KR102544974B1 - 양면 처리를 위한 패터닝된 척 - Google Patents

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Abstract

본원에 설명된 실시예들은, 내부에 복수의 공동들이 형성된 기판 척킹 장치에 관한 것이다. 공동들은 척킹 장치의 몸체에 형성되고, 복수의 지지 요소들이 몸체로부터 연장되고 복수의 공동들 각각을 분리한다. 일 실시예에서, 제1 복수의 포트들이 몸체의 최상부 표면에 형성되고 복수의 지지 요소들 중 하나 이상을 통해 몸체의 최하부 표면으로 연장된다. 다른 실시예에서, 제2 복수의 포트들이 복수의 공동들의 최하부 표면에 형성되고 몸체를 통해 몸체의 최하부 표면으로 연장된다. 또 다른 실시예에서, 제1 전극 조립체가 몸체의 최상부 표면에 인접하게 복수의 지지 요소들 각각 내에 배치되고, 제2 전극 조립체가 복수의 공동들 각각에 인접하게 몸체 내에 배치된다.

Description

양면 처리를 위한 패터닝된 척
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 기판 척에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에 설명된 실시예들은 패터닝된 기판 척에 관한 것이다.
기판 척킹 장치는 통상적으로, 기판의 이송 및 처리 동안 기판을 지지하기 위해 반도체 및 디스플레이 산업들에서 사용된다. 첨단 기술들은, 기판들 상의 디바이스 및 구조 제조를 위한 다양한 진보된 처리 기법들의 개발로 이어졌다. 예컨대, 가상 현실 및 증강 현실 응용들을 위한 도파관 장치의 제조는 종래의 기판 처리 기법들의 경계들을 넓혔다.
도파관 장치는, 유리 또는 유리-유사 기판 상에 형성되는 미세구조들을 포함한다. 종종, 미세구조들은 기판의 전면측 및 기판의 후면측 상에 형성된다. 그러나, 처리 동안, 기판의 전면 및 후면 상에 미세구조들이 형성되어 있는 기판을 취급 및 지지하는 것은 난제이다. 예컨대, 종래의 척킹 장치는, 기판의 전면측이 처리되고 있는 동안, 후면측 상에 형성되어 있는 미세구조들을 손상시킬 수 있다.
따라서, 개선된 척킹 장치가 관련 기술분야에 필요하다.
일 실시예에서, 기판 척킹 장치가 제공된다. 장치는, 최상부 표면 및 최상부 표면에 대향하는 최하부 표면을 갖는 몸체, 몸체에 형성되고 최상부 표면으로부터 함몰되는 복수의 공동들, 및 몸체로부터 최상부 표면으로 연장되는, 복수의 공동들을 분리하는 복수의 지지 요소들을 포함한다. 복수의 포트들이 몸체에 형성되고 복수의 지지 요소들 중 하나 이상을 통해 최상부 표면으로부터 최하부 표면으로 연장되며, 도관이 복수의 포트들 각각과 유체 연통한다.
다른 실시예에서, 기판 척킹 장치가 제공된다. 장치는, 최상부 표면 및 최상부 표면에 대향하는 최하부 표면을 갖는 몸체, 몸체에 형성되고 최상부 표면으로부터 함몰되는 복수의 공동들, 및 몸체로부터 최상부 표면으로 연장되는, 복수의 공동들을 분리하는 복수의 지지 요소들을 포함한다. 제1 복수의 포트들이 몸체에 형성되고 복수의 지지 요소들 중 하나 이상을 통해 최상부 표면으로부터 최하부 표면으로 연장되며, 제1 도관이 제1 복수의 포트들 각각과 유체 연통한다. 제2 복수의 포트들이 몸체에 형성되고 복수의 공동들 각각의 최하부 표면으로부터 몸체의 최하부 표면으로 연장된다. 제2 도관이 제2 복수의 포트들 각각과 유체 연통한다.
