JP3463398B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にトランジスタ型加速度センサや圧力センサな
どの可動部をチップ内に有する半導体装置やエアーブリ
ッジ配線構造などのように機械的な強度に問題がある突
起物を持つ半導体装置を効率的にダイシングカットする
ようにした半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイ
シング治具の構造に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、シリコンウェハ上に形成された半
導体集積回路素子をチップ分割する方法として、通常は
粘着シート上に置かれたシリコンウェハをダイシングカ
ット装置を用いてダイシングカットを行うことによって
なされていた。 【０００３】この際、シリコンの切りくずを除去した
り、切断時の熱を放熱するため、また、カットが容易に
できるように大量の切削水を流しながらウェハをカット
してチップ状に分割していた。 【０００４】しかしながら、チップ内に例えば、トラン
ジスタ型加速度センサのように可動部を有する素子やエ
アーブリッジ配線構造のように機械的強度が弱い突起物
を有する機能素子が存在する場合、この大量の切削水の
圧力や表面張力により機能素子が破壊されたり、正常な
動作をしなくなる。 【０００５】この問題に対し、従来技術として、エアー
ブリッジ構造に関しては、特開平２−１０６９４７号公
報ではウェハ上にレジストを塗布して硬化した状態でダ
イシングカットし、その後、オゾン雰囲気中の紫外線照
射してレジストを除去する方法が提案されている。 【０００６】しかるに、この方法では紫外線の当たらな
い領域にはレジストが残ったり、また、可動部を有する
素子においてはレジスト塗布時にレジストの粘性やスピ
ンナーの回転（角速度）により可動部が破損されたり、
正常動作ができなくなると共に、そのレジストを除去す
る好ましい方法が存在しないなどの問題がある。 【０００７】このようにして、従来の技術では可動部や
突起物を有する半導体装置を高歩留りでチップ分割をす
ることができないのが実状であった。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は以上
のような点に鑑みてなされたもので、半導体装置内の機
能素子が有するトランジスタ型加速度センサの可動ゲー
トや圧力センサのダイアフラムのような可動部またはエ
アーブリッジ配線構造のような突起物を、ダイシングカ
ット時にレジストなどの液体を使用することなく保護し
てダイシングカットすることにより、高歩留りでチップ
分割をすることができるようにした半導体装置の製造方
法及びそれに用いるダイシング治具を提供することを目
的としている。 【０００９】 【００１０】 【００１１】 【００１２】【課題を解決するための手段】 本発明によると、上記課
題を解決するために、 半導体基板の表面に可動部または
突起部を有する機能素子を備える半導体装置の製造方法
において、前記可動部または突起部と対向する領域に凹
部及び該凹部の形成領域内または領域外に真空チャック
用の貫通孔が形成されたダイシング治具を用いて半導体
ウェハをダイシングカットする半導体装置の製造方法で
あって、前記凹部の直下に前記貫通孔を形成した前記ダ
イシング治具の表面に第１の粘着シートを貼り付ける工
程と、ダイシングカット装置のステージからの真空引き
により前記ダイシング治具内に形成された貫通孔を介し
て前記第１の粘着シートを前記凹部に沿って吸引する工
程と、前記第１の粘着シート上に、表面に可動部または
突起部を有する半導体ウェハを貼り付ける工程と、前記
貼り付ける工程の後、前記半導体ウェハを裏面より表面
方向へフルカットでチップ毎にダイシングカットする工
程と、前記ダイシング工程の後、前記半導体ウェハ裏面
に第２の粘着シートを貼り付ける工程と、前記第２の粘
着シートの貼り付け後、前記第１の粘着シートの粘着力
を低下させてから、前記第１の粘着シートから前記半導
体ウェハを剥し、前記半導体ウェハが貼り付けられた前
記第２の粘着シートに引張力を与えて前記チップ毎の間
隔を広げる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法が提供される。 【００１３】 【００１４】 【００１５】 【００１６】 【作用】本発明の半導体装置の製造方法の一態様によれ
ば、ダイシングカット時、ウェハはダイシング治具内の
ウェハ固定用真空チャック貫通孔を介して、ダイシング
カット装置の真空チャックステージからのバキューム吸
