JPH0582411A - 半導体露光装置 - Google Patents

半導体露光装置

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JPH0582411A
JPH0582411A JP27043091A JP27043091A JPH0582411A JP H0582411 A JPH0582411 A JP H0582411A JP 27043091 A JP27043091 A JP 27043091A JP 27043091 A JP27043091 A JP 27043091A JP H0582411 A JPH0582411 A JP H0582411A
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wafer
cleaning
wafer chuck
cleaning plate
chuck
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修一 薮
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 人手を介することなく迅速にウエハチャック
をクリーニング可能とし、装置環境を乱すことなく装置
を安定に稼働させ生産性の向上を図った半導体露光装置
を提供する。 【構成】 XYステージ1上のウエハチャック2にウエ
ハを吸着保持して、レチクルパターンを該ウエハ上に露
光転写する半導体露光装置において、前記ウエハチャッ
ク2のウエハ搭載面をクリーニングするためのクリーニ
ング手段3,10を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はIC、LSI、VLSI
等の半導体素子を製造する際に用いられる半導体露光装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体露光装置では、ウエハチャックに
ウエハを吸着保持してレチクルパターンをウエハに露光
転写する。従来この種の装置にはウエハチャックをクリ
ーニングする手段が設けられていなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】露光中は、電子線によ
る場合、X線による場合および光による場合を問わず、
焦点深度を満足させウエハの面内歪を少なくするために
ウエハの平坦度を保つ必要がある。ウエハチャック上面
に異物が付着するとウエハの平坦度を悪化させる。した
がってウエハチャック上面は常にクリーンに保つ必要が
ある。従来この種の装置には、ウエハチャックをクリー
ニングする手段が設けられていなかったため、人手によ
り定期的にクリーニングを行っていた。
【0004】しかしながら、このような人手にるクリー
ニングは、クリーニング作業に時間がかかり、また人手
を介するため装置環境(特に温度)を乱し、さらに人手
を介するため二次的な異物付着を生じやすいという欠点
があった。
【0005】本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなさ
れたものであって、人手を介することなく迅速にウエハ
チャックをクリーニング可能とし、装置環境を乱すこと
なく装置を安定に稼働させ生産性の向上を図った半導体
露光装置の提供を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段および作用】前記目的を達
成するため、本発明によれば、ウエハチャックをクリー
ニングする手段を装置自体に設けることにより、装置環
境を乱すことなく短時間でクリーニングを行うことが可
能となる。
【0007】
【実施例】図1は本発明の実施例を示す。同図に於て、
1はXYステージ、2はウエハチャック、3はクリーニ
ングプレート、4はシリンダー、5はバネ、6はピスト
ンロッド、7はバネである。これらのシリンダー4、バ
ネ5、7およびピストンロッド6により、クリーニング
プレート3をウエハチャック2の上面に対して垂直方向
に移動するための移動手段10を構成する。
【0008】上記構成において、ウエハチャック2の上
面は以下のようにクリーニングされる。まず、ウエハチ
ャック2がクリーニングプレート3の真下に位置するよ
うにXYステージ1を移動させる。次にクリーニングプ
レート移動手段10のシリンダー4にエアーを供給して
ピストンロッド6を下げ、バネ7を介してクリーニング
プレート3をウエハチャック2の上面(ウエハ搭載面)
に接触させる。この状態でXYステージ1を水平面内で
反復駆動してクリーニングプレート3とウエハチャック
2とを擦り合わせることにより、ウエハチャック2をク
リーニングする。
【0009】クリーニングプレート3の材質をセラミッ
クなどの多孔質材にすれば、ウエハチャック2に付着し
た異物を吸着しやすくなりクリーニング効果が向上す
る。
【0010】またクリーニングプレート3をウエハチャ
ック2の径よりも大きくすれば、摩り合わせ時に常にウ
エハチャック全面にクリーニンプレート3を接触させる
ことができ、クリーニングによるチャック面の平坦度劣
化を防止できる。
【0011】図1の実施例では、クリーニングプレート
3を静止させXYステージを反復駆動してクリーニング
プレート3とウエハチャック2の擦り合わせを行ってい
るが、ウエハチャック2側を静止させて、クリーニング
プレート3を揺動、あるいは回転運動させることにより
擦り合わせを行うことも可能である。
【0012】またクリーニングプレート3を揺動あるい
は回転運動させつつXYステージ1を反復運動させて擦
り合わせることも可能である。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、ウエハチャックを
クリーニングする手段を露光装置自体に設けることによ
り、人手を介することなく、従って装置環境を乱すこと
なく、迅速にウエハチャックをクリーニングすることが
可能となり装置の生産性、安定性の向上を図ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例に係わる半導体露光装置の要
部断面構成図である。
【符号の説明】 1;XYステージ、2;ウエハチャック、3;クリーニ
ングプレート、10;クリーニングプレート移動手段。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 XYステージ上のウエハチャックにウエ
    ハを吸着保持して、レチクルパターンを該ウエハ上に露
    光転写する半導体露光装置において、前記ウエハチャッ
    クのウエハ搭載面をクリーニングするためのクリーニン
    グ手段を具備したことを特徴とする半導体露光装置。
  2. 【請求項2】 前記クリーニング手段は、ウエハチャッ
    ク上面に直接接触して研磨するクリーニングプレート
    と、該クリーニングプレートを該ウエハチャック上面に
    対して垂直方向に移動させる移動手段とを有し、該クリ
    ーニングプレートがウエハチャック上面に接触した後、
    該クリーニングプレートと前記XYステージとの間の相
    互間の反復運動により、クリーニング動作を行うことを
    特徴とする請求項1の半導体露光装置。
  3. 【請求項3】 前記クリーニングプレートは多孔質材科
    からなることを特徴とする請求項2の半導体露光装置。
  4. 【請求項4】 前記クリーニングプレートの研磨面の寸
    法はチャックのウエハ搭載面の寸法よりも大きいことを
    特徴とする請求項2の半導体露光装置。
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