JP2012009883A - 基板処理装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置は、真空室と気体除去のためのロードロックを有する。ロードロックは、基板を支持するために支持テーブルを有する。カバープレートは、ロードロック内に設けられ、カバープレートは、支持テーブルの上方表面に面する下方表面を有する。開口が、カバープレートの下方表面に設けられ、下方表面に対して実質的に垂直な方向に基板上方から気体の除去を可能にする。一実施形態において、支持テーブルの上方表面内の開口を有する気体除去構成が設けられ、支持テーブルの上方表面と基板との間の気体圧力を、初期的に開口を介してロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定圧力に低減する。ロードロックの残り内のロードロック圧力が所定より低く低下されるとき、支持テーブルの上方表面と基板との間の気体圧力はロードロックの残り内のロードロック圧力とともに低減される。
【選択図】図2a
Description
基板が入ることを可能にする第1のドア、および処理チャンバへ直接的または間接的に基板が出ることを可能にする第2のドアを有する気体除去のためのロードロックと、
基板を支持するために上表面を有する、ロードロック内の支持テーブルと、
支持テーブルの上表面に面する下表面を有する、ロードロック内のカバープレートとを備え、
カバープレートの下表面に開口が設けられて、下表面に対して実質的に垂直方向に基板上方から気体の除去を可能にする。
基板が入ることを可能にする第1のドア、および処理チャンバへ直接的または間接的に基板が出ることを可能にする第2のドアを有する気体除去のためのロードロックと、
支持ケーブルの上表面上に複数の等しい高さのバンプを備え、基板を支持するためにロードロック内の温度安定化された支持テーブルと、
支持テーブルの上表面内に開口を備える気体除去構成とを備え、
気体除去構成は、支持テーブルの上表面と基板との間の気体圧力を、開口を初期的に通して、ロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定の圧力に低減し、かつ、ロードロックの残り内のロードロック圧力が所定の圧力より低く低下したときに、ロードロックの残り内のロードロック圧力とともに、支持テーブルの上表面と基板との間の気体圧力を低減する。
基板が入ることを可能にする第1のドア、および処理チャンバへ直接的または間接的に基板が出ることを可能にする第2のドアを有するロードロックと、
ロードロックが通気されたときに気体を提供するためにロードロックに結合され、ロードロックの容積より大きく、かつ/または拡散器を介してロードロックに結合された容積を有するバッファ容器と、
バッファ容器に結合された圧力安定器と、
バッファ容器とロードロックとの間に結合された弁と、
圧力安定器に、弁が閉鎖された間にバッファ容器内の気体圧力を安定化させ、かつロードロックが通気されたときに弁を開放する制御ユニットとを備える。
パターニングされた放射ビームを形成するために、放射ビームの断面にパターンを与えることができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
処理チャンバ内に基板を保持する基板テーブルと、
処理チャンバ内の基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影する投影システムと、
基板にコーティングを施すコーティング塗布デバイスと、
コーティング塗布デバイスから搬送するための第1のドア、および処理チャンバに向けて搬送するための第2のドアを有し、コーティング塗布デバイスと処理チャンバとの間のロードロックと、
コーティング後でありかつロードロック内に入る前に、パターニングされたビームを使用してパターニングされていない基板の少なくとも一部を検査する基板インスペクションシステムとを備える。
パターニングされた放射ビームを形成するために、放射ビームの断面にパターンを与えることができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
処理チャンバ内に基板を保持する基板テーブルと、
処理チャンバ内の基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影する投影システムと、
基板にコーティングを施すためのコーティング塗布デバイスと、
コーティング塗布デバイスと処理チャンバとの間のロードロックであって、コーティング塗布デバイスに向かう第1のドア、および処理チャンバに向かう第2のドアを有し、かつコーティング塗布デバイスを通って進むことなく基板を入れるための第3のドアを有する、ロードロックとを備える。
処理チャンバ内で基板を処理するステップと、
ロードロックを通して処理チャンバへ基板を通過させるステップと、
支持テーブルとカバープレートとの間のロードロック内に基板を挿入するステップと、
ロードロックから気体を取り除くステップと、
カバープレート内の開口を通じて、基板の表面に対して実質的に垂直な方向に、基板とカバープレートとの間の領域からロードロックへ気体を取り除くステップとを含む。
処理チャンバ内で基板を処理するステップと、
ロードロックを通して処理チャンバへ基板を通過させるステップと、
温度安定化支持テーブル上のロードロック内に基板を挿入するステップであって、支持テーブルは、基板を支持する支持テーブルの上表面上に複数の等しい高さのバンプを備え、開口が、支持テーブルの上表面に存在する、基板を挿入するステップと、
基板がバンプ上に載るとき、支持テーブルの上表面と基板との間の空間から開口を通じて気体を取り除くことによって、ロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定の圧力に、初期的に支持テーブルの上表面と基板との間の気体圧力を低減するステップと、
