JP4648408B2 - ナノ加工のためのチャッキング・システム - Google Patents

ナノ加工のためのチャッキング・システム Download PDF

Info

Publication number
JP4648408B2
JP4648408B2 JP2007553121A JP2007553121A JP4648408B2 JP 4648408 B2 JP4648408 B2 JP 4648408B2 JP 2007553121 A JP2007553121 A JP 2007553121A JP 2007553121 A JP2007553121 A JP 2007553121A JP 4648408 B2 JP4648408 B2 JP 4648408B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
template
separation
force
chamber
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007553121A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008529826A (ja
JP2008529826A5 (ja
Inventor
チェララ,アンシュマン
チョイ,ビュン・ジン
バブス,ダニエル・エイ
Original Assignee
モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to US11/047,428 priority Critical patent/US7798801B2/en
Priority to US11/047,499 priority patent/US7636999B2/en
Priority to US11/108,208 priority patent/US7635445B2/en
Application filed by モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド filed Critical モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド
Priority to PCT/US2006/001145 priority patent/WO2006083518A2/en
Publication of JP2008529826A publication Critical patent/JP2008529826A/ja
Publication of JP2008529826A5 publication Critical patent/JP2008529826A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4648408B2 publication Critical patent/JP4648408B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49764Method of mechanical manufacture with testing or indicating
    • Y10T29/49778Method of mechanical manufacture with testing or indicating with aligning, guiding, or instruction
    • Y10T29/4978Assisting assembly or disassembly
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49998Work holding

Description

(連邦政府による資金提供を受けた研究開発の記載)
米国政府が本発明の一括払いライセンス、および米国国防総省国防高等研究事業局(DARPA)によって与えられるN66001−01−1−8964とN66001−02−C−8011の条件で提供されるような妥当な条件で他者にライセンスを与えるように特許所有者に要求する権利を限られた状況の中で有する。

本発明の分野は概して構造体のナノ加工に関する。さらに特定すると、本発明はインプリント・リソグラフィステップにおいて基板上に配置された固化層からテンプレートを容易に分離できるチャッキング・システムに向けられる。ナノ加工は極めて小さい構造体、例えばナノメートル以下のオーダーの外観を有する構造体の加工を含む。ナノ加工が大きな影響を与えた1つの分野は集積回路の処理にある。半導体処理工業は基板上の単位面積当たりの回路を増やす一方で、さらに大きな生産収率を得るために努力を続けているため、ナノ加工はますます重要になる。ナノ加工は形成される構造体の最小外観寸法のさらなる削減を可能にする一方で、さらに大きな処理制御を提供する。ナノ加工が使用されてきた他の開発の分野はバイオテクノロジー、光技術、機械系などを含む。

ナノ加工技術の一例は一般的にインプリント・リソグラフィと称される。例となるインプリント・リソグラフィは米国特許出願公開第10/264960号として出願された「Method and a Mold to Arrange Features on aSubstrate to Replicate Features having Minimal Dimensional Variability」という表題の米国公開特許出願番号2004/0065976、米国特許出願公開第10/264926号として出願された「Method of Forming a Layer on a Substrate to Facilitate Fabrication of Metrology Standards」という表題の米国公開特許出願番号2004/0065252、米国特許出願公開第10/235314号として出願された「Functional Patterning Material for Imprint Lithography Processes」という表題の米国公開特許出願番号2004/0046271などの多くの公報に詳しく述べられており、これらのすべては本発明の譲受人に譲渡される。

前述の米国公開特許出願の各々に開示された基本的なインプリント・リソグラフィ技術は重合可能な層の中へのレリーフ・パターンの形成と、その下側の基板へのレリーフ・パターンに対応するパターンの転写を含む。この目的のために、基板から間隔を置いてテンプレートが使用され、成形可能な液体がテンプレートと基板の間に存在する。この液体が固化させられて固化層を形成する。固化層は、その液体と接触しているテンプレートの面の形状に一致する記録されたパターンを有する。このテンプレートが固化層から分離され、それにより、テンプレートと基板が隔てられる。次いで基板と固化層は、固化層内のパターンに対応するレリーフの像を基板内に転写するための処理を受ける。

固化層からテンプレートを分離させる改善された方法を提供することが望ましい。

本発明は、とりわけ、内部に形成された貫通路を有し、ピンが延びる面を有する本体、およびピンとランドの間にチャネルを区画する複数の突起を取り囲むランドを含むチャッキング・システムに向けられる。さらなる実施態様では、本体が複数の突起を有する。このチャッキング・システムの構造によってチャッキング力を変えることができる。本発明はテンプレート内に含まれるモールドを基板上に配置された固化層から分離させる方法に向けられる。この方法はとりわけ、層からテンプレートを分離させるためにテンプレートに分離強制力を印加するステップと、分離を達成するために必要とされる分離強制力を小さくするために基板内の局所的変形を促すステップを含む。分離強制力を小さくすることによって、記録された層への損傷が最小限にされる。本チャッキング・システムは必要とされる分離強制力を小さくし、結果として分離時の記録された層への損傷の最小化につながる。これらの実施形態その他は以下でさらに十分に述べられる。

図1を参照すると、テンプレート10がインプリンティング層12と接触して示されている。通常では、テンプレート10は石英ガラスで構成されおり、インプリンティング層12は当該技術で知られているいずれの材料から形成されてもよい。インプリンティング材料12に関して例となる組成は、2003年1月24日に提出され、本願明細書に参照で組入れる「Materials and Methods for Imprint Lithography」という表題の米国特許出願公開第10/763885号明細書に開示されている。インプリンティング層12は基板14上に配置されてもよく、基板14は付随する厚さ「t」を有する。基板14はシリコン、石英ガラス、金属、または集積回路の製造に通常関連する化合物材料を含めた事実上いずれの材料で形成されてもよい。テンプレート10はその上に配置された複数の特徴構造を有する面16を含み、これら複数の特徴構造は複数の凸部18と凹部20を含む。複数の凸部18と凹部20はインプリンティング層12へ転写されるべきパターンを形成し、レリーフの像を形成する。より具体的には、インプリンティング層12の材料が複数の凹部20内に進入してこれを充填することでテンプレート10の面16全域にわたって隣接する構造を備えたインプリンティング層12を形成するようにテンプレート10がインプリンティング層12に接触する。通常ではテンプレート10とインプリンティング層12を取り巻く雰囲気はヘリウムで満たされている。テンプレート10はインプリント・ヘッド11に接続されている。インプリント・ヘッド11はX、Y、および/またはZ軸に沿って動くように構成され、それにより、Z軸に沿って基板14から離れる方向にテンプレート10を移動させて分離強制力FSを発生させる。この目的のために、基板14は通常ではZ軸に対して定位置に留まり、その一方でインプリント・ヘッド11が移動させられる。

インプリンティング層12は、化学線作用成分に晒されると重合され、架橋させられて固化物質を形成するように光電性材料から形成される。この化学線作用成分は紫外波長、熱エネルギー、電磁エネルギー、可視光などを含む。使用されるこの化学線作用成分は当業者によく知られており、通常ではインプリンティング層12が形成される材料によって決まる。

インプリンティング層12の固化は、テンプレート10がこれと接触し、インプリンティング層12が複数の凹部20を充填した後に起こる。その後、テンプレート10がインプリンティング層12から分離される。この方式で、テンプレート10のパターンに対応するパターンでレリーフの像がインプリンティング層12へと記録される。

