JP4660519B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明はデバイスを製造するためのリソグラフィ装置および方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は所望のパターンを基板上に、通常は基板のターゲット部分上に付ける機械である。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用されることができる。その場合、二者択一的にマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスが、ＩＣの個々の層上に形成されるべき回路パターンを生成するために使用されることができる。このパターンは、基板（たとえばシリコンウェーハ）上の（たとえば、１つまたは複数のダイの一部分を含む）ターゲット部分上に転写されることができる。パターンの転写は、通常、基板上に供給された放射感応性材料（レジスト）の層上に結像することにより行われる。一般に、単一の基板は連続してパターニングされる隣接した網目状のターゲット部分を含む。知られているリソグラフィ装置は、ターゲット部分上に全パターンを一度に露光することにより各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパ、および、所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームによってパターンをスキャンし、同時にこの方向と平行にまたは反平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナを含む。また、パターンを基板上にインプリントすることによりパターンをパターニングデバイスから基板に転写することも可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板との間の空間を満たすために、リソグラフィ投影装置内の基板を比較的高い屈折率を有する液体、たとえば水に浸すことが提案されてきた。このことの要点は、液体内では露光放射がより短い波長を有するので、より小さい特徴の結像を可能にすることである。（液体の効果はまた、システムの有効ＮＡを大きくし、焦点深度を深めると考えられることもできる。）水中に固体粒子（たとえば石英）を懸濁させた水を含めて、他の液浸液も提案されてきた。

[0004] しかし、基板または基板および基板テーブルを液体の浴の中に浸すこと（たとえば、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許第４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速されなければならない大きな液体の塊が存在することを意味する。これは追加の、またはより強力なモータを必要とし、液体内の乱流が望ましくない予測できない結果につながる可能性がある。

[0005] 提案されている解決策の１つは、液体供給システムが、液体閉じ込めシステムを使用して、液体を基板の局部領域のみに、かつ投影システムの最終要素と基板との間に供給することである（基板は一般に投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを構成するために提案された１つの方法が、参照によりその全体が本明細書に組み込まれているＰＣＴ国際特許出願公開第ＷＯ９９/４９５０４号に開示されている。図２および３に示されているように、液体は、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って、少なくとも１つの注入口ＩＮによって基板上に供給され、投影システムの下を通った後で少なくとも１つの排出口ＯＵＴによって除去される。すなわち、基板は要素の下を−Ｘ方向にスキャンされるとき、液体は要素の＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で取り除かれる。図２は、液体が注入口ＩＮを通して供給され、低圧源に接続された排出口ＯＵＴによって要素の反対側で取り除かれる構成を概略的に示す。図２の例示図では、液体は、最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、このとおりである必要はない。最終要素のまわりに配置された注入口および排出口の様々な方向ならびに数が可能であり、１つの例が図３に示されており、この図では、両側に排出口を有する４組の注入口が最終要素のまわりに規則的なパターンで設けられている。

[0006] 局部液体供給システムによる他の液浸リソグラフィ解決策が図４に示されている。液体は投影システムＰＬの両側の２つの溝注入口ＩＮによって供給され、注入口ＩＮの半径方向外側に向かって配置された複数の個別の排出口ＯＵＴによって除去される。注入口ＩＮおよびＯＵＴは、中央に穴を有するプレートに配置されることができ、その穴を通して投影ビームが投影される。液体は投影システムＰＬの一方の側の溝注入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＬの他方の側の複数の個別の排出口ＯＵＴによって除去され、投影システムＰＬと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れを生じさせる。注入口ＩＮおよび排出口ＯＵＴのどの組合せを使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向に依存することができる（注入口ＩＮおよび排出口ＯＵＴの他方の組合せは非アクティブである）。

[0007] 提案されている局部液体供給システムによる他の液浸リソグラフィ解決策は、液体供給システムに投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部分に沿って延在するバリア部材を備えつけることである。そのような解決策が図５に示されている。バリア部材は、Ｚ方向に（光軸の方向に）何らかの移動が存在する可能性があるが、ＸＹ面では投影システムに対して実質的に静止している。一実施形態では、バリア部材と基板の表面との間にシールが形成され、このシールはガスシールなどの非接触シールでもよい。

[0008] バリア部材１２は、投影システムＰＬの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に含む。液体が基板と投影システムの最終要素との間の空間の中に閉じ込められるように、基板に対する非接触シール１６が投影システムのイメージフィールドのまわりに形成されることができる。この空間は、投影システムＰＬの最終要素の下方に、それを取り囲んで配置されたバリア部材１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムの下方の、バリア部材１２の中の空間に、液体注入口１３によって導入され、液体排出口１３によって除去されることができる。バリア部材１２は、投影システムの最終要素の少し上方に延在してもよく、液体のレベルは、液体のバッファが供給されるように最終要素より高くなっている。バリア部材１２は、一実施形態では、上端部で投影システムまたはそれの最終要素の形状によく合致する、たとえば円形でもよい、内周部を有する。底部では、内周部は、イメージフィールドの形状、たとえば長方形によく合致するが、このとおりである必要はない。

[0009] 液体は、使用中バリア部材１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１に保持される。ガスシールは、圧力下で注入口１５を介してバリア部材１２と基板との間のギャップに供給され、排出口１４を介して抽出されるガス、たとえば空気または合成空気、ただし一実施形態ではＮ_２または別の不活性ガス、によって形成される。ガス注入口１５に対する過剰圧力、排出口１４に対する真空レベル、およびギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速ガス流が存在するように構成される。それらの注入口／排出口は、空間１１を取り囲む環状の溝でもよく、ガスの流れ１６は、空間１１内に液体を保持するのに有効である。そのようなシステムは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許出願公開第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0010] それぞれ参照によりその全体が本明細書に組み込まれている、欧州特許出願公開第ＥＰ１４２０３００号および米国特許出願公開第ＵＳ２００４−０１３６４９４号に、ツインステージまたはデュアルステージの液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。そのような装置は、基板を支持するための２つのテーブルを備える。液浸液のない第１の位置にあるテーブルではレベル測定が行われ、液浸液が存在する第２の位置にあるテーブルでは露光が行われる。代替として、装置は１つのテーブルしか有しない。

