CN1667515A - 光刻装置、洛伦兹致动器、及器件制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了包括高度有效的洛伦兹致动器的光刻装置。该洛伦兹致动器包括：排列成Halbach结构的主磁铁系统和辅助磁铁系统；导电元件，通过该导电元件流过的电流和分别由主磁铁系统和辅助磁铁系统产生的第一磁场及第二磁场的合成磁场的相互作用而产生力。该致动器进一步包括基本上在第一和第二磁铁系统部件外侧之间延伸的磁性元件。该磁性元件引导第一和第二磁铁系统部件之间的部分第二、辅助场。
Description
技术领域
本发明涉及一种光刻装置、洛伦兹致动器及相关器件制作方法。
背景技术
光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制作。在这种情况下，可以使用构图器件来产生与IC单个层相应的预期电路图形，该图形可以被成像到涂敷了辐射敏感材料(光刻胶)层的衬底上的(硅晶片)目标区域(例如包括一个或多个芯片)。
通常，单个衬底包括连续曝光的相邻目标区域的网络。已知的光刻装置包括所谓的分步曝光机(stepper)，其中将整个图形曝光到目标区域一次以辐射各个目标区域，以及所谓的扫描器(scanner)，其中通过投影束沿特定方向(“扫描”方向)扫描图形，同时平行或反平行于这个方向同步扫描衬底，从而辐射各个目标区域。
上述类型的光刻装置使用多个致动器来定位装置的部件。这些致动器被应用于定位衬底平台、辐照系统的部件、照明系统的部件、或光刻装置的任何其它部件。
发明内容
EP-1 286 222及美国专利公开号2003/0052548描述了在光刻装置中使用致动器的例子，其内容在此引用作为参考。这些说明书描述了一种洛伦兹致动器，该致动器包括提供第一磁场的主磁铁系统、提供第二磁场的辅助磁铁系统、以及导电元件。主磁铁系统和辅助磁铁系统排列成Halbach结构。辅助磁铁系统磁铁的磁化方向垂直于主磁铁系统磁铁的磁化方向。
这里所具体实施和广泛描述的本发明的原理，提供了一种改进的洛伦兹致动器。在一个实施方案中，光刻装置使用了这种致动器，该光刻装置包括：提供辐射束的照明系统，支撑构图器件的支持结构，使得辐射束截面具有图形的构图器件，支撑衬底的衬底支架，把图形束投影到衬底目标区域的投影系统，以及在该装置的第一和第二部件之间产生力的洛伦兹致动器。
洛伦兹致动器包括：主磁铁系统，该主磁铁系统被附着到装置的所述第一部件以提供第一磁场；辅助磁铁系统，该辅助磁铁系统被附着到装置的所述第一部件以提供第二磁场，主磁铁系统和辅助磁铁系统排列成Halbach结构；以及附着到装置的所述第二部件的导电元件。排列该导电元件。通过该导电元件流过的电流和第一磁场及第二磁场的合成磁场相互作用而产生力，导电元件的至少一部分位于分别包括主磁铁系统和辅助磁铁系统一部分的第一和第二磁铁系统部件之间，其中洛伦兹致动器进一步包括基本上在第一和第二磁铁系统部件外侧之间延伸的磁性元件，该磁性元件把第二磁场的一部分从第一和第二磁铁系统部件之一引导到第一和第二磁铁系统部件中的另一个部件。
可以在美国专利公开号2003/0052548及EP 1286222中找到关于Halbach结构的描述。该磁性元件包括透磁材料或包括永久磁铁的材料。位于第一和第二磁铁系统部件一侧的磁性元件在这些部件之间延伸，以引导第一和第二磁铁系统部件之间的第二磁场(即由辅助磁铁系统产生的磁场)的一部分。定位该磁性元件，使其工作时把第二磁场的一部分从第一和第二磁铁系统部件之一引导至第一和第二磁铁系统部件的另一个部件。该磁性元件有效地使第二磁场的一部分短路。增加磁性元件的结果是，由于辅助磁铁系统得到更好的使用，从而提高了致动器的效率。由于该磁性元件，在导电元件处的场增强时，效率提高。
