 광학 소자의 주위에 배치된 제 1 액체 회수 노즐과 상기 스테이지 상에 배치된 복수의 제 2 액체 회수 노즐을 더 구비하고,
    상기 노광장치는, 상기 최종 광학 소자와 상기 척에 의해 홀드된 상기 기판과의 사이의 간극으로부터 상기 제 1 액체 회수 노즐을 통해서 액체를 회수하고,
    상기 노광장치는, 상기 기판 상에서의 상기 노광 샷 영역의 위치에 근거해, 혹은, 상기 기판 상에서의 상기 노광 샷 영역의 위치와 상기 스테이지의 구동 조건에 근거해, 상기 복수의 제 2 액체 회수 노즐로부터 액체를 회수하는 노즐을 선택하고, 상기 선택된 제 2 액체 회수 노즐을 통해서 상기 척과 상기 판과의 사이의 간극으로부터 액체를 회수하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 복수의 제 2 액체 회수 노즐은 상기 척의 주위에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 액체를 통해서 기판 상의 복수의 샷 영역을 노광하는 노광장치를 이용하는 디바이스 제조방법으로서, 상기 노광장치는,
    상기 기판을 홀드하는 척과, 상기 척의 주위에 배치된 판을 포함하는 이동가능 스테이지와,
    원판으로부터의 빛을 상기 척에 의해 홀드된 상기 기판에 투영하는 투영 광학계와,
    상기 투영 광학계의 최종 광학 소자의 주위에 배치된 제 1 액체 공급 노즐과,
    상기 스테이지 상에 배치된 복수의 제 2 액체 공급 노즐을 구비하고,
    상기 노광장치는 상기 제 1 액체 공급 노즐을 통해서 상기 최종 광학소자와 상기 기판과의 사이의 간극에 액체를 공급하며,
    상기 노광장치는, 상기 기판 상에서의 노광 샷 영역의 위치에 근거해 상기 복수의 제 2 액체 공급 노즐로부터 액체를 공급하는 노즐을 선택하고, 상기 선택된 제 2 액체 공급 노즐을 이용해 상기 척과 상기 판과의 사이의 간극에 액체를 공급 하고, 상기 방법은,
    상기 노광장치를 이용해 기판을 노광하는 것과,
    상기 노광된 기판을 현상하는 것을 포함한 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  7. 액체를 통해서 기판 상의 복수의 샷 영역을 노광하는 노광장치로서,
    상기 기판을 홀드하는 척과 상기 척의 주위에 배치된 판을 포함하는 이동가능 스테이지와,
    원판으로부터의 빛을 상기 척에 위해 홀드된 상기 기판에 투영하는 투영 광학계와,
    상기 투영 광학계의 최종 광학 소자의 주위에 배치된 제 1 액체 공급 노즐과,
    상기 스테이지 상에 배치된 복수의 제 2 액체 공급 노즐을 구비하고,
    상기 노광장치는 상기 제 1 액체 공급 노즐을 통해서 상기 최종 광학소자와 상기 기판과의 사이의 간극에 액체를 공급하며,
    상기 노광장치는, 상기 기판 상에서의 노광 샷 영역의 위치와 상기 스테이지의 구동 조건에 근거해, 상기 복수의 제 2 액체 공급 노즐로부터 액체를 공급하는 노즐을 선택하고, 상기 선택된 제 2 액체 공급 노즐을 이용해 상기 척과 상기 판과의 사이의 간극에 액체를 공급하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
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