JP2015159157A - 研磨方法及び装置、並びにデバイス製造方法及びシステム - Google Patents

Abstract

【課題】基板の表面に実質的に接触することなく、その基板の裏面に付着した異物を除去する。【解決手段】ウエハ用の研磨装置１０であって、デバイス用パターンが形成されるウエハ面Ｗｓを有するウエハＷに対して、サクションカップ２５によって、ウエハ面Ｗｓから裏面Ｗｂに向かう方向の力を、ウエハ面Ｗｓに非接触の状態で付与しつつ、ウエハＷを支持するウエハ支持部１２と、ウエハ裏面Ｗｂの異物が付着している領域を研磨する研磨部１４とを備える。【選択図】図２

Description

本発明は、基板を研磨する研磨技術、及びこの研磨技術を用いるデバイス製造技術に関する。

半導体素子等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するためのフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置においては、解像度を高めるために、露光光の波長の短波長化、及び投影光学系の開口数の増大が行われてきた。最近では、より解像度を高めるために、投影光学系と露光対象の基板（例えば半導体ウエハ）との間の局所的な領域に液体を供給して露光を行う液浸型の露光装置も使用されている（例えば、特許文献１参照）。

米国特許出願公開第２００８／８８８４３号明細書

露光対象の基板が露光装置に搬送される際に、その基板の裏面に感光材料（フォトレジスト等）又は微小な塵等の異物が付着することがある。さらに、露光装置が液浸型である場合、その基板の感光材料の上には、撥液性の保護膜（いわゆるトップコート）が塗布されていることがある。このような保護膜の一部も基板の裏面に異物として付着する恐れがある。

露光装置において、搬送されてきた基板を基板用のホルダの上面に載置する際に、基板の裏面にそのような異物が付着していると、基板の平面度が部分的に悪化して、露光精度（解像度、重ね合わせ精度等）が部分的に低下する恐れがある。なお、基板の裏面に付着する異物は微量であり、現在ではそのような異物の付着による露光精度の低下はほとんど無視できる程度である。しかしながら、今度、電子デバイスの回路パターンがより微細化して、露光精度がより高くなった場合には、そのような基板の裏面の異物による基板の平面度の悪化を抑制することが好ましい。

また、基板の表面には電子デバイス用の回路パターンが形成されるため、その基板の裏面の異物を除去する際に、その基板の表面には接触しないことが好ましい。
本発明の態様は、このような事情に鑑み、基板の表面に実質的に接触することなく、その基板の裏面に付着した異物を除去することを目的とする。

本発明の第１の態様によれば、基板の研磨方法であって、デバイス用パターンが形成される表面を有する基板を少なくともその表面に非接触の状態で支持することと、その基板のその裏面の少なくとも一部の研磨対象領域を研磨することと、その研磨の際に、その基板に対して、その表面からその裏面に向かう方向の力を付与することと、を含む研磨方法が提供される。
第２の態様によれば、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、基板の表面に感光材料を塗布することと、本発明の態様の研磨方法を用いて、その基板のその裏面を研磨することと、その基板のその表面にデバイス用のパターンの像を露光することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

第３の態様によれば、基板の研磨装置であって、デバイス用パターンが形成される表面を有する基板を少なくともその表面に非接触の状態で支持する基板支持部と、その基板のその裏面の少なくとも一部の研磨対象領域を研磨する研磨部と、その研磨の際に、その基板に対して、その表面からその裏面に向かう方向の力を付与する付与装置と、を備える研磨装置が提供される。
第４の態様によれば、基板の表面に感光材料を塗布する塗布装置と、その基板の裏面を研磨するための、本発明の態様の研磨装置と、その基板のその表面にデバイス用のパターンの像を露光する露光装置と、を備えるデバイス製造システムが提供される。

本発明の態様によれば、基板の表面に実質的に接触することなく、その基板の裏面に付着した異物を除去することを目的とする。

第１の実施形態に係るデバイス製造システムを示すブロック図である。 第１の実施形態に係る研磨装置を示す一部を断面図で表した図である。 （Ａ）は図２のウエハ支持部の複数のサクションカップの配置の一例を示す底面図、（Ｂ）はウエハ支持部の要部を示す図、（Ｃ）はウエハの周縁部の一部を示す拡大断面図である。 研磨方法の一例を示すフローチャートである。 （Ａ）は第１変形例のウエハ保持部を示す図、（Ｂ）は図５（Ａ）のウエハ保持部を示す底面図、（Ｃ）は図５（Ｂ）のＣＣ線に沿う拡大断面図である。 （Ａ）は第２変形例のウエハ保持部を示す底面図、（Ｂ）は図６（Ａ）中の拡大図Ｂ２のＢＢ線に沿う拡大断面図である。 （Ａ）は第２の実施形態に係る研磨装置を示す一部を断面図で表した図、（Ｂ）は図７（Ａ）中のウエハと研磨用の回転テーブルとの関係を示す図である。 電子デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。

［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態につき図１〜図４を参照して説明する。図１は、本実施形態に係るデバイス製造システムＤＭＳを示す。図１において、デバイス製造システムＤＭＳは、露光装置ＥＸと、コータ・デベロッパＣＤと、検査装置８と、研磨装置１０と、システム全体の工程管理等を行うホストコンピュータ６と、コータ・デベロッパＣＤから露光装置ＥＸまでの装置間で、半導体デバイス等が形成される表面を有する基板としての半導体ウエハ（以下、単にウエハという。）の搬送を行う搬送ロボット９Ａ，９Ｂ，９Ｃとを備えている。露光装置ＥＸは、例えば米国特許出願公開第２００８／８８８４３号明細書に開示されているような、液浸型で走査露光型の露光装置（投影露光装置）である。コータ・デベロッパＣＤは、ウエハＷ（図３（Ｃ）参照）の表面に感光材料としてのフォトレジストを塗布し、そのフォトレジストの上面にさらに液浸法で露光を行う場合に使用される撥液性の保護膜としてのトップコートを塗布する。