致动器效率的增加可以用致动器陡度(steepness)的增加来表述(可表述为Fx 2/Pdiss，其中Fx为致动器产生的力，而Pdiss为致动器的耗散)。由于陡度增大，可以把致动器设计的更小，使磁铁系统更小并因此减小致动器质量。否则，也可以在保持致动器尺寸的同时提高致动器所产生的力，从而增大致动器的加速度而不增加耗散。
应当理解的是，通过增加磁性元件例如包括铁磁材料可以增加致动器的磁阻力。然而，在本发明的优选实施方案中，导电元件和磁性元件之间的间距足够大，使得洛伦兹致动器的磁阻力小于洛伦兹致动器最大洛伦兹力的1％。因此，磁阻力这么小，使得这些非线性力的影响甚小，其中第一和第二部件相互显示时，这些非线性力会发生变化。作为另一个正面效应，已经观察到，该磁性元件使致动器的杂散场减少。另一个优点则为，特别是当在第一和第二磁铁系统部件之间创建一个机械连接时，由于磁性元件的存在，增大了致动器的结构刚度。尽管本说明书中称为第一和第二磁场，但本领域技术人员应当理解的是，这些磁场会一起形成一个总的有效磁场。
在一个有利的，有效的，且易于实施的实施方案中，磁性元件包括诸如铁的高度透磁材料，即相对磁导率大于1的材料。磁性元件优选地在辅助磁铁系统所包括的相互对立的辅助磁铁之间延伸，该相互对立的辅助磁铁的极性基本上是反平行的。因此，以有效的方式在相互对立辅助磁铁的磁场之间提供短路。
有利地，磁性元件在相互对立的辅助磁铁两侧之间延伸，该辅助磁铁面向主磁铁系统的相邻主磁铁，因此提供了相互对立辅助磁铁和磁性元件之间磁场的有效耦合。
此外，在另一个有利的实施方案中，磁性元件包括永久磁铁(硬磁材料)，该永久磁铁的极性方向为从第一和第二磁铁系统部件之一指向第一和第二磁铁系统部件的另一个部件。其中的一个优点为，可以增加更大的(产生第二磁场的)磁性体积，这进一步通过提高导电元件处的场提高了致动器的效率。有利地，磁性元件在包括高度透磁材料(例如铁)的各部件之间延伸，该高度透磁材料与第一和第二磁铁系统部件的主磁铁相邻。
本发明进一步包括在第一和第二可移动部件之间产生力的洛伦兹致动器，该洛伦兹致动器包括：主磁铁系统，该主磁铁系统被附着到所述第一部分以提供第一磁场；辅助磁铁系统，该辅助磁铁系统被附着到所述第一部分以提供第二磁场。主磁铁系统和辅助磁铁系统排列成Halbach结构，导电元件附着到所述第二部分，并且排列该导电元件，以便通过该导电元件所流过的电流和第一磁场及第二磁场的合成磁场相互作用而产生所述力，导电元件的至少一部分位于第一和第二磁铁系统部件之间。
这些部件分别包括主磁铁系统和辅助磁铁系统的一部分，其中洛伦兹致动器进一步包括基本上在第一和第二磁铁系统部件外侧之间延伸的磁性元件，该磁性元件用于把第二磁场的一部分从第一和第二磁铁系统部件之一引导到第一和第二磁铁系统部件的另一个部件。
另外，本发明包括一种器件制作方法，该方法包括：提供一个衬底；使用照明系统提供一个辐射束；使用构图工具使投影束在其截面部分具有图形；把辐射图形束投影到所述衬底的目标区域，以及通过提供排列成Halbach结构的第一磁场和第二磁场以产生力使射束和衬底相对位移。
该方法进一步包括通过附着到装置的所述第二部分的导电元件引导电流，从而通过该导电元件所流过的电流和第一磁场及第二磁场的合成磁场相互作用而产生所述力，把第二磁场的一部分从第一和第二磁铁系统部件之一引导到第一和第二磁铁系统部件的另一个部件。
