CN110824854B - 光微影方法、晶圆处理方法及工件固持装置 - Google Patents

光微影方法、晶圆处理方法及工件固持装置 Download PDF

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Abstract

本揭示揭露一种光微影方法、晶圆处理方法及工件固持装置。根据本揭示的一些实施例提供一种用于将主光罩附着到夹盘的顶表面上的方法。该方法包括使夹盘的顶表面上的多个纤维与主光罩接触。主光罩相对于夹盘的顶表面沿着第一方向滑动以增加在纤维与主光罩之间的接触面积，使得主光罩附着到纤维。

Description

光微影方法、晶圆处理方法及工件固持装置
技术领域
本揭示有关于一种光微影方法、一种晶圆处理方法及一种工件固持装置。
背景技术
在半导体集成电路(IC)工业中，IC材料及设计的技术进展已经产生数代IC，其中与前代相比，每代具有更小且更复杂的电路。在IC发展过程中，功能密度(亦即，单位晶片面积互连元件的数量)已大致增加而几何尺寸(亦即，可使用制造制程产生的最小部件(或接线))已减小。此按比例缩小过程大体通过增加生产效率并降低相关成本来提供益处。此种按比例缩小亦增加了IC处理及制造的复杂性。
光微影制程形成图案化的光阻层，用于各种图案化制程，诸如蚀刻或离子植入。可通过此种光微影制程图案化的最小特征尺寸受到投影辐射源的波长的限制。光微影机器已经从使用具有365纳米波长的紫外光进展到使用深紫外线(DUV)光，包括248纳米的氟化氪激光(KrF激光)及193纳米的氟化氩激光(ArF激光)，并且进展到使用13.5纳米波长的极紫外线(EUV)光，从而在每一个步骤改进解析度。
发明内容
顶表面上的多个纤维与主光罩接触；以及相对于夹盘的顶表面沿着第一方向滑动主光罩，以增加在纤维与主光罩之间的接触面积，使得主光罩附着到纤维。
根据本揭示的一些实施方式，一种晶圆处理方法包含：使晶圆固持器的顶表面上的多个纤维与晶圆接触；以及相对于晶圆沿着第一方向滑动晶圆固持器以相对于晶圆固持器的顶表面倾斜纤维，使得晶圆附着到纤维。
根据本揭示的一些实施方式，一种工件固持装置包含工件固持元件以及多个可弯曲纤维。可弯曲纤维在工件固持元件的顶表面上。
附图说明
当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭示的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各个特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各个特征的尺寸。
图1是示出根据本揭示的一些实施例的光微影方法的流程图；
图2示出根据本揭示的一些实施例的光微影装置的横截面图；
图3示出根据本揭示的一些实施例的光微影装置的主光罩夹盘的俯视图；
图4示出根据本揭示的一些实施例的其上具有粘接层的主光罩夹盘的横截面图；
图5示出根据本揭示的一些实施例的操作光微影装置的中间阶段的俯视图；
图6直至图8示出根据本揭示的一些实施例的操作光微影装置的中间阶段的横截面图；
图9示出根据本揭示的一些实施例的图4中的粘接层的一个纤维的横截面图；
图10示出根据本揭示的一些实施例的其上具有粘接层的主光罩夹盘的横截面图；
图11是示出根据本揭示的一些实施例的晶圆处理方法的流程图；
图12示出根据本揭示的一些实施例的其上具有晶圆的晶圆处理器的俯视图；
图13示出根据本揭示的一些实施例的晶圆处理器的横截面图；
图14示出根据本揭示的一些实施例的其上具有粘接层的晶圆固持器的横截面图；
图15直至图16示出根据本揭示的一些实施例的操作晶圆处理器的中间阶段的横截面图。
【符号说明】
100：光微影装置
110：主光罩夹盘
111：第一顶表面
112：第二顶表面
113：真空孔
120：遮罩系统
121：主光罩
121a：底表面
122：薄膜组件
122a：透明薄膜
122b：薄膜框架
130、230：粘接层
131、231：纤维
131a、231a：第一端
131b、231b：第二端
140：真空源
150：光源
160：挡板
161：曝光狭缝
170a、170b：物镜
180：晶圆台
300：晶圆处理器
310：晶圆固持器
310a：顶表面
311：叶片部分
312a：物件感测器
312b：物件感测器
313：印刷电路板
320：粘接层
321：纤维
321a：第一端
321b：第二端
330：机器人
340：机械臂
1000：光微影方法
1100、1200、1300、1400、1500：操作
3000：晶圆处理方法
3100、3200、3300、3400、3500：操作
W：晶圆
具体实施方式
以下揭示内容提供许多不同实施例或实例，以便实施所提供标的的不同特征。下文描述部件及排列的具体实例以简化本揭示。当然，这些仅为实例且并不意欲为限制性。例如，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例，且亦可包括在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施例。另外，本揭示可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简便性及清晰的目的且本身并不指示所论述的各个实施例及/或构造之间的关系。
