JP4806898B2 - 乾燥装置、乾燥方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、乾燥装置、乾燥方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法に関する。
近年、携帯電話機、携帯型コンピュータなどといった電子機器の表示部に有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置という）や、液晶装置等といった電気光学装置からなる表示装置が広く用いられている。有機ＥＬ装置の画素は、基板上の画素領域に液状体の高分子有機材料を塗布して有機膜を形成し、次いで、その基板を乾燥処理（熱処理を含む）することで有機膜を硬化させる工程を有して形成される。また、液晶装置のカラーフィルタは、ＲＧＢの異なる着色層毎に材料が塗布形成されている。従来、このような有機膜や着色層の硬化乾燥方法としては、減圧乾燥装置（オーブン）が用いられている。
従来の減圧乾燥装置は、炉をなすオーブンの内部空間が、気密に構成されていると共に、例えば複数枚のウェハが搭載された複数のウェハカセットが収容され得るようになっている。各ウェハは、それぞれ前以て表面にポリイミド或いはポリイミド前駆体等の有機膜が塗布されている。この有機膜は被乾燥物である。オーブンの内部は、負圧に設定され、その内部にガスが供給され、熱線等により温度をあげると共に、そのオーブン内で発生した熱気流を排気口から排気され得るようになっている（例えば、特許文献１、２、３参照）。
特開平７−１８３２０６号公報
特開平５−３１５２３６号公報
特開２００２−２４６３０５号公報
ところで、このような乾燥装置を用いた場合においては、基板の周囲から乾燥が進むため、基板の中央部、周辺部での乾燥速度の違いによる膜厚バラツキが生じるという問題があった。また、基板上に乾燥速度が異なる材料を塗布した場合には、基板の中央部や周辺部に関係なく、乾燥速度が小さい材料よりも乾燥速度が大きい材料が先に乾燥してしまい、膜厚バラツキが生じてしまうという問題があった。更に、このような膜厚バラツキは、基板サイズが大きい程、面内の膜厚均一性を得ることが困難になるという問題があった。
また、膜厚バラツキを改善するためには、自然乾燥処理、プレベーク処理、最終ベーク処理等の工程を経て行う方法があるが、これは工程数の増加により、スループットが低下してしまうという問題があった。また、基板サイズが大きくなる程、製造コストが大きくなるため、乾燥工程を簡素化する必要があった。
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、基板サイズが大きい場合でも、パネル面内で均一な乾燥を実現し、均一な膜厚で薄膜が形成可能となり、スループットの向上を達成できる乾燥装置、乾燥方法を提供することを目的とする。また、当該乾燥方法を利用した有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法を提供すると共に、当該方法によって製造された有機エレクトロルミネッセンス装置及び液晶装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の乾燥装置は、基板上の被乾燥対象を乾燥させる乾燥装置であって、前記基板に対向配置された乾燥手段を具備し、当該基板と当該乾燥手段の対向方向の距離が、前記基板上の平面方向の第１部分と第２部分の間において連続的に異なっていることを特徴としている。
本発明の乾燥装置は、基板上の被乾燥対象を乾燥させる乾燥装置であって、前記基板に対向配置された乾燥手段を具備し、当該基板と当該乾燥手段の対向方向の距離が、前記基板上の平面方向の第１部分と第２部分の間において連続的に異なっていることを特徴としている。
ここで、乾燥手段は、熱や気体流動等によって、被乾燥対象を乾燥させる機能を有している。
本発明によれば、乾燥手段が基板に対向配置されているので、基板上の被乾燥対象が乾燥手段によって乾燥する。ここで、基板と乾燥手段の対向方向の距離が、基板の平面方向の第１部分と第２部分の間において連続的に異なっているので、第１部分と第２部分の間において被乾燥対象の乾燥の程度を連続的に異ならせることができる。従って、基板と乾燥手段の対向方向の距離を、第１部分と第２部分の間において異ならせて、被乾燥対象の乾燥速度を連続的に異ならせることができる。
本発明によれば、乾燥手段が基板に対向配置されているので、基板上の被乾燥対象が乾燥手段によって乾燥する。ここで、基板と乾燥手段の対向方向の距離が、基板の平面方向の第１部分と第２部分の間において連続的に異なっているので、第１部分と第２部分の間において被乾燥対象の乾燥の程度を連続的に異ならせることができる。従って、基板と乾燥手段の対向方向の距離を、第１部分と第２部分の間において異ならせて、被乾燥対象の乾燥速度を連続的に異ならせることができる。
ここで、基板上の第１部分と第２部分において予め被乾燥対象の乾燥速度に差がある場合には、第１部分と第２部分における基板と乾燥手段の対向方向の距離を異ならせることによって、乾燥速度の差を相殺することができ、基板上の被乾燥対象を均一に乾燥させることができる。
例えば、予め第１部分の乾燥速度が小さい場合には、上記対向方向の距離を短くし、また、第２部分の乾燥速度が大きい場合には、上記対向方向の距離を長くし、更に、第１部分と第２部分の間では上記対向方向の距離を連続的に異ならせることで、第１部分と第２部分における乾燥速度の差を相殺することができ、基板上の被乾燥対象を均一に乾燥させることができる。
従って、従来のように乾燥速度の差異に起因して被乾燥対象の膜厚が不均一になるという問題を解決でき、即ち、被乾燥対象の膜厚バラツキを抑制できる。また、基板サイズが大きい場合であっても基板面内の被乾燥対象の膜厚均一性を得ることができる。
例えば、予め第１部分の乾燥速度が小さい場合には、上記対向方向の距離を短くし、また、第２部分の乾燥速度が大きい場合には、上記対向方向の距離を長くし、更に、第１部分と第２部分の間では上記対向方向の距離を連続的に異ならせることで、第１部分と第２部分における乾燥速度の差を相殺することができ、基板上の被乾燥対象を均一に乾燥させることができる。
従って、従来のように乾燥速度の差異に起因して被乾燥対象の膜厚が不均一になるという問題を解決でき、即ち、被乾燥対象の膜厚バラツキを抑制できる。また、基板サイズが大きい場合であっても基板面内の被乾燥対象の膜厚均一性を得ることができる。
また、本発明においては、基板に対向配置された乾燥手段を具備し、基板と乾燥手段の対向方向の距離を異ならせた乾燥装置を用いることで、被乾燥対象の膜厚均一化を図ることができる。また、従来のように膜厚バラツキを均一にするための複数の工程が不要になるので、工程数の削減に伴う高スループット化を実現できる。また、基板サイズが大きくなったとしても、乾燥装置が簡素であるので、製造コストを削減できる。
また、前記乾燥装置においては、前記第１部分は基板中央部であり、前記第２部分は基板周辺部であり、前記基板中央部における前記基板と前記乾燥手段の対向方向の距離は、前記基板周辺部における前記基板と前記乾燥手段の対向方向の距離よりも短いことを特徴としている。
ここで、従来においては、被乾燥対象の乾燥速度が、基板中央部で小さく、かつ、基板周辺部で大きいため、基板中央部及び基板周辺部で膜厚バラツキが生じるという問題があったが、本発明では、基板中央部における基板と乾燥手段の対向方向の距離が、基板周辺部における基板と乾燥手段の対向方向の距離よりも短いので、基板周辺部と基板中央部における乾燥速度の差を相殺することができ、基板上の被乾燥対象を均一に乾燥させることができる。
ここで、従来においては、被乾燥対象の乾燥速度が、基板中央部で小さく、かつ、基板周辺部で大きいため、基板中央部及び基板周辺部で膜厚バラツキが生じるという問題があったが、本発明では、基板中央部における基板と乾燥手段の対向方向の距離が、基板周辺部における基板と乾燥手段の対向方向の距離よりも短いので、基板周辺部と基板中央部における乾燥速度の差を相殺することができ、基板上の被乾燥対象を均一に乾燥させることができる。
また、前記乾燥装置においては、前記基板上において第１部分には第１被乾燥対象が形成され、第２部分には当該第１乾燥対象よりも乾燥速度が大きい第２乾燥対象が形成されており、前記第１部分における前記基板と前記乾燥手段の対向方向の距離は、前記第２部分における前記基板と前記乾燥手段の対向方向の距離よりも短いことを特徴としている。
ここで、従来においては、基板上に乾燥速度が異なる被乾燥対象を塗布した場合には、乾燥速度が小さい被乾燥対象よりも乾燥速度が大きい被乾燥対象が先に乾燥してしまい、膜厚バラツキが生じてしまうという問題があったが、本発明では、第１被乾燥対象の形成部における基板と乾燥手段の対向方向の距離が、第２被乾燥対象の形成部における基板と乾燥手段の対向方向の距離よりも短いので、第１被乾燥対象と第２被乾燥対象の乾燥速度の差を相殺することができ、基板上の被乾燥対象を均一に乾燥させることができる。
ここで、従来においては、基板上に乾燥速度が異なる被乾燥対象を塗布した場合には、乾燥速度が小さい被乾燥対象よりも乾燥速度が大きい被乾燥対象が先に乾燥してしまい、膜厚バラツキが生じてしまうという問題があったが、本発明では、第１被乾燥対象の形成部における基板と乾燥手段の対向方向の距離が、第２被乾燥対象の形成部における基板と乾燥手段の対向方向の距離よりも短いので、第１被乾燥対象と第２被乾燥対象の乾燥速度の差を相殺することができ、基板上の被乾燥対象を均一に乾燥させることができる。
また、前記乾燥装置においては、前記基板上には、当該基板の平面方向に所定間隔で隔たれた複数の領域と、当該領域毎に配置された前記被乾燥対象が形成されており、一の前記領域における前記基板と前記乾燥手段の対向方向の距離が、一の前記領域上の第３部分と第４部分との間において連続的に異なっていることを特徴としている。
本発明によれば、一の領域における基板と乾燥手段の対向方向の距離が、一の領域上の第３部分と第４部分の間において連続的に異なっているので、第３部分と第４部分の間において被乾燥対象の乾燥の程度を連続的に異ならせることができる。従って、一の領域における基板と乾燥手段の対向方向の距離を、第３部分と第４部分の間において所望に異ならせて、一の領域における被乾燥対象の乾燥速度を連続的に任意に異ならせることができる。
ここで、一の領域における第３部分と第４部分において予め被乾燥対象の乾燥速度に差がある場合には、第３部分と第４部分における基板と乾燥手段の対向方向の距離を異ならせることによって、乾燥速度の差を相殺することができ、基板上の被乾燥対象を均一に乾燥させることができる。
例えば、予め第３部分の乾燥速度が小さい場合には、上記対向方向の距離を短くし、また、第４部分の乾燥速度が大きい場合には、上記対向方向の距離を長くし、更に、第３部分と第４部分の間では上記対向方向の距離を連続的に異ならせることで、第３部分と第４部分における乾燥速度の差を相殺することができ、一の領域における被乾燥対象を均一に乾燥させることができる。
例えば、予め第３部分の乾燥速度が小さい場合には、上記対向方向の距離を短くし、また、第４部分の乾燥速度が大きい場合には、上記対向方向の距離を長くし、更に、第３部分と第４部分の間では上記対向方向の距離を連続的に異ならせることで、第３部分と第４部分における乾燥速度の差を相殺することができ、一の領域における被乾燥対象を均一に乾燥させることができる。
また、前記乾燥装置においては、前記基板における前記被乾燥対象の形成面に、前記乾燥手段が対向配置されていることを特徴としている。
このようにすれば、被乾燥対象と乾燥手段が対向配置されているので、被乾燥対象と乾燥手段の間の空間を介して、乾燥手段が被乾燥対象を乾燥する。具体的には、乾燥手段が熱作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、乾燥手段と被乾燥対象の間の空間に熱が伝熱することによって被乾燥対象が乾燥する。また、乾燥手段が気体流動作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、乾燥手段と被乾燥対象の間の空間において、気体が流動することによって被乾燥対象が乾燥する。このように、本発明においては、乾燥手段と被乾燥対象の間の空間において、被乾燥対象を直接的に乾燥させることができる。
また、基板の第１部分と第２部分において基板と乾燥手段の対向方向の距離、即ち、第１部分と第２部分において乾燥手段と被乾燥対象の間の高さを異ならせると、当該高さの差異に応じて被乾燥対象の乾燥速度を異ならせることができる。
このようにすれば、被乾燥対象と乾燥手段が対向配置されているので、被乾燥対象と乾燥手段の間の空間を介して、乾燥手段が被乾燥対象を乾燥する。具体的には、乾燥手段が熱作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、乾燥手段と被乾燥対象の間の空間に熱が伝熱することによって被乾燥対象が乾燥する。また、乾燥手段が気体流動作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、乾燥手段と被乾燥対象の間の空間において、気体が流動することによって被乾燥対象が乾燥する。このように、本発明においては、乾燥手段と被乾燥対象の間の空間において、被乾燥対象を直接的に乾燥させることができる。