采用根据本发明的洛伦兹致动器以及根据本发明的器件制作方法，可以获得采用根据本发明的光刻装置而得到的相同或类似的效果和优点。
尽管在本说明书中具体地参考在IC制作中使用的光刻装置，但应该了解到，这里描述的光刻装置可以具有其它应用，例如集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和探测图形、液晶显示(LCD)、薄膜磁头等的制作。本领域技术人员应当理解的是，在这些备选应用的情况中，使用术语“晶片”或“芯片”可以分别看作与更普通的术语“衬底”或“目标区域”同义。
这里所指的衬底在曝光之前或曝光之后可以在例如涂胶显影(通常把光刻胶层应用到衬底上并对曝光后光刻胶进行显影的一种工具)或一个测量或检查工具内进行处理。在本发明可应用的场合中，本说明书内容可应用于这些以及其它衬底处理工具。此外，可以不止一次地处理衬底，例如，为了创建一个多层IC，这里使用的衬底也可指包括多个已处理过的层的衬底。
这里使用的术语“辐射”及“射束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，波长为365、248、193、157、或126nm)与超紫外(EUV)辐射(例如，波长范围为5至20nm)，以及例如离子束或电子束的粒子束。
这里使用的术语“构图器件”应广泛地理解成是指，使得投影束截面具有一个图形以在衬底目标区域创建图形的工具。应该注意的是，作用到投影束的图形可能不会与衬底目标区域的预期图形精确对应。通常，作用到投影束的图形对应于诸如集成电路的器件内、在目标区域创建的特定功能层。
构图器件可以是透射的或是反射的。构图器件的例子包括掩模、可编程反射镜阵列、及可编程LCD面板。在光刻中掩模是众所周知的，它包括诸如二进制交变相移、衰减相移、以及各种混合掩模类型。一个可编程反射镜阵列的例子采用小型反射镜的矩阵排列，可分别倾斜各个反射镜，从而把入射辐射束反射到不同方向；按照这种方式，可以对反射束定形。在构图器件的各个例子中，支持结构可以是例如可根据要求固定或移动的框架或平台，该框架和平台可以保证构图器件例如相对投影系统位于预期位置。可以认为，这里使用的术语“光刻版”或“掩模”与更为普通的术语“构图器件”同义。
这里使用的术语“投影系统”应广泛地理解成包括各种类型的投影系统，包括适合于例如采用曝光辐射、其它使用浸渍液体或使用真空的折射光学系统、反射光学系统、以及反射折射光学系统。可以认为，这里使用的术语“透镜”与更为普通的术语“投影系统”同义。
照明系统也可包括各种类型的光学元件，包括用于导向、定形、或控制辐射投影束的折射、反射、及反射折射光学元件，下文中共同地或个别地将该元件称为“透镜”。
光刻装置可以为两个衬底平台(双工作台)类型或更多个衬底平台类型(和/或两个掩模平台类型或更多个掩模平台类型)。在这些“多工作台”机器中，可以并行地使用附加的平台，当一个或多个平台用于曝光时，可以在其它一个或多个平台上进行准备步骤。
光刻装置也可以是这样的类型：其中衬底浸没在具有相对较高的折射率例如水的液体中，以填充投影系统的最终元件与衬底的间隙。浸渍液体也可用于光刻装置中的其它间隙，例如掩模与投影系统第一元件的间隙。在本领域中，用于提高投影系统数值孔径的浸渍方法是众所周知的。
附图说明
现在将仅通过示例的方式，参考附图来描述本发明的实施方案，其中相同的参考符号表示相同的部件，其中：
图1描述了可以实施本发明的光刻装置。
图2描述了根据本发明的洛伦兹致动器的截面视图。
图3a和3b分别描述了根据本领域现有技术的洛伦兹致动器以及根据本发明的洛伦兹致动器截面的磁场磁力线。
