CN117943965A - 基板清洗构件、基板处理装置以及基板清洗方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种基板清洗构件、基板处理装置以及基板清洗方法。基板清洗构件具备：第一构件，其具有第一接触面，且能够通过在第一接触面与基板的主表面接触的状态下沿主表面移动来清洗或研磨主表面；第二构件，其具有第二接触面，且能够通过在第二接触面与主表面接触的状态下沿主表面移动来清洗主表面；下层构件，其以使第二接触面在轴线所延伸的轴向上比第一接触面突出的方式支承第二构件；以及基台，其支承第一构件、第二构件以及下层构件。第二接触面以表面粗糙度和硬度中的至少一方与第一接触面不同的方式形成，下层构件由比第二构件柔软的材料形成，以使得在第二构件从主表面接受到接触力时，在轴向上第二接触面的位置靠近第一接触面的位置。

Description

基板清洗构件、基板处理装置以及基板清洗方法

技术领域

本公开涉及一种基板清洗构件、基板处理装置以及基板清洗方法。

背景技术

在专利文献1中，作为对基板的背面进行清洗的装置，公开了一种与在基板被保持于旋转保持盘时接触基板的背面来进行清洗的清洗构件有关的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-23248号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种对针对基板的处理的高效化有用的基板清洗构件、基板处理装置以及基板清洗方法。

用于解决问题的方案

本公开的一个侧面所涉及的基板清洗构件具备：第一构件，其具有外缘沿着绕规定的轴线的圆周形成的第一接触面，所述第一构件能够通过在第一接触面与基板的主表面接触的状态下沿主表面移动来对主表面进行清洗或研磨；第二构件，其具有外缘在所述第一接触面的外侧或内侧沿所述圆周形成的第二接触面，第二构件能够通过在第二接触面与主表面接触的状态下沿着主表面移动来对主表面进行清洗；下层构件，其以使第二接触面在轴线所延伸的轴向上比第一接触面突出的方式对第二构件进行支承；以及基台，其支承第一构件、第二构件以及下层构件。第二接触面以表面粗糙度和硬度中的至少一方与第一接触面不同的方式形成，下层构件以比第二构件柔软的材料形成，以使得在第二构件从主表面接受到接触力时，在轴向上第二接触面的位置靠近第一接触面的位置。

发明的效果

根据本公开，提供一种对针对基板的处理的高效化有用的基板清洗构件、基板处理装置以及基板清洗方法。

附图说明

图1是表示基板处理系统的一例的示意图。

图2是表示涂布显影装置的一例的示意图。

图3是示意性地表示研磨单元的一例的俯视图。

图4是示意性地表示研磨单元的一例的侧视图。

图5a、图5b及图5c是表示基板清洗构件的一例的示意图。

图6a、图6b及图6c是表示基板清洗构件的一例的示意图。

图7是表示基板清洗方法的一例的流程图。

图8是用于说明基板清洗方法的一例的示意图。

图9是用于说明基板清洗方法的一例的示意图。

图10是用于说明基板清洗方法的一例的示意图。

图11是用于说明基板清洗方法的一例的示意图。

图12是表示基板清洗构件的一例的示意图。

图13是表示基板清洗构件的一例的示意图。

具体实施方式

下面，参照附图对一个实施方式进行说明。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的标记，并省略重复的说明。在一部分附图中，示出由X轴、Y轴、以及Z轴规定的正交坐标系。在以下的实施方式中，Z轴对应于上下方向，X轴及Y轴对应于水平方向。Z轴正方向对应于铅垂向上，Z轴负方向对应于铅垂向下。

[基板处理装置]

图1所示的基板处理系统1(基板处理装置)是对工件W实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光以及该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的工件W例如是基板、或者通过被实施规定的处理而形成有膜或电路等的状态的基板。作为一例，该基板为硅晶圆。工件W(基板)可以为圆形。工件W可以是玻璃基板、掩模基板或FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等。

当在工件W的边缘存在斜面(倒角)的情况下，本公开中的工件W的“表面”也包括从工件W的表面侧观察时的斜面部分，工件W的“背面”也包括从工件W的背面侧观察时的斜面部分。工件W的表面(下面，记述为“表面Wa”。)是工件W中的一对主表面中的形成感光性覆膜的主表面。工件W的背面(下面，记述为“背面Wb”。)是上述一对主表面中的与表面Wa相反一侧的主表面。感光性覆膜例如为抗蚀膜。

如图1和图2所示，基板处理系统1具备涂布显影装置2、曝光装置3以及控制装置100。曝光装置3是对形成于工件W(基板)的抗蚀膜(感光性覆膜)进行曝光的装置。具体地说，曝光装置3通过浸没曝光等方法对抗蚀膜的曝光对象部分照射能量射线。能量射线例如可以是电离辐射线或非电离辐射线等。

在通过曝光装置3进行曝光处理之前，涂布显影装置2(基板处理装置)进行对工件W的表面Wa涂布抗蚀剂来形成抗蚀膜的处理。涂布显影装置2除了形成抗蚀膜的处理之外还可以在曝光处理后进行抗蚀膜的显影处理。通过曝光装置3对显影处理前的抗蚀膜的曝光对象部分选择性地照射能量射线。涂布显影装置2例如具备承载件块4、处理块5、接口块6以及研磨单元20。

承载件块4进行工件W向涂布显影装置2内的导入以及工件W从涂布显影装置2内的导出。例如，承载件块4能够支承工件W用的多个承载件C，且内置有包括交接臂的搬送装置A1。承载件C例如收容多张圆形的工件W。搬送装置A1将工件W从承载件C取出并传递至处理块5，从处理块5接受工件W并将该工件W送回承载件C内。处理块5具有处理模块11、12、13、14。

处理模块11内置有液处理单元U1、热处理单元U2、以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块11通过液处理单元U1和热处理单元U2在工件W的表面Wa上形成下层膜。液处理单元U1对工件W的表面Wa供给用于形成下层膜的处理液，并将该处理液涂布到工件W的表面Wa上。热处理单元U2进行伴随下层膜的形成所进行的各种热处理。

处理模块12内置有液处理单元U1、热处理单元U2、以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块12通过液处理单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀膜。液处理单元U1对工件W的表面Wa供给用于形成抗蚀膜的处理液，并将该处理液涂布到下层膜上。热处理单元U2进行伴随抗蚀膜的形成所进行的各种热处理。