引により固定される。 【００１７】その際、半導体装置の可動部や突起物はダ
イシング治具の凹部により保護される。 【００１８】上記の構成により、レジストなどの液体を
可動部などの固定に用いる必要がないために、レジスト
などの液体の塗布や除去工程をなくすことができ、可動
部や突起物のある半導体装置のダイシングカットを効率
的に行うことが可能となる。 【００１９】従って、本発明によれば、可動部または突
起部を有する半導体装置が形成されたウェハを高歩留り
でチップ分割することができる。 【００２０】 【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例につき説
明する。 【００２１】（参考例） この参考例では、図１に示すように、各チップ内に可動
部や突起物を有する半導体装置が複数個形成されている
円盤状のウェハ１に対応する可動部または突起物保護用
凹部２ａ、ウェハ固定用真空チャック穴となる貫通孔２
ｂ、ウェハ支持用のＯリング２ｃ及びエアー導入口２ｄ
とエアー吹出し口２ｅとを有するダイシング治具２を用
いて、図２に示すような工程フローによりダイシングカ
ットを実行する。 【００２２】なお、参考例で使用するダイシング治具２
の材料としては剛性の高い材料（金属、セラミックス
等）を用いるものとするが、加工が容易なセラミックス
材料マコールが適している。 【００２３】また、治具２の他の材料としてはシリコン
ウェハを用いてもよい。 【００２４】なお、ダイシング治具２としてシリコンウ
ェハを用いる場合、方位面（１１０）や、（１００）と
（１１０）とを酸化膜や多結晶シリコンなどを介して接
合したウェハなどでもよい。 【００２５】そして、治具２に形成する絶縁膜穴や凹部
の加工方法としてはＫＯＨなどのアルカリ性異方性エッ
チングやレーザー加工などがある。 【００２６】また、エアー吹出し口２ｅとしての溝内に
挿入されるＯリング２ｃによりダイシング治具２の周縁
部が中央部より高くなって、ウェハ１の反りが発生した
ときに備えて、ウェハ１の反りを抑える方向に治具２の
中央部に必要とする高さの突起部（図示せず）を設ける
ようにしてもよい。 【００２７】なお、以下の説明ではウェハ１の各チップ
に形成される機能素子が有する可動部や突起物を総称し
てセンサ１ａとして説明するものとする。 【００２８】次に、参考例によるダイシングカットの工
程フローについて図２を参照して説明する。 【００２９】（１）先ず、図２（ａ）に示すようにダイ
シング治具２をダイシングカット装置の真空チャックス
テージ（図示せず）上に載せる。 【００３０】（２）続いて、図２（ｂ）に示すように可
動部または突起物（センサ１ａ）を有する半導体装置が
形成されたウェハ１をアライメント後、ダイシング治具
２上に載せる。 【００３１】この際、ダイシング治具２の凹部２ａはセ
ンサ１ａを十分に保護することができる形状となってい
るものとする。 【００３２】また、素子パターンと治具凹部との位置合
わせの方法としては、光学プローブにより両方のパター
ンを同時に観察し、画像認識装置で位置合わせを行うよ
うにしたり、予め、素子が形成されたウェハに対し、ダ
イシングラインでカット成形しておき、治具側にも段差
を設けてそこに合わせる等の方法をとることができる。 【００３３】ただし、ダイシングラインでカットしてお
く方法は、センサ１ａがその製造プロセスの過程で固定
されている必要がある。 【００３４】（３）次に、図２（ｃ）に示すようにダイ
シングカット装置の真空チャックステージ（図示せず）
のバキューム吸引によりダイシング治具２およびウェハ
１を固定する。 【００３５】なお、ダイシング治具２のウェハ固定用真
空チャック穴としての貫通孔２ｂの位置および個数は、
ウェハ１がダイシングカット時にずれることなく固定さ
れればよく、その条件を満たせばどこに形成してもよ
い。 【００３６】また、ダイシング治具２の外周縁部に設け
たＯリング２ｃおよびエアー吹出し口２ｅはダイシング
カット時に用いられる研削水の侵入を防止するためのも
のであるが、研削水が侵入しなければ、Ｏリング２ｃま
たはエアー吹き出し（吹き出しは他のガスでもよい）の
いずれかであってもよいが、望ましくは両方備えるのが
好ましい。 【００３７】そして、ウェハ１およびダイシング治具２
の固定後にダイシングカット１ｂを行うが、このダイシ
ングカット１ｂの切り込み深さは極力深くして（ウェハ
１の半分以上の切り込み深さが望ましい）、後のチップ
分割を容易にする。 【００３８】（４）次に、図２（ｄ）に示すようにダイ
シングカット装置のバキューム吸収を停止し、切り込み
を入れて強度的に弱くなっているウェハ１をダイシング
カット装置から外すためにダイシングカット用粘着シー
