CN101030041A - 光刻装置和器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及光刻装置及器件制造方法，更具体说本发明提供物品支撑构件，制造物品支撑构件的方法以及增加Corderiete的断裂韧度的方法，所述物品支承构件构造为支撑一物品使之在所述物品支架上位于光刻装置的辐射束的路径中所述物品支撑构件包括：一块第一材料的基板；和多个结合至所述第一材料的所述基板上的第二材料的节粒。

Description

光刻装置和器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种光刻装置和器件制造方法。特别是涉及一种包括物品支撑构件的光刻装置，其物品支撑构件构造为支撑一物品使之位于所述光刻装置的辐射路径中，以及涉及一种用于制造薄的层状结构的方法，特别是一种用于制造光刻装置的物品支撑构件的方法。
背景技术
光刻装置是将期望的图案应用于基底上，通常是应用于该基底的靶部上的装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，构图部件，也称作掩模或中间掩模版，可产生要形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被转印到基底(例如硅晶片)的靶部(例如包括部分、一个或者多个管芯)上。这种图案的转印典型地通过在提供到基底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上成像。通常，单个基底能包含依次被图案化的相邻靶部的整个网络。公知的光刻装置包括所谓的步进器，其通过将全部图案一次曝光在靶部上而辐射每一靶部，和所谓的扫描装置，其通过在辐射束下沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案、同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。也能通过在基底上压印图案而将构图部件的图案转印至基底上。
在如上所述的光刻装置中，位于辐射束中的物品例如通过夹紧电极、真空吸引或其它方式保持在物品支撑构件上。静电夹具可以在例如当基底在真空条件下被处理时使用。这种类型的处理发生在例如用于光刻工艺的辐射类型处于(软)x-射线区域，也称作远紫外(EUV)区域中时。
目前这类物品支撑构件典型地由各种刚性材料制成，例如现有技术中公知的材料，如ULE(一种超低膨胀玻璃品牌)，Zerodur(一种微晶玻璃品牌)，堇青石(cordierite)或蓝宝石(Sapphire)材料，或其它刚性材料，如陶瓷材料或晶体材料。为了具有良好的机械稳定性和热传导性以及减少的热膨胀性而从中选择这些材料。
典型地，对于这些材料，许多机械和材料特性被认为是重要的，并且典型地，与另一种材料相比较而言具有较好机械稳定性的材料可能具有相对不好的热膨胀性。特别是，堇青石、Zerodur和ULE材料，下文也称为第一组材料，具有非常好的热特性，即它们具有几乎为零的CTE(热膨胀系数)。这使得这些材料适合于用作晶片台材料，因为这些材料的(局部)受热不会产生能导致投射到基底靶部的图像的聚焦和/或重叠劣化的严重变形。然而，这些材料的磨耗特性使得其物品支架的有效使用寿命与诸如SiSiC或SiC这类公知的下文中称为第二组材料的具有不好的热特性的材料相比较而言，严重受限制。但是，不能简单的将第一材料层和第二材料层结合，因为当温度变化时其将导致类似双金属的挠曲效应。
因此，希望提供一种将这些特性最好地合为一体的材料。
在本申请的上下文中，所述“物品”可以是任何上述的术语晶片、中间掩模版、掩模或基底，更准确地说是例如
-在采用光刻投影技术制造器件时被处理的基底；或
-光刻投影装置中的光刻投影掩模或空白掩模，诸如掩模检测或清洁装置这类掩模处理装置，或掩模制造装置或任何其它的被夹在辐射系统的路径中的物品或光学元件。
发明内容
一方面，希望提供一种更加耐用且在其制造工艺期间对温度较不敏感的物品支撑构件。另一方面，希望提供一种具有改进的耐磨性的物品支撑构件。
根据本发明的一个方面，提供一种根据权利要求1的特征所述的光刻装置。特别是，根据本发明提供一种物品支撑构件，该物品支撑构件构造为支撑一物品使之位于所述物品支架上的光刻装置的辐射束的路径中；所述物品支撑构件包括一个第一材料的基板；和结合至所述第一材料的所述基板的多个第二材料节粒。
本发明的另一方面提供一种制造物品支撑构件的方法，包括：提供一具有平面的基板；提供一包括具有形成以提供平顶表面的多个节粒的板的结粒板；将所述结粒板的所述平顶表面结合至所述基板上；并剥离该结粒板的板从而留下结粒板的节粒结合至基板上。
附图说明
本发明的实施方式将通过参照示意性附图的实施例来描述，附图中相同的附图标记表示相同的部分，其中：
图1表示根据本发明一个实施方式的光刻装置；和
图2表示根据本发明的制造物品支撑构件的示意性步骤。
具体实施方式
图1示意性表示了根据本发明的一个实施方式的光刻装置。该装置包括：
构造为调节辐射束B(例如UV辐射或EUV辐射)的照射系统(照射器)IL；
支撑结构(例如掩模台)MT，构造为支撑构图部件(例如掩模)MA，并与构造为根据特定参数精确定位该构图部件的第一定位装置PM连接；