다른 실시예에서, 기판 척킹 장치가 제공된다. 장치는, 최상부 표면 및 최상부 표면에 대향하는 최하부 표면을 갖는 몸체, 몸체에 형성되고 최상부 표면으로부터 함몰되는 복수의 공동들, 및 복수의 공동들을 분리하고 몸체로부터 최상부 표면으로 연장되는 복수의 지지 요소들을 포함한다. 몸체의 최상부 표면 상에, 복수의 지지 요소들에, 그리고 복수의 공동들 내에 중합체성 코팅이 배치된다. 제1 전극 조립체가 몸체의 최상부 표면에 인접하게 복수의 지지 요소들 각각 내에 배치되고, 제2 전극 조립체가 복수의 공동들 각각에 인접하게 배치된다.
본 개시내용의 상기 언급된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략하게 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이러한 실시예들 중 일부가 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하며, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있다는 것이 유의되어야 한다.
도 1a는 본원에 설명된 실시예에 따른, 상부에 미세구조들이 형성된 다이들을 갖는 기판의 평면도를 예시한다.
도 1b는 본원에 설명된 실시예에 따른, 선(1B-1B)을 따라 취해진 도 1a의 기판의 단면도를 예시한다.
도 2는 본원에 설명된 실시예에 따른 진공 척킹 장치의 단면도를 예시한다.
도 3a는 본원에 설명된 실시예에 따른, 도 2의 진공 척킹 장치의 평면도를 예시한다.
도 3b는 본원에 설명된 실시예에 따른, 도 2의 진공 척킹 장치의 평면도를 예시한다.
도 4는 본원에 설명된 실시예에 따른 진공 척킹 장치의 단면도를 예시한다.
도 5는 본원에 설명된 실시예에 따른, 도 4의 진공 척킹 장치의 평면도를 예시한다.
도 6은 본원에 설명된 실시예에 따른 정전 척킹 장치의 단면도를 예시한다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 도면들에 공통된 동일한 요소들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 특징들은 추가적인 언급이 없이도 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
본원에 설명된 실시예들은, 내부에 복수의 공동들이 형성된 기판 척킹 장치에 관한 것이다. 공동들은 척킹 장치의 몸체에 형성되고, 복수의 지지 요소들이 몸체로부터 연장되고 복수의 공동들 각각을 분리한다. 일 실시예에서, 제1 복수의 포트들이 몸체의 최상부 표면에 형성되고 복수의 지지 요소들 중 하나 이상을 통해 몸체의 최하부 표면으로 연장된다. 다른 실시예에서, 제2 복수의 포트들이 복수의 공동들의 최하부 표면에 형성되고 몸체를 통해 몸체의 최하부 표면으로 연장된다. 또 다른 실시예에서, 제1 전극 조립체가 몸체의 최상부 표면에 인접하게 복수의 지지 요소들 각각 내에 배치되고, 제2 전극 조립체가 복수의 공동들 각각에 인접하게 몸체 내에 배치된다.
도 1a는 본원에 설명된 실시예에 따른, 상부에 미세구조들(106)이 형성된 다이들을 갖는 기판(100)의 평면도를 예시한다. 일 실시예에서, 기판(100)은, 유리 또는 유리-유사 물질, 이를테면, 석영 또는 사파이어로 형성된다. 다른 실시예에서, 기판은, 반도체 물질, 이를테면, 규소 물질 등으로 형성된다. 기판(100)이 실질적으로 원형 형상을 갖는 것으로 예시되지만, 기판(100)은 다각형 형상, 이를테면, 사각형 형상, 예컨대, 직사각형 또는 정사각형 형상일 수 있는 것으로 고려된다.
기판(100)은, 상부에 복수의 다이들(104)이 형성되어 있는 것으로 예시된다. 다이들(104)은, 다양한 디바이스들, 이를테면, 컴퓨팅 디바이스, 광학 디바이스 등에서의 후속 활용을 위한 원하는 구조들로 패터닝된 기판(100)의 영역들에 대응한다. 다이들(104)은, 상부에 형성된 미세구조들(106)을 포함한다. 미세구조들(106)은, 다양한 제조 공정들, 이를테면, 리소그래피 공정들, 예컨대, 나노임프린트 리소그래피(NIL) 공정들에 의해 다이들(104) 상에 형성되는 피쳐들이다. 대안적으로, 미세구조들(106)은, 기판(100) 상에서 식각되거나 증착되는 피쳐들이다. 일 실시예에서, 미세구조들(106)은 격자 구조들이고, 다이(104)는 도파관 또는 도파관 장치의 일부분인 것으로 고려된다.