图4描述了根据本发明的洛伦兹致动器的备选实施方案的截面视图。
具体实施方式
光刻装置
图1示意性地描述了根据本发明的一个特定实施方案的光刻装置100。该装置包括：
照明系统(照明器)IL：用于提供辐射(例如UV或EUV辐射)投影束PB；
第一支持结构(例如掩模平台/支架)MT：用于支持构图器件(例如掩模)MA，并被连接到第一定位工具PM以精确地定位构图器件相对元件PL的位置；
衬底平台(例如晶片平台/支架)WT：用于支持衬底(例如涂敷了光刻胶的晶片)W，并被连接到第二定位工具PW以精确地定位衬底相对元件PL的位置；以及
投影系统(例如反射投影透镜)PL：用于把由构图器件MA作用到投影束PB的图形成像到衬底W的目标区域C(例如包括一个或多个芯片)。
如这里所描述的，该装置属于反射类型(例如，使用反射型掩模或者上面提到类型的可编程反射镜阵列)。备选地，该装置可以是透射类型(例如，使用透射型掩模)。
照明器IL接收来自辐射源SO的辐射束。该辐射源与光刻装置可以为单独的实体，例如当辐射源为等离子体放电源时。在这些情况下，并不把辐射源看作光刻装置的一部分；借助例如包括适合的聚光镜和/或光谱纯度滤光片的辐射采集器，辐射束由辐射源SO传输到照明器IL。在其它情况下，该源是装置的组成部分，例如当源为汞灯时。可将源SO及照明器IL称为辐射系统。
照明器IL可能包括用于调整射束的倾斜强度分布的调整工具。通常，至少可以调整照明器一光瞳面(pupil plane)内强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部及σ-内部)。照明器提供了称为投影束PB的经过调节的辐射束，其截面具有预期的均匀性和强度分布。
投影束PB入射到固定在掩模平台MT的掩模MA上。投影束PB被掩模MA反射后穿过透镜PL，该透镜PL把射束聚焦到衬底W目标区域C。借助于第二定位工具PW及位置传感器IF2(例如干涉测量器件)，可以精确地移动衬底平台WT，例如，以定位射束PB路径内的不同目标区域C。类似地，可以使用第一定位工具PM及位置传感器IF1，例如从掩模库机械检索(mechanical retrieval)后或在扫描时，相对于射束PB路径来精确地定位掩模MA。通常，可以借助形成定位工具PM及PW一部分的长冲程模块及短冲程模块，实现载物台MT与WT的移动。然而，对于(与扫描器相反的)分步曝光机，掩模平台MT可以仅连接到短冲程致动器，或者可以被固定。可以使用掩模对准标记M1、M2及衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA及衬底W。
所描述的装置可以用于下述优选模式：
分步模式(step mode)：掩模平台MT与衬底平台WT基本上保持静止，而作用到投影束的完整图形在一次扫描内被投影到目标区域C(即单次静态曝光)。随后沿X和/或Y方向平移衬底平台WT，以曝光不同的目标区域C。在分步模式中，曝光区域的最大尺寸限制了单次静态曝光中被成像的目标区域C的尺寸。
扫描模式(scan mode)：掩模平台MT和衬底平台WT被同步扫描，同时作用到投影束的图形被投影到目标区域C(即单次动态曝光)。由投影系统PL的(缩小)放大及图形反向特性确定衬底平台WT相对掩模平台MT的速度和方向。在扫描模式中，曝光区域的最大尺寸限制了单次动态曝光中目标区域(沿非扫描方向)的宽度，而扫描动作的长度决定了目标区域(沿扫描方向)的高度。