另外，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“之上”、“上部”及类似者)来描述诸图中所示出的一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中元件的不同定向。元件可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)且由此可类似解读本文所使用的空间相对性描述词。
硅晶圆在一连串连续的微影步骤中制造，这些步骤包括遮罩对准、曝光、光阻剂显影、层蚀刻、及磊晶层生长以形成在集成电路(IC)内定义元件结构及互连的图案。为了保证稳固的遮罩对准，专用的对准结构置于IC的实体布局资料内，并且由半导体制造流程中的线上对准工具用来在遮罩对准期间实现覆盖(OVL)控制。图案化的晶圆由布置成周期阵列或主光罩区的多个IC组成，其中每个主光罩区由分步重复工具图案化，此分步重复工具是配置以基于从IC的实体布局资料获得的对准结构位置的晶圆图来将图案化的遮罩与独立主光罩区对准。良率及元件效能依赖于当形成元件层时两个或更多个遮罩对准步骤之间的稳固OVL控制。
由于微影制程变得更为复杂，需要改进在主光罩夹盘与遮罩之间的OVL品质。为了改进OVL品质，需要增加在主光罩夹盘与遮罩之间的接触面积。然而，大的接触面积导致大的凡得瓦尔力，这可导致从主光罩夹盘移除遮罩困难。若遮罩被强制移除，则主光罩夹盘可能受到破坏。
参考图1，图1是示出根据本揭示的一些实施例的光微影方法1000的流程图。光微影方法1000开始于操作1100，其中在夹盘的顶表面上的多个挠性或可弯曲纤维接触主光罩(亦即，遮罩)。光微影方法1000继续到操作1200，其中主光罩相对于夹盘的顶表面沿着第一方向滑动，用于增加在纤维与主光罩之间的接触面积，使得主光罩附着到纤维。随后，执行操作1300。光微影制程使用固定在主光罩夹盘上的主光罩来执行。光微影方法1000继续到操作1400，其中主光罩相对于夹盘的顶表面沿着与第一方向相反的第二方向滑动，用于减少在纤维与主光罩之间的接触面积。光微影方法1000继续到操作1500，其中从纤维拆离主光罩。后文的论述示出可以根据图1的光微影方法1000操作的光微影装置的实施例。尽管后文将光微影方法1000示出并描述为一系列动作或事件，将了解所示出的这些动作或事件的排序不被解释为限制意义。例如，一些动作可以不同次序发生及/或与除了本文示出及/或描述的彼等之外的其他动作或事件同时发生。此外，实施本文描述的一或多个态样或实施例不必需所有示出的动作。另外，本文所描绘的动作中的一或多个动作可在一或多个独立的动作及/或阶段中执行。
参考图2。图2示出根据本揭示的一些实施例的光微影装置100的横截面图。光微影装置100包括主光罩夹盘110、粘接层130、光源150、挡板160、物镜170a、170b以及晶圆台180。主光罩夹盘110是配置以使用粘接层130暂时固定遮罩系统120的主光罩121。亦即，主光罩夹盘110是一种工件固持元件。光源150在主光罩夹盘110上方。挡板160在主光罩夹盘110与光源150之间并且具有曝光狭缝161。光源150是配置以经由曝光狭缝161朝向主光罩夹盘110发射光。物镜170a在挡板160与主光罩夹盘110之间，并且配置以聚焦由光源150发射到主光罩121上的光。晶圆台180在主光罩夹盘110下方，并且配置以支撑其上的晶圆W。物镜170b在晶圆台180与主光罩夹盘110之间并且配置以聚焦穿过主光罩121到晶圆W上的光。光微影装置100是配置以执行半导体光微影制程，此半导体光微影制程将主光罩121上的几何形状的图案转移到覆盖晶圆W的表面的薄层光敏材料(称为光阻剂)。亦即，由光微影装置100使用的主要曝光方法是投影印刷，但本揭示不限于此方面。在一些实施例中，光微影装置100使用一种类型的步进机(称为扫描器)，作为增加曝光面积大小及增加物镜170a、170b的成像效能的方式，此步进机在曝光期间相对于彼此移动晶圆台180及主光罩夹盘110。
参考图3及图4。图3示出根据本揭示的一些实施例的光微影装置100的主光罩夹盘110的俯视图。图4示出根据本揭示的一些实施例的其上具有粘接层130的主光罩夹盘110的横截面图。主光罩夹盘110具有第一顶表面111。粘接层130存在于第一顶表面111上并且包括多个纤维131。在一些实施例中，粘接层130是基于聚合物的干燥粘着剂或基于碳纳米管(CNT)的干燥粘着剂。换言之，纤维131可以是纳米尺度的结构。
在一些实施例中，如图4所示，每个纤维131具有第一端131a及第二端131b。第一端131a连接到主光罩夹盘110的第一顶表面111，其中每个纤维131的第一端131a的宽度大于第二端131b的宽度。具体而言，如图4所示，至少一个纤维131的宽度从所述至少一个纤维131的第一端131a到第二端131b逐渐减小。亦即，所述至少一个纤维131朝向其顶部渐缩，并且基于从第一端131a到第二端131b的自底向上生长，如同圆锥形柱状物。
在一些实施例中，纤维131的宽度实质上在从约0.2μm至约0.5μm的范围中。在任何两个相邻纤维131之间的距离是固定的条件下，大于约0.5μm的纤维131的宽度可能会使每单位面积的纤维131的数量过小(亦即，分子密度可能过小)并且导致小的凡得瓦尔力，并且小于约0.2μm的纤维131的宽度可能会使每单位面积的纤维131的数量过大(亦即，分子密度可能过大)，并且导致纤维131彼此粘附，这可能劣化纤维131的吸附性质。
