JP2016062748A - バンクの形成方法、有機ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】バンクの表面における良好な撥液性を有すると共に耐薬品性に優れたバンクの形成方法、このバンクの形成方法を用いた有機ＥＬ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】バンク１３３の形成方法は、素子基板１０１に撥液材料１４１を含む感光性レジストを塗布してレジスト層１４０を形成する工程と、レジスト層１４０を露光・現像してパターニングしバンク１３３を形成する工程と、バンク１３３が形成された素子基板１０１に、上記感光性レジストに含まれる溶媒の沸点よりも高い第１の温度の雰囲気下で第１の熱処理を施す工程と、第１の熱処理が施された素子基板１０１をホットプレート上に載置して、上記感光性レジストに含まれる溶媒の沸点よりも高い第２の温度で第２の熱処理を施す工程と、を含む。
【選択図】図８

Description

本発明は、バンクの形成方法、有機ＥＬ素子の製造方法に関する。

近年、機能性材料を含む溶液を所定の領域に塗布して乾燥・焼成することにより、該所定の領域に機能性材料からなる機能層を形成する液相プロセスが注目されている。このような液相プロセスは、真空蒸着法やスパッタ法などの気相プロセスに比べて、上記溶液の無駄を抑えて機能層を形成可能であることから量産性に優れている点で評価されている。該機能層としては、半導体層、電極、配線、カラーフィルター（着色層）、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の発光機能を有する機能層などが挙げられる。
一方で、上記所定の領域に上記溶液を万遍なく行き渡らせた状態で、乾燥・焼成などのプロセスを行う必要がある。そこで、上記所定の領域を囲むバンク（隔壁）を形成し、バンクで囲まれた上記所定の領域に上記溶液を塗布する方法が採用されている。

例えば、特許文献１には、撥インキ性を付与する材料を含有した感光性樹脂組成物を基板に塗布する工程と、パターン露光・現像して隔壁パターンを形成する工程と、隔壁パターンが形成された基板に減圧真空下で加熱処理を施して隔壁パターンを熱硬化させる工程と、を有する隔壁パターンの形成方法が開示されている。また、熱硬化後の隔壁パターンで囲まれた領域に、インキジェット方式によりインキを吐出して着色層を形成する工程を含むカラーフィルターの製造方法が開示されている。上記特許文献１に示された隔壁パターンの形成方法では、隔壁パターンを熱硬化させる加熱方法として、熱風式焼成炉、ホットプレート、赤外線照射装置もしくは熱源ランプが挙げられている。具体的には、減圧真空度を７５０００Ｐａとしたチャンバー内で、隔壁パターンが形成された基板をホットプレート上に載置して１６０℃、３０分加熱する例が示されている。

特開２００７−２４８８９９号公報

しかしながら、上記特許文献１では、撥インキ性を付与する材料を含む感光性樹脂組成物に含まれる溶媒成分の例として沸点が１５６℃のシクロヘキサノンが示されているが、熱硬化工程で、当該感光性樹脂組成物に含まれる溶媒成分を十分に除去できるか定かではない。また、熱硬化工程で撥インキ性を付与する材料が隔壁パターンの内部からホットプレートに接する基板側に拡散し、熱硬化工程後に、隔壁パターンの表面において必ずしも良好な撥液状態が得られないおそれがあった。また、このような方法で形成された隔壁パターンで囲まれた領域に、有機ＥＬ素子の発光機能を有する機能層を液相プロセスで形成すると、隔壁パターンに含まれる溶媒成分の影響を受けたり、所望の膜厚や膜形状の機能層を形成できなかったりするおそれがあった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例］本適用例に係るバンクの形成方法は、基板に撥液材料を含む感光性レジストを塗布してレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層を露光・現像してパターニングしバンクを形成する工程と、前記バンクが形成された前記基板に、前記感光性レジストに含まれる溶媒の沸点よりも高い第１の温度の雰囲気下で第１の熱処理を施す工程と、前記第１の熱処理が施された前記基板をホットプレート上に載置して、前記感光性レジストに含まれる溶媒の沸点よりも高い第２の温度で第２の熱処理を施す工程と、を含むことを特徴とする。

本適用例によれば、バンク形成後の熱処理を少なくとも２つの工程に分けて行い、先に行われる第１の熱処理では、感光性レジストに含まれる溶媒の沸点よりも高い第１の温度の雰囲気下で熱処置が行われる。したがって、バンク中に含まれる撥液材料は、第１の熱処理によってバンクの表面側に拡散して偏析する。第１の熱処理が終わった後に、基板をホットプレート上に載置して感光性レジストに含まれる溶媒の沸点よりも高い第２の温度で加熱する第２の熱処理を施せば、バンクの表面側に撥液材料を偏析させた状態で、バンク中に含まれる溶媒成分を十分に除去することができる。
つまり、表面において良好な撥液性を有すると共に、溶媒成分が十分に除去され耐薬品性を有するバンクを形成可能なバンクの形成方法を提供することができる。

上記適用例に記載のバンクの形成方法において、前記第１及び第２の温度が２００℃以上２４０℃以下であることが好ましい。
この方法によれば、バンクに含まれる溶媒成分を十分に除去可能な温度で熱処理を行うことができ、且つ必要以上の温度で熱処理を行わないので、熱処理におけるエネルギーや時間の無駄を抑えることができる。

上記適用例に記載のバンクの形成方法において、前記第１の熱処理を施す工程は、複数の前記基板を受入れ可能な乾燥炉を用いることが好ましい。
この方法によれば、複数の基板を一括して熱処理が可能であることから、量産性に優れたバンクの形成方法を実現できる。

上記適用例に記載のバンクの形成方法において、前記第２の熱処置を施す工程は、減圧下で行うことが好ましい。
この方法によれば、ホットプレートにより基板を加熱するだけでなく、減圧下で基板を加熱するので、バンク中に含まれる溶媒成分を確実に除去することができる。

［適用例］本適用例に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、上記適用例に記載のバンクの形成方法を用い、基板上に配置された第１電極を含む領域を区画するバンクを形成する工程と、前記バンクにより区画された前記領域に機能性材料を含む機能液を塗布する工程と、塗布された前記機能液を固化して機能層を形成する工程と、前記機能層に積層して第２電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