다이들(104)은, 인접한 다이들(104) 사이에 형성되는 커프(kerf) 영역들(108)과 함께 기판(100) 상에 배열된다. 커프 영역들(108)은, 다이들(104)에 의해 점유되지 않은 기판 표면의 구역들이다. 커프 영역들(108)은 실질적으로 각각의 개별 다이(104)를 둘러싸고, 개별 다이들(104)을 서로 이격시킨다. 커프 영역들(108)은 또한, 기판(100)의 둘레와 개별 다이들(104) 사이에서 연장될 수 있다. 일 실시예에서, 커프 영역들(108)에는 실질적으로 상부에 어떠한 미세구조들 또는 피쳐들도 형성되어 있지 않다. 다양한 구현들에서, 커프 영역들(108)은, 나중에, 싱귤레이션 동안에 개별 다이들(104)을 분리하기 위해 다이싱 동작들 동안 제거되는 구역들이다.
도 1b는 본원에 설명된 실시예에 따른, 선(1B-1B)을 따라 취해진 도 1a의 기판(100)의 단면도를 예시한다. 위에 설명된 바와 같이, 커프 영역들(108)은, 인접한 다이들(104) 사이에 배치되는 구역들이다. 기판(100)은, 기판(100)의 제1 측(102) 상에 미세구조들(106)이 형성되어 있는 것으로 예시된다는 것이 유의되어야 한다. 일 실시예에서, 미세구조들(106)은, 기판(100)의 제1 측(102)으로부터 약 100 um 내지 약 500 um의 거리로 연장된다. 일 실시예에서, 제1 측(102)은 기판(100)의 전면측이다. 기판(100)의 제2 측(110)은, 제1 측(102)에 대향하고 그와 평행하게 존재한다. 예시된 실시예에서, 제2 측(110)은 처리되지 않으며, 따라서, 제2 측(110) 상에 어떠한 피쳐들 또는 미세구조들도 형성되지 않는다.
도 2는 본원에 설명된 실시예에 따른 진공 척킹 장치(200)의 단면도를 예시한다. 기판(100)은, 제1 측(202)이 장치(200)와 접촉되어 있는 것으로 예시되며, 따라서, 제2 측(110)은, 제2 측(110)을 처리하기에 적합한 위치에서 장치(200)로부터 떨어져 배향된다.
척킹 장치(200)는, 최상부 표면(202) 및 최상부 표면(202)에 대향하게 배향되는 최하부 표면(204)을 갖는 몸체(201)를 포함한다. 일 실시예에서, 몸체(201)는, 금속성 물질들, 이를테면, 알루미늄, 스테인리스 강, 또는 이들의 합금들, 조합물들, 및 혼합물들로 형성된다. 다른 실시예에서, 몸체(201)는, 세라믹 물질, 이를테면, 질화규소 물질, 질화알루미늄 물질, 알루미나 물질, 또는 이들의 조합물들 및 혼합물들로 형성된다. 특정 실시예들에서, 몸체(201)의 최상부 표면(202) 상에 코팅이 배치된다. 코팅은, 원하는 구현에 따라, 중합체성 물질, 이를테면, 폴리이미드 물질, 폴리아미드 물질, 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 물질 중 하나 이상이다.
복수의 공동들(206)이 몸체(201)에 형성된다. 공동들(206)은 몸체(201) 내에 배치되고, 최상부 표면(202)으로부터 몸체(201) 내로 연장된다. 공동들(206)은, 최하부 표면(203) 및 측벽들(205)에 의해 정의된다. 공동들(206)의 깊이는, 약 100 um 내지 약 1000 um, 예컨대, 약 300 um 내지 약 700 um이다. 공동들(206)의 깊이는, 기판(100)이 척킹 장치(200) 상에 위치될 때 기판(100) 상에 형성된 미세구조들(106)이 몸체(201)와 접촉되지 않은 채 남아 있도록 미세구조들(106)을 수용하기에 충분한 것으로 고려된다. 일 실시예에서, 복수의 공동들(206)은, 몸체(201) 상에 배치된 물질 층에 형성된다.