ロードロックの残り内のロードロック圧力が、所定の圧力より低く低下したとき、ロードロックの残り内のロードロック圧力とともに、支持テーブルの上表面と基板との間の気体圧力を低減するステップとを含む。
処理チャンバ内で基板を処理するステップと、
ロードロックを通して処理チャンバから基板を通過させるステップと、
少なくともバッファ容器がロードロックと連通していない間に、バッファ容器内の気体圧力を調整するステップと、
バッファ容器とロードロックとの間に気体流れ接続を提供することによってロードロックを通気するステップとを含む。
基板にフォトレジストコーティングを施すステップと、
基板がコーティングされた後、ロードロックを介して処理チャンバへ基板を通過させるステップと、
処理チャンバ内の基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影するステップと、
コーティング後でありかつロードロック内に入る前に、パターニングされたビームを使用してパターニングされていない基板の少なくとも一部を自動的に検査するステップとを含む。
基板にフォトレジストコーティングを施すステップと、
基板がコーティングされた後、ロードロックの第1のドアを介してロードロックへ基板を通過させるステップと、
基板がコーティングされた後、ロードロックの第2のドアを介してロードロックから処理チャンバへ基板を通過させるステップと、
処理チャンバ内の基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影するステップと、
ロードロックの第3のドアを介して、それからデバイスが製造されないさらなる基板を導入しかつ/または取り除くことによって、デバイスを製造するために使用される装置を洗浄しかつ/または較正するステップとを含む。
放射のビームB(例えば、UV放射またはEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、かつ所定のパラメータにしたがってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続される支持構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、かつ所定のパラメータにしたがって基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続される基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを投影するように構成される投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSとを含む。
Claims (30)
- 処理チャンバを有する基板処理装置であって、
基板が入ることを可能にする第1のドア、および前記処理チャンバへ直接的または間接的に前記基板が出ることを可能にする第2のドアを有する気体除去のためのロードロックと、
前記基板を支持するために上表面を有する、前記ロードロック内の支持テーブルと、
前記支持テーブルの前記上表面に面する下表面を有する、前記ロードロック内のカバープレートとを備え、
前記カバープレートの前記下表面に開口が設けられて、前記下表面に対して実質的に垂直方向に前記基板上方から気体の除去を可能にする、基板処理装置。 - 前記開口は、前記ロードロックの残りへの、または前記ロードロックの前記残りと同一の気体圧力を有する空間への気体の除去を可能にする、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記カバープレートは前記基板の幅より大きい幅を有し、前記支持テーブルおよび/または前記カバープレートの縁部に沿って、前記支持テーブルの前記上表面および/または前記カバープレートの前記下表面から延びるリッジが設けられ、前記基板が前記リッジにはめ込まれる、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記支持テーブルの前記上表面および/または前記カバープレートの前記下表面をこれら表面に対して実質的に垂直方向に互いに対して移動する駆動機構を備える、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記カバープレートは温度安定化される、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記支持テーブルは温度安定化される、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板を支持するための、前記支持テーブルの前記上表面上の複数の等しい高さのバンプと、
前記支持テーブルの前記上表面内に開口を備える気体除去構成とを備え、
前記気体除去構成は、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の気体圧力を、前記支持テーブルの前記上表面内の前記開口を初期的に通して、前記ロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定の圧力に低減し、かつ、前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力が前記所定の圧力より低く低下したときに、前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力とともに、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の前記気体圧力を低減する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記支持テーブル内の孔を通って延びる支持ピンと、駆動機構とを備え、前記駆動機構は、少なくとも、前記支持ピンが前記支持テーブルから上方に延びる第1の位置と、前記支持テーブルの上表面が前記支持ピンの頂部または前記支持ピンの頂部上の上昇したレベルにある第2の位置との間で、前記支持ピンに対して前記支持テーブルを移動する、請求項7に記載の基板処理装置。