其它模式：支持可编程构图器件的掩模平台MT基本上保持静止，移动或扫描衬底平台WT，同时作用到投影束的图形被投影到目标区域C。在该模式下，通常使用脉冲辐射源，且在每次移动衬底平台WT之后或者在扫描中的连续辐射脉冲之间根据需要地更新可编程构图器件。该工作模式可以容易地应用于使用诸如上面提及可编程反射镜阵列的可编程构图器件的无掩模光刻。
可以采用上述模式的组合和/或变形，或者可以采用与上述模式完全不同的模式。
实施方案
如前所述，光刻装置100采用致动器用以定位部分装置，例如定位衬底平台/支架、掩模平台/支架、部分辐照系统、部分照明系统、或光刻装置100的任何其它部分。
图2示出了根据本发明实施方案的洛伦兹致动器200的截面图。洛伦兹致动器包括第一致动器部件201，以及可以相对第一部件201移动的第二致动器部件202。第一致动器部件201包括第一和第二磁铁系统部件203、204，该第一和第二磁铁系统部件分别包括主磁铁系统和辅助磁铁系统。主磁铁系统和辅助磁铁系统附着到一部分光刻装置100上。主磁铁系统包括主磁铁205a、205b、205c、205d。主磁铁205a、205b、205c、205d的极性如各个主磁铁中画出的箭头所示。
设置致动器200以产生具有图2所示方向的力，该力的方向为附图平面内从左至右或从右至左。该力作用于主磁铁205a至205d与第二致动器部件202之间，第二致动器部件202附着到另一部分光刻装置100上。第二致动器部件202包括诸如线圈的导电元件。实际上，本实施方案中的部件202表示线圈的截面视图，一部分线圈202内的电流方向与另一部分线圈202内的电流方向相反。因此，主磁铁205a及205c的极性与主磁铁205b及205d的极性相反。
第一和第二磁铁系统部件203、204进一步包括含有辅助磁铁206a、206b、206c、206d、206e、及206f的辅助磁铁系统，这些辅助磁铁系统与主磁铁系统相结合。在一个实施方案中，辅助磁铁206a、206b、206c、206d、206e、及206f排列成Halbach结构。
致动器200进一步包括诸如护铁(back iron)的背块(back mass)207a、207b。根据本发明，提供了在第一磁铁系统部件203和第二磁铁系统部件204的外侧，即这两个部件的边缘之间延伸的磁性元件208a、208b。下面将结合图3a及3b解释磁性元件208a与208b的影响。
图3a及3b描述了结合图2所描述的洛伦兹致动器，然而在图3a(与图3b相反)中，除去了磁性元件208a、208b。在图3a及3b中，第一、主磁场的磁力线用300表示，而第二、辅助磁场的磁力线用301表示。结合图3b可以看出，辅助磁铁206a和206d产生的辅助磁场的一部分被磁性元件208a短路。
类似地，辅助磁铁206c和206f产生的辅助磁场的一部分被磁性元件208b短路。因此，与图3a相比，图3b中线圈202处及其附近的磁场增大。另外的影响为，磁性元件208a、208b保护致动器，防止其可能干扰外侧磁场。磁性元件208a、208b可包括铁或任何其它高度透磁的相对磁导率大于1的材料。
磁性元件包括透磁材料，该透磁材料在辅助磁铁系统所包括的相互对立的辅助磁铁206a、206d之间延伸，辅助磁铁的极性基本上是反平行的。在一个有利的结构中，磁性元件在相互对立的辅助磁铁206a、206d的两侧之间延伸，辅助磁铁面向主磁铁系统的相邻主磁铁205a、205c。磁性元件208a和导电元件202a之间的间距足够大，使得致动器的磁阻力小于致动器的洛伦兹力的1％。磁阻力随上述间距的增大而减小。