[0011] 初期の液浸リソグラフィ機械は、投影システムと基板との間の液体として水を使用してきた。水は約１．４の屈折率を有し、比較的安価である。次世代のリソグラフィ液浸装置は、水の屈折率より高い屈折率を有する液体を使用する。遺憾ながら、候補液体は、水ほど豊富ではなく、したがって、より高価である。さらに、それらは環境に有害である傾向がある。

[0012] たとえば、高屈折率の流体を使用することの、普通ならば極めて高いコストおよび／または極めて困難な環境問題を克服するための処置が取られるリソグラフィ装置を提供することが望ましい。

[0013] 本発明の一態様によれば、
パターンニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
液体を投影システムと基板との間の空間に供給するように構成された液体供給システムと、
液体供給システムからリサイクルシステムを通して液体供給システムに戻る液体のための２つのリサイクル経路が存在するように異なる液体を処理するように構成される２つの並行液体処理ユニットを含む、液体供給システムから放出される液体を収集しその液体を液体供給システムに再供給するように構成されたリサイクルシステムと、
を備えるリソグラフィ装置が提供される。

[0014] 本発明の一態様によれば、パターンニングされた放射ビームを、液体を通して基板上に投影するように構成された液浸リソグラフィ装置であって、液体が巡り流れるように構成された液体回路を備え、液体回路はすべての液流に共通のいくつかの部分を備え、いくつかの部分は別個の並行液体流路を備え、別個の並行液体流路の少なくともいくつかはそれぞれの経路内の液体が通過しなければならない液体処理ユニットを有し、異なる経路の液体処理ユニットはそれらを通過する液体を異なる仕方で処理するように構成される、液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0015] 本発明の一態様によれば、
パターンニングされた放射ビームを投影システムと基板との間の空間に供給された液体を通して基板上に投影するために投影システムを使用するステップと、
液体を空間から除去し、液体が空間からどのように除去されたかに応じて、またはパターンニングされた放射ビームが液体を通過したかどうかに応じて、またはその両方に応じて、いくつかのやり方のうちの１つで液体を処理するステップと、
処理された液体の少なくとも一部を空間に再供給するステップと
を含むデバイス製造方法が提供される。

[0016] 次に、本発明の諸実施形態が、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図面を参照しながら、例としてのみ説明される。

[0027] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。装置は、

[0028] 放射ビームＢ（たとえば、ＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、

[0029] パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するように作成され、あるパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続された支持構造体（たとえばマスクテーブル）ＭＴと、

[0030] 基板（たとえばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように作成され、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴと、

[0031] パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（たとえば、１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に投影するように構成された投影システム（たとえば屈折投影レンズシステム）ＰＳと
を備える。

[0032] 照明システムは、放射を誘導、整形または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁、静電またはその他のタイプの光学構成要素、あるいはそれらの任意の組合せなど、様々なタイプの光学構成要素を含むことができる。

[0033] 支持構造体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、たとえばパターニングデバイスが真空環境で保持されるかどうかなどその他の条件に依存するやり方でパターニングデバイスを保持する。支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために機械的、真空、静電またはその他のクランプ技法を使用することができる。支持構造体は、たとえば必要に応じて固定でも可動でもよい、フレームでもテーブルでもよい。支持構造体は、パターニングデバイスが、たとえば投影システムに関して、所望の位置にあることを保証することができる。本明細書での用語「レチクル」または「マスク」のいかなる使用も、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であるとみなされることができる。

[0034] 本明細書で使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように放射ビームの横断面にパターンを付与するために使用されることができるいかなるデバイスをも指すと広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、たとえばパターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに厳密には対応しない可能性があることが留意されるべきである。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路など、ターゲット部分内に生成されるデバイス内の、特定の機能層に対応する。

[0035] パターニングデバイスは透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクは、リソグラフィではよく知られていて、バイナリ、Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ位相シフトおよび減衰型位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、各ミラーが入射放射ビームを様々な方向に反射するように個別に傾斜されることができる小さなミラーのマトリックス配列を利用する。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。

[0036] 本明細書で使用される用語「投影システム」は、使用される露光放射に適合するような、または液浸液の使用または真空の使用などその他の要因に適合するような、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁および静電光学システム、またはそれらのいかなる組合せをも含めて、いかなるタイプの投影システムをも包含すると広く解釈されるべきである。本明細書で使用される用語「投影レンズ」は、より一般的な用語「投影システム」と同義であるとみなされることができる。

[0037] ここに図示されているように、装置は（たとえば透過型マスクを利用する）透過型のものである。代替として、装置は、（たとえば、上記で言及されたようなタイプのプログラマブルミラーアレイを利用する、または反射型マスクを利用する）反射型のものでもよい。

[0038] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上の支持構造体）を有するタイプのものでもよい。そのような「マルチステージ」の機械では、追加のテーブルが並行して使用されることができる、あるいは、１つまたは複数のテーブルが露光用に使用されている間に、準備ステップが１つまたは複数の他のテーブル上で実行されることができる。

[0039] 図１を参照すると、イルミネータＩＬが放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源およびリソグラフィ装置は、たとえば放射源がエキシマレーザである場合、別個のエンティティでもよい。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けを借りて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに渡される。他の場合には、たとえば放射源が水銀ランプの場合、放射源は、リソグラフィ装置の不可欠な構成部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ばれてもよい。

[0040] イルミネータＩＬは放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＭを備えてもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般的に、それぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）は、調整されることができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど、様々な他の構成要素を備えてもよい。イルミネータは、放射ビームの横断面において所望の均一性および強度分布を有するように放射ビームを調整するために使用されることができる。

