JPH10172897A - 基板アダプタ，基板保持装置及び基板保持方法 - Google Patents
基板アダプタ，基板保持装置及び基板保持方法Info
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- JPH10172897A JPH10172897A JP34061896A JP34061896A JPH10172897A JP H10172897 A JPH10172897 A JP H10172897A JP 34061896 A JP34061896 A JP 34061896A JP 34061896 A JP34061896 A JP 34061896A JP H10172897 A JPH10172897 A JP H10172897A
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- substrate holder
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板厚さの変更に対して効率のよい作業で容
易に対応でき、投影レンズなどの破損の可能性も低減し
て、露光装置の稼働率の向上を図る。 【解決手段】 （A）のように、基板ＷＡがセラミック
ス基板などのような比較的厚い場合には、アダプタ７０
を必要とせず、基板ホルダ５０に対して直接基板ＷＡを
吸着する。しかし、（B）のように、基板ＷＢがシリコ
ンウエハなどのような比較的薄い場合には、基板ホルダ
５０にアダプタ７０を吸着し、このアダプタ７０に基板
ＷＢを吸着する。これにより、何れにおいても、投影光
学系の像面と基板表面の高さが一致するようになる。
易に対応でき、投影レンズなどの破損の可能性も低減し
て、露光装置の稼働率の向上を図る。 【解決手段】 （A）のように、基板ＷＡがセラミック
ス基板などのような比較的厚い場合には、アダプタ７０
を必要とせず、基板ホルダ５０に対して直接基板ＷＡを
吸着する。しかし、（B）のように、基板ＷＢがシリコ
ンウエハなどのような比較的薄い場合には、基板ホルダ
５０にアダプタ７０を吸着し、このアダプタ７０に基板
ＷＢを吸着する。これにより、何れにおいても、投影光
学系の像面と基板表面の高さが一致するようになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、感応性の基板に
対して所定パターンを投影するための露光装置にかか
り、更に具体的には、１台の装置によって異なる厚さの
基板に対する露光を行う際に好適な基板アダプタ，基板
保持装置及び基板保持方法に関するものである。
対して所定パターンを投影するための露光装置にかか
り、更に具体的には、１台の装置によって異なる厚さの
基板に対する露光を行う際に好適な基板アダプタ，基板
保持装置及び基板保持方法に関するものである。
【０００２】
【背景技術と発明が解決しようとする課題】従来の露光
装置のＺステージの駆動可能範囲は、ある基準の基板厚
さに対して設定されている。従って、厚さが大きく異な
る基板に対して露光を行う場合には、基板ホルダが、基
板の厚さに対応するような厚いもの又は薄いものに交換
される。すなわち、厚さが大きく異なる基板の場合、そ
のまま基板を基板ホルダに吸着すると、露光装置の投影
レンズ像面高さ位置と基板表面高さ位置が大きく異なる
ようになる。このため、基板ステージの高さ方向（Ｚ方
向）の駆動による高さ調整のみでは対応しきれない。
装置のＺステージの駆動可能範囲は、ある基準の基板厚
さに対して設定されている。従って、厚さが大きく異な
る基板に対して露光を行う場合には、基板ホルダが、基
板の厚さに対応するような厚いもの又は薄いものに交換
される。すなわち、厚さが大きく異なる基板の場合、そ
のまま基板を基板ホルダに吸着すると、露光装置の投影
レンズ像面高さ位置と基板表面高さ位置が大きく異なる
ようになる。このため、基板ステージの高さ方向（Ｚ方
向）の駆動による高さ調整のみでは対応しきれない。
【０００３】例えば、シリコンウエハの場合は通常０．
５mm程度の厚さであり、セラミックス基板の場合は１〜
３mm程度の厚さとなっている。このため、シリコンウエ
ハの場合は比較的厚い基板ホルダが使用され、セラミッ
クス基板の場合は比較的薄い基板ホルダが使用される。
基板ホルダは、基板ステージに対して通常ねじ止めされ
る。図５には、その様子が示されている。同図（A）は
セラミックス基板１００の場合であり、基板ステージ１
０２上には比較的薄い基板ホルダ１０４が取付けられ、
これにセラミックス基板１００が吸着される。同図
（B）はシリコンウエハ１０６の場合であり、基板ステ
ージ１０２上には比較的厚い基板ホルダ１０８が取付け
られ、これにシリコンウエハ１０６が吸着される。この
ように、基板ホルダの厚さを変更することで、投影レン
ズ像面と基板表面の高さが一致するようになる。