本適用例によれば、上記適用例に記載のバンクの形成方法を用いてバンクを形成しているので、バンクの表面に良好な撥液性が付与され液相プロセスにより所望の膜厚の機能層を形成することができる。また、バンク中の溶媒成分が十分に除去されているので、液相プロセスを用いて形成される機能層に該溶媒成分が作用することに起因する発光特性の低下が生じ難い。つまり、優れた発光特性を有する有機ＥＬ素子を製造することができる。

上記適用例に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記機能層は、正孔注入層を含み、前記正孔注入層は、正孔注入層形成材料を溶媒に添加した前記機能液を用いて形成され、前記溶媒は、芳香族炭化水素、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスソルアミド、ジメチルスルホキシド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジン及びその誘導体、グリコールエーテル類の中から少なくとも１種が選ばれることを特徴とする。

上記適用例に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記機能層は、正孔輸送層を含み、前記正孔輸送層は、正孔輸送層形成材料をジメチルナフタレンに添加した前記機能液を用いて形成されることを特徴とする。

上記適用例に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記機能層は、発光層を含み、前記発光層は、発光層形成材料をジメチルナフタレンに添加した前記機能液を用いて形成されることを特徴とする。
これらの方法によれば、バンクは機能液に含まれる溶媒に対して耐薬品性を示し、バンクで囲まれた領域に機能液が塗布されて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層がそれぞれ形成されるので、優れた発光特性を有する有機ＥＬ素子を製造することができる。

有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 有機ＥＬ装置の発光画素の構造を示す概略断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｄ）は有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。 （ｅ）〜（ｈ）は有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）は機能液に対するバンクの側壁部の撥液性が頭頂部に比べて劣る例を示す概略断面図、（ｂ）は機能液に対するバンクの側壁部の撥液性がばらついている例を示す概略断面図、（ｃ）は機能液に対するバンクの側壁部の撥液性が好適な状態である例を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｄ）はバンクの形成方法を示す概略断面図。 乾燥炉としてのオーブンを示す概略断面図。 ホットプレートを含む減圧装置を示す概略断面図。 有機ＥＬ素子の製造方法における実施例及び比較例のバンクのポストベークの仕方と有機ＥＬ素子の評価結果との関係を示す表。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

＜有機ＥＬ装置＞
まず、本実施形態の有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置の一例について、図１〜図３を参照して説明する。図１は有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図２は有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図３は有機ＥＬ装置の発光画素の構造を示す概略断面図である。

図１に示すように、有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１１２及び複数のデータ線１１３と、複数のデータ線１１３のそれぞれに対して並列する電源線１１４とを有している。複数の走査線１１２が接続される走査線駆動回路１０３と、複数のデータ線１１３が接続されるデータ線駆動回路１０４とを有している。また、複数の走査線１１２と複数のデータ線１１３との各交差部に対応してマトリックス状に配置された複数の発光画素１０７を有している。

発光画素１０７は、発光素子である有機ＥＬ素子１３０と、有機ＥＬ素子１３０の駆動を制御する画素回路１１１とを有している。

有機ＥＬ素子１３０は、第１電極としての画素電極１３１と、第２電極としての対向電極１３４と、画素電極１３１と対向電極１３４との間に設けられた機能層１３２とを有している。本実施形態では、画素電極１３１は陽極として機能し、対向電極１３４は陰極として機能するものである。このような有機ＥＬ素子１３０は電気的にダイオードとして表記することができる。なお、詳しくは後述するが、対向電極１３４は複数の発光画素１０７に亘る共通電極として形成されている。

画素回路１１１は、スイッチング用トランジスター１２１と、駆動用トランジスター１２２と、蓄積容量１２３とを含んでいる。２つのトランジスター１２１，１２２は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin Film transistor）やＭＯＳトランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター１２１のゲートは走査線１１２に接続され、ソースまたはドレインのうち一方がデータ線１１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用トランジスター１２２のゲートに接続されている。
駆動用トランジスター１２２のソースまたはドレインのうち一方が有機ＥＬ素子１３０の画素電極１３１に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線１１４に接続されている。駆動用トランジスター１２２のゲートと電源線１１４との間に蓄積容量１２３が接続されている。

走査線１１２が駆動されてスイッチング用トランジスター１２１がオン状態になると、そのときにデータ線１１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター１２１を介して蓄積容量１２３に保持される。該蓄積容量１２３の電位すなわち駆動用トランジスター１２２のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター１２２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター１２２がオン状態になると、電源線１１４から駆動用トランジスター１２２を介して画素電極１３１と対向電極１３４とに挟まれた機能層１３２にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子１３０は、機能層１３２を流れる電流量に応じて発光する。
なお、画素回路１１１の構成は、これに限定されるものではない。例えば、駆動用トランジスター１２２と画素電極１３１との間に、駆動用トランジスター１２２と画素電極１３１との間の導通を制御する発光制御用トランジスターを備えていてもよい。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、３色の発光画素１０７を備えた素子基板１０１と、素子基板１０１に所定の間隔を置いて対向配置された封止基板１０２とを備えている。封止基板１０２は、複数の発光画素１０７が設けられた発光領域１０６を封着するように、高い気密性を有する封着剤を用いて素子基板１０１に貼り合わされている。

発光画素１０７は、有機ＥＬ素子１３０（図３参照）を備えるものであって、同色の発光が得られる発光画素１０７が、図面上の縦方向に配列した所謂ストライプ方式となっている。なお、実際には、発光画素１０７は微細なものであり、図示の都合上拡大して現している。また、発光画素１０７の配置は、ストライプ方式に限定されず、デルタ方式やモザイク方式であってもよい。

素子基板１０１は、封止基板１０２よりも一回り大きく、額縁状に張り出した部分には、発光画素１０７の前述した画素回路１１１と接続される２つの走査線駆動回路１０３及び１つのデータ線駆動回路１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３、データ線駆動回路１０４は、例えば、電気回路が集積されたＩＣとして素子基板１０１に実装してもよいし、走査線駆動回路１０３及びデータ線駆動回路１０４が素子基板１０１に形成されていてもよい。