处理模块13内置有液处理单元U1、热处理单元U2、以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块13通过液处理单元U1和热处理单元U2在抗蚀膜上形成上层膜。液处理单元U1对工件W的表面Wa供给用于形成上层膜的处理液，并将该处理液涂布到抗蚀膜上。热处理单元U2进行伴随上层膜的形成所进行的各种热处理。

处理模块14内置有液处理单元U1、热处理单元U2、以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块14通过液处理单元U1和热处理单元U2进行被实施了曝光处理的抗蚀膜的显影处理、以及伴随显影处理所进行的热处理。液处理单元U1是对供给W实施利用了显影液的液处理(显影处理)的单元。液处理单元U1对曝光完毕的工件W的表面Wa上供给显影液，来进行形成于工件W的表面Wa上的抗蚀膜的显影处理。液处理单元U1在利用显影液进行显影之后，通过冲洗液将工件W的表面Wa上的显影液冲洗掉。热处理单元U2进行伴随显影处理所进行的各种热处理。作为热处理的具体例，能够列举显影前的加热处理(PEB：PostExposure Bake：曝光后烘烤)以及显影后的加热处理(PB：Post Bake：后烘)等。

在处理块5内的靠承载件块4侧设置有架单元U10。架单元U10被划分为沿上下方向排列的多个层格。在架单元U10的附近设置有包括升降臂的搬送装置A7。搬送装置A7使工件W在架单元U10的层格之间进行升降。

在处理块5内的靠接口块6侧设置有架单元U11。架单元U11被划分为沿上下方向排列的多个层格。

接口块6与曝光装置3之间进行工件W的交接。例如，接口块6内置有包括交接臂的搬送装置A8，并与曝光装置3连接。搬送装置A8将配置于架单元U11的工件W搬送到研磨单元20，并将通过研磨单元20研磨后的工件W传递到曝光装置3。搬送装置A8从曝光装置3接受工件W并将该工件W送回架单元U11。此外，在后文中叙述研磨单元20的详情。

控制装置100例如控制涂布显影装置2中包括的各种装置(单元)。控制装置100由一个以上的控制用计算机构成。在控制装置100由多个控制用计算机构成的情况下，所述多个控制用计算机可以通过彼此能够进行通信的方式进行连接。

控制装置100例如具有存储部和控制部来作为功能上的结构。控制装置100的存储部存储有用于使涂布显影装置2中包括的各种单元和各种装置进行动作的程序。控制装置100的存储部还存储有各种数据(例如，与用于使涂布显影装置2中包括的研磨单元20等处理单元进行动作的信号有关的信息)、以及来自设置于各单元的传感器等的信息。

控制装置100的存储部例如为半导体存储器、光记录盘、磁记录盘或光磁记录盘。该程序能够包含在与控制装置100的存储部相分体的外部存储装置、或者传播信号等无形的介质中。也可以将该程序从这些其它介质安装到控制装置100的存储部，并使该程序存储于控制装置100的存储部。控制装置100的控制部基于从存储部读出的程序来控制涂布显影装置2中包括的各种单元和各种装置的动作。

控制装置100例如按照以下的过程来控制涂布显影装置2，以执行针对一张工件W的涂布显影处理。首先，控制装置100控制搬送装置A1，以将承载件C内的工件W搬送到架单元U10，并且控制搬送装置A7，以将该工件W配置于处理模块11用的层格。

接着，控制装置100控制搬送装置A3，以将架单元U10的工件W搬送到处理模块11内的液处理单元U1和热处理单元U2。另外，控制装置100控制液处理单元U1和热处理单元U2，以在该工件W的表面Wa上形成下层膜。之后，控制装置100控制搬送装置A3，以将形成有下层膜的工件W送回架单元U10，并且控制搬送装置A7，以将该工件W配置于处理模块12用的层格。

接着，控制装置100控制搬送装置A3，以将架单元U10的工件W搬送到处理模块12内的液处理单元U1和热处理单元U2。另外，控制装置100控制液处理单元U1和热处理单元U2，以在该工件W的下层膜上形成抗蚀膜。之后控制装置100控制搬送装置A3，以将工件W送回架单元U10，并且控制搬送装置A7，以将该工件W配置于处理模块13用的层格。

接着，控制装置100控制搬送装置A3，以将架单元U10的工件W搬送到处理模块13内的各单元。另外，控制装置100控制液处理单元U1和热处理单元U2，以在该工件W的抗蚀膜上形成上层膜。之后，控制装置100控制搬送装置A3，以将工件W搬送到架单元U11。

接着，控制装置100控制搬送装置A8，以将架单元U11的工件W搬入到研磨单元20，并且将通过研磨单元20进行研磨后的工件W送出到曝光装置3。之后，控制装置100控制搬送装置A8，以从曝光装置3接受被实施曝光处理后的工件W，并将该工件W配置于架单元U11中的处理模块14用的层格。

接着，控制装置100控制搬送装置A3，以将架单元U11的工件W搬送到处理模块14内的各单元，并且控制液处理单元U1和热处理单元U2，以对该工件W的抗蚀膜实施显影处理。之后，控制装置100控制搬送装置A3，以将工件W送回架单元U10，并且控制搬送装置A7和搬送装置A1，以将该工件W送回承载件C内。通过以上处理，针对一张工件W的涂布显影处理完成。控制装置100对其它多个工件W也分别同样地执行上述涂布显影处理。

此外，基板处理装置的具体结构不限于以上所例示的基板处理系统1的结构。例如，可以与图2所示的例子不同地将研磨单元20设置于处理模块11、12、13、14中的任一方，也可以设置于涂布显影装置2的外部。

(研磨单元)

接着，参照图3～图6c来说明研磨单元20的一例。研磨单元20(基板处理装置)是对工件W的背面Wb实施研磨处理和清洗处理的单元。研磨单元20具备能够进行研磨处理和清洗处理这两方的研磨清洗机构，在通过研磨清洗机构对背面Wb进行研磨处理之后，通过研磨清洗机构对背面Wb进行清洗处理。下面，对图3和图4所例示的研磨单元20中包括的各构件进行说明。

研磨单元20具有壳体21、一对吸附垫24、一对支承板26、框体28、旋转保持盘(保持盘：chuck)22以及上部杯29。壳体21收容研磨单元20中包括的各种构件中的至少一部分。壳体21以上表面具有开口的方式形成。在图3所示的例子中，壳体21的一对侧壁沿X轴方向延伸，另外一对侧壁沿Y轴方向延伸。

一对(两个)吸附垫24作为保持工件W的基板保持部发挥功能。一对吸附垫24通过对工件W的背面Wb进行吸附来以使工件W水平的方式保持该工件W。一对吸附垫24分别以沿Y轴方向延伸的方式形成为矩形状。一对吸附垫24在X轴方向上隔着旋转保持盘22配置。一对吸附垫24保持工件W的背面Wb中的外周区域。

