JP5219599B2 - プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板吸着方法、及び表示用パネル基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、プロキシミティ方式を用いて基板の露光を行うプロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板吸着方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に係り、特に受け渡し位置で基板をチャックに搭載し、チャックを受け渡し位置からフォトマスクの下の露光位置へ移動し、露光位置において、フォトマスクと基板とのギャップ合わせを行って、フォトマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板吸着方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。

表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、レンズ又は鏡を用いてフォトマスク（以下、「マスク」と称す）のパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙（プロキシミティギャップ）を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがある。プロキシミティ方式は、プロジェクション方式に比べてパターン解像性能は劣るが、照射光学系の構成が簡単で、かつ処理能力が高く量産用に適している。

プロキシミティ露光装置でパターンの転写を高精度に行うためには、露光時に、基板を歪み無く平坦に保持しなければならない。プロキシミティ露光装置は、基板を真空吸着して保持するチャックを備え、チャックは、基板の移動及び位置決めを行うステージ上に搭載されている。チャックへの基板の供給及びチャックからの基板の回収は、通常、ロボット等のハンドリングアームにより行われる。基板をチャックに真空吸着する際、従来は、基板を平坦かつ確実に吸着するために、基板の中央部を最初に吸着し、基板の中央部から周辺部へ向けて時間差を設けて吸着を行っていた。この様な基板の吸着方法又吸着装置に関するものとして、例えば、特許文献１及び特許文献２に記載のものがある。
特開平７−１８３３６６号公報 特開平９−８０４０４号公報

従来、プロキシミティ露光装置には、マスクの下の露光位置で基板をチャックに搭載するものと、露光位置から離れた受け渡し位置で基板をチャックに搭載し、基板を搭載したチャックを受け渡し位置から露光位置へ移動するものとがあった。近年、基板を搭載する際に発生した塵埃がマスクと基板との間に浮遊するのを防止するため、露光位置から離れた受け渡し位置で基板をチャックに搭載するものが主流となっている。チャックへの基板の搭載は、通常、チャックに設けた複数の突き上げピンを介して行われる。突き上げピンは、チャックの表面より上昇して、基板をロボット等のハンドリングアームから受け取った後、再び下降して、基板をチャックの表面に載せる。

従来のプロキシミティ方式を用いた基板の露光では、チャックへの基板の搭載に要する時間、基板の真空吸着に要する時間、及びチャックの受け渡し位置から露光位置への移動に要する時間が、そのままタクトタイムに影響を与えていた。タクトタイムを短縮するためには、チャックへの基板の搭載を迅速に行い、またチャックに搭載した基板の真空吸着を迅速に行わなければならない。基板の搭載を迅速に行うためには、基板を載せた突き上げピンを高速で下降させる必要がある。しかしながら、基板が大型化すると、突き上げピンを高速で下降させた場合、基板とチャックとの間の空気が逃げ切れずに基板の中央部に残り、基板の中央部が逃げ残った空気により盛り上がる現象が発生する。そして、基板の真空吸着を行う際、基板の中央部に残った空気の吸引に時間が掛かり、基板の真空吸着に要する時間が長くなる。

本発明の課題は、プロキシミティ方式を用いた基板の露光において、タクトタイムを短縮することである。また、本発明の課題は、基板を歪み無く平坦に保持して、パターンの転写を高精度に行うことである。また、本発明の課題は、高品質な表示用パネル基板を高いスループットで製造することである。

本発明のプロキシミティ露光装置は、基板を保持するチャックと、チャックを移動するステージとを備え、受け渡し位置で基板をチャックに搭載し、チャックをステージにより受け渡し位置からマスクの下の露光位置へ移動し、露光位置において、マスクと基板とのギャップ合わせを行って、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置において、チャックが、露光位置側の周辺部に設けられた第１の真空区画と、第１の真空区画に設けられた第１の吸着機構と、中央部に設けられた第２の真空区画と、第２の真空区画に設けられた第２の吸着機構と、露光位置と反対側の周辺部に設けられた第３の真空区画と、第３の真空区画に設けられた第３の吸着機構とを有し、ステージがチャックを受け渡し位置から露光位置へ移動する前に、第１の吸着機構を用いて第１の真空区画の真空引きを行う第１の空気圧回路と、ステージがチャックを受け渡し位置から露光位置へ移動するのと並行して、第２の吸着機構を用いて第２の真空区画の真空引きを行う第２の空気圧回路と、第２の空気圧回路が第２の吸着機構を用いて第２の真空区画の真空引きを行った後、第３の吸着機構を用いて第３の真空区画の真空引きを行う第３の空気圧回路とを備えたものである。