固化インプリンティング層12からのテンプレート10の分離はテンプレート10への力FSの適用によって行われる。分離強制力FSはテンプレート10とインプリンティング層12の間の接着力、および曲げ(変形)に対する基板14の抵抗に打ち勝つのに十分な大きさである。基板14の一部の変形は固化インプリンティング層12からのテンプレート10の分離を促すと考えられる。いずれかのよく知られている曲げ力FC、例えば電磁力、磁力、真空力などを使用した分離の際にウェハ・チャック22が基板14を保持する。結果として、分離強制力FSの方向は通常では曲げ力FCの方向と反対である。通常、ウェハ・チャック22はX、Y、および/またはZ軸に沿って移動する試料台23によって支えられる。一例のインプリント・リソグラフィ・システムは商品名IMPRIO(商標)100で販売されており、Molecular Imprints,Inc.,Austin,Texasから入手可能である。

図1に示されるように、基板14の曲げ(変形)の程度は加えられる分離強制力FSの関数であり、通常では、基板14が距離dでウェハ・チャック22から隙間を開けられる曲げ領域24の形成に結果としてつながる。曲げ領域24は通常ではテンプレート10と接触したインプリンティング層12の領域の付近に生成され、処理領域と称される。

しかしながら、テンプレート10と固化インプリンティング層12の分離を行うために必要な分離強制力FSの大きさを最小にすることが望ましい。例えば、分離強制力FSの大きさの最小化は、テンプレート10と基板14が適切に位置合わせされることを可能にし、同様にテンプレートのパターン面積対全テンプレート面積の増大した比を可能にするように位置合わせ工程を容易にする。付け加えると、テンプレート10と固化インプリンティング層12の分離を行うために必要な分離強制力FSの最小化はテンプレート10、基板14、固化インプリンティング材料12から成る構造の変化が起こるのを小さくする。

さらに、基板14の変形は曲げ領域24内にポテンシャル・エネルギーを生成し、これは固化インプリンティング層12からテンプレート10の分離の際の運動エネルギーへ変換される。特に、固化インプリンティング層12からのテンプレート10の分離の後、基板14への分離強制力FSはゼロに近くなる。曲げ力FCと、基板14が形成される材料の弾性は、曲げ領域24がチャック22に向かって加速させる原因となり、それにより、曲げ領域24は通常ではウェハ・チャック22と衝突する。ウェハ・チャック22と曲げ領域24の衝突は基板14とその上に形成される固化インプリンティング層12の構造的完全性を危うくする有害な影響を有する。これは、中でも基板14とテンプレート10の間の位置合わせに問題を生じさせる。

図2を参照すると、本発明は固化インプリンティング層12からテンプレート10の分離に付随する前述の有害な影響をたとえ阻止しないとしても少なくする。これは、基板14、テンプレート10、固化インプリンティング層12に関してテンプレート10と固化インプリンティング層12の間の分離を達成するために必要な分離強制力FSの大きさを小さくすることによって達成される。この目的のために、ウェハ・チャック122は特に分離の際に基板14が受ける曲げ(変形)の程度を制御するように構成される。ウェハ・チャック122は複数の独立して生成される力F1とF2から曲げ力FCを生成する。これは基板14全域にわたって方向と大きさで変わることが可能な曲げ力を与える。例えば、可変の力F2の大きさがチャッキング力F1より大幅に小さいことが可能である。結果として、テンプレート10が分離強制力Fsを受けるとチャッキング力F1は基板14の非曲げ領域26に関連し、可変の力F2は基板14の曲げ領域24に関連する。

対の方向に沿っている。分離強制力FSは図1に関連して上記で検討されたように、テンプレートが接続されるインプリンティング・ヘッド11の移動によって生成される。付け加えると、図2に示されるウェハ・チャック122は図1に関連して上記で検討されたように試料台23によって支えられている。しかしながら、テンプレート10の位置をZ軸に対して固定して保ち、試料台23を使用して基板14をZ軸に沿ってテンプレート10から離れる方向に移動させることによって分離強制力FSが生成されてもよいことは留意されるべきである。場合によっては、分離強制力FSはZ軸に沿って反対方向に移動するテンプレート10と基板14の組合せから結果として生じてもよい。しかしながらこの検討の目的に関すると、本発明は基板がX軸に対して固定して保持される一方、テンプレート10がZ軸に沿って基板14から離れる方向に移動するように動くインプリント・ヘッド11に関して検討される。

分離強制力FSを受けるときに曲げ領域24の外側の基板の部分がウェハ・チャック122上に保持される限り、力F1とF2の大きさが事実上いずれの望ましい値を有してもよいことは留意されるべきである。例えば、可変の力F2はゼロに近い大きさを有することもある。チャッキング力F1の大きさより大幅に小さい可変の力F2の大きさの結果として、固化インプリンティング層12からテンプレート10を分離させるために必要とされる分離強制力FSの大きさを小さくすることができる。より具体的には、可変の力F2の大きさは、分離強制力FSに応答してテンプレート10と重なった基板14の部分の曲げ(変形)を促す。

図3を参照すると、場合によっては、曲げ力FCは可変の力F2の方向がチャッキング力F1の方向と反対になって分離強制力FSの方向と釣り合うことが可能になるように基板14全域にわたって変えられることもある。可変の力F2の大きさはチャッキング力F1の大きさと同じ、またはこれより大きい、または小さいこともある。この方式では、基板14の局所的変形は、曲げ領域24をウェハ・チャック122から離れる方向に押す可変の力F2によって促される。これは分離強制力FSの存在と無関係であってもなくてもよい。

上述のように、この例ではチャッキング力F1は分離強制力FSを受けるときに基板14をウェハ・チャック122上に保持するように機能する。可変の力F2の方向が分離強制力FSの方向と実質的に同じである結果として、固化インプリンティング層12からテンプレート10を分離させるために必要とされる分離強制力FSの大きさを小さくできる。

さらに、可変の力F2が分離強制力FSの方向と実質的に同じ方向にある結果として、可変の力F2は、たとえ衝突を回避しないとしてもテンプレート10と曲げ領域24の衝撃を減少させることが可能である。より具体的には、第2の可変の力F2は固化インプリンティング層12からのテンプレート10の分離の後に、ウェハ・チャック122に向かって伝播するときの曲げ領域24の速度、したがって運動エネルギーを下げる。この方式で、曲げ領域24はその構造的完全性を危うくすることなく、ウェハ・チャック122に対して静止状態に入る。

固化インプリンティング層12からのテンプレート10の分離の後に、可変の力F2の大きさと方向が変えられることもある。例えば、チャッキング力F1と同じ大きさと方向を有するように可変の力F2が供給されることがある。さらに、可変の力F2の大きさと方向の変化は、チャッキング力F1と反対の方向を有する可変の力F2の大きさがゼロに近づくように期間中に直線的に変わることもある。ゼロに到達すると可変の力F2は方向を変え、チャッキング力F1の大きさと方向と釣り合うように徐々に大きくされる。結果として、基板14は可変の力F2の傾きを受け、この傾きは曲げ領域24を徐々に減速させ、ウェハ・チャック122に基板14を定位置で固定するように徐々に増大する。したがって、ウェハ・チャック122との衝撃の力を最小にしながらウェハ・チャック122との接触、すなわち衝突に応答した基板14の急激な減速を回避することが可能となる。

固化インプリンティング層12からのテンプレート10の分離の前では、可変の力F2の方向は図2に関連して上記で述べられたように分離強制力FSの方向と実質的に反対であることもある。しかしながら、固化インプリンティング層12からテンプレート10を分離させると、可変の力F2の方向は図3に関連して上記で述べられたように分離強制力FSの方向と実質的に同じである。

図1および4を参照すると、インプリンティング層12からのテンプレート10をさらに分離しやすくするためにテンプレート10が屈曲力FBを受けることもある。より具体的には、屈曲力FBはテンプレート10の中央領域28に沿って、および図1に示されるような分離強制力FSの方向と反対の方向に沿って加えられる。屈曲力FBは上記で検討されたような曲げ力FCの大きさと方向の変更と併せて、または無関係に加えられることがある。この目的のために、テンプレート10は、2004年11月30日に提出され、本特許出願の譲受人に譲渡され、発明者としてCheralaらで識別され、本願明細書に参照で組入れられる米国特許出願公開第10/999898号明細書に開示されるようにテンプレートチャックに取り付けられてもよい。