素子基板１０１の端子部１０１ａには、これらの走査線駆動回路１０３やデータ線駆動回路１０４と外部駆動回路とを接続するための中継基板１０５が実装されている。中継基板１０５は、例えば、フレキシブル回路基板などを用いることができる。

図３に示すように、有機ＥＬ装置１００において、有機ＥＬ素子１３０は、画素電極１３１と、画素電極１３１を区画するバンク１３３と、画素電極１３１上に形成された発光層を含む機能層１３２と、機能層１３２を介して画素電極１３１と対向するように配置された対向電極１３４と、を有している。

バンク１３３は、多官能アクリル樹脂などの絶縁性を有する感光性レジスト（感光性樹脂材料）からなり、発光画素１０７を構成する画素電極１３１の周囲を覆って、複数の画素電極１３１をそれぞれ区画するように設けられている。

画素電極１３１は、素子基板１０１上に形成された駆動用トランジスター１２２の３端子のうちの１つに接続しており、例えば、透明電極材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を厚さ１００ｎｍ程度に成膜した電極である。

陰極としての対向電極１３４は、例えばＡｌやＡｇなどの光反射性を有する金属材料や、該金属材料と他の金属（例えばＭｇ）との合金などにより形成されている。

本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、ボトムエミッション型の構造となっており、画素電極１３１と対向電極１３４との間に駆動電流を流して機能層１３２で発光した光を対向電極１３４で反射させて素子基板１０１側から取り出す。したがって、素子基板１０１はガラスなどの透明基板を用いる。また、封止基板１０２は、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。

素子基板１０１には、有機ＥＬ素子１３０を駆動する画素回路１１１が設けられている。すなわち、素子基板１０１の表面には、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ₂）を主体とする下地絶縁膜１１５が形成され、その上には例えばポリシリコンなどからなる半導体層１２２ａが形成されている。この半導体層１２２ａの表面には、ＳｉＯ₂及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁膜１１６が形成されている。

また、半導体層１２２ａのうち、ゲート絶縁膜１１６を挟んでゲート電極１２６と重なる領域がチャネル領域とされている。なお、このゲート電極１２６は、図示しない走査線１１２の一部である。一方、半導体層１２２ａを覆い、ゲート電極１２６を形成したゲート絶縁膜１１６の表面には、例えばＳｉＯ₂を主体とする第１層間絶縁膜１１７が形成されている。

また、半導体層１２２ａのうち、チャネル領域のソース側には、低濃度ソース領域及び高濃度ソース領域１２２ｃが設けられる一方、チャネル領域のドレイン側には低濃度ドレイン領域及び高濃度ドレイン領域１２２ｂが設けられて、所謂ＬＤＤ（Light Doped Drain）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域１２２ｃは、ゲート絶縁膜１１６と第１層間絶縁膜１１７とにわたって開孔するコンタクトホール１２５ａを介して、ソース電極１２５に接続されている。このソース電極１２５は、電源線１１４（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域１２２ｂは、ゲート絶縁膜１１６と第１層間絶縁膜１１７とにわたって開孔するコンタクトホール１２４ａを介して、ソース電極１２５と同一配線層に設けられたドレイン電極１２４に接続されている。

ソース電極１２５及びドレイン電極１２４が形成された第１層間絶縁膜１１７の上層には、第２層間絶縁膜１１８が形成されている。この第２層間絶縁膜１１８は、画素回路１１１を構成する駆動用トランジスター１２２などや、ソース電極１２５、ドレイン電極１２４などによる表面の凹凸をなくすために形成されたものであり、第１層間絶縁膜１１７と同様に例えばＳｉＯ₂を主体として構成され、ＣＭＰなどの平坦化処理がほどこされている。

そして、画素電極１３１が、この第２層間絶縁膜１１８の表面上に形成されると共に、第２層間絶縁膜１１８に設けられたコンタクトホール１１８ａを介してドレイン電極１２４に接続されている。すなわち、画素電極１３１は、ドレイン電極１２４を介して、半導体層１２２ａの高濃度ドレイン領域１２２ｂに接続されている。対向電極１３４は、ＧＮＤに接続されている。したがって、駆動用トランジスター１２２により、前述した電源線１１４から画素電極１３１に供給され対向電極１３４との間で流れる駆動電流が制御される。これにより、画素回路１１１は、所望の有機ＥＬ素子１３０を発光させカラー表示を可能としている。

機能層１３２は、有機膜からなる正孔注入層、正孔輸送層、発光層を含む複数の薄膜層からなり、画素電極１３１側からこの順で積層されている。本実施形態において、これらの薄膜層は液滴吐出法（インクジェット法）を用いて成膜されている。

正孔注入層の材料としては、例えば、分散媒としてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）にポリチオフェン誘導体であるポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を分散させさらに水を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）や、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ／Ｎａｆｉｏｎ（登録商標）、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体などを用いてもよい。

正孔輸送層は、正孔注入層と発光層との間に設けられ、発光層に対する正孔の輸送性（注入性）を向上させると共に、発光層から正孔注入層に電子が侵入することを抑制するために設けられている。すなわち、発光層における正孔と電子との結合による発光の効率を改善するものである。正孔輸送層の材料としては、例えば、正孔輸送性が良好なトリフェニルアミン系ポリマー（ＴＦＢ）を含んだものが挙げられる。

発光層の材料としては、蛍光発光材料、燐光発光材料のいずれかを含むものでよく、例えば、赤色、緑色、青色の発光が得られるポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ＰＥＤＯＴ等のポリチオフェニレン誘導体、ポリメチルフェニレンシラン（ＰＭＰＳ）等を用いることができる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクドリン等低分子材料をドープしてもよい。

なお、機能層１３２は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層を有する構成に限定されず、キャリア（正孔や電子）の流れを制御するための有機層や無機層をさらに含んでいてもよい。

このような有機ＥＬ素子１３０を有する素子基板１０１は、熱硬化型エポキシ樹脂等を封着部材として用いた封着層１３５を介して封止基板１０２と隙間なくベタ封止されている。