[0041] 放射ビームＢが、支持構造体（たとえばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡ上に入射し、パターニングデバイスによってパターンニングされる。放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡを横断した後、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合わせる。基板テーブルＷＴは、第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の助けを借りて、たとえば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするために正確に移動されることができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明確には示されていない）が、たとえばマスクライブラリからの機械的な取り出し後に、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするために使用されることができる。一般に、支持構造体ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて実現されることができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現されることができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造体ＭＴは、ショートストロークアクチュエータだけに接続されてもよく、固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされることができる。図示されているように基板アライメントマークは専用ターゲット部分を占有するが、それらはターゲット部分間の空間内に配置されてもよい（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられる場合は、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置されてもよい。

[0042] 図示されている装置は、以下のモードのうちの少なくとも１つで使用されることができる。

[0043] １．ステップモードでは、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴが本質的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が一度にターゲット部分Ｃに投影される（すなわち、単一静止露光）。次いで、別のターゲット部分Ｃが露光されることができるように基板テーブルＷＴがＸおよび／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズを限定する。

[0044] ２．スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間に、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期してスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。支持構造体ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大率（縮小率）およびイメージ反転特性によって決定されることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向の）幅を限定し、一方、スキャン動作の長さがターゲット部分の（スキャン方向の）高さを決定する。

[0045] ３．他のモードでは、支持構造体ＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持して本質的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間に基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる。このモードでは、一般にパルス放射源が利用され、プログラマブルパターニングデバイスが、基板テーブルＷＴの各動作の後で、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及されたようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用されることができる。

[0046] 前述の使用モードの組合せおよび／または変形形態、あるいは完全に異なる使用モードが利用されてもよい。

[0047] １つまたは複数の実施形態が水以外の液浸液に関して説明されるが、本発明の１つまたは複数の実施形態は、同様に水に適用可能である。本発明の１つまたは複数の実施形態は、１つまたは複数の次世代のより高い屈折率の液体など、水以外の液浸液に特に適している。これらの流体は、デカリンなどの炭化水素流体である可能性が最も高い。候補流体には、Ｄｕｐｏｎｔ製のＩＦ１３１およびＩＦ１３２、ＪＳＲ製のＨＩＬ−１およびＨＩＬ−２、またはＭｉｔｓｕｉ製のＤｅｌｐｈｉなどがある。他の候補は、それらの中にナノ粒子を懸濁させた流体の混合物またはリン酸などの酸である。高コストのために、液浸リソグラフィ装置内の高屈折率の液体のリサイクルのほうが水のリサイクルより魅力的である可能性がある。

[0048] 図６を参照しながら説明されるように、液浸リソグラフィ装置内では、投影システムＰＳと基板との間の空間から除去される液浸液は（液体供給システムＩＨによって少なくとも部分的に保持されている場合には）、いくつかの異なる経路を通して除去されることができることが明らかになるであろう。液浸液が空間からそこを通して除去される経路によっては、液浸液をリサイクルして空間に戻す前に、液浸液が通った経路に応じて個別ベースでその液浸液を処理することが有利である。これは、液浸液が通った経路が液浸液の中にある可能性のある汚染物質を決定し、その結果、たとえば、液体浄化がそれらの特定の汚染物質に合わせてカスタマイズされることができるからである。液浸液は（しばしばバリア部材１２の形状の）液体供給システムを通して抽出されるだけでなく、液浸液はまた、あるいは代替として、特に、基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴとの間のギャップに染み込む液体の除去により、基板テーブルＷＴを通して除去されてもよい。

[0049] 図６は液体供給システムＩＨの一部分であるバリア部材１２を示す。バリア部材１２は、（シール部材と呼ばれることもある）バリア部材が、たとえば、形状全体が実質的に環状であるような投影システムＰＳの最終要素の周辺部のまわりに延在する。

[0050] バリア部材１２の機能は、投影ビームが液体を通過することができるように、液体を投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間に少なくとも部分的に維持する、または閉じ込めることである。液体の上部レベルは、バリア部材１２の存在によって保持されるだけであり、空間内の液体のレベルは、液体がバリア部材１２の上部を越えて溢れ出ないように維持される。シールがバリア部材１２の底部と基板Ｗとの間に提供される。図６では、シールは、非接触シールであり、複数の構成要素で構成される。投影システムＰＳの光軸から半径方向外側に向かって作用して、（液浸液が投影システムの最終要素と基板との間の空間を横切って流れるように）、空間を横切って注入口２０から、次いで反対側の排出口（図示されていない）を通して外へ、注入口と同じレベルで、液浸液の並行流を維持するのを助ける（投影ビームの経路の中にではないが）空間の中に延在する（任意選択の）フロープレート５０が提供される。流れ制御プレートは、投影システムＰＳおよび／または基板Ｗに対するバリア部材１２の光軸の方向への移動に対する抵抗を低減するために、１つまたは複数のスルーホール５５を有する。バリア部材１２の底部に沿って半径方向外側に向かって移動して、次いで、基板に向かって光軸に実質的に平行な方向への液体の流れを供給する注入口６０が設けられている。この液体の流れは、基板Ｗの縁部と、基板を支持する基板テーブルＷＴとの間のいかなるギャップをも満たすのを助けるために使用される。このギャップが液体で満たされない場合は、基板Ｗの縁部がバリア部材１２の下を通る場合、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間内の液体に気泡が含まれる可能性がより大きい可能性がある。これは、イメージの質の低下につながるので好ましくない。

[0051] 注入口６０の半径方向外側に向かって、バリア部材１２と基板Ｗとの間から液体を抽出するように構成された抽出器アセンブリ７０が存在する。抽出器７０は、下記でより詳細に説明され、バリア部材１２と基板Ｗとの間に生成される非接触シールの一部分を形成する。