図３（Ｃ）に示すように、コータ・デベロッパＣＤから搬出されたウエハＷは、直径が例えば２５０ｍｍ、３００ｍｍ、又は４５０ｍｍ等の円板状のシリコン等の半導体材料よりなる基材ＳＵＢの表面（半導体デバイス等のパターンが形成される面）に、フォトレジストＰＲ及びトップコートＴＣが塗布されている。フォトレジストＰＲ及びトップコートＴＣが塗布された状態では、基材ＳＵＢの表面上にあるトップコートＴＣの表面をウエハＷの表面（以下、ウエハ面という）Ｗｓという。ただし、フォトレジストＰＲが塗布されていない状態では、基材ＳＵＢの表面がそのままウエハ面Ｗｓとなる。また、基材ＳＵＢの裏面（基材ＳＵＢの表面に対向する側の面）をウエハＷの裏面Ｗｂという。

ウエハＷにおいては、トップコートＴＣの一部ＴＣａが、ウエハＷの裏面（以下、ウエハ裏面ともいう）Ｗｂの周縁部（エッジ部及びエッジ部にに近い部分）に回り込んでいる場合がある。さらに、フォトレジストＰＲの一部（不図示）が裏面Ｗｂの周縁部に付着している場合もある。本実施形態においては、裏面Ｗｂにおいて異物が付着する領域は主に周縁部である。そのフォトレジストＰＲ及び／又はトップコートＴＣの一部のような異物がウエハ裏面Ｗｂに付着した状態で、ウエハＷを露光装置ＥＸのウエハステージのウエハホルダ（不図示）に載置すると、ウエハＷの平面度が部分的に低下する恐れがある。また、そのような異物は、裏面Ｗｂに固くこびり付いているため、真空吸引等では除去することが困難である。さらに、例えばウエハＷの２層目以降に露光する場合には、ウエハ面Ｗｓの複数のショット領域（不図示）にはそれまでの工程でそれぞれ回路パターンが形成されているため、裏面Ｗｂの異物を除去する際にウエハ面Ｗｓに機械的に接触することは好ましくない。また、ウエハＷの１層目に露光する場合でも、ウエハ面ＷｓにはフォトレジストＰＲ及びトップコートＴＣが塗布されているため、ウエハ面Ｗｓに機械的に接触することは好ましくない。本実施形態では、そのようなウエハ裏面Ｗｂに付いた異物を除去するために、ウエハ面Ｗｓに実質的に接触することなく裏面Ｗｂを研磨可能な研磨装置１０を使用する。

また、検査装置８は、一例として、コータ・デベロッパＣＤから搬送ロボット９Ａによって搬送されて来るウエハＷの裏面（ウエハ裏面Ｗｂ）を、フォトレジストＰＲに対して感光性の低い波長域のレーザ光で走査し、裏面Ｗｂからの散乱光を検出することによって、裏面Ｗｂの異物を検出する。なお、検査装置８としては、周知の任意の検査装置を使用することができる。検査装置８によってウエハ裏面Ｗｂに所定の許容範囲を超える大きさの異物が検出された場合、その裏面Ｗｂにおいて異物が付着している部分の位置の情報がホストコンピュータ６を介して研磨装置１０の主制御部１６（図２参照）に供給されるとともに、そのウエハＷは搬送ロボット９Ｃによって研磨装置１０に搬送される。そして、研磨装置１０において、そのウエハ裏面Ｗｂの異物の除去が行われる。その後、必要に応じて洗浄等の工程を経て、ウエハＷは搬送ロボット９Ｂ等を介して露光装置ＥＸに搬送される。

図２は、本実施形態に係る研磨装置１０を示す。図２において、研磨装置１０は、研磨対象のウエハＷを支持するウエハ支持部１２と、ウエハ裏面Ｗｂの少なくとも一部を研磨可能な研磨部１４と、装置全体の動作を制御するコンピュータよりなる主制御部１６と、を備えている。ウエハ支持部１２は、ウエハＷに対して、ウエハ面Ｗｓから裏面Ｗｂに向かう方向の力を、ウエハ面Ｗｓに非接触の状態で付与する第１支持部２２と、ウエハＷを、ウエハ面Ｗｓに平行な方向に移動しないように支持する第２支持部１８とを有する。第２支持部１８は、多数のピン状の凸部１９ａでウエハ裏面Ｗｂの一部（例えば中央部）を支持するピンチャック方式の回転可能なホルダ部（以下、回転ホルダという）１９と、回転ホルダ１９が連結された回転軸２０と、回転軸２０を介して回転ホルダ１９を回転させる回転モータ２１とを有する。

回転ホルダ１９の多数の凸部１９ａの間には真空吸着用の複数の穴１９ｂ（図２では代表的に一つの穴を示す）が設けられ、複数の穴１９ｂは、例えば相対的に回転可能な継ぎ部（不図示）を介して真空ポンプ（不図示）に連通している。複数の穴１９ｂを介してウエハＷを吸引する真空吸着によって、ウエハＷはその回転中も回転ホルダ１９に安定に支持される。以下、回転ホルダ１９において、ウエハ裏面Ｗｂが載置される載置面１９ｃ（多数の凸部１９ａの上面に接する面）に平行な平面内で図２の紙面に平行な方向にＸ軸を、図２の紙面に垂直な方向にＹ軸を取り、Ｘ軸及びＹ軸を含む平面（ＸＹ面）に垂直な方向にＺ軸を取って説明する。回転ホルダ１９は、回転モータ２１によってＺ軸に平行な軸の回りに回転駆動される。また、回転ホルダ１９及び回転モータ２１のＺ方向の位置を調整するＺ方向の駆動部（不図示）も設けられている。主制御部１６が、回転モータ２１及びそのＺ方向の駆動部の動作を制御する。

また、第１支持部２２は、図１の搬送ロボット９Ｃの先端部に連結されて、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向の位置を制御可能なアーム部２４と、アーム部２４の下端部に連結されてウエハＷとほぼ同じ大きさの円板状の搬送部２３と、搬送部２３の底面に互いにほぼ密接するように設けられた複数の円柱状のサクションカップ２５（付与装置又は調整部材）とを有する。サクションカップはベルヌーイカップとも呼ぶことができる。主制御部１６が搬送ロボット制御部４３を介してアーム部２４の位置を制御する。