また、基板の第１部分と第２部分において基板と乾燥手段の対向方向の距離、即ち、第１部分と第２部分において乾燥手段と被乾燥対象の間の高さを異ならせると、当該高さの差異に応じて被乾燥対象の乾燥速度を異ならせることができる。
また、前記乾燥装置においては、前記基板における前記被乾燥対象の形成面とは反対の面に、前記乾燥手段が対向配置されていることを特徴としている。
このようにすれば、被乾燥対象の形成面とは反対の面に乾燥手段が対向配置されているので、被乾燥対象が形成された基板と、当該基板と乾燥手段の間の空間とを介して、乾燥手段が被乾燥対象を乾燥する。具体的には、乾燥手段が熱作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、乾燥手段と基板の間の空間に熱が伝熱し、更に当該熱が基板に伝熱することによって被乾燥対象が乾燥する。このように、本発明においては、乾燥手段と被乾燥対象の間の基板と空間を介して、被乾燥対象を乾燥させることができる。
また、基板の第１部分と第２部分において基板と乾燥手段の対向方向の距離、即ち、第１部分と第２部分において乾燥手段と基板の間の高さを異ならせると、当該高さの差異に応じて被乾燥対象の乾燥速度を異ならせることができる。
このようにすれば、被乾燥対象の形成面とは反対の面に乾燥手段が対向配置されているので、被乾燥対象が形成された基板と、当該基板と乾燥手段の間の空間とを介して、乾燥手段が被乾燥対象を乾燥する。具体的には、乾燥手段が熱作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、乾燥手段と基板の間の空間に熱が伝熱し、更に当該熱が基板に伝熱することによって被乾燥対象が乾燥する。このように、本発明においては、乾燥手段と被乾燥対象の間の基板と空間を介して、被乾燥対象を乾燥させることができる。
また、基板の第１部分と第２部分において基板と乾燥手段の対向方向の距離、即ち、第１部分と第２部分において乾燥手段と基板の間の高さを異ならせると、当該高さの差異に応じて被乾燥対象の乾燥速度を異ならせることができる。
また、前記乾燥装置においては、前記基板の両面に、前記乾燥手段が各々対向配置されていることを特徴としている。
このようにすれば、乾燥手段が基板両面に対向配置されているので、被乾燥対象と乾燥手段の間の空間を介して乾燥手段が被乾燥対象を乾燥すると共に、被乾燥対象が形成された基板と、当該基板と乾燥手段の間の空間とを介して、乾燥手段が被乾燥対象を乾燥する。
具体的に説明すると、被乾燥対象が形成された基板面において、乾燥手段が熱作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、乾燥手段と被乾燥対象の間の空間に熱が伝熱することによって被乾燥対象が乾燥する。また、乾燥手段が気体流動作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、乾燥手段と被乾燥対象の間の空間において、気体が流動することによって被乾燥対象が乾燥する。
また、被乾燥対象の形成面とは反対の基板面において、乾燥手段が熱作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、乾燥手段と基板の間の空間に熱が伝熱し、更に当該熱が基板に伝熱することによって被乾燥対象が乾燥する。
このようにすれば、乾燥手段が基板両面に対向配置されているので、被乾燥対象と乾燥手段の間の空間を介して乾燥手段が被乾燥対象を乾燥すると共に、被乾燥対象が形成された基板と、当該基板と乾燥手段の間の空間とを介して、乾燥手段が被乾燥対象を乾燥する。
具体的に説明すると、被乾燥対象が形成された基板面において、乾燥手段が熱作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、乾燥手段と被乾燥対象の間の空間に熱が伝熱することによって被乾燥対象が乾燥する。また、乾燥手段が気体流動作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、乾燥手段と被乾燥対象の間の空間において、気体が流動することによって被乾燥対象が乾燥する。
また、被乾燥対象の形成面とは反対の基板面において、乾燥手段が熱作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、乾燥手段と基板の間の空間に熱が伝熱し、更に当該熱が基板に伝熱することによって被乾燥対象が乾燥する。
このように、本発明は、被乾燥対象が形成された基板面における、乾燥手段と被乾燥対象の間の空間において、被乾燥対象を直接的に乾燥させることができる。
また、本発明は、被乾燥対象の形成面とは反対の基板面における、乾燥手段と被乾燥対象の間の基板と空間を介して、被乾燥対象を乾燥させることができる。
また、基板上の第１部分と第２部分において基板と乾燥手段の対向方向の距離、即ち、第１部分と第２部分において乾燥手段と被乾燥対象の間の高さを異ならせると、当該高さの差異に応じて被乾燥対象の乾燥速度を異ならせることができる。
また、本発明は、被乾燥対象の形成面とは反対の基板面における、乾燥手段と被乾燥対象の間の基板と空間を介して、被乾燥対象を乾燥させることができる。
また、基板上の第１部分と第２部分において基板と乾燥手段の対向方向の距離、即ち、第１部分と第２部分において乾燥手段と被乾燥対象の間の高さを異ならせると、当該高さの差異に応じて被乾燥対象の乾燥速度を異ならせることができる。
また、前記乾燥装置においては、前記基板における前記被乾燥対象の形成面に、第１の前記乾燥手段及び第２の前記乾燥手段が対向配置されていることを特徴としている。
このようにすれば、被乾燥対象に対して、第１及び第２の乾燥手段が対向配置されているので、被乾燥対象と第１及び第２の乾燥手段の間の空間を介して、第１及び第２の乾燥手段が被乾燥対象を直接的に乾燥させることができる。
このようにすれば、第１及び第２の被乾燥対象と乾燥手段が対向配置されているので、第１及び第２の被乾燥対象と乾燥手段の間の空間を介して、第１及び第２の乾燥手段が被乾燥対象を乾燥する。具体的には、第１の乾燥手段が熱作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、第１の乾燥手段と被乾燥対象の間の空間に熱が伝熱することによって被乾燥対象が乾燥する。また、第２の乾燥手段が気体流動作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、第２の乾燥手段と被乾燥対象の間の空間において、気体が流動することによって被乾燥対象が乾燥する。このように、本発明においては、第１及び第２の乾燥手段と被乾燥対象の間の空間において、被乾燥対象を直接的に乾燥させることができる。
また、基板の第１部分と第２部分において基板と第１及び第２の乾燥手段の対向方向の距離、即ち、第１部分と第２部分において第１及び第２の乾燥手段と被乾燥対象の間の高さを異ならせると、当該高さの差異に応じて被乾燥対象の乾燥速度を異ならせることができる。
このようにすれば、被乾燥対象に対して、第１及び第２の乾燥手段が対向配置されているので、被乾燥対象と第１及び第２の乾燥手段の間の空間を介して、第１及び第２の乾燥手段が被乾燥対象を直接的に乾燥させることができる。
このようにすれば、第１及び第２の被乾燥対象と乾燥手段が対向配置されているので、第１及び第２の被乾燥対象と乾燥手段の間の空間を介して、第１及び第２の乾燥手段が被乾燥対象を乾燥する。具体的には、第１の乾燥手段が熱作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、第１の乾燥手段と被乾燥対象の間の空間に熱が伝熱することによって被乾燥対象が乾燥する。また、第２の乾燥手段が気体流動作用によって被乾燥対象を乾燥させる場合には、第２の乾燥手段と被乾燥対象の間の空間において、気体が流動することによって被乾燥対象が乾燥する。このように、本発明においては、第１及び第２の乾燥手段と被乾燥対象の間の空間において、被乾燥対象を直接的に乾燥させることができる。
また、基板の第１部分と第２部分において基板と第１及び第２の乾燥手段の対向方向の距離、即ち、第１部分と第２部分において第１及び第２の乾燥手段と被乾燥対象の間の高さを異ならせると、当該高さの差異に応じて被乾燥対象の乾燥速度を異ならせることができる。
また、前記乾燥装置においては、前記乾燥手段は、前記被乾燥対象に熱を与えて、当該被乾燥対象を乾燥させることを特徴としている。
このようにすれば、乾燥手段が被乾燥対象に熱を与えることによって、当該被乾燥対象を乾燥させることができる。具体的には、乾燥手段としてヒータ等の加熱装置を有する構成が採用される。ここで、基板と乾燥手段の対向方向の距離を長くすると、乾燥手段の発熱が基板上に伝熱し難くなり、当該距離が長い部分での乾燥速度を小さくすることができる。これに対して、基板と乾燥手段の対向方向の距離を短くすると、乾燥手段の発熱が基板上に伝熱しやすくなり、当該距離が短い部分での乾燥速度を大きくすることができる。
このようにすれば、乾燥手段が被乾燥対象に熱を与えることによって、当該被乾燥対象を乾燥させることができる。具体的には、乾燥手段としてヒータ等の加熱装置を有する構成が採用される。ここで、基板と乾燥手段の対向方向の距離を長くすると、乾燥手段の発熱が基板上に伝熱し難くなり、当該距離が長い部分での乾燥速度を小さくすることができる。これに対して、基板と乾燥手段の対向方向の距離を短くすると、乾燥手段の発熱が基板上に伝熱しやすくなり、当該距離が短い部分での乾燥速度を大きくすることができる。
従って、上記のように、基板と乾燥手段の対向方向の距離が、基板の平面方向の第１部分と第２部分の間において連続的に異なっている場合には、第１部分と第２部分の間において基板に対する伝熱作用を連続的に異ならせることができる。従って、基板と乾燥手段の対向方向の距離を、第１部分と第２部分の間において所望に異ならせることによって、被乾燥対象の乾燥速度を連続的に任意に異ならせることができる。
また、前記乾燥装置においては、前記乾燥手段は、前記被乾燥対象上の気体を流動させて、当該被乾燥対象を乾燥させることを特徴としている。
このようにすれば、乾燥手段が被乾燥対象上の気体を流動させることによって、当該被乾燥対象を乾燥させることができる。具体的には、乾燥手段として減圧ポンプ等の減圧装置が採用される。ここで、基板と乾燥手段の対向方向の距離を長くすると、被乾燥対象上の気体の流速が小さくなり、当該距離が長い部分での乾燥速度を大きくすることができる。これに対して、基板と乾燥手段の対向方向の距離を短くすると、被乾燥対象上の気体の流速が大きくなり、当該距離が短い部分での乾燥速度を大きくすることができる。
このようにすれば、乾燥手段が被乾燥対象上の気体を流動させることによって、当該被乾燥対象を乾燥させることができる。具体的には、乾燥手段として減圧ポンプ等の減圧装置が採用される。ここで、基板と乾燥手段の対向方向の距離を長くすると、被乾燥対象上の気体の流速が小さくなり、当該距離が長い部分での乾燥速度を大きくすることができる。これに対して、基板と乾燥手段の対向方向の距離を短くすると、被乾燥対象上の気体の流速が大きくなり、当該距離が短い部分での乾燥速度を大きくすることができる。
従って、上記のように、基板と乾燥手段の対向方向の距離が、基板の平面方向の第１部分と第２部分の間において連続的に異なっている場合には、第１部分と第２部分の間において基板上の気体の流速を連続的に異ならせることができる。従って、基板と乾燥手段の対向方向の距離を、第１部分と第２部分の間において所望に異ならせることによって、被乾燥対象の乾燥速度を連続的に任意に異ならせることができる。
また、本発明の乾燥方法は、基板上に形成された被乾燥対象を乾燥させる乾燥方法であって、先に記載の乾燥装置を用いることにより、前記基板上の被乾燥対象を乾燥させることを特徴としている。
このようにすれば、先に記載の乾燥装置と同様の効果を得ることができる。従って、従来のように乾燥速度の差異に起因して被乾燥対象の膜厚が不均一になるという問題を解決でき、即ち、被乾燥対象の膜厚バラツキを抑制し、膜厚均一化を図ることができる。また、基板サイズが大きい場合であっても基板面内の被乾燥対象の膜厚均一性を得ることができる。
また、従来のように膜厚バラツキを均一にするための複数の工程が不要になるので、工程数の削減に伴う高スループット化を実現できる。また、基板サイズが大きくなったとしても、乾燥装置が簡素であるので、製造コストを削減できる。
このようにすれば、先に記載の乾燥装置と同様の効果を得ることができる。従って、従来のように乾燥速度の差異に起因して被乾燥対象の膜厚が不均一になるという問題を解決でき、即ち、被乾燥対象の膜厚バラツキを抑制し、膜厚均一化を図ることができる。また、基板サイズが大きい場合であっても基板面内の被乾燥対象の膜厚均一性を得ることができる。