本実施形態の有機ＥＬ装置１００の有機ＥＬ素子１３０は、後述する製造方法を用いて製造されており、機能層１３２がほぼ一定の膜厚と安定した膜形状（断面形状）を有しているため、異なる発光色が得られる機能層１３２Ｒ，１３２Ｇ，１３２Ｂにおいてそれぞれ所望の発光特性が得られる。

なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、ボトムエミッション型に限定されず、例えば画素電極１３１を光反射性の導電材料を用いて形成し、対向電極１３４を透明な導電材料を用いて形成して、有機ＥＬ素子１３０の発光を画素電極１３１で反射させて、封止基板１０２側から取り出すトップエミッション型の構造としてもよい。また、トップエミッション型とする場合、有機ＥＬ素子１３０の発光色に対応させたカラーフィルターを各有機ＥＬ素子１３０に対応させて設ける構成としてもよい。さらには、有機ＥＬ装置１００がカラーフィルターを有する場合、有機ＥＬ素子１３０から白色発光が得られる構成としてもよい。

このような有機ＥＬ装置１００は、例えば、薄型ＴＶ、パーソナルコンピューター、携帯型の情報端末である携帯電話機やスマートフォン、ＰＯＳ端末、ナビゲーターなど電子機器の表示部として好適に用いることができる。

＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ素子１３０の製造方法を適用した有機ＥＬ装置１００の製造方法ついて、図４〜図６を参照して説明する。図４は有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図５（ａ）〜（ｄ）及び図６（ｅ）〜（ｈ）は有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図である。

図４に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、バンク形成工程（ステップＳ１）と、正孔注入層形成工程（ステップＳ２）と、正孔輸送層形成工程（ステップＳ３）と、発光層形成工程（ステップＳ４）と、陰極形成工程（ステップＳ５）と、有機ＥＬ素子１３０が形成された素子基板１０１と封止基板１０２とを接着する基板接着工程（ステップＳ６）と、を少なくとも備えている。なお、素子基板１０１上に画素回路１１１（図１及び図３参照）を形成する工程や画素回路１１１に電気的に接続した画素電極１３１を形成する工程は、公知の製造方法を用いればよく、本実施形態では詳細の説明は省略する。したがって、図５（ａ）〜（ｄ）及び図６（ｅ）〜（ｈ）では、画素回路１１１の図示を省略している。

図４のバンク形成工程（ステップＳ１）では、図５（ａ）に示すように、画素電極１３１の外縁を覆って画素電極１３１を区画するようにバンク１３３を形成する。バンク１３３の詳しい形成方法については後述するが、画素電極１３１が形成された素子基板１０１の表面に、撥液材料を含む感光性レジスト（感光性樹脂材料）をおよそ１μｍ〜３μｍ程度の厚みで塗布して乾燥（プレベーク）することにより、レジスト層を形成する。感光性レジストの塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法、転写法などが挙げられる。そして、発光画素１０７の形状に対応した露光用マスクを用いてレジスト層を露光し、現像することにより断面が台形状のバンク１３３を形成する。バンク１３３は撥液材料を含んでおり、バンク１３３の表面が後述する機能液に対して好適な撥液性を示すと共に、バンク１３３中の溶媒成分を十分に除去できるようにポストベークが施されバンク１３３が形成されている。以降、バンク１３３により区画された領域を膜形成領域Ａと呼ぶ。

なお、次工程で正孔注入層１３２ａを液相プロセス（液滴吐出法）で形成するに際して、膜形成領域Ａにおいて機能液がむらなく濡れ広がるように、画素電極１３１の表面のバンク残渣などの不要物を取り除く目的で表面処理を行ってもよい。表面処理方法としては、例えば紫外線を照射してオゾンを発生させ、オゾンの作用で上記不要物を酸化させて取り除く方法などを挙げることができる。なお、表面処理は、画素電極１３１の表面を清浄化できればよく、例えば溶媒による洗浄・乾燥工程を行ってもよい。また、画素電極１３１の表面が清浄な状態であれば、表面処理を実施しなくてもよい。そして、ステップＳ２へ進む。

図４の正孔注入層形成工程（ステップＳ２）では、まず、図５（ｂ）に示すように、正孔注入層形成材料を含む機能液７０を膜形成領域Ａに塗布する。機能液７０は、例えば、溶媒に正孔注入層形成材料として前述したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（１／６）の混合物を重量比で１．３％程度含んだものを用いた。溶媒は、芳香族炭化水素、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ヘキサメチルホスソルアミド（ＨＭＰＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテートなどのグリコールエーテル類の中から少なくとも１種を選択して用いる。機能液７０の粘度は、液滴吐出法を適用可能な程度（例えば、２０ｍＰａ・ｓ（ミリパスカル秒）以下）に溶媒の割合が調整されている。

機能液７０を塗布する方法としては、機能液（インク）をノズルから液滴として吐出可能な吐出ヘッド（インクジェットヘッド）５０を備えた液体吐出装置を用いる。吐出ヘッド５０とワークである素子基板１０１とを対向させ、吐出ヘッド５０から機能液７０を吐出する。吐出された機能液７０は、液滴として画素電極１３１に着弾して濡れ拡がる。また、乾燥・焼成後の正孔注入層１３２ａの膜厚がおよそ５０ｎｍ〜６０ｎｍとなるように、膜形成領域Ａの面積に応じた必要量を液滴として吐出した。吐出された機能液７０は、バンク１３３の表面が撥液性を有していることも手伝って、膜形成領域Ａにおいて界面張力により盛り上がるように充填される。そして乾燥・焼成工程へ進む。

乾燥・焼成工程では、素子基板１０１を例えば真空乾燥後、大気雰囲気下で１５０℃、１時間程度加熱する焼成処理を行う。これにより、機能液７０の溶媒成分を蒸発させて除去し、図５（ｃ）に示すように膜形成領域Ａの画素電極１３１上に正孔注入層１３２ａを形成する。なお、本実施形態では、各膜形成領域Ａに同一材料からなる正孔注入層１３２ａを形成したが、後に形成される発光層に対応して正孔注入層１３２ａの材料を発光色ごとに変えてもよい。そしてステップＳ３へ進む。