また、本発明のプロキシミティ露光装置の基板吸着方法は、受け渡し位置で基板をチャックに搭載し、チャックを受け渡し位置からマスクの下の露光位置へ移動し、露光位置において、マスクと基板とのギャップ合わせを行って、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置の基板吸着方法において、チャックの露光位置側の周辺部に第１の真空区画を設け、チャックの中央部に第２の真空区画を設け、チャックの露光位置と反対側の周辺部に第３の真空区画を設け、受け渡し位置で、基板をチャックに搭載し、第１の真空区画の真空引きを行った後、チャックを受け渡し位置から露光位置へ移動するのと並行して、第２の真空区画の真空引きを行い、第２の真空区画の真空引きを行った後、第３の真空区画の真空引きを行うものである。

チャックの露光位置側の周辺部に第１の真空区画を設け、受け渡し位置で、基板をチャックに搭載し、第１の真空区画の真空引きを行った後、チャックを受け渡し位置から露光位置へ移動する。移動中は、基板の移動方向側の周辺部が第１の真空区画により真空吸着されているので、基板とチャックとの間に空気が流れ込んで基板が歪むことがない。そして、チャックを受け渡し位置から露光位置へ移動するのと並行して、チャックの中央部に設けた第２の真空区画の真空引きを行う。従来は、基板全体の真空吸着を行った後に、チャックの受け渡し位置から露光位置への移動を行っていたので、基板全体の真空吸着に要する時間とチャックの移動時間の両方が、タクトタイムに含まれていた。本発明では、チャックの受け渡し位置から露光位置への移動と第２の真空区画の真空引きとを平行して行うので、チャックの移動時間又は第２の真空区画の真空引きに要する時間のいずれかが、タクトタイムに含まれなくなる。そして、チャックを受け渡し位置から露光位置へ移動する間に、基板の中央部に残った空気を吸引する時間が確保され、突き上げピンを高速で下降させることが可能となる。第２の真空区画の真空引きを行った後、チャックの露光位置と反対側の周辺部に設けた第３の真空区画の真空引きを行う。基板の中央部が残った空気で盛り上がったまま基板の周辺部が固定されることがなく、基板に真空吸着時の歪みが発生しないので、露光時にパターンの転写が高精度に行われる。

本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記プロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは、上記プロキシミティ露光装置の基板吸着方法を用いて基板をチャックで保持し、基板の露光を行うものである。タクトタイムが短縮され、パターンの転写が高精度に行われるので、高品質な表示用パネル基板が高いスループットで製造される。

本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置の基板吸着方法によれば、チャックの受け渡し位置から露光位置への移動時間と、チャックの中央部に設けた第２の真空区画の真空引きの時間のいずれかを、タクトタイムから削ることができ、また突き上げピンを高速で下降させることが可能となるので、タクトタイムを短縮することができる。また、基板を歪み無く平坦に保持して、パターンの転写を高精度に行うことができる。

本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、タクトタイムを短縮することができ、パターンの転写を高精度に行うことができるので、高品質な表示用パネル基板を高いスループットで製造することができる。

図１は、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の概略構成を示す図である。プロキシミティ露光装置は、ベース３、Ｘガイド４、Ｘステージ５、Ｙガイド６、Ｙステージ７、θステージ８、チャック支持台９、チャック１０、及びマスクホルダ２０を含んで構成されている。なお、プロキシミティ露光装置は、これらの他に、露光光を照射する照射光学系、チャック１０へ基板１を供給する供給ユニット、チャック１０から基板１を回収する回収ユニット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。

なお、以下に説明する実施の形態におけるＸＹ方向は例示であって、Ｘ方向とＹ方向とを入れ替えてもよい。

図１において、チャック１０は、基板１の受け渡しを行う受け渡し位置にある。受け渡し位置において、図示しない供給ユニットにより基板１がチャック１０へ供給され、また図示しない回収ユニットにより基板１がチャック１０から回収される。