また、従来のように膜厚バラツキを均一にするための複数の工程が不要になるので、工程数の削減に伴う高スループット化を実現できる。また、基板サイズが大きくなったとしても、乾燥装置が簡素であるので、製造コストを削減できる。
また、本発明の乾燥方法は、湿式成膜法を利用することにより、前記被乾燥対象が形成されていることを特徴としている。また、当該湿式成膜法としては、液滴吐出方式であることが好ましい。
このようにすれば、湿式成膜法によって形成された被乾燥対象や、液滴吐出方式によって形成された被乾燥対象を乾燥させることができる。また、このような方法で成膜された被乾燥対象は、その周辺部で乾燥しやすく、中央部で乾燥しにくいという特性を有している。従って、上記の乾燥方法を採用することにより、湿式成膜法や液滴吐出方式で成膜された被乾燥対象を均一に乾燥させることができる。これにより、被乾燥対象の膜厚の均一化を実現できる。
このようにすれば、湿式成膜法によって形成された被乾燥対象や、液滴吐出方式によって形成された被乾燥対象を乾燥させることができる。また、このような方法で成膜された被乾燥対象は、その周辺部で乾燥しやすく、中央部で乾燥しにくいという特性を有している。従って、上記の乾燥方法を採用することにより、湿式成膜法や液滴吐出方式で成膜された被乾燥対象を均一に乾燥させることができる。これにより、被乾燥対象の膜厚の均一化を実現できる。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に発光機能層を具備する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、湿式成膜法を利用することにより前記基板上に前記発光機能層を塗布した後に、先に記載の乾燥方法を用いて当該発光機能層を乾燥させることを特徴としている。
このようにすれば、発光機能層の膜厚バラツキを抑制し、膜厚均一化を図ることができる。また、基板サイズが大きい場合であっても基板面内の発光機能層の膜厚均一性を得ることができる。また、従来のように膜厚バラツキを均一にするための複数の工程が不要になるので、工程数の削減に伴う高スループット化を実現できる。また、基板サイズが大きくなったとしても、乾燥装置が簡素であるので、製造コストを削減できる。
このようにすれば、発光機能層の膜厚バラツキを抑制し、膜厚均一化を図ることができる。また、基板サイズが大きい場合であっても基板面内の発光機能層の膜厚均一性を得ることができる。また、従来のように膜厚バラツキを均一にするための複数の工程が不要になるので、工程数の削減に伴う高スループット化を実現できる。また、基板サイズが大きくなったとしても、乾燥装置が簡素であるので、製造コストを削減できる。
また、本発明のカラーフィルタの製造方法は、基板上に複数の異なる着色層を具備するカラーフィルタの製造方法であって、湿式成膜法を利用することにより前記基板上に前記着色層を塗布した後に、先に記載の乾燥方法を用いて当該着色層を乾燥させることを特徴としている。
このようにすれば、着色層の膜厚バラツキを抑制し、膜厚均一化を図ることができる。また、基板サイズが大きい場合であっても基板面内の着色層の膜厚均一性を得ることができる。また、従来のように膜厚バラツキを均一にするための複数の工程が不要になるので、工程数の削減に伴う高スループット化を実現できる。また、基板サイズが大きくなったとしても、乾燥装置が簡素であるので、製造コストを削減できる。
このようにすれば、着色層の膜厚バラツキを抑制し、膜厚均一化を図ることができる。また、基板サイズが大きい場合であっても基板面内の着色層の膜厚均一性を得ることができる。また、従来のように膜厚バラツキを均一にするための複数の工程が不要になるので、工程数の削減に伴う高スループット化を実現できる。また、基板サイズが大きくなったとしても、乾燥装置が簡素であるので、製造コストを削減できる。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に発光機能層を具備する有機エレクトロルミネッセンス装置であって、先に記載の製造方法を利用して製造されたことを特徴としている。
このようにすれば、先に記載の製造方法と同様の効果が得られるので、膜厚均一化が施された発光機能層を備え、発光特性が優れ、安価な有機エレクトロルミネッセンス装置となる。
このようにすれば、先に記載の製造方法と同様の効果が得られるので、膜厚均一化が施された発光機能層を備え、発光特性が優れ、安価な有機エレクトロルミネッセンス装置となる。
また、本発明の液晶装置は、液晶層を挟持する対向基板と、複数の異なる着色層からなるカラーフィルタとを具備する液晶装置であって、前記カラーフィルタは先に記載の製造方法を利用して製造されたことを特徴としている。
このようにすれば、先に記載の製造方法と同様の効果が得られるので、膜厚均一化が施された着色層を備えたカラーフィルタを有し、安価な液晶装置となる。
このようにすれば、先に記載の製造方法と同様の効果が得られるので、膜厚均一化が施された着色層を備えたカラーフィルタを有し、安価な液晶装置となる。
以下、本発明を詳しく説明する。
なお、本実施形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
なお、本実施形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
（第１実施形態）
まず、本発明の乾燥装置の第１実施形態を説明する。
図１は、本実施形態の乾燥装置の構造を説明するための断面図である。
図１に示すように、乾燥装置１ａは、加熱装置（乾燥手段）４上に塗布材料（被乾燥対象）３が塗布された基板２を備えた構成となっている。また、当該乾燥装置１ａは、Ｎ２ガス等が充填されたチャンバ内に配置されており、不活性ガス雰囲気下において塗布材料３の乾燥を行うようになっている。
まず、本発明の乾燥装置の第１実施形態を説明する。
図１は、本実施形態の乾燥装置の構造を説明するための断面図である。
図１に示すように、乾燥装置１ａは、加熱装置（乾燥手段）４上に塗布材料（被乾燥対象）３が塗布された基板２を備えた構成となっている。また、当該乾燥装置１ａは、Ｎ２ガス等が充填されたチャンバ内に配置されており、不活性ガス雰囲気下において塗布材料３の乾燥を行うようになっている。
このような乾燥装置１ａにおいて、加熱装置４は、伝熱部材５及び加熱源６から構成されている。また、伝熱部材５は、基板２に対向する位置に基板対向面５ｂを備え、当該基板対向面５ｂと基板２の間には空隙５ａが形成されている。基板対向面５ｂは所定の曲率の曲面であり、基板２の中央部（第１部分）２ｃと周辺部（第２部分）２ｓにおいて、空隙５ａの大きさを異ならせている。また、中央部２ｃから周辺部２ｓに向けて、空隙５ａの大きさが連続的に異なっている。
具体的には、基板サイズが５００ｍｍ□の場合には、基板中央部２ｃにおける空隙５ａは約１ｍｍ程度の隙間（対向方向の距離）ｔｃとなっており、基板周辺部２ｓにおける空隙５ａは約４０ｍｍ程度の隙間（対向方向の距離）ｔｓとなっている。そして、中央部２ｃから周辺部２ｓに向けて隙間が連続的に異なっている。
なお、空隙５ａ内の伝熱部材５と基板２との間には、不図示のギャップ部材が設けられており、当該ギャップ部材は基板２の撓みが生じないように空隙５ａ上に基板２を保持するようになっている。従って、基板２は伝熱部材５の上面において平坦な状態で保持されている。
なお、空隙５ａ内の伝熱部材５と基板２との間には、不図示のギャップ部材が設けられており、当該ギャップ部材は基板２の撓みが生じないように空隙５ａ上に基板２を保持するようになっている。従って、基板２は伝熱部材５の上面において平坦な状態で保持されている。
また、加熱源６は、ホットプレート、赤外線照射部等の公知の加熱装置である。また、加熱源６には温度制御装置が接続されており、所望の温度に設定可能となっている。本実施形態においては、加熱源６の温度は３０℃〜６０℃に設定されている。
塗布材料３は、乾燥装置１ａに基板２が搬入される前に、公知の湿式成膜法によって塗布された材料であり、機能性材料と溶媒が均一に混合された材料である。当該塗布材料３は基板２の上面に均一な膜で塗布形成されている。
なお、本実施形態においては、被乾燥対象として塗布材料を代表に上げて説明するが、当該塗布材料を限定するものではない。例えば、固化している材料や粉末でもよい。
なお、本実施形態においては、被乾燥対象として塗布材料を代表に上げて説明するが、当該塗布材料を限定するものではない。例えば、固化している材料や粉末でもよい。
次に、乾燥装置１ａの動作について説明する。
図１に示すように、加熱源６によって伝熱部材５が加熱されると、当該伝熱部材５の熱は空隙５ａを介して基板２に伝達する。ここで、空隙５ａにおいては、ｔｃ＜ｔｓであるので、中央部２ｃと周辺部２ｓを比較して、加熱源６の発熱は基板周辺部２ｓに伝達し難くなる。また、中央部２ｃから周辺部２ｓに向けて隙間が連続的に異なっているので、中央部２ｃから周辺部２ｓに向けて基板２への伝熱量が勾配を有することとなる。従って、中央部２ｃにおいては熱量が高く、周辺部２ｓにおいては熱量が低くなり、中央部２ｃが高温、周辺部２ｓが低温となる。これによって、塗布材料３に含まれる溶媒は中央部２ｃにおいて乾燥しやすく、周辺部２ｓにおいて乾燥し難くなる。また、中央部２ｃと周辺部２ｓの間において連続的に乾燥速度が異なることとなる。
図１に示すように、加熱源６によって伝熱部材５が加熱されると、当該伝熱部材５の熱は空隙５ａを介して基板２に伝達する。ここで、空隙５ａにおいては、ｔｃ＜ｔｓであるので、中央部２ｃと周辺部２ｓを比較して、加熱源６の発熱は基板周辺部２ｓに伝達し難くなる。また、中央部２ｃから周辺部２ｓに向けて隙間が連続的に異なっているので、中央部２ｃから周辺部２ｓに向けて基板２への伝熱量が勾配を有することとなる。従って、中央部２ｃにおいては熱量が高く、周辺部２ｓにおいては熱量が低くなり、中央部２ｃが高温、周辺部２ｓが低温となる。これによって、塗布材料３に含まれる溶媒は中央部２ｃにおいて乾燥しやすく、周辺部２ｓにおいて乾燥し難くなる。また、中央部２ｃと周辺部２ｓの間において連続的に乾燥速度が異なることとなる。
ここで、自然放置状態、或いは本実施例とは異なり通常のｔｃ＝ｔｓの場合における基板２上の塗布材料３は、中央部２ｃよりも周辺部２ｓにおいて乾燥しやすい性質を有している。従って、上記のように加熱装置４が中央部２ｃと周辺部２ｓにおける塗布材料３の乾燥速度を異ならせることによって、基板２上において、塗布材料３を均一に乾燥させることが可能となる。
上述したように、本実施形態においては、伝熱部材５の空隙５ａの隙間は、ｔｃ＜ｔｓとなっており、また、中央部２ｃから周辺部２ｓに向けて隙間が連続的に異なっているので、中央部２ｃと周辺部２ｓの間において塗布材料３の乾燥速度を連続的に異ならせることができる。
ここで、自然放置状態、或いは本実施例とは異なり通常のｔｃ＝ｔｓの場合における塗布材料３の乾燥速度は、中央部２ｃにおいて小さく、周辺部２ｓにおいて大きいので、上記伝熱部材５の伝熱を利用することによって、乾燥速度の差を相殺することができ、塗布材料３を均一に乾燥させることができる。
従って、従来のように乾燥速度の差異に起因して塗布材料３の膜厚が不均一になるという問題を解決でき、即ち、塗布材料３の膜厚バラツキを抑制できる。また、基板サイズが大きい場合であっても基板２面内の塗布材料３の膜厚均一性を得ることができる。
ここで、自然放置状態、或いは本実施例とは異なり通常のｔｃ＝ｔｓの場合における塗布材料３の乾燥速度は、中央部２ｃにおいて小さく、周辺部２ｓにおいて大きいので、上記伝熱部材５の伝熱を利用することによって、乾燥速度の差を相殺することができ、塗布材料３を均一に乾燥させることができる。
従って、従来のように乾燥速度の差異に起因して塗布材料３の膜厚が不均一になるという問題を解決でき、即ち、塗布材料３の膜厚バラツキを抑制できる。また、基板サイズが大きい場合であっても基板２面内の塗布材料３の膜厚均一性を得ることができる。
また、加熱源６が伝熱部材５を介して塗布材料３に熱を与えるので、当該塗布材料３を乾燥させることができる。また、伝熱部材５の空隙５ａがｔｃ＜ｔｓであるので、隙間ｔｓにおいては塗布材料３に伝熱し難くなり、乾燥速度を小さくすることができる。これに対して、隙間ｔｃにおいては塗布材料３に伝熱しやすくなり、乾燥速度を大きくすることができる。
また、基板２の裏面側、即ち、塗布材料３の形成面とは反対の面に、伝熱部材５が配置されているので、基板２を介して乾燥装置４が塗布材料３を乾燥させることができる。
また、従来のように膜厚バラツキを均一にするための複数の工程が不要になるので、工程数の削減に伴う高スループット化を実現できる。また、基板サイズが大きくなったとしても、乾燥装置４が簡素であるので、製造コストを削減できる。
なお、本実施形態においては、中央部２ｃと周辺部２ｓの塗布材料３の乾燥速度が異なる場合に、上記の乾燥装置４を用いて中央部２ｃと周辺部２ｓの乾燥速度及び膜厚バラツキを均一化しているが、これを限定するものではない。