[0052] 抽出器アセンブリの半径方向外側に向かって、排出口８２を通して大気に接続され、注入口８４を介して低圧源に接続される凹部８０が存在する。凹部８０の半径方向外側に向かって、ガスナイフ９０が存在する。抽出器、凹部およびガスナイフの構成は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許出願公開第ＵＳ２００６−０１５８６２７号に詳細に開示されている。しかし、その文献では、抽出器アセンブリの構成は異なる。

[0053] 抽出器アセンブリ７０は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許出願公開第ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示されているものなど、液体除去デバイスまたは抽出器または排出口１００を備える。いかなるタイプの液体抽出器でも使用されることができる。一実施形態では、液体除去デバイス１００は、単一液相液体抽出を可能にするためにガスから液体を分離するために使用される多孔性材料１１０で覆われる排出口を備える。多孔性材料１１０の下流のチャンバ１２０は、少し低い圧力に維持され、液体で満たされる。チャンバ１２０の低い圧力は、その結果、多孔性材料の穴に形成されるメニスカスが、大気ガス（たとえば空気）が液体除去デバイス１００のチャンバ１２０の中に引き込まれるのを妨げる。しかし、多孔性材料１１０が液体と接触した場合は、流れを制限するメニスカスは存在せず、液体は液体除去デバイス１００のチャンバ１２０の中に自由に流れ込むことができる。多孔性材料１１０は、バリア部材１２に沿って半径方向内側に向かって（ならびに空間のまわりに）延在し、その抽出速度は多孔性材料１１０がどれだけ液体によって覆われるかに応じて変わる。

[0054] プレート２００は、液体抽出機能およびメニスカス制御機能が互いに分離され、バリア部材１２がそれぞれに対して最適化されることができるように、液体除去デバイス１００と基板Ｗとの間に提供される。

[0055] プレート２００は、液体除去デバイス１００と基板Ｗとの間の空間を２つのチャネル、すなわち上側のチャネル２２０と下側のチャネル２３０に分割する機能を有するディバイダまたはその他のあらゆる要素であり、上側のチャネル２２０はプレート２００の上面と液体除去デバイス１００との間にあり、下側のチャネル２３０はプレート２００の下面と基板Ｗとの間にある。各チャネルは、その半径方向に最も内側の端部で空間に対して開いている。

[0056] １つまたは複数の呼吸孔２５０、たとえば１つまたは複数のスルーホール２５０を通して大気に対して上側のチャネル２２０を開いたままにしておくのではなく、低い圧力が上側のチャネル２２０に与えられることができる。このようにして、上側のチャネル２２０はより広くされることができる。

[0057] したがって、プレート２００には、２つのメニスカス３１０、３２０が存在する。第１メニスカス３１０は、プレート２００の上方に配置され、多孔性材料１１０とプレート２００の上面との間に延在し、第２メニスカス３２０はプレート２００の下に配置され、プレート２００と基板Ｗとの間に延在する。このようにして、たとえば、抽出器アセンブリ７０は、液体の最適の抽出のために第１メニスカスを制御するように、および第２メニスカス３２０の粘性抵抗の大きさが低減されるように第２メニスカス３２０の位置を制御するように構成されることができる。たとえば、バリア部材１０の下の基板Ｗのスキャン速度が高められることができるように、メニスカス３２０がプレート２００に付けられたままになっているようにプレート２００を強力に有利にするように特にプレート２００の特性が最適化されることができる。第２メニスカス３２０に作用する毛管力は、外側に向かって存在し、メニスカスが静止しているようにメニスカスに隣接する液体内の低い圧力によって平衡を保たれる。たとえば粘性抵抗および慣性によるメニスカス上のより高い負荷が、表面とのメニスカスの接触角の低下を生じさせる。

[0058] 上記のように、液体除去デバイス１００の抽出速度が、多孔性材料１１０がどれだけ液体によって覆われるかに応じて変わることができるように、第１メニスカス３１０が多孔性材料１１０の下で内側に向かっても外側に向かっても自由に移動することができるように、１つまたは複数の呼吸孔２５０を、プレート２００の最端部の半径方向外側に向かって設けることができる。図６に示されているように、第２メニスカス３２０は、プレート２００の下側の最も内側の端部に付けられる。図６では、プレート２００の最も内側の下側の縁部は、第２メニスカス３２０を適所に留めるように鋭い縁部を備える。

[0059] 図６では詳細には示されていないが、液体供給システムは液体のレベルの変化に対処する手段を有する。これは、投影システムＰＳとバリア部材１２との間で増加する液体が処理され、こぼれ出ないようにするためである。そのような液体の増加は、後述の投影システムＰＳに対するバリア部材１２の相対移動中に生じる可能性がある。この液体に対処する１つの方法は、投影システムＰＳに対するバリア部材１２の移動中にバリア部材１２の周辺部の上にいかなる圧力傾度もほとんど存在しないようにバリア部材１２が非常に大きいようにバリア部材１２を提供することである。代替または追加の構成では、液体は、たとえば抽出器１１０と同様の単相抽出器などの抽出器を使用して、バリア部材１２の上部から除去されることができる。

[0060] したがって、液浸液が投影システムの最終要素と基板との間の空間から除去されるいくつかの方法があることがわかる。これらは、注入口２０から注入口２０の反対側の排出口までの空間を横切って流れる液浸液を含む（排出口は図示されていない）。この液浸液は、投影ビームＰＢがいつアクティブ化されるかに応じて照射されてもされなくてもよい。液浸液は抽出器７０によって除去され、この液浸液は単相として抽出される可能性がある。抽出器７０を回避する他の液浸液は、凹部８０とガス（または流体不活性ガス）ナイフ９０の組合せによって収集されることができる。抽出されたそのような液浸液は、液体とガスの組合せである可能性がある。最後に、液体はまた、基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＳとの間から基板テーブルＷＳを通して空間から除去される可能性もある。これはまた、大量のガスを有する可能性もある。基板の上面（たとえばレジスト）に接触していた液体は、後述のように、液体が他の液体と異なる特定のやり方で最もよく処理されることができるように濾過することにより汚染される可能性もある。

