JP3273773B2 - 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ、半導体製造・検査装置用静電チャックおよびウエハプローバ用チャックトップ - Google Patents
半導体製造・検査装置用セラミックヒータ、半導体製造・検査装置用静電チャックおよびウエハプローバ用チャックトップInfo
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Description
て使用される半導体製造・検査装置用セラミックヒー
タ、半導体製造・検査装置用静電チャックおよびウエハ
プローバ用チャックトップに関し、特には、電気的な誤
動作、静電チャック力の低下を防止でき、また、パーテ
ィクルの発生を抑止し、配線欠陥を防止することができ
る半導体製造・検査装置用セラミックヒータ、半導体製
造・検査装置用静電チャックおよびウエハプローバ用チ
ャックトップに関する。 [発明の詳細な説明]
樹脂をエッチングレジストとして形成し、半導体ウエハ
のエッチングを行う工程等を経て製造される。この感光
性樹脂は液状であり、スピンコーターなどを用いて半導
体ウエハ表面に塗布されるのであるが、塗布後に溶剤等
を飛散させるため乾燥させなければならず、塗布した半
導体ウエハをヒータ上に載置して加熱することになる。
また、スパッタリング等でシリコンウエハを加熱する必
要があった。従来、このような用途に使用される金属製
のヒータとしては、アルミニウム板の裏面に抵抗発熱体
を配置したものが採用されている。
以下のような問題があった。まず、金属製であるため、
ヒータ板の厚みは、15mm程度と厚くしなければなら
ない。なぜなら、薄い金属板では、加熱に起因する熱膨
張により、反り、歪み等が発生してしまい、金属板上に
載置した半導体ウエハが破損したり傾いたりしてしまう
からである。しかしながら、ヒータ板の厚みを厚くする
と、ヒータの重量が重くなり、また、かさばってしまう
という問題があった。
を変えることにより、加熱温度を制御するのであるが、
金属板が厚いために、電圧や電流量の変化に対してヒー
タ板の温度が迅速に追従せず、温度制御しにくいという
問題もあった。
特開平4−324276号公報等に記載されているよう
に、基板として、熱伝導率が高く、強度も大きい非酸化
物セラミックであるAlNを使用し、このAlN基板中
に抵抗発熱体が形成されたセラミックヒータが提案され
ている。
には、AlN基板中に抵抗発熱体が形成されるととも
に、半導体ウエハをヒータ上に保持するため、さらに、
AlN基板中に静電電極が埋設された静電チャックが開
示されている。
AlN基板中に抵抗発熱体等が形成されたヒータや静電
チャックを使用すると、アルミニウム板を用いたヒータ
を使用した場合と比べ、制御に誤動作を生じたり、静電
チャック力が低下したり、あるいは検査装置に誤動作を
生じたりするという不可解な現象が見られた。さらに、
半導体ウエハ中の配線が欠損したりして導通不良が発生
するという問題も発生した。また、半導体ウエハの表面
にセラミックから脱粒したと思われるパーティクルが付
着してしまうという問題も知見されている。
従来技術の問題について鋭意検討した結果、これらの原
因が意外にも、AlN基板から放出されるα線に起因し
ていること、および、このα線を一定値以下にすること
により、誤動作や静電チャック力の低下を防止でき、ま
た、半導体ウエハ表面に付着するセラミックパーティク
ルの付着を低減させるとともに、半導体ウエハの配線欠
損の発生率を殆ど0にすることができることを見いだ
し、本発明を完成するに至った。
用セラミックヒータ(以下、単にセラミックヒータとも
いう)は、セラミック基板の表面または内部に発熱体を
設けてなる半導体ウエハを加熱するためのセラミックヒ
ータであって、上記セラミック基板の表面から放射され
るα線量が、0.250c/cm2 ・hr以下、実質的
には0.0001〜0.250c/cm2 ・hrである
ことを特徴とする。
電チャック(以下、単に静電チャックともいう)は、セ
ラミック基板の内部に電極(静電電極)が埋設され、前
記セラミック基板の一主面に半導体ウエハを吸着するよ
うに構成された静電チャックであって、上記セラミック
基板の表面から放射されるα線量が、0.250c/c
m2 ・hr以下、実質的には0.0001〜0.250
c/cm2 ・hrであることを特徴とする。さらに、本
発明のウエハプローバ用チャックトップは、セラミック
基板の表面にチャックトップ導体層が形成されてなるウ
エハプローバ用チャックトップであって、上記セラミッ
ク基板の表面(導体層形成面)から放射されるα線量
が、0.250c/cm2 ・hr以下、実質的には0.