一对支承板26以与一对吸附垫24对应的方式设置，一对支承板26分别支承所对应的吸附垫24。一对支承板26以沿Y轴方向延伸的方式形成，支承板26的Y轴方向上的长度比吸附垫24的Y轴方向上的长度长。支承板26的Y轴方向上的两端连接(固定)于框体28。框体28以在水平方向(图3的Y轴方向)和上下方向(图3的Z轴方向)的各方向上移动自如的方式设置。在框体28连接有使框体28在Y轴方向和Z轴方向的各方向上移动的驱动机构。

上部杯29设置于框体28的上端。上部杯29形成为圆环状，在该上部杯29的上表面形成有圆形的开口部29a。开口部29a的直径比工件W的直径大。经由开口部29a在设置于研磨单元20的外部的搬送装置(例如，搬送装置A8)与一对吸附垫24之间进行工件W的交接。

旋转保持盘22作为保持工件W的基板保持部发挥功能。旋转保持盘22能够从一对吸附垫24接受工件W，通过对工件W的背面Wb进行吸附来以使工件W水平的方式保持该工件W。旋转保持盘22保持工件W的背面Wb中的位于外周区域的内侧的中央区域。旋转保持盘22形成为圆板状，旋转保持盘22的直径比工件W的直径小。

如图4所示，研磨单元20具有轴31和驱动机构32。旋转保持盘22经由轴31连接于驱动机构32。驱动机构32使旋转保持盘绕通过旋转保持盘22的中心的铅垂的轴线旋转。另外，驱动机构32使旋转保持盘22沿上下方向移动。旋转保持盘22的上下方向上的位置通过由驱动机构32进行的上下方向上的驱动而变化，由此能够调节研磨清洗机构50在与保持于旋转保持盘22的工件W接触时受到的力(接触力)，在后文中叙述详情。

研磨单元20具有多个升降销34。多个升降销34以在俯视时(从上方观察时)包围旋转保持盘22的方式设置。多个升降销34能够通过升降用的驱动机构进行升降。能够在多个升降销34与设置于研磨单元20的外部的搬送装置之间进行工件W的交接。

研磨单元20具有清洗喷嘴36、气体喷嘴37、喷嘴臂38以及驱动机构39。清洗喷嘴36对保持于旋转保持盘22等基板保持部的工件W的表面Wa供给清洗液。清洗液例如为纯水。气体喷嘴37对保持于旋转保持盘22等基板保持部的工件W的表面Wa吹送干燥气体。干燥气体例如是氮气或清洁空气。喷嘴臂38保持清洗喷嘴36和气体喷嘴37。驱动机构39连接于喷嘴臂38，用于使喷嘴臂38在上下方向和水平方向(图3的Y轴方向)上移动。

如图4所示，研磨单元20具有排液管42和排气管44。排液管42和排气管44设置于壳体21的底部。在进行针对工件W的研磨处理和清洗处理时，排液管42将供给到壳体21内的液体(上述清洗液等)排出到壳体21的外部。排气管44通过将壳体21内的气体向壳体21的外部排出，来在壳体21内形成向下流动的气流。

<基板清洗构件>

研磨单元20具有研磨清洗机构50。研磨清洗机构50作为对工件W至少实施清洗处理的基板清洗构件发挥功能。下面，对图5a等所例示的研磨清洗机构50进行说明。如图5a、图5b及图5c所示，研磨清洗机构50包括基台52、研磨部60以及清洗部70。基台52是支承研磨部60和清洗部70的部分。研磨部60及清洗部70均连接于基台52。

基台52包括形成为圆板状的底部54。圆板状的底部54的直径比工件W的直径小。底部54以其上表面水平的方式配置于研磨单元20的壳体21内。可以在底部54形成有沿其厚度方向贯通底部54的一个以上的孔。研磨单元20具有旋转驱动机构48。在基台52连接有旋转驱动机构48，旋转驱动机构48使基台52绕中心轴线Ax(轴线)旋转。中心轴线Ax是与底部54的上表面正交并通过底部54的中心的虚拟线。通过基台52绕中心轴线Ax旋转，支承于基台52的研磨部60和清洗部70绕中心轴线Ax旋转。

研磨部60是对工件W的背面Wb的至少一部分进行研磨的部分。研磨部60的下端连接于底部54。研磨部60以沿着绕中心轴线Ax(轴线)的圆周延伸的方式形成为环状。研磨部60位于底部54的外缘部(外缘及其附近)。在图5b中示出用通过中心轴线Ax的平面对研磨清洗机构50进行剖切所得到的截面图，在图5c中将图5b中的截面图的一部分进行了放大。从中心轴线Ax的延伸方向(下面，称作“轴向”。)观察，研磨部60的外缘与底部54的外缘大致一致。此外，中心轴线Ax的轴向相当于图5a等中的Z轴方向。

研磨部60包括研磨构件62和支承构件64。研磨构件62设置在支承构件64上，支承构件64连接于底部54的上表面。研磨构件62与支承构件64通过粘接剂等彼此连接。研磨构件62和支承构件64分别以沿着绕中心轴线Ax的圆周延伸的方式形成为环状。

研磨构件62(第一构件)包括研磨面62a。研磨面62a(第一接触面)是研磨构件62中的同与支承构件64连接的下表面相反一侧的上表面，该研磨面62a与工件W的背面Wb相向。研磨面62a的外缘和内缘分别沿着绕中心轴线Ax的圆周形成。研磨构件62是能够通过在研磨面62a与工件W的背面Wb接触的状态下沿背面Wb移动来对背面Wb进行研磨的构件。研磨构件62中的至少研磨面62a由能够对背面Wb进行研磨的材料形成，作为该材料的一例，能够列举聚氨酯泡沫和无纺布。

从中心轴线Ax的轴向观察时，研磨面62a可以由在绕中心轴线Ax的圆周上进行分割所得到的多个部分构成。在本公开中，形成为环状不仅包括在圆周上连续地形成的情况，还包括以分割为几个部分的方式不连续地形成的情况。在图5a所示的例子中，研磨面62a在上述圆周上被分割为四个部分。