[0061] 本発明の一実施形態は、リサイクル経路または回路において液浸液の少なくとも２つのソースを別々に処理することを対象とする。異なるソースは異なるレベルの汚染物質を有しているので、汚染物質が多くなればなるほど、リサイクルはより難しく高価になる。

[0062] 本発明の１つまたは複数の実施形態はいかなるタイプの液体供給システムＩＨにも適用可能である。下記の諸実施形態では、液体供給システムは、３つの主要タイプの除去された液体を有するものと仮定される。これらのタイプの液体は、液体供給システムに接触していて、照射されていてもされていなくてもよい単相液浸液と、液体供給システムに接触していた二相液浸液（すなわち、ガスナイフ抽出器によって抽出された液浸液）と、基板テーブルＷＳに接触していて、二相である可能性がある液浸液とである。図では、これらの流れは、それぞれ１００６、１００４および１００２と表示されている。

[0063] 本発明の１つまたは複数の実施形態あるいは実施例の、１つまたは複数の態様あるいは特徴は、本発明の１つまたは複数の他の実施形態あるいは実施例と共に使用されてもよく、それらと組み合わせられてもよい。
実施形態１

[0064] 第１の実施形態が図７を参照しながら説明される。図７では、液体供給システムＩＨが、基板Ｗが支持されている基板テーブルＷＴと同様に概略的に示されている。実線矢印は液体回路１０００内の液浸液の様々な流路を示す。この図で見られるように、液体は、液体準備モジュール１１５０で準備され、線１０５０を通して液体供給システムＩＨに供給される。液体供給システムＩＨは、投影システムＰＢと基板Ｗとの間の空間を液体で満たす。

[0065] この実施形態および他の実施形態では、３つのタイプの液浸液がその空間から除去されるように示されているが、３つより少ないかまたは多いタイプの液浸液が存在してもよい。３つのタイプの液体は、基板テーブルＷＴを通して空間から抽出される液体１００２と、たとえばガスナイフ抽出器を通して空間から抽出される液体１００４と、たとえばバリア部材１２の側の排出口を通して抽出される液体１００６とである。これらのタイプの液体はそれぞれ、リサイクルシステム内にそれ自体の並行液体処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６を有する。並行液体処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６は、存在する可能性があるタイプの汚染物質ごとにそれぞれの液浸液の流れを処理するように最適化される。

[0066] したがって、基板テーブルＷＴからの液浸液を処理する並行液体処理ユニット１１０２は、それを通過する液浸液を脱気する脱気ユニットを有し、液浸液を浄化する浄化器を有する。浄化器は、基板テーブルＷＴに接触した液浸液を浄化するように最適化される。並行液体処理ユニット１１０２はまた、基板テーブルＷＴ内で液浸液を汚染した可能性がある粒子を抽出するように最適化される１つまたは複数の粒子フィルタを有する。並行液体処理ユニットでは、粒子フィルタ（単数または複数）はかなり粗い粒子用である。

[0067] 同様に、たとえば液体供給システムのガスナイフ抽出器を通って放出される液体１００４用の並行液体処理ユニット１１０４は、脱気ユニット、浄化器および１つまたは複数の粒子フィルタを有する。並行液体処理ユニット１１０４の浄化器および１つまたは複数の粒子フィルタは、液体供給システムＩＨ（たとえばバリア部材１２）に接触していた液浸液用に最適化される。ユニット１１０４は粒子を除去し、たとえばそれ自体の特有のタイプの不純物および粒子になる可能性があるガスナイフによって作用された液浸液を浄化するように最適化される。

[0068] 理解されるであろうように、液体１００２はまた、液体供給システムＩＨに接触していた可能性もあり、液体１００４は、基板テーブルＷＴの上面に接触していた可能性がある。

[0069] 最後に、空間を横切って通過しただけで、したがって単相として空間から除去される可能性がある液体１００６は、（ガスがその液体の中に導入される機会がなかったはずなので、液体内にガスが存在しない可能性があるため）脱気ユニットを備えなくてもよいが、浄化器と、液体供給システム内に存在する可能性がある粒子を除去するように最適化された１つまたは複数の粒子フィルタとを備える液体処理ユニット１１０６によって処理されることになる。

[0070] ３つの流れが図示されているだけである。他の流れ、たとえば、抽出器７０などの液体供給システムＩＨと基板Ｗとの間の抽出器を通して抽出された単相流が存在する可能性もある。

[0071] 並行液体処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６からの液体の流れは、流体循環インテグレータ１１１０によって結合され、液体が流体準備ユニット１１５０によって使用されるまで蓄えられる容器またはバッファ１１２０への流れ１０１０としてさらに供給される。流体準備ユニット１１５０はそれ自体、液体が液体供給システムＩＨに供給される前に液体を処理するいくつかのユニットを備える。流体準備ユニット１１５０は、すべてのリサイクルされた液浸液が流れ１０２０を介して容器１１２０からそれを通過するという点で、順次液体処理ユニットとみなされることができる。流体準備ユニット１１５０は、脱気ユニット、温度制御ユニット、流れ制御ユニットおよび屈折率制御ユニットを含んでもよい。図７に示されている実施形態では、流体準備ユニット１１５０は、並行液体処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６の１つまたは複数の粗いフィルタの後に最終濾過用の微粒子フィルタユニットを有する。もちろん、流体準備ユニット１１５０のこれらの部分はどれでも流路１０１０または１０２０に別々に配置されることができる。