図４の正孔輸送層形成工程（ステップＳ３）では、図５（ｄ）に示すように、正孔輸送層形成材料を含む機能液８０を膜形成領域Ａに塗布する。
機能液８０は、例えば、溶媒としてジメチルナフタレンを含み、正孔輸送層形成材料として、前述したトリフェニルアミン系ポリマー（ＴＦＢ）を重量比で０．９％程度含んだものを用いた。機能液８０の粘度も、液滴吐出法を適用可能な程度に溶媒の割合が調整されている。
機能液８０を塗布する方法としては、機能液７０を塗布する場合と同様に、吐出ヘッド５０を備えた液体吐出装置を用いる。乾燥・焼成後の正孔輸送層１３２ｃの膜厚がおよそ１０ｎｍ〜３０ｎｍとなるように、膜形成領域Ａの面積に応じた必要量を液滴として吐出した。機能液８０も膜形成領域Ａにおいて界面張力により盛り上がるように充填される。そして乾燥・焼成工程へ進む。

乾燥・焼成工程では、素子基板１０１を例えば真空乾燥後、窒素雰囲気下で１８０℃、１時間程度加熱する焼成処理を行う。これにより、機能液８０の溶媒成分を蒸発させて除去し、図６（ｅ）に示すように膜形成領域Ａの正孔注入層１３２ａ上に正孔輸送層１３２ｃを形成する。そしてステップＳ４へ進む。

図４の発光層形成工程（ステップＳ４）では、図６（ｆ）に示すように、発光層形成材料を含む機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂをそれぞれ対応する膜形成領域Ａに塗布する。
機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂは、例えば、溶媒としてジメチルナフタレンを含んでおり、発光層形成材料（蛍光発光材料もしくは燐光発光材料を含む）を重量比で１．５％含んだものを用いた。機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの粘度も、液滴吐出法を適用可能な程度にそれぞれ溶媒の割合が調整されている。
機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂを塗布する方法は、やはり吐出ヘッド５０を備えた液体吐出装置を用い、それぞれ異なる吐出ヘッド５０に充填されて吐出される。
機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂは、乾燥・焼成後の発光層の膜厚がおよそ６０ｎｍ〜８０ｎｍとなるように、膜形成領域Ａの面積に応じた必要量を液滴として吐出される。機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂもまた、膜形成領域Ａにおいて界面張力により盛り上がるように充填される。そして乾燥・焼成工程へ進む。

本実施形態における吐出された機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの乾燥・焼成工程は、一般的な加熱乾燥に比べて溶媒成分を比較的均一に乾燥可能な真空乾燥を用いている。また、真空乾燥後、窒素雰囲気下で１３０℃、３０分程度加熱する焼成処理を行う。膜形成領域Ａには満遍なく必要量の機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂが塗布されているので、図６（ｇ）に示すように、乾燥・焼成後に形成された発光層１３２ｒ，１３２ｇ，１３２ｂは膜形成領域Ａごとにほぼ一定の膜厚と安定した膜形状（断面形状）を有する。これにより、各機能層１３２Ｒ，１３２Ｇ，１３２Ｂができあがる。そして、ステップＳ５へ進む。

図４の陰極形成工程（ステップＳ５）では、図６（ｈ）に示すように、バンク１３３と各機能層１３２Ｒ，１３２Ｇ，１３２Ｂとを覆うように陰極としての対向電極１３４を形成する。
対向電極１３４の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）の合金などが用いられる。対向電極１３４の膜厚はおよそ２００ｎｍである。また、機能層１３２Ｒ，１３２Ｇ，１３２Ｂに近い側に仕事関数が小さいＣａ、Ｂａ、ＬｉＦの膜を例えば１０ｎｍ程度の膜厚で形成してもよい。このようにすれば、陰極としての対向電極１３４から機能層１３２Ｒ，１３２Ｇ，１３２Ｂへの電子の輸送性を改善できる。
また、対向電極１３４の上にＳｉＯ₂、ＳｉＮ等の保護層を積層してもよい。このようにすれば、対向電極１３４の酸化を防止することができる。対向電極１３４の形成方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。特に機能層１３２Ｒ，１３２Ｇ，１３２Ｂの熱による損傷を防止できるという点では、蒸着法が好ましい。ここまでが、有機ＥＬ素子１３０の製造工程を示すものである。そして、ステップＳ６へ進む。

図４の基板接着工程（ステップＳ６）では、有機ＥＬ素子１３０が形成された素子基板１０１に封着層１３５を塗布して、封止基板１０２と隙間なくベタ封止する（図３参照）。さらに封止基板１０２の外周領域において水分や酸素等の浸入を防ぐ接着層を設けて接着することが望ましい。これにより、水分や酸素の影響を受けて有機ＥＬ素子１３０の発光機能が損なわれ難い優れた表示品質を有する有機ＥＬ装置１００ができあがる。

以上のような有機ＥＬ素子１３０の製造方法によれば、液滴吐出法により成膜された機能層１３２Ｒ，１３２Ｇ，１３２Ｂは、ほぼ一定の膜厚と安定した膜形状（断面形状）の正孔注入層１３２ａ、正孔輸送層１３２ｃ、発光層１３２ｒ，１３２ｇ，１３２ｂを有している。したがって、膜厚ムラに起因する輝度ムラが低減された有機ＥＬ素子１３０を製造することができる。

このようにして製造された異なる発光色が得られる有機ＥＬ素子１３０を備えた有機ＥＬ装置１００は、所望の発光特性が実現され、見映えのよいカラー表示が可能である。

ほぼ一定の膜厚と安定した膜形状の機能層１３２Ｒ，１３２Ｇ，１３２Ｂを得るには、各機能液７０，８０，９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂに対するバンク１３３の撥液性がどのようになっているかが重要である。バンク１３３と機能液７０，８０，９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂとの関係について、図７を参照して説明する。図７（ａ）は機能液に対するバンクの側壁部の撥液性が頭頂部に比べて劣る例を示す概略断面図、図７（ｂ）は機能液に対するバンクの側壁部の撥液性がばらついている例を示す概略断面図、図７（ｃ）は機能液に対するバンクの側壁部の撥液性が好適な状態である例を示す概略断面図である。なお、図７（ａ）〜（ｃ）は、機能液７０を例に挙げて、機能液７０に対するバンク１３３の撥液性を示すものである。

