KR20070115822A - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

본 발명은 상기 아티클 지지체 상에 리소그래피 장치의 방사선 빔의 빔 경로 내에 설치될 아티클을 지지하도록 구성된 아티클 지지 부재에 관한 것이며; 상기 아티클 지지 부재는 제 1 재료의 기초 플레이트; 및 상기 제 1 재료의 기초 플레이트에 접합된 제 2 재료의 복수의 버얼을 포함한다.
리소그래피, 아티클, 플레이트, 버얼

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method}
본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 상기 리소그래피 장치의 방사선의 빔 경로 내에 설치될 아티클을 지지하도록 구성된 아티클 지지 부재(article support member)를 포함하는 리소그래피 장치 및 얇은 박층 구조체(thin laminated structure)들을 제조하는 방법, 특히 리소그래피 장치용 아티클 지지 부재를 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
본 명세서에서 앞서 명시된 리소그래피 장치에서, 방사선 빔 내에 설치될 아티클은 예를 들어 클램핑 전극(clamping electrode), 진공 흡입기(vacuum suction) 등에 의해 아티클 지지 부재에 유지된다. 예를 들어, 기판이 진공 조건에서 처리되는 경우에는 정전기 클램핑이 사용될 수 있다. 이러한 처리 형태는, 예를 들어 극자외선(EUV)이라고도 언급되는 (소프트) x-레이 영역 내에서의, 포토리소그래피 공정들을 위해 사용되는 조사 타입인 경우에 일어난다.
현재 이러한 아티클 지지 부재들은, 전형적으로 여러 가지 강성 재료(rigid material)들, 예를 들어 세라믹 재료 또는 결정 재료(crystalline material)들과 같이, ULE, Zerodur, 코디에라이트(Cordierite) 또는 사파이어(Sapphire) 재료로서 당업계에 알려져 있는 재료 또는 다른 강성 재료들로 이루어진다. 이 재료들은 훌륭한 기계적 안정성 및 열 전도성을 위해 그 사이에서 선택되며, 열팽창 특성들을 감소시킨다.
전형적으로 이 재료들에 있어서, 다수의 기계적 특성 및 재료 특성이 중요하며, 전형적으로 하나의 재료가 더 나은 기계적 안정성을 갖는다면, 그것은 다른 재료에 비해 비교적 적은 열팽창 특성들을 가질 수 있다. 특히, 아래에 제 1 그룹의 재료들로도 나타나는 코디에라이트, Zerodur 및 ULE 재료들은, 열팽창 계수(Coefficient of Thermal Expansion: CTE)가 거의 0인 매우 훌륭한 열 특징들을 갖는다. 이는, 이 재료들의 (국부) 가열이 기판의 타겟부 상에 투영되는 이미지들의 오버레이 및/또는 저하된 포커스를 유도할 수 있는 상당한 왜곡들을 상승시키지 않기 때문에, 웨이퍼 테이블 재료들로서 사용하는데 알맞다. 하지만 이 재료들의 마모(wear) 특징들은, 아래에 제 2 그룹의 재료들로서 나타나지만 적은 열 특징들을 소유하는 SiSiC 또는 SiC와 같이 알려져 있는 다른 재료들에 비해, 이 아티클 지지체들의 경제적 수명(economic lifetime)이 상당히 제한적이다. 하지만, 제 1 재료 층을 제 2 재료 층과 조합하는 것은, 온도 변화에 좌우되는 바이메탈식 벤딩 효과(bimetal-like bending effect)들을 상승시키기 때문에, 수월하지 않다.
따라서, 이러한 특징들 중 최선을 하나로 조합하는 재료를 제공할 것이 요구된다.
이 적용예와 관련하여, 상기 "아티클"은 앞서 언급된 용어인 웨이퍼, 레티클, 마스크 또는 기판일 수 있으며, 더 명확하게는
- 리소그래피 투영 기술들을 채택하는 제조 디바이스 내에서 처리될 기판; 또는
- 리소그래피 투영 장치 내의 리소그래피 투영 마스크 또는 마스크 블랭크(mask blank)일 수 있고, 마스크는 마스크 검사 또는 클리닝 장치, 또는 마스크 제조 장치와 같은 장치, 또는 방사선 시스템의 광 경로 내에 클램핑되는 여하한의 다른 아티클 또는 광학 요소를 조종한다.