在一些实施例中，纤维131的高度实质上在从约1.0μm至约1.5μm的范围中。大于约1.5μm的纤维131的高度可能会增加杂乱程度，这使得控制纤维131的倾斜方向变得困难。小于约1.0μm的纤维131的高度可能会减少在纤维131与主光罩121之间的接触面积，这可能会减小纤维131的吸附力。
在一些实施例中，如图4所示，第二端131b是配置以相对于第一端131a实质上沿着第一方向A1而非沿着与第一方向A1相反的第二方向A2弯曲，其中第一方向A1及第二方向A2实质上与主光罩夹盘110的第一顶表面111平行。在一些实施例中，当至少一个纤维131不接触主光罩121的底表面121a时(参见图7)，至少一个纤维131最初朝向第一方向A1相对于主光罩夹盘110的第一顶表面111倾斜。换言之，至少一个纤维131的第一端131a具有面向沿着第一方向A1的第一侧以及面向沿着第二方向A2的第二侧，并且当至少一个纤维131不接触主光罩121的底表面121a时，投影到主光罩夹盘110的第一顶表面111上的至少一个纤维131的第二端131b的垂直投影接近第一端131a的第一侧，并且远离第一端131a的第二侧。具体而言，如图4所示，距离D1表示在第二端131b(在表面111上)的垂直投影与第一端131a的第一侧之间的最小距离，距离D2表示在第二端131b(在表面111上)的垂直投影与第一端131a的第二侧面之间的最小距离，并且距离D1与距离D2不同。在一些实施例中，当至少一个纤维131不接触主光罩121的底表面121a时，至少一个纤维131最初以实质上小于约80度的倾斜角α相对于主光罩夹盘110的第一顶表面111倾斜。在一些实施例中，例如，至少一个纤维131的倾斜角α由在主光罩夹盘110的第一顶表面111与连接线之间形成的角定义，此连接线连接至少一个纤维131的第一端131a(例如，第一端131a的中心)与第二端131b。
图5示出根据本揭示的一些实施例的操作光微影装置的中间阶段的俯视图。图6直至图8示出根据本揭示的一些实施例的操作光微影装置的中间阶段的横截面图。图6示出沿着图5所示的线I-I截取的部分横截面。图7及图8示出沿着图5所示的线II-II截取的部分横截面。
参考图3、图5及图6。如图3所示，主光罩夹盘110进一步具有第二顶表面112。第二顶表面112与第一顶表面111平行、实质上共面及隔开，并且粘接层130进一步存在于第二顶表面112上。如图5及图6所示，存在于主光罩夹盘110的第一顶表面111及第二顶表面112上的粘接层130接触主光罩121的底表面121a。
参考图6及图7。存在于主光罩夹盘110的第一顶表面111及第二顶表面112上的粘接层130接触主光罩121的底表面121a。在粘接层130接触底表面121a之后，主光罩121的底表面121a相对于主光罩夹盘110的第一顶表面111及第二顶表面112沿着第一方向A1滑动，以便增加在纤维131与主光罩121的底表面121a之间的接触面积。同时，存在于第一顶表面111上的至少一个纤维131以第一倾斜角α1相对于第一顶表面111倾斜，并且利用第一粘附力附着到主光罩121的底表面121a。在一些实施例中，在将主光罩121固定到主光罩夹盘110的第一顶表面111及第二顶表面112上之后，使用主光罩121执行光微影制程。
在一些实施例中，如图7所示，第一倾斜角α1实质上在从约0度至约10度的范围中。另一方面，至少一个纤维131的第二端131b相对于第一端131a实质上同时沿着第一方向A1弯曲。在一些实施例中，如图7所示的至少一个纤维131相对于如图4所示的至少一个纤维131的弯曲角实质上在从约70度至约80度的范围中(亦即，倾斜角α减去第一倾斜角α1)，但本揭示不限于此方面。
在一些实施例中，为了将主光罩121适当地固定到主光罩夹盘110上，在主光罩121与主光罩夹盘110之间压缩的纤维131的高度实质上在从约0.5μm至约0.8μm的范围中。大于约0.8μm的压缩纤维131的高度可能会产生相对小的接触面积，并且因此导致不良的吸附力，所以主光罩121容易从主光罩夹盘110掉落。小于约0.5μm的压缩纤维131的高度可能会使纤维131的分子密度过大，并且导致纤维131彼此粘附，这可能会劣化纤维131的吸附性质，并且使主光罩121容易从主光罩夹盘110掉落。
在一些实施例中，如图6所示，主光罩121包括基板及图案化层，此图案化层定义在光微影制程期间待转移到半导体基板(例如，图2所示的晶圆)的集成电路。主光罩121通常与薄膜组件122包括在一起，共同称为先前提及的遮罩系统120。薄膜组件122包括透明薄膜(thin membrane)122a及薄膜(pellicle)框架122b。薄膜框架122b安装在主光罩121的底表面121a上。透明薄膜122a安装在薄膜框架122b上方。薄膜组件122保护主光罩121不受掉落粒子的影响，并且保持粒子不聚焦，使得其等不产生图案化的影像，这当正在使用主光罩121时可能会导致缺陷。透明薄膜122a通常在薄膜框架122b上方延展并安装，并且通过胶水或其他粘着剂附接到薄膜框架122b。
在一些实施例中，第一顶表面111及第二顶表面112实质上沿着第一方向A1及第二方向A2延伸，并且彼此排列在第三方向A3中，第三方向A3相对于第一方向A1及第二方向A2倾斜。在一些实施例中，第三方向A3垂直于第一方向A1及第二方向A2，但本揭示不限于此方面。如图5及图6所示，主光罩121的两个相对的侧边缘分别支撑在主光罩夹盘110的第一顶表面111及第二顶表面112上。同时，遮罩系统120的薄膜组件122在第一顶表面111与第二顶表面112之间延伸并且与第一顶表面111及第二顶表面112隔开。以此方式，当主光罩121的底表面121a相对于第一顶表面111及第二顶表面112沿着第一方向A1滑动时，薄膜组件122将不与主光罩夹盘110碰撞。
