KR102369694B1 - 양면 처리를 위한 패터닝된 진공 척 - Google Patents

양면 처리를 위한 패터닝된 진공 척 Download PDF

Info

Publication number
KR102369694B1
KR102369694B1 KR1020207026834A KR20207026834A KR102369694B1 KR 102369694 B1 KR102369694 B1 KR 102369694B1 KR 1020207026834 A KR1020207026834 A KR 1020207026834A KR 20207026834 A KR20207026834 A KR 20207026834A KR 102369694 B1 KR102369694 B1 KR 102369694B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
cavities
pressure
coupled
chucking
Prior art date
Application number
KR1020207026834A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200112998A (ko
Inventor
조셉 유도프스키
비스웨스와렌 시바라마크리슈난
루도비치 고뎃
룻거 마이어 팀머만 티센
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority to KR1020227006538A priority Critical patent/KR102434811B1/ko
Publication of KR20200112998A publication Critical patent/KR20200112998A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102369694B1 publication Critical patent/KR102369694B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions

Abstract

본원에 설명된 실시예들은, 기판 척킹 장치에 형성된 복수의 공동들을 갖는 기판 척킹 장치에 관한 것이다. 공동들은 척킹 장치의 몸체에 형성된다. 일 실시예에서, 제1 복수의 포트들은 몸체의 척킹 표면에 형성되고 몸체의 바닥 표면으로 연장된다. 다른 실시예에서, 제2 복수의 포트들은 복수의 공동들의 바닥 표면에 형성되고 몸체를 통해 몸체의 바닥 표면으로 연장된다.

