JP3766336B2 - 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば層間絶縁膜、デバイスの保護膜用の塗布液あるいはレジスト液などが表面に塗布された基板を減圧乾燥処理し、この塗布液を乾燥させる減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造工程の一つとして、層間絶縁膜や半導体デバイスの保護膜を形成するために、所定の塗布液を半導体ウエハなどの基板上に塗布して塗布膜を形成する処理がある。この処理は、例えばポリイミドおよび溶剤を含む塗布液を基板表面に塗布し、溶剤が蒸発してポリイミド成分からなる塗布膜を形成する手法により行われる。
【0003】
前記塗布液に含まれる溶剤としては、揮発性の低い溶剤例えば高沸点シンナーが使用されるので、ウェハに塗布液を塗布した後、短時間で乾燥させるための減圧乾燥ユニットにて減圧乾燥処理されることが得策である。従来の減圧乾燥ユニットは、例えば図15に示すように蓋体11及び載置部12にて構成される密閉容器1が設けられている。また当該蓋体11の天井部には排気口13が設けられ、排気路例えば配管14を介して真空ポンプ15が接続されており、密閉容器1の内部を減圧することができるようになっている。更に密閉容器1の内部には、塗布液からの蒸発成分がウェハW表面において均一な排気流を形成するように整流板16が昇降可能に設けられている。
【0004】
このような減圧乾燥ユニットにおいて、先ず上述の塗布処理を終えたウェハWは載置部12に載置され、このウェハWと対向するように整流板16が所定の高さ位置に設定される。次いで載置部12に設けられた図示しない温度調整手段にてウェハWの温度を例えば30℃に調整すると共に真空ポンプ15を作動させ、密閉容器1内を減圧することで、整流板16とウェハWとの間を外方側に広がる排気流を形成しながら塗布液中の溶剤が蒸発(乾燥)し、残ったポリイミド成分により塗布膜がウェハW表面に形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで上述の減圧乾燥手法の場合、溶剤の蒸発速度は塗布液中の溶剤濃度と、その塗布液の液面近傍にある溶剤雰囲気の濃度との間の濃度差に依存する場合があり、例えば両者の濃度勾配が大きい程蒸発速度が速くなる。ここで塗布液から蒸発した溶剤成分は、既述のように整流板16の存在によりウェハWの表面に沿って周縁方向に向かう気流を形成しながら排気されるが、ウェハWの中心から例えば半径40mmに亘る中央部の領域では、蒸発した溶剤成分は360度の方向に引っ張られて直ぐに中央部から排気されるので、溶剤雰囲気の濃度は比較的低い状態が保たれ、その後も溶剤の蒸発が盛んに行われる。一方、ウェハWの周縁部の領域では、周縁部の塗布液から蒸発した溶剤成分と内側(中央部)からくる排気流に含まれる蒸発成分とが合わさることで中央部よりも溶剤雰囲気の濃度が高くなり、その分溶剤の蒸発が遅れてしまう。つまり図16に示すように、ウェハWの中央部の蒸発速度が速く、周縁部の蒸発速度が遅くなり、面内の蒸発の状態にばらつきが生じる懸念がある。
【0006】
また塗布液から溶剤が蒸発するときには、ウェハW表面の塗布液は蒸発する溶剤に気化熱を奪われて塗布液表面の液温が低下する。ここで上述のような蒸発速度のばらつきが生じると、蒸発が盛んな中央部にある塗布液は気化熱で周縁部よりも速く液温が低下して例えば2〜4℃程度の温度差が生じ、表面張力との作用と相俟って中央部に塗布液が寄ろうとするので、図17に示すように中央部の膜厚が大きい塗布膜が形成されてしまう場合がある。
【0007】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は塗布液が表面に塗布された基板を減圧状態で乾燥するための減圧乾燥装置において、乾燥時の塗布液の表面張力を均一にして、面内均一性の高い減圧乾燥処理を行うことができる技術を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の減圧乾燥装置は、塗布液が表面に塗布された基板を減圧状態で乾燥するための減圧乾燥装置において、
基板を載置するための基板載置部がその内部に設けられた気密容器と、
前記基板載置部に載置された基板の表面と隙間を介して対向し、当該隙間の気体をその外方側に向かって排気するために設けられ、基板と略同じかそれ以上の大きさの整流板と、