일 실시예에서, 공동들(206)의 형상은, 다이들(104)의 형상에 대응한다. 예컨대, 다이들(104)이 정사각형 또는 직사각형 형상인 경우, 공동들(206)의 형상은 유사하게 정사각형 또는 직사각형 형상일 것이다. 그러나, 공동들(206)의 크기는 다이들(104)에 대응하는 영역보다 크거나 작을 수 있는 것으로 고려된다.
공동들(206)은, 몸체(201)의 일부이고 몸체(201)로부터 몸체(201)의 최상부 표면(202)까지 연장되는 복수의 지지 요소들(208)에 의해 분리된다. 지지 요소들(208)은, 인접한 공동들(206)을 분리하는 것 외에도, 공동들(206) 각각에 대해 연장되고 그를 둘러싼다. 지지 요소들(208)은, 공동들(206)의 측벽들(205)을 추가로 정의한다. 동작 시, 기판(100)은, 커프 영역들(108)이 지지 요소들(208)과 정렬되고 접촉하도록 장치(200) 상에 위치된다. 이러한 방식으로, 다이들(104)은, 미세구조들(106)이 장치(200)의 몸체(201)와 접촉되지 않은 채 남아 있도록 공동들(206)과 정렬된다.
제1 복수의 포트들(210)이 몸체(201)의 최상부 표면(202)에 형성된다. 일 실시예에서, 제1 복수의 포트들(210)은, 지지 요소들(208)의 최상부 표면(202) 상에 위치된다. 제1 복수의 포트들(210)은 공동들(206) 사이에서 지지 요소들(208)과 정렬된다. 제1 복수의 포트들(210)은 또한, 복수의 공동들(206)의 반경방향 외측으로 몸체(202)의 최상부 표면에 형성된다. 제1 복수의 도관들(212)이 최상부 표면(202)에 있는 제1 복수의 포트들(210)로부터 몸체(201)를 통해 최하부 표면(204)으로 연장된다. 제1 복수의 도관들(212)은 제1 진공 소스(214)에 결합된다. 따라서, 제1 진공 소스(214)는, 제1 복수의 도관들(212) 및 제1 복수의 포트들(210)을 통해 몸체(201)의 최상부 표면(202)과 유체 연통한다.
동작 시, 공동들(206)로부터 떨어진 구역들에서 기판(100)을 몸체(201)에 척킹하기 위해 진공 압력이 생성된다. 기판(100)을 몸체(201)에 진공 척킹하는 것은, 기판의 처리되지 않는 제2 측(110)의 후속 처리를 위한 바람직한 기판 평탄도를 달성하기에 충분한 것으로 고려된다.
도 3a는 본원에 설명된 실시예에 따른, 도 2의 진공 척킹 장치(200)의 평면도를 예시한다. 제1 복수의 포트들(210)은, 지지 요소들(208)에 대응하는 구역들 위에 배치된다. 예시된 실시예에서, 최상부 표면(202)에 있는 제1 복수의 포트들(210)은 실질적으로 원형 형상이고, 몸체(201)의 최상부 표면(202) 상의 복수의 공동들(206) 사이에서 선형 연장한다. 원형 포트들이 장치(200)의 제조의 용이성을 개선할 수 있지만, 도 3b와 관련하여 설명된 바와 같이 임의의 포트 형상이 활용될 수 있는 것으로 고려된다. 수 개의 포트들(210)이 몸체(201)의 최상부 표면(202)에 걸쳐 분포되어 있는 것으로 도시되지만, 기판(100)의 실질적으로 평탄한 척킹을 가능하게 하기에 적합한 임의의 수, 배열, 또는 분포의 포트들(210)이 본 개시내용의 범위 내에 있는 것으로 고려된다.