図３（Ａ）は、図２の搬送部２３を示す底面図である。図３（Ａ）に示すように、複数のサクションカップ２５は、一例として、搬送部２３の中心部に設けられた一つのサクションカップ２５、このサクションカップ２５を囲むようにほぼ等角度間隔で配置された６個のサクションカップ２５、及びこれらのサクションカップ２５を囲むように同心円状にほぼ等角度間隔で配置された１２個のサクションカップ２５を有する。なお、複数のサクションカップ２５の個数及び配置は任意であり、サクションカップ２５は少なくとも一つ設けられていてもよい。

図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の複数のサクションカップ２５に対向するように、所定のＺ方向の間隔ｇを隔てて研磨対象のウエハＷを配置した状態を示す。図３（Ｂ）に示すように、各サクションカップ２５は、それぞれ矢印Ａ３で示すように、ウエハ面Ｗｓに沿って放射状に可変の流量で清浄な気体を噴き出している。この場合、サクションカップ２５の端面（気体を噴き出す面）とウエハ面Ｗｓとの間隔ｇが大きくなると、ベルヌーイ効果による負圧が発生してウエハＷがサクションカップ２５側に吸引され、その間隔ｇが小さくなると、圧力エアクッション効果によってウエハＷをサクションカップ２５から離す力（ウエハ面Ｗｓから裏面Ｗｂに向かう力）が作用する。この結果、サクションカップ２５から噴き出す気体の流量を制御することによって、サクションカップ２５にウエハＷを吸引する力（＋Ｚ方向の吸引力）、又はサクションカップ２５からウエハＷを離す力（−Ｚ方向の反発力）を非接触でウエハＷに付与することができる。

図２の主制御部１６がサクションカップ制御部４４を介して各サクションカップ２５の気体の流量を制御して、各サクションカップ２５に対向して配置されている部分のウエハＷに作用する力を制御する。一例として、搬送部２３でウエハＷを搬送する際には、各サクションカップ２５にウエハＷを吸引する力を与えてウエハＷを非接触で保持する。そして、ウエハ裏面Ｗｂを研磨する際には、その研磨されている部分に対向して配置されているサクションカップ２５からウエハＷに対して、その研磨によって発生する＋Ｚ方向の圧力（研磨圧）を相殺するように、−Ｚ方向の力を付与する。これによって、研磨中にウエハＷが撓んでウエハＷが損傷することを防止できる。

また、ウエハＷの搬送中にウエハＷが搬送部２３に対してウエハ面Ｗｓに沿った方向に横ずれするのを防止するために、搬送部２３の側面にほぼ等角度間隔で例えば３箇所に、退避可能で互いに同じ構成の把持部２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃが設けられている。把持部２６Ａは、搬送部２３の側面に固定された固定部２７と、固定部２７に対して回転軸２９ａ（図２参照）の回りに回転可能に設けられた可動部２８と、可動部２９を回転駆動する回転モータ２９とを有する。

図２に示すように、搬送部２３を介してウエハＷを搬送する際には、把持部２６Ａ（他の把持部２６Ｂ，２６Ｃも同様）の可動部２８の先端部２８ａがウエハ裏面Ｗｂに接触するように、可動部２８を点線で示す位置Ａ２まで回転する。そして、裏面Ｗｂを研磨する際には、可動部２８を位置Ａ１まで退避させる。また、可動部２８の先端部２８ａには真空吸着用の穴（不図示）が設けられ、この穴が可動部２８内の通気孔及び可撓性を持つ排気管（不図示）を介して真空ポンプ（不図示）に連通している。その可動部２８の先端部２８ａを裏面Ｗｂに接触させた状態でその真空ポンプで吸引することによって、先端部２８ａに裏面Ｗｂを真空吸着で安定に保持できる。主制御部１６が把持部制御部４５を介して把持部２６Ａ〜２６Ｃの回転モータ２９の動作、及び可動部２８の先端部２８ａに対する真空吸着の開始及び解除のタイミングを制御する。なお、把持部２６を退避させずに、把持部２６と回転ホルダ１９とでウエハ裏面Ｗｂを吸着した状態でウエハ裏面Ｗｂを研磨してもよい。

また、研磨部１４は、一例として化学機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing: ＣＭＰ)方式で、かつ回転方式（ロータリータイプ）でウエハＷの裏面を研磨する。研磨部１４は、回転ホルダ１９に近接して配置され、ＸＹ面に平行な表面を有する円板状の回転可能なテーブル（以下、回転テーブルという）３２と、回転テーブル３２をＺ軸に平行な軸の回りに回転駆動する回転モータ３３と、回転テーブル３２の表面に貼着されている薄い円板状の研磨パッド３４とを有する。研磨パッド３４は、例えば発泡性の樹脂（合成樹脂）、無発泡の樹脂（合成樹脂）、又は不織布等の材料から形成されている。また、研磨パッド３４として、研磨対象面に接触する硬質の研磨層、及びこの下地としての不織布又はウレタンフォーム等の層を含む積層タイプの研磨パッドも使用できる。

研磨パッド３４を研磨対象面（ここではウエハ裏面Ｗｂ）に接触させ、研磨パッド３４と裏面Ｗｂとを相対的に変位（例えば回転）させることによって、その裏面Ｗｂが研磨されて、その裏面Ｗｂに付着した異物を除去できる。このため、研磨パッド３４の表面は、回転ホルダ１９の載置面１９ｃとほぼ同じ高さ（Ｚ方向の位置）に位置決めされている。なお、硬質の研磨パッドほど裏面Ｗｂの形状に追従しないため、研磨パッドの表面の平坦性が向上するが、裏面Ｗｂが部分的にわずかに歪んでいるような場合に、研磨後に異物が残留する恐れがある。なお、本実施形態では、研磨パッド３４とウエハ裏面Ｗｂとを共に回転させているが、どちらか一方のみを回転させることで相対的な変位が生じるようにしてもよい。

さらに、研磨部１４は、研磨パッド３４と研磨対象面との間に化学機械的研磨（以下、ＣＭＰという)用の液体であるいわゆるスラリー３９を供給するために、研磨パッド３４の表面にスラリー３９を滴下する配管３７と、配管３７にスラリー３９を供給する供給部３８と、研磨パッド３４の表面の清掃等を行うパッドコンディショナ３５と、研磨パッド３４の表面に沿ってパッドコンディショナ３５を移動する駆動部３６とを有する。スラリー３９としては、一例として二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化セシウム（ＣｅＯ₂）、酸化マンガン（Ｍｎ₂Ｏ₃）、又はダイヤモンドなどの粒子（粒子径は例えば数１０〜数１００ｎｍ）と、酸性又はアルカリ性などの研磨対象面の材料（ここではフォトレジスト又はトップコート等の異物）を改質する化学成分と、それらの粒子（砥粒）の分散剤と、界面活性剤との混合物を使用できる。スラリー３９中の粒子及び化学成分は、研磨対象面の材料に応じて最適な物質が選択される。