例えば、乾燥速度が小さい塗布材料（第１被乾燥対象）とそれが大きい塗布材料（第２被乾燥対象）が同一の基板２上に塗布形成されている場合に、乾燥速度が小さい塗布材料が塗布された部分（第１部分）における隙間ｔｃと、乾燥速度が大きい塗布材料が塗布された部分（第２部分）における隙間ｔｓを異ならせ、ｔｃ＜ｔｓとなるように上記のように塗布材料３を乾燥させてもよい。このようにすれば、乾燥速度が大きい塗布材料と乾燥速度が小さい塗布材料の乾燥速度の差を相殺することができ、基板２上の塗布材料を均一に乾燥させることができ、均一な膜厚を実現できる。
例えば、乾燥速度が小さい塗布材料（第１被乾燥対象）とそれが大きい塗布材料（第２被乾燥対象）が同一の基板２上に塗布形成されている場合に、乾燥速度が小さい塗布材料が塗布された部分（第１部分）における隙間ｔｃと、乾燥速度が大きい塗布材料が塗布された部分（第２部分）における隙間ｔｓを異ならせ、ｔｃ＜ｔｓとなるように上記のように塗布材料３を乾燥させてもよい。このようにすれば、乾燥速度が大きい塗布材料と乾燥速度が小さい塗布材料の乾燥速度の差を相殺することができ、基板２上の塗布材料を均一に乾燥させることができ、均一な膜厚を実現できる。
（第２実施形態）
次に、本発明の乾燥装置の第２実施形態を説明する。
図２は、本実施形態の乾燥装置の構造を説明するための断面図である。
なお、本実施形態においては、先に記載の実施形態と異なる部分について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。
次に、本発明の乾燥装置の第２実施形態を説明する。
図２は、本実施形態の乾燥装置の構造を説明するための断面図である。
なお、本実施形態においては、先に記載の実施形態と異なる部分について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。
本実施形態においては、基板２上に複数の領域２ａが設けられており、当該領域毎に塗布材料３を形成した場合について説明する。
図２に示すように、乾燥装置１ｂは、伝熱部材５’を備えており、当該伝熱部材５’は領域２ａに応じた複数の空隙５ａを備えている。ここで、空隙５ａにおいては領域２ａ毎に基板２と伝熱部材５’の間の隙間が異なっている。具体的には、領域２ａの中央部（第３部分）２ａｃと周辺部（第４部分）２ａｓおいて、空隙５ａの大きさを異ならせ、かつ、領域中央部２ａｃから領域周辺部２ａｓに向けて、空隙５ａの大きさが連続的に異なっている。また、領域中央部２ａｃにおける空隙５ａは約１ｍｍ程度の隙間（対向方向の距離）ｔｃとなっており、領域周辺部２ａｓにおける空隙５ａは約２ｍｍ程度の隙間（対向方向の距離）ｔｓとなっている。
図２に示すように、乾燥装置１ｂは、伝熱部材５’を備えており、当該伝熱部材５’は領域２ａに応じた複数の空隙５ａを備えている。ここで、空隙５ａにおいては領域２ａ毎に基板２と伝熱部材５’の間の隙間が異なっている。具体的には、領域２ａの中央部（第３部分）２ａｃと周辺部（第４部分）２ａｓおいて、空隙５ａの大きさを異ならせ、かつ、領域中央部２ａｃから領域周辺部２ａｓに向けて、空隙５ａの大きさが連続的に異なっている。また、領域中央部２ａｃにおける空隙５ａは約１ｍｍ程度の隙間（対向方向の距離）ｔｃとなっており、領域周辺部２ａｓにおける空隙５ａは約２ｍｍ程度の隙間（対向方向の距離）ｔｓとなっている。
上述したように、本実施形態においては、領域２ａにおける基板２と伝熱部材５’の間隙５ａの隙間が、ｔｃ＜ｔｓとなるように設定され、かつ、その隙間が領域中央部２ａｃと領域周辺部２ａｓの間において連続的に異なっているので、領域中央部２ａｃと領域周辺部２ａｓの間において塗布材料３の乾燥速度を連続的に異ならせることができる。
ここで、自然放置状態、或いは本実施例とは異なり通常のｔｃ＝ｔｓの場合における塗布材料３の乾燥速度は、領域中央部２ａｃにおいて小さく、領域周辺部２ａｓにおいて大きいので、上記伝熱部材５’の伝熱による乾燥速度の差を相殺することができ、領域２ａ毎に塗布材料３を均一に乾燥させることができる。
従って、乾燥速度の差異に起因して領域２ａ毎の塗布材料３の膜厚が不均一になるという問題を解決でき、即ち、領域２ａ毎の塗布材料３の膜厚バラツキを抑制できる。
従って、乾燥速度の差異に起因して領域２ａ毎の塗布材料３の膜厚が不均一になるという問題を解決でき、即ち、領域２ａ毎の塗布材料３の膜厚バラツキを抑制できる。
（第３実施形態）
次に、本発明の乾燥装置の第３実施形態を説明する。
図３は、本実施形態の乾燥装置の構造を説明するための断面図である。
なお、本実施形態においては、先に記載の実施形態と異なる部分について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。
次に、本発明の乾燥装置の第３実施形態を説明する。
図３は、本実施形態の乾燥装置の構造を説明するための断面図である。
なお、本実施形態においては、先に記載の実施形態と異なる部分について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。
図３に示すように、乾燥装置１ｃは、基板２がステージ９上に載置されており、当該基板２に対向するように加熱装置４が配置されている。そして、基板２上に塗布材料（被乾燥対象）３が塗布されており、加熱装置４と塗布材料３が直接的に対向している。
ここで、加熱装置４は、加熱源６と温度調整ユニット７と高さ調整機構８とを備えており、高さ調整機構８は加熱源６と基板２の間隔を所望に設定するようになっている。そして、本実施形態においては、高さ調整機構８は隙間ｔｃ及び隙間ｔｓをｔｃ＜ｔｓとなるようにしている。
ここで、加熱装置４は、加熱源６と温度調整ユニット７と高さ調整機構８とを備えており、高さ調整機構８は加熱源６と基板２の間隔を所望に設定するようになっている。そして、本実施形態においては、高さ調整機構８は隙間ｔｃ及び隙間ｔｓをｔｃ＜ｔｓとなるようにしている。
上述したように、本実施形態においては、先に記載の実施形態と同様の効果を奏すると共に、加熱源６と塗布材料３が対向配置されているので、塗布材料３と加熱源６の間の空間を介して、塗布材料３を直接的に乾燥させることができる。
（第４実施形態）
次に、本発明の乾燥装置の第４実施形態を説明する。
図４は、本実施形態の乾燥装置の構造を説明するための断面図である。
なお、本実施形態においては、先に記載の実施形態と異なる部分について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。
次に、本発明の乾燥装置の第４実施形態を説明する。
図４は、本実施形態の乾燥装置の構造を説明するための断面図である。
なお、本実施形態においては、先に記載の実施形態と異なる部分について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。
図４に示すように、乾燥装置１ｄは、基板２がステージ９上に載置されており、当該基板２に対向するように減圧装置（乾燥手段）１０が配置されている。そして、基板２上に塗布材料（被乾燥対象）３が塗布されており、減圧装置１０と塗布材料３が直接的に対向している。
ここで、減圧装置１０は、吸引部１１と減圧ポンプ１２とを備えている。減圧ポンプ１２と吸引部１１は配管によって接続されており、減圧ポンプによって気体が吸引されることによって、吸引部１１の複数の吸引孔１１ａから基板２上の気体を吸引するようになっている。吸引孔１１ａは、吸引部１１の吸引面１１ｂ上に疎密が生じないように等ピッチで形成されており、その孔径は同一になっている。そして、本実施形態においては、吸引面１１ｂと基板２の間の間隔が、基板中央部２ｃと基板周辺部２ｓにおいて異なっており、基板中央部２ｃにおける隙間ｔｃが基板周辺部２ｓにおける隙間ｔｓよりも小さくなっている。
ここで、減圧装置１０は、吸引部１１と減圧ポンプ１２とを備えている。減圧ポンプ１２と吸引部１１は配管によって接続されており、減圧ポンプによって気体が吸引されることによって、吸引部１１の複数の吸引孔１１ａから基板２上の気体を吸引するようになっている。吸引孔１１ａは、吸引部１１の吸引面１１ｂ上に疎密が生じないように等ピッチで形成されており、その孔径は同一になっている。そして、本実施形態においては、吸引面１１ｂと基板２の間の間隔が、基板中央部２ｃと基板周辺部２ｓにおいて異なっており、基板中央部２ｃにおける隙間ｔｃが基板周辺部２ｓにおける隙間ｔｓよりも小さくなっている。
次に、乾燥装置１ｄの動作について説明する。
図４に示すように、減圧ポンプ１２が作動すると、吸引部１１内が減圧され、塗布材料３上の気体が吸引孔１１ａを介して吸引部１１内に均一に吸引される。ここで、吸引面１１ｂと基板２の間隔は、ｔｃ＜ｔｓであるので、中央部２ｃと周辺部２ｓを比較して、中央部２ｃ上の気体の流速は周辺部２ｓよりも大きくなる。また、中央部２ｃから周辺部２ｓに向けて隙間が連続的に異なっているので、中央部２ｃから周辺部２ｓに向けて基板２上での気体の流速が勾配を有することとなる。従って、中央部２ｃにおいては流速が大きく、周辺部２ｓにおいては流速が小さくなる。これによって、塗布材料３に含まれる溶媒は中央部２ｃにおいて乾燥しやすく、周辺部２ｓにおいて乾燥し難くなる。また、中央部２ｃと周辺部２ｓの間において連続的に乾燥速度が異なることとなる。
図４に示すように、減圧ポンプ１２が作動すると、吸引部１１内が減圧され、塗布材料３上の気体が吸引孔１１ａを介して吸引部１１内に均一に吸引される。ここで、吸引面１１ｂと基板２の間隔は、ｔｃ＜ｔｓであるので、中央部２ｃと周辺部２ｓを比較して、中央部２ｃ上の気体の流速は周辺部２ｓよりも大きくなる。また、中央部２ｃから周辺部２ｓに向けて隙間が連続的に異なっているので、中央部２ｃから周辺部２ｓに向けて基板２上での気体の流速が勾配を有することとなる。従って、中央部２ｃにおいては流速が大きく、周辺部２ｓにおいては流速が小さくなる。これによって、塗布材料３に含まれる溶媒は中央部２ｃにおいて乾燥しやすく、周辺部２ｓにおいて乾燥し難くなる。また、中央部２ｃと周辺部２ｓの間において連続的に乾燥速度が異なることとなる。
ここで、自然放置状態、或いは本実施例とは異なり通常のｔｃ＝ｔｓの場合おける基板２上の塗布材料３は、中央部２ｃよりも周辺部２ｓにおいて乾燥しやすい性質を有している。従って、上記のように中央部２ｃと周辺部２ｓにおける塗布材料３の乾燥速度を異ならせることによって、基板２上において、塗布材料３を均一に乾燥させることが可能となる。
上述したように、本実施形態においては、吸引面１１ｂと基板２の隙間は、ｔｃ＜ｔｓとなっており、また、中央部２ｃから周辺部２ｓに向けて隙間が連続的に異なっているので、中央部２ｃと周辺部２ｓの間において塗布材料３の乾燥速度を連続的に異ならせることができる。
ここで、自然放置状態、或いは本実施例とは異なり通常のｔｃ＝ｔｓの場合における塗布材料３の乾燥速度は、中央部２ｃにおいて小さく、周辺部２ｓにおいて大きいので、吸引部１１が吸引することによって生じる流速の差を利用することによって、乾燥速度の差を相殺することができ、塗布材料３を均一に乾燥させることができる。
従って、従来のように乾燥速度の差異に起因して塗布材料３の膜厚が不均一になるという問題を解決でき、即ち、塗布材料３の膜厚バラツキを抑制できる。また、基板サイズが大きい場合であっても基板２面内の塗布材料３の膜厚均一性を得ることができる。
ここで、自然放置状態、或いは本実施例とは異なり通常のｔｃ＝ｔｓの場合における塗布材料３の乾燥速度は、中央部２ｃにおいて小さく、周辺部２ｓにおいて大きいので、吸引部１１が吸引することによって生じる流速の差を利用することによって、乾燥速度の差を相殺することができ、塗布材料３を均一に乾燥させることができる。
従って、従来のように乾燥速度の差異に起因して塗布材料３の膜厚が不均一になるという問題を解決でき、即ち、塗布材料３の膜厚バラツキを抑制できる。また、基板サイズが大きい場合であっても基板２面内の塗布材料３の膜厚均一性を得ることができる。
また、塗布材料３上の気体を流動させて、当該塗布材料３を乾燥させることができる。ここで、基板２と吸引面１１ｂの隙間を長くすると、塗布材料３上の気体の流速が小さくなり、乾燥速度を大きくすることができる。これに対して、基板２と吸引面１１ｂの隙間を短くすると、塗布材料３上の気体の流速が大きくなり、乾燥速度を大きくすることができる。
（第５実施形態）
次に、本発明の乾燥装置の第５実施形態を説明する。
図５は、本実施形態の乾燥装置の構造を説明するための断面図である。
なお、本実施形態においては、先に記載の実施形態と異なる部分について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。
次に、本発明の乾燥装置の第５実施形態を説明する。
図５は、本実施形態の乾燥装置の構造を説明するための断面図である。
なお、本実施形態においては、先に記載の実施形態と異なる部分について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。
図５に示すように、乾燥装置１ｅは、第１実施形態に示した加熱装置４と、第４実施形態に示した減圧装置１０を共に備えた構成となっており、基板２の両面に各々加熱装置４と減圧装置１０が対向して配置されている。