0001〜0.250c/cm2 ・hrであることを特
徴とする。
技術の問題について鋭意検討した結果、これらの原因が
意外にも、セラミック基板から放出されるα線に起因し
ていることを発見したのである。
このα線が半導体ウエハに電子、正孔の対を多数発生さ
せる。このため、半導体ウエハ自体が静電気を帯びてし
まい、この静電気によりセラミック基板から発生するパ
ーテクルを吸着したり、あるいは、セラミック基板内部
に配設した熱電対に起因するヒータの誤動作やウエハプ
ローバの誤動作を引き起こすのである。また、半導体ウ
エハに電子、正孔の対を多数発生させるため、静電チャ
ックの電極により発生した静電気をキャンセルさせてし
まい、チャック力を低下させるものと推定される。
静電チャック、ウエハプローバと用途は異なるものの、
α線により半導体ウエハに発生する電子、正孔の対に起
因すると推定される。従って、セラミック基板の表面
(導体層形成面)から放射されるα線量を特定値以下に
することで、どの用途においても問題解決を図ることが
できるのである。
クヒータの場合、熱電対をセラミック基板に設けるが、
α線量が0.250c/cm2 ・hrを超えると、発生
したα線が半導体ウエハに飛び込んで電子、正孔の対を
発生させ、これにより静電気が発生し、この静電気が熱
電対に電気的なノイズを発生させ、測定された温度デー
タが誤って認識され、これが誤動作の原因となると考え
られる。このような誤動作によってウエハ載置面の温度
が一定となる時間に遅延が生じてしまう。
0.250c/cm2 ・hrを超えると、発生したα線
が半導体ウエハに衝突して電子、正孔の対を発生させ電
荷が生じ、この電荷が静電電極によりウエハに発生した
電荷をキャンセルさせてしまいクーロン力やジョンソン
−ラーベック効果による吸着力が低下する。
クトップの場合は、半導体ウエハを導体層(チャックト
ップ導体層)に載置し、テスターピンを押し当てて導通
試験を実施すると、α線量が0.250c/cm2 ・h
rを超える場合には、α線が半導体ウエハに電子、正孔
の対を発生させ、これがノイズとなって導通試験の判定
に誤りを生じる。
rを超えると、セラミック基板上に載置される半導体ウ
エハにα線が飛び込んで半導体ウエハに電子、正孔の対
を発生させ、これが静電気を生じ、この静電気によって
セラミック基板から発生するパーティクルが半導体ウエ
ハに吸着してしまう。パーティクルが吸着するとマスク
露光する場合に、配線欠陥を生じてしまうのである。
ックヒータ等に用いられるセラミック基板は、半導体ウ
エハ表面(半導体ウエハ載置面、半導体ウエハ加熱面、
導体層形成面)から放射されるα線量が、0.250c
/cm2 ・hr以下、実質的には0.0001〜0.2
50c/cm2 ・hrであることを特徴とする。
ーバ等の電気的な誤動作、静電チャック力の低下、半導
体ウエハへのパーティクルの付着を防止することがで
き、配線欠陥を無くすことができるのである。また、α
線量を、0.050c/cm2 ・hr以下にすること
で、パーティクル付着量を10個/cm2 以下にするこ
とができる。
ることにより、上記した電気的な誤動作、静電チャック
力の低下、パーティクルの発生を防止するのであるが、
このような電気的な誤動作、静電チャック力の低下、パ
ーティクルの付着、配線欠陥の発生といった問題とα線
量の因果関係という誰も予想しなかった関連を新規に知
見したものであり、解決手段自体が単純な手法であるか
らといってそのこと自体により本発明の進歩性が阻却さ
れることはないことを付記しておく。
は、「ニューセラミックス」Vol.11、No.9
1998 「ALNセラミックスの最近の進歩と応用」
に記載が見られるが、半導体製造・検査装置として使用
することは記載も、示唆もされていない。従って、その
こと自体により本発明の新規性、進歩性が阻却されるこ
とはない。
0.5〜50mmが好ましい。0.5mmより薄いと、
強度が低下するため破損しやすくなり、一方、50mm
より厚くなると、熱が伝搬しにくくなり、加熱の効率が
悪くなる。また、セラミック基板は円盤状で、その直径
が200mm以上が好ましい。そのような大きな面積を
持つセラミック基板の方がα線による障害が生じる確率
が高くなり、本発明の効果が顕著だからである。
が、もし存在するとすれば、気孔率は5%以下、最大気
孔径が50μm以下が好ましい。これを超える範囲で
は、気孔中に空気が存在し、α線が気孔を通過するとプ
ラズマが発生して高温(200℃以上)での耐絶縁性を
低下させるためである。以下、本発明を各用途毎に説明
する。
クヒータは、セラミック基板の表面または内部に発熱体
を設けてなる半導体ウエハを加熱するためのセラミック
ヒータであって、上記セラミック基板の表面から放射さ
れるα線量が0.250c/cm2 ・hr以下、実質的
には0.0001〜0.250c/cm2 ・hrである
ことを特徴とする。
セラミック基板の表面から放射されるα線量が、0.0
25c/cm2 ・hr以下であるので、α線が半導体ウ
エハに電子、正孔の対を発生させ、これが静電気を発生
させることにより、あるいは直接的に熱電対にノイズを
与えることにより測温データを狂わせることがなく、ま
た、0.025c/cm2 ・hr以下であれば、半導体
ウエハに静電電気が発生しにくく、パーティクルの吸着
量も少なくすることができる。
が、0.0001未満とすることは技術面、経済面から
困難であり、一方、α線量が0.025c/cm2 ・h
rを超えると、α線により発生した静電気によりパーテ
ィクルが半導体ウエハに吸着し、半導体ウエハの機能を
破損するようなダメージを与える場合がある。
ルミナやシリカ中の放射性核種UやThである。そこ
で、原料アルミナやシリカからUやThを除去した後、
還元窒化法などで窒化物セラミックスを合成する。Uや
Thの除去方法は、例えば「粉体粉末冶金協会講演概要
集 p114 Spring 1980年」に記載され
ているように、平均粒子径2〜3μmの多孔質γ−Fe
O3 の粒子にチタニウムイソプロポキシドのアルコール
溶液を含浸させて、アルコキシドを加水分解してこれを
U吸着剤とし、これを原料溶液中に分散させるのであ
る。
ン酸ソーダ水溶液中にU吸着剤を分散させて塩基性条件
でUを吸着させ、吸着剤を分離後、アルミン酸ソーダを
水酸化アルミニウムにして沈澱させ、乾燥、焼成してア
ルミナとするのである。なお、文献中ではUにのみ着目
しているが、発明者はThでも同様の効果を確認してい
る。また、市販品でα線量の低いものが存在しており、
それらを入手することもできる。
窒化法で窒化する。還元窒化法とは、SiO2 やAl2
O3 をカーボンブラック等の炭素により還元しつつ、窒
素ガスと反応させる方法である。なお、特開平9−48
668号公報で直接窒化法や間接窒化法で製造した半導
体製造装置用窒化アルミニウム焼結体を開示するが、原