基底台(例如晶片台)WT，构造为支撑基底(例如涂覆抗蚀剂的晶片)W，并与构造为根据特定参数精确定位该基底的第二定位装置PW连接；和
投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，构造为将由构图部件MA赋予辐射束B的图案投射在基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。
为了导引、成形或控制辐射，照射系统可以包括各种类型的光学元件，例如折射、反射、磁性、电磁、静电或其它类型的光学元件，或它们的任何组合。
支撑结构支撑构图部件，即承受该构图部件的重量。其用取决于构图部件的定位、光刻装置的设计、以及诸如是否是在真空环境中支撑构图部件这类其它条件的方式支撑构图部件。支撑结构能用机械、真空、静电或其它夹紧技术来支撑构图部件。支撑结构可以是例如能根据需要固定或移动的框架或工作台。支撑结构可以确保构图部件处于例如对于投影系统的理想位置。这里任何术语“分划板”或者“掩模”的使用可以认为与更通用的术语“构图部件”同义。
这里使用的术语“构图部件”应广义地理解为能用于给辐射束的截面赋予图案从而在基底的靶部形成图案的任何部件。应注意的是，赋予辐射束的图案可以不和期望的基底靶部的图案完全一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常，赋予辐射束的图案与在靶部中形成的部件的特殊功能层相对应，例如集成电路。
构图部件可以是透射型或者反射型的。构图部件的例子包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻领域是公知的，掩模类型包括如二元型、交替相移型和衰减相移型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个例子是采用小型反射镜的矩阵设置，每个反射镜可以单独倾斜从而能够反射不同方向入射的辐射束。这种倾斜的反射镜将图案赋予由镜面矩阵所反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应广义地理解为包括各种类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性、电磁和静电光学系统，或其组合，只要其适合于所用的曝光辐射，或适合于诸如浸液的使用或者真空的使用这类其它因素。这里术语“投影透镜”的任何使用应理解为与更通用的术语“投影系统”同义。
如这里所述，该装置属于反射型(例如采用反射掩模)。或者，该装置还可以是透射型(例如采用透射掩模)。
光刻装置可以为具有两个(双工作台)或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)的类型。在这种“多工作台式”机构中，可以并行使用辅助台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而用一个或者多个其它台进行曝光。
光刻装置也可以是这种类型，其中至少部分基底由具有相对高的折射率的液体如水所覆盖，以填充投影系统和基底之间的空间。浸没也能应用于光刻装置的其它空间内，例如在掩模和投影系统之间。浸没技术在现有技术中公知的是用于增加投影系统的数值孔径。这里所用的术语“浸没”不是指诸如基底这类结构必须浸入液体中，而仅是指在曝光期间，液体位于投影系统和基底之间。
参照图1，照射器IL从辐射源SO接受辐射束。例如当光源为受激准分子激光器时，该光源与光刻装置可以是单独的构件。在这种情况下，不认为光源构成了光刻装置的一部分，且借助于包括例如适合的定向反射镜和/或光束扩展器的光束传送系统BD，辐射束从光源SO到达照射器IL。在其它情况下，例如当光源为汞灯时，该光源可以是光刻装置整体的一部分。光源SO和照射器IL，以及如果需要的话加上光束传送系统BD一起，称作辐射系统。
照射器IL可以包括用于调整辐射束角强度分布的调整装置AD。通常能够调整照射器的光瞳平面内的强度分布的至少外径和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照射器IL可以包括各种其它的元件，例如积分器IN和聚光器CO。这种照射器用于调节辐射束，使之在其横截面上具有期望的均匀性和强度分布。
辐射束B入射到由支撑结构(例如掩模台MT)支撑的构图部件(例如掩模MA)上，并由构图部件图案化。穿过掩模MA后，辐射束B再经过投影系统PS，由其将该光束聚焦于基底W的靶部C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉仪装置、线性编码器或电容传感器)，能够很精确地移动基底台WT，例如在辐射束B的路径中定位不同的靶部C。类似地，例如在从掩模库中机械地取出掩模后或在扫描期间，能使用第一定位装置PM和其它位置传感器IF1将掩模MA相对于辐射束B的路径进行精确定位。通常，借助于构成第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现掩模台MT的移动。类似地，使用构成第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块，可以实现基底台WT的移动。在使用步进器时(与扫描器相对)，掩模台MT可以仅与短行程致动装置连接，或者固定。使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2，以对准掩模MA和基底W。尽管所述基板对准标记占用了指定的靶部，但是它们也可以定位在靶部的间隔中(通称为划道对准标记)。类似地，在掩模MA上有一个以上管芯的情况下，掩模对准标记可以位于这些管芯之间。