このテンプレートチャックは中央に設けられた貫通路33を有する本体31を含み、貫通路の一方の側は石英ガラス・プレート35とガスケット36によって密閉される。貫通路33を取り巻いているものは凹部37とガスケット38である。本体31上にテンプレート10を適切に位置決めして貫通路33を密閉することでチャンバを形成し、同様に凹部を密閉することで中央に位置するチャンバを取り巻く第2のチャンバを形成する。中央に位置するチャンバと第2のチャンバは各々、望ましい加圧用の向かい合った通路40、41をそれぞれ設けられる。第2のチャンバを排気して中央のチャンバを加圧することによって、本体31から取り外すことなくテンプレート10に屈曲力FBが加えられる。

図1、5、6を参照すると、基板14全域にわたって曲げ力FCの大きさと方向を変えるために前述のウェハ・チャック122を使用できる。さらに、以下の実施形態がステップ・アンド・リピート処理で使用されることが可能であり、一例となるステップ・アンド・リピート処理は、本発明の譲受人に譲渡され、本願明細書に参照で組入れられ、米国特許出願公開第10/194414号として出願された米国公開特許出願番号2004/0008334に開示されている。

この目的のために、ウェハ・チャック122は複数の個別真空区画30A〜30Zを設けるように構成されている。本発明の目的に関すると、複数の個別真空区画30A〜30Zの各々は共通した大きさと方向の1つまたは複数のチャッキング力を供給するように区画され、例えば、個別真空区画30A〜30Zまたは複数のチャッキング力のうちの1つに関連する1つの曲げ力FCが存在してもよく、これらの各々は方向と大きさで実質的に同じである。真空区画30A〜30Zの数、サイズ、形状はいくつかの要因に応じて変わってもよい。付け加えると、複数の真空区画30A〜30Zのうちのいずれか1つのサイズと形状が複数の真空区画30A〜30Zのうちの残りの真空区画と異なっていてもよい。例えば、1つまたは複数の真空区画のサイズおよび/または形状が領域24のサイズおよび/または形状と釣り合っていてもよい。結果として、複数の真空区画30A〜30Zの各々は図示された正方形などの多角形の形状、ならびに図6に130で示された円の形状または230で示された環状の形状を含めたいくつかの形状のうちの1つを与えられることが可能である。付け加えると、真空区画は図7に示された不規則な形状のうちの1つまたは複数を含むこともある。

図5〜7を参照すると、共通のウェハ・チャック122上に区画された複数の真空区画の各々が共通の形状とサイズを有することは可能であるが、これは必要条件ではない。したがって、ウェハ・チャック222は六角形の真空区画430、長方形の真空区画530、円形の真空区画130、環状の真空区画230に加えて不規則な真空区画330を区画することもある。

図2、5、7、8を参照すると、複数の真空区画30A〜30Zの各々は、異なるチャッキング力が複数の真空区画30A〜30Zに関連するように個別に対処されてもよい。この方式で、所望のチャッキング力、例えばF1および/またはF2の場所が極めて正確に確定される。しかしながら、基板14が基板14の全領域を横切って延びる軸に沿って存在するように複数の真空区画30A〜30Zに関連する曲げ力FCを変えることが望ましい。この目的のために、前記複数の真空区画30A〜30Zの隣り合う横列が曲げ力の差分ΔFCを決める。例えば、真空区画30D、30I、30O、30U、30Z、30J、30P、30Vが可変の力F2を生成し、これが残りの真空区画30A、30B、30C、30E、30F、30G、30H、30K、30L、30M、30N、30Q、30R、30S、30T、30W、30X、30Yによって生成されるチャッキング力F1より小さいこともある。これは基板14が軸Aの周りで曲がることを可能にし、これは真空区画30D、30I、30O、30U、30Zから成る第1の横列と真空区画30C、30H、30N、30T、30Yから成る第2の横列の間の力の差分ΔFCによって促される。

図9、10を参照すると、ウェハ・チャック122および/または222に前述の真空特性を与えるためにウェハ・チャック122、222は、間隔を開けられてそれらの間に複数のチャネル36を区画する複数のピン32、33を備えたステンレス鋼またはアルミニウムから一体で形成される。円形の断面を有して図示されているが、複数のピン32、33の各々は多角形の形状を含めた事実上どのような所望の断面形状を有することも可能であり、通常では3ミリメートルのピッチを有する。複数のピンのうちの1つまたは複数が中空であり、図11に示されるように通路35から延びて基板14に面するオープニングで終結する貫通路34を形成している。これらは、重なり合う基板14の部分の屈曲を防止するために約2ミリメートルの直径を有する貫通路を備えたピン32で示されている。

ピン32の各々は共有通路35と流体連絡して示されているが、これは必要条件ではない。そうではなく、複数のピン32の各々にある貫通路34は単位時間当たりにこれを通過する流体の量と方向が残りのピン32に関連する貫通路34を通る流体流量と無関係になるように個別に対処されてもよい。これは残りのピン32と流体連絡している通路とは異なる通路と流体連絡している1つまたは複数のピン32を置くことによって達成される。さらなる実施形態では、貫通路34は階段式構造を含むこともある。複数のピン34は基板14が置かれているランド37によって取り囲まれてもよい。チャネル36は通常、開口40を介して共有通路39と流体連絡している。

図10および11を参照すると、基板14はチャネル36および/または貫通路34を通る流体流によって生成される曲げ力FCによってウェハ・チャック122上に保持される。この目的のために、通路35が圧力制御システム41と流体連絡しており、通路39が圧力制御システム43と流体連絡している。両方の圧力制御システム41、43がこれらとデータ通信しているプロセッサ45の制御下で運転される。この目的のために、プロセッサは図2〜11に関連して述べられた流体流を実行するためにプロセッサによって動作されるコンピュータ読み取り可能な符号を含んでいる。ウェハ・チャック122上に配置されると、ウェハ・チャック122に面した基板14の一方の面はピン32、33に相対して載せられる。曲げ力FCの存在下、および分離強制力FSの不在下では、基板14に面する貫通路34の端部はピン32、33に面して載せられた面47によって実質的に密閉されている。面47による密閉の結果として貫通路34とチャネル36の間で流体は流れない。

分離強制力FSが加わると、固化インプリンティング層12と重なっている面47の部分はピン32および/または33から分離される。分離を行うために必要とされる分離強制力FSの大きさを減らすことによってこの分離を促進させるために、ピン32はウェハ・チャック122の領域全域にわたって配置されている。貫通路34を通って流れる流体は可変の力F2がチャッキング力F1より小さくなるように選択される。通常、チャッキング力F1は十分な真空下で圧力制御システム43を動作させることによって生成される。可変の力F2が加圧状態で動作させられるとき、曲げ領域24とウェハ・チャック122の間に配置された容積内で約200キロ・パスカル(kPa)の圧力を生成させると十分な大きさである。これは普通、曲げ領域24で約10ミクロンの基板14の移動が生じる。密閉が破られる結果として、貫通路34はチャネル36と開口40を介して通路39と流体連絡状態に置かれる。これは曲げ領域24と重なっている曲げ力FCの大きさをさらに小さくし、したがって、領域24内の基板14の曲げ/変形が促されるのでインプリンティング層12からテンプレート10を分離させるために必要とされる分離強制力FSを小さくすることができる。

図12を参照すると、代替の実施形態において、ウェハ・チャック322はピン32、33の使用を伴わずに前述の真空特性を得ることが可能である。この目的のために、ウェハ・チャック322の面49は複数の開口50、52を含み、これらはこれらを通る流体の流れを有するように構成され、流れの大きさと方向はほかの開口50、52を通る流体の流れと無関係にされる。開口は、これと重なり合う基板14の部分の屈曲の可能性を低減させるのに十分ように、通常では3ミリメートルのピッチと2ミリメートルの直径を有する。