前記基板載置部に設けられ、基板の温度を調整するための基板温度調整手段と、
前記気密容器内を減圧するための減圧排気手段と、を備え、
前記整流板は、基板の中央部に対向する領域の温度が当該領域の外側の温度よりも高くなるように温度調整するための温度調整部を備えたことを特徴とする。
【0009】
前記整流板に設けられた前記温度調整部は、例えば基板の中央部に対向する領域に設けられた第1の加熱部を含むようにしてもよく、整流板に設けられた前記温度調整部は、例えば第1の加熱部を囲むように設けられ、例えば第1の加熱部よりも低い温度に設定された第2の加熱部を含むようにしてもよい。また第1の加熱部と第2の加熱部との間には例えば断熱部材が設けられていてもよい。更整流板の下面には、例えば温度調整部の熱を面内で均熱化するための均熱板が設けるようにしてもよい。更にまた、前記第1の加熱部は、例えば直径80mm〜90mmの円形領域に設けるようにしてもよい。
【0010】
本発明によれば、減圧乾燥時において、溶剤の蒸発が進むにつれて基板表面の中央部と周縁部との塗布液の温度差を小さくしながら塗布膜を形成することができる。即ち基板の中央部と周縁部とで塗布液の表面張力のばらつきが抑えられるので、周縁部の塗布液は中央部側に引き寄せられず、均一な厚みの塗布膜を形成することができる。このため面内均一性の高い減圧乾燥処理をすることができる。
【0011】
また他の発明は、 塗布液が表面に塗布された基板を減圧状態で乾燥するための減圧乾燥装置において、
基板を載置するための基板載置部がその内部に設けられた気密容器と、
前記基板載置部に載置された基板の表面と隙間を介して対向し、当該隙間の気体をその外方側に向かって排気するように設けられ、基板と略同じかそれ以上の大きさの整流板と、
前記基板載置部に設けられ、基板の温度を調整するための基板温度調整手段と、
前記気密容器内を減圧するための減圧排気手段と、を備え、
前記整流板における基板の中央部に対向する部位に凹部が設けられ、この凹部よりも外側部位は平坦面として形成され、前記凹部に溶剤の蒸気が滞留することで基板の中央部における塗布液の表面から上方に至る溶剤成分の濃度勾配を緩やかにすることにより、前記基板の中央部における溶剤成分の蒸発速度と前記基板の中央部よりも外側部位における溶剤成分の蒸発速度との差を小さくして基板の中央部の塗布膜が盛り上がる現象を緩和するようにしたことを特徴とする。また前記凹部は、例えば縦断面が山形状に形成されていてもよい。
【0012】
本発明によれば、減圧乾燥時の基板と整流板との隙間に形成される排気流を、中央部の流速が遅く、周縁部の流速が速い気流にすることができる。このため中央部と周縁部とで蒸発した溶剤成分の排気性が均一となり、基板全体でみると塗布液の表面から上方に至る溶剤成分の濃度勾配を面内で均一にすることができる。このため溶剤の蒸発速度が面内で均一になり、気化熱による塗布液の液温低下も面内で均一になる。即ち面内で表面張力にばらつきがないので周縁部の塗布液は中央部側に引き寄せられずに、厚みが均一な塗布膜を形成することができる。その結果、面内均一性の高い減圧乾燥処理をすることができる。
【0013】
本発明の減圧乾燥方法は、塗布液が表面に塗布された基板を減圧乾燥するための減圧乾燥方法において、
前記基板を気密容器の内部に設けられた基板載置部に載置する工程と、
次いで基板載置部に載置された基板の表面と隙間を介して対向するように基板と略同じかそれ以上の大きさの整流板を位置させる工程と、
前記基板載置部に載置された基板の温度を所定の温度に調整する工程と、
続いて整流板における基板の中央部に対向する領域の温度が当該領域の外側の温度よりも高くなるように温度調整する工程と、
気密容器内を減圧することにより前記隙間の気体を整流板の外方に向かって排気し、塗布液に含まれる溶剤成分を蒸発させる工程と、を備えたことを特徴とする。
【0014】
また本発明の減圧乾燥方法は、塗布液が表面に塗布された基板を減圧乾燥するための減圧乾燥方法において、
前記基板を気密容器の内部に設けられた基板載置部に載置する工程と、
次いで基板と略同じかそれ以上の大きさの整流板であって、基板の中央部に対向する部位に凹部が設けられ、この凹部よりも外側部位は平坦面として形成されている整流板を、基板載置部に載置された基板の表面と隙間を介し、かつ前記凹部が基板の中央部と対向するように位置させる工程と、