図７（ａ）に示す例では、バンク１３３の表面において、側壁部１３３ｂの撥液性が頭頂部１３３ａの撥液性よりも劣っている。機能液７０の乾燥工程では、頭頂部１３３ａに近い側壁部１３３ｂの位置で乾燥が始まって、正孔注入層１３２ａが成膜され始める。本実施形態では、機能液から溶媒が除去されて、機能液中の固形分が固定され始める状態をピニングと呼ぶ。図７（ａ）では側壁部１３３ｂにおけるピニング位置は頭頂部１３３ａに近い。そうすると、本来、バンク１３３で囲まれた膜形成領域Ａ内で一定の膜厚を有するように正孔注入層１３２ａを形成したいが、乾燥工程では機能液７０が頭頂部１３３ａに近いところからピニングされるので、側壁部１３３ｂを覆って成膜される分、膜形成領域Ａの例えば中央部の膜厚が薄くなってしまうおそれがある。言い換えれば、機能液７０が頭頂部１３３ａよりも側壁部１３３ｂに対して濡れ性が高い状態である場合、機能液７０は有効に消費され難い。

また、図７（ｂ）に示す例では、バンク１３３の表面において、側壁部１３３ｂの撥液性が頭頂部１３３ａよりもばらついている。すると、機能液７０の乾燥工程では、側壁部１３３ｂにおけるピニング位置がばらついて、正孔注入層１３２ａの膜形状が安定しない。

これに対して、図７（ｃ）に示す例では、バンク１３３の表面において、頭頂部１３３ａと側壁部１３３ｂとの撥液性に優劣やばらつきが生じていない。すると、機能液７０の乾燥工程では、側壁部１３３ｂの画素電極１３１に近い側においてピニングされるため、膜形成領域Ａにおいて膜厚がほぼ一定で、且つ膜形状が安定した正孔注入層１３２ａが得られる。

前述したように、機能層１３２を構成するところの、正孔注入層１３２ａ、正孔輸送層１３２ｃ、発光層１３２ｒ，１３２ｇ，１３２ｂは、それぞれ機能液を塗布して乾燥・焼成することにより、バンク１３３の頭頂部１３３ａよりも低い位置の画素電極１３１上に形成される、膜厚が薄い有機層であることから、バンク１３３の側壁部１３３ｂは各機能液に対して十分な撥液性を示すことが求められる。以降、より具体的なバンク１３３の形成方法について述べる。

＜バンクの形成方法＞
本実施形態のバンク１３３の形成方法について、図８を参照して説明する。図８（ａ）〜（ｄ）はバンクの形成方法を示す概略断面図である。なお、図８では、素子基板１０１上において画素電極１３１以外の画素回路１１１や信号配線等の表示を省略している。

まず、図８（ａ）に示すように、素子基板１０１の複数の画素電極１３１が形成された表面を覆って、撥液材料１４１を含む感光性レジスト（感光性樹脂材料）を塗布してレジスト層１４０を形成する（レジスト層形成工程）。撥液材料１４１としては、例えば、フッ素系化合物やシロキサン系化合物を挙げることができる。感光性レジストとしては、ネガ型の多官能アクリル樹脂を挙げることができる。本実施形態では、フッ素系化合物を０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％程度の範囲内で含んだ多官能アクリル樹脂を主成分とする樹脂溶液をスピンコート法により塗布して、乾燥（プレベーク）させることにより、膜厚がおよそ２μｍのレジスト層１４０を形成した。上記樹脂溶液は、主成分である多官能アクリル樹脂を溶解可能な、例えばジエチレングリコールエチルメチルエーテル（ＥＤＭ；沸点１７６℃）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ；沸点１２０℃）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ；沸点８２℃）などの有機溶媒を含んでいる。この場合の乾燥（プレベーク）における条件は、レジスト層１４０を完全に硬化させない、例えば１１０℃、９０秒である。なお、プレベークの方法は、バッチ方式のオーブンを用いる方法だけでなく、枚葉方式の乾燥炉を用いる方法でもよい。

次に、図８（ｂ）に示すように、膜形成領域Ａに対応した遮光部１５１と、透光部１５２とを有する露光用マスク１５０を用いて、ネガ型のレジスト層１４０を露光する（露光工程）。遮光部１５１と画素電極１３１とがほぼ重なるように素子基板１０１と露光用マスク１５０とが位置決めされて露光が行われる。露光条件としては、例えば、紫外線の露光量が５４０ｍＷ／ｃｍ²、露光時間が６５秒である。露光されたレジスト層１４０の部分において高分子化が進み、現像液に対して不溶化する。

次に、図８（ｃ）に示すように、露光されたレジスト層１４０を現像することにより、画素電極１３１の外縁と重なり、膜形成領域Ａを区画するバンク１３３を形成する（現像工程）。現像条件としては、素子基板１０１を回転させながら、有機現像液として２．３８ｗｔ％（０．２６１Ｎ）のＴＭＡＨ（Tetra Methyl Ammonium Hydroxide；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）溶液を塗布する方法が挙げられる。現像時間はおよそ３０秒である。ここまでの工程では、レジスト層１４０にプレベーク温度（１１０℃）以上の温度が加えられていないので、撥液材料１４１はレジスト層１４０中で分散された状態となっている。

次に、現像されてバンク１３３が形成された素子基板１０１をポストベークする（熱処理工程）。ポストベークの方法について、図９及び図１０を参照して説明する。図９は乾燥炉としてのオーブンを示す概略断面図、図１０はホットプレートを含む減圧乾燥装置を示す概略断面図である。

図９に示すように、乾燥炉としてのオーブン２００は、密閉可能なチャンバー２０１と、チャンバー２０１内の空間を複数段に仕切る棚２０２と、棚２０２上に立設された複数のプロキシピン２０３と、チャンバー２０１内に気体を導入するための気体導入口２０４と、チャンバー２０１内の気体を排気可能な排気口２０５とを備えている。また、オーブン２００は、チャンバー２０１内の雰囲気を所定の温度に加熱可能なＩＲヒーターなどの加熱手段（図示省略）を備えている。なお、オーブン２００は、レジスト層１４０のプレベークにも流用可能である。