基板１の露光を行う露光位置の上空には、マスク２を保持するマスクホルダ２０が設置されている。マスクホルダ２０は、マスク２の周辺部を真空吸着して保持する。マスクホルダ２０に保持されたマスク２の上空には、図示しない照射光学系が配置されている。露光時、照射光学系からの露光光がマスク２を透過して基板１へ照射されることにより、マスク２のパターンが基板１の表面に転写され、基板１上にパターンが形成される。

チャック１０は、チャック支持台９を介してθステージ８に搭載されており、θステージ８の下にはＹステージ７及びＸステージ５が設けられている。Ｘステージ５は、ベース３に設けられたＸガイド４に搭載され、Ｘガイド４に沿ってＸ方向（図面横方向）へ移動する。Ｙステージ７は、Ｘステージ５に設けられたＹガイド６に搭載され、Ｙガイド６に沿ってＹ方向（図面奥行き方向）へ移動する。θステージ８は、Ｙステージ７に搭載され、θ方向へ回転する。チャック支持台９は、θステージ８に搭載され、チャック１０を支持する。

Ｘステージ５のＸ方向への移動により、チャック１０は、受け渡し位置と露光位置との間を移動される。露光位置において、Ｘステージ５のＸ方向への移動及びＹステージ７のＹ方向への移動により、チャック１０に保持された基板１のＸＹ方向へのステップ移動が行われる。そして、Ｘステージ５のＸ方向への移動、Ｙステージ７のＹ方向への移動、及びθステージ８のθ方向への回転により、露光時の基板１の位置決めが行われる。また、図示しないＺ−チルト機構によりマスクホルダ２０をＺ方向（図面上下方向）へ移動及びチルトすることにより、マスク２と基板１とのギャップ合わせが行われる。

なお、本実施の形態では、マスクホルダ２０をＺ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク２と基板１とのギャップ合わせを行っているが、チャック支持台９の代わりにＺ−チルト機構を設けて、チャック１０をＺ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク２と基板１とのギャップ合わせを行ってもよい。

図２は、基板を搭載したチャックの上面図である。チャック１０の表面には、凸部１１、土手１２、吸着孔１３、及び突き上げピン１４が通る貫通孔が設けられている。凸部１１は、ピン形状であり、チャック１０の表面に所定の間隔で複数設けられている。チャック１０に基板１が搭載されたとき、凸部１１は、基板１を複数の点で支持する。このとき、チャック１０の表面の凸部１１以外の部分と基板１との間には、空間が形成される。土手１２は、所定の幅の連続した壁であり、チャック１０の表面の凸部１１以外の部分と基板１との間に形成された空間を、複数の真空区画に分ける。

図３は、チャックの真空区画を示す図である。本実施の形態では、チャック１０の表面が、土手１２によって、５つの真空区画１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅに分けられている。本実施の形態において、基板１は、図２及び図３に実線で示した横長の状態でチャック１０に搭載される。第１の真空区画１０ａは、受け渡し位置にあるチャック１０の露光位置側の周辺部に設けられている。第２の真空区画１０ｂは、受け渡し位置にあるチャック１０の中央部に設けられている。第３の真空区画１０ｃは、受け渡し位置にあるチャック１０の露光位置と反対側の周辺部に設けられている。真空区画１０ｄ，１０ｅは、本実施の形態では使用されず、基板１を図３に破線で示した縦長の状態で搭載する場合に使用される。

なお、本実施の形態では、第２の真空区画１０ｂをチャック１０の中央部に１つだけ設けているが、第２の真空区画１０ｂをさらに複数の真空区画に分割してもよい。

図２において、チャック１０の表面には、突き上げピン１４が通る複数の貫通孔が設けられており、各突き上げピン１４は、チャック１０の裏面から各貫通孔へ挿入されている。図４は、突き上げピンの動作を説明する図である。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）のチャック１０は、図２のＡ−Ａ部の断面を示したものである。複数の突き上げピン１４は、共通の突き上げフレーム１５に取り付けられている。突き上げフレーム１５が下降した状態にあるとき、図４（ａ）に示す様に、突き上げピン１４の先端は、チャック１０に設けた貫通孔の内部に位置する。突き上げフレーム１５を上昇することにより、図４（ｂ）に示す様に、突き上げピン１４の先端は、貫通孔から突き出てチャック１０の表面より高い位置に来る。この状態で、突き上げピン１４は、基板１を図示しない供給ユニットのハンドリングアームから受け取る。そして、突き上げフレーム１５を再び下降することにより、図４（ｃ）に示す様に、突き上げピン１４が下降して、基板１がチャック１０に搭載される。このとき、突き上げピン１４を高速で下降させると、基板１とチャック１０との間の空気が逃げ切れずに基板１の中央部に残り、図４（ｃ）に示す様に、基板１の中央部が逃げ残った空気により盛り上がる。