５mm程度の厚さであり、セラミックス基板の場合は１〜
３mm程度の厚さとなっている。このため、シリコンウエ
ハの場合は比較的厚い基板ホルダが使用され、セラミッ
クス基板の場合は比較的薄い基板ホルダが使用される。
基板ホルダは、基板ステージに対して通常ねじ止めされ
る。図５には、その様子が示されている。同図（A）は
セラミックス基板１００の場合であり、基板ステージ１
０２上には比較的薄い基板ホルダ１０４が取付けられ、
これにセラミックス基板１００が吸着される。同図
（B）はシリコンウエハ１０６の場合であり、基板ステ
ージ１０２上には比較的厚い基板ホルダ１０８が取付け
られ、これにシリコンウエハ１０６が吸着される。この
ように、基板ホルダの厚さを変更することで、投影レン
ズ像面と基板表面の高さが一致するようになる。
【０００４】しかしながら、以上のような背景技術で
は、基板の厚さに対応した基板ホルダの交換作業にねじ
の着脱など相当の手数と時間がかかり、露光装置の稼働
率が低下するという不都合がある。また、交換作業中に
投影レンズなどの破損，基板ステージ上に対するごみの
落下などが生ずる可能性もある。
は、基板の厚さに対応した基板ホルダの交換作業にねじ
の着脱など相当の手数と時間がかかり、露光装置の稼働
率が低下するという不都合がある。また、交換作業中に
投影レンズなどの破損，基板ステージ上に対するごみの
落下などが生ずる可能性もある。
【０００５】この発明は、以上の点に着目したもので、
基板厚さの変更に対して、効率のよい作業で容易に対応
することができ、また投影レンズなどの破損の可能性も
低減されて、露光装置の稼働率の向上を図ることができ
る基板アダプタ，基板保持装置及び基板保持方法を提供
することを、その目的とするものである。
基板厚さの変更に対して、効率のよい作業で容易に対応
することができ、また投影レンズなどの破損の可能性も
低減されて、露光装置の稼働率の向上を図ることができ
る基板アダプタ，基板保持装置及び基板保持方法を提供
することを、その目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、この発明は、基板（W）を保持するための基板ホル
ダ（50）に対して前記基板の表面を所定の高さを保つた
めに、前記基板と前記基板ホルダとの間に挿脱可能とな
るように基板アダプタ（70）を設けることを特徴とす
る。他の発明は、前記基板ホルダが、基板表面を所定の
高さに保つために前記基板と前記基板ホルダとの間に挿
入されるアダプタを保持可能に構成されたことを特徴と
する。主要な形態によれば、前記基板ホルダに前記アダ
プタを吸着保持するとともに、前記アダプタに前記基板
を吸着保持するための吸着手段（52,54,56,72,76）が更
に設けられる。
め、この発明は、基板（W）を保持するための基板ホル
ダ（50）に対して前記基板の表面を所定の高さを保つた
めに、前記基板と前記基板ホルダとの間に挿脱可能とな
るように基板アダプタ（70）を設けることを特徴とす
る。他の発明は、前記基板ホルダが、基板表面を所定の
高さに保つために前記基板と前記基板ホルダとの間に挿
入されるアダプタを保持可能に構成されたことを特徴と
する。主要な形態によれば、前記基板ホルダに前記アダ
プタを吸着保持するとともに、前記アダプタに前記基板
を吸着保持するための吸着手段（52,54,56,72,76）が更
に設けられる。
【０００７】本発明によれば、通常使用される基板より
も薄い基板を使用する場合、その厚さの変化を吸収でき
るような厚さに製作されたアダプタを、基板と基板ホル
ダの間に装着することによって、基板の厚さの変化を吸
収して対応する。このため、基板ホルダを交換すること
なく基板厚さの変化に対応できるため、投影レンズなど
の破損もなく、基板厚さの変更作業も効率よくでき、露
光装置の稼働率が向上する。
も薄い基板を使用する場合、その厚さの変化を吸収でき
るような厚さに製作されたアダプタを、基板と基板ホル
ダの間に装着することによって、基板の厚さの変化を吸
収して対応する。このため、基板ホルダを交換すること
なく基板厚さの変化に対応できるため、投影レンズなど
の破損もなく、基板厚さの変更作業も効率よくでき、露
光装置の稼働率が向上する。
【０００８】この発明の前記及び他の目的，特徴，利点
は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態につい
て、実施例を参照しながら詳細に説明する。図２には、
本実施例を適用した露光装置の主要構成が示されてい
る。同図において、露光照明用の光源１０は、例えば水
銀ランプやエキシマレーザなどによって構成されてい
る。この光源１０の露光光ＩＬの射出側には、ミラーや
レンズなどによる照明光学系１２が配置されている。そ
して、この照明光学系１２の露光光ＩＬの射出側には、
レチクルＲが設けられている。
て、実施例を参照しながら詳細に説明する。図２には、