ト３で貼り付ける。 【００３９】（５）図２（ｅ）に示すようにダイシング
治具２からウェハ１を外した後、図２（ｆ）に示すよう
にチップ分割する。 【００４０】このチップ分割の方法としては例えば、エ
キスパンディングによる方法やヒートショックを与えた
り、もしくは、図２（ｄ）に示したような状態でローラ
ー等をウェハ１上に転がしたりして振動によって分割す
るか、レーザ光の照射によりカットするなどの方法があ
る。 【００４１】（実施例） 図２に示した参考例では、ダイシングカット時フルカッ
トしないために、ダイシングカット後にチップ分割を行
う工程が必要となる。 【００４２】次に、フルカットによりこのチップ分割工
程を削除する例について述べる。 【００４３】この場合に使用するダイシング治具２Ａは
図３、４に示すように、図１からＯリング２ｃ、エアー
導入孔２ｄ及びエアー吹出し口２ｅを削除し、貫通孔２
ｄを凹部２ａの直下に形成してある。 【００４４】ダイシング治具２Ａの材料は微細機械加工
が容易にできるセラミックス製マコールでも、ＫＯＨな
どのアルカリ性異方性エッチングにより加工できる面方
位（１１０）や（１００）と（１１０）とを絶縁物など
で接合したシリコンウェハでもよい。 【００４５】次に、本実施例によるダイシングカットの
工程フローについて図５を参照して説明する。 【００４６】（１）先ず、図５（ａ）に示すように、こ
の実施例では凹部２ａの一部に貫通孔２ｂを設けている
ダイシング治具２Ａが用いられる。 【００４７】なお、凹部は治具の構造上貫通孔の径が小
さい場合必要となるが、貫通孔のみでもよい。 【００４８】（２）次に、図５（ｂ）に示すようにダイ
シング治具２Ａの表面に熱硬化性粘着シート４を粘着面
を上側にしてセットした状態で図示しない真空チャック
上に治具２Ａを置き、ダイシング治具２Ａの貫通孔２ｂ
を通して熱硬化性粘着シート４をバキュームにより凹部
２ａに沿って吸い付ける。 【００４９】（３）次に、図５（ｃ），（ｄ）に示すよ
うに、ウェハ１を熱硬化性粘着シート４の粘着面に密着
させる。 【００５０】この場合、例えばウェハパターンと治具パ
ターンを画像認識により合わせてからウェハ１とダイシ
ング治具２Ａとを粘着シートを介して密着させる。 【００５１】（４）次に、図５（ｅ）に示すように、ウ
ェハ１の裏面側より、図示しないダイシングカット装置
の刃が熱硬化性粘着シート４に達するまでウェハ１に対
してチップ毎にフルカット１ｃを行う。 【００５２】その後、加熱により熱硬化性粘着シート４
の粘着力を低下させ、再度ウェハ裏面に紫外線硬化性粘
着シート（図示せず）を貼って、通常のエキスパンディ
ングにより図５（ｆ）に示すようにチップ毎の間隔を広
げる。 【００５３】この場合、ウェハ裏面に紫外線硬化性粘着
シートを貼り付けてから、加熱により熱硬化性粘着シー
ト４の粘着力を低下させるようにしてもよい。 【００５４】 【００５５】 【００５６】 【００５７】 【００５８】 【００５９】 【００６０】 【００６１】 【００６２】 【００６３】 【００６４】 【００６５】なお、参考例において、ウェハ載置兼封止
用のパッキングとなるＯリング１ｃの代わりに変形しや
すいシリコンゴムを用いるようにしてもよい。 【００６６】また、実施例において、ウェハ裏面に貼り
付ける紫外線硬化性粘着シートの代わりに、熱硬化性粘
着シート４よりも耐熱性の高い熱硬化性粘着シートを用
いるようにしてもよい。 【００６７】また、実施例において、熱硬化性粘着シー
ト４とダイシング治具２Ａとの接合はダイシング治具２
Ａの貫通孔２ｂからのバキューム吸引によるが、この
際、バキュームの吸引力に応じ、貫通孔２ｂの径の大き
さ、位置、数を決めるものとすると共に、熱硬化性粘着
シート４が凹部２ａに沿って撓むようになれば、貫通孔
２ｂは必ずしも凹部２ａ内に設けなくてもよい。 【００６８】 【発明の効果】従って、以上詳述したように本発明によ
れば、半導体装置内の機能素子が有するトランジスタ型
加速度センサの可動ゲートや圧力センサのダイアフラム
のような可動部またはエアーブリッジ配線構造のような
突起物を、ダイシングカット時にレジストなどの液体を
使用することなく保護してダイシングカットすることに
より、高歩留りでチップ分割をすることができるように
した半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイシング
治具を提供することが可能となる。
関し、特にトランジスタ型加速度センサや圧力センサな
どの可動部をチップ内に有する半導体装置やエアーブリ
ッジ配線構造などのように機械的な強度に問題がある突
起物を持つ半導体装置を効率的にダイシングカットする