Description

양면 처리를 위한 패터닝된 진공 척
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 기판 척에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에 설명된 실시예들은 패터닝된 진공 척에 관한 것이다.
기판 척킹 장치는 기판의 이송 또는 처리 동안 기판을 지지하기 위해 반도체 및 디스플레이 산업들에서 일반적으로 사용된다. 첨단 기술들은, 기판들 상의 디바이스 및 구조 제조를 위한 다양한 진보된 처리 기법들의 개발로 이어졌다. 예를 들어, 가상 현실 및 증강 현실 응용들을 위한 도파관 장치의 제조는 종래의 기판 처리 기법들의 경계들을 넓혔다.
도파관 장치는, 유리 또는 유리상 기판 상에 형성되는 미세구조들을 포함한다. 종종, 미세구조들은 기판의 전면측 및 기판의 후면측 상에 형성된다. 그러나, 처리 동안, 기판의 전면 및 후면 상에 형성된 미세구조들을 갖는 기판을 취급 및 지지하는 것은 난제이다. 예를 들어, 종래의 척킹 장치는, 기판의 전면측이 처리되고 있는 동안, 후면측 상에 형성되어 있는 미세구조들을 손상시킬 수 있거나, 그 반대의 경우도 마찬가지이다.
따라서, 관련 기술분야에서는 개선된 척킹 장치가 필요하다.
본원에 설명된 실시예들은 기판 척킹 장치 및 기판을 척킹하는 방법에 관한 것이다. 일 실시예에서, 기판 척킹 장치는 척킹 표면 및 척킹 표면에 대향하는 바닥 표면을 갖는 몸체를 포함한다. 몸체는 척킹 표면으로부터 함몰된, 몸체에 형성된 복수의 공동들을 포함하고, 복수의 공동들의 쌍들은 복수의 제1 도관들과 유체 연통한다. 장치는 또한, 몸체에 형성된 복수의 제2 도관들을 포함하고, 복수의 제2 도관들 중 하나는 복수의 공동들의 일부 사이에 형성되며, 공동들의 쌍들에서의 압력은 개별적으로 제어된다.
다른 실시예에서, 기판 척킹 장치는 척킹 표면을 갖는 원형 몸체, 척킹 표면에 형성된 복수의 공동들, 복수의 제1 도관들 ― 복수의 제1 도관들 각각은 척킹 표면에 형성된 표면 포트에 결합됨 ―, 복수의 공동들의 제1 쌍에 결합된 제2 도관, 복수의 공동들의 제2 쌍에 결합된 제3 도관, 및 복수의 공동들의 제3 쌍에 결합된 제4 도관을 포함하고, 공동들의 쌍들 각각에서의 압력은 개별적으로 제어된다.
다른 실시예에서, 기판을 처리하기 위한 방법이 설명되며, 방법은 기판의 제1 주 표면 상에 복수의 구조들을 형성하는 단계, 제1 주 표면을 척 상에 위치시키는 단계 ― 복수의 구조들 각각은 척의 척킹 표면에 형성된 각각의 공동에 위치됨 ―, 및 제1 압력을 복수의 표면 포트들을 통해 주 표면에 인가하면서 제2 압력을 공동들의 쌍들에 인가하는 단계를 포함하고, 제1 압력은 제2 압력과 상이하다.
본 개시내용의 위에서 언급된 특징들이 상세히 이해될 수 있도록, 위에 간략히 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이들 중 일부는 첨부 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부 도면들은 단지 예시적인 실시예들만을 예시하고 따라서 그의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 되며, 다른 동등하게 효과적인 실시예들을 허용할 수 있다는 점에 주목해야 한다.
도 1a는 본원에 설명된 실시예에 따른, 미세구조들이 상부에 형성된 다이들을 갖는 기판의 평면도를 예시한다.
도 1b는 본원에 설명된 실시예에 따른, 선(1B-1B)을 따라 취해진 도 1a의 기판의 단면도를 예시한다.
도 2a는 본원에 설명된 실시예에 따른 진공 척킹 장치의 단면도를 예시한다.
도 2b는 도 2a의 진공 척킹 장치의 평면도이다.
도 3a는 패터닝된 템플릿의 기판 상으로의 전사 프로세스의 부분의 개략적인 단면도이다.
도 3b 및 3c는 기판을 상부에 갖는 진공 척킹 장치의 부분들의 단면도이다.
도 4a는 본원에 설명된 실시예에 따른, 도 2의 진공 척킹 장치의 평면도를 예시한다.
도 4b는 도 4a의 진공 척킹 장치의 단면도를 예시한다.
도 5a는 본원에 설명된 실시예에 따른, 도 2의 진공 척킹 장치의 평면도를 예시한다.
도 5b는 도 5a의 라인들(5B-5B)을 따른, 진공 척킹 장치의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본원에 설명된 실시예에 따른 진공 척킹 장치의 부분의 단면도를 예시한다.
이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 경우, 도면들에 공통된 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 특징들이 추가의 언급 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다는 것이 고려된다.
본원에 설명된 실시예들은, 기판 척킹 장치에 형성된 복수의 공동들을 갖는 기판 척킹 장치에 관한 것이다. 공동들의 부분은, 척킹 장치에 척킹된 기판의 하나의 주 측 상에 이전에 형성된 미세구조를 수용하여, 기판의 다른 주 측 상의 미세구조들의 형성을 가능하게 하는 데에 활용된다. 척킹 장치는 리소그래피 프로세스들, 예를 들어, 나노임프린트 리소그래피(NIL) 프로세스들, 예컨대, 기판 등각 임프린트 리소그래피(SCIL)에 특히 유용할 수 있다. 일부 실시예들은 SCIL 프로세스와 함께 사용하기 위해 예시적으로 설명되지만, 본 개시내용은 SCIL 프로세스로 제한되지 않고, 다른 NIL 프로세스들과 함께 활용될 수 있다. 다른 NIL 프로세스들은 패턴을 기판에 전사하기 위해 가요성 템플릿과 접촉하는 롤러를 사용하는 것을 포함한다.
도 1a는 리소그래피 프로세스에 따른, 미세구조들(106)이 상부에 형성된 다이들을 갖는 기판(100)의 평면도를 예시한다. 일 실시예에서, 기판(100)은, 유리 또는 유리상 물질, 예컨대, 석영 또는 사파이어로부터 형성된다. 다른 실시예에서, 기판은, 반도체 물질, 예컨대, 규소 물질 등으로부터 형성된다. 기판(100)이 실질적으로 원형 형상을 갖는 것으로 예시되지만, 기판(100)은 형상이 다각형, 예컨대, 형상이 사변형, 예를 들어, 직사각형 또는 정사각형 형상일 수 있다는 것이 고려된다.