在一些实施例中，如图3所示，主光罩夹盘110具有多个真空孔113。每个真空孔113与第一顶表面111及第二顶表面112中的一个连通。光微影装置100进一步包括真空源140。真空源140与多个真空孔113流体连通，并且配置以当底表面121a覆盖真空孔113时，在主光罩121的第一顶表面111与底表面121a之间并且在第二顶表面112与底表面121a之间经由真空孔113形成低压真空。主光罩夹盘110的每个真空孔113由纤维131围绕。
在一些实施例中，在主光罩121的底表面121a相对于第一顶表面111及第二顶表面112沿着第一方向A1滑动之后并且在执行光微影制程之前，真空源140在第一顶表面111与底表面121a之间并且在第二顶表面112与底表面121a之间经由真空孔113形成低压真空。在一些其他实施例中，在存在于主光罩夹盘110的第一顶表面111及第二顶表面112上的粘接层130接触主光罩121的底表面121a之后并且在底表面121a相对于第一顶表面111及第二顶表面112沿着第一方向A1滑动之前，真空源140在第一顶表面111与底表面121a之间并且在第二顶表面112与底表面121a之间经由真空孔113形成低压真空。
在一些实施例中，在第一顶表面111或第二顶表面112上的真空孔113沿着第三方向A3伸长，并且沿着第三方向A3相继排列成一条线，但本揭示不限于此方面。
参考图6及图8。在使用主光罩121执行光微影制程之后，主光罩121的底表面121a相对于主光罩夹盘110的第一顶表面111及第二顶表面112沿着第二方向A2滑动，以便提高主光罩121并减少在纤维131与主光罩121的底表面121a之间的接触面积。同时，存在于第一顶表面111上的至少一个纤维131相对于第一顶表面111以第二倾斜角α2倾斜，并且利用第二粘附力附着到主光罩121的底表面121a，其中第一粘附力大于第二粘附力。在一些实施例中，主光罩夹盘110可包括玻璃、石英、其组合或类似者。在一些实施例中，主光罩121可包括玻璃、石英、硅、碳化硅、黑金刚石、其组合或类似者。因此，遮罩系统120的主光罩121可以随后在由粘接层130产生的较小粘附力下从主光罩夹盘110拆离，使得可以有效地防止在拆离期间主光罩121及主光罩夹盘110受到破坏。在一些实施例中，如图7及图8所示，第一倾斜角α1小于第二倾斜角α2。
换言之，通过相对于主光罩夹盘110的第一顶表面111及第二顶表面112实质上沿着第一方向A1滑动主光罩121的底表面121a，可以增加在粘接层130与主光罩121的底表面121a之间产生的凡得瓦尔力，以便有效改进在主光罩夹盘110与主光罩121之间的OVL品质。通过相对于主光罩夹盘110的第一顶表面111及第二顶表面112实质上沿着第二方向A2滑动主光罩121的底表面121a，可以减小在粘接层130与主光罩121的底表面121a之间产生的凡得瓦尔力，以便容易地从主光罩夹盘110拆离主光罩121，而不破坏主光罩夹盘110。
在一些实施例中，如图8所示，第二倾斜角α2实质上在从约30度至约80度的范围中。同时，至少一个纤维131的第二端131b仍相对于第一端131a实质上沿着第一方向A1弯曲。在一些实施例中，如图8所示的至少一个纤维131相对于如图4所示的至少一个纤维131的弯曲角实质上在从约0度至约50度的范围中(亦即，倾斜角α减去第二倾斜角α2)，但本揭示不限于此方面。
在执行光微影制程之前真空源140在第一顶表面111与底表面121a之间并且在第二顶表面112与底表面121a之间经由真空孔113形成低压真空的一些实施例中，在底表面121a相对于第一顶表面111及第二顶表面112沿着第二方向A2滑动之后并且在遮罩系统120的主光罩121从真空夹盘(即主光罩夹盘110)拆离之前，低压真空可以通过控制真空源140来移除。在一些其他实施例中，在执行光微影制程之后并且在底表面121a相对于第一顶表面111及第二顶表面112沿着第二方向A2滑动之前，可以通过控制真空源140来移除低压真空。
参考图9。图9示出根据本揭示的一些实施例的图4中的粘接层130的一个纤维131的横截面图，其中沿着线III-III截取至少一个纤维131的横截面。在一些实施例中，如图9所示，至少一个纤维131的横截面平行于主光罩夹盘110的第一顶表面111，并且是非圆形的。例如，横截面在相对于第一方向A1倾斜的方向上的宽度大于横截面在第一方向A1上的宽度，使得至少一个纤维131的第二端131b易于相对于第一端131a实质上沿着第一方向A1弯曲。在一些实施例中，横截面在垂直于第一方向A1的方向上具有最大宽度，并且在第一方向A1上具有最小宽度，但本揭示不限于此方面。
参考图10。图10示出根据本揭示的一些实施例的其上具有粘接层230的主光罩夹盘110的横截面图。粘接层230存在于第一顶表面111上并且包括多个纤维231。在一些实施例中，粘接层230是基于聚合物的干燥粘着剂或基于CNT的干燥粘着剂。换言之，纤维231可以是纳米尺度的结构。在一些实施例中，每个纤维231具有第一端231a及第二端231b。第一端231a连接到主光罩夹盘110的第一顶表面111。在一些其他实施例中，至少一个纤维231实质上具有均匀宽度。换言之，在此种实施例中，至少一个纤维231的第一端231a及第二端231b实质上具有相同的宽度，并且至少一个纤维231基于从第一端231a到第二端231b的自底向上生长，如同直立柱状物。