ようにした半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイ
シング治具の構造に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、シリコンウェハ上に形成された半
導体集積回路素子をチップ分割する方法として、通常は
粘着シート上に置かれたシリコンウェハをダイシングカ
ット装置を用いてダイシングカットを行うことによって
なされていた。 【０００３】この際、シリコンの切りくずを除去した
り、切断時の熱を放熱するため、また、カットが容易に
できるように大量の切削水を流しながらウェハをカット
してチップ状に分割していた。 【０００４】しかしながら、チップ内に例えば、トラン
ジスタ型加速度センサのように可動部を有する素子やエ
アーブリッジ配線構造のように機械的強度が弱い突起物
を有する機能素子が存在する場合、この大量の切削水の
圧力や表面張力により機能素子が破壊されたり、正常な
動作をしなくなる。 【０００５】この問題に対し、従来技術として、エアー
ブリッジ構造に関しては、特開平２−１０６９４７号公
報ではウェハ上にレジストを塗布して硬化した状態でダ
イシングカットし、その後、オゾン雰囲気中の紫外線照
射してレジストを除去する方法が提案されている。 【０００６】しかるに、この方法では紫外線の当たらな
い領域にはレジストが残ったり、また、可動部を有する
素子においてはレジスト塗布時にレジストの粘性やスピ
ンナーの回転（角速度）により可動部が破損されたり、
正常動作ができなくなると共に、そのレジストを除去す
る好ましい方法が存在しないなどの問題がある。 【０００７】このようにして、従来の技術では可動部や
突起物を有する半導体装置を高歩留りでチップ分割をす
ることができないのが実状であった。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は以上
のような点に鑑みてなされたもので、半導体装置内の機
能素子が有するトランジスタ型加速度センサの可動ゲー
トや圧力センサのダイアフラムのような可動部またはエ
アーブリッジ配線構造のような突起物を、ダイシングカ
ット時にレジストなどの液体を使用することなく保護し
てダイシングカットすることにより、高歩留りでチップ
分割をすることができるようにした半導体装置の製造方
法及びそれに用いるダイシング治具を提供することを目
的としている。 【０００９】 【００１０】 【００１１】 【００１２】【課題を解決するための手段】 本発明によると、上記課
題を解決するために、 半導体基板の表面に可動部または
突起部を有する機能素子を備える半導体装置の製造方法
において、前記可動部または突起部と対向する領域に凹
部及び該凹部の形成領域内または領域外に真空チャック
用の貫通孔が形成されたダイシング治具を用いて半導体
ウェハをダイシングカットする半導体装置の製造方法で
あって、前記凹部の直下に前記貫通孔を形成した前記ダ
イシング治具の表面に第１の粘着シートを貼り付ける工
程と、ダイシングカット装置のステージからの真空引き
により前記ダイシング治具内に形成された貫通孔を介し
て前記第１の粘着シートを前記凹部に沿って吸引する工
程と、前記第１の粘着シート上に、表面に可動部または
突起部を有する半導体ウェハを貼り付ける工程と、前記
貼り付ける工程の後、前記半導体ウェハを裏面より表面
方向へフルカットでチップ毎にダイシングカットする工
程と、前記ダイシング工程の後、前記半導体ウェハ裏面
に第２の粘着シートを貼り付ける工程と、前記第２の粘
着シートの貼り付け後、前記第１の粘着シートの粘着力
を低下させてから、前記第１の粘着シートから前記半導
体ウェハを剥し、前記半導体ウェハが貼り付けられた前
記第２の粘着シートに引張力を与えて前記チップ毎の間
隔を広げる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法が提供される。 【００１３】 【００１４】 【００１５】 【００１６】 【作用】本発明の半導体装置の製造方法の一態様によれ
ば、ダイシングカット時、ウェハはダイシング治具内の
ウェハ固定用真空チャック貫通孔を介して、ダイシング
カット装置の真空チャックステージからのバキューム吸
引により固定される。 【００１７】その際、半導体装置の可動部や突起物はダ
イシング治具の凹部により保護される。 【００１８】上記の構成により、レジストなどの液体を
可動部などの固定に用いる必要がないために、レジスト
などの液体の塗布や除去工程をなくすことができ、可動
部や突起物のある半導体装置のダイシングカットを効率