도 3b는 본원에 설명된 실시예에 따른, 도 2의 진공 척킹 장치(200)의 평면도를 예시한다. 예시된 포트들(210)은, 도 3a에 도시된 실시예에 비해 진공에 노출되는 기판의 표면적을 증가시키기 위해 불규칙하게 형상화된다. 포트들(210)이 지지 요소들(208)과 정렬되는 한, 임의의 바람직한 형상이 활용될 수 있다.
도 4는 본원에 설명된 실시예에 따른 진공 척킹 장치(200)의 단면도를 예시한다. 예시된 실시예에서, 장치(200)는, 제2 복수의 포트들(404), 제2 복수의 도관들(402), 및 제2 진공 소스(406)를 포함한다. 제2 복수의 포트들(404)은 공동들(206)의 최하부 표면(203)에 형성되고, 제2 복수의 도관들(402)은 제2 복수의 포트들(404) 각각으로부터 몸체(201)를 통해 최하부 표면(204)으로 연장된다. 따라서, 제2 복수의 도관들(402)은 제2 진공 소스(406)에 결합된다.
동작 시, 도 4의 장치(200)는, 기판(100)의 차동 압력 척킹을 가능하게 한다. 제1 복수의 도관들(212) 및 제1 복수의 포트들(210)을 통해 기판(100)과 유체 연통하는 제1 진공 소스(214)는, 기판을 몸체(201)의 최상부 표면(202)에 척킹하기 위한 제1 진공 압력을 생성한다. 제2 복수의 도관들(402) 및 제2 복수의 포트들(404)을 통해 공동들(206)과 유체 연통하는 제2 진공 소스(406)는, 공동들(206)에 대한 압력을 추가로 감소시키고 제1 진공 압력에 대한 노출 동안 기판(100)의 뒤틀림을 감소시키거나 제거하기 위한 제2 진공 압력을 생성한다. 제1 진공 압력은, 원하는 척킹 특성들에 따라, 제2 진공 압력보다 크거나, 그보다 작거나, 그와 동일할 수 있는 것으로 고려된다.
도 5는 본원에 설명된 실시예에 따른, 도 4의 진공 척킹 장치(200)의 평면도를 예시한다. 예시된 바와 같이, 제2 복수의 포트들(404)이 공동들(206) 내에 위치된다. 제1 및 제2 복수의 포트들(210, 404) 중 하나 또는 둘 모두는, 몸체(201)에 대한 기판(100)의 척킹을 달성하기 위해 서로 협력하여 또는 독립적으로 사용될 수 있는 것으로 고려된다. 제2 복수의 포트들(404)이 원형 형상인 것으로 예시되지만, 도 3b에 예시된 제1 복수의 포트의 형상들과 유사한 다양한 다각형 형상들이 대안적으로 활용될 수 있는 것으로 고려된다. 예컨대, 제2 복수의 포트들(404)은 환형 형상일 수 있거나, 다수의 제2 포트들(404)이 단일 공동(206) 내에 배치될 수 있다.
도 6은 본원에 설명된 실시예에 따른 정전 척킹 장치(600)의 단면도를 예시한다. 장치(200)와 유사하게, 장치(600)는, 최상부 표면(603) 및 최상부 표면(603)에 대향하게 배향되는 최하부 표면(604)을 갖는 몸체(601)를 포함한다. 일 실시예에서, 몸체(601)는, 금속성 물질들, 이를테면, 알루미늄, 스테인리스 강, 또는 이들의 합금들, 조합물들, 및 혼합물들로 형성된다. 다른 실시예에서, 몸체(601)는, 세라믹 물질, 이를테면, 질화규소 물질, 질화알루미늄 물질, 알루미나 물질, 또는 이들의 조합물들 및 혼합물들로 형성된다. 특정 실시예들에서, 몸체(601)의 최상부 표면(603) 상에 코팅(602)이 배치된다. 코팅(602)은, 원하는 구현에 따라, 중합체성 물질, 이를테면, 폴리이미드 물질, 폴리아미드 물질, 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 물질 중 하나 이상이다.