前記基板載置部に載置された基板の温度を所定の温度に調整する工程と、
気密容器内を減圧することにより前記隙間の気体を整流板の外方に向かって排気し、塗布液に含まれる溶剤成分を蒸発させる工程と、を備え、
前記凹部に溶剤の蒸気が滞留することで基板の中央部における塗布液の表面から上方に至る溶剤成分の濃度勾配を緩やかにすることにより、前記基板の中央部における溶剤成分の蒸発速度と前記基板の中央部よりも外側部位における溶剤成分の蒸発速度との差を小さくして基板の中央部の塗布膜が盛り上がる現象を緩和することを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】
先ず本発明の減圧乾燥装置を説明する前に、当該減圧乾燥装置が組み込まれた塗布膜形成装置の一例について図1及び図2を参照しながら説明する。図中21はカセットステーションであり、例えば25枚のウエハWを収納したカセットCを載置するカセット載置部22と、載置されたカセットCとの間でウエハWの受け渡しを行うための受け渡し手段23とが設けられている。この受け渡し手段23の奥側には筐体24にて周囲を囲まれる処理部S1が接続されている。処理部S1の中央には主搬送手段25が設けられており、これを取り囲むように例えば奥を見て右側には複数の塗布ユニット3が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットU1,U2,U3が夫々配置されている。
【0016】
棚ユニットU1,U2,U3は、塗布ユニット3の前処理及び後処理を行うためのユニットなどを各種組み合わせて構成されるものであり、その組み合わせは塗布ユニット3にて表面に塗布液が塗られたウエハWを減圧雰囲気下で乾燥し、該塗布液中に含まれる溶剤を揮発する減圧乾燥ユニット、ウエハWを加熱(ベーク)する加熱ユニット、ウエハWを冷却する冷却ユニット等が含まれる。なお棚ユニットU3については、ウエハWを受け渡すための受け渡し台を備えた受け渡しユニットも組み込まれる。また、上述した主搬送手段25は例えば昇降及び前後に移動自在で且つ鉛直軸周りに回転自在に構成されており、塗布ユニット3及び棚ユニットU1,U2,U3を構成する各ユニット間でウエハWの受け渡しを行うことが可能となっている。
【0017】
この装置のウェハWの流れについて説明すると、先ず外部からウェハWが収納されたカセットCがカセット載置部22に載置され、受け渡し手段23によりカセットC内からウェハWが取り出され、加熱・冷却ユニットU3の棚の一つである受け渡しユニットを介して主搬送手段25に受け渡される。次いでユニットU3の一の棚の処理部内にて疎水化処理が行われた後、塗布ユニット3にて塗布液が塗布される。その後ウェハWは減圧乾燥ユニットに搬送され、減圧乾燥処理により塗布膜が形成される。塗布膜が形成されたウェハWは加熱ユニットで加熱された後、冷却ユニットで所定の温度に冷却される。しかる後ウェハWはカセット載置部22上のカセットC内に戻される。
【0018】
ここで本発明に係る減圧乾燥手法の前段にある上述の塗布ユニット3において、例えば乾燥後に塗布膜を形成するポリイミド成分と溶剤例えば高沸点シンナーとを混ぜ合わせて成る塗布液iをウェハW表面に塗布する塗布手法の一例について図3を用いて簡単に説明する。当該塗布手法は、いわゆるスパイラル型の塗布手法であり、塗布ユニット3の基板処理空間内において、基板保持部31により水平に保持されたウェハWを周方向に回転させると供に、ウェハW表面の中心に対向するように設定され、塗布液iを供給するためのディスペンスノズル31をウェハWの径方向(図中X方向)に向かって所定の速度で移動させながら塗布液iを線状に供給する。このようにして渦巻状のいわゆる一筆書きの要領で塗布液iがウェハWに塗布される。
【0019】
続いて本発明に係る減圧乾燥装置の実施の形態について説明する。図4に示すようにこの減圧乾燥装置は塗布液iが塗布された例えば8インチサイズのウェハWを載置するための基板載置部である載置台4を備えている。この載置台4には、載置されたウェハWの温度を調整するための基板温度調整手段41例えば抵抗発熱体からなる加熱部が埋設されていて、載置台4と基板温度調整手段41とにより温調プレートが構成されている。なお詳しくはウェハWが載置台4の表面から僅かな隙間、例えば0.1mm程度浮いた状態で載置されるようにウェハWの裏面側の周縁に対応する位置に基板保持用の突起部42が設けられている。また載置台4にはウェハWを搬入出する際、ウェハWの裏面を下方向から支持して昇降するように基板支持ピン43が、載置台4を上下方向に貫通し、昇降機構44により突没自在に設けられており、ウェハWは前記主搬送手段25と基板支持ピン43との協働作用により載置台4に載置されるように構成されている。なお、図中45は基板支持ピン43の貫通孔を介して気密容器40内の減圧状態が破られないようにするためのベローズである。