的に行うことが可能となる。 【００１９】従って、本発明によれば、可動部または突
起部を有する半導体装置が形成されたウェハを高歩留り
でチップ分割することができる。 【００２０】 【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例につき説
明する。 【００２１】（参考例） この参考例では、図１に示すように、各チップ内に可動
部や突起物を有する半導体装置が複数個形成されている
円盤状のウェハ１に対応する可動部または突起物保護用
凹部２ａ、ウェハ固定用真空チャック穴となる貫通孔２
ｂ、ウェハ支持用のＯリング２ｃ及びエアー導入口２ｄ
とエアー吹出し口２ｅとを有するダイシング治具２を用
いて、図２に示すような工程フローによりダイシングカ
ットを実行する。 【００２２】なお、参考例で使用するダイシング治具２
の材料としては剛性の高い材料（金属、セラミックス
等）を用いるものとするが、加工が容易なセラミックス
材料マコールが適している。 【００２３】また、治具２の他の材料としてはシリコン
ウェハを用いてもよい。 【００２４】なお、ダイシング治具２としてシリコンウ
ェハを用いる場合、方位面（１１０）や、（１００）と
（１１０）とを酸化膜や多結晶シリコンなどを介して接
合したウェハなどでもよい。 【００２５】そして、治具２に形成する絶縁膜穴や凹部
の加工方法としてはＫＯＨなどのアルカリ性異方性エッ
チングやレーザー加工などがある。 【００２６】また、エアー吹出し口２ｅとしての溝内に
挿入されるＯリング２ｃによりダイシング治具２の周縁
部が中央部より高くなって、ウェハ１の反りが発生した
ときに備えて、ウェハ１の反りを抑える方向に治具２の
中央部に必要とする高さの突起部（図示せず）を設ける
ようにしてもよい。 【００２７】なお、以下の説明ではウェハ１の各チップ
に形成される機能素子が有する可動部や突起物を総称し
てセンサ１ａとして説明するものとする。 【００２８】次に、参考例によるダイシングカットの工
程フローについて図２を参照して説明する。 【００２９】（１）先ず、図２（ａ）に示すようにダイ
シング治具２をダイシングカット装置の真空チャックス
テージ（図示せず）上に載せる。 【００３０】（２）続いて、図２（ｂ）に示すように可
動部または突起物（センサ１ａ）を有する半導体装置が
形成されたウェハ１をアライメント後、ダイシング治具
２上に載せる。 【００３１】この際、ダイシング治具２の凹部２ａはセ
ンサ１ａを十分に保護することができる形状となってい
るものとする。 【００３２】また、素子パターンと治具凹部との位置合
わせの方法としては、光学プローブにより両方のパター
ンを同時に観察し、画像認識装置で位置合わせを行うよ
うにしたり、予め、素子が形成されたウェハに対し、ダ
イシングラインでカット成形しておき、治具側にも段差
を設けてそこに合わせる等の方法をとることができる。 【００３３】ただし、ダイシングラインでカットしてお
く方法は、センサ１ａがその製造プロセスの過程で固定
されている必要がある。 【００３４】（３）次に、図２（ｃ）に示すようにダイ
シングカット装置の真空チャックステージ（図示せず）
のバキューム吸引によりダイシング治具２およびウェハ
１を固定する。 【００３５】なお、ダイシング治具２のウェハ固定用真
空チャック穴としての貫通孔２ｂの位置および個数は、
ウェハ１がダイシングカット時にずれることなく固定さ
れればよく、その条件を満たせばどこに形成してもよ
い。 【００３６】また、ダイシング治具２の外周縁部に設け
たＯリング２ｃおよびエアー吹出し口２ｅはダイシング
カット時に用いられる研削水の侵入を防止するためのも
のであるが、研削水が侵入しなければ、Ｏリング２ｃま
たはエアー吹き出し（吹き出しは他のガスでもよい）の
いずれかであってもよいが、望ましくは両方備えるのが
好ましい。 【００３７】そして、ウェハ１およびダイシング治具２
の固定後にダイシングカット１ｂを行うが、このダイシ
ングカット１ｂの切り込み深さは極力深くして（ウェハ
１の半分以上の切り込み深さが望ましい）、後のチップ
分割を容易にする。 【００３８】（４）次に、図２（ｄ）に示すようにダイ
シングカット装置のバキューム吸収を停止し、切り込み
を入れて強度的に弱くなっているウェハ１をダイシング
カット装置から外すためにダイシングカット用粘着シー
ト３で貼り付ける。 【００３９】（５）図２（ｅ）に示すようにダイシング
治具２からウェハ１を外した後、図２（ｆ）に示すよう
にチップ分割する。 【００４０】このチップ分割の方法としては例えば、エ
キスパンディングによる方法やヒートショックを与えた
り、もしくは、図２（ｄ）に示したような状態でローラ