所述的装置可以按以下的至少一种模式来使用：
1.在步进模式中，掩模台MT和基底台WT基本保持不动，将赋予给辐射束的整个图案一次性投射到靶部C上(即单一静态曝光)。然后将基底台WT沿X和/或Y方向移动，以使不同的靶部C曝光。在步进模式中，曝光区域的最大尺寸限制了在单一静态曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在扫描模式中，同步扫描掩模台MT和基底台WT，同时，将赋予给辐射束的图案投影到靶部C上(即单一动态曝光)。基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向由投影系统PS的放大(缩小)特性和图像反转特性所决定。在扫描模式中，曝光区域的最大尺寸限制了单一动态曝光中的靶部的宽度(在非扫描方向上)，而扫描动作的长度决定了靶部的高度(在扫描方向上)。
3.在其他模式中，支撑可编程构图部件的掩模台MT基本保持不动，而移动或者扫描基底台WT，同时将赋予给辐射束的图案投影到靶部C上。在这种模式下，通常采用脉冲辐射源，并且在每次将基底台WT移动之后或者在扫描期间相继的辐射脉冲之间，将可编程构图部件按要求更新。这种操作模式能容易地应用于利用可编程构图部件的无掩模光刻中，例如上面所述的可编程反射镜阵列中。
也可以将上述模式组合和/或变化使用，或者使用完全不同的模式。
在光刻系统中设计物品支架如晶片支架或中间掩模版支架，是非常关键的工序。在接下来的实施方式中称作晶片台，但是应当明白在这些实施方式中也能称为更通用的表达“物品支架”或“物品支撑构件”。特别是，在本发明的上下文中，物品支架能形成任何用于将物品如晶片、掩模或基准中间掩模版定位在辐射束中的支架。
常规地，晶片台具有设置为改进基底A的平面度的凸出部分。这里作为参考引入欧洲专利申请EP0947884来描述常规的晶片台。在晶片台上设置凸出部分以改进基底的平面度。这些凸出部分具有一般为0.5mm的直径，且通常定位在彼此距离3mm处，由此形成支撑基底的支撑构件底座。对于所述静电夹具，典型地，凸出部分的高度为1μm-15μm。在其它设置中，晶片台可以通过在物品背面提供真空压力来提供夹紧(公知的真空夹紧)。对于这类物品支撑构件，这些凸出部分通常具有100μm的高度。由于在凸出部分之间的相对大的间隔，可能出现的污染一般不会形成对基底平面度的干扰，因为它们会位于凸出部分之间而不会局部地升高基底。
图2示意性说明了根据本发明的制造多层结构的过程；特别地提供(见图1)一具有平顶表面2的基板1；提供一包括具有多个形成以提供平顶表面6的节粒5的板4的结粒板3；将所述结粒板3的所述平顶表面结合至所述基板1；并剥离结粒板3的板4(见图B和C)，由此留下结粒板3的节粒5结合至基板1上(见图C和D)并提供一物品支撑构件7。特别是，由此构造的物品支撑构件7能支撑一物品使之在所述物品支架7上位于光刻装置的辐射路径中，且包括一第一材料的基板1；以及结合至所述第一材料的基板上的多个第二材料节粒5。
虽然在本说明书中，这些过程是依序编号了的，但是应当明白其中的某些过程可以并行执行或以相反的顺序进行。
特别是，粘合能以在连接基板1和结粒板3时在可接受的限度内保持压力的方式进行，并能通过能施加在基板1和/或结粒板3的一面或两面上的粘合层8来提供。
通过在高温，例如与进行粘合时基本相同的温度下剥离板4，可以保持低的压力。另外，加压区域可以形成在结粒板3上。另一方面，粘合温度能保持尽可能低，例如，通过向粘合点提供局部热能，即局部点焊。这可以通过经过节粒5的电流来进行。需要考虑其重要性的一方面在于，当物品支架7例如出于浸渍光刻的目的而在潮湿环境中使用时，这种粘合是要抗腐蚀的。这类粘合可以例如通过玻璃烧结来获得，这能通过在基板1和结粒板3之间提供玻璃粉并将其加热至玻璃粉的熔融温度来执行。
图2B通过将板显示为灰色区域来表明板4将从节粒5上剥离。这能够通过取决于材料的各种技术，如放电加工、切割、砂纸打磨或研磨或蚀刻基板至理想程度来进行。这样，由此结合至基板1的节粒5就与它们的基板分离并提供了一平顶表面9。
图2C显示剩余的粘合层从节粒5之间的区域10剥离。这在潮湿环境下使用物体支架并且金属区域应当被遮蔽并减至最小时是有利的。
在本发明的另一方面，与之前所述发明的常规做法相反，认为要改进基板1本身的耐磨性，可能地，结合改进提供在基底上的节粒5的耐磨性。在这方面，前述第一组材料是具有小于0.05*E-6K-1的热膨胀系数的材料，特别是这些材料包括Zerodur、ULE和/或堇青石；且前述第二组材料是具有大于1.5MPam1/2的断裂韧度(KIC)的材料，特别是这些材料包括SiSiC和/或SiC。
在这方面，与SiSiC的2.9的断裂韧度相比较，具有几乎为零CTE的材料具有更小的约0.9-1.3的理想断裂韧度(KIC)。因此，认为要通过用LiNbO3或ZrO2以至少2％的体积分数对堇青石进行掺杂来增加其断裂韧度，或通常用掺杂元素将断裂韧度增加至至少1.5MPa m1/2的值。改进Corderiete材料的特性已经在以前的出版物如JP申请No.2000-375546中公开过。