この例では、開口50が共有通路53と流体連絡しており、開口52が共有通路55と流体連絡している。曲げ力FCは間隔を置かれた複数の開口50、52のうちの1つまたは複数を通って流れる流体によって生成される。分離の前に、間隔を置かれた複数の開口50、52の部分は第1の流量、0sccm以上でこれらを通過する流体を有している。分離強制力FSが与えられれば、流体は第1の流量とは異なる流量で開口50、52を通過することが可能となる。特に、開口50、52を通過する流体の流量は分離強制力FSの存在に応答して変わることが可能である。通常では、前述の流量変化は曲げ領域24と重なり合う開口50、52に局所化される。この流量変化は、通常、曲げ力FCの大きさを小さくするのに十分である。それ自体でこの流量変化は、通常、開口52または開口50の一方のみを通過する流体に影響を与える。例えば、曲げ領域24と重なり合う開口52を通る流量は、それにより生成される曲げ力FCが減らされるように変化する。開口50を通る流量は実質的に一定に留まる。

図2を参照すると、インプリンティング層12からのテンプレート10の分離をさらに補助するためにインプリンティング層は本願明細書に参照で組入れられる米国特許第6218316号明細書に開示されるように所定の波長に晒されると気体状の副生成物を生成する材料で構成されてもよい。この気体状の副生成物はインプリンティング層12とモールドの平坦面の間の界面に局所的な圧力を生成させる。この局所的な圧力はインプリンティング層12からのテンプレート10の分離を促進させる。気体状の副生成物を発生させる放射の波長は157nm、248nm、257nm、308nmまたはこれらの組合せといった波長を含む。気体状の副生成物の発生後に、インプリンティング層12への損傷を最小限にするためにテンプレート10の分離を迅速に開始することが望ましい。さらに、テンプレート10とインプリンティング層12の間に位置する気体状の副生成物はテンプレート10とインプリンティング層12の間から漏れ出すことがあり、これは望ましくない。さらに、インプリンティング層12からのテンプレート10の分離はインプリンティング層12の歪みを最小限にするためにインプリンティング層12に対して直角方向であるべきである。

図13を参照すると、インプリンティング層12からのテンプレート10の分離をさらに補助するためにテンプレート10と基板14の間に押し付け力FPが使用されることもある。特に、押し付け力FPはテンプレート10と重なり合わない基板14の領域で基板14の付近に加えられる。この押し付け力FPは基板14をテンプレート10から離れる方向に移動させることによってテンプレート10の分離を促す。この目的のために、押し付け力FPは分離強制力FSに対して反対の方向に沿って向けられ、それにより、分離を行うために必要とされる分離強制力FSは小さくされることが可能である。押し付け力FPは図14に示されるように局所的に配置された複数の空気ノズル62によって、または図15に示されるようにアレイ162として加えられる。複数の空気ノズルの中に使用される気体は、限定はされないが窒素(N2)を含む。押し付け力FPは独立して、または図2〜12に関連して上記で検討されたような曲げ力FCの変化と併せて加えられることが可能である。

図2、16、17を参照すると、インプリンティング層12からのテンプレート10の分離をさらに補助するためにテンプレート10はテンプレート10とインプリンティング層12の間の真空密閉効果を削減するための複数のトレンチ38を含んでもよい。トレンチ66はテンプレート10とインプリンティング層12が接触するときにテンプレート10とインプリンティング層12の間に位置する空気を放出させ、したがってテンプレート10とインプリンティング層12の間の真空密閉効果を下げる。結果として、分離強制力FSの大きさが小さくされ、これは望ましい。

図18、図19を参照すると、さらなる実施形態においてテンプレート10は複数の穴68を含むことも可能であり、これら複数の穴68はトレンチ66と同様に機能し、それにより、穴68はテンプレート10とインプリンティング層12の間の真空密閉効果を下げるように機能する。

上述の本発明の実施形態は範例である。本発明の範囲内に留まりながら多くの変更や改造が上記に引用された開示に為されることが可能である。したがって、本発明の範囲は上記の説明を参照して決定されるべきではなく、添付の特許請求項ならびに同等事項の全範囲を参照して決定されるべきである。

インプリンティング層と接触しており、そこからの分離を先行技術に従って基板上に配置されたテンプレートの断面図である。 基板上に配置され、インプリンティング層からの分離を本発明の一実施形態に従って受けるテンプレートの断面図である。 基板上に配置され、インプリンティング層からの分離を本発明の第2の実施形態に従って受けるテンプレートの断面図である。 本発明に従ってテンプレート保持具に装着されたテンプレートの断面図である。 本発明に従って設けられることが可能な多様な真空区画のうちの第1の実施形態を例示するウェハ・チャックの平面図である。 本発明に従って設けられることが可能な多様な真空区画のうちの第2の実施形態を例示するウェハ・チャックの平面図である。 本発明に従って設けられることが可能な多様な真空区画のうちの第3の実施形態を例示するウェハ・チャックの平面図である。 代替の実施形態による解放の仕組みを受ける、図3に示されたウェハ・チャックおよび基板の側面図である。 図2に示されたウェハ・チャックの一実施形態の平面図である。 図9に示されたウェハ・チャックの、線10−10に沿ってとられた断面図である。 上に配置された基板を有する、図10に示されたウェハ・チャックの断面図である。 上に配置された基板を有する、図2に示されたウェハ・チャックの第2の実施形態の断面図である。 基板上に配置され、インプリンティング層と接触したテンプレートの断面図であって、基板が押し付け力を受けている。 押し付け力を行使するために局所的に配置された複数の空気ノズルを有するテンプレートを示す、単純化された平面図である。 押し付け力を行使するためにアレイとして配置された複数の空気ノズルを有するテンプレートを示す、単純化された平面図である。 テンプレートとインプリンティング層の間に位置する空気の放出を容易にするために配置された複数のトレンチを有するテンプレートを示す、単純化された平面図である。 図16に示されたテンプレートの側面図である。 テンプレートとインプリンティング層の間に位置する空気の放出を容易にするために配置された複数の穴を有するテンプレートを示す、単純化された平面図である。 図17に示されたテンプレートの側面図である。

Claims (15)