기판(100)은, 기판 상에 형성된 복수의 다이들(104)을 갖는 것으로 예시된다. 다이들(104)은, 다양한 디바이스들, 예컨대, 컴퓨팅 디바이스, 광학 디바이스 등에서의 후속 활용을 위해 원하는 구조들로 패터닝된, 기판(100)의 영역들에 대응한다. 다이들(104)은, 다이들 상에 형성된 미세구조들(106)을 포함한다. 미세구조들(106)은, 다양한 제조 프로세스들, 예컨대, 리소그래피 프로세스들, 예를 들어, NIL 프로세스들에 의해 다이들(104) 상에 형성되는 피쳐들이다. 대안적으로, 미세구조들(106)은, 기판(100) 상에서 식각되거나 증착되는 피쳐들이다. 일 실시예에서, 미세구조들(106)은 격자 구조들이고, 다이(104)는 도파관 또는 도파관 장치의 부분인 것이 고려된다.
다이들(104)은, 인접한 다이들(104) 사이에 또는 주위에 형성되는 커프 영역들(108)과 함께 기판(100) 상에 배열된다. 커프 영역들(108)은, 다이들(104)에 의해 점유되지 않은 기판 표면의 영역들이다. 커프 영역들(108)은 실질적으로, 각각의 개별 다이(104)를 둘러싸고, 개별 다이들(104)을 서로 이격시킨다. 커프 영역들(108)은 또한, 기판(100)의 둘레와 개별 다이들(104) 사이에서 연장될 수 있다. 일 실시예에서, 커프 영역들(108)은 실질적으로, 커프 영역들 상에 형성된 미세구조들 또는 피쳐들을 갖지 않는다. 다양한 구현들에서, 커프 영역들(108)은 싱귤레이션 동안 개별 다이들(104)을 분리시키기 위해 다이싱 작동들 동안 후속하여 제거되는 영역들이다.
도 1b는 본원에 설명된 실시예에 따른, 선(1B-1B)을 따라 취해진 도 1a의 기판(100)의 단면도를 예시한다. 위에 설명된 바와 같이, 커프 영역들(108)은 인접한 다이들(104) 사이에 배치되는 영역들이다. 기판(100)이, 기판(100)의 제1 측(102) 상에 형성된 미세구조들(106)을 갖는 것으로 예시된다는 것을 주목해야 한다. 일 실시예에서, 미세구조들(106)은, 기판(100)의 제1 측(102)으로부터 약 100 um 내지 약 500 um의 거리만큼 연장된다. 일 실시예에서, 제1 측(102)은 기판(100)의 전면측이다. 기판(100)의 제2 측(110)은, 제1 측(102)에 대향하고 그와 평행하게 존재한다. 예시된 실시예에서, 제2 측(110)은, 제2 측(110) 상에 어떠한 피쳐들 또는 미세구조들도 형성되지 않도록, 처리되지 않는다.
도 2a는 본원에 설명된 실시예에 따른 진공 척킹 장치(200)의 단면도를 예시한다. 기판(100)은, 제2 측(110)이, 제2 측(110)을 처리하기에 적합한 위치에서 진공 척킹 장치(200)로부터 멀어지게 배향되도록, 진공 척킹 장치(200)와 접촉하는 제1 측을 갖는 것으로 예시된다.
진공 척킹 장치(200)는 척킹 표면(202) 및 척킹 표면(202)에 대향하여 배향된 바닥 표면(204)을 갖는 몸체(201)를 포함한다. 일 실시예에서, 몸체(201)는, 금속성 물질, 예컨대, 알루미늄, 스테인리스 강, 또는 이들의 합금들, 조합들, 및 혼합물들로부터 형성된다. 다른 실시예에서, 몸체(201)는, 세라믹 물질, 예컨대, 질화규소 물질, 질화알루미늄 물질, 알루미나 물질, 또는 이들의 조합들 및 혼합물들로부터 형성된다. 특정 실시예들에서, 코팅은 몸체(201)의 척킹 표면(202) 상에 배치된다. 코팅은, 원하는 구현에 따라, 중합체성 물질, 예컨대, 폴리이미드 물질, 폴리아미드 물질, 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 물질 중 하나 이상이다.
복수의 공동들(206)은 몸체(201)에 형성된다. 공동들(206)은 몸체(201) 내에 배치되고 척킹 표면(202)으로부터 몸체(201) 내로 연장된다. 공동들(206)은, 바닥 표면(203) 및 측벽들(205)에 의해 한정된다. 공동들(206)의 깊이는, 약 100 um 내지 약 1000 um, 예를 들어, 약 300 um 내지 약 700 um이다. 공동들(206)의 깊이는, 기판(100)이 진공 척킹 장치(200) 상에 위치될 때, 기판(100) 상에 형성된 미세구조들(106)이 몸체(201)와 접촉되지 않은 채 남아 있도록, 미세구조들(106)을 수용하기에 충분하다는 것이 고려된다. 일 실시예에서, 복수의 공동들(206)은, 몸체(201) 상에 배치된 물질 층에 형성된다.
일 실시예에서, 공동들(206)의 형상은, 다이들(104)의 형상에 대응한다. 예를 들어, 다이들(104)이 정사각형 또는 직사각형 형상인 경우, 공동들(206)의 형상은 유사하게 형상이 정사각형 또는 직사각형일 것이다. 그러나, 공동들(206)의 크기는 다이들(104)에 대응하는 영역보다 크거나 작을 수 있다는 것이 고려된다.
복수의 제1 포트들(208)이 몸체(201)에 형성되고, 복수의 제2 포트들(표면 포트들)(210)이 몸체(201)의 척킹 표면(202)에 형성된다. 복수의 제1 포트들(208) 각각은 공동들(206) 중 각각의 공동과 유체 연통한다. 복수의 제2 포트들(210)은 공동들(206) 사이에 위치된다. 복수의 제2 포트들(210)은 또한, 복수의 공동들(206)의 방사상 외측으로 몸체의 척킹 표면(202)에 형성된다. 복수의 제1 도관들(212)은 복수의 제1 포트들(208) 및 복수의 제2 포트들(210)로부터 몸체(201)를 통해 바닥 표면(204)으로 연장된다. 제1 복수의 도관들(212) 각각은 제1 진공 공급원(214)에 결합된다. 따라서, 제1 진공 공급원(214)은 제1 복수의 도관들(212)을 통해 몸체(201)의 척킹 표면(202)뿐만 아니라 공동들(206)과도 유체 연통한다.
도 2b는 도 2a의 진공 척킹 장치(200)의 평면도이다. 예시된 실시예에서, 공동들(206)의 복수의 제1 포트들(208)뿐만 아니라 척킹 표면(202)에서의 복수의 제2 포트들(210)은 형상이 실질적으로 원형이다. 원형 포트들은 진공 척킹 장치(200)의 제조의 용이성을 개선할 수 있지만, 임의의 포트 형상이 활용될 수 있다는 것이 고려된다. 수 개의 제2 포트들(210)이 몸체(201)의 척킹 표면(202)에 걸쳐 분포되어 있는 것으로 도시되지만, 기판(100)의 실질적으로 평탄한 척킹을 가능하게 하기에 적합한 임의의 개수, 배열, 또는 분포의 제2 포트들(210)이 본 개시내용의 범위 내에 있는 것으로 고려된다.