支承构件64是支承研磨构件62的构件。支承构件64的轴向上的长度(厚度)比研磨构件62的轴向上的长度(厚度)大。支承构件64的宽度可以与研磨构件62的宽度大致一致。宽度彼此大致一致是指一方的宽度的大小是另一方的宽度的0.95倍～1.05倍、或者0.98倍～1.02倍。研磨构件62的宽度以及支承构件64的宽度由各构件的在绕中心轴线Ax的圆周的径向(以中心轴线Ax为中心的圆的径向)上的大小来定义。研磨构件62的宽度和支承构件64的宽度在绕中心轴线Ax的圆周上的所有位置处大致固定，在中心轴线Ax的轴向上的所有位置处也大致固定。

清洗部70是对工件W的背面Wb的至少一部分进行清洗的部分。清洗部70在研磨部60的内侧以沿着绕中心轴线Ax的圆周延伸的方式形成为环状(圆筒状)。从中心轴线Ax的轴向观察，清洗部70的外周面被研磨部60包围。中心轴线Ax与清洗部70之间的最短距离比中心轴线Ax与研磨部60之间的最短距离小。在绕中心轴线Ax的圆周的径向上，在清洗部70与研磨部60之间形成有间隙。

清洗部70包括清洗构件72、中层构件74以及下层构件76。清洗构件72藉由中层构件74设置在下层构件76上，下层构件76连接于底部54的上表面。清洗构件72与中层构件74通过粘接剂等彼此连接。中层构件74与下层构件76通过粘接剂等彼此连接。清洗构件72、中层构件74以及下层构件76分别以沿着绕中心轴线Ax的圆周延伸的方式形成为环状。

清洗构件72(第二构件)包括清洗面72a。清洗面72a(第二接触面)是清洗构件72中的同与中层构件74连接的下表面相反一侧的上表面，该清洗面72a与工件W的背面Wb相向。清洗面72a的外缘和内缘分别在研磨构件62的研磨面62a的内侧沿着绕中心轴线Ax的圆周形成。清洗构件72是能够通过在清洗面72a与工件W的背面Wb接触的状态下沿背面Wb移动来对背面Wb进行清洗的构件。从中心轴线Ax的轴向观察，清洗面72a可以由在绕中心轴线Ax的圆周上进行分割所得到的多个部分构成。

清洗构件72由能够对背面Wb进行清洗的材料形成。清洗构件72由与研磨构件62不同的材料形成，作为其一例，能够列举聚乙烯醇(PVA)、聚丙烯、以及尼龙。清洗构件72的清洗面72a形成为其表面粗糙度和硬度(表面硬度)中的至少一方相比于研磨构件62的研磨面62a不同。在清洗面72a与研磨面62a之间，表面粗糙度和硬度中的某一方互不相同，或者表面粗糙度和硬度这两方互不相同。清洗面72a和研磨面62a各自的表面粗糙度例如通过算术平均粗糙度Ra定义。相比于研磨面62a的表面粗糙度，清洗面72a的表面粗糙度可以比其大，也可以比其小。清洗面72a和研磨面62a各自的硬度例如由维氏硬度定义。清洗面72a的硬度可以比研磨面62a的硬度低。

中层构件74配置于清洗构件72与下层构件76之间。中层构件74形成为板状。中层构件74可以由比清洗构件72及下层构件76硬的材料形成，例如由硬质塑料(硬质树脂)形成。中层构件74的硬度比清洗构件72硬且比下层构件76硬。作为形成中层构件74的材料的一例，能够列举聚苯乙烯、ABS树脂以及聚酰胺等。中层构件74的中心轴线Ax的轴向上的长度(中层构件74的厚度)可以比清洗构件72的上述轴向上的长度小。中层构件74的厚度可以比下层构件76的上述轴向上的长度小。在中层构件74由比清洗构件72及下层构件76硬的材料形成的情况下，清洗部70整体的刚性变高。

在中心轴线Ax的轴向上，中层构件74的下端(下表面)位于比研磨面62a靠上方的位置。在该情况下，中层构件74的下端与底部54之间的上述轴向上的距离比研磨面62a与底部54之间的上述轴向上的距离大。也可以是，与图5c所示的例子不同地，在中心轴线Ax的轴向上，中层构件74的至少一部分的位置位于与研磨面62a相同的高度位置。研磨部60和清洗部70中包括的各种构件的高度(高度位置)由中心轴线Ax的轴向上的到底部54为止的最短距离来定义。以上所说明的中层构件74与研磨面62a之间的各种位置关系是未对清洗构件72和研磨构件62施加外力的状态下的彼此之间的位置关系。

下层构件76是藉由中层构件74支承清洗构件72的构件。下层构件76以使清洗面72a在中心轴线Ax的轴向上比研磨面62a突出的方式清洗构件72进行支承。清洗面72a与底部54之间的上述轴向上的距离比研磨面62a与底部54之间的上述轴向上的距离大。下层构件76的上述轴向上的长度比清洗构件72的上述轴向上的长度大。例如，下层构件76的上述轴向上的长度是清洗构件72的上述轴向上的长度的1.5倍～10倍、或者2倍～5倍。

下层构件76由比清洗构件72柔软的材料形成。下层构件76由在中心轴线Ax的轴向上伸缩自如的材料形成。在清洗构件72从背面Wb接受到接触力时，下层构件76收缩到在中心轴线Ax的轴向上清洗面72a的位置(高度位置)靠近研磨面62a的位置(高度位置)的程度。具体地说，在从背面Wb对清洗构件72施加向下的接触力时，下层构件76收缩到在上述轴向上清洗面72a的位置与研磨面62a的位置大致一致、从而除了清洗面72a以外研磨面62a也能够与背面Wb接触的程度。

清洗构件72和下层构件76可以分别由包含气孔(微细孔)的材料形成。下层构件76中的气孔孔径可以比清洗构件72中的气孔孔径大。以下层构件76比清洗构件72柔软的方式选定清洗构件72和下层构件76各自的气孔孔径。清洗构件72和下层构件76可以由气孔孔径互不相同的相同(同种)材料形成。清洗构件72和下层构件76例如分别为PVA海绵。在一例中，可以是清洗构件72由气孔孔径(孔径尺寸)为30μm～150μm的PVA形成，下层构件76由气孔孔径(孔径尺寸)为150μm～500μm的PVA形成。清洗构件72和下层构件76各自的气孔孔径可以由平均气孔孔径定义，例如通过利用电子显微镜的非接触式的测量来测定。

清洗构件72的宽度、中层构件74的宽度以及下层构件76的宽度彼此大致一致。清洗构件72、中层构件74以及下层构件76各自的宽度由各构件的绕中心轴线Ax的圆周的径向上的大小定义。清洗构件72、中层构件74以及下层构件76各自的宽度在绕中心轴线Ax的圆周的所有位置处大致固定，在中心轴线Ax的轴向上的所有位置处也大致固定。下层构件76的宽度比研磨部60的支承构件64的宽度小。