  1. テンプレートを備えたインプリントヘッドを所与の分離強制力で分離方向に移動させる移動機構と、基板を試料台の所定位置に所定のチャッキング力で保持するチャック機構とを備え、前記テンプレートと前記基板の間のインプリンティング層に前記テンプレートのパターンを転写し、次ぎに前記インプリントヘッドを前記分離方向に移動して、前記基板上に前記転写されたパターンを有したインプリンティング層を残すようにしたインプリントシステムであって、
    前記チャック機構は、それぞれがチャッキング力を生成することができるよう圧力制御装置に接続されているチャッキング区画を有しており、
    前記インプリントヘッドを分離方向に移動しているときに、前記チャック機構の1つまたは複数のチャッキング区画が生成するチャッキング力を前記圧力制御装置によって変化させて、前記分離強制力を小さくすることを特徴とするシステム
  2. 前記複数のチャッキング区画が、それぞれ圧力制御装置に接続された複数の第1のピンと複数のチャネルによって形成されていることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
  3. 前記複数の第1のピンは第1の圧力制御装置に接続された第1の通路と流体連絡、前記複数のチャネルは第2の圧力制御装置に接続された第2の通路と流体連絡していることを特徴とする請求項に記載のシステム
  4. さらに、圧力制御装置に接続していない第2のピンを複数有しており、前記第1のピン及び第2のピンは前記基板を支持するためのものであることを特徴とする請求項に記載のシステム
  5. 前記複数のチャッキング区画が、それぞれ異なるチャッキング力を生成するよう、前記圧力制御装置によって制御されていることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
  6. 前記チャッキング区画は、環状、多角形、または円形であることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
  7. さらに、前記テンプレートに前記分離方向と反対方向に作用する力を加えて、前記分離強制力を小さくするテンプレートチャックを備えたことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
  8. 前記テンプレートチャックは、該テンプレートの中央背後に形成された第1のチャンバと、この第1のチャンバを取り巻くよう形成された第2のチャンバを有しており、第2のチャンバを排気して第1のチャンバを加圧するよう構成されていることを特徴とする請求項7に記載のシステム。
  9. テンプレートを備えたインプリントヘッドを所与の分離強制力で分離方向に移動させる移動機構と、基板を試料台の所定位置に所定のチャッキング力で保持するチャック機構とを備え、前記テンプレートと前記基板の間のインプリンティング層に前記テンプレートのパターンを転写し、次ぎに前記インプリントヘッドを前記分離方向に移動して、前記基板上に前記転写されたパターンを有したインプリンティング層を残すようにしたインプリントシステムであって、
    前記チャック機構は、複数の開口を有し、該複数の開口を通る流体の流量が、前記インプリントヘッドの分離方向への移動に応答して、変化するよう構成され、これにより前記分離強制力を小さくすることを特徴とするシステム
  10. さらに、前記テンプレートに前記分離方向と反対方向に作用する力を加えて、前記分離強制力を小さくするテンプレートチャックを備えたことを特徴とする請求項9に記載のシステム。
  11. 前記テンプレートチャックは、該テンプレートの中央背後に形成された第1のチャンバと、この第1のチャンバを取り巻くよう形成された第2のチャンバを有しており、第2のチャンバを排気して第1のチャンバを加圧するよう構成されていることを特徴とする請求項10に記載のシステム。
  12. テンプレートを備えたインプリントヘッドを所与の分離強制力で分離方向に移動させる移動機構と、基板を試料台の所定位置に所定のチャッキング力で保持するチャック機構とを備え、前記テンプレートと前記基板の間のインプリンティング層に前記テンプレートのパターンを転写し、次ぎに前記インプリントヘッドを前記分離方向に移動して、前記基板上に前記転写されたパターンを有したインプリンティング層を残すようにしたインプリントシステムであって、
    前記チャック機構は、前記インプリントヘッドが分離方向へ移動しているときに、前記基板を前記分離方向と反対方向に移動させる押付力付与機構を備えており、これにより前記分離強制力を小さくすることを特徴とするシステム
  13. 前記押付力付与機構が前記基板を押す空気ノズルを含むことを特徴とする請求項12に記載のシステム。
  14. さらに、前記テンプレートに前記分離方向と反対方向に作用する力を加えて、前記分離強制力を小さくするテンプレートチャックを備えたことを特徴とする請求項12に記載のシステム。
  15. 前記テンプレートチャックは、該テンプレートの中央背後に形成された第1のチャンバと、この第1のチャンバを取り巻くよう形成された第2のチャンバを有しており、第2のチャンバを排気して第1のチャンバを加圧するよう構成されていることを特徴とする請求項14に記載のシステム。
JP2007553121A 2005-01-31 2006-01-12 ナノ加工のためのチャッキング・システム Active JP4648408B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/047,428 US7798801B2 (en) 2005-01-31 2005-01-31 Chucking system for nano-manufacturing
US11/047,499 US7636999B2 (en) 2005-01-31 2005-01-31 Method of retaining a substrate to a wafer chuck
US11/108,208 US7635445B2 (en) 2005-01-31 2005-04-18 Method of separating a mold from a solidified layer disposed on a substrate
PCT/US2006/001145 WO2006083518A2 (en) 2005-01-31 2006-01-12 Chucking system for nano-manufacturing

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008529826A JP2008529826A (ja) 2008-08-07
JP2008529826A5 JP2008529826A5 (ja) 2010-08-19
JP4648408B2 true JP4648408B2 (ja) 2011-03-09

Family

ID=39730623

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007553123A Active JP5247153B2 (ja) 2005-01-31 2006-01-12 基板上に配置された固化層からモールドを分離させる方法
JP2007553122A Granted JP2008532263A (ja) 2005-01-31 2006-01-12 基板をウェハ・チャックに保持する方法
JP2007553121A Active JP4648408B2 (ja) 2005-01-31 2006-01-12 ナノ加工のためのチャッキング・システム

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007553123A Active JP5247153B2 (ja) 2005-01-31 2006-01-12 基板上に配置された固化層からモールドを分離させる方法
JP2007553122A Granted JP2008532263A (ja) 2005-01-31 2006-01-12 基板をウェハ・チャックに保持する方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7636999B2 (ja)
JP (3) JP5247153B2 (ja)
SG (2) SG158917A1 (ja)
TW (1) TWI327351B (ja)