料アルミナについては言及しておらず、またボーキサイ
トからUやThが混入するので単に直接窒化法で製造し
てもUやTh量を減らすことができない。
ハを加熱するために用いられるセラミックヒータであ
り、窒化物セラミック基板の表面または内部に発熱体が
設けられている。
を模式的に示す底面図であり、図2はその一部を示す部
分拡大断面図である。窒化物セラミックからなるセラミ
ック基板(以下ヒータ板と称する)11は、円板状に形
成されており、抵抗発熱体12は、ヒータ板11のウエ
ハ加熱面(上面)の全体の温度が均一になるように加熱
する必要があるため、ヒータ板11の内部に同心円状の
パターンに形成されている。また、これら抵抗発熱体1
2は、互いに近い二重の同心円同士が1組として、1本
の線になるように接続され、その両端に入出力の端子と
なる外部端子13が接続されている。また、中央に近い
部分には、半導体ウエハ19を支持する支持ピン16を
挿入するための貫通孔15が形成され、さらに、測温素
子を挿入するための有底孔14が形成されている。な
お、図1〜2に示したセラミックヒータ10において、
抵抗発熱体12はヒータ板11の内部に設けられている
が、ヒータ板11の底面に設けられていてもよい。以
下、本発明のセラミックヒータを構成する部材等につい
て詳細に説明する。
物セラミックを用いているが、これは、熱膨張係数が金
属より小さく、薄くしても、加熱により反ったり、歪ん
だりしないため、ヒータ板11を薄くて軽いものとする
ことができるからである。また、ヒータ板11の熱伝導
率が高く、またヒータ板自体薄いため、ヒータ板11の
表面温度が、抵抗発熱体の温度変化に迅速に追従する。
即ち、電圧、電流量を変えて抵抗発熱体の温度を変化さ
せることにより、ヒータ板11の表面温度を良好に制御
することができるのである。
ク、酸化物セラミック、炭化物セラミックが挙げられる
が、特に窒化物セラミックが最適である。窒化物セラミ
ックは、熱伝導率が高く、昇温、降温特性に優れている
ため、ウエハを載置あるいはウエハを近接保持するセラ
ミック板に使用される。ウエハの配線欠損はこのような
セラミック板に載置等された場合に発生する現象である
ため、本発明は窒化物セラミック板について特に顕著な
効果を有するのである。
アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等
が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以
上を併用してもよい。これらのなかでは、窒化アルミニ
ウムが最も好ましい。熱伝導率が180W/m・Kと最
も高いからである。また、酸化物セラミックとしては、
例えば、シリカ、アルミナ等が挙げられ、炭化物セラミ
ックとしては、例えば、炭化珪素等が挙げられる。
形成される抵抗発熱体12は、少なくとも2以上の回路
に分割されていることが望ましい。回路を分割すること
により、各回路に投入する電力を制御して発熱量を変え
ることができ、半導体ウエハの加熱面の温度を調整する
ことができるからである。
ば、同心円、渦巻き、偏心円、屈曲線などが挙げられる
が、ヒータ板全体の温度を均一にすることができる点か
ら、図1に示したような同心円状のものが好ましい。
成する場合には、金属粒子を含む導電ペーストをヒータ
板11の表面に塗布して所定パターンの導体ペースト層
を形成した後、これを焼き付け、ヒータ板11の表面で
金属粒子を焼結させる方法が好ましい。なお、金属の焼
結は、金属粒子同士および金属粒子とセラミックとが融
着していれば充分である。
る場合には、抵抗発熱体の厚さは、1〜30μmが好ま
しく、1〜10μmがより好ましい。また、ヒータ板1
1の内部に抵抗発熱体を形成する場合には、その厚さ
は、1〜50μmが好ましい。
形成する場合には、抵抗発熱体の幅は、0.1〜20m
mが好ましく、0.1〜5mmがより好ましい。また、
ヒータ板11の内部に抵抗発熱体を形成する場合には、
抵抗発熱体の幅は、5〜20μmが好ましい。
抗値に変化を持たせることができるが、上記した範囲が
最も実用的である。抵抗値は、薄く、また、細くなる程
大きくなる。抵抗発熱体12は、ヒータ板11の内部に
形成した場合の方が、厚み、幅とも大きくなるが、抵抗
発熱体12を内部に設けると、加熱面と抵抗発熱体12
との距離が短くなり、表面の温度の均一性が低下するた
め、抵抗発熱体自体の幅を広げる必要があること、内部
に抵抗発熱体12を設けるために、窒化物セラミック等
との密着性を考慮する必要性がないため、タングステ
ン、モリブデンなどの高融点金属やタングステン、モリ
ブデンなどの炭化物を使用することができ、抵抗値を高
くすることが可能となるため、断線等を防止する目的で
厚み自体を厚くしてもよい。そのため、抵抗発熱体12
は、上記した厚みや幅とすることが望ましい。
ても楕円であってもよいが、偏平であることが望まし
い。偏平の方がウエハ加熱面に向かって放熱しやすいた
め、加熱面の温度分布ができにくいからである。断面の
アスペクト比(抵抗発熱体の幅/抵抗発熱体の厚さ)
は、10〜5000であることが望ましい。この範囲に
調整することにより、抵抗発熱体12の抵抗値を大きく
することができるとともに、加熱面の温度の均一性を確
保することができるからである。
アスペクト比が上記範囲より小さいと、ヒータ板11の
ウエハ加熱方向への熱の伝搬量が小さくなり、抵抗発熱
体12のパターンに近似した熱分布が加熱面に発生して
しまい、逆にアスペクト比が大きすぎると抵抗発熱体1
2の中央の直上部分が高温となってしまい、結局、抵抗
発熱体12のパターンに近似した熱分布が加熱面に発生
してしまう。従って、温度分布を考慮すると、断面のア
スペクト比は、10〜5000であることが好ましいの
である。
成する場合は、アスペクト比を10〜200、抵抗発熱
体12をヒータ板11の内部に形成する場合は、アスペ
クト比を200〜5000とすることが望ましい。
形成した場合の方が、アスペクト比が大きくなるが、こ
れは、抵抗発熱体12を内部に設けると、加熱面と抵抗
発熱体12との距離が短くなり、表面の温度均一性が低
下するため、抵抗発熱体12自体を偏平にする必要があ
るからである。
芯して形成する場合の位置は、ヒータ板11の加熱面に
対向する面(底面)に近い位置で、加熱面から底面まで
の距離に対して50%を超え、99%までの位置とする
ことが望ましい。50%以下であると、加熱面に近すぎ
るため、温度分布が発生してしまい、逆に、99%を超
えると、ヒータ板11自体に反りが発生して、半導体ウ
エハが破損するからである。
部に形成する場合には、抵抗発熱体形成層を複数層設け
てもよい。この場合は、各層のパターンは、相互に補完
するようにどこかの層に抵抗発熱体12が形成され、ウ
エハ加熱面の上方から見ると、どの領域にもパターンが