このような構成された乾燥装置１ｅにおいては、塗布材料３と減圧装置１０の間の空間を介して塗布材料３を直接的に乾燥させることができ、また、基板２を介して加熱装置４が塗布材料３を乾燥させることができる。
従って、上記実施形態の効果を共に得ることができる。
このような構成された乾燥装置１ｅにおいては、塗布材料３と減圧装置１０の間の空間を介して塗布材料３を直接的に乾燥させることができ、また、基板２を介して加熱装置４が塗布材料３を乾燥させることができる。
従って、上記実施形態の効果を共に得ることができる。
（第６実施形態）
次に、本発明の乾燥装置の第６実施形態を説明する。
図６は、本実施形態の乾燥装置の構造を説明するための断面図である。
なお、本実施形態においては、先に記載の実施形態と異なる部分について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。
次に、本発明の乾燥装置の第６実施形態を説明する。
図６は、本実施形態の乾燥装置の構造を説明するための断面図である。
なお、本実施形態においては、先に記載の実施形態と異なる部分について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を簡略化する。
図６に示すように、乾燥装置１ｆは、第３実施形態に示した加熱装置（第１の乾燥手段）４と、第４実施形態に示した減圧装置（第２の乾燥手段）１０を塗布材料３に対向するように配置された構成となっている。
具体的には、吸引部１１の吸引面１１ｂに加熱源６が設けられており、また、加熱源６は吸引孔１１ａを被覆しないようになっている。このような構成によって、基板２の塗布材料３に対し、第４実施形態に記載したような気体の流動をさせる場合と、第３実施形態に記載したような加熱源６を用いる場合と、を共に利用して乾燥させることができる。
従って、減圧装置１０と加熱装置４を用いて塗布材料３を直接的に乾燥させることができる。
具体的には、吸引部１１の吸引面１１ｂに加熱源６が設けられており、また、加熱源６は吸引孔１１ａを被覆しないようになっている。このような構成によって、基板２の塗布材料３に対し、第４実施形態に記載したような気体の流動をさせる場合と、第３実施形態に記載したような加熱源６を用いる場合と、を共に利用して乾燥させることができる。
従って、減圧装置１０と加熱装置４を用いて塗布材料３を直接的に乾燥させることができる。
（有機ＥＬ装置）
次に、図７から図１１を参照し、本発明の有機ＥＬ装置について説明する。
図７、図８は有機ＥＬ装置の一例の概略構成を説明するための図であり、これらの図において符号７０は有機ＥＬ装置である。
この有機ＥＬ装置７０は、図７の回路図に示すように透明基板上に、複数の走査線１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の交点毎に、画素７１が設けられて構成されたものである。
次に、図７から図１１を参照し、本発明の有機ＥＬ装置について説明する。
図７、図８は有機ＥＬ装置の一例の概略構成を説明するための図であり、これらの図において符号７０は有機ＥＬ装置である。
この有機ＥＬ装置７０は、図７の回路図に示すように透明基板上に、複数の走査線１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の交点毎に、画素７１が設けられて構成されたものである。
信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路７２が設けられている。
一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路７３が設けられている。また、画素領域７１の各々には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ１４２と、このスイッチング薄膜トランジスタ１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ１４３と、このカレント薄膜トランジスタ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極（一方の電極）１４１と、この画素電極１４１と陰極１５４との間に挟み込まれる発光部１４０と、が設けられている。
一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路７３が設けられている。また、画素領域７１の各々には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ１４２と、このスイッチング薄膜トランジスタ１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ１４３と、このカレント薄膜トランジスタ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極（一方の電極）１４１と、この画素電極１４１と陰極１５４との間に挟み込まれる発光部１４０と、が設けられている。
このような構成のもとに、走査線１３１が駆動されてスイッチング薄膜トランジスタ１４２がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、カレント薄膜トランジスタ１４３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ１４３のチャネルを介して共通給電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ、更に、発光部１４０を通じて陰極１５４に電流が流れることにより、発光部１４０は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。
ここで、各画素７１の平面構造は、陰極１５４や発光部１４０を取り除いた状態での拡大平面図である図８に示すように、平面形状が長方形の画素電極１４１の四辺が、信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。
ここで、各画素７１の平面構造は、陰極１５４や発光部１４０を取り除いた状態での拡大平面図である図８に示すように、平面形状が長方形の画素電極１４１の四辺が、信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。
次に、このような有機ＥＬ装置７０の製造方法について、図９〜図１１を用いて説明する。なお、図９〜図１１では、説明を簡略化するべく、単一の画素７１についてのみ図示する。
ここで、有機ＥＬ装置７０では後述する発光層による発光光を基板側から取り出すことも可能であり、また基板と反対側から取り出す構成とすることも可能である。発光光を基板側から取り出す構成とする場合、基板材料としてはガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明なものが用いられるが、特に安価なガラスが好適に用いられる。
ここで、有機ＥＬ装置７０では後述する発光層による発光光を基板側から取り出すことも可能であり、また基板と反対側から取り出す構成とすることも可能である。発光光を基板側から取り出す構成とする場合、基板材料としてはガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明なものが用いられるが、特に安価なガラスが好適に用いられる。
また、基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を配置して、発光色を制御するようにしてもよい。
また、基板と反対側から発光光を取り出す構成の場合、基板は不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
本例では、基板として図９（ａ）に示すようにガラス等からなる透明基板（基板）１２１を用意する。そして、これに対し、必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成する。
また、基板と反対側から発光光を取り出す構成の場合、基板は不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
本例では、基板として図９（ａ）に示すようにガラス等からなる透明基板（基板）１２１を用意する。そして、これに対し、必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成する。
次に、透明基板１２１の温度を約３５０℃に設定して、下地保護膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜２００を形成する。次いで、この半導体膜２００に対してレーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜２００をポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は例えば２００ｍＪ／ｃｍ２とする。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
次いで、図９（ｂ）に示すように、半導体膜（ポリシリコン膜）２００をパターニングして島状の半導体膜２１０とし、その表面に対して、ＴＥＯＳや酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜２２０を形成する。なお、半導体膜２１０は、図８に示したカレント薄膜トランジスタ１４３のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においてはスイッチング薄膜トランジスタ１４２のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。つまり、図９〜図１１に示す製造工程では二種類のトランジスタ１４２、１４３が同時に作られるのであるが、同じ手順で作られるため、以下の説明ではトランジスタに関しては、カレント薄膜トランジスタ１４３についてのみ説明し、スイッチング薄膜トランジスタ１４２についてはその説明を省略する。
次いで、図９（ｃ）に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、これをパターニングし、ゲート電極１４３Ａを形成する。
次いで、この状態で高濃度のリンイオンを打ち込み、半導体膜２１０に、ゲート電極１４３Ａに対して自己整合的にソース・ドレイン領域１４３ａ、１４３ｂを形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域１４３ｃとなる。
次いで、この状態で高濃度のリンイオンを打ち込み、半導体膜２１０に、ゲート電極１４３Ａに対して自己整合的にソース・ドレイン領域１４３ａ、１４３ｂを形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域１４３ｃとなる。
次いで、図９（ｄ）に示すように、層間絶縁膜２３０を形成した後、コンタクトホール２３２、２３４を形成し、これらコンタクトホール２３２、２３４内に中継電極２３６、２３８を埋め込む。
次いで、図９（ｅ）に示すように、層間絶縁膜２３０上に、信号線１３２、共通給電線１３３及び走査線（図９に示さず）を形成する。ここで、中継電極２３８と各配線とは、同一工程で形成されていてもよい。このとき、中継電極２３６は、後述するＩＴＯ膜により形成されることになる。
次いで、図９（ｅ）に示すように、層間絶縁膜２３０上に、信号線１３２、共通給電線１３３及び走査線（図９に示さず）を形成する。ここで、中継電極２３８と各配線とは、同一工程で形成されていてもよい。このとき、中継電極２３６は、後述するＩＴＯ膜により形成されることになる。
そして、各配線の上面をも覆うように層間絶縁膜２４０を形成し、中継電極２３６に対応する位置にコンタクトホール（図示せず）を形成し、そのコンタクトホール内にも埋め込まれるようにＩＴＯ膜を形成し、更に、そのＩＴＯ膜をパターニングして、信号線１３２、共通給電線１３３及び走査線（図示せず）に囲まれた所定位置に、ソース・ドレイン領域１４３ａに電気的に接続する画素電極１４１を形成する。ここで、信号線１３２及び共通給電線１３３、更に、は走査線（図示せず）に挟まれた部分が、後述するように正孔注入層（発光機能層、被乾燥対象）や発光層（発光機能層、被乾燥対象）の形成場所となっている。
次いで、図１０（ａ）に示すように、前記の形成場所を囲むように隔壁１５０を形成する。この隔壁１５０は仕切り部材として機能するものであり、例えばポリイミド等の絶縁性有機材料で形成するのが好ましい。隔壁１５０の膜厚については、例えば１〜２μｍの高さとなるように形成する。また、隔壁１５０は、液滴吐出ヘッド部３４から吐出される液状体に対して非親和性（撥液性）を示すものが好ましい。隔壁１５０に非親和性を発現させるためには、例えば隔壁１５０の表面をフッ素系化合物などで表面処理するといった方法が採用される。フッ素化合物としては、例えばＣＦ４ 、ＳＦ５ 、ＣＨＦ３ などがあり、表面処理としては、例えばプラズマ処理、ＵＶ照射処理などが挙げられる。