堇青石能用通式2MgO.2Al2O3.5SiO2表示。断裂韧度能增加至2.0MPa m1/2以上的值，这赋予材料大致与上述第二组材料相同的预期的使用寿命。
尽管在本文中以IC制造中的光刻装置的使用为具体示例，但是应该理解这里描述的光刻装置可以具有其它应用，例如可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器，液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，这里的任何术语“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别与更通用的术语“基底”或“靶部”同义。这里所述的基底可以在曝光之前或之后进行处理，用例如涂布显影机(一种典型地将抗蚀剂层应用于基底上并显影曝光后的抗蚀剂的工具)或计量或检验工具。这里所公开的内容可以适用于这样或其它的适合的基底处理工具。此外，基底可以处理不止一次，例如为了形成多层IC，因此这里所用的术语基底也涉及已经含有多个处理层的基底。
尽管以在光刻中的本发明的实施方式的使用为具体示例，但是应当明白本发明可以用于本文允许的不限于光刻的其它应用，例如压印。在压印光刻中，构图部件中的形貌确定基板上形成的图案。构图部件的形貌可以印到施加在基底上的抗蚀剂层中，在该基底上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合而使抗蚀剂固化。抗蚀剂固化之后，构图部件从抗蚀剂上移开并在其中留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm波长)，以及粒子束，如离子束或电子束。
本文中允许的术语“透镜”，可以涉及各种类型的光学元件中的任何一种或其组合，包括折射型、反射型、磁性、电磁和静电光学元件。
尽管上面已经描述了本发明的具体实施方式，但是应当明白除了上述描述之外的其它方式也可以实现本发明。例如，本发明可以为包括一个或多个连续的描述上述方法的机器可读指令的计算机程序的形式，或为具有这类计算机程序存储在其中的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。
以上说明部分是要进行解释而非限制。因此，本领域技术人员应当明白在不背离下述权利要求的范围的情况下本发明可以进行改进。

Claims (14)

1、一种物品支撑构件，构造为支撑一物品使之在所述物品支撑构件上位于光刻装置的辐射束的路径中，所述物品支撑构件包括：
第一材料的基板；和
多个结合至所述第一材料的所述基板上的第二材料的节粒。
2、如权利要求1所述的物品支撑构件，其特征在于所述第一材料是非膨胀性材料；所述第二材料是耐磨性材料。
3、如权利要求1所述的物品支撑构件，其特征在于，所述第一材料是具有小于0.05*E-6K-1的热膨胀系数的第一组材料中的一种；所述第二材料是具有大于1.5MPa m1/2的断裂韧度(KIC)的第二组材料中的一种。
4、如权利要求3所述的物品支撑构件，其特征在于所述第一组包括Zerodur，ULE和堇青石；所述第二组包括SiSiC和SiC。
5、如权利要求1所述的物品支撑构件，其特征在于所述节粒通过结合层结合至所述基板。
6、如权利要求5所述的物品支撑构件，其特征在于所述结合层是抗腐蚀的。
7、如权利要求5所述的物品支撑构件，其特征在于所述结合层是用于点焊/阳极结合所述节粒的金属层。
8、一种制造物品支撑构件的方法，包括：
提供具有平面的基板；
提供包括具有形成以提供平顶表面的多个节粒的板的结粒板；
将所述结粒板的所述平顶表面结合至所述基板；
并剥离结粒板的板从而留下结粒板的节粒结合至基板上。
9、如权利要求8所述的方法，其特征在于所述结合通过玻璃烧结来提供。
10、如权利要求8所述的方法，其特征在于所述结合通过使用覆盖在所述基板上作为结合层的金属来点焊结粒板来提供。
11、如权利要求9所述的方法，其特征在于所述金属层在点焊了节粒之后被除去。
12、一种增加Corderiete的断裂韧度的方法，包括用LiNbO3和/或ZrO2掺杂堇青石。
13、一种具有至少1.5mPa m1/2的断裂韧度并包括部分LiNbO3和/或ZrO2的堇青石耐磨件。
14、如权利要求13所述的耐磨件，其特征在于LiNbO3和/或ZrO2的体积百分数至少为2％。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8736810B2 (en) 2008-08-21 2014-05-27 Asml Holding N.V. EUV reticle substrates with high thermal conductivity
CN104272190A (zh) * 2012-02-03 2015-01-07 Asml荷兰有限公司 衬底保持器和光刻装置
CN110824854A (zh) * 2018-08-14 2020-02-21 台湾积体电路制造股份有限公司 光微影方法、晶圆处理方法及工件固持装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7678458B2 (en) * 2007-01-24 2010-03-16 Asml Holding N.V. Bonding silicon silicon carbide to glass ceramics