形成されている状態が望ましい。このような構造として
は、例えば、互いに千鳥の配置になっている構造が挙げ
られる。なお、抵抗発熱体12をヒータ板11の内部に
設け、かつ、その抵抗発熱体12を一部露出させてもよ
い。
が、導電性を確保するための金属粒子または導電性セラ
ミックが含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤など
を含むものが好ましい。
(金、銀、白金、パラジウム)、鉛、タングステン、モ
リブデン、ニッケルなどが好ましい。これらは、単独で
用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの金
属は、比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を
有するからである。上記導電性セラミックとしては、例
えば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げら
れる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用
してもよい。
子の粒径は、0.1〜100μmが好ましい。0.1μ
m未満と微細すぎると、酸化されやすく、一方、100
μmを超えると、焼結しにくくなり、抵抗値が大きくな
るからである。
リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場
合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよ
い。上記金属粒子がリン片状物、または、球状物とリン
片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属酸化物を
保持しやすくなり、抵抗発熱体12と窒化物セラミック
等との密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくするこ
とができるため有利である。
例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられ
る。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコ
ールなどが挙げられる。増粘剤としては、セルロースな
どが挙げられる。
粒子に金属酸化物を添加し、抵抗発熱体12を金属粒子
および金属酸化物を焼結させたものとすることが望まし
い。このように、金属酸化物を金属粒子とともに焼結さ
せることにより、ヒータ板である窒化物セラミックと金
属粒子とを密着させることができる。
セラミックと密着性が改善される理由は明確ではない
が、金属粒子表面や窒化物セラミックの表面は、わずか
に酸化されて酸化膜が形成されており、この酸化膜同士
が金属酸化物を介して焼結して一体化し、金属粒子と窒
化物セラミックとが密着するのではないかと考えられ
る。
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素(B2 O3 )、アル
ミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれ
る少なくとも1種が好ましい。
値を大きくすることなく、金属粒子と窒化物セラミック
との密着性を改善することができるからである。
素(B2 O3 )、アルミナ、イットリア、チタニアの割
合は、金属酸化物の全量を100重量部とした場合、重
量比で、酸化鉛が1〜10、シリカが1〜30、酸化ホ
ウ素が5〜50、酸化亜鉛が20〜70、アルミナが1
〜10、イットリアが1〜50、チタニアが1〜50で
あって、その合計が100重量部を超えない範囲で調整
されていることが望ましい。これらの範囲で、これらの
酸化物の量を調整することにより、特に窒化物セラミッ
クとの密着性を改善することができる。
は、0.1重量%以上10重量%未満が好ましい。ま
た、このような構成の導体ペーストを使用して抵抗発熱
体12を形成した際の面積抵抗率は、1〜45mΩ/□
が好ましい。
加電圧量に対して発熱量は大きくなりすぎて、ヒータ板
の表面に抵抗発熱体12を設けたヒータ板11では、そ
の発熱量を制御しにくいからである。なお、金属酸化物
の添加量が10重量%以上であると、面積抵抗率が50
mΩ/□を超えてしまい、発熱量が大きくなりすぎて温
度制御が難しくなり、温度分布の均一性が低下する。
成される場合には、抵抗発熱体12の表面部分に、金属
被覆層が形成されていることが望ましい。内部の金属焼
結体が酸化されて抵抗値が変化するのを防止するためで
ある。形成する金属被覆層の厚さは、0.1〜10μm
が好ましい。
は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、具体
的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッケル
などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2
種以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケル
が好ましい。
の端子が必要であり、この端子は、半田を介して抵抗発
熱体12に取り付けるが、ニッケルは、半田の熱拡散を
防止するからである。接続端子としては、例えば、コバ
ール製の外部端子13が挙げられる。
部に形成する場合には、抵抗発熱体表面が酸化されるこ
とがないため、被覆は不要である。抵抗発熱体12をヒ
ータ板11内部に形成する場合、抵抗発熱体の一部が表
面に露出していてもよく、抵抗発熱体を接続するための
スルーホールが端子部分に設けられ、このスルーホール
に外部端子が接続、固定されていてもよい。
銀−鉛、鉛−スズ、ビスマス−スズなどの合金を使用す
ることができる。なお、半田層の厚さは、0.1〜50
μmが好ましい。半田による接続を確保するのに充分な
範囲だからである。
に貫通孔15を設けてその貫通孔15に支持ピン(図示
せず)を挿入し、半導体ウエハを図示しない搬送機に渡
したり、搬送機から半導体ウエハを受け取ったりするこ
とができる。
エハをセラミック基板から50〜500μm離間させて
加熱することができる。離間させることにより、セラミ
ック基板表面の温度分布の影響を受けにくくすることが
できる。この場合、セラミック基板上に支持ピン16で
ウエハを支持しながら離間させて加熱を行う。
法について説明する。まず、ヒータ板11の底面に抵抗
発熱体が形成されたセラミックヒータの製造方法につい
て説明する。
末に必要に応じてイットリア等の焼結助剤やバインダ等
を配合してスラリーを調製した後、このスラリーをスプ
レードライ等の方法で顆粒状にし、この顆粒を金型など