主制御部１６が、回転モータ３３及び駆動部３６の動作を制御し、供給部３８によるスラリー３９の供給量を制御する。さらに、必要に応じて、パッドコンディショナ３５と研磨パッド３４との間に液体（例えば純水等）を供給する液体供給部が設けられる。また、回転モータ３３及び回転テーブル３２と第２支持部１８（回転ホルダ１９）とのＸ方向の間隔を調整する駆動部（不図示）も設けられている。この駆動部によって、第２支持部１８に支持されているウエハ裏面Ｗｂの研磨中に、その裏面Ｗｂの半径方向の回転テーブル３２（研磨パッド３４）の位置を調整することができる。また、主制御部１６は、ホストコンピュータ６との間で種々の情報を交換できるとともに、主制御部１６には、ホストコンピュータ６から供給されるウエハ裏面Ｗｂの異物の位置の情報等を記憶する記憶部４２が接続されている。

次に、本実施形態の研磨装置１０を用いた研磨方法の一例につき図４のフローチャートを参照して説明する。その研磨方法の全体の動作はホストコンピュータ６によって制御される。まず、図４のステップ１０２において、図１のデバイス製造システムＤＭＳのコータ・デベロッパＣＤで、露光対象のウエハ（ウエハＷとする）のウエハ面ＷｓにフォトレジストＰＲ（レジスト）及びトップコートＴＣ（図３（Ｃ）参照）を塗布する。次のステップ１０４において、コータ・デベロッパＣＤから搬送ロボット９Ａによって検査装置８にウエハＷを搬送し、ウエハ裏面Ｗｂに許容範囲を超える大きさの異物があるかどうかを検査する。その許容範囲を超える大きさの異物がない場合には、動作はステップ１１２に移行して、ウエハＷは、搬送ロボット９Ｂによって露光装置ＥＸに搬送される。そして、露光装置ＥＸによってウエハＷは液浸方式で露光される（ステップ１１４）。その後、ウエハＷはステップ１１６の次工程（現像等）に移行する。

一方、ステップ１０４において、ウエハ裏面Ｗｂに許容範囲を超える大きさの異物が検出されたときには、動作はステップ１０６に移行して、検査装置８はホストコンピュータ６を介して研磨装置１０の主制御部１６に、裏面Ｗｂにおいて異物が検出された位置（ウエハＷのエッジ部からの距離等）及びその異物の大きさの情報等を供給する。さらに、ウエハＷは搬送ロボット９Ｃによって研磨装置１０に搬送される。この際に、搬送ロボット９Ｃの先端の搬送部２３の複数のサクションカップ２５とウエハＷとの間隔が所定の間隔になるように、サクションカップ２５がウエハＷを吸引する（図３（Ｂ）参照）。さらに、搬送部２３の側面に設けられた把持部２６Ａ〜２６Ｃの可動部２８の先端部２８ａがそれぞれ図２の位置Ａ２で示すようにウエハ裏面Ｗｂに接触し、かつ裏面Ｗｂを吸着する。これによって、ウエハＷは搬送部２３に対する相対位置が一定の状態で、研磨装置１０の第２支持部１８の回転ホルダ１９の載置面１９ｃの上方に搬送される。

そして、ウエハＷの中心を回転ホルダ１９の中心に合わせた状態で、搬送部２３を降下させることで、ウエハ裏面Ｗｂが回転ホルダ１９の載置面１９ｃに載置され、回転ホルダ１９によるウエハＷの吸着を開始することで、ウエハＷが回転ホルダ１９に保持される。この後、把持部２６Ａ〜２６Ｃの可動部２８はそれぞれ図２の位置Ａ１で示すように退避する。この状態では、研磨部１４において、研磨パッド３４の上面に対するスラリー３９の滴下が開始されているとともに、研磨パッド３４の一部が、ウエハ裏面Ｗｂの一部にほぼ接触する状態で対向している。また、裏面Ｗｂにおける研磨パッド３４の−Ｘ方向の端部のウエハＷのエッジ部からの距離が、検査装置８で異物が検出された位置のそのエッジ部からの距離よりも大きくなるように設定されている。これによって、研磨パッド３４による裏面Ｗｂの研磨対象領域は、裏面Ｗｂにおいて異物が付着している領域を含むことになる。

そして、ステップ１０８において、第１支持部２２の複数のサクションカップ２５のうち、研磨パッド３４に対向して配置されている一つ又は複数のサクションカップ２５からウエハＷに噴き出される気体の流量を制御して、ウエハＷに対して、ウエハ面Ｗｓから裏面Ｗｂの方向（−Ｚ方向）に向かう力を付与する。その一つ又は複数のサクションカップ２５からウエハＷに付与される力は、研磨中に研磨部１４（研磨パッド３４）によってウエハＷに加えられる＋Ｚ方向の力をほぼ相殺するように設定されている。これによって、ウエハ裏面Ｗｂの一部と研磨パッド３４の一部とがほぼ密着する。さらに、裏面Ｗｂと研磨パッド３４との間にスラリー３９の層が含まれている。また、複数のサクションカップ２５のうち、研磨パッド３４に対向していない部分に配置されている複数のサクションカップ２５においては、ウエハＷを＋Ｚ方向に吸引するようにその気体の流量を制御する。