参考图11，图11是示出根据本揭示的一些实施例的晶圆处理方法3000的流程图。晶圆处理方法3000开始于操作3100，其中在晶圆固持器的顶表面上的多个纤维接触晶圆。晶圆处理方法3000继续到操作3200，其中晶圆固持器相对于晶圆沿着第一方向滑动以使纤维相对于晶圆固持器的顶表面倾斜，使得晶圆附着到纤维。晶圆处理方法3000继续到操作3300，其中使用机器人驱动连接到晶圆固持器的机械臂来将晶圆移动到载具。晶圆处理方法3000继续到操作3400，其中晶圆固持器相对于晶圆沿着与第一方向相反的第二方向滑动以减少在纤维与晶圆之间的接触面积。晶圆处理方法3000继续到操作3500，其中晶圆固持器从晶圆拆离以将晶圆余留在载具上。后文的论述示出可以根据图11的晶圆处理方法3000操作的光微影装置的实施例。尽管后文将晶圆处理方法3000示出并描述为一系列动作或事件，将了解所示出的这些动作或事件的排序不被解释为限制意义。例如，一些动作可以不同次序发生及/或与除了本文示出及/或描述的彼等之外的其他动作或事件同时发生。此外，实施本文描述的一或多个态样或实施例不必需所有示出的动作。另外，本文所描绘的动作中的一或多个动作可在一或多个独立的动作及/或阶段中执行。
参考图12及图13。图12示出根据本揭示的一些实施例的其上具有晶圆W的晶圆处理器300的俯视图。图13示出根据本揭示的一些实施例的沿着图12所示的线IV-IV截取的晶圆处理器300的横截面图。晶圆处理器300包括晶圆固持器310、粘接层320、机器人330及机械臂340。晶圆固持器310具有配置以于其上携带晶圆W的顶表面310a。亦即，晶圆固持器310是一种工件固持元件。晶圆固持器310由叶片部分311、安装在顶表面310a中的一对物件感测器312a、312b以及用于控制物件感测器312a、312b的印刷电路板313所构成。物件感测器312a、312b用于感测适当地位于叶片部分311上的晶圆W的存在。粘接层320存在于晶圆固持器310的顶表面310a上并且包括多个纤维321。在一些实施例中，粘接层320是基于聚合物的干燥粘着剂或基于碳纳米管(CNT)的干燥粘着剂。换言之，纤维321可以是纳米尺度的结构。机械臂340在机器人330与晶圆固持器310之间连接。机器人330是配置以驱动机械臂340以沿着第一方向A1远离机器人330移动晶圆固持器310，并且配置以驱动机械臂340以沿着与第一方向A1相反的第二方向A2朝向机器人330移动晶圆固持器310。在一些实施例中，第一方向A1及第二方向A2实质上平行于晶圆固持器310的顶表面310a。
参考图14。图14示出根据本揭示的一些实施例的沿着图12所示的线V-V截取的其上具有粘接层320的晶圆固持器310的横截面图。在一些实施例中，如图14所示，每个纤维321具有第一端321a及第二端321b。第一端321a连接到晶圆固持器310的顶表面310a，其中每个纤维321的第一端321a的宽度大于第二端321b的宽度。具体而言，如图14所示，至少一个纤维321的宽度从至少一个纤维321的第一端321a到第二端321b逐渐减小。亦即，至少一个纤维321朝向其顶部渐缩，并且基于从第一端321a到第二端321b的自底向上生长，如同圆锥形柱状物。
在一些实施例中，纤维321的宽度实质上在从约0.2μm至约0.5μm的范围中。在任何两个相邻纤维321之间的距离是固定的条件下，大于约0.5μm的纤维321的宽度可能会使每单位面积的纤维321的数量过小(亦即，分子密度可能过小)并且导致小的凡得瓦尔力，并且小于约0.2μm的纤维321的宽度可能会使每单位面积的纤维321的数量过大(亦即，分子密度可能过大)，并且导致纤维321彼此粘附，这可能会劣化纤维321的吸附性质。
在一些实施例中，纤维321的高度实质上在从约1.0μm至约1.5μm的范围中。大于约1.5μm的纤维321的高度可能会增加杂乱程度，这使得控制纤维321的倾斜方向变得困难。小于约1.0μm的纤维321的高度可能会减小在纤维321与晶圆W之间的接触面积，这可能会减小纤维321的吸附力。
在一些其他实施例中，如图10所示的纤维131，至少一个纤维321实质上具有均匀宽度。换言之，在此种实施例中，至少一个纤维321的第一端321a及第二端321b实质上具有相同宽度，并且至少一个纤维321基于从第一端321a到第二端321b的自底向上生长，如同直立柱状物。
在一些实施例中，如图14所示，第二端321b是配置以相对于第一端321a实质上沿着第二方向A2而非沿着第一方向A1弯曲。在一些实施例中，当至少一个纤维321不接触晶圆W时，至少一个纤维321最初朝向第二方向A2相对于晶圆固持器310的顶表面310a倾斜。换言之，至少一个纤维321的第一端321a具有面向沿着第一方向A1的第一侧以及面向沿着第二方向A2的第二侧，并且当至少一个纤维321不接触晶圆W时，投影到晶圆固持器310的顶表面310a上的至少一个纤维321的第二端321b的垂直投影接近第一端321a的第二侧面并且远离第一端321a的第一侧。在一些实施例中，当至少一个纤维321不接触晶圆W时，至少一个纤维321最初以实质上小于约80度的倾斜角α相对于晶圆固持器310的顶表面310a倾斜。在一些实施例中，例如，至少一个纤维321的倾斜角α由在晶圆固持器310的顶表面310a与连接线之间形成的角定义，此连接线连接至少一个纤维321的第二端321b与第一端321a(例如，第一端321a的中心)。