[0072] 流体準備ユニット１１５０の要素は、センサ１２１２および１２１４を使用して基板テーブルＷＴにおいて取られた測定値に基づいてフィードバック方式で制御されることができる。センサ１２１２は、たとえば、波面センサでもよく、センサ１２１４は強度（吸収）センサでもよい。これらのセンサの測定結果に基づいて、流体準備ユニット１１５０およびリソグラフィ装置の残部は、正確な波面位置およびドーズを達成するように制御されることができる。これは制御信号２２１２および２２１４によって達成される。最終準備ユニット１１５０は、液浸流体が液体供給システムＩＨに入る前にどのように準備されるかを変えることもでき、それによって（たとえば、温度変化によって）屈折率を制御することもできる。それらのセンサのうちの１つまたは両方はまた、回路１０００内の液浸液をいつ再生する必要があるかを決定するのに使用されることもできる。吸収が予め決められた最大許容レベルより下にとどまること、屈折率が安定したままであること、および、そうでなければ必要な光学補正を行うことができるように屈折率がわかっていることを保証することが望ましいことは明らかである。代替として、または追加として、回路１０００内の液体の定期的な取替えの代わりに定期プログラムが存在してもよい。

[0073] 回路１０００の諸部分は、液浸リソグラフィ装置の主要部分およびその他の部分、特に並行処理ユニットを供給されることもでき、液浸リソグラフィ装置の大部分とは別のユニットとして提供されることもできる。

[0074] この実施形態および他の実施形態の装置は、クローズドシステムまたは部分的クローズドシステムの一部分でもよい。これは、リソグラフィ装置から除去された液浸液がオフラインで処理されるかまたは再生され、後ほどリソグラフィ装置に再供給されるオープンシステムと対照的である。クローズドシステムでは、装置内の液体が絶え間なくリサイクルされ、液体は使用中に新鮮な液体を補充されない。何らかの理由でリサイクルシステムの一部分が動作しなくなった場合には、クローズドシステム（ならびに部分的クローズドシステム）内で流体がそこを通してリサイクルされることができる２つの経路を含むことが必要である可能性がある。したがって、液体をたとえば１つまたは複数の液体処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６、流体リサイクルインテグレータ１１１０、容器１１２０、および流体準備ユニット１１５０から、同じ構成要素を備える別個の回路に方向転換する１つまたは複数のバルブが実際に存在するはずである。バルブ（単数または複数）は、それらのデバイスのうちの１つまたは複数のものの一部分でもよく、適宜、それらのデバイスのうちの１つまたは複数のものの前の流路にあっても、後ろの流路にあってもよい。部分的クローズドシステムでは、新鮮な液体が（たとえば、リサイクルシステムの動作中に容器１１２０に）追加されることができる。液体供給ＩＨまたは基板テーブルＷＴから放出される液体は、容器１１２０に再供給される前にオフラインで処理または再生されるように方向転換されることもできる。このシステムを使用すれば、装置全体のいかなるダウンタイムもなしに新しい液浸液が追加されることができるように、液浸液の流れの中断なしに新しい液浸液が回路１０００中に追加されることができる。
実施形態２

[0075] 第２の実施形態が図８に示されており、後述のようなこと以外は第１の実施形態と同じである。

[0076] 第２の実施形態では、装置は流体準備ユニット１１５０から圧力制御ユニット１１１５への別の制御信号２１１５を有する。これは、流体準備ユニット１１５０が正しい速度で液浸液を受け取ることを保証する。この構成は、流体リサイクルインテグレータ１１１０および並行処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６が、回路１０００の残部に対して別個の機械の一部分である場合、特に有用である。

[0077] さらに、２つのセンサ１２１６、１２１８が容器１１２０から流体準備ユニット１１５０への経路１０２０に設けられる。これらのセンサは、直接液浸液の屈折率および／または液浸液の吸収を測定する。

[0078] 流体準備ユニット１１５０に入る液浸液の所望の屈折率および／または吸収に達するようにいかなる必要な調整でも直接行われることができるように、センサの出力内容２２１６、２２１８が流体リサイクルインテグレータ（および／または並行処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６のうちの１つまたは複数のもの）に提供される。液浸液が流体準備ユニット１１５０に入る前の追加の制御は、液体供給システムＩＨに入る液浸液の特性の制御の強化になる可能性がある。
実施形態３

[0079] 第３の実施形態が図９に示されており、後述のようなこと以外は第１の実施形態または第２の実施形態と同じである。

[0080] 並行処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６のリソグラフィ装置の残部からの分割を容易にするために、第３の実施形態では、ガスが含まれていた可能性がある液浸液を処理するために使用される並行処理ユニット１１０２、１１０４は、脱気ユニットを有しない。その代わり、液浸液経路１００２、１００４がそれらのそれぞれの並行処理ユニット１１０２、１１０４に達する前に、それらの液浸液経路に別個の脱気ユニット１０１４、１０１２が設けられる。このようにして、かなり複雑であり得る脱気ユニットが、リソグラフィ装置の一部分として形成されることができ、それによってユニットを２つの部分に分割するのを容易にする。
実施形態４

[0081] 第４の実施形態が図１０に示されている。第４の実施形態は、後述のようなこと以外は第１の実施形態と同じである。

[0082] 第４の実施形態では、第４の並行処理ユニット１１０８が提供される。空間を横切って通過した単相液浸液を含む流路１００６は、経路１０１６を通して並行処理ユニット１１０６に誘導されるかまたは代替として経路１０２６を通して並行処理ユニット１１０８に誘導される。流路１００６内の液浸液の行き先は、バルブ１１０１の上流にある経路１００６内の液浸液が照射されていたかどうか確証する計算を行うドーズ制御システム１１６０からの信号２１６０によって制御されるバルブ１１０１によって選択される。液浸液が照射されていた場合は、液浸液が経路１０２６を通って並行処理ユニット１１０８の方に行くように、バルブ１１０１の上流にある液浸液が照射されていなかった場合は、液浸液が経路１０１６を通って並行処理ユニット１１０６の方に行くようにバルブが切り換えられる。このようにして、並行処理ユニット１１０６および１１０８は、一方では、照射されていなかった液浸液の処理のために（必要があってもほんの少ししか必要がない可能性がある）、他方では、照射されていた液浸液の処理のために、最適化されることができる。
実施形態５