ー等をウェハ１上に転がしたりして振動によって分割す
るか、レーザ光の照射によりカットするなどの方法があ
る。 【００４１】（実施例） 図２に示した参考例では、ダイシングカット時フルカッ
トしないために、ダイシングカット後にチップ分割を行
う工程が必要となる。 【００４２】次に、フルカットによりこのチップ分割工
程を削除する例について述べる。 【００４３】この場合に使用するダイシング治具２Ａは
図３、４に示すように、図１からＯリング２ｃ、エアー
導入孔２ｄ及びエアー吹出し口２ｅを削除し、貫通孔２
ｄを凹部２ａの直下に形成してある。 【００４４】ダイシング治具２Ａの材料は微細機械加工
が容易にできるセラミックス製マコールでも、ＫＯＨな
どのアルカリ性異方性エッチングにより加工できる面方
位（１１０）や（１００）と（１１０）とを絶縁物など
で接合したシリコンウェハでもよい。 【００４５】次に、本実施例によるダイシングカットの
工程フローについて図５を参照して説明する。 【００４６】（１）先ず、図５（ａ）に示すように、こ
の実施例では凹部２ａの一部に貫通孔２ｂを設けている
ダイシング治具２Ａが用いられる。 【００４７】なお、凹部は治具の構造上貫通孔の径が小
さい場合必要となるが、貫通孔のみでもよい。 【００４８】（２）次に、図５（ｂ）に示すようにダイ
シング治具２Ａの表面に熱硬化性粘着シート４を粘着面
を上側にしてセットした状態で図示しない真空チャック
上に治具２Ａを置き、ダイシング治具２Ａの貫通孔２ｂ
を通して熱硬化性粘着シート４をバキュームにより凹部
２ａに沿って吸い付ける。 【００４９】（３）次に、図５（ｃ），（ｄ）に示すよ
うに、ウェハ１を熱硬化性粘着シート４の粘着面に密着
させる。 【００５０】この場合、例えばウェハパターンと治具パ
ターンを画像認識により合わせてからウェハ１とダイシ
ング治具２Ａとを粘着シートを介して密着させる。 【００５１】（４）次に、図５（ｅ）に示すように、ウ
ェハ１の裏面側より、図示しないダイシングカット装置
の刃が熱硬化性粘着シート４に達するまでウェハ１に対
してチップ毎にフルカット１ｃを行う。 【００５２】その後、加熱により熱硬化性粘着シート４
の粘着力を低下させ、再度ウェハ裏面に紫外線硬化性粘
着シート（図示せず）を貼って、通常のエキスパンディ
ングにより図５（ｆ）に示すようにチップ毎の間隔を広
げる。 【００５３】この場合、ウェハ裏面に紫外線硬化性粘着
シートを貼り付けてから、加熱により熱硬化性粘着シー
ト４の粘着力を低下させるようにしてもよい。 【００５４】 【００５５】 【００５６】 【００５７】 【００５８】 【００５９】 【００６０】 【００６１】 【００６２】 【００６３】 【００６４】 【００６５】なお、参考例において、ウェハ載置兼封止
用のパッキングとなるＯリング１ｃの代わりに変形しや
すいシリコンゴムを用いるようにしてもよい。 【００６６】また、実施例において、ウェハ裏面に貼り
付ける紫外線硬化性粘着シートの代わりに、熱硬化性粘
着シート４よりも耐熱性の高い熱硬化性粘着シートを用
いるようにしてもよい。 【００６７】また、実施例において、熱硬化性粘着シー
ト４とダイシング治具２Ａとの接合はダイシング治具２
Ａの貫通孔２ｂからのバキューム吸引によるが、この
際、バキュームの吸引力に応じ、貫通孔２ｂの径の大き
さ、位置、数を決めるものとすると共に、熱硬化性粘着
シート４が凹部２ａに沿って撓むようになれば、貫通孔
２ｂは必ずしも凹部２ａ内に設けなくてもよい。 【００６８】 【発明の効果】従って、以上詳述したように本発明によ
れば、半導体装置内の機能素子が有するトランジスタ型
加速度センサの可動ゲートや圧力センサのダイアフラム
のような可動部またはエアーブリッジ配線構造のような
突起物を、ダイシングカット時にレジストなどの液体を
使用することなく保護してダイシングカットすることに
より、高歩留りでチップ分割をすることができるように
した半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイシング
治具を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】参考例に用いるダイシング治具と半導体ウェハ
との対応関係をそれぞれ半分に切欠いて示す図。 【図２】参考例によるダイシングの工程フローを示す
図。 【図３】実施例に用いるダイシング治具と半導体ウェハ
との対応関係をそれぞれ半分に切欠いて示す図。 【図４】実施例に用いるダイシング治具の断面図。 【図５】実施例によるダイシングの工程フローを示す