【0020】
載置台4の上方側には、蓋体5が図示しない蓋体昇降機構により昇降自在に設けられている。この蓋体5はウェハWの搬入出時には上昇し、減圧乾燥を行う時には下降して、蓋体5と載置台4とにより気密容器40を形成する構成となっている。また蓋体5の天井部の中心付近には排気口51が設けられ、この排気口51は排気路例えば配管52を介して減圧排気手段である真空ポンプ53が接続されており、その途中にはバルブ54、気密容器40内の圧力調整部55が設けられている。
【0021】
また載置台4の上方側には、この載置台4に載置されたウェハWの表面と対向するように例えばウェハWと略同じかそれ以上の大きさに形成された例えば厚さ5mmの円形状の整流板6が設けられている。ここでいうウェハWと略同じ大きさとは、例えばウェハWのデバイス形成領域をカバーしている大きさではあるがウェハWよりも若干小さい場合などを指す。整流板6は温度調整部を含んでおり、詳しくは図5に示すように、整流板6には、ウェハWの中央部に対向する領域に第1の加熱部61例えば直径80mmの円形状の面状ヒーターが設けられ、この第1の加熱部61の外周縁を囲むように第2の加熱部62例えば幅15mmのリング状の面状ヒーターが設けられている。ここで各面状ヒーターは、前記形状に形成された抵抗発熱体をアルミニウム板により上下から挟んだサンドイッチ構造として構成される。
【0022】
更に前記第1の加熱部61の外周縁と第2の加熱部62の内周縁との間には、例えば幅5mmのリング状の断熱部材63が設けられ、第2の加熱部62の外周縁を囲うように例えば幅5mmのリング状の断熱部材64が設けられている。ここで断熱部材63、64には、例えばグラスウールが用いられる。更に整流板6の下面には、各加熱部に加熱される領域の温度を面内で均熱化するための均熱板65例えば厚さ0.1mmのアルミニウム箔が被着されている。更にまた、整流板6の上面側には外装プレート66が設けられている。
【0023】
説明を図4に戻すと、前記整流板6は外装プレート66を例えば3ヵ所で支持部材67により支持されている。これら支持部材67は蓋体5を貫通しており、そのうち一の支持部材67aはボールネジ機構を用いた昇降手段68に接続され、残りの支持部材67は整流板6が左右にズレないように位置合わせ用のガイドバーとしての役割を有する。当該昇降手段68により整流板6が昇降し、所定の高さ位置に高精度で調整ができるように構成されている。
【0024】
また図中の7は制御部であり、この制御部7はウェハWの減圧乾燥処理を行う際、第1の加熱部61、第2の加熱部62を後述のようなシーケンスで所定の温度に夫々制御する機能、および昇降手段68、圧力調整部55を夫々制御する機能を有する。
【0025】
このような減圧乾燥装置を用いて減圧乾燥を行う工程について図6、図7を用いて説明する。図6に示すように、先ず時刻t1において、蓋体5が上昇した状態で、既述の手法にて塗布液iが塗布されたウェハWが主搬送手段25により搬入され、更に基板支持ピン43との協働作用により載置台4に載置される。次いで蓋体5が下降してウェハWの周囲を囲む気密容器40が形成される。続いて整流板6が下降して、整流板6の下面がウェハWの表面から例えば2mm離れた高さ位置L1に設定される。またウェハWは、基板温度調整手段41により裏面側から加熱されて所定の温度、例えばクリーンルームの温度例えば23℃よりも高い例えば30℃に設定される。次いでバルブ52が開いて真空ポンプ53により減圧排気が開始されると供に、第1の加熱部61と第2の加熱部62の加熱動作が行われ、第1の加熱部61は例えば90℃に、第2の加熱部62は例えば30℃に夫々設定される。このとき気密容器40内の圧力Pは大気圧雰囲気P0から急速に低下する。
【0026】