在此，将上述径向上的宽度(长度)与上述轴向上的长度之比定义为“径厚比(日语：アスペクト比)”。清洗部70(由清洗构件72、中层构件74、以及下层构件6构成的部分)的径厚比作为一例为0.6以下、0.5以下或0.4以下。清洗部70的径厚比通过下层构件76的上述径向上的宽度除以下层构件76的下端与清洗面72a之间的上述轴向上的最短距离来求出。清洗部70的径厚比相比于研磨部60的径厚比小。

在图6a中与图5c同样地示出清洗面72a及研磨面62a与工件W的背面Wb相向、并且清洗面72a及研磨面62a均未与背面Wb接触的状态(下面，称作“非接触状态”。)。在非接触状态中，如上述的那样，清洗面72a比研磨面62a向上方突出。在非接触状态下，当使背面Wb逐渐靠近研磨清洗机构50(清洗面72a和研磨面62a)时，由于清洗面72a向上方突出，因此背面Wb不与研磨面62a接触而与清洗面72a接触。通过背面Wb与清洗面72a接触，向下的接触力(朝向底部54的外力)作用于清洗面72a(包括清洗面72a的清洗部70)。

当对清洗面72a施加向下的接触力时，清洗部70中的至少下层构件76收缩(被挤压)，清洗面72a的上述轴向上的位置逐渐下降。如果继续从背面Wb向下按压清洗面72a，则如图6b所示，清洗面72a维持与背面Wb接触的状态不变，进一步地，研磨面62a与背面Wb接触。即，成为清洗面72a和研磨面62a这两方与工件W的背面Wb接触的状态(下面，称作“第一接触状态”。)。

当在第一接触状态下使背面Wb慢慢远离清洗面72a和研磨面62a时，清洗部70中的至少下层构件76伸展以恢复成原始的大小(非接触状态下的大小)。由此，如图6c所示，清洗面72a维持与背面Wb接触的状态不变，研磨面62a离开背面Wb而使接触状态解除。即，成为清洗面72a与工件W的背面Wb接触、研磨面62a不与工件W的背面Wb接触的状态(下面，称作“第二接触状态”。)。而且，当在第二接触状态下使背面W进一步远离清洗面72a和研磨面62a时，清洗面72a离开背面Wb而使接触状态解除。即，成为图6a所示的上述非接触状态。

返回图3和图4，研磨单元20具有支承体90、驱动机构92、清洗液喷嘴96以及气体喷嘴98。支承体90是在壳体21内支承研磨清洗机构50的构件。驱动机构92使支承体90沿水平的一个方向(图3中的X轴方向)移动。通过支承体90在X轴方向上移动，支承于支承体90的研磨清洗机构50的X轴方向上的位置变化。

清洗液喷嘴96和气体喷嘴98设置于支承体90的前端。清洗液喷嘴96以其喷出口与背面Wb相向的方式配置，以对背面Wb供给清洗液。从清洗液喷嘴96供给的清洗液是用于将由于研磨部60的研磨产生的研磨屑、以及通过清洗部70的清洗被去除的微粒冲掉的液体。从清洗液喷嘴96供给的清洗液例如是纯水。气体喷嘴98以其喷出口与背面Wb相向的方式配置，以对背面Wb供给气体(gas)。气体喷嘴98对背面Wb供给(吹送)用于使在背面Wb的清洗后附着于背面Wb的清洗液干燥的气体。从气体喷嘴98供给的气体例如为氮气。

[基板清洗方法]

接着，作为基板清洗方法的一例，参照图7～图11来说明由至少控制研磨单元20的控制装置100执行的一系列处理。在执行一系列处理之前，吸附垫24的上表面配置于比研磨清洗机构50的上表面高的位置，旋转保持盘22的上表面配置于比研磨清洗机构50的上表面低的位置。

首先，控制装置100执行步骤S01。在步骤S01中，例如控制装置100控制搬送装置A8和研磨单元20，以将作为处理对象的工件W搬入到研磨单元20的壳体21内。在一例中，控制装置100控制搬送装置A8以将工件W搬送到上部杯29的上方，之后使多个升降销34上升以接受工件W。而且，控制装置100使保持着工件W的状态下的多个升降销34下降，以将该工件W交接到一对吸附垫24。由此，如图8所示，工件W被一对吸附垫24保持。另外，研磨清洗机构50中的研磨部60的研磨面62a和清洗部70的清洗面72a在上述非接触状态下与工件W的背面Wb相向。

接着，控制装置100执行步骤S02。在步骤S02中，例如控制装置100控制研磨单元20，以执行第一研磨工序。在第一研磨工序中，控制装置100首先控制研磨单元20，以使非接触状态转变为研磨面62a和清洗面72a这两方与背面Wb接触的上述第一接触状态。在一例中，通过控制装置100使一对吸附垫24下降，来首先使清洗构件72的清洗面72a与背面Wb接触。

而且，在清洗面72a与背面Wb接触之后，若通过控制装置100使吸附垫24继续下降，则清洗构件72的下层构件76被压缩，清洗面72a的高度位置逐渐靠近研磨面62a的高度位置。若通过控制装置100使吸附垫24进一步继续下降，则研磨面62a也与背面Wb接触，从而转变为上述第一接触状态。在图9中例示出转变为第一接触状态的状态。关于直到转变为第一接触状态为止使一对吸附垫24下降的量，可以预先通过试验进行测定后进行设定。

在转变为第一接触状态之后，控制装置100控制研磨单元20，以使清洗液喷嘴96对背面Wb供给清洗液，并使研磨清洗机构50的基台52绕中心轴线Ax旋转。而且，如图10所示，控制装置100控制研磨单元20，以在使吸附垫24与工件W一同沿Y轴方向移动的同时，通过驱动机构92使研磨清洗机构50在X轴方向上往复移动。由此，研磨面62a一边在与背面Wb接触的状态下沿背面Wb移动，一边对背面Wb的位于一对吸附垫24之间的区域(除了外周部分以外的区域)实施研磨处理。如以上那样，使研磨清洗机构50在X轴方向上移动的驱动机构92和使基台52旋转的旋转驱动机构48作为使研磨面62a和清洗面72a沿保持于一对吸附垫24的工件W的背面Wb移动的驱动部发挥功能。