そして、このような構成のもとに、正孔注入層や発光層の形成場所、すなわちこれらの形成材料の塗布位置とその周囲の隔壁１５０との間には、十分な高さの段差１１１が形成されているのである。
そして、このような構成のもとに、正孔注入層や発光層の形成場所、すなわちこれらの形成材料の塗布位置とその周囲の隔壁１５０との間には、十分な高さの段差１１１が形成されているのである。
次いで、図１０（ｂ）に示すように、インクジェット法（液滴吐出方式）を利用して正孔注入層を形成する。具体的には、透明基板１２１の上面を上に向けた状態で、正孔注入層（被乾燥対象）の形成材料（塗布材料）を液滴吐出ヘッド部３４より、隔壁１５０に囲まれた塗布位置、即ち、隔壁１５０内に選択的に塗布する。
なお、正孔注入層の形成材料としては、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸の混合物、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミン誘導体等が挙げられる。
このとき、液状の形成材料１１４Ａは、塗布された位置を囲んで隔壁１５０が形成されているので、形成材料１１４Ａは隔壁１５０を越えてその外側に広がることが防止されている。
このとき、液状の形成材料１１４Ａは、塗布された位置を囲んで隔壁１５０が形成されているので、形成材料１１４Ａは隔壁１５０を越えてその外側に広がることが防止されている。
次いで、図１０（ｃ）に示すように加熱あるいは気体流動により液状の形成材料１１４Ａの溶媒を蒸発させて、画素電極１４１上に、固形の正孔注入層（発光機能層、被乾燥対象）１４０Ａを形成する。
当該図１０（ｃ）においては、上記の第１〜第６実施形態の記載したいずれかの乾燥装置を用いることにより乾燥処理が行われる。
即ち、透明基板１２１における正孔注入層１４０Ａが形成される側（形成面）に加熱装置４や減圧装置１０を対向配置させる。更に、自然乾燥や通常乾燥では、乾燥速度が大きい透明基板１２１の周辺部では、加熱装置４又は減圧装置１０と透明基板１２１の距離を大きくする。また、乾燥速度が小さい透明基板１２１の中央部では、加熱装置４又は減圧装置１０と透明基板１２１の距離を小さくする。
このような乾燥装置を用いることにより、乾燥速度の差異に起因して正孔注入層１４０Ａの膜厚バラツキが生じるという問題を解決し、透明基板１２１の中央部及び周辺部における正孔注入層１４０Ａの膜厚を均一にすることができる。
特に、インクジェット法を利用して正孔注入層１４０Ａを形成する場合には、透明基板１２１の周辺部における乾燥速度が中央部よりも大きいために乾燥ムラが生じやすいが、上記の乾燥方法を利用することにより、乾燥ムラの発生を抑制できるので、均一な膜厚、均一な膜質で正孔注入層１４０Ａを形成することができる。また、正孔注入層１４０Ａの膜厚、膜質が均一になることで、発光特性や発光寿命のバラツキを抑制することができる。
当該図１０（ｃ）においては、上記の第１〜第６実施形態の記載したいずれかの乾燥装置を用いることにより乾燥処理が行われる。
即ち、透明基板１２１における正孔注入層１４０Ａが形成される側（形成面）に加熱装置４や減圧装置１０を対向配置させる。更に、自然乾燥や通常乾燥では、乾燥速度が大きい透明基板１２１の周辺部では、加熱装置４又は減圧装置１０と透明基板１２１の距離を大きくする。また、乾燥速度が小さい透明基板１２１の中央部では、加熱装置４又は減圧装置１０と透明基板１２１の距離を小さくする。
このような乾燥装置を用いることにより、乾燥速度の差異に起因して正孔注入層１４０Ａの膜厚バラツキが生じるという問題を解決し、透明基板１２１の中央部及び周辺部における正孔注入層１４０Ａの膜厚を均一にすることができる。
特に、インクジェット法を利用して正孔注入層１４０Ａを形成する場合には、透明基板１２１の周辺部における乾燥速度が中央部よりも大きいために乾燥ムラが生じやすいが、上記の乾燥方法を利用することにより、乾燥ムラの発生を抑制できるので、均一な膜厚、均一な膜質で正孔注入層１４０Ａを形成することができる。また、正孔注入層１４０Ａの膜厚、膜質が均一になることで、発光特性や発光寿命のバラツキを抑制することができる。
次いで、図１１（ａ）に示すように、インクジェット法（液滴吐出方式）を利用して発光層（発光機能層）を形成する。具体的には、透明基板１２１の上面を上に向けた状態で、隔壁１５０に囲まれた正孔注入層１４０Ａの上に、液滴吐出ヘッド部３４よりインクとして発光層の形成材料１１４Ｂを選択的に塗布する。
発光材料１１４Ｂとしては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。特に、本実施形態では、フルカラー表示を行うべく、前述したようにその発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応したものが用いられる。即ち、発光波長帯域が赤色に対応した発光層、緑色に対応した発光層、青色に対応した発光層の三つの発光層（ドット）により、１画素が構成され、これらが階調して発光することにより、有機ＥＬ装置１が全体としてフルカラー表示をなすようになっている。
この発光材料１１４Ｂとして具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などの高分子系材料が好適に用いられる。
また、これらの高分子系材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
また、これらの高分子系材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
また、赤色発光材料１１４Ｂとしては（化１）に示す材料を採用することが好ましく、緑色発光材料１１４Ｂとしては、（化２）、（化３）に示す材料の混合系を採用することが好ましい。また、当該赤色及び緑色発光材料の溶媒としては、１，２４−トリメチルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、シクロヘキシルベンゼン等を採用することが好ましい。
また、青色発光材料１１４Ｂとしては（化４）に示す材料を採用することが好ましい。また、当該青色発光材料の溶媒としては、ジハイドロベンゾフラン、シクロヘキシルベンゼン等を採用することが好ましい。
また、青色発光材料１１４Ｂとしては（化４）に示す材料を採用することが好ましい。また、当該青色発光材料の溶媒としては、ジハイドロベンゾフラン、シクロヘキシルベンゼン等を採用することが好ましい。
このような発光層の形成材料１１４Ｂを液滴吐出ヘッド部３４のノズル孔から吐出すると、形成材料１１４Ｂは隔壁１５０内の正孔注入層１４０Ａ上に塗布される。
ここで、形成材料１１４Ｂの吐出による発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層の形成材料、緑色の発色光を発光する発光層の形成材料、青色の発色光を発光する発光層の形成材料を、それぞれ対応する画素７１に吐出し塗布することによって行う。なお、各色に対応する画素７１は、これらが規則的な配置となるように予め決められている。
ここで、形成材料１１４Ｂの吐出による発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層の形成材料、緑色の発色光を発光する発光層の形成材料、青色の発色光を発光する発光層の形成材料を、それぞれ対応する画素７１に吐出し塗布することによって行う。なお、各色に対応する画素７１は、これらが規則的な配置となるように予め決められている。
このようにして各色の発光層形成材料を吐出し塗布した後に、発光層形成材料１１４Ｂ中の溶媒を蒸発させることにより、図１１（ｂ）に示すように正孔注入層１４０Ａ上に固形の発光層１４０Ｂを形成し、これにより正孔注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂとからなる発光部１４０を得る。
ここで、発光層形成材料１１４Ｂ中の溶媒を乾燥させるには、上記の第１〜第６実施形態の記載したいずれかの乾燥装置を用いることにより乾燥処理が行われる。
即ち、透明基板１２１における各色の発光層１４０Ｂが形成される側（形成面）に加熱装置４や減圧装置１０を対向配置させる。更に、自然乾燥の場合や、前述のｔｃ＝ｔｓとなるような通常の乾燥において、乾燥速度が大きい透明基板１２１の周辺部では、加熱装置４又は減圧装置１０と透明基板１２１の距離を大きくする。また、乾燥速度が小さい透明基板１２１の中央部では、加熱装置４又は減圧装置１０と透明基板１２１の距離を小さくする。
このような乾燥装置を用いることにより、乾燥速度の差異に起因して各色の発光層１４０Ｂの膜厚バラツキが生じるという問題を解決し、透明基板１２１の中央部及び周辺部における各色の発光層１４０Ｂの膜厚を均一にすることができる。
特に、インクジェット法を利用して発光層１４０Ｂを形成する場合には、透明基板１２１の周辺部における乾燥速度が中央部よりも大きいために乾燥ムラが生じやすいが、上記の乾燥方法を利用することにより、乾燥ムラの発生を抑制できるので、均一な膜厚、均一な膜質で発光層１４０Ｂを形成することができる。また、発光層１４０Ｂの膜厚、膜質が均一になることで、発光特性や発光寿命のバラツキを抑制することができる。
ここで、発光層形成材料１１４Ｂ中の溶媒を乾燥させるには、上記の第１〜第６実施形態の記載したいずれかの乾燥装置を用いることにより乾燥処理が行われる。
即ち、透明基板１２１における各色の発光層１４０Ｂが形成される側（形成面）に加熱装置４や減圧装置１０を対向配置させる。更に、自然乾燥の場合や、前述のｔｃ＝ｔｓとなるような通常の乾燥において、乾燥速度が大きい透明基板１２１の周辺部では、加熱装置４又は減圧装置１０と透明基板１２１の距離を大きくする。また、乾燥速度が小さい透明基板１２１の中央部では、加熱装置４又は減圧装置１０と透明基板１２１の距離を小さくする。
このような乾燥装置を用いることにより、乾燥速度の差異に起因して各色の発光層１４０Ｂの膜厚バラツキが生じるという問題を解決し、透明基板１２１の中央部及び周辺部における各色の発光層１４０Ｂの膜厚を均一にすることができる。
特に、インクジェット法を利用して発光層１４０Ｂを形成する場合には、透明基板１２１の周辺部における乾燥速度が中央部よりも大きいために乾燥ムラが生じやすいが、上記の乾燥方法を利用することにより、乾燥ムラの発生を抑制できるので、均一な膜厚、均一な膜質で発光層１４０Ｂを形成することができる。また、発光層１４０Ｂの膜厚、膜質が均一になることで、発光特性や発光寿命のバラツキを抑制することができる。
その後、図１１（ｃ）に示すように、透明基板１２１の表面全体に、陰極１５４を形成し、有機ＥＬ装置７０を得る。
上述したように、有機ＥＬ装置の製造方法によれば、先に記載した乾燥装置を用いることにより、正孔注入層１４０Ａや各色の発光層１４０Ｂを乾燥させるので、透明基板１２１上の中央部や周辺部において、当該正孔注入層１４０Ａや各色の発光層１４０Ｂの膜厚バラツキを抑制し、膜厚均一化を図ることができる。
また、有機ＥＬ装置の製造方法において、正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを形成する工程において、先の実施形態の乾燥方法を適用したので、正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂが積層された合計膜厚の均一化を図ることができる。
また、有機ＥＬ装置の製造方法において、正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを形成する工程において、先の実施形態の乾燥方法を適用したので、正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂが積層された合計膜厚の均一化を図ることができる。
また、透明基板１２１のサイズが大きい場合であっても、透明基板１２１の面内の正孔注入層１４０Ａや各色の発光層１４０Ｂの膜厚均一性を得ることができる。また、従来のように膜厚バラツキを均一にするための複数の工程が不要になるので、工程数の削減に伴う高スループット化を実現できる。また、透明基板１２１のサイズが大きくなったとしても、乾燥装置が簡素であるので、製造コストを削減できる。
次に、本実施形態の変形例について説明する。
上記の実施形態においては、透明基板１２１上に正孔注入層１４０Ａや各色の発光層１４０Ｂからなる発光機能層を形成する場合について説明したが、本変形例においては透明基板１２１上に複数のチップを形成する場合について説明する。
ここで、チップとは、先の第２実施形態に記載した領域に相当するものである。また、チップ毎に、正孔注入層１４０Ａ、各色の発光層１４０Ｂを始めとする各種層膜を形成した後に、透明基板１２１をチップ毎に分割切断することで、複数の有機ＥＬ装置が製造される。
上記の実施形態においては、透明基板１２１上に正孔注入層１４０Ａや各色の発光層１４０Ｂからなる発光機能層を形成する場合について説明したが、本変形例においては透明基板１２１上に複数のチップを形成する場合について説明する。