しかる後、時刻t1から例えば30秒後の時刻t2には気密容器40内の圧力がP1になり、ウェハW表面の塗布液i中の溶剤が激しく蒸発し始め、蒸発した成分によりウェハW表面と整流板6との僅かな隙間を中心側から外方側に向かって流れる排気流が形成される。ここで溶剤が沸騰して塗布膜の表面を粗くするのを抑えるために気密容器40内の圧力Pは圧力調整部55により調製されて溶剤の蒸気圧手前付近にて緩やかに低下する。
【0027】
このように溶剤が激しく蒸発しているときの塗布液iおよび整流板6の表面の温度を示したのが図7である。図7(a)はウェハWと整流板6の縦断面図であり、この断面図に対応する位置の温度を示したのが図7(b)、(c)であり、図中の実線は塗布液iの温度を、一点斜線は整流板6の表面の温度を示す。先ず図7(b)に示すように、加熱動作中の整流板6においては、第1の加熱部61および第2の加熱部62の熱は隣接する均熱板65に伝熱されて、各加熱部61、63毎に均熱化される。当該均熱板65の表面は、第1の加熱部61が形成する領域である中央部が90℃に、また第2の加熱部62が形成する領域である周縁部が30℃になる。ここで断熱部材63により第1の加熱部61と第2の加熱部62とが熱的に分離されているので温度制御で互いが緩衝するのが抑えられ、当該断熱部材63に対応する部位の均熱板65の温度は、中央部の温度と周縁部の温度に亘る温度勾配が形成される。
【0028】
このような温度分布が形成された整流板6からの輻射熱を受けてウェハWの塗布液iは加熱され、中央部にある塗布液iは第1の加熱部61の輻射熱を受けて例えば35〜40℃に、周縁部は第2の加熱部62の輻射熱を受けて27〜30℃になる。そして溶剤の蒸発が進むにつれて整流板6の表面温度は放熱により低下していき、また塗布液iは気化熱を奪われて液温が低下し、蒸発速度の大きい中央部の液温が周縁部よりも速く低下する。
【0029】
このようにして溶剤の蒸発が進み、溶剤の殆どが蒸発し終わる例えば時刻t4には、図7(c)に示すように、整流板6の中央部の温度は35〜40℃に、整流板6の周縁部の温度は25℃になり、また塗布液iの周縁部は例えば25℃になり、塗布液iの中央部は周縁部と同じか僅かに低い温度例えば25℃になる。その後ウェハW表面に塗布液iに含まれるポリイミド成分からなる塗布膜が形成されると、気密容器40内に残存する蒸発した溶剤雰囲気及び空気が排気されて再度気密容器40内の圧力がP2から急速に低下し、時刻t4において所定の圧力P3になるとバルブ52を閉じて減圧排気が停止される。しかる後気密容器40には図示しない給気手段によりパージ用の気体例えば窒素等の不活性ガスが供給され、時刻t5には気密容器40の圧力Pが大気雰囲気P0まで復帰され、ウェハWが搬出されて減圧乾燥処理が終了する。
【0030】
このような実施の形態においては、中央部の温度が高く、周縁部の温度が低く設定された整流板6の輻射熱によりウェハW表面の塗布液iが加熱される。即ち中央部の塗布液iは、周縁部との溶剤の蒸発状態の違いにより生じる液温差に見合うように、予め高めの温度に設定される。ここで「従来の技術」に記載のように、溶剤の蒸発速度は、塗布液i中の溶剤濃度と液表面の近傍にある空間の溶剤成分の濃度差に依存することから、このような場合であっても中央部の溶剤は周縁部に比べて速く蒸発し、このため中央部の液温は周縁部よりも早く低下する。しかし、予め中央部の液温を高めに設定してあるので従来のように中央部と周縁部との温度差を大きくしながら塗布膜を形成するのではなく、溶剤の蒸発が進むにつれて中央部と周縁部との液温差を小さくしながら塗布膜を形成することができる。このため中央部と周縁部との間で塗布液iの表面張力が均一になり、周縁部の塗布液iは中央部に引き寄せられることなく、あるいは引き寄せられたとしてもその程度が小さい状態で塗布膜を形成することができる。その結果膜厚の均一性の高い塗布膜を形成することができる。
【0031】
続いて本発明の減圧乾燥装置の他の実施の形態について図8を用いて説明する。この実施の形態の減圧乾燥装置は、ウェハW表面側に対向するように設けられ、その下面側に凹部が形成された整流板8が設けられている。なお減圧乾燥装置の他の構成であって上述の実施の形態と重複するものについては、図中に同じ符号を付すことで説明を省略する。ここで整流板8について詳しくは、図9に示すように、ウェハWと同じかそれ以上の大きさの厚さ例えば60mmの円形状の板が用いられ、ウェハWの中央部に対向する部位に直径80mmの円形領域に例えば最大深さL2が50mmの例えば縦断面が山形状の凹部81が形成されている。この場合、図10に示すように前記整流板8は、ウェハWの表面との離間距離L3が例えば0.5mmの高さ位置に設定されて減圧乾燥処理が行われる。