US7940511B2 (en) * 2007-09-21 2011-05-10 Asml Netherlands B.V. Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp
US9348236B2 (en) 2010-12-08 2016-05-24 Asml Holding N.V. Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp
US9658542B2 (en) * 2013-10-14 2017-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical element
EP3963402A1 (en) * 2019-04-30 2022-03-09 ASML Netherlands B.V. Method for providing a wear-resistant material on a body, and composite body
TWI738304B (zh) * 2020-04-23 2021-09-01 台灣積體電路製造股份有限公司 半導體晶圓加工方法及清潔刷頭
JP2024521551A (ja) * 2021-05-19 2024-06-03 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． モジュール式ウェーハテーブル及びその製造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2751951A (en) * 1953-12-31 1956-06-26 Strathaus John Roast board
US4403017A (en) * 1981-11-30 1983-09-06 The Perkin-Elmer Corporation Low thermal expansion modified cordierites
US4468018A (en) * 1982-07-28 1984-08-28 Glanfield Lawrence (Concessions) Ltd. Device for holding logs for sawing
US4989846A (en) * 1990-05-08 1991-02-05 Lucinda Quinn Covered dish carrier
JPH0521584A (ja) * 1991-07-16 1993-01-29 Nikon Corp 保持装置
US5326086A (en) * 1993-06-14 1994-07-05 Frank Radencic Cutting rack
JPH08118175A (ja) * 1994-10-21 1996-05-14 Imao Corp:Kk 取付用ベース部材及びそのベース部材に取り付けられる取付具
US5755029A (en) * 1994-11-14 1998-05-26 Learned; Kerry D. Double overhead camshaft alignment method
JP2001237303A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Sumitomo Metal Ind Ltd ウェハ用真空チャックおよびその製造方法
US6426790B1 (en) * 2000-02-28 2002-07-30 Nikon Corporation Stage apparatus and holder, and scanning exposure apparatus and exposure apparatus
JP2001332609A (ja) * 2000-03-13 2001-11-30 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
EP1136887A3 (en) * 2000-03-16 2003-06-18 ASML Netherlands B.V. Substrate holder for lithographic apparatus
JP4460804B2 (ja) * 2000-09-20 2010-05-12 株式会社フェローテックセラミックス 低熱膨張セラミックスおよび露光装置用部材
JP2002167268A (ja) * 2000-11-29 2002-06-11 Kyocera Corp コージェライト質焼結体とその製造方法
US6711796B2 (en) * 2001-10-11 2004-03-30 Anderson Industrial Corp. Circuit board stripper
US20030125184A1 (en) * 2001-12-21 2003-07-03 Schott Glas Glass ceramic product with variably adjustable zero crossing of the CTE-T curve