[0083] 第５の実施形態が図１１に示されている。第５の実施形態は、後述のようなこと以外は第４の実施形態と同じである。

[0084] 第５の実施形態は、装置のアイドルタイム中に液体供給システムを通過する液浸液をリサイクルするように最適化される。アイドルタイムは、液体が液体供給システムＩＨを通って流れているが基板の照射は存在せず、基板が液体供給システムＩＨの下でスキャンされていない時間である。システムは、結像および露光を開始する用意ができている。この場合、システムコントローラ１１８０によって信号２１８０がバルブ１１７１に提供され、バルブ１１７１は、液浸流体を液体供給システムＩＨからバッファ１１７０に、それによって並行液体処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６、１１０８のいずれをも通過せずに、容器１１２０に誘導する。このようにして、並行液体処理ユニットの不必要な使用が回避される。

[0085] 本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が具体的に言及されることもあるが、本明細書に記載されたリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の用途を有することもできることが理解されるべきである。そのような代替用途のコンテキストでは、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」の使用は、それぞれ、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義であるとみなされることができることを当業者は理解するであろう。本明細書で言及される基板は、たとえばトラック（通常、レジスト層を基板に付け、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で露光の前または後で処理されることができる。適用可能な場合、本明細書中の開示は、そのようなまたはその他の基板処理ツールに適用されることができる。さらに、本明細書で使用される基板という用語が複数の処理済み層をすでに含む基板をも指すように、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するために、複数回処理されることができる。

[0086] 本明細書で使用される用語「放射」および「ビーム」は、（たとえば３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長またはほぼそれらの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射を含めて、すべてのタイプの電磁放射を包含する。用語「レンズ」は、状況が許せば、屈折光学構成要素および反射光学構成要素を含めて、様々なタイプの光学構成要素のうちのいずれか１つまたはそれらの組合せを指してもよい。

[0087] 本発明の具体的な諸実施形態が上記で説明されてきたが、説明された以外の方法で本発明が実施されてもよいことが理解されるであろう。たとえば、本発明は上記で開示されたような方法を記載した機械可読命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムが記憶されているデータ記憶媒体（たとえば半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形を取ってもよい。

[0088] 本発明の１つまたは複数の実施形態は、いかなる液浸リソグラフィ装置にも、特に、しかし排他的にではなく、液浸液が浴の形で提供されるにせよ、基板の局限された表面領域上だけに提供されるにせよ、前述のそれらのタイプに適用されることができる。本明細書で企図された液体供給システムは、広く解釈されるべきである。ある実施形態では、該システムは、液体を投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間に供給する構造体の機構または組合せでもよい。該システムは、液体を空間に供給する１つまたは複数の構造体、１つまたは複数の液体注入口、１つまたは複数のガス注入口、１つまたは複数のガス排出口、および／または１つまたは複数の液体排出口の組合せを備えてもよい。一実施形態では、空間の面は、基板および／または基板テーブルの一部分でもよく、あるいは、空間の面は、基板および／または基板テーブルの面を完全に覆ってもよく、あるいは、空間は、基板および／または基板テーブルを包んでもよい。液体供給システムは、任意選択で、液体の位置、量、質、形状、流速またはその他のいかなる特徴をも制御する１つまたは複数の要素をさらに含んでもよい。

[0089] 前述の説明は、例示的であって、制限的ではないものとする。したがって、添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱することなく、説明された本発明に対して変更が行われてもよいことは当業者には明らかであろう。

[0017]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0018]リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムを示す図である。 [0018]リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムを示す図である。 [0019]リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムを示す図である。 [0020]リソグラフィ投影装置で使用される他の液体供給システムの横断面図である。 [0021]リソグラフィ投影装置で使用される他のタイプの液体供給システムの横断面図である。 [0022]本発明の第１の実施形態を概略的に示す図である。 [0023]本発明の第２の実施形態を概略的に示す図である。 [0024]本発明の第３の実施形態を概略的に示す図である。 [0025]本発明の第４の実施形態を概略的に示す図である。 [0026]本発明の第５の実施形態を概略的に示す図である。

Claims (15)