図２において、各真空区画１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅには、複数の吸着孔１３が設けられている。チャック１０の裏面において、吸着孔１３には空気圧回路が接続されている。図５は、空気圧回路の構成を示す図である。図５のチャック１０は、図２のＢ−Ｂ部の断面を示したものである。

第１の真空区画１０ａに設けられた吸着孔１３には、管継手３０ａ、配管３１ａ、電磁弁３２ａ、レギュレータ３３ａ、流量調節器３４ａ、電磁弁３５ａ及びレギュレータ３６ａを含む第１の空気圧回路が接続されている。吸着孔１３に管継手３０ａを介して接続された配管３１ａは、二股に分岐しており、その一方には、電磁弁３２ａ及びレギュレータ３３ａを介して真空設備が接続されている。他方には、流量調節器３４ａ、電磁弁３５ａ及びレギュレータ３６ａを介して、空気供給設備が接続されている。

電磁弁３５ａを閉じた状態で電磁弁３２ａを開くと、第１の真空区画１０ａ内の空気が、吸着孔１３から管継手３０ａ、配管３１ａ、電磁弁３２ａ及びレギュレータ３３ａを介して真空設備へ吸引され、第１の真空区画１０ａの真空引きが行われる。レギュレータ３３ａは、第１の真空区画１０ａ内の空気を所定の圧力に調節する。

第２の真空区画１０ｂに設けられた吸着孔１３には、管継手３０ｂ、配管３１ｂ、電磁弁３２ｂ、レギュレータ３３ｂ、流量調節器３４ｂ、電磁弁３５ｂ及びレギュレータ３６ｂを含む第２の空気圧回路が接続されている。吸着孔１３に管継手３０ｂを介して接続された配管３１ｂは、二股に分岐しており、その一方には、電磁弁３２ｂ及びレギュレータ３３ｂを介して真空設備が接続されている。他方には、流量調節器３４ｂ、電磁弁３５ｂ及びレギュレータ３６ｂを介して、空気供給設備が接続されている。

電磁弁３５ｂを閉じた状態で電磁弁３２ｂを開くと、第２の真空区画１０ｂ内の空気が、吸着孔１３から管継手３０ｂ、配管３１ｂ、電磁弁３２ｂ及びレギュレータ３３ｂを介して真空設備へ吸引され、第２の真空区画１０ｂの真空引きが行われる。レギュレータ３３ｂは、第２の真空区画１０ｂ内の空気を所定の圧力に調節する。

第３の真空区画１０ｃに設けられた吸着孔１３には、管継手３０ｃ、配管３１ｃ、電磁弁３２ｃ、レギュレータ３３ｃ、流量調節器３４ｃ、電磁弁３５ｃ及びレギュレータ３６ｃを含む第３の空気圧回路が接続されている。吸着孔１３に管継手３０ｃを介して接続された配管３１ｃは、二股に分岐しており、その一方には、電磁弁３２ｃ及びレギュレータ３３ｃを介して真空設備が接続されている。他方には、流量調節器３４ｃ、電磁弁３５ｃ及びレギュレータ３６ｃを介して、空気供給設備が接続されている。

電磁弁３５ｃを閉じた状態で電磁弁３２ｃを開くと、第３の真空区画１０ｃ内の空気が、吸着孔１３から管継手３０ｃ、配管３１ｃ、電磁弁３２ｃ及びレギュレータ３３ｃを介して真空設備へ吸引され、第３の真空区画１０ｃの真空引きが行われる。レギュレータ３３ｃは、第３の真空区画１０ｃ内の空気を所定の圧力に調節する。