작동 시에, 공동들(206)로부터 떨어진 영역들에서 기판(100)을 몸체(201)에 척킹하기 위해 진공 압력이 제1 진공 공급원(214)에 의해 생성된다. 추가적으로, 제1 진공 공급원(214)으로부터의 진공 압력은, 특히, 기판(100) 상의 미세구조들(106)의 위치들에 대응하는 영역들에서, 처리 동안 기판(100)을 안정화시키는 데에 활용된다.
리소그래피 프로세스, 특히, SCIL 프로세스에서, 패터닝된 템플릿(마스터 패턴으로부터 패터닝됨)은 기판의 제2 측(110) 상에 배치된 수지 층에 대해 효과적으로 가압된다. 예를 들어, 패터닝된 템플릿은 기판(100) 상의 수지 층에 대해 특정 간격들 및/또는 압력들로 가압되는 광학적으로 투명한 가요성 기판 상에 제공된다. 기판(100)을 몸체(201)에 진공 척킹하는 것이, 패터닝된 템플릿을 기판의 제2 측(110)에 적용하기 위해 바람직한 기판 평탄도를 달성하기에 충분하다는 것이 고려된다. 패터닝된 템플릿이 기판의 제2 측(110) 상의 수지에 적용된 이후, 패터닝된 템플릿 및 광학적으로 투명한 가요성 기판을 기판의 제2 측(110)으로부터 제거하지 않고 수지가 경화된다. 그러나, 수지의 경화 이후에, 패터닝된 템플릿 및 광학적으로 투명한 가요성 기판이 기판의 제2 측(110)으로부터 제거된다. 패터닝된 템플릿 및 광학적으로 투명한 가요성 기판은 기판의 제2 측(110) 상의 경화된 수지 층으로부터 효과적으로 박리되며, 이는 기판(100)의 굽힘 모멘트들 및/또는 응력들을 생성한다. 제거 프로세스는 도 3a-3c에서 더 상세히 설명된다.
도 3a는 패터닝된 템플릿(300)의, 기판(100)의 수지 층(315) 상으로의 전사 프로세스의 부분의 개략적인 단면도이다. 기판(100)은 본원에 설명된 바와 같이 진공 척킹 장치(200)에 척킹된다. 패터닝된 템플릿(300)은 광학적으로 투명한 가요성 기판(310)에 결합된 복수의 피쳐들(305)을 포함한다. 복수의 피쳐들(305) 각각은, 기판(100)의 제2 측(110) 상에 배치된 수지 층(315)에 대해 가압되는, 돌출부들, 오목부들 또는 이들의 조합일 수 있다. 패터닝된 템플릿(300)은, 구조들(325)의 패턴을 수지 층(315)에 또는 수지 층(315) 상에 전사하기 위해, 패터닝된 템플릿(300)에 양압을 점진적으로 인가하는 복수의 가변 압력 홈들(320)을 갖는 판(318)에 의해 수지 층(315)에 적용된다. 예를 들어, 패터닝된 템플릿(300)은, 판(318)의 가변 압력 홈들(320)로부터 압력을 선택적으로 인가함으로써, 기판(100)의 제1 측(327A)으로부터 기판(100)의 대향하는 제2 측(327B)까지 수지 층(315)에 대해 점진적으로 가압된다.
그러나, 수지 층(315)이 경화된 후에 발생하는, 패터닝된 템플릿(300)의 제거 동안, 패터닝된 템플릿(300)은, 판(318)의 가변 압력 홈들(320)로부터 진공을 선택적으로 인가함으로써, 기판(100)의 제2 측(327B)으로부터 기판(100)의 제1 측(327A)까지 수지 층(315)으로부터 박리 제거된다. 판(318)에 의한 이러한 점진적 진공 인가는, 가변 압력 홈들(320)로부터의 진공 압력의 인가에 기초하여 기판(100)의 제2 측(327B)으로부터 기판(100)의 제1 측(327A)으로 이동하는 분리 라인(330)을 형성한다. 패터닝된 템플릿(300)을 기판(100)으로부터 떼어낼 때 가변 압력 홈들(320)에 의해 제공되는 힘은 기판을 진공 척킹 장치(200)로부터 이탈시킬 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 패터닝된 템플릿(300)을 기판(100)으로부터 떼어낼 때 가변 압력 홈들(320)에 의해 제공되는 힘은 분리 라인(330)에서 기판(100)을 변형시킬 수 있다. 기판(100)의 변형이, 명시된 값을 초과하면, 기판(100)의 제1 측(102) 상의 미세구조들(106)이 손상될 수 있다. 본원에 설명된 바와 같은 진공 척킹 장치(200)는, 특히, 공동들(206)에 대응하는 위치들에서 기판(100)의 변형을 방지하거나 최소화하기 위해 활용된다.
도 3b 및 3c는 기판(100)을 상부에 갖는 진공 척킹 장치(200)의 부분들의 단면도이다. 도 3b 및 3c는 도 3a에 도시된 분리 라인(330)의 상이한 위치들에 기초하여 도 3a의 패터닝된 템플릿(300)의 제거 동안 기판(100)에서의 약간의 변형을 도시한다. 도 3b는 분리 라인(330)에서 기판(100)을 당기는 것에 대응하는 볼록 배향의 기판(100)을 도시하는 활성 공동(335A)을 도시한다. 도 3c는, 분리 라인(330)이 통과하기 이전 또는 이후의 제1 포트들(208) 중 하나를 통한 제1 진공 공급원(214)으로부터의 진공 인가로 인한 오목 배향의 기판(100)을 도시하는 유휴 공동(335B)을 도시한다. 활성 공동(335A) 및 유휴 공동(335B)은 도 2a 및 2b에 도시된 공동들(206) 중 각각의 공동이다. 일 실시예에서, 활성 공동(335A) 및 유휴 공동(335B) 각각 내의 압력은 동일하다. 그러나, 도 3b에 설명된 바와 같이 분리 라인(330)이 기판(100)에 인접할 때, 판(318)의 가변 압력 홈들(320)의 힘은 활성 공동(335A) 내의 압력을 극복한다.
그러나, 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 참조 번호 340으로 도시된, 변형의 정도는 본원에 개시된 바와 같은 진공 척킹 장치를 활용하는 사양들 내에 유지된다.
도 4a는 본원에 설명된 실시예에 따른, 도 2의 진공 척킹 장치(200)의 평면도를 예시한다. 예시된 제2 (표면) 포트들(210)은, 도 2a 및 2b에 도시된 실시예에 비해, 진공에 노출된 기판의 표면적을 증가시키기 위해서 불규칙한 형상의 홈 패턴이다.