【0032】
この実施の形態では、ウェハWの中央部に対向する整流板8における領域に凹部81を形成して、この空間を広くしているためウェハWの中央部から蒸発した溶剤成分がその空間に滞留する。このためウェハWの中央部における塗布液iの表面から上方に至る溶剤成分の濃度勾配が緩やかになるので蒸発速度が遅くなり、周縁部の蒸発速度との差が小さくなる。その結果、中央部の塗布膜が盛り上がる現象が緩和されて、膜厚の面内均一性が高くなる。なお、離間距離L3は0.5mmであるが、発明を分かり易くするため図10では実際よりも広く書いている。
【0033】
また当該実施の形態においては、整流板8の凹部81は、縦断面矩形としてもよいが、図15に示したように、中央部の領域内においても中心になるほど蒸発速度がいわば2次曲線を描くように速くなるので、このような蒸発速度の勾配に相対的に対応した断面山形状であることが好ましい。
【0034】
更にまた、当該実施の形態においては、前記離間距離L3は0.5mmに限らず0.1〜20mmの範囲内で設定するようにしてもよい。ここで離間距離L3をどのように設定するかは、使用する塗布液iの成分に応じて予め実験を行って決めておくのが好ましい。このような場合であっても昇降手段68により整流板6を予め決められた離間距離L3に設定することができ、塗布液iの成分に応じた揮発空間および排気流を形成することができる。このため上述の場合と同様に膜厚が面内均一な塗布膜を得ることができる。
【0035】
更に本発明の他の実施の形態について説明する。本実施の形態は、図3に示す塗布手法を用いて、塗布処理時のウェハWの回転数を調整することで中央部が低く、周縁部が高くなるように塗布する手法である。即ち、ウェハWを回転させると供に、供給ノズル31を径方向に移動させながら塗布液iを供給することで渦巻状の一筆書きの要領で塗布する際において、図11に示すように、供給ノズル31がウェハWの例えば直径90mmを通過するときにウェハWの回転数を遅くして周縁部の供給量を中央部よりも多くする。
【0036】
このような構成においては、図12(a)に示すように、中央部が例えば12μm、周縁部が例えば10μmの膜厚差のある液膜がウェハW表面に形成される。続いて当該ウェハWは減圧乾燥処理されるが、溶剤の蒸発速度は、上述のように周縁部よりも中央部の方が速く、このため中央部の塗布液iと周縁部の塗布液iとの間で液温差が生じる。そして中央部の塗布液iの表面張力は周縁部の塗布液iよりも大きくなるので周縁部の塗布液iは中央部側に引き寄せられて図12(b)に示すように膜厚が均一になる。即ち中央部の塗布液iが引き寄せる液量に見合う量の塗布液iを予め周縁部に塗布しておくことにより、溶剤が蒸発して形成される塗布膜の厚みを均一にすることができる。
【0037】
続いて本発明の更に他の実施の形態について図13を用いて説明する。塗布液iから蒸発した溶剤成分をその裏面側に通過することができるウェハWと略同じかそれ以上の大きさの厚さ例えば10mmの円形状の例えばセラミックスからなる通気抵抗体9がウェハWの表面と対向するように図示しない昇降手段により昇降可能に設けられており、この通気抵抗体8の上方側には、例えばウェハWと同じかそれ以上の大きさの例えば厚さ3mmの円形状の整流板91が図示しないが昇降手段68により昇降可能に設けられている。なお、その他の構成については図4に記載の実施の形態と同様の構成である。この場合、塗布液iから蒸発した溶剤成分は通気抵抗体8を通過して上方に抜け、整流板91によりその流れを外方向に広がるように横方向に変えられる。このためウェハW表面の近傍の空間における塗布液iの表面から上方に至る溶剤成分の濃度勾配が面内で均一化される。即ち中央部と周縁部との蒸発速度の差が小さくなるので上述の場合と同様の効果を得ることができる。
【0038】
本発明においては、整流板6に設けられる第1の加熱部61および整流板8に設けられる凹部81は、直径80mmの円形領域に限られず、処理するウェハWの大きさに応じて決めるようにしてもよい。具体的にはウェハWの直径に対して40%程度の直径の円形領域に設けるようにしてもよい。その一例としては、サイズの小さい例えば6インチサイズのウェハWを用いたときは直径60mmの円形領域に、サイズの大きい例えば12インチサイズのウェハWを用いたときは直径120mmの円形領域に設けられる。このような場合であっても、減圧乾燥時の当該円形領域に対向するウェハWの中央部の領域にある塗布液iと、その外側の領域にある塗布液iとの表面張力が面内均一にすることができ、上述の場合と同様の効果が得ることができる。