- 基板処理装置はリソグラフィ装置であり、前記基板処理装置は、
パターニングされた放射ビームを形成するために、前記放射ビームの断面にパターンを与えることができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記処理チャンバ内に基板を保持する基板テーブルと、
前記処理チャンバ内の前記基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影する投影システムとを備える、請求項1に記載の基板処理装置。 - 処理チャンバを有する基板処理装置であって、
基板が入ることを可能にする第1のドア、および前記処理チャンバへ直接的または間接的に前記基板が出ることを可能にする第2のドアを有する気体除去のためのロードロックと、
支持ケーブルの上表面上に複数の等しい高さのバンプを備え、前記基板を支持するために前記ロードロック内の温度安定化された支持テーブルと、
前記支持テーブルの前記上表面内に開口を備える気体除去構成とを備え、
前記気体除去構成は、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の気体圧力を、前記開口を初期的に通して、前記ロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定の圧力に低減し、かつ、前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力が前記所定の圧力より低く低下したときに、前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力とともに、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の気体圧力を低減する、基板処理装置。 - 前記支持テーブル内の孔を通って延びる支持ピンと、駆動機構とを備え、前記駆動機構は、少なくとも、前記支持ピンが前記支持テーブルから上方に延びる第1の位置と、前記支持テーブルの上表面が前記支持ピンの頂部または前記支持ピンの頂部上の上昇したレベルにある第2の位置との間で、前記支持ピンに対して前記支持テーブルを移動する、請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記支持テーブルは前記基板の幅より大きい幅を有する、請求項10に記載の基板処理装置。
- 基板処理装置はリソグラフィ装置であり、前記基板処理装置は、
パターニングされた放射ビームを形成するために、前記放射ビームの断面にパターンを与えることができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記処理チャンバ内に基板を保持する基板テーブルと、
前記処理チャンバ内の前記基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影する投影システムとを備える、請求項10に記載の基板処理装置。 - 処理チャンバを有する基板処理装置であって、
基板が入ることを可能にする第1のドア、および前記処理チャンバへ直接的または間接的に前記基板が出ることを可能にする第2のドアを有するロードロックと、
前記ロードロックが通気されたときに気体を提供するために前記ロードロックに結合されたバッファ容器であって、前記ロードロックの容積より大きい、および/または拡散器を介して前記ロードロックに結合された容積を有するバッファ容器と、
前記バッファ容器に結合された圧力安定器と、
前記バッファ容器と前記ロードロックとの間に結合された弁と、
前記圧力安定器に、前記弁が閉鎖されている間に前記バッファ容器内の気体圧力を安定化させ、かつ前記ロードロックが通気されたときに前記弁を開放させせる制御ユニットとを備える、基板処理装置。 - 処理チャンバを有するリソグラフィ装置であって、
パターニングされた放射ビームを形成するために、前記放射ビームにその断面にパターンを与えることができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記処理チャンバ内に基板を保持する基板テーブルと、
前記処理チャンバ内の前記基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影する投影システムと、
前記基板にコーティングを施すように構成されたコーティング塗布デバイスと、
前記コーティング塗布デバイスから搬送するための第1のドアおよび前記処理チャンバに向けて搬送するための第2のドアを有し、前記コーティング塗布デバイスと前記処理チャンバとの間のロードロックと、
コーティング後でありかつ前記ロードロック内に入る前に、前記パターニングされたビームを使用してパターニングされていない前記基板の少なくとも一部を検査する基板インスペクションシステムとを備える、リソグラフィ装置。 - 検査の間に前記基板を支持する温度安定構造、および/または検査の間に前記基板と接触する気体の温度を調整する気体温度レギュレータとを備える、請求項15に記載のリソグラフィ装置。
- 処理チャンバを有するリソグラフィ装置であって、
パターニングされた放射ビームを形成するために、前記放射ビームにその断面にパターンを与えることができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記処理チャンバ内に基板を保持する基板テーブルと、
前記処理チャンバ内の前記基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影する投影システムと、