도 4b는 도 4a의 진공 척킹 장치(200)의 단면도를 예시한다. 예시된 실시예에서, 진공 척킹 장치(200)는, 제2 복수의 포트들(404), 제2 복수의 도관들(402), 및 제2 진공 공급원(406)을 포함한다. 제2 복수의 포트들(404)은 공동들(206)의 바닥 표면(203)에 형성되고, 제2 복수의 도관들(402)은 제2 복수의 포트들(404) 각각으로부터 몸체(201)를 통해 바닥 표면(204)으로 연장된다. 이에 따라, 제2 복수의 도관들(402)은 제2 진공 공급원(406)에 결합된다.
작동 시에, 도 4a 및 4b의 진공 척킹 장치(200)는 기판(100)의 차압 척킹을 가능하게 한다. 제1 복수의 도관들(212) 및 제1 복수의 포트들(210)을 통해 기판(100)과 유체 연통하는 제1 진공 공급원(214)은, 기판을 몸체(201)의 척킹 표면(202)에 척킹하기 위해 제1 진공 압력을 생성한다. 제2 복수의 도관들(402) 및 제2 복수의 포트들(404)을 통해 공동들(206)과 유체 연통하는 제2 진공 공급원(406)은, 공동들(206)에 대한 압력을 더 감소시키고 기판(100)의 변형의 정도를 감소시키거나 제거하기 위해 제2 진공 압력을 생성한다. 제1 진공 압력은, 원하는 척킹 특징들에 따라, 제2 진공 압력보다 크거나, 그보다 작거나, 그와 동일할 수 있다는 것이 고려된다. 일부 구현들에서, 제1 진공 압력 및 제2 진공 압력은 진공 척킹 장치(200)가 작동 중인 주변 압력 미만일 수 있다. 주변 압력은 대기압(예를 들어, 760 또는 약 760 밀리미터 수은(mmHg))일 수 있다.
도 5a는 본원에 설명된 실시예에 따른, 도 2의 진공 척킹 장치(200)의 평면도를 예시한다. 도 5b는 도 5a의 라인들(5B-5B)을 따른, 진공 척킹 장치(200)의 개략적인 단면도이다. 이 실시예에서, 진공 척킹 장치(200)에는, 제1 압력 영역(500A), 제2 압력 영역(500B), 제3 압력 영역(500C) 및 제4 압력 영역(500D)을 포함하는 다수의 압력 영역들이 제공된다. 제4 압력 영역(500D)은, 상부에 형성된 미세구조들(106)을 갖지 않는 기판(100)의 부분들을 척킹하는 데에 활용되는 홈 패턴(505)에 의해 한정된다. 공동들(510A-510C)로서 도시된 공동들(206)은 위에서 설명된 바와 같이 미세구조들(106)을 갖는 기판의 부분들을 척킹하는 데에 활용된다. 공동들(510A-510C) 각각은 제1 진공 공급원(515A), 제2 진공 공급원(515B) 및 제3 진공 공급원(515C)과 유체 연통하고, 홈 패턴(505)은 제4 진공 공급원(515D)과 유체 연통한다. 진공 공급원들(515A-515D) 각각은 독립적으로 제어된다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 도관들(520)은 제4 진공 공급원(515D)에 결합된다. 복수의 제1 도관들(520) 각각의 표면 개구부(525)는 도 5a의 홈 패턴(505)과 유체 연통하며, 이는 공동들(510A-510C) 위에 배치되지 않은 기판(100)의 부분들을 척킹하는 데에 활용된다. 복수의 제2 도관들(530)은 공동들(510A)(도 5b의 측면도에 도시되지 않음) 및 제1 진공 공급원(515A)에 결합된다. 복수의 제3 도관들(535)은 공동들(510B) 및 제2 진공 공급원(515B)에 결합된다. 복수의 제3 도관들(535) 각각의 개구부(540)는 공동들(510B)에서 기판(100)의 노출된 부분들에 음압 인가를 제공한다. 복수의 제4 도관들(545)은 공동들(510C)(도 5b의 측면도에 도시되지 않음) 및 제3 진공 공급원(515C)에 결합된다. 도 5b의 측면도에 도시되지 않았지만, 복수의 제2 도관들(530) 및 복수의 제4 도관들(545)은, 각각, 공동들(510A 및 510C)에서 기판(100)의 노출된 부분들에 음압 인가를 제공하는, 개구부들(540)과 유사한 개구부들을 포함한다.
제4 압력 영역(500D)에서의 압력은 일정하게 유지될 수 있는 반면, 제1 압력 영역(500A), 제2 압력 영역(500B) 및 제3 압력 영역(500C)에서의 압력은 개별적으로 제어된다. 제1 압력 영역(500A), 제2 압력 영역(500B) 및 제3 압력 영역(500C)에서의 압력은 분리 라인(330)의 위치에 기초하여 변화될 수 있다. 예를 들어, 분리 라인(330)이, 제1 압력 영역(500A)에 도시된 바와 같이 공동들(510A)의 위치들에서 기판 위에 위치될 때, 공동들(510B 및 510C)의 압력에 비해 공동들(510A)에서 압력이 더 낮다. 그러나, 분리 라인(330)이 기판에 걸쳐, 예컨대, 제2 압력 영역(500B) 내의 공동들(510B) 위에서 이동할 때, 공동들(510A 및 510C)의 압력은 공동들(510B)의 압력보다 높다. 유사하게, 분리 라인(330)이 공동들(510C) 위에 있을 때, 공동들(510A 및 510B)의 압력에 비해 공동들(510C)에서 압력이 더 낮다.
도 6은 본원에 설명된 실시예에 따른 진공 척킹 장치(200)의 부분의 단면도를 예시한다. 이 실시예에서, 공동(206)에 지지 부재(600)가 제공된다. 지지 부재(600)는 기판(100)의 변형의 정도(340)를 감소시키거나 제거하면서 공동(206) 내에서 더 낮은 압력의 사용을 가능하게 하기 위해 활용된다. 지지 부재(600)는 제거가능한 피쳐일 수 있거나, 진공 척킹 장치(200)의 일부로서 형성될 수 있다. 지지 부재(600)는 기판(100)과 지지 부재(600)의 접촉이 미세구조들(106)을 손상시키지 않는 특정 유형들의 미세구조들(106)과 함께 사용될 수 있다.
요약하면, 기판 척킹 장치에 형성된 공동들을 갖는 기판 척킹 장치는, 양면 기판 처리를 위해, 상부에 형성된 미세구조들을 갖는 표면들을 갖는 기판들의 척킹을 가능하게 한다. 척킹 장치는 처리 동안 기판(100)의 변형의 정도(340)를 감소시키거나 제거하기 위해 활용되는 위에서 설명된 바와 같은 다양한 진공 척킹 요소들을 포함한다.
전술한 내용은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 그의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 그의 범위는 후속하는 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (20)