将结合图4解释根据本发明的洛伦兹致动器的一个备选实施方案，图4示出该实施方案的一部分。图4特别示出了主磁铁205a及背块207a的一部分，其中该例子中背块包括铁。在结合图4所描述的实施方案中，磁性元件208a(包括永久磁铁)在高度透磁部分(图4中示出了部分206a)之间延伸，该高度透磁部分与第一及第二磁铁系统部件的主磁铁(图中示出了主磁铁205a)相邻。
本实施方案中的磁性元件208a包括一个侧面磁铁，该侧面磁铁的极性方向为从一个第二磁铁系统部件之一指向另一个第二磁铁系统部件。有利地，磁性元件208a的极性与相邻的主磁铁205a(在图4中示出)及205c(未在图4中示出)的极性相反。图4中磁性元件208a形成了辅助磁铁系统的一部分，实际上磁性元件208a与图2及图3b中所示的磁性元件208a及208b具有相同或类似的效果，都可以获得引导206a与206d之间磁场的相同效果。在图2及图3b中，通过辅助磁铁206a及206d的磁极化获得该效果，而在图4中，通过磁性元件208a的磁极化形成相同或类似的效果。
图4仅示出洛伦兹致动器的一部分，即相应于图2中洛伦兹致动器截面图的左上部分。然而，本领域技术人员将明白该截面图其余部分是如何组成的。作为图2a及图4所示结构的备选，磁性元件208a、208b可以从部分206的任何侧面延伸。因此，在图2所示的实施方案中，磁性元件208a可以从互相面对的辅助磁铁206a、206d的侧面延伸，而在图4所示的洛伦兹致动器中，磁性元件208a可以，例如，从分别面向相邻主磁铁205a及205c的部分206a及206d(未在图4中示出)的侧面延伸。
根据本发明的洛伦兹致动器可以应用于，在力的方向上有一短冲程的高度精确和/或温度临界应用的情况，例如光刻装置中的工作台和光学元件。
尽管上文已经描述了本发明的特定的实施方案，但将会了解到，本发明可以不按所述方式来实施。因此，该描述并非用于限制本发明。在给出本发明的详细描述的情况下，对于本发明的结构、工作、及性能的描述应当认为，可以对这些实施方案进行修改和变化。因此，前述详细描述并非是以任何方式限制本发明；相反，本发明的范围由所附的权利要求书来限定。
Claims (18)
1.一种光刻装置，包括：
提供辐射束的照明系统；
支持构图器件的支持结构，所述构图器件可以使所述辐射束具有预期图形；
支持衬底的衬底支架；
把图形束投影到所述衬底的投影系统；以及
在第一装置部分和第二装置部分之间产生力，使所述第一和第二装置部分发生相对位移的致动器，其中所述第一装置部分至少包括所述照明系统、支持结构、衬底支架、及投影系统之一的一部分，所述第二装置部分至少包括所述照明系统、支持结构、衬底支架、及投影系统之一的另一部分，所述致动器包括：
第一磁铁系统部件和第二磁铁系统部件，该磁铁系统部件包括设置成提供第一磁场的主磁铁系统以及设置成提供第二磁场的辅助磁铁系统，所述主磁铁系统和辅助磁铁系统附着到所述第一装置部分；
导电元件，设置该导电元件使其基于该导电元件所流过的电流和所述第一磁场及第二磁场之间的相互作用而产生力，所述导电元件附着到所述第二装置部分且被插入在所述第一和第二磁铁系统部件之间；以及
磁性元件，该磁性元件基本上在所述第一和第二磁铁系统部件外侧部分之间延伸，设置该磁性元件使其把所述第二磁场的一部分从所述第一和第二磁铁系统部件之一引导到所述第一和第二磁铁系统部件中的另一个部件。
2.权利要求1的光刻装置，其中所述主磁铁系统和所述辅助磁铁系统被排列成Halbach结构。
3.权利要求1的光刻装置，其中所述磁性元件包括高度透磁的材料。
4.权利要求1的光刻装置，其中所述磁性元件在所述辅助磁铁系统包括的互相对立的辅助磁铁之间延伸，其中所述相互对立的辅助磁铁具有基本上反平行的极性。