【0039】
また本発明においては、整流板は上述の構成に限られず、例えば図14に示すように、図5および図9に示す整流板の構成を組み合わせた構成であってもよい。更に上述のウェハWの回転数を調整することで中央部が低く、周縁部が高くなるように塗布されたウェハWを図4、図8に記載の減圧乾燥装置あるい図14に記載の整流板を組み込んだ減圧乾燥装置で減圧乾燥するようにしてもよい。このような構成であっても膜厚の均一な塗布膜が形成される。
【0040】
更に本発明においては、ウェハWの温度を当該減圧乾燥装置が設けられる例えばクリーンルームの温度よりも低く設定してもよい。この場合、熱的には整流板の冷却動作を行うことになるが、このような場合であっても塗布液iの表面張力を面内均一にすることができるので膜厚の均一な塗布膜を得ることができる。更にまた、本発明にあっては被処理基板に半導体ウエハ以外の基板、例えばLCD基板、フォトマスク用レチクル基板の減圧乾燥処理にも適用でき、また層間絶縁膜やデバイスの保護膜以外の例えばレジスト膜の形成にも適用できる。
【0041】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、塗布液が表面に塗布された基板を減圧状態で乾燥するための減圧乾燥装置において、乾燥時の塗布液の表面張力を均一にして、面内均一性の高い減圧乾燥処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る減圧乾燥装置を組み込んだ塗布装置の一例を示す斜視図である。
【図2】本発明に係る減圧乾燥装置を組み込んだ塗布装置の一例を示す平面図である。
【図3】減圧乾燥処理の対象となる塗布液の液膜を形成する様子を示す説明図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態に係る減圧乾燥装置を示す縦断面図である。
【図5】第1の実施の形態に係る減圧乾燥装置に用いられる整流板を示す斜視図である。
【図6】第1の実施の形態に係る減圧乾燥装置の減圧乾燥工程を示す工程図である。
【図7】第1の実施の形態に係る減圧乾燥装置の減圧乾燥時の温度分布を説明する説明図である。
【図8】本発明の第2の実施の形態に係る減圧乾燥装置を示す縦断面図である。
【図9】第2の実施の形態に係る減圧乾燥装置に用いられる整流板を示す説明図である。
【図10】第2の実施の形態に係る減圧乾燥装置を用いて減圧乾燥したときの塗布膜の状態を示す説明図である。
【図11】減圧乾燥処理の対象となる塗布液の液膜を形成する他の手法を示す説明図である。
【図12】上記他の手法で形成された液膜を減圧乾燥したときの塗布膜の状態を示す説明図である。
【図13】本発明の第4の実施の形態に係る減圧乾燥装置を示す縦断面図である。
【図14】本発明に用いられる他の整流板を示す説明図である。
【図15】従来の減圧乾燥装置を示す説明図である。
【図16】従来の減圧乾燥装置を用いたときの溶剤の蒸発速度分布を示す説明図である。
【図17】従来の減圧乾燥装置を用いたときの塗布膜の状態を示す説明図である。
【符号の説明】
W ウェハ
4 載置台
40 気密容器
41 基板温度調整手段
5 蓋体
51 排気口
53 真空ポンプ
6 整流板
61 第1の加熱部
62 第2の加熱部
63 断熱部材
68 昇降手段
7 制御部
8 整流板
Claims (12)
- 塗布液が表面に塗布された基板を減圧状態で乾燥するための減圧乾燥装置において、
基板を載置するための基板載置部がその内部に設けられた気密容器と、
前記基板載置部に載置された基板の表面と隙間を介して対向し、当該隙間の気体をその外方側に向かって排気するために設けられ、基板と略同じかそれ以上の大きさの整流板と、
前記基板載置部に設けられ、基板の温度を調整するための基板温度調整手段と、
前記気密容器内を減圧するための減圧排気手段と、を備え、
前記整流板は、基板の中央部に対向する領域の温度が当該領域の外側の温度よりも高くなるように温度調整するための温度調整部を備えたことを特徴とする減圧乾燥装置。 - 整流板に設けられた前記温度調整部は、基板の中央部に対向する領域に設けられた第1の加熱部を含むことを特徴とする請求項1記載の減圧乾燥装置。