  1. 기판을 처리하기 위한 방법으로서,
    제1 표면을 갖는 기판을 척 상에 위치시키는 단계 ― 상기 기판은 상기 제1 표면 상에 형성된 복수의 구조들을 갖고, 상기 복수의 구조들 각각은 상기 척의 척킹 표면에 형성된 각각의 공동에 위치됨 ―;
    제1 압력을 상기 척킹 표면에 형성된 복수의 포트들을 통해 상기 제1 표면에 인가하면서 제2 압력을 상기 공동들의 쌍들에 인가하는 단계 ― 상기 제1 압력은 상기 제2 압력과 상이함 ―; 및
    상기 기판의 제2 표면 상에 복수의 구조들을 형성하는 단계를 포함하는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공동들은 공동들의 제1 쌍 및 공동들의 제2 쌍을 포함하는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 공동들의 제1 쌍은 제1 도관에 결합되고 상기 공동들의 제2 쌍은 제2 도관에 결합되는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 도관은 제1 진공 공급원에 결합되고 상기 제2 도관은 제2 진공 공급원에 결합되는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    복수의 표면 포트들 각각은 상기 척킹 표면에 형성된 홈 패턴과 유체 연통하는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 홈 패턴은 상기 공동들의 일부를 둘러싸는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 구조들을 제2 표면 상에 형성하는 단계는:
    수지 층을 상기 제2 표면 상에 형성하는 것; 및
    패턴을 템플릿으로부터 상기 수지 층 상으로 전사하는 것을 포함하는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 템플릿은 복수의 가변 압력 홈들에 의해 판에 결합되는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 가변 압력 홈들에 음압을 점진적으로 인가함으로써 상기 템플릿을 상기 수지 층으로부터 제거하는 것을 더 포함하는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  10. 기판을 처리하기 위한 방법으로서,
    상부에 형성된 복수의 구조들을 갖는 기판의 제1 주 표면을 척 상에 위치시키는 단계 ― 상기 척은 상기 척의 척킹 표면에 형성된 복수의 공동들을 포함하고 상기 복수의 공동들은 상기 기판 상에 형성된 상기 복수의 구조들의 패턴에 대응함 ―;
    제1 압력을 상기 척킹 표면에 형성된 복수의 포트들을 통해 상기 제1 주 표면에 인가하면서 제2 압력을 상기 복수의 공동들의 쌍들에 인가하는 단계 ― 상기 제1 압력은 상기 제2 압력과 상이함 ―; 및
    복수의 구조들을 상기 기판의 제2 주 표면 상에 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 구조들을 상기 제2 주 표면 상에 형성하는 단계는:
    수지 층을 상기 제2 주 표면 상에 형성하는 것; 및
    패턴을 템플릿으로부터 상기 수지 층 상으로 전사하는 것을 포함하는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 템플릿은 복수의 가변 압력 홈들에 의해 판에 결합되는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기판의 변형을 최소화하면서 상기 가변 압력 홈들에 음압을 점진적으로 인가함으로써 상기 템플릿을 상기 수지 층으로부터 제거하는 것을 더 포함하는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 공동들은 공동들의 제1 쌍 및 공동들의 제2 쌍을 포함하는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 공동들의 제1 쌍은 제1 도관에 결합되고 상기 공동들의 제2 쌍은 제2 도관에 결합되는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 도관은 제1 진공 공급원에 결합되고 상기 제2 도관은 제2 진공 공급원에 결합되는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  16. 기판을 처리하기 위한 방법으로서,
    상부에 형성된 복수의 구조들을 갖는 기판의 제1 주 표면을 척 상에 위치시키는 단계 ― 상기 척은 상기 척의 척킹 표면에 형성된 복수의 공동들을 포함하고 상기 복수의 공동들은 상기 기판 상에 형성된 상기 복수의 구조들의 패턴에 대응함 ―;
    제1 압력을 상기 척킹 표면에 형성된 복수의 포트들을 통해 상기 주 표면에 인가하면서 제2 압력을 상기 복수의 공동들의 쌍들에 인가하는 단계 ― 상기 제1 압력은 상기 제2 압력과 상이함 ―;
    복수의 구조들을 상기 기판의 제2 주 표면 상에 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 구조들을 상기 제2 주 표면 상에 형성하는 단계는:
    수지 층을 상기 제2 주 표면 상에 형성하는 것;
    패턴을 템플릿으로부터 상기 수지 층 상으로 전사하는 것; 및
    상기 복수의 공동들 각각에서의 압력을 변화시키면서 상기 템플릿을 상기 수지 층으로부터 제거하는 것을 포함하는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 공동들은 공동들의 제1 쌍 및 공동들의 제2 쌍을 포함하는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 공동들의 제1 쌍은 제1 도관에 결합되고 상기 공동들의 제2 쌍은 제2 도관에 결합되는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 도관은 제1 진공 공급원에 결합되고 상기 제2 도관은 제2 진공 공급원에 결합되는, 기판을 처리하기 위한 방법.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 템플릿은 복수의 가변 압력 홈들에 의해 판에 결합되는, 기판을 처리하기 위한 방법.
KR1020207026834A 2018-02-20 2019-01-29 양면 처리를 위한 패터닝된 진공 척 KR102369694B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020227006538A KR102434811B1 (ko) 2018-02-20 2019-01-29 양면 처리를 위한 패터닝된 진공 척