に入れて加圧することにより板状などに成形し、生成形
体(グリーン)を作製する。セラミックヒータに静電チ
ャック機能を持たせる場合には、静電チャック用の金属
箔等を生成形体中に埋め込んでもよい。
ウエハを支持するための支持ピンを挿入する貫通孔とな
る部分や熱電対などの測温素子を埋め込むための有底孔
となる部分を形成する。
させ、セラミック製の板状体を製造する。この後、所定
の形状に加工することにより、ヒータ板11を作製する
が、焼成後にそのまま使用することができる形状として
もよい。加圧しながら加熱、焼成を行うことにより、気
孔のないヒータ板11を製造することが可能となる。加
熱、焼成は、焼結温度以上であればよいが、窒化物セラ
ミックでは、1000〜2500℃である。
る粘度の高い流動物である。この導体ペーストをスクリ
ーン印刷などを用い、抵抗発熱体を設けようとする部分
に印刷を行うことにより、導体ペースト層を形成する。
抵抗発熱体は、ヒータ板全体を均一な温度にする必要が
あることから、図1に示すような同心円状からなるパタ
ーンに印刷することが望ましい。導体ペースト層は、焼
成後の抵抗発熱体12の断面が、方形で、偏平な形状と
なるように形成することが望ましい。
成して、樹脂、溶剤を除去するとともに、金属粒子を焼
結させ、ヒータ板11の底面に焼き付け、抵抗発熱体1
2を形成する。加熱焼成の温度は、500〜1000℃
が好ましい。導体ペースト中に上述した金属酸化物を添
加しておくと、金属粒子、ヒータ板および金属酸化物が
焼結して一体化するため、抵抗発熱体とヒータ板との密
着性が向上する。
ましい。金属被覆層は、電解めっき、無電解めっき、ス
パッタリング等により形成することができるが、量産性
を考慮すると、無電解めっきが最適である。
の端子(外部端子13)を半田で取り付ける。また、有
底孔14に銀ろう、金ろうなどで熱電対を固定し、ポリ
イミド等の耐熱樹脂で封止し、セラミックヒータの製造
を終了する。
2が形成されたセラミックヒータ(図1〜2参照)の製
造方法について説明する。 (1) ヒータ板の作製工程 まず、窒化物セラミックの粉末をバインダ、溶剤等と混
合してペーストを調製し、これを用いてグリーンシート
を作製する。
窒化アルミニウムなどを使用することができ、必要に応
じて、イットリア等の焼結助剤を加えてもよい。また、
バインダとしては、アクリル系バインダ、エチルセルロ
ース、ブチルセロソルブ、ポリビニラールから選ばれる
少なくとも1種が望ましい。
グリコールから選ばれる少なくとも1種が望ましい。こ
れらを混合して得られるペーストをドクターブレード法
でシート状に成形してグリーンシートを作製する。グリ
ーンシートの厚さは、0.1〜5mmが好ましい。
応じて、半導体ウエハを支持するための支持ピンを挿入
する貫通孔15となる部分、熱電対などの測温素子を埋
め込むための有底孔となる部分、抵抗発熱体を外部の端
ピンと接続するためのスルーホール18となる部分等を
形成する。後述するグリーンシート積層体を形成した後
に、上記加工を行ってもよい。
ックを含む導電性ペーストを印刷する。このとき、抵抗
発熱体を形成するための導電性ペースト層を形成するの
みでなく、静電チャックを形成するための導電ペースト
層を設けてもよい。これらの導電ペースト中には、金属
粒子または導電性セラミック粒子が含まれている。
平均粒子径は、0.1〜5μmが好ましい。平均粒子が
0.1μm未満であるか、5μmを超えると、導体ペー
ストを印刷しにくいからである。このような導体ペース
トとしては、例えば、金属粒子または導電性セラミック
粒子85〜87重量部;アクリル系、エチルセルロー
ス、ブチルセロソルブ、ポリビニラールから選ばれる少
なくとも1種のバインダ1.5〜10重量部;および、
α−テルピオーネ、グリコールから選ばれる少なくとも
1種の溶媒を1.5〜10重量部を混合した組成物(ペ
ースト)が挙げられる。
ペーストを印刷したグリーンシートの上下に積層する。
このとき、上側に積層するグリーンシートの数を下側に
積層するグリーンシートの数よりも多くして、抵抗発熱
体の形成位置を底面の方向に偏芯させる。具体的には、
上側のグリーンシートの積層数は20〜50枚が、下側
のグリーンシートの積層数は5〜20枚が好ましい。
ートおよび内部の導体ペーストを焼結させる。加熱温度
は、1000〜2000℃が好ましく、加圧の圧力は、
100〜200kg/cm2 が好ましい。加熱は、不活
性ガス雰囲気中で行う。不活性ガスとしては、例えば、
アルゴン、窒素などを使用することができる。
するための有底孔を設けてもよい。有底孔は、表面研磨
後に、サンドブラストなどをブラスト処理を行うことに
より形成することができる。また、内部の抵抗発熱体と
接続するためのスルーホールに端子を接続し、加熱して
リフローする。加熱温度は、200〜500℃が好適で
ある。さらに、測温素子としての熱電対などを銀ろう、
金ろうなどで取り付け、ポリイミドなどの耐熱性樹脂で
封止し、セラミックヒータの製造を終了する。
する。本発明の静電チャックは、セラミック基板の内部
に電極が埋設され、前記セラミック基板の一主面に半導
体ウエハを吸着するように構成された静電チャックであ
って、上記セラミック基板の半導体ウエハ加熱面から放
射されるα線量が、0.250c/cm2 ・hr以下、
実質的には0.0001〜0.250c/cm2 ・hr
であることを特徴とする。
ラミック基板の材料は、上記した本発明のセラミックヒ
ータの場合と同様の材料が用いられており、同様の方法
でセラミック基板を製造する。従って、半導体ウエハ載
置面から放射されるα線量は、実質的に0.0001〜
0.250c/cm2 ・hrであり、α線によってウエ
ハ表面に電荷が発生しにくく、その結果静電電極によっ
てウエハに発生した電荷がキャンセルされにくくなっ
て、ジョンソン−ラーベリック効果による吸着力の低下
を防止することができる。また、0.025c/cm2
・hr以下であれば、半導体ウエハに静電電気が発生し
にくく、パーティクルの吸着量も少なくすることができ
る。
0.0001未満とすることは技術面、経済面から困難
であり、一方、α線量が0.025c/cm2 ・hrを
超えると、α線により発生した静電気によりパーティク
ルが半導体ウエハに吸着し、半導体ウエハの機能を破損
するようなダメージを与える場合がある。
す縦断面図であり、(b)は、(a)に示した静電チャ
ックのA−A線断面図である。この静電チャェク20で
は、セラミック基板21の内部にチャェク正負電極層2
2、23が埋設され、その電極上に厚さ5〜1500μ
mのセラミック誘電体膜40が形成されている。また、
セラミック基板21の内部には、抵抗発熱体12が設け
られ、シリコンウエハ9を加熱することができるように
なっている。なお、セラミック基板21には、必要に応
じて、RF電極が埋設されていてもよい。