図１０に示すように、減圧乾燥装置３００は、密閉可能なチャンバー３０１と、チャンバー３０１の底面に配置され、ヒーターなどの加熱手段３０３を具備したホットプレート３０２と、チャンバー３０１内を減圧可能な例えばロータリーポンプやオイル拡散ポンプなどの減圧手段３０４と、チャンバー３０１内を外気と連通させるための連通部３０５と、連通部３０５に設けられた開閉バルブ３０６とを備えている。

本実施形態におけるバンク１３３のポストベークは、オーブン２００を用いた第１の熱処置工程と、減圧乾燥装置３００を用いた第２の熱処理工程とを行う。なお、バンク１３３が形成された素子基板１０１を、以降、ワークＷと呼ぶこととする。

第１の熱処理工程では、２００℃以上２４０℃以下の第１の温度、具体的には、２２０℃に設定されたオーブン２００中にワークＷを１時間ほど放置する。図９に示すように、チャンバー２０１内は棚２０２によって仕切られているので、複数のワークＷを同時に熱処理することができる。ワークＷはその外縁部と中央部とがプロキシピン２０３によって背面側から支持された状態で棚２０２上に配置されて熱処理が施される。本実施形態では、チャンバー２０１内に大気が導入されているが、気体導入口２０４から窒素などの不活性ガスを導入してもよい。
第１の熱処理を施すことによって、レジスト層１４０中で分散していた撥液材料１４１は、バンク１３３の表面側に偏析する。

次に、第２の熱処理工程では、図１０に示すように、第１の熱処理が施されたワークＷを減圧乾燥装置３００のホットプレート３０２上に載置し、チャンバー３０１内を減圧手段３０４によって減圧した状態で熱処理を行う。具体的には、２００℃以上２４０℃以下の第２の温度、より具体的には加熱手段３０３により２２０℃に設定されたホットプレート３０２上にワークＷを１時間程度放置して加熱する。チャンバー３０１内の減圧状態は、１．０×１０⁶Ｐａ（およそ１気圧）以下の例えば１．０×１０⁴Ｐａ（およそ１気圧の十分の一）である。

第１の熱処理における第１の温度と第２の熱処理における第２の温度は、感光性レジスト（感光性樹脂材料）に含まれる有機溶媒のうち最も沸点が高い有機溶媒を除去できるように設定する。また、各熱処理において用いられるオーブン２００やホットプレート３０２における温度のばらつきを考慮して設定される。本実施形態では、上記有機溶媒のうち最も沸点が高いのは、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル（ＥＤＭ）であって、沸点が１７６℃であることから、プレベーク温度（１１０℃）よりも高い２００℃以上の温度とした。また、過剰な加熱はエネルギーの無駄や加熱後に取り扱うことが可能となるよう冷却する時間を考慮して２４０℃以下とした。これにより、バンク１３３に含まれる有機溶媒が十分に除去される。本実施形態では、上記第１の温度と上記第２の温度の設定が共に２２０℃であったが、これに限定されず、２００℃以上２４０℃以下の温度範囲であれば双方の温度設定が異なっていてもよい。

一方で、バンク１３３がパターニングされる前のレジスト層１４０にプレベーク温度以上の温度で加熱すると、撥液材料１４１はレジスト層１４０の表面側に偏析する。そして、露光・現像を行うと、頭頂部１３３ａには撥液材料１４１が偏析するが、側壁部１３３ｂには撥液材料１４１がほとんど偏析していない状態のバンク１３３が形成される。そうすると、先に説明した図７（ａ）のような撥液性を示すバンク１３３ができあがってしまう。

本実施形態では、現像工程までは、レジスト層１４０を過剰に加熱せずにバンク１３３を形成し、バンク１３３の形状を確定させた後に、ポストベークを段階的且つ異なった方法で行うことで、図８（ｄ）に示すように、バンク１３３の表面において万遍なく撥液性が発揮されるようにした。

なお、ポストベークにおける各熱処理の時間は、上述したように撥液材料１４１の偏析と、有機溶媒の除去とを考慮して適宜設定可能であるが、本実施形態の第２の熱処理工程では、ホットプレート３０２に載置されたワークＷを減圧下で加熱するので、第２の熱処理の時間は、第１の熱処理の時間よりも短くするこが可能である。言い換えれば、第２の熱処理は、減圧下でワークＷを加熱することに限定されず、大気や不活性ガスなどの雰囲気下でホットプレート３０２上にワークＷを載置して所定の時間（例えば２時間程度）に亘り加熱してもよい。また、第１の熱処理は大気圧で行うことに限定されず、オーブン２００のチャンバー２０１内を減圧状態として第１の熱処理を行ってもよい。

＜実施例と比較例＞
次に、有機ＥＬ素子１３０の製造方法の実施例と比較例とを挙げて、バンク１３３の形成方法の違いによる有機ＥＬ素子１３０の発光特性への影響について図１１を参照して説明する。図１１は有機ＥＬ素子の製造方法における実施例及び比較例のバンクのポストベークの仕方と有機ＥＬ素子の評価結果との関係を示す表である。
図１１に示すように、実施例は、上述したように有機ＥＬ素子１３０の製造方法において、バンク１３３のポストベークとして、第１の熱処理（２２０℃、１時間）と、第２の熱処理（２２０℃、１時間、減圧状態；１．０×１０⁴Ｐａ）とを施したものである。機能層に含まれるところの、正孔注入層はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（１／６）を用いて形成され、正孔輸送層はＴＦＢを用いて形成され、発光層は緑色発光が得られる発光材料を用いて形成されている。いずれも前述したように液滴吐出法を用いて形成され、正孔注入層の膜厚は５０ｎｍ〜６０ｎｍ、正孔輸送層の膜厚は１０ｎｍ〜３０ｎｍ、発光層の膜厚は６０ｎｍ〜８０ｎｍである。

図１１に示すように、比較例は、実施例に対してバンク１３３のポストベークの仕方を異ならせたものであって、第１の熱処理だけが施され、第２の熱処理は実施していない。機能層の構成は、実施例と同じである。