基板１の真空吸着を解除する場合、電磁弁３２ａ，３２ｂ，３２ｃを閉じて電磁弁３５ａ，３５ｂ，３５ｃを開くと、空気供給設備からの空気が、レギュレータ３６ａ，３６ｂ，３６ｃ、電磁弁３５ａ，３５ｂ，３５ｃ、流量調節器３４ａ，３４ｂ，３４ｃ、配管３１ａ，３１ｂ，３１ｃ及び管継手３０ａ，３０ｂ，３０ｃを介して吸着孔１３へ供給され、真空区画１０ａ，１０ｂ，１０ｃへエアブローが行われる。レギュレータ３６ａ，３６ｂ，３６ｃは、空気供給設備からの空気を所定の圧力に調節し、また流量調節器３４ａ，３４ｂ，３４ｃは、空気供給設備からの空気を所定の流量に調節する。

以下、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の基板吸着方法について説明する。図６は、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の基板吸着方法を説明する図である。図６（ａ），（ｂ），（ｃ）のチャック１０は、図２のＢ−Ｂ部の断面を示したものである。図６（ａ）において、チャック１０は、受け渡し位置にある。受け渡し位置において、基板１をチャック１０に搭載した後、チャック１０を受け渡し位置から露光位置へ移動する前に、第１の空気圧回路により、チャック１０の露光位置側の周辺部に設けた第１の真空区画１０ａの真空引きを行う。第１の真空区画１０ａ内の空気が所定の圧力に達した後、チャック１０の受け渡し位置から露光位置への移動を開始する。

図６（ｂ），（ｃ）において、チャック１０は、受け渡し位置から露光位置への移動中である。移動中は、基板１の移動方向側の周辺部が第１の真空区画１０ａにより真空吸着されているので、基板１とチャック１０との間に空気が流れ込んで基板１が歪むことがない。

図６（ｂ）において、チャック１０を受け渡し位置から露光位置へ移動するのと並行して、第２の空気圧回路により、チャック１０の中央部に設けた第２の真空区画１０ｂの真空引きを行う。従来は、基板全体の真空吸着を行った後に、チャックの受け渡し位置から露光位置への移動を行っていたので、基板全体の真空吸着に要する時間とチャックの移動時間の両方が、タクトタイムに含まれていた。本実施の形態では、チャック１０の受け渡し位置から露光位置への移動と第２の真空区画１０ｂの真空引きとを平行して行うので、チャック１０の移動時間又は第２の真空区画１０ｂの真空引きに要する時間のいずれかが、タクトタイムに含まれなくなる。そして、チャック１０を受け渡し位置から露光位置へ移動する間に、基板１の中央部に残った空気を吸引する時間が確保され、突き上げピン１４を高速で下降させることが可能となる。

図６（ｃ）において、第２の真空区画１０ｂ内の空気が所定の圧力に達した後、第３の空気圧回路により、チャック１０の露光位置と反対側の周辺部に設けた第３の真空区画１０ｃの真空引きを行う。基板１の中央部が残った空気で盛り上がったまま基板１の周辺部が固定されることがなく、基板１に真空吸着時の歪みが発生しないので、露光時にパターンの転写が高精度に行われる。

図７は、チャックを露光位置へ移動した状態を示す図である。図６に示した実施の形態では、第２の真空区画１０ｂの真空引きに要する時間がチャック１０の受け渡し位置から露光位置への移動時間よりも短く、チャック１０の移動中に第３の真空区画１０ｃの真空引きを開始している。第２の真空区画１０ｂの真空引きに要する時間がチャック１０の移動時間よりも長い場合は、チャック１０を露光位置へ移動した後も第２の真空区画１０ｂの真空引きを続け、第２の真空区画１０ｂ内の空気が所定の圧力に達した後に、第３の真空区画１０ｃの真空引きを開始する。

以上説明した実施の形態によれば、チャック１０の受け渡し位置から露光位置への移動時間と、チャック１０の中央部に設けた第２の真空区画１０ｂの真空引きの時間のいずれかを、タクトタイムから削ることができ、また突き上げピン１４を高速で下降させることが可能となるので、タクトタイムを短縮することができる。また、基板１を歪み無く平坦に保持して、パターンの転写を高精度に行うことができる。

本発明のプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは、本発明のプロキシミティ露光装置の基板吸着方法を用いて基板をチャックで保持し、基板の露光を行うことにより、タクトタイムを短縮することができ、パターンの転写を高精度に行うことができるので、高品質な表示用パネル基板を高いスループットで製造することができる。