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7162035B1 (en) 2000-05-24 2007-01-09 Tracer Detection Technology Corp. Authentication method and system
JP4740518B2 (ja) 2000-07-17 2011-08-03 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 転写リソグラフィ・プロセスのための自動液体ディスペンス方法およびシステム
US8215946B2 (en) * 2006-05-18 2012-07-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography system and method
US7641840B2 (en) * 2002-11-13 2010-01-05 Molecular Imprints, Inc. Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold
FR2869601B1 (fr) * 2004-04-28 2006-06-09 Commissariat Energie Atomique MOLD FOR NANO-PRINTING, METHOD OF MANUFACTURING SUCH MOLD AND USE OF SUCH A MOLD
US7504268B2 (en) * 2004-05-28 2009-03-17 Board Of Regents, The University Of Texas System Adaptive shape substrate support method
US8334967B2 (en) * 2004-05-28 2012-12-18 Board Of Regents, The University Of Texas System Substrate support system having a plurality of contact lands
US7798801B2 (en) * 2005-01-31 2010-09-21 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for nano-manufacturing
US20060177535A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template to facilitate control of liquid movement
US20060177532A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography method to control extrusion of a liquid from a desired region on a substrate
JP2007134368A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Nikon Corp パターン転写装置、露光装置及びパターン転写方法
KR101324549B1 (ko) 2005-12-08 2013-11-01 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 기판의 양면 패턴화를 위한 방법 및 시스템
US7670530B2 (en) 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks
KR100689843B1 (ko) * 2006-01-03 2007-03-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 스테이지 및 이를 이용한 웨이퍼 안착방법
JP2007250685A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Engineering System Kk ナノインプリント装置の型押し機構
US20070231422A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. System to vary dimensions of a thin template
JP4814682B2 (ja) * 2006-04-18 2011-11-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造パターンの転写方法及び転写装置
US20080160129A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
JP4854383B2 (ja) * 2006-05-15 2012-01-18 アピックヤマダ株式会社 インプリント方法およびナノ・インプリント装置
US8377361B2 (en) * 2006-11-28 2013-02-19 Wei Zhang Imprint lithography with improved substrate/mold separation
TW200902332A (en) * 2007-03-26 2009-01-16 Hitachi Maxell Imprinting jig and imprinting apparatus
DE102007032608B4 (de) 2007-07-11 2009-05-07 Schenck Rotec Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Zentrieren und Spannen eines Werkstücks in einer Auswuchtmaschine
JP5069979B2 (ja) * 2007-09-03 2012-11-07 東芝機械株式会社 離型装置、給排システムおよび離型方法
KR101503331B1 (ko) * 2007-09-28 2015-03-17 도레이 카부시키가이샤 미세 형상 전사시트의 제조방법 및 제조장치
US8945444B2 (en) * 2007-12-04 2015-02-03 Canon Nanotechnologies, Inc. High throughput imprint based on contact line motion tracking control
US7995196B1 (en) 2008-04-23 2011-08-09 Tracer Detection Technology Corp. Authentication method and system
JP5517423B2 (ja) * 2008-08-26 2014-06-11 キヤノン株式会社 インプリント装置及びインプリント方法
NL2003380A (en) * 2008-10-17 2010-04-20 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus and method.
US8652393B2 (en) 2008-10-24 2014-02-18 Molecular Imprints, Inc. Strain and kinetics control during separation phase of imprint process
US8309008B2 (en) * 2008-10-30 2012-11-13 Molecular Imprints, Inc. Separation in an imprint lithography process
JP5288191B2 (ja) * 2009-03-17 2013-09-11 大日本印刷株式会社 基板固定装置
KR20120001768A (ko) 2009-03-23 2012-01-04 인테벡, 인코포레이티드 패턴드 미디어에서의 아일랜드 대 트랜치 비의 최적화를 위한 공정
JP5363165B2 (ja) * 2009-03-31 2013-12-11 富士フイルム株式会社 微細凹凸パターンの形成方法及び形成装置
JP5377053B2 (ja) * 2009-04-17 2013-12-25 株式会社東芝 テンプレート及びその製造方法、並びにパターン形成方法
US8961800B2 (en) * 2009-08-26 2015-02-24 Board Of Regents, The University Of Texas System Functional nanoparticles
US8802747B2 (en) * 2009-08-26 2014-08-12 Molecular Imprints, Inc. Nanoimprint lithography processes for forming nanoparticles
US20110084417A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Molecular Imprints, Inc. Large area linear array nanoimprinting
US8747092B2 (en) 2010-01-22 2014-06-10 Nanonex Corporation Fast nanoimprinting apparatus using deformale mold
JP5438578B2 (ja) 2010-03-29 2014-03-12 富士フイルム株式会社 微細凹凸パターンの形成方法及び形成装置
WO2011139782A1 (en) 2010-04-27 2011-11-10 Molecular Imprints, Inc. Separation control substrate/template for nanoimprint lithography
EP2635522A4 (en) 2010-11-05 2014-06-11 Molecular Imprints Inc NANOPRÄGUNGS-LITHOGRAPHIEVERSTELLUNG FUNCTIONAL NANOPARTICLE WITH TWO SEPARATE LAYERS
DE102010063887B4 (de) * 2010-12-22 2012-07-19 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Verfahren zum Herstellen eines pyrolysetauglichen Bauteils eines Gargeräts sowie pyrolysetaugliches Bauteil für ein Gargerät
JP5875250B2 (ja) * 2011-04-28 2016-03-02 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及びデバイス製造方法
CN103958161B (zh) * 2011-09-23 2017-09-08 1366科技公司 用于处理、加热和冷却衬底的方法和装置,在该衬底上由工具在热可流动材料涂层中制得图案,包括衬底运输、工具搁置、工具张紧以及工具退回
JP6086675B2 (ja) 2011-11-30 2017-03-01 株式会社Screenホールディングス 印刷装置および印刷方法
JP5759348B2 (ja) 2011-11-30 2015-08-05 株式会社Screenホールディングス パターン形成装置およびパターン形成方法
DE102012111114B4 (de) * 2012-11-19 2018-10-04 Ev Group E. Thallner Gmbh Halbleiterbearbeitungsvorrichtung und -verfahren
WO2014145360A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Nanonex Corporation Imprint lithography system and method for manufacturing
WO2014145826A2 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Nanonex Corporation System and methods of mold/substrate separation for imprint lithography
JP6242099B2 (ja) * 2013-07-23 2017-12-06 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置およびデバイス製造方法
US9733429B2 (en) * 2014-08-18 2017-08-15 Hrl Laboratories, Llc Stacked microlattice materials and fabrication processes
US9771998B1 (en) 2014-02-13 2017-09-26 Hrl Laboratories, Llc Hierarchical branched micro-truss structure and methods of manufacturing the same
JP6333031B2 (ja) * 2014-04-09 2018-05-30 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP6553926B2 (ja) * 2015-04-09 2019-07-31 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
US20170165898A1 (en) * 2015-12-11 2017-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of imprinting a partial field
JP6700936B2 (ja) * 2016-04-25 2020-05-27 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP6762853B2 (ja) * 2016-11-11 2020-09-30 キヤノン株式会社 装置、方法、及び物品製造方法
TWI620351B (zh) * 2017-04-28 2018-04-01 光寶光電(常州)有限公司 紫外光發光二極體封裝結構、紫外光發光單元、及紫外光發光單元的製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5457570A (en) * 1977-09-28 1979-05-09 Philips Nv Method and apparatus for making recording carrier
JPH06244269A (ja) * 1992-09-07 1994-09-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法
JP2001060617A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Canon Inc 基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイスの製造方法
JP2001127145A (ja) * 1999-08-19 2001-05-11 Canon Inc 基板吸着保持方法、基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005527406A (ja) * 2002-05-27 2005-09-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィKoninklijke Philips Electronics N.V. スタンプから基板にパターンを転写する方法及び装置