在一些实施例中，如图9所示的纤维131的横截面，平行于晶圆固持器310的顶表面310a的至少一个纤维321的横截面是非圆形的。例如，横截面在相对于第二方向A2倾斜的方向上的宽度大于横截面在第二方向A2上的宽度，使得至少一个纤维321的第二端321b易于相对于第一端321a实质上沿着第二方向A2弯曲。在一些实施例中，横截面在垂直于第二方向A2的方向上具有最大宽度，并且在第二方向A2上具有最小宽度，但本揭示不限于此方面。
图15直至图16示出根据本揭示的一些实施例的操作晶圆处理器的中间阶段的横截面图。图15及图16示出沿着图12所示的线V-V截取的部分横截面。
参考图14及图15。存在于晶圆固持器310的顶表面310a上的粘接层320接触晶圆W。在粘接层320接触晶圆W之后，晶圆固持器310的顶表面310a相对于晶圆W沿着第一方向A1滑动，以便增加在纤维321与晶圆W之间的接触面积。同时，存在于顶表面310a上的至少一个纤维321相对于顶表面310a以第一倾斜角α1倾斜，并且利用第一粘附力附着到晶圆W。在一些实施例中，在将晶圆W固定到晶圆固持器310的顶表面310a上之后，使用机器人330驱动连接到晶圆固持器310的机械臂340来将晶圆W移动到载具。在一些实施例中，例如，载具是处理腔室中的晶匣盒或静电夹盘。
在一些实施例中，如图15所示，第一倾斜角α1实质上在从约0度至约10度的范围中。另一方面，至少一个纤维321的第二端321b相对于第一端321a实质上同时沿着第二方向A2弯曲。在一些实施例中，如图15所示的至少一个纤维321相对于如图14所示的至少一个纤维321的弯曲角实质上在从约70度至约80度的范围中(亦即，倾斜角α减去第一倾斜角α1)，但本揭示不限于此方面。
在一些实施例中，为了将晶圆W适当地固定到晶圆固持器310上，在晶圆W与晶圆固持器310之间压缩的纤维321的高度实质上在从约0.5μm至约0.8μm的范围中。大于约0.8μm的压缩纤维321的高度可能会产生相对小的接触面积，并且因此导致不良的吸附力，所以晶圆W容易从晶圆固持器310掉落。小于约0.5μm的压缩纤维321的高度可能会使纤维321的分子密度过大，并且导致纤维321彼此粘附，这可能会劣化纤维321的吸附性质，并且使晶圆W容易从晶圆固持器310掉落。
参考图14及图16。在将晶圆W移动到载具之后，晶圆固持器310的顶表面310a相对于晶圆W沿着第二方向A2滑动，以便减少在纤维321与晶圆W之间的接触面积。同时，存在于顶表面310a上的至少一个纤维321相对于顶表面310a以第二倾斜角α2倾斜并且利用第二粘附力附着到晶圆W，其中第一粘附力大于第二粘附力。因此，晶圆W可以随后在由粘接层320产生的较小粘附力下从晶圆固持器310拆离，使得可以有效地防止在拆离期间晶圆W受到破坏。在一些实施例中，如图15及图16所示，第一倾斜角α1小于第二倾斜角α2。
换言之，通过相对于晶圆W实质上沿着第一方向A1滑动晶圆固持器310的顶表面310a，可以增加在粘接层320与晶圆W之间产生的凡得瓦尔力，以便有效地改进在晶圆固持器310与晶圆W之间的OVL品质。通过相对于晶圆W实质上沿着第二方向A1滑动晶圆固持器310的顶表面310a，可以减小在粘接层320与晶圆W之间产生的凡得瓦尔力，以便容易地从晶圆固持器310拆离晶圆W而不破坏晶圆W。
在如图16所示的一些实施例中，第二倾斜角α2实质上在从约30度至约80度的范围中。同时，至少一个纤维321的第二端321b仍相对于第一端321a实质上沿着第二方向A2弯曲。在一些实施例中，如图16所示的至少一个纤维321相对于如图14所示的至少一个纤维321的弯曲角实质上在从约0度至约50度的范围中，但本揭示不限于此方面。
在一些实施例中，一种光微影方法包括使夹盘的顶表面上的多个纤维与主光罩接触。主光罩相对于夹盘的顶表面沿着第一方向滑动以增加在纤维与主光罩之间的接触面积，使得主光罩附着到纤维。
在一些实施例中，在滑动主光罩之后的纤维的高度是在从约0.5μm至约0.8μm的范围中。
在一些实施例中，在滑动主光罩之前的纤维的高度是在从约1μm至约1.5μm的范围中。
在一些实施例中，纤维的宽度是在从约0.2μm至约0.5μm的范围中。
在一些实施例中，滑动主光罩是使得纤维朝向第一方向倾斜。
在一些实施例中，光微影方法进一步包含：相对于夹盘的顶表面沿着与第一方向相反的第二方向滑动主光罩，以减少在纤维与主光罩之间的接触面积。
在一些实施例中，光微影方法进一步包含：在相对于夹盘的顶表面沿着第二方向滑动主光罩之后，从纤维拆离主光罩。
在一些实施例中，光微影方法进一步包含：使用附着到纤维的主光罩来执行光微影制程。
在一些实施例中，一种晶圆处理方法包括使晶圆固持器的顶表面上的多个纤维与晶圆接触。晶圆固持器相对于晶圆沿着第一方向滑动以相对于晶圆固持器的顶表面倾斜纤维，使得晶圆附着到纤维。
在一些实施例中，滑动晶圆固持器是使得在纤维与晶圆之间的接触面积增加。
在一些实施例中，执行滑动晶圆固持器，使得纤维的高度减小。
在一些实施例中，滑动晶圆固持器是使得纤维朝向与第一方向相反的第二方向倾斜。
在一些实施例中，晶圆处理方法进一步包含：相对于晶圆沿着与第一方向相反的第二方向滑动晶圆固持器，以减少在纤维与晶圆之间的接触面积。
在一些实施例中，纤维在相对于晶圆沿着第二方向滑动晶圆固持器时朝向第二方向倾斜。
在一些实施例中，晶圆处理方法进一步包含：在相对于晶圆沿着第二方向滑动晶圆固持器之后，从晶圆拆离晶圆固持器。