5.权利要求4的光刻装置，其中所述磁性元件相对于所述主磁铁系统的相邻主磁铁在所述相互对立的辅助磁铁的侧面之间延伸。
6.权利要求1的光刻装置，其中所述磁性元件包括永久磁铁，其极性方向为从所述第一和第二磁铁系统部件之一指向所述第一和第二磁铁系统部件的另一个部件。
7.权利要求6的光刻装置，其中所述磁性元件在包括高度透磁材料的各个部分之间延伸，这些部分与所述第一及第二磁铁系统部件的主磁铁相邻。
8.权利要求1的光刻装置，其中所述导电元件和所述磁性元件之间的间距足够大，使得所述致动器的磁阻力小于所述致动器产生的最大力的1％。
9.一种用于在第一和第二部分之间产生力，使所述第一和第二部分的其中之一相对于所述第一和第二部分的另一部分发生位移的致动器，该致动器包括：
第一致动器部件，它包括第一磁铁系统部件和第二磁铁系统部件，所述第一和第二磁铁系统部件包括设置成提供第一磁场的主磁铁系统以及设置成提供第二磁场的辅助磁铁系统，所述主磁铁系统和辅助磁铁系统被附着到所述第一部件；
第二致动器部件，它包括设置成基于该导电元件所流过的电流和所述第一磁场及第二磁场之间的相互作用而提供所述力，该导电元件被附着到所述第二部件并且被插入在该第一和第二磁铁系统部件之间；以及
磁性元件，它在所述第一和第二磁铁系统部件的外侧部分之间延伸，该磁性元件被设置成把所述第二磁场的一部分从所述第一和第二磁铁系统部件之一引导到所述第一和第二磁铁系统部件中的另一个部件。
10.权利要求9的致动器，所述主磁铁系统和所述辅助磁铁系统排列成Halbach结构。
11.权利要求9的致动器，其中所述磁性元件包括高度透磁的材料。
12.权利要求9的致动器，其中所述磁性元件在所述辅助磁铁系统所包括的相互对立的辅助磁铁之间延伸，其中所述相互对立的辅助磁铁的极性基本上是反平行的。
13.权利要求12的致动器，其中所述磁性元件相对于所述主磁铁系统的相邻主磁铁在所述相互对立的辅助磁铁的侧面之间延伸。
14.权利要求9的致动器，其中所述磁性元件包括永久磁铁，该永久磁铁的极性方向为从所述第一和第二磁铁系统部件之一指向所述第一和第二磁铁系统部件的另一个部件。
15.权利要求14的致动器，其中所述磁性元件在包括高度透磁材料的部分之间延伸，所述部分与所述第一和第二磁铁系统部件的主磁铁相邻。
16.权利要求9的致动器，其中所述导电元件和所述磁性元件之间的间距足够大，使得所述致动器的磁阻力小于该致动器产生的最大力的1％。
17.一种器件制作方法，包括：
提供由衬底支架支撑的衬底；
使用照明系统提供一个辐射束；
通过由支持结构支持的构图工具使所述辐射束具有预期图形；
通过投影系统把辐射图形束投影到所述衬底的目标区域；
产生力使第一装置部分与第二装置部分发生相对位移，其中所述第一装置部分至少包括所述照明系统、支持结构、衬底支架、及投影系统之一的一部分，所述第二装置部分至少包括所述照明系统、支持结构、衬底支架之一的另一部分，所述力的产生包括：
产生源于第一磁铁系统部件和第二磁铁系统部件的主磁铁系统的第一磁场，该主磁铁系统被附着到所述第一部分；
产生源于所述第一磁铁系统部件和第二磁铁系统部件的辅助磁铁系统的第二磁场，该辅助磁铁系统被附着到所述第一部分；
基于导电元件所流过的电流和所述第一磁场及第二磁场之间的相互作用产生所述力，所述导电元件被附着到所述第二部分；以及
把所述第二磁场的一部分从所述第一和第二磁铁系统部件之一引导到所述第一和第二磁铁系统部件中的另一个部件。
18.权利要求17的器件制作方法，其中第一磁场和第二磁场排列成Halbach结构。
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