복수의 공동들(626)이 몸체(601)에 형성된다. 공동들(626)은 몸체(601) 내에 배치되고, 최상부 표면(603)으로부터 몸체(601) 내로 연장된다. 공동들(626)은, 최하부 표면(628) 및 측벽들(630)에 의해 정의된다. 공동들(626)의 깊이는, 약 0.5 um 내지 약 1000 um, 예컨대, 약 300 um 내지 약 700 um이다. 공동들(626)의 깊이는, 기판(100)이 척킹 장치(600) 상에 위치될 때 기판(100) 상에 형성된 미세구조들(106)이 몸체(601)와 접촉되지 않은 채 남아 있도록 미세구조들(106)을 수용하기에 충분한 것으로 고려된다.
코팅(602)은, 몸체(601)의 최상부 표면(603)을 따라 그리고 공동들(626)의 측벽들(630) 및 최하부 표면(628)에 걸쳐 연장된다. 유사하게, 코팅(602)은, 공동들(626)의 측벽들(630)을 정의하는 지지 부재들(608)에 걸쳐 연장된다. 코팅(602)의 두께는, 몸체(601)에 대한 기판(100)의 정전 척킹을 가능하게 하기에 충분한 것으로 고려된다. 그러므로, 코팅(602)은, 전극 조립체들(612, 614)을 통해 기판(100)에 인가되는 정전기력에 영향을 주는 것으로 여겨진다.
제1 전극 조립체(612)는, 몸체(601)의 최상부 표면(603)에 인접하게 몸체(601) 내에 배치된다. 제1 전극 조립체(612)는, 제1 전원(620)에 결합되는 하나 이상의 리드를 포함한다. 일 실시예에서, 제1 전극 조립체(612)는 단일 리드이다. 대안적으로, 제1 전극 조립체(612)는 다수의 리드들을 포함한다. 이러한 실시예에서, 제1 전극 조립체(612)의 리드들은 인터리빙 배열로 배치될 수 있다. 제1 전원(620)은, 원하는 극성의 전력을 제1 전극 조립체(612)에 전달하도록 구성된다. 일 실시예에서, 제1 전원(620)은, 양의 극성을 갖는 전류를 제1 전극 조립체(612)에 전달한다. 다른 실시예에서, 제1 전원(620)은, 음의 극성을 갖는 전류를 제1 전극 조립체(612)에 전달한다.
제2 전극 조립체(614)는, 공동들(626)의 최하부 표면(628)에 인접하게 몸체(601) 내에 배치된다. 제1 전극 조립체(612)와 유사하게, 제2 전극 조립체(614)는 하나 이상의 리드를 포함한다. 일 실시예에서, 제2 전극 조립체(614)는 단일 리드이다. 다른 실시예에서, 제2 전극 조립체(614)는 다수의 리드들을 포함한다. 이러한 실시예에서, 제2 전극 조립체(614)의 리드들은 인터리빙 배열로 배치될 수 있다. 제2 전극 조립체(614)는, 원하는 극성의 전력을 제2 전극 조립체(614)에 전달하도록 구성되는 제2 전원(622)에 결합된다. 일 실시예에서, 제2 전원(622)은, 양의 극성을 갖는 전류를 제2 전극 조립체(614)에 전달한다. 다른 실시예에서, 제2 전원(622)은, 음의 극성을 갖는 전류를 제2 전극 조립체(614)에 전달한다.
일 실시예에서, 제1 전원(620) 및 제2 전원(622)은, 동일한 극성을 갖는 전류를 제1 및 제2 전극 조립체들(612, 614)에 각각 전달한다. 대안적으로, 제1 전원(620) 및 제2 전원(622)은, 상이한 극성들을 갖는 전류를 제1 및 제2 전극 조립체들(612, 614)에 각각 전달한다.