また、ステップ１１０において、研磨部１４の回転モータ３３によって回転テーブル３２（研磨パッド３４）を回転させるのと同期して、第２支持部１８の回転モータ２１によって回転ホルダ１９（ウエハＷ）を回転させることによって、ウエハ裏面Ｗｂが研磨パッド３４によってＣＭＰ方式で研磨される。裏面Ｗｂに対する研磨時間は、裏面Ｗｂに付着している異物の大きさに応じて設定される。そして、ウエハ裏面Ｗｂの異物が除去されたと推定される時間が経過した後、回転テーブル３２及び回転ホルダ１９の回転を停止させ、研磨パッド３４に対向して配置されている一つ又は複数のサクションカップ２５からウエハＷに付与される−Ｚ方向に向かう力を解除する。そして、把持部２６Ａ〜２６Ｃの可動部２８の先端部２８ａをウエハ裏面Ｗｂに接触させて、可動部２８でウエハＷを吸着し、回転ホルダ１９によるウエハＷの吸着を解除する。その後、搬送部２３によってウエハＷを例えば洗浄槽（不図示）に搬送し、ウエハ裏面Ｗｂに付着したスラリー３９を洗浄した後、ウエハＷを乾燥させる。その後、動作はステップ１１２に移行して、ウエハＷに対する露光等が行われる。

この際に、ステップ１１０におけるウエハ裏面Ｗｂの研磨によって、裏面Ｗｂに付着した異物が除去されているため、ウエハＷを露光装置ＥＸのウエハホルダ（不図示）に載置したときに、ウエハＷの平面度が部分的に悪化することがない。このため、ウエハ面Ｗｓの全面で高い露光精度を得ることができ、最終的に製造される半導体デバイス等の歩留まりを向上できる。
また、ステップ１１０の後に、再度ステップ１０４を行ない、異物が検出された場合は、再度ウエハ裏面Ｗｂの研磨を行なってもよい。
なお、本実施形態では、ウエハ裏面Ｗｂのうち、回転ホルダ１９で吸着されていた部分を研磨していないが、研磨するための構成を設けてもよい。例えば、ウエハ裏面Ｗｂのうちの周縁部をリング状に保持する保持部を設け、この保持部でウエハＷを保持しつつ、回転ホルダ１９で吸着されていた部分を研磨するようにしてもよい。

上述のように本実施形態のウエハＷ（基板）用の研磨装置１０は、デバイス用パターンが形成されるウエハ面（表面）Ｗｓを有するウエハＷに対して、サクションカップ２５（付与装置）によって、ウエハ面Ｗｓから裏面Ｗｂに向かう方向（−Ｚ方向）の力を、ウエハ面Ｗｓに非接触の状態で付与しつつ、ウエハＷを支持するウエハ支持部１２（基板支持部）と、ウエハ裏面Ｗｂの異物が付着している領域（研磨対象領域）を研磨する研磨部１４とを備えている。

また、本実施形態の研磨方法は、ウエハＷに対してウエハ面Ｗｓから裏面Ｗｂに向かう方向の力を、ウエハ面Ｗｓに非接触の状態で付与しつつ、ウエハＷを支持するステップ１０６，１０８と、ウエハ裏面Ｗｂの一部の研磨対象領域を研磨するステップ１１０とを有する。
本実施形態によれば、ウエハ支持部１２からウエハＷに対して、ウエハ面Ｗｓに対して非接触の状態で、ウエハ裏面Ｗｂの研磨による圧力をほぼ相殺するようにウエハ面Ｗｓから裏面Ｗｂに向かう方向の力を付与できる。このため、ウエハ面Ｗｓに接触することなく、研磨によって裏面Ｗｂに付着した異物を除去できる。また、ウエハ面Ｗｓに回路パターンが形成されていても、又はウエハ面Ｗｓにフォトレジスト及びトップコートが塗布されていても、その研磨中にウエハ面Ｗｓに接触することがないため、ウエハ面Ｗｓの回路パターン、及び／又はウエハ面Ｗｓのフォトレジスト及びトップコートに悪影響を与えることがない。このため、最終的に製造される半導体デバイス等の歩留まりをより向上できる。

また、本実施形態のデバイス製造システムＤＭＳは、ウエハＷの表面にフォトレジスト（感光材料）を塗布するコータ・デベロッパＣＤ（塗布装置）と、ウエハの裏面を研磨する研磨装置１０と、ウエハＷの表面にデバイス用のパターンの像を露光する露光装置ＥＸとを備えている。このデバイス製造システムＤＭＳによれば、露光装置ＥＸにおける露光精度を高く維持できるため、最終的に製造される半導体デバイス等の歩留まりを向上できる。

なお、上述の実施形態では以下のような変形が可能である。
まず、上述の実施形態では、ウエハＷに対して−Ｚ方向の力を付与するために複数のサクションカップ２５が使用されているが、複数のサクションカップ２５の代わりに、図５（Ａ）の変形例のウエハ支持部１２Ａで示すように、エアパッドと真空吸着パッドとの組み合わせを使用してもよい。なお、図５（Ａ）〜（Ｃ）及び図６（Ａ）、（Ｂ）において図２に対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。

図５（Ａ）は、この変形例のウエハ支持部１２ＡでウエハＷをウエハ面Ｗｓに非接触で保持している状態を示し、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の搬送部２３Ａの底面図であり、図５（Ｃ）は、図５（Ｂ）のＣＣ線に沿う拡大断面図である。
図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、図１の搬送ロボット９Ｃの先端部に連結される円板状の搬送部２３Ａの底面に、同心円状に交互にエアパッド５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ（加圧部）及び真空吸着パッド５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ，５２Ｄ（吸引部）が形成されている。エアパッド５０Ａ〜５０Ｄ及び真空吸着パッド５２Ａ〜５２Ｃはリング状であり、中心部の真空吸着パッド５２Ｄは円形である。エアパッド５０Ａ〜５０Ｄには例えば等角度間隔で複数の通気孔５１が設けられ、真空吸着パッド５２Ａ〜５２Ｃには例えば等角度間隔で複数の通気孔５３が設けられ、中央の真空吸着パッド５２Ｄにも通気孔５３が設けられている。なお、図５（Ｂ）には、複数列の通気孔５１，５３のうちの２列に沿って配列された通気孔５１，５３のみを図示している。また、通気孔５１，５３は不等間隔で配置してもよい。

図５（Ｃ）に示すように、エアパッド５０Ａ，５０Ｂ（他のエアパッド５０Ｃ，５０Ｄも同様）は、搬送部２３Ａの底面に設けられたリング状の凹部であり、エアパッド５０Ａ，５０Ｂの上端の通気孔５１がそれぞれ搬送部２３内の共通の通気孔５１Ｔに連通し、通気孔５１Ｔに加圧ポンプ（不図示）から圧縮された清浄な気体（例えばドライエアー）が供給されている。