- 整流板に設けられた前記温度調整部は、第1の加熱部を囲むように設けられ、第1の加熱部よりも低い温度に設定された第2の加熱部を含むことを特徴とする請求項2記載の減圧乾燥装置。
- 第1の加熱部と第2の加熱部との間には断熱部材が設けられていることを特徴とする請求項3記載の減圧乾燥装置。
- 整流板の下面には、温度調整部の熱を面内で均熱化するための均熱板が設けられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の減圧乾燥装置。
- 前記第1の加熱部は、直径80mm〜90mmの円形領域に設けられていることを特徴とする請求項2ないし5のいずれかに記載の減圧乾燥装置。
- 前記整流板は、基板の中央部の塗布膜が盛り上がる現象を緩和するために基板の中央部に対向する部位に凹部が設けられ、この凹部よりも外側部位は平坦面として形成されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の減圧乾燥装置。
- 前記基板載置部に載置された基板と整流板との間に、通気抵抗体が整流板との間に隙間を介した状態で設けられていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の減圧乾燥装置。
- 塗布液が表面に塗布された基板を減圧状態で乾燥するための減圧乾燥装置において、
基板を載置するための基板載置部がその内部に設けられた気密容器と、
前記基板載置部に載置された基板の表面と隙間を介して対向し、当該隙間の気体をその外方側に向かって排気するように設けられ、基板と略同じかそれ以上の大きさの整流板と、
前記基板載置部に設けられ、基板の温度を調整するための基板温度調整手段と、
前記気密容器内を減圧するための減圧排気手段と、を備え、
前記整流板における基板の中央部に対向する部位に凹部が設けられ、この凹部よりも外側部位は平坦面として形成され、前記凹部に溶剤の蒸気が滞留することで基板の中央部における塗布液の表面から上方に至る溶剤成分の濃度勾配を緩やかにすることにより、前記基板の中央部における溶剤成分の蒸発速度と前記基板の中央部よりも外側部位における溶剤成分の蒸発速度との差を小さくして基板の中央部の塗布膜が盛り上がる現象を緩和するようにしたことを特徴とする減圧乾燥装置。 - 前記凹部は、縦断面が山形状に形成されていることを特徴とする請求項9記載の減圧乾燥装置。
- 塗布液が表面に塗布された基板を減圧乾燥するための減圧乾燥方法において、
前記基板を気密容器の内部に設けられた基板載置部に載置する工程と、
次いで基板載置部に載置された基板の表面と隙間を介して対向するように基板と略同じかそれ以上の大きさの整流板を位置させる工程と、
前記基板載置部に載置された基板の温度を所定の温度に調整する工程と、
続いて整流板における基板の中央部に対向する領域の温度が当該領域の外側の温度よりも高くなるように温度調整する工程と、
気密容器内を減圧することにより前記隙間の気体を整流板の外方に向かって排気し、塗布液に含まれる溶剤成分を蒸発させる工程と、を備えたことを特徴とする減圧乾燥方法。 - 塗布液が表面に塗布された基板を減圧乾燥するための減圧乾燥方法において、
前記基板を気密容器の内部に設けられた基板載置部に載置する工程と、
次いで基板と略同じかそれ以上の大きさの整流板であって、基板の中央部に対向する部位に凹部が設けられ、この凹部よりも外側部位は平坦面として形成されている整流板を、基板載置部に載置された基板の表面と隙間を介し、かつ前記凹部が基板の中央部と対向するように位置させる工程と、
前記基板載置部に載置された基板の温度を所定の温度に調整する工程と、
気密容器内を減圧することにより前記隙間の気体を整流板の外方に向かって排気し、塗布液に含まれる溶剤成分を蒸発させる工程と、を備え、
前記凹部に溶剤の蒸気が滞留することで基板の中央部における塗布液の表面から上方に至る溶剤成分の濃度勾配を緩やかにすることにより、前記基板の中央部における溶剤成分の蒸発速度と前記基板の中央部よりも外側部位における溶剤成分の蒸発速度との差を小さくして基板の中央部の塗布膜が盛り上がる現象を緩和することを特徴とする減圧乾燥方法。
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