図１１に示すように、実施例と比較例の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ素子１３０をそれぞれ所定の輝度（例えば最大輝度の５０％）が得られるように駆動電圧を設定したときの、駆動電圧は、比較例を基準とすると実施例と比較例とにおいてほぼ同じ水準であった。また、有機ＥＬ素子１３０を流れる電流の値から発光効率も実施例と比較例とにおいてほぼ同じ水準であった。これに対して、実施例と比較例の有機ＥＬ素子１３０のそれぞれを所定の輝度で発光させる通電を行い、該所定の輝度が半減する通電時間（ＬＴ５０）を調べたところ、実施例の有機ＥＬ素子１３０のＬＴ５０は、比較例に対しておよそ１．５倍であった。つまり、発光特性のうち発光寿命が改善された。
なお、上記実施例及び比較例では、発光層として緑色発光が得られる発光材料を用いたが、他の赤色や青色の発光が得られる発光材料を用いた場合も発光寿命を改善することが可能である。また、発光寿命の評価は、ＬＴ５０に限らず、ＬＴ８０（上記所定の輝度に対して輝度が８０％となる通電時間）やＬＴ９５（上記所定の輝度に対して輝度が９５％となる通電時間）などを含めてもよい。このようにすれば、輝度の低下傾向つまり発光寿命の時間的な推移についても評価できる。

上記実施形態のバンク１３３の形成方法によれば、現像後のバンク１３３に対して第１の熱処理と第２の熱処理とを含むポストベークが行われるので、バンク１３３の表面において万遍なく撥液性が付与されると共に、感光性レジストに含まれる溶媒成分が確実に除去され優れた耐薬品性を有するバンク１３３を形成することができる。
また、このようなバンク１３３を用いた有機ＥＬ素子１３０の製造方法によれば、液相プロセスで機能層１３２を形成する過程で、感光性レジストに含まれる溶媒成分の影響を受けず、また乾燥・焼成後に断面形状が比較的に平坦な機能層１３２を形成できる。ゆえに、特に発光寿命が改善され優れた発光特性を有する有機ＥＬ素子１３０を製造することができる。
また、有機ＥＬ素子１３０が適用された有機ＥＬ装置１００は、優れた表示品質に加えて優れた表示寿命を実現できる。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うバンクの形成方法及び有機ＥＬ素子の製造方法を適用する有機ＥＬ装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）バンク１３３を構成する感光性レジスト（感光性樹脂材料）は、ネガ型に限定されず、ポジ型の感光性レジスト（感光性樹脂材料）を用いてもよい。

（変形例２）バンク１３３の断面形状は、台形状であることに限定されない。実際には、現像後のバンク１３３の頭頂部１３３ａが緩やかな曲面となることもある。

（変形例３）有機ＥＬ装置１００は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、３色の発光画素１０７を有することに限定されず、黄（Ｙ）の発光画素１０７を含む構成としてもよい。色再現性が向上した有機ＥＬ装置１００を提供できる。また、有機ＥＬ装置１００の３色の発光画素１０７のうちの少なくとも１色の発光画素１０７において、本実施形態の有機ＥＬ素子１３０が適用されていればよい。さらに、有機ＥＬ素子１３０を適用する有機ＥＬ装置１００は表示装置に限定されず、単色発光あるいは多色発光の照明装置や露光装置であってもよい。

７０，８０，９０Ｂ，９０Ｇ，９０Ｒ…機能液、１００…有機ＥＬ装置、１０１…基板としての素子基板、１３０…有機ＥＬ素子、１３１…第１電極としての画素電極、１３２，１３２Ｂ，１３２Ｇ，１３２Ｒ…機能層、１３２ａ…正孔注入層、１３２ｃ…正孔輸送層、１３２ｂ，１３２ｇ，１３２ｒ…発光層、１３３…バンク、１３４…第２電極としての対向電極、１４０…レジスト層、２００…乾燥炉としてのオーブン、３００…減圧乾燥装置、３０２…ホットプレート、Ｗ…基板としてのワーク。

Claims (8)

1. 基板に撥液材料を含む感光性レジストを塗布してレジスト層を形成する工程と、
   前記レジスト層を露光・現像してパターニングしバンクを形成する工程と、
   前記バンクが形成された前記基板に、前記感光性レジストに含まれる溶媒の沸点よりも高い第１の温度の雰囲気下で第１の熱処理を施す工程と、
   前記第１の熱処理が施された前記基板をホットプレート上に載置して、前記感光性レジストに含まれる溶媒の沸点よりも高い第２の温度で第２の熱処理を施す工程と、を含むことを特徴とするバンクの形成方法。
2. 前記第１及び第２の温度が２００℃以上２４０℃以下であることを特徴とする請求項１に記載のバンクの形成方法。
3. 前記第１の熱処理を施す工程は、複数の前記基板を受入れ可能な乾燥炉を用いることを特徴とする請求項１または２に記載のバンクの形成方法。
4. 前記第２の熱処置を施す工程は、減圧下で行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のバンクの形成方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載のバンクの形成方法を用い、基板上に配置された第１電極を含む領域を区画するバンクを形成する工程と、
   前記バンクにより区画された前記領域に機能性材料を含む機能液を塗布する工程と、
   塗布された前記機能液を固化して機能層を形成する工程と、
   前記機能層に積層して第２電極を形成する工程と、を含む有機ＥＬ素子の製造方法。
6. 前記機能層は、正孔注入層を含み、
   前記正孔注入層は、正孔注入層形成材料を溶媒に添加した前記機能液を用いて形成され、
   前記溶媒は、芳香族炭化水素、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスソルアミド、ジメチルスルホキシド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジン及びその誘導体、グリコールエーテル類の中から少なくとも１種が選ばれることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
7. 前記機能層は、正孔輸送層を含み、
   前記正孔輸送層は、正孔輸送層形成材料をジメチルナフタレンに添加した前記機能液を用いて形成されることを特徴とする請求項５または６に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
8. 前記機能層は、発光層を含み、
   前記発光層は、発光層形成材料をジメチルナフタレンに添加した前記機能液を用いて形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。

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