일 실시형태에서, 더 견실(robust)하고 제조 공정시 온도에 덜 민감한 아티클 지지 부재를 제공하는 것이 바람직하다. 또 다른 실시형태에서, 개선된 내마모성(wear resistance)을 갖는 아티클 지지 부재를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 청구항 1의 특징에 따른 리소그래피 장치가 제공된다. 구체적으로 본 발명에 따르면, 상기 아티클 지지체 상에 리소그래피 장치의 방사선 빔의 빔 경로 내에 설치될 아티클을 지지하도록 구성된 아티클 지지 부재가 제공되며; 상기 아티클 지지 부재는 제 1 재료의 기초 플레이트(base plate); 및 상기 제 1 재료의 기초 플레이트에 접합(bond)된 제 2 재료의 복수의 버얼을 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에서, 아티클 지지 부재를 제조하는 방법이 제공되며, 이는 평탄한 표면을 갖는 기초 플레이트를 제공하는 단계; 평탄한 최상면을 제공하도록 형성된 복수의 버얼을 갖는 플레이트를 포함한 버얼 플레이트를 제공하는 단계; 상기 버얼 플레이트의 평탄한 최상면을 상기 기초 플레이트에 접합하는 단계; 및 버얼 플레이트의 플레이트를 제거하여 기초 플레이트에 접합된 버얼 플레이트의 버얼을 남기는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 온도에 덜 민감하고 내마모성이 개선된 아티클 지지 부재 및 제조 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 EUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정의 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템(IL)은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한 다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 (및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA)) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있 다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다). 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음과 같은 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서 노광 필드의 최대 크기는, 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
리소그래피 시스템 내의 웨이퍼 테이블 또는 레티클 지지체들과 같은 아티클 지지체들을 설계하는 것은 매우 중요한 공정이다. 나머지 실시예들에서는 웨이퍼 테이블들로 언급될 것이지만, 이 실시예들은 "아티클 지지체" 또는 "아티클 지지 부재"라는 좀 더 일반적인 표현으로 칭해질 수도 있다는 것을 이해하여야 한다. 구체적으로, 본 발명과 관련하여 아티클 지지체들은 방사선의 빔 내에 웨이퍼, 마스크 또는 기준 레티클(fiducial reticle)과 같은 아티클을 설치하기 위한 여하한의 지지체를 형성할 수 있다.
종래적으로 웨이퍼 테이블에는, 기판의 평탄도를 개선하기 위해 배치되는 돌출부(protrusion)들이 제공된다. 본 명세서에서 참조 인용되는 유럽 특허 출원 EP0947884에 의해 종래의 웨이퍼 테이블(1)이 설명된다. 웨이퍼 테이블 상에서, 돌출부들은 기판의 평탄도를 개선하기 위해 배치된다. 이 돌출부들은 0.5 mm의 일반적인 직경을 가지며, 일반적으로 서로 3 mm의 간격으로 위치되어 기판을 지지하는 부재들을 지지하는 베드(bed)를 형성한다. 예시된 정전기 클램프에 대해, 전형적으로 돌출부들의 높이는 1 ㎛ 내지 15 ㎛의 범위로 놓인다. 다른 구성에서, 웨이퍼 테이블은 (진공 클램핑으로 알려진) 아티클의 후면 상에 진공 압력을 제공함으로써 클램핑을 제공할 수 있다. 이러한 형태의 아티클 지지 부재들에 대해, 이 돌출부들은 일반적으로 100 ㎛의 높이를 갖는다. 돌출부들 사이의 비교적 큰 공간들로 인해, 존재할지도 모르는 불순물(contamination)들은 돌출부들 사이에서 놓일 것이며, 기판을 국부적으로 들어올리지 않을 것이므로, 이는 일반적으로 기판의 평탄도에 대한 방해가 되지 않는다.
도 2는 본 발명에 따른 다층 구조체를 제조하는 작업들; 구체적으로 평탄한 최상면(2)을 갖는 기초 플레이트(1)를 제공하는 단계(도 a 참조); 평탄한 최상면(6)을 제공하도록 형성된 복수의 버얼(5)들을 갖는 플레이트(4)를 포함한 버얼 플레이트(3)를 제공하는 단계; 상기 버얼 플레이트(3)의 평탄한 최상면을 상기 기초 플레이트(1)에 접합하는 단계; 및 버얼 플레이트(3)의 플레이트(4)를 제거하여(도 b 및 c 참조), 기초 플레이트(1)에 접합된 버얼 플레이트(3)의 버얼(5)들을 남기고 아티클 지지 부재(7)를 제공하는 단계(도 c 및 d 참조)를 개략적으로 예시하고 있다. 특히, 이에 따라 구성된 아티클 지지 부재(7)는 상기 지지체(7) 상에 리소그래피 장치의 방사선 빔의 빔 경로 내에 설치될 아티클을 지지할 수 있으며, 제 1 재료의 기초 플레이트(1); 및 상기 제 1 재료의 기초 플레이트에 접합된 제 2 재료의 복수의 버얼(5)들을 포함한다.
설명에서는, 작업들이 연속적인 순서로 열거되지만, 몇몇 작업들은 병행하여 수행되거나 역순으로 수행될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
특히 접합하는 단계는, 응력(stress)들이 기초 플레이트(1)와 버얼 플레이트(3)를 합한 경우에 수용가능한 한도 내에서 유지되며, 기초 플레이트(1) 및/또는 버얼 플레이트(3)의 일측 또는 양측에 적용될 수 있는 접합층(8)에 의해 제공될 수 있는 방식으로 수행된다.