接着，控制装置100执行步骤S03。在步骤S03中，例如控制装置100控制研磨单元20，以执行第一清洗工序。在第一清洗工序中，控制装置100首先控制研磨单元20，以使上述第一接触状态转变为研磨面62a不与背面Wb接触而清洗面72a与背面Wb接触的上述第二接触状态。在一例中，控制装置100通过驱动机构92使研磨清洗机构50下降，来使研磨清洗机构50逐渐远离背面Wb，由此，清洗面72a维持与背面Wb接触的状态不变，研磨面62a离开背面Wb。由此，从上述第一接触状态转变为上述第二接触状态。在图11中例示出转变为第二接触状态后的状态。关于直到转变为第二接触状态为止使研磨清洗机构50下降的量，可以预先通过试验进行测定后进行设定。

在转变为第二接触状态之后，控制装置100控制研磨单元20，以使清洗液喷嘴96对背面Wb供给清洗液，并使研磨清洗机构50的基台52绕中心轴线Ax旋转。而且，控制装置100控制研磨单元20，以与步骤S02中的研磨处理同样地，在使吸附垫24与工件W一同沿Y轴方向移动的同时，通过驱动机构92使研磨清洗机构50在X轴方向上往复移动。由此，清洗构件72的清洗面72a一边在与背面Wb接触的状态下沿背面Wb移动，一边对背面Wb的位于一对吸附垫24之间的区域(除了外周部分以外的区域)实施清洗处理。在清洗处理后，控制装置100控制研磨单元20，以使第二接触状态转变为非接触状态。

接着，控制装置100执行步骤S04。在步骤S04中，例如控制装置100控制研磨单元20，以将工件W从一对吸附垫24交接到旋转保持盘22。在一例中，控制装置100控制研磨单元20，以使旋转保持盘22在保持于一对吸附垫24的工件W的中心与旋转保持盘22的中心大致一致的状态下上升。由此，旋转保持盘22接受工件W，成为工件W被保持于旋转保持盘22的状态。

接着，控制装置100执行步骤S05。在步骤S05中，例如控制装置100控制研磨单元20，以执行第二研磨工序。在一例中，控制装置100控制研磨单元20，以使得在研磨面62a及清洗面72a与保持于旋转保持盘22的工件W的背面Wb的外周部分相向的状态下从上述非接触状态转变为上述第一接触状态。

在转移为第一接触状态之后，控制装置100控制研磨单元20，以使清洗液喷嘴96对背面Wb供给清洗液，并使研磨清洗机构50的基台52绕中心轴线Ax旋转。而且，控制装置100控制研磨单元20，以使保持于旋转保持盘22的工件W绕旋转保持盘22的旋转轴旋转，并通过驱动机构92使研磨清洗机构50在X轴方向上往复移动。由此，研磨面62a一边在与背面Wb接触的状态下沿背面Wb移动，一边对背面Wb的外周部分实施研磨处理。通过旋转保持盘22的旋转，研磨面62a及清洗面72a的相对于背面Wb的位置变化。因此，使旋转保持盘22旋转的驱动机构也作为使研磨面62a和清洗面72a沿保持于旋转保持盘22的工件W的背面Wb移动的驱动部发挥功能。

接着，控制装置100执行步骤S06。在步骤S06中，例如控制装置100控制研磨单元20，以执行第二清洗工序。在第二清洗工序中，控制装置100首先控制研磨单元20，以使上述第一接触状态转变为上述第二接触状态。

在转变为第二接触状态之后，控制装置100控制研磨单元20，以使清洗液喷嘴96对背面Wb供给清洗液，并使研磨清洗机构50的基台52绕中心轴线Ax旋转。而且，控制装置100控制研磨单元20，以与步骤S05中的研磨处理同样地在使工件W绕旋转保持盘22的旋转轴旋转的同时，通过驱动机构92使研磨清洗机构50在X轴方向上往复移动。由此，清洗构件72的清洗面72a一边在与背面Wb接触的状态下沿背面Wb移动，一边对背面Wb的外周部分实施清洗处理。清洗处理后，控制装置100控制研磨单元20，以使第二接触状态转变为非接触状态。

此外，控制装置100可以控制研磨单元20，以与步骤S02、S03、S05、S06中的至少一部分并行地从清洗喷嘴36对工件W的表面Wa供给清洗液。在执行步骤S06之后，控制装置100可以控制研磨单元20，以使旋转保持盘22在保持着工件W的状态下继续旋转。控制装置100可以控制研磨单元20，以使得在旋转保持盘22继续旋转的同时，从气体喷嘴37对表面Wa供给用于干燥的气体、并从气体喷嘴98对背面Wb供给用于干燥的气体。由此，在工件W的表面Wa和背面Wb去除清洗液。

接着，控制装置100执行步骤S07。在步骤S07中，例如控制装置100控制研磨单元20和搬送装置A8，以将工件W从研磨单元20搬出。在一例中，控制装置100控制研磨单元20和搬送装置A3，以在为了从旋转保持盘22接受工件W而使多个升降销34上升之后将该工件W从多个升降销34交接到搬送装置A3。通过以上处理，针对一张工件W的、包括研磨处理和清洗处理的基板清洗处理结束。

[变形例]

如图12所示，研磨单元20可以具有研磨清洗机构50A来取代研磨清洗机构50。研磨清洗机构50A(基板清洗构件)与研磨清洗机构50的不同点在于，包括清洗部70A来取代清洗部70。清洗部70A包括清洗构件72和中层构件74，并且包括下层构件78来取代下层构件76。下层构件78包括在上下方向上排列的上部78a和下部78b。上部78a以绕中心轴线Ax的圆周的径向上的宽度(长度)随着离开清洗构件72的清洗面72a而变大的方式形成。下部78b的宽度在中心轴线Ax所延伸的轴向上的不同位置处大致固定。上部78a的下端的外缘(外周缘)及下部78b的外缘(外周面)与支承构件64的内周面接触。

如图13所示，研磨单元20可以具有研磨清洗机构50B来取代研磨清洗机构50。研磨清洗机构50B(基板清洗构件)与研磨清洗机构50的不同点在于，包括研磨部60B来取代研磨部60。研磨部60B除了研磨构件62和支承构件64以外还包括中层构件63。中层构件63配置于研磨构件62与支承构件64之间。研磨构件62与中层构件63通过粘接剂等彼此连接。中层构件63与支承构件64通过粘接剂等彼此连接。中层构件63与研磨构件62及支承构件64同样地以沿着绕中心轴线Ax的圆周延伸的方式形成为环状。