前記基板にコーティングを施すためのコーティング塗布デバイスと、
前記コーティング塗布デバイスと前記処理チャンバとの間のロードロックであって、前記コーティング塗布デバイスに向かう第1のドア、および前記処理チャンバに向かう第2のドアを有し、かつ前記コーティング塗布デバイスを通って進むことなく基板を入れるための第3のドアを有するロードロックとを備える、リソグラフィ装置。 - デバイス製造方法であって、
処理チャンバ内で基板を処理するステップと、
ロードロックを通して前記処理チャンバへ前記基板を通過させるステップと、
支持テーブルとカバープレートとの間の前記ロードロック内に前記基板を挿入するステップと、
前記ロードロックから気体を取り除くステップと、
前記カバープレート内の開口を通じて、前記基板の表面に対して実質的に垂直な方向に、前記基板と前記カバープレートとの間の領域から前記ロードロックへ気体を取り除くステップとを含むデバイス製造方法。 - 前記基板の周辺へ、または前記基板の周辺から前記基板の中心に向かう気体流れを妨げるステップを含む、請求項18に記載のデバイス製造方法。
- 前記基板が、前記支持テーブルの上表面上に配置された後、前記支持テーブルの前記上表面および/または前記カバープレートの下表面を互いに向かって移動させるステップを含む請求項18に記載のデバイス製造方法。
- デバイス製造方法であって、
処理チャンバ内で基板を処理するステップと、
ロードロックを通して前記処理チャンバへ前記基板を通過させるステップと、
温度安定化支持テーブル上の前記ロードロック内に前記基板を挿入するステップであって、前記支持テーブルは前記基板を支持する前記支持テーブルの上表面上に複数の等しい高さのバンプを備え、前記支持テーブルの前記上表面に開口が存在する、前記基板を挿入するステップと、
前記基板が前記バンプ上に載るとき、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の空間から前記開口を通じて気体を取り除くことによって、前記ロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定の圧力に、初期的に前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の気体圧力を低減するステップと、
前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力が前記所定の圧力より低く低下したときに、前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力とともに、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の気体圧力を低減するステップとを含むデバイス製造方法。 - 前記基板の上表面に面する下表面を有する前記カバープレートを有する前記ロードロック内に配置されたカバープレートを提供するステップを含む、請求項21に記載のデバイス製造方法。
- 前記基板が前記支持テーブルの前記上表面上に配置された後、前記支持テーブルの前記上表面および/または前記カバープレートの前記下表面を互いに向けて移動させるステップを含む、請求項22に記載のデバイス製造方法。
- 前記カバープレートの前記下表面内の開口を通じて前記基板上の空間から気体を取り除くステップを含む、請求項22に記載のデバイス製造方法。
- 前記基板の周辺から前記基板の中心に向かう気体流れを妨げるステップを含む、請求項24に記載のデバイス製造方法。
- 前記処理チャンバ内の前記基板上にパターニングされたビームを投影するステップを含む、請求項21に記載のデバイス製造方法。
- デバイス製造方法であって、
処理チャンバ内で基板を処理するステップと、
ロードロックを通して前記処理チャンバから前記基板を通過させるステップと、
少なくともバッファ容器が前記ロードロックと連通していない間に、前記バッファ容器内の気体圧力を調整するステップと、
前記バッファ容器と前記ロードロックとの間に気体流れ接続を提供することによって前記ロードロックを通気するステップとを含む、デバイス製造方法。 - デバイス製造方法であって、
基板にフォトレジストコーティングを施すステップと、
前記基板がコーティングされた後、ロードロックを介して処理チャンバへ前記基板を通過させるステップと、
前記処理チャンバ内の前記基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影するステップと、
コーティング後でありかつ前記ロードロック内に入る前に、前記パターニングされたビームを使用してパターニングされていない前記基板の少なくとも一部を自動的に検査するステップとを含む、デバイス製造方法。 - 検査の間に前記基板の温度を安定化させるステップを含む、請求項28に記載のデバイス製造方法。
- デバイス製造方法であって、
基板にフォトレジストコーティングを施すステップと、
前記基板がコーティングされた後、ロードロックの第1のドアを介して前記ロードロックへ前記基板を通過させるステップと、
前記基板がコーティングされた後、ロードロックの第2のドアを介して前記ロードロックから処理チャンバへ前記基板を通過させるステップと、
前記処理チャンバ内の前記基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影するステップと、
前記ロードロックの第3のドアを介して、それからデバイスが製造されないさらなる基板を導入しかつ/または取り除くことによって、前記デバイスを製造するために使用される装置を洗浄しかつ/または較正するステップとを含む、デバイス製造方法。
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