図。 【符号の説明】 １…可動部または突起部付き半導体ウェハ、 １ａ…センサ（可動部または突起部）、 ２…ダイシング治具、 ２ａ…可動部または突起部保護用凹部、 ２ｂ…ウェハ固定用真空チャック貫通孔、 ２ｃ…Ｏリング、 ２ｄ…エアー導入孔、 ２ｅ…エアー吹出し口（Ｏリング挿入用溝）、 ３…粘着シート。
との対応関係をそれぞれ半分に切欠いて示す図。 【図２】参考例によるダイシングの工程フローを示す
図。 【図３】実施例に用いるダイシング治具と半導体ウェハ
との対応関係をそれぞれ半分に切欠いて示す図。 【図４】実施例に用いるダイシング治具の断面図。 【図５】実施例によるダイシングの工程フローを示す
図。 【符号の説明】 １…可動部または突起部付き半導体ウェハ、 １ａ…センサ（可動部または突起部）、 ２…ダイシング治具、 ２ａ…可動部または突起部保護用凹部、 ２ｂ…ウェハ固定用真空チャック貫通孔、 ２ｃ…Ｏリング、 ２ｄ…エアー導入孔、 ２ｅ…エアー吹出し口（Ｏリング挿入用溝）、 ３…粘着シート。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−235151（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−39954（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−326508（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−146（ＪＰ，Ａ)
特開 昭54−18271（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−141670（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/301
H01L 21/68
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体基板の表面に可動部または突起部
を有する機能素子を備える半導体装置の製造方法におい
て、 前記可動部または突起部と対向する領域に凹部及び該凹
部の形成領域内または領域外に真空チャック用の貫通孔
が形成されたダイシング治具を用いて半導体ウェハをダ
イシングカットする半導体装置の製造方法であって、 前記凹部の直下に前記貫通孔を形成した前記ダイシング
治具の表面に第１の粘着シートを貼り付ける工程と、 ダイシングカット装置のステージからの真空引きにより
前記ダイシング治具内に形成された貫通孔を介して前記
第１の粘着シートを前記凹部に沿って吸引する工程と、 前記第１の粘着シート上に、表面に可動部または突起部
を有する半導体ウェハを貼り付ける工程と、 前記貼り付ける工程の後、前記半導体ウェハを裏面より
表面方向へフルカットでチップ毎にダイシングカットす
る工程と、 前記ダイシング工程の後、前記半導体ウェハ裏面に第２
の粘着シートを貼り付ける工程と、 前記第２の粘着シートの貼り付け後、前記第１の粘着シ
ートの粘着力を低下させてから、前記第１の粘着シート
から前記半導体ウェハを剥し、前記半導体ウェハが貼り
付けられた前記第２の粘着シートに引張力を与えて前記
チップ毎の間隔を広げる工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145895A JP3463398B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145895A JP3463398B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250454A JPH08250454A (ja) | 1996-09-27 |
| JP3463398B2 true JP3463398B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=12887501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5145895A Expired - Lifetime JP3463398B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3463398B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165232A (en) * | 1998-03-13 | 2000-12-26 | Towa Corporation | Method and apparatus for securely holding a substrate during dicing |