中层构件63可以形成为板状。中层构件63的厚度可以为0.1mm～4.0mm左右。中层构件63由比研磨构件62柔软且比支承构件64硬的材料形成。即，中层构件63的硬度比研磨构件62的硬度低且比支承构件64的硬度高。中层构件63可以由树脂材料形成。形成中层构件63的树脂材料例如为PP(聚丙烯)、PE(聚乙烯)、PVC(聚氯乙烯)、聚氨酯或聚碳酸酯等。也可以是，中层构件63以层叠有由互不相同的材料形成的多个构件的方式构成。

上述圆周的径向上的研磨部60与清洗部70、70A彼此的位置关系不限于上述的例子。清洗部70、70A也可以配置于研磨部60的外侧。在该情况下，清洗构件72的清洗面72a位于研磨构件62的研磨面62a的外侧。

研磨部60和清洗部70、70A中的位于内侧的构件也可以不是环状(圆筒状)，而是形成为圆板状(实心的圆柱状)。在该情况下，位于内侧的构件的上表面(研磨面62a或清洗面72a)可以形成为连续的圆形，也可以分割为扇状地形成的多个部分。在任意情况下，位于内侧的研磨面62a或清洗面72a的外缘沿着绕中心轴线Ax的圆周形成。

涂布显影装置2可以具备与研磨清洗机构50同样地构成并且不具有进行研磨处理的功能而具有进行两种清洗处理的功能的清洗机构(基板清洗构件)。该清洗机构在与研磨清洗机构50同样的结构中具有与清洗部70不同的清洗部来取代研磨部60。不同的清洗部可以与研磨部60同样地在清洗部70的外侧形成为环状(圆筒状)。不同的清洗部具有包括作为清洗面发挥功能的其它清洗面(第一接触面)的其它清洗构件。其它清洗构件(第一构件)能够通过在其它清洗面与背面Wb接触的状态下沿背面Wb移动来对背面Wb进行清洗。在清洗构件72的清洗面72a与其它清洗面之间，表面粗糙度和硬度中的至少一方不同。不具有进行研磨处理的功能的清洗机构可以对工件W的表面Wa进行清洗处理而不对背面Wb进行清洗处理，或者出了背面Wb还对工件W的表面Wa进行清洗处理。

可以在以上所说明的各种例子中的一个例子中应用在其它例中所说明的事项中的至少一部分。

[实施方式的总结]

本公开包括以下的(1)～(9)的结构。

(1)一种基板清洗构件，具备：第一构件，其具有外缘沿着绕规定的轴线Ax的圆周形成的第一接触面，第一构件能够通过在第一接触面与工件W的主表面接触的状态下沿主表面移动来对主表面进行清洗或研磨；第二构件(清洗构件72)，其具有外缘在第一接触面的外侧或内侧沿着圆周形成的第二接触面(清洗面72a)，第二构件(清洗构件72)能够通过在第二接触面与主表面接触的状态下沿主表面移动来对主表面进行清洗；下层构件76、78，其以使第二接触面在中心轴线Ax所延伸的轴向上比第一接触面突出的方式对第二构件进行支承；以及基台52，其支承第一构件、第二构件以及下层构件76、78，第二接触面以表面粗糙度和硬度中的至少一方与第一接触面不同的方式形成，下层构件76、78以比第二构件柔软的材料形成，以使得在第二构件从主表面接受到接触力时，在轴向上第二接触面的位置靠近第一接触面的位置。

在上述基板清洗构件中，进行清洗处理的第二构件的第二接触面构成为通过来自主表面的接触力而靠近第一构件的第一接触面。由此，通过上述接触力的调节，能够通过一个基板清洗构件进行清洗处理以及该清洗处理以外的处理(例如，研磨处理)这两个处理。在该情况下，能够缩短两个处理之间的准备期间，因此能够实现处理的高效化。另一方面，根据工件W的种类，需要利用硬的材料形成构成用于清洗的接触面的部分。在该情况下，当利用硬的材料仅形成从基台52到用于清洗的接触面为止的部分时，即使接受到来自主表面的接触力也不会充分收缩，用于进行其它处理的第一接触面有可能不与工件W接触。与此相对地，在上述基板清洗构件中，构成第二接触面的第二构件由以比第二构件柔软的材料形成的下层构件支承。因此，即使第二构件由硬的材料形成，当接受到来自主表面的接触力时，第二构件也能够收缩到能够使第一构件的第一接触面与工件W的主表面接触的程度，从而能够通过一个基板清洗构件进行两个处理。因而，上述基板清洗构件对处理的高效化是有用的。

(2)根据上述(1)所记载的基板清洗构件，其中，第二构件和下层构件76、78分别由包含气孔的材料形成，下层构件76、78中的气孔孔径比第二构件中的气孔孔径大。

在该情况下，容易使下层构件76、78形成为比第二构件伸缩自如。

(3)根据上述(1)或(2)所记载的基板清洗构件，其中，还具备中层构件74，所述中层构件74配置于第二构件与下层构件76、78之间，并且所述中层构件74由比第二构件及下层构件76、78硬的材料形成，第二构件、中层构件74以及下层构件76、78以沿上述圆周延伸的方式形成为环状。

通过第二构件的第二接触面在与工件W的主表面接触的状态下沿工件W的主表面移动，在与延伸方向交叉的横向上对由第二构件、中层构件74以及下层构件76、78构成的环状的部分施加力。即使接受到该横向的力，上述环状的部分的刚性通过中层构件74而提高，上述环状的部分倒向内侧或外侧的可能性低。因而，对于处理的稳定化是有用的。

(4)根据上述(3)所记载的基板清洗构件，其中，在上述轴向上，中层构件74的下端位于比第一接触面靠上方的位置、或者中层构件74的至少一部分位于与第一接触面相同的高度位置。

在该情况下，容易使通过来自工件W的主表面的接触力而收缩的下层构件76、78的轴向上的长度比第二构件的轴向上的长度大。由此，能够进行与工件W的种类相匹配的清洗，并且能够更可靠地执行两个处理。

(5)根据上述(3)或(4)所记载的基板清洗构件，其中，下层构件76、78的轴向上的长度比第二构件的轴向上的长度大。

在该情况下，通过来自工件W的主表面的接触力，能够使第二接触面的位置更可靠地靠近第一接触面。因而，能够进行与工件W的种类相匹配的清洗，并且能够更可靠地执行两个处理。

(6)根据上述(3)或(4)所记载的基板清洗构件，其中，在上述圆周的径向上，下层构件76的宽度与第二构件的宽度大致一致。

在该情况下，与下层构件76的宽度比第二构件的宽度大的情况相比，能够缩小从上述轴向观察时的、包括下层构件76和第二构件的部分的面积。因而，对于基板清洗构件的简化是有用的。