ここで、チップとは、先の第２実施形態に記載した領域に相当するものである。また、チップ毎に、正孔注入層１４０Ａ、各色の発光層１４０Ｂを始めとする各種層膜を形成した後に、透明基板１２１をチップ毎に分割切断することで、複数の有機ＥＬ装置が製造される。
従って、本変形例においては、１枚のマザーガラス（透明基板）上のチップ（領域）毎に加熱装置４と透明基板１２１の間の距離を異ならせて、正孔注入層１４０Ａや各色の発光層１４０Ｂからなる発光機能層を形成する。このようにすれば、チップ中央部（領域中央部）とチップ周辺部（領域周辺部）の間において塗布材料の乾燥速度を連続的に異ならせることができ、正孔注入層１４０Ａや各色の発光層１４０Ｂを均一な膜厚で形成することができる。
なお、ここで、加熱装置４に代えて減圧装置１０を採用し、減圧装置１０を正孔注入層１４０Ａや各色の発光層１４０Ｂが形成される側の基板面に対向配置し、当該正孔注入層１４０Ａや各色の発光層１４０Ｂを乾燥させてもよい。この場合、減圧装置１０と透明基板１２１の間の距離を異ならせて、正孔注入層１４０Ａや各色の発光層１４０Ｂが形成されることとなり、チップ毎に均一な膜厚で正孔注入層１４０Ａや各色の発光層１４０Ｂを形成することができる。
（カラーフィルタ）
次に、カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルタについて、図１２から図１５を参照して説明する。図１２はカラーフィルタの一例を示す断面図である。図１３は、カラーフィルタの一例を示す平面図である。
次に、カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルタについて、図１２から図１５を参照して説明する。図１２はカラーフィルタの一例を示す断面図である。図１３は、カラーフィルタの一例を示す平面図である。
図１３に示すように、本実施形態のカラーフィルタ３００は、基板３０２と、基板の一面３０２ａ上に形成された遮光膜３３８と、着色層３０６…と、遮光膜３０８と、着色層（着色部）３０６…を覆うオーバーコート層３０７とを主体として構成されたものである。
基板３０２は、ガラス又はプラスチックフィルム等からなる光透過性基板である。
遮光膜３３８としては、例えば、金属クロム膜や、金属クロム膜と酸化クロム膜との積層膜などを用いることができる。遮光膜３３８は、着色層３０６…に対応する複数の開口部（孔）３３８ｃ…が所定のパターンで設けられ、各開口部３３８ｃの形成位置は着色層３０６と対応する位置、即ち平面視重なるように対応させて形成されている。各孔３３８ｃ内には基板３０２面が露出している。遮光膜３３８は、コントラストの向上、色材の混合防止などの機能を有しており、いわゆるブラックマトリクスとしての機能を有している。また、遮光膜３３８の開口部（孔）３３８ｃと、遮光膜３３８の内壁３３９ｂと、基板３０２面とにより区画されて着色層形成領域（親液部）３４５…が形成されている。
遮光膜３３８としては、例えば、金属クロム膜や、金属クロム膜と酸化クロム膜との積層膜などを用いることができる。遮光膜３３８は、着色層３０６…に対応する複数の開口部（孔）３３８ｃ…が所定のパターンで設けられ、各開口部３３８ｃの形成位置は着色層３０６と対応する位置、即ち平面視重なるように対応させて形成されている。各孔３３８ｃ内には基板３０２面が露出している。遮光膜３３８は、コントラストの向上、色材の混合防止などの機能を有しており、いわゆるブラックマトリクスとしての機能を有している。また、遮光膜３３８の開口部（孔）３３８ｃと、遮光膜３３８の内壁３３９ｂと、基板３０２面とにより区画されて着色層形成領域（親液部）３４５…が形成されている。
遮光膜３３８の一部は図１３に示すように各着色層３０６の一部を覆うようにはみ出してアクティブ素子のチャネル領域用遮光部３３８ｂが設けられてもよい。このようなチャネル領域用遮光部３３８ｂが設けられていると、カラーフィルタ３００をアクティブマトリクス式の液晶装置に備えた場合に、素子基板のアクティブ素子に光が入射して光リーク電流が生じるのを防止する機能がある。
遮光膜３３８の膜厚は０．３μｍ以下とされており、好ましくは０．１μｍ〜０．３μｍの範囲が好ましい。
遮光膜３３８の膜厚は０．３μｍ以下とされており、好ましくは０．１μｍ〜０．３μｍの範囲が好ましい。
着色層形成領域３４５…には、着色層３０６…が形成されている。この着色層３０６…は、着色層形成領域３０５…内に着色インクを吐出させて乾燥させることにより形成したものである。
着色層３０６…は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色にそれぞれ対応する赤色の着色層３０６Ｒ…、緑色の着色層３０６Ｇ…、青色の着色層３０６Ｂ…を具備してなるものである。着色層３０６…は、例えば、無機顔料により着色したアクリル樹脂やポリウレタン樹脂等からなる。
着色層３０６…は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色にそれぞれ対応する赤色の着色層３０６Ｒ…、緑色の着色層３０６Ｇ…、青色の着色層３０６Ｂ…を具備してなるものである。着色層３０６…は、例えば、無機顔料により着色したアクリル樹脂やポリウレタン樹脂等からなる。
オーバーコート層３０７は、着色層３０６…を保護するとともにカラーフィルタ３００の表面を平坦化するものであり、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂からなるものである。オーバーコート層３０７の厚さは、例えば１．０μｍ〜４．０μｍの範囲にすることができる。なお、カラーフィルタ３００のオーバーコート層３０７の上に、ＩＴＯ膜（インジウム-酸化スズ膜）からなる透明電極膜や、配向膜を設けてもよい。
（カラーフィルタの製造方法）
次に、本実施形態のカラーフィルタの製造方法を、図１２に示すカラーフィルタ３００を例にして、図１３から図１５を参照して説明する。
本実施形態のカラーフィルタの製造方法は、遮光膜３３８を形成した後に、上記第１実施形態の成膜方法によって着色層３０６…を形成するものである。
次に、本実施形態のカラーフィルタの製造方法を、図１２に示すカラーフィルタ３００を例にして、図１３から図１５を参照して説明する。
本実施形態のカラーフィルタの製造方法は、遮光膜３３８を形成した後に、上記第１実施形態の成膜方法によって着色層３０６…を形成するものである。
まず、図１４（ａ）に示すように、光透過性基板（基板）３０２を用意し、次に図１４（ｂ）に示すように、基板３０２の一面３０２ａの全面に遮光層３３８ｄを層厚が０．３μｍ以下になるように形成する。この遮光層３３８ｄは金属クロム膜、または金属クロム膜と酸化クロム膜との積層膜などからなり、例えばスパッタリング法等により形成される。
次に図１４（ｃ）に示すように、遮光層３３８ｄ上に透明感光性樹脂膜からなるフォトレジスト層３４０を形成し、このフォトレジスト層３４０上にフォトマスクフィルムＭ１を配置して露光を行い、フォトレジスト層３４０の露光部分を硬化させる。
次に、基板３０２をアルカリ性の現像液に浸漬してフォトレジスト層３４０の未露光部分を除去することによりフォトレジスト層３４０に複数の孔を形成し、各孔内に遮光層３３８ｄが露出するようにする。
次に図１４（ｃ）に示すように、遮光層３３８ｄ上に透明感光性樹脂膜からなるフォトレジスト層３４０を形成し、このフォトレジスト層３４０上にフォトマスクフィルムＭ１を配置して露光を行い、フォトレジスト層３４０の露光部分を硬化させる。
次に、基板３０２をアルカリ性の現像液に浸漬してフォトレジスト層３４０の未露光部分を除去することによりフォトレジスト層３４０に複数の孔を形成し、各孔内に遮光層３３８ｄが露出するようにする。
次に、基板３０２を塩酸等のエッチング液に浸漬し遮光層３３８ｄの露出部分を除去することにより、遮光層３３８ｄに図１４（ｄ）に示すような開口部（孔）３３８ｃ…を形成し、遮光膜３３８及び着色層形成領域３４５…を得る。遮光膜３３８の各孔３３８ｃ内には基板３０２の面３０２ａが露出している。ここで遮光膜３３８を形成する際には、上記遮光層３３８ｄのうち各着色層形成領域３４５を覆う部分の一部を残存させて、図１３に示すようなアクティブ素子のチャネル領域用遮光部３３８ｂを設けてもよい。遮光層３３８ｄのエッチング液には塩酸の他、遮光層３３８ｄを選択的に溶解できるものであればいずれのものも使用可能である。
続いて、遮光層３３８ｄ及び着色層形成領域３４５…に対して、撥液膜形成工程を施し、撥液膜１１を形成する。
次に、撥液膜１１をパターニングすることにより、撥液膜１１が部分的に残留し、また、着色層形成領域３４５…が形成される。
次に、撥液膜１１をパターニングすることにより、撥液膜１１が部分的に残留し、また、着色層形成領域３４５…が形成される。
更に、図１５（ａ）に示すように、インクジェット法（液体吐出方式）を用いて膜形成工程が施され、着色層形成領域３４５…に着色層３０６…が形成される。ここで、インクジェットヘッド３６０に、赤色の顔料をアクリル樹脂と共に有機溶剤に溶解して調製した赤色の着色インクを充填し、インクジェットヘッド３６０の吐出ノズル３６１を着色層形成領域３４５…対向させて、インクジェットヘッド３６０と基板３０２とを相対移動させながら、吐出ノズル３６１から赤色の着色インクを、１滴当たりの液量が制御された着色インク滴として吐出し、この着色インク滴を着色層形成領域３４５に吐出する。
ここで用いる着色インクとしては、例えば、ポリウレタンオリゴマーあるいはポリメチルメタクリレートオリゴマーに赤色の無機顔料を分散させた後、低沸点溶剤としてシクロヘキサノン及び酢酸ブチルを、高沸点溶剤としてブチルカルビトールアセテートを加え、更に非イオン系界面活性剤を分散剤として添加し、粘度を所定の範囲に調整したものを用いる。吐出後の着色インクを熱処理等により乾燥させて、図１５（ｂ）に示す赤色の着色層３０６Ｒが形成される。
次に、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）と同様に、緑色及び青色の着色インクを着色層形成領域３４５に吐出し、熱処理等により乾燥させて、図１５（ｃ）に示す緑色の着色層３０６Ｇ、青色の着色層３０６Ｂが形成される。
１５（ａ）、（ｂ）において、着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂ中の溶媒を乾燥させるには、上記の第１〜第６実施形態の記載したいずれかの乾燥装置を用いることにより乾燥処理が行われる。即ち、光透過性基板３０２における着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂが形成される側（形成面）に加熱装置４や減圧装置１０を対向配置させる。更に、自然乾燥による乾燥速度が大きい光透過性基板３０２の周辺部では、加熱装置４又は減圧装置１０と光透過性基板３０２の距離を大きくする。また、自然乾燥による乾燥速度が小さい光透過性基板３０２の中央部では、加熱装置４又は減圧装置１０と光透過性基板３０２の距離を小さくする。
このような乾燥装置を用いることにより、乾燥速度の差異に起因して着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂの膜厚バラツキが生じるという問題を解決し、光透過性基板３０２の中央部及び周辺部における着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂの膜厚を均一にすることができる。
特に、インクジェット法を利用して着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂを形成する場合には、光透過性基板３０２の周辺部における乾燥速度が中央部よりも大きいために乾燥ムラが生じやすいが、上記の乾燥方法を利用することにより、乾燥ムラの発生を抑制できるので、均一な膜厚、均一な膜質で着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂを形成することができる。また、着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂの膜厚、膜質が均一になることで、色斑を抑制し、Ｒ、Ｇ、Ｂの色バランスを均一にすることができる。
このような乾燥装置を用いることにより、乾燥速度の差異に起因して着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂの膜厚バラツキが生じるという問題を解決し、光透過性基板３０２の中央部及び周辺部における着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂの膜厚を均一にすることができる。