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862632867P 2018-02-20 2018-02-20
US62/632,867 2018-02-20
PCT/US2019/015569 WO2019164640A1 (en) 2018-02-20 2019-01-29 Patterned vacuum chuck for double-sided processing

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227006538A Division KR102434811B1 (ko) 2018-02-20 2019-01-29 양면 처리를 위한 패터닝된 진공 척

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200112998A KR20200112998A (ko) 2020-10-05
KR102369694B1 true KR102369694B1 (ko) 2022-03-04

Family

ID=67617054

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227006538A KR102434811B1 (ko) 2018-02-20 2019-01-29 양면 처리를 위한 패터닝된 진공 척
KR1020207026834A KR102369694B1 (ko) 2018-02-20 2019-01-29 양면 처리를 위한 패터닝된 진공 척

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227006538A KR102434811B1 (ko) 2018-02-20 2019-01-29 양면 처리를 위한 패터닝된 진공 척

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20190259648A1 (ko)
EP (1) EP3756215A4 (ko)
JP (2) JP7105900B2 (ko)
KR (2) KR102434811B1 (ko)
CN (1) CN111742402A (ko)
TW (2) TWI773370B (ko)
WO (1) WO2019164640A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220319903A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for substrate handling
US20240027896A1 (en) * 2022-07-25 2024-01-25 Applied Materials, Inc. Advanced-packaging high-volume-mode digital-lithography-tool

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080117551A1 (en) 2006-11-17 2008-05-22 Brackley Douglas E Flat surface air bearing assembly
US20100195080A1 (en) 2007-06-21 2010-08-05 Asml Netherlands B.V. Clamping Device And Object Loading Method
US20130156947A1 (en) 2011-12-16 2013-06-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Track Spin Wafer Chuck
US20160020352A1 (en) 2014-07-15 2016-01-21 Fundació Institut de Ciéncies Fotóniques Optoelectronic apparatus and fabrication method of the same
US20170282439A1 (en) 2016-03-30 2017-10-05 Canon Kabushiki Kaisha System and methods for nanoimprint lithography