また、真空吸着パッド５２Ａ（他の真空吸着パッド５２Ｂ，５２Ｃも同様）は、搬送部２３Ａの底面に設けられたリング状の凹部であり、真空吸着パッド５２Ａ等の上端の通気孔５３が搬送部２３内の共通の通気孔５３Ｔに連通し、通気孔５３Ｔが真空ポンプ（不図示）によって吸引されている。また、エアパッド５０Ａ〜５０Ｄとこれに隣接する真空吸着パッド５２Ａ〜５２Ｄとの間に、それぞれ大気圧の雰囲気に連通しているリング状の溝（以下、大気圧溝という）５４が設けられている。すなわち、複数の大気圧溝５４の上部に設けられた通気孔５５が、それぞれ搬送部２３内の共通の通気孔を介して、大気圧の雰囲気にある開口５５Ｔに連通している。このため、この変形例では、エアパッド５０Ａ〜５０Ｄとこれに隣接する真空吸着パッド５２Ａ〜５２Ｄとの間に、それぞれ大気圧の空間が設けられ、エアパッド５０Ａ〜５０Ｄから噴き出される気体のうちで、真空吸着パッド５２Ａ〜５２Ｄによって吸引される気体の割合が小さくなり、エアパッド５０Ａ〜５０ＤによるウエハＷに対する加圧及び真空吸着パッド５２Ａ〜５２ＤによるウエハＷの吸引をそれぞれ効率的に行うことができる。

そして、エアパッド５０Ａ〜５０Ｄからウエハ面Ｗｓに噴き出される気体によって、ウエハ面Ｗｓの対向部５０Ａ１，５０Ｂ１等に対して矢印Ａ５で示すように、ウエハ面Ｗｓからウエハ裏面Ｗｂに向かう方向（−Ｚ方向）の力（反発力）が付与される。また、真空吸着パッド５２Ａ〜５２Ｄで気体を吸引することによって、ウエハ面Ｗｓの対向部５２Ａ１等に対して矢印Ａ６で示すように、ウエハＷを搬送部２３Ａ側に吸引する力が付与される。この他の構成は第１の実施形態の研磨装置１０と同様である。

このウエハ支持部１２Ａを用いて搬送中のウエハＷを保持する際には、真空吸着パッド５２Ａ〜５２ＤによるウエハＷの吸引力がエアパッド５０Ａ〜５０ＤによるウエハＷに対する反発力より大きくなるように力のバランスを制御することで、ウエハＷに対するＺ方向の間隔ｇを一定の値に維持できる。また、研磨中のウエハＷを保持する際には、図２の研磨部１４の研磨パッド３４に対向する部分のエアパッド５０Ａ〜５０Ｄから、研磨によるウエハＷに対する＋Ｚ方向の圧力を相殺するように−Ｚ方向の力を付与するか、又は真空吸着パッド５２Ａ〜５２ＤによるウエハＷの吸引力よりもエアパッド５０Ａ〜５０ＤによるウエハＷに対する反発力の方が大きくなるように力のバランスを制御することで、研磨中にウエハＷが撓んでウエハＷが損傷することを防止できる。

また、エアパッド及び真空吸着パッドは、同心円状ではなく、図６（Ａ）及び（Ｂ）の別の変形例のウエハ支持部１２Ｂで示すように２次元の格子状に配置してもよい。図６（Ａ）中のＢ１部は、この変形例の搬送部２３Ａを示す底面図、Ｂ２部は、Ｂ１部中のＢ３部の拡大図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）中のＢ２部のＢＢ線に沿う拡大断面図である。

図６（Ａ）に示すように、搬送部２３Ａの底面に、Ｘ方向及びＹ方向に交互に複数のエアパッド５０Ｅ及び複数の真空吸着パッド５２Ｅが形成されている。
図６（Ｂ）に示すように、エアパッド５０Ｅは、搬送部２３Ａの底面に設けられたほぼ正方形の凹部であり、エアパッド５０Ｅの上端の通気孔５１がそれぞれ搬送部２３内の共通の通気孔（不図示）を介して加圧ポンプ（不図示）に連通している。また、真空吸着パッド５２Ｅは、搬送部２３Ａの底面に設けられたほぼ正方形の凹部であり、真空吸着パッド５２Ｅの上端の通気孔５３が搬送部２３内の共通の通気孔（不図示）を介して真空ポンプ（不図示）に連通している。

また、エアパッド５０Ｅとこれに隣接する真空吸着パッド５２Ｅとの間に、それぞれ大気圧の雰囲気に連通しているほぼ正方形の枠状の大気圧溝５４Ａが設けられている。このため、この変形例においても、エアパッド５０Ｅから噴き出される気体のうちで、真空吸着パッド５２Ｅによって吸引される気体の割合が小さくなり、エアパッド５０ＥによるウエハＷに対する加圧及び真空吸着パッド５２ＥによるウエハＷの吸引をそれぞれ効率的に行うことができる。

そして、エアパッド５０Ｅからウエハ面Ｗｓに噴き出される気体によって、ウエハ面Ｗｓの対向部５０Ｅ１に対して−Ｚ方向の反発力が付与される。また、真空吸着パッド５２Ｅで気体を吸引することによって、ウエハ面Ｗｓの対向部５２Ｅ１に対してウエハＷを吸引する力が付与される。この他の構成は第１の実施形態の研磨装置１０と同様である。
このウエハ支持部１２Ｂを用いて搬送中のウエハＷを保持する際には、真空吸着パッド５２ＥによるウエハＷの吸引力がエアパッド５０ＥによるウエハＷに対する反発力より大きくなるように力のバランスを制御してもよい。また、研磨中のウエハＷを保持する際には、図２の研磨部１４の研磨パッド３４に対向する部分のエアパッド５０Ｅから、研磨によるウエハＷに対する＋Ｚ方向の圧力を相殺するように−Ｚ方向の力を付与するか、又は真空吸着パッド５２ＥによるウエハＷの吸引力よりもエアパッド５０ＥによるウエハＷに対する反発力の方が大きくなるように力のバランスを制御することで、研磨中にウエハＷが撓んでウエハＷが損傷することを防止できる。