제1 전극 조립체(612)는, 제1 평면(616)에서 몸체(601)에 배치된다. 제2 전극 조립체(614)는, 제2 평면(618)에서 몸체(601)에 배치된다. 일 실시예에서, 제1 평면(616)은, 제2 평면(618)보다 최상부 표면(603)에 더 가깝게 배치된다. 다른 실시예에서, 제1 전극 조립체(612) 및 제2 전극 조립체(614) 둘 모두가 제2 평면(618)에 배치된다. 위에 설명된 실시예들에 따라 전극 조립체들(612, 614)을 몸체(601) 내에 위치시킴으로써, 지지 요소들(608) 및 공동들(626)의 구역들에서 기판(100)의 차동 정전 척킹이 달성될 수 있다. 따라서, 정전 척킹 동안 기판(100)에 걸쳐 기판 평탄도가 조정될 수 있다.
위에 설명된 장치(200, 600)는 각각 진공 및 정전 척킹에 관한 것이지만, 다른 기판 위치결정 장치, 이를테면, 클램프 링들, 에지 링들, 섀도우 링들 등이 또한 본원에 설명된 실시예들에 따라 유리한 구현을 발견할 수 있는 것으로 고려된다. 기판 위치결정 장치는, 단독으로 또는 장치(200, 600)의 진공 및 정전 척킹 능력들과 조합되어 사용될 수 있다.
요약하면, 내부에 공동들이 형성된 기판 척킹 장치는, 상부에 미세구조들이 형성된 표면들을 갖는 기판들의 양면 기판 처리를 위한 척킹을 가능하게 한다. 척킹 장치는, 위에 설명된 바와 같은 다양한 진공 또는 정전 척킹 요소들, 및 처리 동안 기판의 커프 영역들을 지지하도록 선택되는 척킹 몸체 토포그래피를 포함한다.
전술한 내용이 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 기판 척킹 장치로서,
    최상부 표면 및 상기 최상부 표면에 대향하는 최하부 표면을 갖는 몸체 - 상기 몸체는, 내부에 형성되고 상기 최상부 표면으로부터 함몰되는 복수의 공동들을 갖고, 상기 복수의 공동들은 기판의 전면측이 처리되는 동안 상기 기판의 후면측 상에 형성된 복수의 다이들의 복수의 미세구조들을 수용하도록 구성되고, 상기 몸체는 또한, 상기 몸체로부터 상기 최상부 표면으로 연장되는, 상기 복수의 공동들을 분리하는 복수의 지지 요소들을 갖고, 상기 몸체는, 내부에 형성되고 상기 복수의 지지 요소들 중 하나 이상을 통해 상기 최상부 표면으로부터 상기 최하부 표면으로 연장되는 제1 복수의 포트들을 갖고, 상기 몸체는, 내부에 형성되고 상기 복수의 공동들 각각의 최하부 표면으로부터 상기 몸체의 상기 최하부 표면으로 연장되는 제2 복수의 포트들을 가짐 -;
    상기 제1 복수의 포트들 각각과 제1 압력에서 유체 연통하는 제1 도관; 및
    상기 제2 복수의 포트들 각각과 제2 압력에서 유체 연통하는 제2 도관을 포함하고,
    상기 제1 압력과 상기 제2 압력은 상이하고,
    상기 제1 복수의 포트들은 상기 몸체의 상기 최상부 표면 상의 상기 복수의 공동들 사이에서 선형 연장(linearly extend)하고, 상기 몸체는 금속성 물질인, 기판 척킹 장치.
  9. 삭제
  10. 제8항에 있어서,
    상기 금속성 물질은, 알루미늄 물질, 스테인리스 강 물질, 또는 이들의 합금들, 조합물들, 및 혼합물들인, 기판 척킹 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 몸체는 세라믹 물질인, 기판 척킹 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 세라믹 물질은, 질화규소 물질, 질화알루미늄 물질, 알루미나 물질, 또는 이들의 조합물들 및 혼합물들인, 기판 척킹 장치.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 몸체 상에 배치되는 중합체성 물질을 더 포함하며, 상기 중합체성 물질은, 폴리이미드 물질, 폴리아미드 물질, 및 폴리테트라플루오로에틸렌 물질로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 기판 척킹 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 몸체 상에 배치되는 중합체성 물질을 더 포함하며, 상기 중합체성 물질은, 폴리이미드 물질, 폴리아미드 물질, 및 폴리테트라플루오로에틸렌 물질로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 기판 척킹 장치.
  15. 삭제
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