Family Cites Families (128)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3110341C2 (ja) 1980-03-19 1983-11-17 Hitachi, Ltd., Tokyo, Jp
FR2513934B1 (ja) * 1981-10-06 1984-04-06 Thomson Csf
US4551192A (en) 1983-06-30 1985-11-05 International Business Machines Corporation Electrostatic or vacuum pinchuck formed with microcircuit lithography
US4506184A (en) 1984-01-10 1985-03-19 Varian Associates, Inc. Deformable chuck driven by piezoelectric means
US4512848A (en) 1984-02-06 1985-04-23 Exxon Research And Engineering Co. Procedure for fabrication of microstructures over large areas using physical replication
US4559717A (en) 1984-02-21 1985-12-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Flexure hinge
KR900004269B1 (ko) 1986-06-11 1990-06-18 가부시기가이샤 도시바 제 1물체와 제 2 물체와의 위치 맞추는 방법 및 장치
FR2604553A1 (fr) 1986-09-29 1988-04-01 Rhone Poulenc Chimie RIGID POLYMER SUBSTRATE FOR OPTICAL DISC AND OPTICAL DISCS OBTAINED FROM THE SUBSTRATE
JPS63131352A (en) * 1986-11-21 1988-06-03 Canon Inc Manufacture of substrate for optical recording medium
US4731155A (en) 1987-04-15 1988-03-15 General Electric Company Process for forming a lithographic mask
US5028361A (en) 1987-11-09 1991-07-02 Takeo Fujimoto Method for molding a photosensitive composition
US5028366A (en) 1988-01-12 1991-07-02 Air Products And Chemicals, Inc. Water based mold release compositions for making molded polyurethane foam
JP2546350B2 (ja) 1988-09-09 1996-10-23 キヤノン株式会社 位置合わせ装置
JPH02166645A (en) * 1988-12-21 1990-06-27 Canon Inc Manufacture of substrate for optical recording medium
US5110514A (en) 1989-05-01 1992-05-05 Soane Technologies, Inc. Controlled casting of a shrinkable material
US4932358A (en) 1989-05-18 1990-06-12 Genus, Inc. Perimeter wafer seal
DE4031637C2 (de) 1989-10-06 1997-04-10 Toshiba Kawasaki Kk Anordnung zum Messen einer Verschiebung zwischen zwei Objekten
DE4029912A1 (de) 1990-09-21 1992-03-26 Philips Patentverwaltung Verfahren zur bildung mindestens eines grabens in einer substratschicht
US5331371A (en) 1990-09-26 1994-07-19 Canon Kabushiki Kaisha Alignment and exposure method
US5362940A (en) 1990-11-09 1994-11-08 Litel Instruments Use of Fresnel zone plates for material processing
JPH0521584A (ja) 1991-07-16 1993-01-29 Nikon Corp 保持装置
JPH0580530A (ja) 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
JP2867194B2 (ja) 1992-02-05 1999-03-08 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US5545367A (en) 1992-04-15 1996-08-13 Soane Technologies, Inc. Rapid prototype three dimensional stereolithography
US5371822A (en) 1992-06-09 1994-12-06 Digital Equipment Corporation Method of packaging and assembling opto-electronic integrated circuits
US5601641A (en) 1992-07-21 1997-02-11 Tse Industries, Inc. Mold release composition with polybutadiene and method of coating a mold core
DE69405451T2 (de) 1993-03-16 1998-03-12 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines strukturierten Reliefbildes aus vernetztem Photoresist auf einer flachen Substratoberfläche
JP2837063B2 (ja) 1993-06-04 1998-12-14 シャープ株式会社 レジストパターンの形成方法
US5512131A (en) 1993-10-04 1996-04-30 President And Fellows Of Harvard College Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles
US6776094B1 (en) 1993-10-04 2004-08-17 President & Fellows Of Harvard College Kit For Microcontact Printing
US5776748A (en) 1993-10-04 1998-07-07 President And Fellows Of Harvard College Method of formation of microstamped patterns on plates for adhesion of cells and other biological materials, devices and uses therefor
DE4408537A1 (de) 1994-03-14 1995-09-21 Leybold Ag Vorrichtung für den Transport von Substraten
KR0157279B1 (ko) 1994-03-15 1999-05-01 모리시타 요이찌 노광방법
US5515167A (en) 1994-09-13 1996-05-07 Hughes Aircraft Company Transparent optical chuck incorporating optical monitoring
US5563684A (en) 1994-11-30 1996-10-08 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Adaptive wafer modulator for placing a selected pattern on a semiconductor wafer
US5849209A (en) 1995-03-31 1998-12-15 Johnson & Johnson Vision Products, Inc. Mold material made with additives
GB9509487D0 (en) 1995-05-10 1995-07-05 Ici Plc Micro relief element & preparation thereof
US5820769A (en) 1995-05-24 1998-10-13 Regents Of The University Of Minnesota Method for making magnetic storage having discrete elements with quantized magnetic moments
JP2976862B2 (ja) * 1995-09-28 1999-11-10 日本電気株式会社 研磨装置
US5849222A (en) 1995-09-29 1998-12-15 Johnson & Johnson Vision Products, Inc. Method for reducing lens hole defects in production of contact lens blanks
US6518189B1 (en) 1995-11-15 2003-02-11 Regents Of The University Of Minnesota Method and apparatus for high density nanostructures
US6309580B1 (en) * 1995-11-15 2001-10-30 Regents Of The University Of Minnesota Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography
US20040137734A1 (en) * 1995-11-15 2004-07-15 Princeton University Compositions and processes for nanoimprinting
US5772905A (en) 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
US5900062A (en) * 1995-12-28 1999-05-04 Applied Materials, Inc. Lift pin for dechucking substrates
US5923408A (en) 1996-01-31 1999-07-13 Canon Kabushiki Kaisha Substrate holding system and exposure apparatus using the same
US5669303A (en) 1996-03-04 1997-09-23 Motorola Apparatus and method for stamping a surface
US6355198B1 (en) 1996-03-15 2002-03-12 President And Fellows Of Harvard College Method of forming articles including waveguides via capillary micromolding and microtransfer molding
US5888650A (en) 1996-06-03 1999-03-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Temperature-responsive adhesive article
US5942443A (en) 1996-06-28 1999-08-24 Caliper Technologies Corporation High throughput screening assay systems in microscale fluidic devices
US6074827A (en) 1996-07-30 2000-06-13 Aclara Biosciences, Inc. Microfluidic method for nucleic acid purification and processing
JPH10172897A (ja) 1996-12-05 1998-06-26 Nikon Corp 基板アダプタ,基板保持装置及び基板保持方法
US5948470A (en) 1997-04-28 1999-09-07 Harrison; Christopher Method of nanoscale patterning and products made thereby
US5812629A (en) 1997-04-30 1998-09-22 Clauser; John F. Ultrahigh resolution interferometric x-ray imaging
US5996415A (en) 1997-04-30 1999-12-07 Sensys Instruments Corporation Apparatus and method for characterizing semiconductor wafers during processing
US5858580A (en) 1997-09-17 1999-01-12 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting circuit manufacture method and apparatus
US5974150A (en) 1997-09-30 1999-10-26 Tracer Detection Technology Corp. System and method for authentication of goods
US6019166A (en) 1997-12-30 2000-02-01 Intel Corporation Pickup chuck with an integral heatsink
US6198616B1 (en) * 1998-04-03 2001-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for supplying a chucking voltage to an electrostatic chuck within a semiconductor wafer processing system
US6304424B1 (en) * 1998-04-03 2001-10-16 Applied Materials Inc. Method and apparatus for minimizing plasma destabilization within a semiconductor wafer processing system
JP3780700B2 (ja) 1998-05-26 2006-05-31 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法、パターン形成装置、パターン形成用版、パターン形成用版の製造方法、カラーフィルタの製造方法、導電膜の製造方法及び液晶パネルの製造方法
US7211214B2 (en) * 2000-07-18 2007-05-01 Princeton University Laser assisted direct imprint lithography
US7758794B2 (en) * 2001-10-29 2010-07-20 Princeton University Method of making an article comprising nanoscale patterns with reduced edge roughness
US7635262B2 (en) * 2000-07-18 2009-12-22 Princeton University Lithographic apparatus for fluid pressure imprint lithography
US20050037143A1 (en) * 2000-07-18 2005-02-17 Chou Stephen Y. Imprint lithography with improved monitoring and control and apparatus therefor
US20040036201A1 (en) * 2000-07-18 2004-02-26 Princeton University Methods and apparatus of field-induced pressure imprint lithography
US20030080471A1 (en) * 2001-10-29 2003-05-01 Chou Stephen Y. Lithographic method for molding pattern with nanoscale features
US6965506B2 (en) * 1998-09-30 2005-11-15 Lam Research Corporation System and method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
US6713238B1 (en) * 1998-10-09 2004-03-30 Stephen Y. Chou Microscale patterning and articles formed thereby
US6726195B1 (en) 1998-10-13 2004-04-27 Dek International Gmbh Method for ensuring planarity when using a flexible, self conforming, workpiece support system
US6218316B1 (en) 1998-10-22 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Planarization of non-planar surfaces in device fabrication
JP4204128B2 (ja) 1999-01-18 2009-01-07 東京応化工業株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
US6274294B1 (en) 1999-02-03 2001-08-14 Electroformed Stents, Inc. Cylindrical photolithography exposure process and apparatus
JP2000243806A (ja) * 1999-02-22 2000-09-08 Tamagawa Machinery Co Ltd ウエハの加熱処理装置
US6334960B1 (en) 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
US6160430A (en) 1999-03-22 2000-12-12 Ati International Srl Powerup sequence artificial voltage supply circuit
US6305677B1 (en) 1999-03-30 2001-10-23 Lam Research Corporation Perimeter wafer lifting