［第２の実施形態］
第２の実施形態につき図７（Ａ）及び（Ｂ）を参照して説明する。本実施形態の研磨装置１０Ａの研磨部１４は第１の実施形態と同様であるが、ウエハ支持部の構成が異なっている。なお、図７（Ａ）及び（Ｂ）において、図２、図３（Ａ）、及び図５（Ａ）に対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。

図７（Ａ）は、本実施形態に係る研磨装置１０Ａの機構部の構成を示す。図７（Ａ）において、研磨装置１０ＡはウエハＷを支持するウエハ支持部１２Ｃと研磨部１４とを備えている。また、ウエハ支持部１２Ｃが備える搬送部２３Ａは、円板状の部材であり、搬送部２３Ａの底面は平面である。なお、図７（Ａ）においては、搬送部２３Ａの底面に平行な平面内で図７（Ａ）の紙面に平行な方向にＸ軸を、図７（Ａ）の紙面に垂直な方向にＹ軸を取り、搬送部２３Ａの底面に垂直な方向にＺ軸を取っている。

本実施形態において、搬送部２３Ａの上面に、搬送部２３ＡをＺ軸に平行な軸の回りに回転する回転軸５６が設けられている。回転軸５６は不図示の回転モータで回転される。また、搬送部２３Ａの側面に等角度間隔で例えば４箇所に把持部２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｄ（図７（Ｂ）参照）が設けられている。把持部２６Ａ〜２６Ｄの可動部２８の先端部２８ａは、それぞれウエハ裏面Ｗｂに接触してウエハ裏面Ｗｂを真空吸着可能な位置Ａ６から、ウエハ支持部１２の研磨パッド３４に接触しない点線で示す位置Ａ７に退避可能である。この他の構成は第１の実施形態と同様である。本実施形態では、把持部２６Ａ〜２６ＤによってウエハＷのＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向の位置が設定されるとともに、把持部２６Ａ〜２６Ｄの真空吸着によってウエハＷに対して、研磨の際の圧力を相殺するような−Ｚ方向の力が付与される。

本実施形態において、ウエハ裏面Ｗｂを研磨部１４で研磨する際には、４箇所の把持部２６Ａ〜２６Ｄのうちの３箇所の把持部（例えば把持部２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｄ）でウエハ裏面Ｗｂを吸着して支持する。この際に、研磨部１４の研磨パッド３４に近い位置にある把持部（例えば把持部２６Ｂ，２６Ｄ）による真空吸着によって、研磨によるウエハＷに対する＋Ｚ方向の圧力を相殺するように−Ｚ方向の力を付与する。また、その研磨中に回転軸５６の回転によって、搬送部２３Ａ及び把持部２６Ａ〜２６Ｄ（実際にはこのうちの３つの把持部）を介してウエハＷを回転するのと同期して、回転モータ３３によって回転テーブル３２（研磨パッド３４）を回転させる。この際に、一例としてノッチ部ＮＴが設けられたウエハＷの回転角が図７（Ｂ）の位置Ａ８，Ａ９，Ａ１０で示すように変化するときに、把持部２６Ａ〜２６Ｄのうちで、回転テーブル３２（研磨パッド３４）と機械的に干渉する位置にある把持部（例えば位置Ａ８では把持部２６Ｃ）の可動部２８の先端部２８ａを、図７（Ａ）の位置Ａ７まで退避させる。

言い換えると、把持部２６Ａ〜２６Ｄの可動部２８はそれぞれ周期的に退避位置とウエハ裏面Ｗｂに接触してウエハ裏面Ｗｂを吸着する位置との間を往復することになる。また、把持部２６Ａ〜２６Ｄの可動部２８がウエハ裏面Ｗｂに接触したときに、それぞれその可動部２８によるウエハＷの真空吸着が開始され、可把持部２６Ａ〜２６Ｄの可動部２８が退避位置に向かう直前に、それぞれその可動部２８によるウエハＷの真空吸着が解除される。これによって、ウエハＷのＸ方向及びＹ方向の位置を一定の位置に維持しながら、研磨部１４によってウエハ裏面Ｗｂの研磨を行うことができる。また、研磨中にウエハＷが撓んでウエハＷが損傷することも防止できる。
なお、本実施形態では、研磨パッド３４とウエハ裏面Ｗｂとを共に回転させているが、どちらか一方のみを回転させることで相対的な変位が生じるようにしてもよい。例えば、ウエハＷは把持部２６で支持した状態で固定しておき、研磨パッド３４がウエハＷの周囲を動くようにしてもよい。

なお、本実施形態において、ウエハ支持部１２Ｃの搬送部２３Ａの底面に、図５（Ａ）の変形例のウエハ支持部１２Ａと同様に、同心円状（又は格子状でもよい）に配列されたエアパッド５０Ａ〜５０Ｄ及び真空吸着パッド５２Ａ〜５２Ｄを設けてもよい。この場合、エアパッド５０Ａ〜５０Ｄ及び真空吸着パッド５２Ａ〜５２Ｄを介して、それぞれウエハＷに対して−Ｚ方向及び＋Ｚ方向の力を付与することができる。一例として、研磨部１４の研磨パッド３４に対向する位置にあるエアパッド５０Ａ〜５０Ｄから、研磨の圧力を相殺するようにウエハ面Ｗｓに−Ｚ方向の力を付与することで、研磨中にウエハＷが撓んでウエハＷが損傷することをより確実に防止できる。

また、上述の第１の実施形態では、ウエハＷに対してはウエハ面Ｗｓ側から研磨部１４による研磨の圧力を相殺するための力を付与しているが、例えばウエハ裏面Ｗｂを吸引することによって、研磨の圧力を相殺するための力を付与してもよい。また、上述の第１及び第２の実施形態において、例えばウエハ裏面Ｗｂを接触式の静電吸着で吸着して、ウエハＷに−Ｚ方向の力を与えることによって、研磨の圧力を相殺するための力を付与してもよい。