在一些实施例中，一种装置包括工件固持元件及多个纤维。纤维在工件固持元件的顶表面上。
在一些实施例中，可弯曲纤维的宽度在从约0.2μm至约0.5μm的范围中。
在一些实施例中，可弯曲纤维的高度在从约1μm至约1.5μm的范围中。
在一些实施例中，可弯曲纤维中的每一个朝向其顶部渐缩。
在一些实施例中，工件固持装置进一步包含真空源。工件固持元件其中具有真空孔。真空源与工件固持元件的真空孔连通。工件固持元件的真空孔由可弯曲纤维围绕。
上文概述了若干实施例的特征，使得熟悉此项技术者可更好地理解本揭示的态样。熟悉此项技术者应了解，可轻易使用本揭示作为设计或修改其他制程及结构的基础，以便实施本文所介绍的实施例的相同目的及/或实现相同优点。熟悉此项技术者亦应认识到，此类等效构造并未脱离本揭示的精神及范畴，且可在不脱离本揭示的精神及范畴的情况下产生本文的各种变化、替代及更改。

Claims (20)

1.一种光微影方法，其特征在于，包含：
使一夹盘的一顶表面上的多个纤维与一主光罩接触；以及
相对于该夹盘的该顶表面沿着一第一方向滑动该主光罩，以增加在所述多个纤维与该主光罩之间的一接触面积，使得该主光罩附着到所述多个纤维。
2.根据权利要求1所述的光微影方法，其特征在于，其中在滑动该主光罩之后的所述多个纤维的一高度是在从0.5μm至0.8μm的一范围中。
3.根据权利要求1所述的光微影方法，其特征在于，其中在滑动该主光罩之前的所述多个纤维的一高度是在从1μm至1.5μm的一范围中。
4.根据权利要求1所述的光微影方法，其特征在于，其中所述多个纤维的一宽度是在从0.2μm至0.5μm的一范围中。
5.根据权利要求1所述的光微影方法，其特征在于，其中滑动该主光罩是使得所述多个纤维朝向该第一方向倾斜。
6.根据权利要求1所述的光微影方法，其特征在于，进一步包含：
相对于该夹盘的该顶表面沿着与该第一方向相反的一第二方向滑动该主光罩，以减少在所述多个纤维与该主光罩之间的一接触面积。
7.根据权利要求6所述的光微影方法，其特征在于，进一步包含：
在相对于该夹盘的该顶表面沿着该第二方向滑动该主光罩之后，从所述多个纤维拆离该主光罩。
8.根据权利要求1所述的光微影方法，其特征在于，进一步包含：
使用附着到所述多个纤维的该主光罩来执行一光微影制程。
9.一种晶圆处理方法，其特征在于，包含：
使一晶圆固持器的一顶表面上的多个纤维与一晶圆接触；以及
相对于该晶圆沿着一第一方向滑动该晶圆固持器以相对于该晶圆固持器的该顶表面倾斜所述多个纤维，使得该晶圆附着到所述多个纤维。
10.根据权利要求9所述的晶圆处理方法，其特征在于，其中滑动该晶圆固持器是使得在所述多个纤维与该晶圆之间的一接触面积增加。
11.根据权利要求9所述的晶圆处理方法，其特征在于，其中执行滑动该晶圆固持器，使得所述多个纤维的一高度减小。
12.根据权利要求9所述的晶圆处理方法，其特征在于，其中滑动该晶圆固持器是使得所述多个纤维朝向与该第一方向相反的一第二方向倾斜。
13.根据权利要求9所述的晶圆处理方法，其特征在于，进一步包含：
相对于该晶圆沿着与该第一方向相反的一第二方向滑动该晶圆固持器，以减少在所述多个纤维与该晶圆之间的一接触面积。
14.根据权利要求13所述的晶圆处理方法，其特征在于，其中所述多个纤维在相对于该晶圆沿着该第二方向滑动该晶圆固持器时朝向该第二方向倾斜。
15.根据权利要求13所述的晶圆处理方法，其特征在于，进一步包含：
在相对于该晶圆沿着该第二方向滑动该晶圆固持器之后，从该晶圆拆离该晶圆固持器。
16.一种工件固持装置，其特征在于，包含：
一工件固持元件；以及
多个可弯曲纤维，在该工件固持元件的一顶表面上，其中所述多个可弯曲纤维中的每一个朝向其顶部渐缩。
17.根据权利要求16所述的工件固持装置，其特征在于，其中所述多个可弯曲纤维的一宽度在从0.2μm至0.5μm的一范围中。
18.根据权利要求16所述的工件固持装置，其特征在于，其中所述多个可弯曲纤维的一高度在从1μm至1.5μm的一范围中。
19.根据权利要求16所述的工件固持装置，其特征在于，其中所述多个可弯曲纤维相对于该工件固持元件的该顶表面倾斜。
20.根据权利要求16所述的工件固持装置，其特征在于，进一步包含：
一真空源，其中该工件固持元件其中具有一真空孔，该真空源与该工件固持元件的该真空孔连通，并且该工件固持元件的该真空孔由所述多个可弯曲纤维围绕。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7256773B2 (ja) * 2020-04-24 2023-04-12 信越化学工業株式会社 平坦性制御方法、塗膜の形成方法、平坦性制御装置、及び塗膜形成装置
KR102460114B1 (ko) * 2022-05-18 2022-10-28 풍원정밀(주) 하이브리드 타입의 포토마스크 및 그 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5563684A (en) * 1994-11-30 1996-10-08 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Adaptive wafer modulator for placing a selected pattern on a semiconductor wafer