1. パターンニングされた放射ビームを投影する投影システムと、
   前記投影システムと基板との間の空間に液体を供給する液体供給システムと、
   前記液体供給システムから放出される液体を収集し、前記液体を前記液体供給システムに再供給するリサイクルシステムと、
   を備えるリソグラフィ装置であって、
   前記リサイクルシステムが、前記空間に供給された液体を少なくとも２つの異なる経路から除去し、該除去された異なるレベルの汚染物質を有する液体をそれぞれ処理する少なくとも２つの並行液体処理ユニットを備える、
   リソグラフィ装置。
2. 前記２つの並行液体処理ユニットがそれぞれの液体に異なる処理を与えるか、または、前記並行液体処理ユニットそれぞれが異なるソースからの液体を処理する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記並行液体処理ユニットのうちの少なくとも１つに入る前に、または出た後で、液体を処理する順次液体処理ユニットをさらに備える、
   請求項１又は請求項２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記順次液体処理ユニットが、
   それを通過する液体を脱気する脱気ユニット、
   それを通過する液体の温度を調節する温度制御ユニット、
   それを通過する液体の屈折率を制御する率制御ユニット、
   それを通過する液体から粒子を濾過する粒子フィルタユニット、
   それを通過する液体の流速を調節する流れ制御ユニット、
   を含むリストから選択された１つのユニットまたは選択されたユニットの組合せを備える、
   請求項３に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記並行処理ユニットのそれぞれが、
   それを通過する液体を脱気する脱気ユニット、
   それを通過する液体の温度を調節する温度制御ユニット、
   それを通過する液体の屈折率を制御する率制御ユニット、
   それを通過する液体から粒子を濾過する粒子フィルタユニット、
   を含むリストから選択された１つのユニットまたは選択されたユニットの組合せを備え、および／または、
   前記投影システムからの放射にさらされた液体、
   前記基板が支持されるべき基板テーブルを通過した液体、
   前記液体供給システムを通過した液体、
   ガスナイフと相互作用した液体、
   前記投影システムからの放射にさらされなかった液体、または、前記基板の上面にさらされなかった液体、または、その両方の液体から選択された１つまたは組合せのための別個のリサイクル経路が存在する、
   請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記並行液体処理ユニットの１つを通る経路からその代わりに前記並行液体処理ユニットの別の１つを通る経路に流路を切り換えるバルブをさらに備え、および／または、
   前記液体の質を測定するセンサをさらに備える、
   請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記バルブの上流にある液体が前記投影システムからの放射によって照射されたか、されなかったかに関する計算の結果に応じて前記バルブを制御するフローコントローラをさらに備える、
   請求項６に記載のリソグラフィ装置。
8. センサが、（ｉ）前記液体を通過する放射ビームの強度、または（ｉｉ）前記液体の吸収、または（ｉｉｉ）前記液体の前記屈折率、または（ｉｖ）前記液体を通過する放射ビーム内の波面位置誤り、または（ｖ）（ｉ）〜（ｉｖ）の任意の組合せを測定し、
   または、
   （ｉ）前記センサの出力結果が前記液体の所望の特性を達成するように前記リサイクルシステムのパラメータを調節するために使用されるか、または（ｉｉ）前記センサの出力結果が前記リソグラフィ装置のイメージングパラメータを調節するために使用されるか、または（ｉｉｉ）（ｉ）と（ｉｉ）の両方である、
   請求項６に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記液体の前記質を制御するために前記センサの出力結果に基づいて、（ｉ）少なくとも１つの前記並行液体処理ユニット、（ｉｉ）１つまたは複数の前記並行液体処理ユニットに入る前に、または出た後で、液体を処理する順次液体処理ユニット、（ｉｉｉ）別個の液流を１つにまとめる流体リサイクルインテグレータ、あるいは（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）の任意の組合せを制御する液体コントローラをさらに備える、
   請求項６〜請求項８のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
10. パターンニングされた放射ビームを、投影システムと基板との間の空間に供給された液体を通して基板上に投影する液浸リソグラフィ装置であって、
    前記液体が巡り流れる液体回路を備え、前記液体回路はすべての液流に共通のいくつかの部分を備え、いくつかの部分は別個の並行液体流路を備え、前記別個の並行液体流路の少なくともいくつかはそれぞれの経路内の液体が通過しなければならない液体処理ユニットを有し、異なる経路の前記液体処理ユニットはそれらを通過する液体であって、前記空間から除去された異なるレベルの汚染物質を有する液体を異なる仕方で処理する、
    液浸リソグラフィ装置。
11. 前記各液体処理ユニットが異なるソースからの液体を処理するように構成されるか、または、前記各液体処理ユニットが、
    それを通過する液体を脱気する脱気ユニット、
    それを通過する液体の温度を調節する温度制御ユニット、
    それを通過する液体の前記屈折率を制御する率制御ユニット、
    それを通過する液体から粒子を濾過する粒子フィルタユニット、
    を含むリストから選択された１つのユニットまたは選択されたユニットの組合せを備え、および／または、
    前記投影システムからの放射にさらされた液体、
    前記基板が支持されるべき基板テーブルを通過した液体、
    前記投影システムと前記基板との間の空間に前記液体を供給する液体供給システムを通過した液体、
    ガスナイフと相互作用した液体、
    前記投影システムからの放射にさらされなかった液体、または、前記基板の上面にさらされなかった液体、またはその両方の液体、
    から選択された１つまたは組合せのための別個の液体流路が存在する、
    請求項１０に記載の液浸リソグラフィ装置。
12. 前記液体の質を測定するセンサをさらに備える、
    請求項１０または請求項１１に記載の液浸リソグラフィ装置。
13. （ｉ）前記センサの出力結果が前記液体の所望の特性を達成するように前記液体回路のパラメータを調節するために使用されるか、または（ｉｉ）前記センサの出力結果が前記リソグラフィ装置のイメージングパラメータを調節するために使用されるか、または（ｉｉｉ）（ｉ）と（ｉｉ）の両方である、
    請求項１２に記載の液浸リソグラフィ装置。
14. 前記液体の前記質を制御するために前記センサの出力結果に基づいて、（ｉ）少なくとも１つの前記液体処理ユニット、（ｉｉ）１つまたは複数の前記液体処理ユニットに入る前に、または出た後で、液体を処理する順次液体処理ユニット、（ｉｉｉ）別個の液流を１つにまとめる流体リサイクルインテグレータ、あるいは（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）の任意の組合せを制御する液体コントローラをさらに備える、
    請求項１２または請求項１３に記載の液浸リソグラフィ装置。
15. 投影システムを使用して、パターンニングされた放射ビームを、前記投影システムと基板との間の空間に供給された液体を通して前記基板上に投影するステップと、
    前記空間に供給された液体を少なくとも２つの異なる経路からそれぞれ除去し、該除去された異なるレベルの汚染物質を有するそれぞれの液体が前記空間からどのように除去されたかに応じて、または、前記パターニングされた放射ビームが液体を通過したかどうかに応じて、または、その両方に応じて、いくつかのやり方のうちの１つで液体をそれぞれ処理するステップと、
    前記処理された液体の少なくとも一部分を前記空間に再供給するステップと、
    を含むデバイス製造方法。

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