特に、インクジェット法を利用して着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂを形成する場合には、光透過性基板３０２の周辺部における乾燥速度が中央部よりも大きいために乾燥ムラが生じやすいが、上記の乾燥方法を利用することにより、乾燥ムラの発生を抑制できるので、均一な膜厚、均一な膜質で着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂを形成することができる。また、着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂの膜厚、膜質が均一になることで、色斑を抑制し、Ｒ、Ｇ、Ｂの色バランスを均一にすることができる。
最後に、図１２に示すように、着色層３０６…を覆う樹脂製のオーバーコート層３０７がスピンコート法等により形成される。
上述したように、カラーフィルタの製造方法によれば、先に記載した乾燥装置を用いることにより、着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂを乾燥させるので、光透過性基板３０２上の中央部や周辺部において、当該着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂの膜厚バラツキを抑制し、膜厚均一化を図ることができる。
また、光透過性基板３０２のサイズが大きい場合であっても、光透過性基板３０２の面内の着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂの膜厚均一性を得ることができる。また、従来のように膜厚バラツキを均一にするための複数の工程が不要になるので、工程数の削減に伴う高スループット化を実現できる。また、光透過性基板３０２のサイズが大きくなったとしても、乾燥装置が簡素であるので、製造コストを削減できる。
次に、本実施形態の変形例について説明する。
上記の実施形態においては、光透過性基板３０２上に着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂを形成する場合について説明したが、本変形例においては光透過性基板３０２上に複数のチップを形成する場合について説明する。
ここで、チップとは、先の第２実施形態に記載した領域に相当するものである。また、チップ毎に、着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂを始めとする各種層膜を形成した後に、光透過性基板３０２をチップ毎に分割切断することで、複数のカラーフィルタが製造される。
上記の実施形態においては、光透過性基板３０２上に着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂを形成する場合について説明したが、本変形例においては光透過性基板３０２上に複数のチップを形成する場合について説明する。
ここで、チップとは、先の第２実施形態に記載した領域に相当するものである。また、チップ毎に、着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂを始めとする各種層膜を形成した後に、光透過性基板３０２をチップ毎に分割切断することで、複数のカラーフィルタが製造される。
従って、本変形例においては、１枚のマザーガラス（光透過性基板）上のチップ（領域）毎に加熱装置４と透明基板１２１の間の距離を異ならせて、着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂを形成する。このようにすれば、チップ中央部とチップ周辺部の間において塗布材料の乾燥速度を連続的に異ならせることができ、着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂを均一な膜厚で形成することができる。
なお、ここで、加熱装置４に代えて減圧装置１０を採用し、減圧装置１０を着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂが形成される側の基板面に対向配置し、当該着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂを乾燥させてもよい。この場合、減圧装置１０と光透過性基板３０２の間の距離を異ならせて、着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂが形成されることとなり、チップ毎に均一な膜厚で着色層３０６Ｒ、３０６Ｇ、３０６Ｂを形成することができる。
なお、本実施形態に示したカラーフィルタの着色層３０６…の配置は、図１６に示すように各種の配置のパターンを採用することができる。例えば図１６（ａ）に示すようなストライプ配置や、図１６（ｂ）に示すようなモザイク配置や、図１６（ｃ）に示すようなデルタ配置とすることができる。
（液晶装置）
次に、本発明の液晶装置について説明する。
図１７は、上記カラーフィルタを用いた半透過反射型のＴＦＤ型（Thin Film Diode 型）の液晶装置４００の分解斜視図である。
この実施形態の液晶装置４００に、液晶駆動用ＩＣ、電気信号を伝達するための配線類、支持体などの付帯要素を装着することによって、最終製品としての透過型の液晶装置が構成される。
この液晶装置４００は、先に記載のカラーフィルタ３００を備えており、カラーフィルタ３００を下側（観測者側と反対側）に配置し、アクティブ素子基板４３８を上側（観測者側）に配置したものである。なお、本実施形態においてはカラーフィルタ３００について簡略的に説明することとする。
次に、本発明の液晶装置について説明する。
図１７は、上記カラーフィルタを用いた半透過反射型のＴＦＤ型（Thin Film Diode 型）の液晶装置４００の分解斜視図である。
この実施形態の液晶装置４００に、液晶駆動用ＩＣ、電気信号を伝達するための配線類、支持体などの付帯要素を装着することによって、最終製品としての透過型の液晶装置が構成される。
この液晶装置４００は、先に記載のカラーフィルタ３００を備えており、カラーフィルタ３００を下側（観測者側と反対側）に配置し、アクティブ素子基板４３８を上側（観測者側）に配置したものである。なお、本実施形態においてはカラーフィルタ３００について簡略的に説明することとする。
図１７に示すように、この液晶装置４００は、アクティブマトリクス式のＴＦＤ（Thin Film Diode）型の液晶装置であり、カラーフィルタ３００とアクティブ素子基板４３８が所定の間隔で対向配置され、その間には図示略の液晶が介在されている。
アクティブ素子基板４３８は、ガラス等からなる透明基板４３０の下面にマトリックス状に例えばＩＴＯ等の透明電極からなる複数の画素電極４３２、及び画素電極４３２を制御するＴＦＤ素子４３６が設けられている。ＴＦＤ素子４３６は画素電極４３２の一隅に配設されている。またＴＦＤ素子４３６は走査線４３４に接続され、操作信号と後述するデータ線（対向電極）４２２に印加された信号に基づき、液晶を表示、非表示状態または中間状態に切り替えることが可能になっている。
アクティブ素子基板４３８は、ガラス等からなる透明基板４３０の下面にマトリックス状に例えばＩＴＯ等の透明電極からなる複数の画素電極４３２、及び画素電極４３２を制御するＴＦＤ素子４３６が設けられている。ＴＦＤ素子４３６は画素電極４３２の一隅に配設されている。またＴＦＤ素子４３６は走査線４３４に接続され、操作信号と後述するデータ線（対向電極）４２２に印加された信号に基づき、液晶を表示、非表示状態または中間状態に切り替えることが可能になっている。
カラーフィルタ３００は、図１３に示したものが採用される。オーバーコート層３０７上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成りデータ線をなす短冊状の電極（対向電極）４２２が形成されている。
また、カラーフィルタ３００の他面（換言すると液晶層側の反対面）には金属膜から成る反射層４０９がほぼ全面にわたって形成されている。さらに、各着着色層３０６…の中心付近における反射層４０９には矩形状の小さな窓４０９ａが形成され、カラーフィルタ３００の外側に配設された光源（バックライト）４７０からの光がアクティブ素子基板４３８側へ透過するようになっている。つまり、この液晶装置４００は、各着着色層３０６…の周縁部近傍では反射層４０９による反射表示を行い、その中心部では窓４０９ａによる透過表示を行うようになっている。
各着色層３０６…は、アクティブ素子基板４３８の画素電極４３２に対向した位置にマトリクス状に形成され、青色の着色層（図示「Ｂ」）３０６Ｂ、緑色の着色層（図示「Ｇ」）３０６Ｇ、赤色の着色層（図示「Ｒ」）３０６Ｒから構成されている。
この液晶装置４００によれば、上記実施形態のカラーフィルタを備えているので、製造コストが低い液晶装置を提供することが可能となる。
また、カラーフィルタ３００の他面（換言すると液晶層側の反対面）には金属膜から成る反射層４０９がほぼ全面にわたって形成されている。さらに、各着着色層３０６…の中心付近における反射層４０９には矩形状の小さな窓４０９ａが形成され、カラーフィルタ３００の外側に配設された光源（バックライト）４７０からの光がアクティブ素子基板４３８側へ透過するようになっている。つまり、この液晶装置４００は、各着着色層３０６…の周縁部近傍では反射層４０９による反射表示を行い、その中心部では窓４０９ａによる透過表示を行うようになっている。
各着色層３０６…は、アクティブ素子基板４３８の画素電極４３２に対向した位置にマトリクス状に形成され、青色の着色層（図示「Ｂ」）３０６Ｂ、緑色の着色層（図示「Ｇ」）３０６Ｇ、赤色の着色層（図示「Ｒ」）３０６Ｒから構成されている。
この液晶装置４００によれば、上記実施形態のカラーフィルタを備えているので、製造コストが低い液晶装置を提供することが可能となる。
上述したように、液晶装置４００においては、上記のカラーフィルタ３００を備えるので、膜厚均一化が施された着色層を備えたカラーフィルタを有し、安価な液晶装置となる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ 乾燥装置、２ 基板、２ｃ 中央部（第１部分）、２ｓ 周辺部（第２部分）、２ａ 領域、２ａｃ 中央部（第３部分）、２ａｓ 周辺部（第４部分）、３ 塗布材料（被乾燥対象）、４ 加熱装置（乾燥手段、第１の乾燥手段）、１０ 減圧装置（第２の乾燥手段）、７０ 有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）、１２１ 透明基板（基板）、１４０Ａ 正孔注入層（発光機能層、被乾燥対象）、１４０Ｂ 発光材料（発光機能層、被乾燥対象）、３００ カラーフィルタ、３０２ 光透過性基板（基板）、３０６ 着色層、４００ 液晶装置
Claims (8)
- 基板上の所定領域に液滴吐出法によって所定のパターンで複数形成された被乾燥対象を乾燥させる乾燥装置であって、
前記基板の前記所定領域における前記被乾燥対象の形成面に対向配置され、前記所定領域上を吸引することで前記気体を流動させて当該被乾燥対象を乾燥させる複数の吸引孔を有する第一乾燥手段と、
前記基板に対向配置され、前記被乾燥対象に熱を与えることで当該被乾燥対象を乾燥させる加熱部を有する第二乾燥手段と
を具備し、
少なくとも複数の前記吸引孔は、前記基板との距離が前記所定領域の中央部から周辺部に向かうにつれて徐々に大きくなるように配置されている
乾燥装置。 - 前記加熱部は、前記基板との距離が前記所定領域の中央部から周辺部に向かうにつれて徐々に大きくなるように配置されている
請求項１に記載の乾燥装置。 - 前記加熱部は、前記基板との距離が個々の前記被乾燥対象の形成領域における中央部から周辺部に向かうにつれて徐々に大きくなるように配置されている
請求項１に記載の乾燥装置。 - 前記加熱部は、前記基板における前記被乾燥対象の形成面に対向される位置であって、複数の前記吸引孔の間の位置に配置されている
請求項１又は請求項２に記載の乾燥装置。 - 前記加熱部は、前記基板における前記被乾燥対象の形成面とは反対の面に対向配置されている
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の乾燥装置。 - 基板上の所定領域に液滴吐出法によって所定のパターンで複数形成された被乾燥対象を乾燥させる乾燥方法であって、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の乾燥装置を用いることにより、前記基板上の被乾燥対象を乾燥させる
乾燥方法。 - 基板上に発光機能層を具備する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記基板上の所定領域に液滴吐出法によって所定のパターンで複数の前記発光機能層を形成した後に、
請求項６の乾燥方法を用いて当該発光機能層を乾燥させる
有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 基板上に複数の異なる着色層を具備するカラーフィルタの製造方法であって、
前記基板上の所定領域に液滴吐出法によって所定のパターンで複数の前記着色層を形成した後に、
請求項６の乾燥方法を用いて当該着色層を乾燥させる
カラーフィルタの製造方法。
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