CN101030041A (zh) * 2005-10-28 2007-09-05 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
WO2008078992A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, substrate table, and method for enhancing substrate release properties
US20090115979A1 (en) * 2007-10-30 2009-05-07 Asml Netherlands B.V. Immersion lithography apparatus
CN103907181A (zh) * 2011-09-30 2014-07-02 Toto株式会社 静电吸盘

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332609A (ja) * 2000-03-13 2001-11-30 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
US20050238922A1 (en) * 2003-12-25 2005-10-27 Hoya Corporation Substrate with a multilayer reflection film, reflection type mask blank for exposure, reflection type mask for exposure and methods of manufacturing them
JP2006011296A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Toshiba Corp 偏光素子、偏光素子の製造方法、及び露光装置の評価方法
US20080280085A1 (en) * 2006-06-25 2008-11-13 Oren Livne Dynamically Tunable Fibrillar Structures
US20120237730A1 (en) * 2006-12-14 2012-09-20 Metin Sitti Dry adhesives and methods for making dry adhesives
CN102681334B (zh) * 2007-07-06 2015-09-30 旭化成电子材料株式会社 从容纳容器取出大型表膜构件的取出方法
US20140272272A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Matthew Spenko Electrostatic dry adhesives
JP6196123B2 (ja) * 2013-10-18 2017-09-13 東芝メモリ株式会社 チャッククリーナ及びクリーニング方法
KR102653351B1 (ko) * 2015-06-17 2024-04-02 호야 가부시키가이샤 도전막 부착 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법
NL2016873A (en) * 2015-07-02 2017-01-17 Asml Netherlands Bv A Substrate Holder, a Lithographic Apparatus and Method of Manufacturing Devices.
KR102345543B1 (ko) 2015-08-03 2021-12-30 삼성전자주식회사 펠리클 및 이를 포함하는 포토마스크 조립체
JP7017900B2 (ja) * 2016-11-11 2022-02-09 旭化成株式会社 ペリクル構造体、ペリクル収納体及び固定方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5563684A (en) * 1994-11-30 1996-10-08 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Adaptive wafer modulator for placing a selected pattern on a semiconductor wafer
CN101030041A (zh) * 2005-10-28 2007-09-05 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
WO2008078992A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, substrate table, and method for enhancing substrate release properties
US20090115979A1 (en) * 2007-10-30 2009-05-07 Asml Netherlands B.V. Immersion lithography apparatus
CN103907181A (zh) * 2011-09-30 2014-07-02 Toto株式会社 静电吸盘

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