고온, 예를 들어 접합하는 단계가 수행되는 경우와 실질적으로 동일한 온도에서 플레이트(4)를 제거함으로써, 응력들은 낮게 유지될 수 있다. 아니면, 그 응력 지대들이 버얼 플레이트(3) 내에 형성될 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 예를 들어 접합 스폿들에 국부적인 열 에너지를 제공함으로써, 즉 국부 스폿 웰딩(local spot welding)에 의해, 접합 온도가 가능한 한 낮게 유지될 수 있다. 이는 버얼(5)들을 통해 전류를 제공함으로써 행해질 수 있다. 중요성이 고려될 수 있는 일 실시형태는, 아티클 지지체(7)가 습한 환경에서, 예를 들어 침지 리소그래피를 목적으로 사용되기 위해, 접합이 내식(corrosion resistant)인 경우이다. 이러한 접합들은, 예를 들어 유리 프릿팅(glass fritting)에 의해 얻어질 수 있으며, 이는 기초 플레이트(1)와 버얼 플레이트(3) 사이에 유리 파우더(glass powder)를 제공하고, 그것을 유리 파우더 용해 온도로 가열함으로써 행해질 수 있다.
도 2b는 플레이트를 빗금친 영역으로 나타냄으로써, 플레이트(4)가 버얼(5) 들로부터 제거될 것임을 예시한다. 이는 재료에 따라, 원하는 만큼 플레이트를 에칭, 방전 가공(electro discharge machining), 절삭, 샌딩(sanding) 또는 분쇄하는 여러가지 기술들에 의해 행해질 수 있다. 이러한 방식으로, 이에 따라 기초 플레이트(1)에 접합된 버얼(5)들이 그들의 기초 플레이트로부터 떨어지며, 평탄한 최상면(9)을 제공한다.
도 2c는 버얼(5)들 사이의 영역(10)에서 나머지 접합층이 제거되는 것을 나타낸다. 이는 대상물 지지체가 습한 환경에서 사용되고 금속 지대들이 최소로 보호되고 감소되어야 하는 경우에 유리할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태에서, 본 명세서에서 앞서 설명된 발명과 대비하여 간주된 바와 같이, 종래적으로 행해진 바와 같이 기초 플레이트에 제공된 버얼(5)들과 조합하여, 잠재적으로 스스로 기초 플레이트(1)의 내마모를 개선한다고 간주될 수 있다. 이러한 실시형태에서, 앞서 설명된 제 1 그룹의 재료들은 0.05*E-6K-1보다 작은 열팽창 계수를 갖는 재료들이고, 특히 이 재료들은 Zerodur, ULE 및/또는 코디에라이트를 포함하며; 또한 앞서 설명된 제 2 그룹의 재료들은 1.5 MPa m1/2 이상의 파괴 인성(fracture toughness)(KIC)을 갖는 재료들이고, 특히 이 재료들은 SiSiC 및/또는 SiC를 포함한다.
실제로, 거의 0 CTE를 갖는 재료들은 SiSiC의 2.9 파괴 인성에 비해, 더 적은 약 0.9 내지 1.3의 이상적인 파괴 인성(KIC)을 갖는다. 따라서, 2 % 이상의 부피 분율(vol fraction) 내의 LiNbO3 또는 ZrO2, 또는 파괴 인성을 1.5 MPa m1/2 값 이상으로 증가시킨 도핑 요소들로 도핑함으로써 코디에라이트의 파괴 인성을 증가시키도록 간주될 수 있다. 이전의 공개공보, 예를 들어 JP 출원 제 2000-375546호에서 코디에라이트 재료 특성들을 개선하는 것이 설명되어 있다.
코디에라이트는 2MgO·2Al2O3·5SiO2의 일반적인 공식에 의해 표현될 수 있다. 그 후, 파괴 인성이 2.0 MPa m1/2 이상의 범위인 값으로 증가될 수 있으며, 이로 인해 재료는 앞서 나타낸 제 2 그룹의 재료들과 거의 동일한 예상 수명을 갖는다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel disPSay), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴 에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같 은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면, 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면; 및
도 2는 본 발명에 따른 아티클 지지 부재를 제조하는 단계들을 개략적으로 나타내는 도면이다.

Claims (3)

  1. LiNbO3 및/또는 ZrO2로 코디에라이트를 도핑하는 것을 포함하여 이루어지는 코디에라이트의 파괴 인성을 증가시키는 방법.
  2. 1.5 MPa m1/2 이상의 파괴 인성을 가지며, LiNbO3 및/또는 ZrO2의 부분을 포함하여 이루어지는 코디에라이트의 내마모성 부분.
  3. LiNbO3 및/또는 ZrO2의 부피 분율은 2% 이상인 것을 특징으로 하는 코디에라이트의 내마모성 부분.
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