ク20は、通常、平面視円形状に形成されており、セラ
ミック基板21の内部に半円弧状部22aと櫛歯部22
bとからなるチャック正極静電層22と、同じく半円弧
状部23aと櫛歯部23bとからなるチャック負極静電
層23とが、互いに櫛歯部22b、23bを交差するよ
うに対向して配置されている。
ャック正極静電層22とチャック負極静電層23とにそ
れぞれ直流電源の+側と−側を接続し、直流電圧を印加
する。これにより、この静電チャック上に載置された半
導体ウエハが静電的に吸着されることになる。
に、セラミック基板21の内部に抵抗発熱体が埋設され
ていてもよく、また、セラミック基板21の表面(底
面)に抵抗発熱体が形成されていてもよい。上記静電チ
ャックの製造方法は、グリーンシートの表面にチャック
正極静電層22とチャック負極静電層23の形状になる
ように導電性ペーストを塗布するか、生成形体中にチャ
ック正極静電層22とチャック負極静電層23の形状に
なるように金属箔を埋め込むほかは、セラミックヒータ
の製造方法とほぼ同様である。
クトップについて説明する。このウエハプローバ用チャ
ックトップでは、半導体ウエハ載置面から放射されるα
線量は、0.0001〜0.250c/cm2 ・hrで
あり、α線によってチャックトップ導体層にノイズ信号
が発生しにくくなり、導通試験の誤判定を防止すること
ができるのである。また、0.025c/cm2 ・hr
以下であれば、半導体ウエハに静電電気が発生しにく
く、パーティクルの吸着量も少なくすることができる。
では、セラミック基板の表面にチャックトップ導体層が
形成されてなる。チャックトップ導体層上にウエハを載
置し、テスタピンを持つプローブカードを押し当てて導
通して検査を行うのである。チャックトップ導体層上に
は貴金属層が形成されており、貴金属層は、ウエハの裏
面との電気的導通を阻害することなく、チャックトップ
導体層中のホウ素やリン、セラミック中のイットリア、
ナトリウムなどの拡散を防止できる。貴金属としては、
金、銀、白金、パラジウムから選ばれる少なくとも1種
以上が望ましい。
では、剛性の高いセラミック基板を使用しているため、
プローブカードのテスタピンによりチャックトップが押
されてもチャックトップが反ることがなく、チャックト
ップの厚さを金属に比べて小さくすることができる。
て小さくすることができるため、熱伝導率が金属より低
いセラミックであっても結果的に熱容量が小さくなり、
昇温、降温特性を改善することができる。
10μmが望ましい。1μm未満では抵抗値が高くなり
すぎて電極としての作用を奏さず、10μmを越えると
導体の持つ応力によって剥離しやすくなってしまうから
である。
ン、クロム、ニッケル、貴金属(金、銀、白金等)、タ
ングステン、モリブデンなどの高融点金属から選ばれる
少なくとも1種以上の金属を使用することができる。
を含むことが望ましい。硬度が高く、テスタピンの押圧
に対しても変形等しにくいからである。
プでは、ガード電極とグランド電極が埋設されているこ
とが望ましい。ガード電極は、測定回路内に介在するス
トレイキャパシタをキャンセルするための電極であり、
測定回路(即ちチャックトップ導体層)の接地電位が与
えられている。また、グランド電極は、温度制御手段か
らのノイズをキャンセルするために設けられている。
のチャックトップ導体層形成面には溝と空気の吸引孔が
形成されてなることが望ましい。ウエハを載置して吸引
孔から空気を吸引してウエハWを吸着させることができ
るからである。本発明の半導体製造・検査装置は、15
0〜900℃で使用することができる。
e2 O3 に、0.5重量%の塩酸を含む10重量%のチ
タニウムイソプロポキシドのエチルアルコール水溶液を
含浸させ、25℃で24時間放置して加水分解させて
U、Th吸着剤を得た。
10%水酸化ナトリウム水溶液とテフロン容器に入れ、
これをオートクレーブ中で190℃、5時間処理して赤
泥とろ別し、アルミン酸ソーダ水溶液を得た。
塩酸でpH=12に調整し、吸着剤を分散させて50℃
で0.5時間振動放置させた。また、同様にして1時
間、2時間、3時間、4時間、5時間、6時間振動放置
したものを調製し、計7種類の液を得た。
でpH=8.5に調整し、水酸化アルミニウムの沈澱を
析出沈澱させて、蒸留水で洗浄して80℃で5時間乾燥
させた。さらに空気中で1000℃にて焼成させてアル
ミナとした。
00重量部と353重量部のグラファイトを混合させて
窒素気流中で1950℃、5時間反応させ、その後未反
応のCを350℃で酸化除去して窒化アルミニウムとし
た。
で砕いて風力分級機で分級し、平均粒子径1.1μmと
した。振動放置を6時間行った粉末をA、5時間行った
ものをB、4時間のものをC、3時間のものをD、2.
5時間ものをE、2時間のものをF、1時間のものを
G、0.5時間のものをHとした。各粉末とUおよびT
hの含有量とを下記の表1に示す。なお、測定はICP
−MS法による。
製造 (1) 前述の平均粒径1.1μmの窒化アルミニウム粉末
A〜Gのもの100重量部、イットリア(平均粒径:
0.4μm)4重量部、アクリルバインダ12重量部お
よびアルコールからなる組成物のスプレードライを行
い、顆粒状の粉末を作製した。
れ、平板状に成形して生成形体(グリーン)を得た。こ
の生成形体にドリル加工を施し、半導体ウエハの支持ピ
ンを挿入する貫通孔となる部分、熱電対を埋め込むため
の有底孔となる部分(直径:1.1mm、深さ:2m
m)を形成した。
℃、圧力:200kg/cm2 でホットプレスし、厚さ
が3mmの窒化アルミニウム板状体を得た。次に、この
板状体から直径210mmの円板体を切り出し、セラミ
ック製の板状体(ヒータ板)とした。
ン印刷にて導体ペーストを印刷した。印刷パターンは、
図1に示したような同心円状のパターンとした。導体ペ
ーストとしては、プリント配線板のスルーホール形成に
使用されている徳力化学研究所製のソルベストPS60
3Dを使用した。この導体ペーストは、銀−鉛ペースト
であり、銀100重量部に対して、酸化鉛(5重量
%)、酸化亜鉛(55重量%)、シリカ(10重量
%)、酸化ホウ素(25重量%)およびアルミナ(5重
量%)からなる金属酸化物を7.5重量部含むものであ
った。また、銀粒子は、平均粒径が4.5μmで、リン
片状のものであった。
板を780℃で加熱、焼成して、導体ペースト中の銀、
鉛を焼結させるとともにヒータ板11に焼き付け、抵抗
発熱体12を形成した。銀−鉛の抵抗発熱体は、厚さが
5μm、幅2.4mm、面積抵抗率が7.7mΩ/□で
あった。
ナトリウム24g/l、酢酸ナトリウム12g/l、ほ
う酸8g/l、塩化アンモニウム6g/lの濃度の水溶
液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記(5) で作製し
たヒータ板11を浸漬し、銀−鉛の抵抗発熱体12の表