例えば、図８は、液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程（ステップ１０１）では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程（ステップ１０２）では、ロール塗布法等により感光樹脂材料（フォトレジスト）を塗布して、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程（ステップ１０３）では、プロキシミティ露光装置や投影露光装置等を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。現像工程（ステップ１０４）では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程（ステップ１０５）では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程（ステップ１０６）では、エッチング工程（ステップ１０５）でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にＴＦＴアレイが形成される。

また、図９は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程（ステップ２０２）では、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程（ステップ２０３）では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程（ステップ２０４）では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。

図８に示したＴＦＴ基板の製造工程では、露光工程（ステップ１０３）において、図９に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）及び着色パターン形成工程（ステップ２０２）の露光処理において、本発明のプロキシミティ露光装置又は本発明のプロキシミティ露光装置の基板吸着方法を適用することができる。

本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の概略構成を示す図である。 基板を搭載したチャックの上面図である。 チャックの真空区画を示す図である。 突き上げピンの動作を説明する図である。 空気圧回路の構成を示す図である。 本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の基板吸着方法を説明する図である。 チャックを露光位置へ移動した状態を示す図である。 液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。 液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。

符号の説明

１ 基板
２ マスク
３ ベース
４ Ｘガイド
５ Ｘステージ
６ Ｙガイド
７ Ｙステージ
８ θステージ
９ チャック支持台
１０ チャック
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ 真空区画
１１ 凸部
１２ 土手
１３ 吸着孔
１４ 突き上げピン
１５ 突き上げフレーム
２０ マスクホルダ
３０ａ，３０ｂ，３０ｃ 管継手
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ 配管
３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３５ａ，３５ｂ，３５ｃ 電磁弁
３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３６ａ，３６ｂ，３６ｃ レギュレータ
３４ａ，３４ｂ，３４ｃ 流量調節器

Claims (4)

1. 基板を保持するチャックと、前記チャックを移動するステージとを備え、受け渡し位置で基板を前記チャックに搭載し、前記チャックを前記ステージにより受け渡し位置からフォトマスクの下の露光位置へ移動し、露光位置において、フォトマスクと基板とのギャップ合わせを行って、フォトマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置において、
   前記チャックは、露光位置側の周辺部に設けられた第１の真空区画と、該第１の真空区画に設けられた第１の吸着機構と、中央部に設けられた第２の真空区画と、該第２の真空区画に設けられた第２の吸着機構と、露光位置と反対側の周辺部に設けられた第３の真空区画と、該第３の真空区画に設けられた第３の吸着機構とを有し、
   前記ステージが前記チャックを受け渡し位置から露光位置へ移動する前に、前記第１の吸着機構を用いて前記第１の真空区画の真空引きを行う第１の空気圧回路と、
   前記ステージが前記チャックを受け渡し位置から露光位置へ移動するのと並行して、前記第２の吸着機構を用いて前記第２の真空区画の真空引きを行う第２の空気圧回路と、
   前記第２の空気圧回路が前記第２の吸着機構を用いて前記第２の真空区画の真空引きを行った後、前記第３の吸着機構を用いて前記第３の真空区画の真空引きを行う第３の空気圧回路とを備えたことを特徴とするプロキシミティ露光装置。
2. 受け渡し位置で基板をチャックに搭載し、チャックを受け渡し位置からフォトマスクの下の露光位置へ移動し、露光位置において、フォトマスクと基板とのギャップ合わせを行って、フォトマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置の基板吸着方法において、
   チャックの露光位置側の周辺部に第１の真空区画を設け、チャックの中央部に第２の真空区画を設け、チャックの露光位置と反対側の周辺部に第３の真空区画を設け、
   受け渡し位置で、基板をチャックに搭載し、第１の真空区画の真空引きを行った後、
   チャックを受け渡し位置から露光位置へ移動するのと並行して、第２の真空区画の真空引きを行い、
   第２の真空区画の真空引きを行った後、第３の真空区画の真空引きを行うことを特徴とするプロキシミティ露光装置の基板吸着方法。
3. 請求項１に記載のプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
4. 請求項２に記載のプロキシミティ露光装置の基板吸着方法を用いて基板をチャックで保持し、基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。

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