| US6187654B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-02-13 | Intercon Tools, Inc. | Techniques for maintaining alignment of cut dies during substrate dicing |
| US6325059B1 (en) | 1998-09-18 | 2001-12-04 | Intercon Tools, Inc. | Techniques for dicing substrates during integrated circuit fabrication |
| JP4151164B2 (ja) | 1999-03-19 | 2008-09-17 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| US6688300B2 (en) | 1999-04-08 | 2004-02-10 | Intercon Technologies, Inc. | Techniques for dicing substrates during integrated circuit fabrication |
| JP4388640B2 (ja) * | 1999-09-10 | 2009-12-24 | 株式会社ディスコ | Ｃｓｐ基板保持部材及び該ｃｓｐ基板保持部材が載置されるｃｓｐ基板用テーブル |
| US6425971B1 (en) * | 2000-05-10 | 2002-07-30 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using UV curable tapes |
| US7022546B2 (en) | 2000-12-05 | 2006-04-04 | Analog Devices, Inc. | Method and device for protecting micro electromechanical systems structures during dicing of a wafer |
| US20020139235A1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-10-03 | Nordin Brett William | Singulation apparatus and method for manufacturing semiconductors |
| US6982184B2 (en) | 2001-05-02 | 2006-01-03 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of fabricating MEMS devices on a silicon wafer |
| DE102004018249B3 (de) | 2004-04-15 | 2006-03-16 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks an einem Werkstückträger |
| JP4566626B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2010-10-20 | 株式会社石川製作所 | 半導体基板の分断方法および半導体チップの選択転写方法 |
| JP5375328B2 (ja) * | 2009-05-20 | 2013-12-25 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造に用いられる治具 |
| JP7145212B2 (ja) * | 2017-11-10 | 2022-09-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 両面処理のためのパターニングされたチャック |
| JP7105900B2 (ja) * | 2018-02-20 | 2022-07-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 両面処理のためのパターニングされた真空チャック |
-
1995
- 1995-03-10 JP JP5145895A patent/JP3463398B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08250454A (ja) | 1996-09-27 |
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