面に厚さ1μmの金属被覆層(ニッケル層)を析出させ
た。
取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀−鉛半田
ペースト(田中貴金属製)を印刷して半田層を形成し
た。ついで、半田層の上にコバール製の外部端子を載置
して、420℃で加熱リフローし、外部端子を抵抗発熱
体の表面に取り付けた。
u−18.3Niの金ローで接続し、(1030℃で加
熱して融着)、セラミックヒータを得た。
チャックの製造 (1) 前述の窒化アルミニウム粉末A〜Gのもの100重
量部、イットリア(平均粒径:0.4μm)4重量部、
アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部
および1−ブタノールとエタノールとからなるアルコー
ル53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレ
ード法による成形を行って、厚さ0.47mmのグリー
ンシートを得た。
5時間乾燥させた後、パンチングにより直径1.8m
m、3.0mm、5.0mmの半導体ウエハ支持ピンを
挿入する貫通孔15となる部分、外部端子と接続するた
めのスルーホール18となる部分を設けた。
バイト粒子100重量部、アクリル系バインダ3.0重
量部、α−テルピオーネ溶媒3.5重量部および分散剤
0.3重量部を混合して導体ペーストAを調製した。
0重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α−テル
ピオーネ溶媒3.7重量部および分散剤0.2重量部を
混合して導体ペーストBを調製した。この導電性ペース
トAをグリーンシートにスクリーン印刷で印刷し、導体
ペースト層を形成した。印刷パターンは、図1に示した
ような同心円パターンとした。また、他のグリーンシー
トに図3に示した形状の静電電極パターンからなる導体
ペースト層を形成した。
ホール用の貫通孔に導体ペーストBを充填した。上記処
理の終わったグリーンシートに、さらに、タングステン
ペーストを印刷しないグリーンシートを上側(加熱面)
に37枚、下側に13枚、130℃、80kg/cm2
の圧力で積層した。
600℃で5時間脱脂し、1890℃、圧力150kg
/cm2 で3時間ホットプレスし、厚さ3mmの窒化ア
ルミニウム板状体を得た。これを230mmの円板状に
切り出し、内部に厚さ6μm、幅10mmの抵抗発熱体
および静電電極を有するセラミック製の板状体とした。
ヤモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ガラスビ
ーズによるブラスト処理で表面に熱電対のための有底孔
(直径:1.2mm、深さ:2.0mm)を設けた。
部をえぐり取って凹部とし、この凹部にNi−Auから
なる金ろうを用い、700℃で加熱リフローしてコバー
ル製の外部端子を接続させた。なお、外部端子の接続
は、タングステンの支持体が3点で支持する構造が望ま
しい。接続信頼性を確保することができるからである。
を有底孔に埋め込み、静電チャック付きセラミックヒー
タの製造を完了した。なお、誘電体膜の厚さは、100
0μmとした。
粒径1.1μm)100重量部、イットリア(酸化イッ
トリウムのこと 平均粒径0.4μm)4重量部、アク
リルバイダー11.5重量部、分散剤0.5重量部およ
び1−ブタノールおよびエタノールからなるアルコール
53重量%を混合した組成物を、ドクターブレードで形
成して厚さ0.47mmのグリーンシート30を得た。
燥させた後、パンチングにて抵抗発熱体と外部端子ピン
と接続するためのスルーホール用の孔を設けた。(3)
平均粒子径1μmのタングステンカーバイド粒子100
重量部、アクリル系バインダ3.0重量部、α−テルピ
オーネ溶媒を3.5重量、分散剤0.3重量部を混合し
て導電性ペーストAとした。
子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α
−テルピオーネ溶媒を3.7重量、分散剤0.2重量部
を混合して導電性ペーストBとした。この導電性ペース
トAをグリーンシート30にスクリーン印刷でガード電
極用印刷体、グランド電極用印刷体を格子状に印刷して
電極パターンを描いて印刷した。
ーホール用の孔に導電性ペーストBを充填した。さら
に、印刷されたグリーンシート30および印刷がされて
いないグリーンシート30を50枚積層して130℃、
80kg/cm2 の圧力で一体化した(図4(a))。
時間脱脂し、1890℃、圧力150kg/cm2 で3
時間ホットプレスし、厚さ3mmの窒化アルミニウム板
状体を得た。これを直径230mmの円状に切り出して
セラミック基板3とした(図4(b))。スルーホール
36、37の大きさは直径0.2mm、深さ0.2mm
であった。 また、ガード電極5、グランド電極6の厚
さは10μm、ガード電極5の形成位置は、抵抗発熱体
41から1mm、グランド電極6の形成位置は、溝形成
面から1.2mmであった。
を、ダイアモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、
SiC等によるブラスト処理で表面に熱電対のための凹
部(図示せず)およびウエハ吸着用の溝7(幅0.5m
m、深さ0.5mm)を設けた(図4(c))。
発熱体を印刷する。印刷は導電ペーストを用いた。導電
ペーストは、プリント配線板のスルーホール形成に使用
されている徳力化学研究所製のソルベストPS603D
を使用した。この導電ペーストは、銀/鉛ペーストであ
り、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、アルミナ
からなるを金属酸化物(それぞれの重量比率は、5/5
5/10/25/5)を銀の量に対して7.5重量%含
むものである。また、銀の形状は平均粒径4.5μmで
リン片状のものである。
基板3を780℃で加熱焼成して、導電ペースト中の
銀、鉛を焼結させるとともにセラミック基板3に焼き付
け、抵抗発熱体41を形成した。さらに硫酸ニッケル3
0g/l、ほう酸30g/l、塩化アンモニウム30g
/l、ロッシェル塩60g/lの濃度の水溶液からなる
無電解ニッケルめっき浴にセラミック板を浸漬して、銀
の焼結体の表面に厚さ1μm、ホウ素の含有量が1重量
%以下のニッケル層410を析出させた。さらに120
℃で3時間アニーリングした。抵抗発熱体41のパター
ンは、厚さが5μm、幅2.4mmであり、面積抵抗率
が7.7mΩ/□であった(図4(d))。
グにてチタン、モリブデン、ニッケル層を形成した。ス
パッタリングのための装置は、日本真空技術株式会社製
のSV−4540を使用した。条件は気圧0.6Pa、
温度100℃、電力200Wで時間は、30秒から1分
