JP2868652B2 - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
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- cleaning
- wafer chuck
- semiconductor exposure
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
等の半導体素子を製造する際に用いられる半導体露光装
置に関するものである。
ウエハを吸着保持してレチクルパターンをウエハに露光
転写する。従来この種の装置にはウエハチャックをクリ
ーニングする手段が設けられていなかった。
る場合、X線による場合および光による場合を問わず、
焦点深度を満足させウエハの面内歪を少なくするために
ウエハの平坦度を保つ必要がある。ウエハチャック上面
に異物が付着するとウエハの平坦度を悪化させる。した
がってウエハチャック上面は常にクリーンに保つ必要が
ある。従来この種の装置には、ウエハチャックをクリー
ニングする手段が設けられていなかったため、人手によ
り定期的にクリーニングを行っていた。
ニングは、クリーニング作業に時間がかかり、また人手
を介するため装置環境(特に温度)を乱し、さらに人手
を介するため二次的な異物付着を生じやすいという欠点
があった。
れたものであって、人手を介することなく迅速にウエハ
チャックをクリーニング可能とし、装置環境を乱すこと
なく装置を安定に稼働させ生産性の向上を図った半導体
露光装置の提供を目的とする。
成するため、本発明は、XYステージ上のウエハチャッ
クにウエハを吸着保持して、レチクルパターンを該ウエ
ハ上に露光転写する半導体露光装置において、前記ウエ
ハチャックのウエハ搭載面にクリーニングプレートを擦
り合せることにより前記ウエハ搭載面をクリーニングす
るクリーニング手段を具備したことにより、装置環境を
乱すことなく短時間でクリーニングを行うことが可能と
なる。
1はXYステージ、2はウエハチャック、3はクリーニ
ングプレート、4はシリンダー、5はバネ、6はピスト
ンロッド、7はバネである。これらのシリンダー4、バ
ネ5、7およびピストンロッド6により、クリーニング
プレート3をウエハチャック2の上面に対して垂直方向
に移動するための移動手段10を構成する。
面は以下のようにクリーニングされる。まず、ウエハチ
ャック2がクリーニングプレート3の真下に位置するよ
うにXYステージ1を移動させる。次にクリーニングプ
レート移動手段10のシリンダー4にエアーを供給して
ピストンロッド6を下げ、バネ7を介してクリーニング
プレート3をウエハチャック2の上面(ウエハ搭載面)
に接触させる。この状態でXYステージ1を水平面内で
反復駆動してクリーニングプレート3とウエハチャック
2とを擦り合わせることにより、ウエハチャック2をク
リーニングする。
クなどの多孔質材にすれば、ウエハチャック2に付着し
た異物を吸着しやすくなりクリーニング効果が向上す
る。
ック2の径よりも大きくすれば、摩り合わせ時に常にウ
エハチャック全面にクリーニンプレート3を接触させる
ことができ、クリーニングによるチャック面の平坦度劣
化を防止できる。
3を静止させXYステージを反復駆動してクリーニング
プレート3とウエハチャック2の擦り合わせを行ってい
るが、ウエハチャック2側を静止させて、クリーニング
プレート3を揺動、あるいは回転運動させることにより
擦り合わせを行うことも可能である。
は回転運動させつつXYステージ1を反復運動させて擦
り合わせることも可能である。
ウエハ搭載面にクリーニングプレートを擦り合せること
によりウエハ搭載面をクリーニングするクリーニング手
段を具備したことにより、人手を介することなく、従っ
て装置環境を乱すことなく、迅速にウエハチャックをク
リーニングすることが可能となり装置の生産性、安定性
の向上を図ることができる。
部断面構成図である。
ングプレート、10;クリーニングプレート移動手段。
Claims (4)
- 【請求項1】 XYステージ上のウエハチャックにウエ
ハを吸着保持して、レチクルパターンを該ウエハ上に露
光転写する半導体露光装置において、前記ウエハチャッ
クのウエハ搭載面にクリーニングプレートを擦り合せる
ことにより前記ウエハ搭載面をクリーニングするクリー
ニング手段を具備したことを特徴とする半導体露光装
置。 - 【請求項2】 XYステージ上のウエハチャックにウエ
ハを吸着保持して、レチクルパターンを該ウエハ上に露
光転写する半導体露光装置において、前記ウエハチャッ
クのウエハ搭載面をクリーニングするためのクリーニン
グ手段を具備し、前記クリーニング手段は、ウエハチャ
ック上面に直接接触して研磨するクリーニングプレート
と、該クリーニングプレートを該ウエハチャック上面に
対して垂直方向に移動させる移動手段とを有し、該クリ
ーニングブレートがウエハチャック上面に接触した後、
該クリーニングプレートと前記XYステージとの間の相
互間の反復運動により、クリーニング動作を行うことを
特徴とする半導体露光装置。 - 【請求項3】 前記クリーニングプレートは多孔質材料
からなることを特徴とする請求項1または2の半導体露
光装置。 - 【請求項4】 前記クリーニングプレートの研磨面の寸
法はチャックのウエハ搭載面の寸法よりも大きいことを
特徴とする請求項1または2の半導体露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27043091A JP2868652B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27043091A JP2868652B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0582411A JPH0582411A (ja) | 1993-04-02 |
JP2868652B2 true JP2868652B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=17486171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27043091A Expired - Lifetime JP2868652B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2868652B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5559582A (en) * | 1992-08-28 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
US5825470A (en) * | 1995-03-14 | 1998-10-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
JP3441956B2 (ja) | 1998-02-16 | 2003-09-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置、クリーニング用砥石およびデバイス製造方法 |
WO2006070748A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Nikon Corporation | メンテナンス方法、露光装置、メンテナンス部材 |
JP5029611B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2012-09-19 | 株式会社ニコン | クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP5099476B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2012-12-19 | 株式会社ニコン | 清掃装置及び清掃システム、パターン形成装置、清掃方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP6148850B2 (ja) * | 2012-12-05 | 2017-06-14 | 日本特殊陶業株式会社 | クリーニング用素材およびクリーニング方法 |
WO2018224303A1 (en) * | 2017-06-08 | 2018-12-13 | Asml Netherlands B.V. | A system for cleaning a substrate support, a method of removing matter from a substrate support, and a lithographic apparatus |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP27043091A patent/JP2868652B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0582411A (ja) | 1993-04-02 |
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