JP2004079861A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Taiheiyo Cement Corp 静電チャック
AU2003264407A1 (en) * 2002-09-18 2004-04-08 Mitsui Mining And Smelting Co., Ltd. Electronic component burning jig
KR100488049B1 (ko) * 2003-01-16 2005-05-06 엘지전자 주식회사 나노 임프린트 제조 방법
KR100609167B1 (ko) * 2003-10-21 2006-08-02 엘지전자 주식회사 선격자 편광판 제조 방법
JP2006054289A (ja) * 2004-08-11 2006-02-23 Nikon Corp 基板保持装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
TWM321831U (en) * 2007-01-17 2007-11-11 Yung-Tsai Shen Vacuum absorbing device for a workbench

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8736810B2 (en) 2008-08-21 2014-05-27 Asml Holding N.V. EUV reticle substrates with high thermal conductivity
CN102132209B (zh) * 2008-08-21 2014-07-16 Asml控股股份有限公司 具有高热传导率的euv掩模版基底
US10875096B2 (en) 2012-02-03 2020-12-29 Asml Netherlands B.V. Substrate holder and method of manufacturing a substrate holder
CN109254501A (zh) * 2012-02-03 2019-01-22 Asml荷兰有限公司 衬底支架、光刻装置、器件制造方法和制造衬底保持器的方法
CN109298602A (zh) * 2012-02-03 2019-02-01 Asml荷兰有限公司 衬底保持器和光刻装置
CN104272190A (zh) * 2012-02-03 2015-01-07 Asml荷兰有限公司 衬底保持器和光刻装置
US10898955B2 (en) 2012-02-03 2021-01-26 Asme Netherlands B.V. Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder
US11235388B2 (en) 2012-02-03 2022-02-01 Asml Netherlands B.V. Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder
US11376663B2 (en) 2012-02-03 2022-07-05 Asml Netherlands B.V. Substrate holder and method of manufacturing a substrate holder
US11628498B2 (en) 2012-02-03 2023-04-18 Asml Netherlands B.V. Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder
US11754929B2 (en) 2012-02-03 2023-09-12 Asml Netherlands B.V. Substrate holder and method of manufacturing a substrate holder
US11960213B2 (en) 2012-02-03 2024-04-16 Asml Netherlands B.V. Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder
CN110824854A (zh) * 2018-08-14 2020-02-21 台湾积体电路制造股份有限公司 光微影方法、晶圆处理方法及工件固持装置
US11187997B2 (en) 2018-08-14 2021-11-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photolithography apparatus and method for handling wafer
CN110824854B (zh) * 2018-08-14 2021-12-24 台湾积体电路制造股份有限公司 光微影方法、晶圆处理方法及工件固持装置

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Publication number Publication date
JP2007158309A (ja) 2007-06-21
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