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3729206A (en) * 1971-10-21 1973-04-24 Ibm Vacuum holding apparatus
EP0456426B1 (en) 1990-05-07 2004-09-15 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum type wafer holder
JPH06244269A (ja) * 1992-09-07 1994-09-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法
US5761023A (en) * 1996-04-25 1998-06-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback
US5989760A (en) * 1998-03-18 1999-11-23 Motorola, Inc. Method of processing a substrate utilizing specific chuck
JP2001127144A (ja) * 1999-08-19 2001-05-11 Canon Inc 基板吸着保持方法、基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2001127145A (ja) * 1999-08-19 2001-05-11 Canon Inc 基板吸着保持方法、基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2002009139A (ja) * 2000-06-20 2002-01-11 Nikon Corp 静電チャック
US6716084B2 (en) * 2001-01-11 2004-04-06 Nutool, Inc. Carrier head for holding a wafer and allowing processing on a front face thereof to occur
US7019819B2 (en) 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US20040163601A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 Masanori Kadotani Plasma processing apparatus
US20050035514A1 (en) 2003-08-11 2005-02-17 Supercritical Systems, Inc. Vacuum chuck apparatus and method for holding a wafer during high pressure processing
JP2005079415A (ja) * 2003-09-02 2005-03-24 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
CN101124133A (zh) * 2004-04-14 2008-02-13 科福罗科学解决方案有限公司 用于调整距离的非接触支撑平台
CN1965389B (zh) * 2004-06-09 2011-08-10 尼康股份有限公司 基板保持装置、具备其之曝光装置及方法、元件制造方法
US7636999B2 (en) * 2005-01-31 2009-12-29 Molecular Imprints, Inc. Method of retaining a substrate to a wafer chuck
US7798801B2 (en) * 2005-01-31 2010-09-21 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for nano-manufacturing
US7635263B2 (en) * 2005-01-31 2009-12-22 Molecular Imprints, Inc. Chucking system comprising an array of fluid chambers
US7670530B2 (en) * 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks
JP4827569B2 (ja) * 2006-03-23 2011-11-30 大日本スクリーン製造株式会社 基板支持構造とこれを用いた熱処理装置と基板支持構造に用いられるシート状物と基板支持構造の製造方法
JP4781901B2 (ja) * 2006-05-08 2011-09-28 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法，プログラム及び熱処理装置
JP4676925B2 (ja) * 2006-06-20 2011-04-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 基板搬送装置およびそれを用いた基板搬送方法
US7576018B2 (en) * 2007-03-12 2009-08-18 Tokyo Electron Limited Method for flexing a substrate during processing
JP5219599B2 (ja) * 2008-04-14 2013-06-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板吸着方法、及び表示用パネル基板の製造方法
US8851133B2 (en) * 2009-03-31 2014-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus of holding a device
US9164375B2 (en) 2009-06-19 2015-10-20 Canon Nanotechnologies, Inc. Dual zone template chuck
WO2011077882A1 (ja) 2009-12-25 2011-06-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 両面インプリント装置
NL2006536A (en) * 2010-05-13 2011-11-15 Asml Netherlands Bv A substrate table, a lithographic apparatus, a method of flattening an edge of a substrate and a device manufacturing method.
AT511627B1 (de) * 2011-07-01 2015-05-15 Mechatronic Systemtechnik Gmbh Vorrichtung zum halten eines flächigen substrats
JP5877005B2 (ja) * 2011-07-29 2016-03-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板保持装置、および、基板保持方法
JP5633766B2 (ja) * 2013-03-29 2014-12-03 Toto株式会社 静電チャック
JP6096047B2 (ja) * 2013-05-15 2017-03-15 株式会社ディスコ 切削装置およびパッケージ基板の加工方法
JP6333031B2 (ja) * 2014-04-09 2018-05-30 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP6312554B2 (ja) * 2014-08-13 2018-04-18 株式会社ディスコ パッケージ基板の加工方法
CN106229287B (zh) * 2016-09-30 2019-04-05 厦门市三安光电科技有限公司 用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法
JP7145212B2 (ja) * 2017-11-10 2022-09-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 両面処理のためのパターニングされたチャック

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080117551A1 (en) 2006-11-17 2008-05-22 Brackley Douglas E Flat surface air bearing assembly
US20100195080A1 (en) 2007-06-21 2010-08-05 Asml Netherlands B.V. Clamping Device And Object Loading Method
US20130156947A1 (en) 2011-12-16 2013-06-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Track Spin Wafer Chuck
US20160020352A1 (en) 2014-07-15 2016-01-21 Fundació Institut de Ciéncies Fotóniques Optoelectronic apparatus and fabrication method of the same
US20170282439A1 (en) 2016-03-30 2017-10-05 Canon Kabushiki Kaisha System and methods for nanoimprint lithography

Also Published As

Publication number Publication date
KR102434811B1 (ko) 2022-08-22
KR20220031747A (ko) 2022-03-11
JP2021514545A (ja) 2021-06-10
JP7105900B2 (ja) 2022-07-25
WO2019164640A1 (en) 2019-08-29
TWI773370B (zh) 2022-08-01
EP3756215A4 (en) 2021-11-10
JP2022160438A (ja) 2022-10-19
TW202141682A (zh) 2021-11-01
US20190259648A1 (en) 2019-08-22
TW201943015A (zh) 2019-11-01
US20200373188A1 (en) 2020-11-26
CN111742402A (zh) 2020-10-02
EP3756215A1 (en) 2020-12-30
US11222809B2 (en) 2022-01-11
KR20200112998A (ko) 2020-10-05
TWI741257B (zh) 2021-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022160438A (ja) 両面処理のためのパターニングされた真空チャック
KR102096690B1 (ko) 부분 필드를 임프린트 하는 임프린트 장치 및 방법
US11764099B2 (en) Patterned chuck for double-sided processing
CN111128819B (zh) 一种微器件转移装置及其制备方法
CN100594137C (zh) 图案形成方法和图案形成装置
US20150328827A1 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
US9105800B2 (en) Method of forming deposited patterns on a surface
TW201503279A (zh) 用於處理基材之方法與托架
US10395954B2 (en) Method and device for coating a product substrate
US20210351166A1 (en) Method And System For Transferring Alignment Marks Between Substrate Systems
JP5193662B2 (ja) 微細構造転写装置
TW201441021A (zh) 用於生產一透鏡晶圓之方法及裝置
JP1724481S (ja) ハンドリング用キャリア基板

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right