で、各金属によって調整した。得られた膜は、蛍光X線
分析計の画像からチタンは0.3μm、モリブデンは2
μm、ニッケルは1μmであった。
0g/l、塩化アンモニウム30g/l、ロッシェル塩
60g/lの濃度の水溶液からなる無電解ニッケルめっ
き浴に(8)で得られたセラミック板を浸漬して、溝7
の表面に厚さ7μm、ホウ素の含有量が1重量%以下の
ニッケル層を析出させ、120℃で3時間アニーリング
した。さらに、さらに、表面にシアン化金カリウム2g
/l、塩化アンモニウム75g/l、クエン酸ナトリウム
50g/l、次亜リン酸ナトリウム10g/lからなる無電
解金めっき液に93℃の条件で1分間浸漬して、ニッケ
ルめっき層上に厚さ1mの金めっき層を形成し、チャッ
クトップ導体層2とした(図5(e))。
8をドリル加工し、さらにスルーホールを露出させるた
めの袋孔38を設けた(図5(f))。この袋孔38に
Ni−Au合金(Au81.5、Ni18.4、不純物
0.1)からなる金ろうを用い、970℃で加熱リフロ
ーしてコバール製の外部端子ピン39、390を接続さ
せた(図5(g))。
0)に半田(スズ9/鉛1)を介してコバール製の外部
端子ピン391を接続、固定した。(11)温度制御の
ための複数熱電対を凹部に埋め込み、ヒータを備えたウ
エハプローバ用チャックトップを得た。
製造 (1) 平均粒径1.1μmの窒化アルミニウム粉末Hを用
いたほかは、実施例1と同様にしてセラミックヒータを
製造した。
部に有するセラミックヒータの製造 (1) 平均粒径1.1μmの窒化アルミニウム粉末Hを用
いたほかは、実施例2と同様にして静電チャック用静電
電極を内部に有するセラミックヒータを製造した。
いたほかは、実施例3と同様にしてウエハプローバ用チ
ャックトップを得た。
られたセラミックヒータ、静電チャック、ウエハプロー
バ用チャックトップについて、放射されるα線量を測定
した。また、これらのセラミックヒータ、ウエハプロー
バ用チャックトップ上に半導体ウエハを載置し、ヒータ
の誤動作の有無、静電チャック力、パーティクルの付着
数を調べた。結果を表2に示す。α線量の測定条件は、
以下の通りである。
M 印加電圧 1.9kV 計数ガス PR−10ガス(Ar90%、メタン10
%) 試料面積 387cm2 全計数時間 99時間 係数効率 80% 誤差範囲 ±0.003c/cm2 ・hr
ら、昇温プロフィールをグラフ化し、著しく昇温プロフ
ィールから外れたデータがあるか否かで判断した。また
静電チャック力は、ロードセルにより測定した。さら
に、ウエハプローバ用チャックトップの誤動作の有無
は、従来から既に市販されている金属製のチャックトッ
プ板を持つウエハプローバ用チャックトップで100枚
の良品と判断されたシリコンウエハの導通試験を実施し
て、1枚でも不良と判定する場合があるか否かで判断し
た。
の測定は、以下のようにして行った。即ち、セラミック
基板上にシリコンウエハを載置し、ヒータを300℃で
使用した後、ウエハの鏡面(Ra=0.3μm)に付着
している粒径0.2μm以上のパーティクルの数を電子
顕微鏡で測定した。具体的には、加熱試験が終了した5
枚のシリコンウエハを用意し、1枚のシリコンウエハに
ついて、任意の10箇所を電子顕微鏡で撮影し、0.2
μm以上のパーティクルの個数をカウントし、そのカウ
ント数と撮影した写真の視野面積から1cm2 あたりの
パーティクル数を計算した。
のセラミックヒータの場合は、α線量(cm2 ・hr)
が0.001から0.240c/cm2 ・hrの場合で
誤動作がなかった。しかしながら、0.260c/cm
2 ・hrを超えると誤動作が現れた。
(cm2 ・hr)が0.001から0.240c/cm
2 ・hrの場合で120g/cm2 前後のチャック力が
得られた。
プの場合は、α線量(cm2 ・hr)が0.001から
0.240c/cm2 ・hrの場合で誤動作がなかっ
た。これらのしきい値が生じる理由は明確ではないが、
いずれもα線によりシリコンウエハに電子、正孔の対が
発生し、これが一定以上になると電荷量が多くなって静
電気を発生させるのではないかと推定している。
1から0.048c/cm2 ・hrまでの間では、概ね
パーティクルの数が、7〜9個/cm2 であるのに対し
て、0.048c/cm2 ・hr〜0.240c/cm
2 ・hrでは、パーティクルの数が、20〜30個/c
m2 である。さらに0.260c/cm2 ・hrでは1
20個/cm2 以上である。静電チャックとウエハプロ
ーバ用チャックトップについては パーティクル数を測
定していない。静電チャックの場合は、電極で発生する
静電気によるものか、α線起因ものか判別できないから
である。また、ウエハプローバ用チャックトップの場合
は、シリコンウエハとセラミック基板が直接接触しない
ため、パーティクルが殆ど付着しないからである。
・検査装置用セラミックヒータ、静電チャック、ウエハ
プローバ用チャックトップによれば、放射されるα線量
が少なく、ヒータ、ウエハプローバ用チャックトップ等
の誤動作やチャック力低下を防止することができ、ま
た、また、半導体ウエハに付着するパーティクル数を少
なくすることにより、半導体ウエハの配線欠陥を無くす
ことができる。
す底面図である。
に示す断面図である。
した縦断面であり、(b)は、(a)に示した静電チャ
ックのA−A線断面図である。
チャックトップの製造工程の一部を示す断面図である。
チャックトップの製造工程の一部を示す断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 セラミック基板の表面または内部に発熱
体を設けてなる半導体ウエハを加熱するためのセラミッ
クヒータであって、 前記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、
0.250c/cm2 ・hr以下であることを特徴とす
る半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。 - 【請求項2】 セラミック基板の内部に電極が埋設さ
れ、前記セラミック基板の一主面に半導体ウエハを吸着
するように構成された静電チャックであって、 前記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、
0.250c/cm2 ・hr以下であることを特徴とす
る半導体製造・検査装置用静電チャック。 - 【請求項3】 セラミック基板の表面にチャックトップ
導体層が形成されてなるウエハプローバ用チャックトッ
プであって、 前記セラミック基板の表面から放射されるα線量が、
0.250c/cm2 ・hr以下であることを特徴とす
るウエハプローバ用チャックトップ。
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