(7)根据上述(3)或(4)所记载的基板清洗构件，下层构件78的至少一部分以上述圆周的径向上的宽度随着离开第二接触面而变大的方式形成，并且与支承第一构件的支承部分(支承构件64)接触。

在该情况下，包括下层构件78和第二构件的部分即使在沿着工件W的主表面的横向上接受到力也不易倾倒。因而，对于处理的稳定化是有用的。

(8)一种基板处理装置，具备：根据上述(1)～(7)中的任一项所记载的基板清洗构件；基板保持部，其保持工件W；以及驱动部，其使第一接触面和第二接触面沿保持于基板保持部的工件W的主表面移动。

该基板处理装置具备上述基板清洗构件，因此对于处理的高效化是有用的。

(9)一种基板清洗方法，包括以下工序：研磨工序，通过基板清洗构件对基板的主表面进行研磨；以及清洗工序，在研磨工序之后，通过基板清洗构件对主表面进行清洗，其中，基板清洗构件具有：第一构件，其具有外缘沿着绕中心轴线Ax的圆周形成的第一接触面；第二构件(清洗构件72)，其具有外缘在第一接触面的外侧或内侧沿着上述圆周形成的第二接触面(清洗面72a)；下层构件76、78，其支承第二构件，所述下层构件76、78由比第二构件柔软的材料形成；以及基台52，其支承第一构件、第二构件以及下层构件76、78，第二接触面以表面粗糙度和硬度中的至少一方与第一接触面不同的方式形成，研磨工序包括：在下层构件76、78以使第二接触面在中心轴线Ax所延伸的轴向上比第一接触面突出的方式对第二构件进行支承的状态下，使上述主表面对第二构件施加力，来使第一接触面及第二接触面与上述主表面接触；以及在使第一及和第二接触面与上述主表面接触的状态下，使第一接触面和第二接触面沿上述主表面移动，清洗工序包括：在第一接触面不与上述主表面接触且使第二接触面与上述主表面接触的状态下，使所述第二接触面沿上述主表面移动。

就该基板清洗方法而言，与(1)所记载的基板清洗构件同样地对于处理的高效化是有用的。

附图标记说明

1：基板处理系统；2：涂布显影装置；20：研磨单元；48：旋转驱动机构；50、50A、50B：研磨清洗机构；52：基台；60、60B：研磨部；62：研磨构件；62a：研磨面；64：支承构件；70、70A：清洗部；72：清洗构件；72a：清洗面；74：中层构件；76、78：下层构件；92：驱动机构。

Claims (9)

1.一种基板清洗构件，具备：

第一构件，其具有外缘沿着绕规定的轴线的圆周形成的第一接触面，所述第一构件能够通过在所述第一接触面与基板的主表面接触的状态下沿所述主表面移动来对所述主表面进行清洗或研磨；

第二构件，其具有外缘在所述第一接触面的外侧或内侧沿着所述圆周形成的第二接触面，所述第二构件能够通过在所述第二接触面与所述主表面接触的状态下沿所述主表面移动来对所述主表面进行清洗；

下层构件，其以使所述第二接触面在所述轴线所延伸的轴向上比所述第一接触面突出的方式对所述第二构件进行支承；以及

基台，其支承所述第一构件、所述第二构件以及所述下层构件，

所述第二接触面以表面粗糙度和硬度中的至少一方与所述第一接触面不同的方式形成，

所述下层构件以比所述第二构件柔软的材料形成，以使得在所述第二构件从所述主表面接受到接触力时，在所述轴向上所述第二接触面的位置靠近所述第一接触面的位置。

2.根据权利要求1所述的基板清洗构件，其特征在于，

所述第二构件和所述下层构件分别由包含气孔的材料形成，

所述下层构件中的气孔孔径比所述第二构件中的气孔孔径大。

3.根据权利要求1所述的基板清洗构件，其特征在于，

还具备中层构件，所述中层构件配置于所述第二构件与所述下层构件之间，并且所述中层构件由比所述第二构件及所述下层构件硬的材料形成，

所述第二构件、所述中层构件以及所述下层构件以沿所述圆周延伸的方式形成为环状。

4.根据权利要求3所述的基板清洗构件，其特征在于，

在所述轴向上，所述中层构件的下端位于比所述第一接触面靠上方的位置、或者所述中层构件的至少一部分位于与所述第一接触面相同的高度位置。

5.根据权利要求3或4所述的基板清洗构件，其特征在于，

所述下层构件的所述轴向上的长度比所述第二构件的所述轴向上的长度大。

6.根据权利要求3或4所述的基板清洗构件，其特征在于，

在所述圆周的径向上，所述下层构件的宽度与所述第二构件的宽度大致一致。

7.根据权利要求3或4所述的基板清洗构件，其特征在于，

所述下层构件的至少一部分以所述圆周的径向上的宽度随着离开所述第二接触面而变大的方式形成，并且与支承所述第一构件的支承部分接触。

8.一种基板处理装置，具备：

根据权利要求1至3中的任一项所述的基板清洗构件；

基板保持部，其保持所述基板；以及

驱动部，其使所述第一接触面和所述第二接触面沿保持于所述基板保持部的所述基板的所述主表面移动。

9.一种基板清洗方法，包括以下工序：

研磨工序，通过基板清洗构件对基板的主表面进行研磨；以及

清洗工序，在所述研磨工序之后，通过所述基板清洗构件对所述主表面进行清洗，

其中，所述基板清洗构件具有：

第一构件，其具有外缘沿着绕规定的轴线的圆周形成的第一接触面；

第二构件，其具有外缘在所述第一接触面的外侧或内侧沿着所述圆周形成的第二接触面；

下层构件，其支承所述第二构件，所述下层构件由比所述第二构件柔软的材料形成；以及

基台，其支承所述第一构件、所述第二构件以及所述下层构件，所述第二接触面以表面粗糙度和硬度中的至少一方与所述第一接触面不同的方式形成，

所述研磨工序包括：

在所述下层构件以使所述第二接触面在所述轴线所延伸的轴向上比所述第一接触面突出的方式对所述第二构件进行支承的状态下，使所述主表面对所述第二构件施加力，来使所述第一接触面及所述第二接触面与所述主表面接触；以及

在使所述第一接触面及所述第二接触面与所述主表面接触的状态下，使所述第一接触面和所述第二接触面沿所述主表面移动，

所述清洗工序包括：在所述第一接触面不与所述主表面接触且使所述第二接触面与所述主表面接触的状态下，使所述第二接触面沿所述主表面移动。