US6220561B1 (en) 1999-06-30 2001-04-24 Sandia Corporation Compound floating pivot micromechanisms
WO2001011431A2 (en) * 1999-08-06 2001-02-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of holding semiconductor wafers for lithography and other wafer processes
US6809802B1 (en) 1999-08-19 2004-10-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus
US6589889B2 (en) 1999-09-09 2003-07-08 Alliedsignal Inc. Contact planarization using nanoporous silica materials
US6512401B2 (en) 1999-09-10 2003-01-28 Intel Corporation Output buffer for high and low voltage bus
US6517995B1 (en) 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US6873087B1 (en) 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
DE60019974T2 (de) 1999-12-23 2005-11-10 The University Of Massachusetts, Boston Verfahren zur herstellung von submikron mustern auf filmen
US6498640B1 (en) 1999-12-30 2002-12-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method to measure alignment using latent image grating structures
JP2001239487A (ja) * 2000-02-29 2001-09-04 Nippei Toyama Corp ウェーハの搬送装置における真空保持装置および真空保持解除方法
US6313567B1 (en) 2000-04-10 2001-11-06 Motorola, Inc. Lithography chuck having piezoelectric elements, and method
US7859519B2 (en) * 2000-05-01 2010-12-28 Tulbert David J Human-machine interface
JP4640876B2 (ja) * 2000-06-13 2011-03-02 株式会社アルバック 基板搬送装置
JP2001358056A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Canon Inc 露光装置
WO2002008835A2 (en) 2000-07-16 2002-01-31 Board Of Regents, The University Of Texas System High-resolution overlay alignment methods and systems for imprint lithography
US6482742B1 (en) 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
US6326627B1 (en) 2000-08-02 2001-12-04 Archimedes Technology Group, Inc. Mass filtering sputtered ion source
US6718630B2 (en) * 2000-09-18 2004-04-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for mounting components on substrate
KR101031528B1 (ko) 2000-10-12 2011-04-27 더 보드 오브 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 실온 저압 마이크로- 및 나노- 임프린트 리소그래피용템플릿
JP3834469B2 (ja) * 2000-11-15 2006-10-18 富士写真フイルム株式会社 基板搬送システム及びそれを用いた基板搬送方法
US6790763B2 (en) * 2000-12-04 2004-09-14 Ebara Corporation Substrate processing method
US6612590B2 (en) 2001-01-12 2003-09-02 Tokyo Electron Limited Apparatus and methods for manipulating semiconductor wafers
US6387787B1 (en) 2001-03-02 2002-05-14 Motorola, Inc. Lithographic template and method of formation and use
US6955767B2 (en) 2001-03-22 2005-10-18 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Scanning probe based lithographic alignment
US6517977B2 (en) 2001-03-28 2003-02-11 Motorola, Inc. Lithographic template and method of formation and use
US6847433B2 (en) * 2001-06-01 2005-01-25 Agere Systems, Inc. Holder, system, and process for improving overlay in lithography
US6678038B2 (en) 2001-08-03 2004-01-13 Nikon Corporation Apparatus and methods for detecting tool-induced shift in microlithography apparatus
US6898064B1 (en) * 2001-08-29 2005-05-24 Lsi Logic Corporation System and method for optimizing the electrostatic removal of a workpiece from a chuck
CN100347608C (zh) * 2001-09-25 2007-11-07 米卢塔技术株式会社 利用毛细作用力在基体上形成微型图案的方法
US6771372B1 (en) 2001-11-01 2004-08-03 Therma-Wave, Inc. Rotational stage with vertical axis adjustment
US6621960B2 (en) 2002-01-24 2003-09-16 Oplink Communications, Inc. Method of fabricating multiple superimposed fiber Bragg gratings
US6736408B2 (en) 2002-01-25 2004-05-18 Applied Materials Inc. Rotary vacuum-chuck with venturi formed at base of rotating shaft
US6759180B2 (en) 2002-04-23 2004-07-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of fabricating sub-lithographic sized line and space patterns for nano-imprinting lithography
US6964793B2 (en) 2002-05-16 2005-11-15 Board Of Regents, The University Of Texas System Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field
US6849558B2 (en) 2002-05-22 2005-02-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Replication and transfer of microstructures and nanostructures
US7077992B2 (en) * 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US6900881B2 (en) 2002-07-11 2005-05-31 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography systems
US6908861B2 (en) 2002-07-11 2005-06-21 Molecular Imprints, Inc. Method for imprint lithography using an electric field
US6932934B2 (en) 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US6916584B2 (en) 2002-08-01 2005-07-12 Molecular Imprints, Inc. Alignment methods for imprint lithography
US6936194B2 (en) 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
US7019819B2 (en) * 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US7750059B2 (en) * 2002-12-04 2010-07-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Polymer solution for nanoimprint lithography to reduce imprint temperature and pressure
US6980282B2 (en) 2002-12-11 2005-12-27 Molecular Imprints, Inc. Method for modulating shapes of substrates
US6805054B1 (en) * 2003-05-14 2004-10-19 Molecular Imprints, Inc. Method, system and holder for transferring templates during imprint lithography processes
US6951173B1 (en) * 2003-05-14 2005-10-04 Molecular Imprints, Inc. Assembly and method for transferring imprint lithography templates
JP4090416B2 (ja) * 2003-09-30 2008-05-28 日東電工株式会社 粘着テープ付ワークの離脱方法及び離脱装置
US7798801B2 (en) * 2005-01-31 2010-09-21 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for nano-manufacturing
US20060177535A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template to facilitate control of liquid movement
US20060177532A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography method to control extrusion of a liquid from a desired region on a substrate
US7670530B2 (en) * 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5457570A (en) * 1977-09-28 1979-05-09 Philips Nv Method and apparatus for making recording carrier
JPH06244269A (ja) * 1992-09-07 1994-09-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法
JP2001127145A (ja) * 1999-08-19 2001-05-11 Canon Inc 基板吸着保持方法、基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2001060617A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Canon Inc 基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイスの製造方法
JP2005527406A (ja) * 2002-05-27 2005-09-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィKoninklijke Philips Electronics N.V. スタンプから基板にパターンを転写する方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200636901A (en) 2006-10-16
US7636999B2 (en) 2009-12-29
US20060172553A1 (en) 2006-08-03
JP2008532263A (ja) 2008-08-14
JP2008529826A (ja) 2008-08-07
TWI327351B (en) 2010-07-11
JP2008537513A (ja) 2008-09-18
SG158917A1 (en) 2010-02-26
SG159498A1 (en) 2010-03-30
JP5247153B2 (ja) 2013-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USRE47483E1 (en) Template having a varying thickness to facilitate expelling a gas positioned between a substrate and the template
US8318066B2 (en) Step and repeat imprint lithography process
US8033813B2 (en) Chucking system comprising an array of fluid chambers
US7981814B2 (en) Replication and transfer of microstructures and nanostructures
US7298456B2 (en) System for varying dimensions of a substrate during nanoscale manufacturing
US20150192855A1 (en) Process for producing a member having a pattern, a pattern transfer apparatus, and a mold
TWI289731B (en) A system for forming a pattern on a substrate
JP4596981B2 (ja) インプリント装置、及び微細構造転写方法
US7322287B2 (en) Apparatus for fluid pressure imprint lithography
US7789647B2 (en) Processing apparatus and method
US8109751B2 (en) Imprint device and microstructure transfer method
JP4511786B2 (ja) 基板とこの基板から離れたテンプレートを整列させる方法
EP1606834B1 (en) Uv nanoimprint lithography process using elementwise embossed stamp
EP2185974B1 (en) Imprint method and processing method of substrate
US7157036B2 (en) Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
JP4740518B2 (ja) 転写リソグラフィ・プロセスのための自動液体ディスペンス方法およびシステム
US7811505B2 (en) Method for fast filling of templates for imprint lithography using on template dispense
KR101241076B1 (ko) 단일상 유체 임프린트 리소그래피 방법
KR100907573B1 (ko) 몰드, 임프린트 장치 및 구조체의 제조방법
TWI327351B (en) Method of retaining a substrate to a wafer chuck
US8123514B2 (en) Conforming template for patterning liquids disposed on substrates
US7670529B2 (en) Method and system for double-sided patterning of substrates
KR100806231B1 (ko) 가공장치, 가공방법 및 칩의 제조방법
JP4533358B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法
US8632720B2 (en) Methods and apparatus for rapid imprint lithography

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090108

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090108

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20100629

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100629

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20100706

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100720

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101019

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101124

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101209

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4648408

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250