さらに、上述の各実施形態では研磨部１４はＣＭＰ方式で研磨を行っているが、ＣＭＰ方式以外の通常の研磨方式でウエハ裏面の研磨を行うようにしてもよい。
また、上記の実施形態のデバイス製造システムＤＭＳ又は研磨方法を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（又はマイクロデバイス）を製造する場合、電子デバイスは、図８に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいたレチクル（マスク）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造してフォトレジストを塗布するステップ２２３、前述した実施形態の検査装置８による検査及び研磨装置１０，１０Ａによる研磨によって基板の裏面の異物を除去する工程、露光装置（露光方法）によりレチクルのパターンを基板（感光基板）に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。

言い換えると、このデバイスの製造方法は、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、ウエハＷの表面に感光材料を塗布するステップ１０２と、基板の裏面を研磨するステップ１１０と、基板の表面にデバイス用のパターンの像を露光するステップ１１４と、を含んでいる。このデバイスの製造方法によれば、露光時の露光精度を高めることができるため、大きいスループット（生産性）で高精度に電子デバイスを製造できる。

なお、本発明は、上述の走査露光型の投影露光装置（スキャナ）の他に、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ等）にも適用できる。さらに、本発明は、液浸型露光装置以外のドライ露光型の露光装置にも同様に適用することができる。
また、本発明は、半導体デバイス製造用のデバイス製造システムへの適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するためのデバイス製造システムにも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグフィ工程を用いて製造する際のデバイス製造システムにも適用することができる。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。

ＤＭＳ…デバイス製造システム、ＣＤ…コータ・デベロッパ、ＥＸ…露光装置、１０，１０Ａ…研磨装置、１２，１２Ａ〜１２Ｃ…ウエハ支持部、１４…研磨部、１８…第２支持部、１９…回転ホルダ、２２…第１支持部、２５…サクションカップ、３２…回転テーブル、３４…研磨パッド、５０Ａ〜５０Ｄ…エアパッド、５２Ａ〜５２Ｄ…真空吸着パッド

Claims (20)

1. 基板の研磨方法であって、
   デバイス用パターンが形成される表面を有する基板を少なくとも前記表面に非接触の状態で支持することと、
   前記基板の前記裏面の少なくとも一部の研磨対象領域を研磨することと、
   前記研磨の際に、前記基板に対して、前記表面から前記裏面に向かう方向の力を付与することと、
   を含むことを特徴とする研磨方法。
2. 前記基板を支持することは、
   前記基板を、前記基板の前記表面に平行な方向に移動しないように支持することを含むことを特徴とする請求項１に記載の研磨方法。
3. 前記基板に対して、前記基板の前記表面から前記裏面に向かう方向の力を付与することは、
   前記基板の前記表面に対向するように、前記表面に対する気体の噴出量を調整して前記基板に対する吸引力と反発力との比率を調整する調整部材を配置することを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の研磨方法。
4. 前記基板に対して、前記基板の前記表面から前記裏面に向かう方向の力を付与することは、
   前記基板の前記表面に対向するように、かつ互いに隣接するように、気体を噴き出す加圧部及び気体を吸引する吸引部を配置することを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の研磨方法。
5. 前記基板を支持することは、
   前記基板の前記裏面の中央部を吸着して支持することを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨方法。
6. 前記基板を支持することは、
   前記基板の前記表面に対向するように配置された可動部材に変位可能に設けられた複数の支持部材を用いて、前記基板の前記裏面の周縁部を吸着して支持することを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨方法。
7. 前記基板の前記研磨対象領域を研磨することは、
   前記基板を研磨するための研磨用部材及び前記基板の少なくとも一方を回転することを含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の研磨方法。
8. 前記基板を研磨することは、化学機械的研磨方式で研磨することを含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の研磨方法。
9. 前記基板の前記研磨対象領域は、異物の付着が検出された領域であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の研磨方法。
10. リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
    基板の表面に感光材料を塗布することと、
    請求項１〜９のいずれか一項に記載の研磨方法を用いて、前記基板の前記裏面を研磨することと、
    前記基板の前記表面にデバイス用のパターンの像を露光することと、
    を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
11. 基板の研磨装置であって、
    デバイス用パターンが形成される表面を有する基板を少なくとも前記表面に非接触の状態で支持する基板支持部と、
    前記基板の前記裏面の少なくとも一部の研磨対象領域を研磨する研磨部と、
    前記研磨の際に、前記基板に対して、前記表面から前記裏面に向かう方向の力を付与する付与装置と、
    を備えることを特徴とする研磨装置。
12. 前記基板支持部は、
    前記付与装置を含み、前記基板に対して、少なくとも前記表面に非接触の状態で前記表面から前記裏面に向かう方向の力を付与する第１支持部と、
    前記基板を、前記基板の前記表面に平行な方向に移動しないように支持する第２支持部と、を有することを特徴とする請求項１１に記載の研磨装置。
13. 前記基板支持部は、
    前記基板の前記表面に対向するように配置されるとともに、前記表面に対する気体の噴出量を調整して前記基板に対する吸引力と反発力との比率を調整する調整部材を有することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の研磨装置。
14. 前記基板支持部は、
    前記基板の前記表面に対向するように、かつ互いに隣接するように配置される、気体を噴き出す加圧部及び気体を吸引する吸引部を有することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の研磨装置。
15. 前記基板支持部は、
    前記基板の前記裏面の中央部を吸着して支持する裏面支持部を有することを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の研磨装置。
16. 前記基板支持部は、
    前記基板の前記表面に対向するように配置された可動部材と、
    前記可動部材に変位可能に設けられて、それぞれ前記基板の前記裏面の一部を吸着して支持することが可能な複数の支持部と、を有することを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の研磨装置。
17. 前記研磨部は、前記基板に接触する研磨用部材を有し、
    前記基板支持部で支持されている前記基板、及び前記研磨用部材の少なくとも一方を回転する回転部を備えることを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の研磨装置。
18. 前記研磨部は、化学機械的研磨方式で前記基板を研磨することを特徴とする請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の研磨装置。
19. 前記基板の前記研磨対象領域は、異物の付着があることが検出された領域であることを特徴とする請求項１１〜１８のいずれか一項に記載の研磨装置。
20. 基板の表面に感光材料を塗布する塗布装置と、
    前記基板の裏面を研磨するための、請求項１１〜１９のいずれか一項に記載の研磨装置と、
    前記基板の前記表面にデバイス用のパターンの像を露光する露光装置と、
    を備えることを特徴とするデバイス製造システム。

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