本実施例を適用した露光装置の主要構成が示されてい
る。同図において、露光照明用の光源１０は、例えば水
銀ランプやエキシマレーザなどによって構成されてい
る。この光源１０の露光光ＩＬの射出側には、ミラーや
レンズなどによる照明光学系１２が配置されている。そ
して、この照明光学系１２の露光光ＩＬの射出側には、
レチクルＲが設けられている。
【００１０】レチクルＲは、集積回路用のパターンなど
が描かれた原板であり、アライメント用のマーク（図示
せず）も形成されている。このようなレチクルＲは、レ
チクルホルダ１４に真空吸着されて保持されており、こ
のレチクルホルダ１４は、レチクルステージ１６に固定
されている。更に、レチクルＲの近傍には、そのアライ
メント用マークを観察して観察結果を検知するためのレ
チクルアライメント部１８が設けられている。このレチ
クルアライメント部１８には、アライメント顕微鏡や画
像取り込みのためのイメージセンサが含まれている。
が描かれた原板であり、アライメント用のマーク（図示
せず）も形成されている。このようなレチクルＲは、レ
チクルホルダ１４に真空吸着されて保持されており、こ
のレチクルホルダ１４は、レチクルステージ１６に固定
されている。更に、レチクルＲの近傍には、そのアライ
メント用マークを観察して観察結果を検知するためのレ
チクルアライメント部１８が設けられている。このレチ
クルアライメント部１８には、アライメント顕微鏡や画
像取り込みのためのイメージセンサが含まれている。
【００１１】レチクルＲの露光光ＩＬの透過側には投影
光学系２０が配置されており、露光光ＩＬは投影光学系
２０を介して感光剤が塗布された基板Ｗに入射する構成
となっている。投影光学系２０の近傍には、基板アライ
メント部２２が設けられている。この基板アライメント
部２２は、基板Ｗ上に塗布された感光剤の吸収による悪
影響やプロセスに対する悪影響を生じないにするなどの
理由により、通常は感光剤を感応させない波長の光で観
察するように構成される。この基板アライメント部２２
には、アライメント顕微鏡や画像取り込みのためのイメ
ージセンサが含まれている。
光学系２０が配置されており、露光光ＩＬは投影光学系
２０を介して感光剤が塗布された基板Ｗに入射する構成
となっている。投影光学系２０の近傍には、基板アライ
メント部２２が設けられている。この基板アライメント
部２２は、基板Ｗ上に塗布された感光剤の吸収による悪
影響やプロセスに対する悪影響を生じないにするなどの
理由により、通常は感光剤を感応させない波長の光で観
察するように構成される。この基板アライメント部２２
には、アライメント顕微鏡や画像取り込みのためのイメ
ージセンサが含まれている。
【００１２】前記基板Ｗは、後述するアダプタ７０を介
して基板ホルダ５０に吸着されており、更にこの基板ホ
ルダ５０は基板ステージ２６上に保持されている。この
基板ステージ２６により、投影光学系２０の光軸ＡＸに
垂直な面内を基板ホルダ５０が移動する構成となってい
る。また、基板ステージ２６上の端部には、反射鏡２８
が設置されており、これと干渉計３０によって基板ステ
ージ２６の位置が正確に測定されるようになっている。
なお、レチクル側にも、必要に応じて反射鏡と干渉計に
よる位置計測手段が設けられる。更に、基板ステージ２
６上には、ほぼ基板Ｗと同一面となるように基準板３２
が設置されている。この基準板３２上には必要数のアラ
イメント用のマーク（図示せず）が設けられている。
して基板ホルダ５０に吸着されており、更にこの基板ホ
ルダ５０は基板ステージ２６上に保持されている。この
基板ステージ２６により、投影光学系２０の光軸ＡＸに
垂直な面内を基板ホルダ５０が移動する構成となってい
る。また、基板ステージ２６上の端部には、反射鏡２８
が設置されており、これと干渉計３０によって基板ステ
ージ２６の位置が正確に測定されるようになっている。
なお、レチクル側にも、必要に応じて反射鏡と干渉計に
よる位置計測手段が設けられる。更に、基板ステージ２
６上には、ほぼ基板Ｗと同一面となるように基準板３２
が設置されている。この基準板３２上には必要数のアラ
イメント用のマーク（図示せず）が設けられている。
【００１３】次に、前記基板アライメント部２２による
観察像の画像信号の出力側は、主制御部３４に接続され
ている。また、前記レチクルアライメント部１８や干渉
計３０の出力側も主制御部３４に接続されている。主制
御部３４は、ステージ１６，２６を駆動して、それら各
入力に基づいてレチクルＲの露光装置上における位置を
測定するとともに、例えばステップアンドリピートの露
光処理を制御する機能を備えている。
観察像の画像信号の出力側は、主制御部３４に接続され
ている。また、前記レチクルアライメント部１８や干渉
計３０の出力側も主制御部３４に接続されている。主制
御部３４は、ステージ１６，２６を駆動して、それら各
入力に基づいてレチクルＲの露光装置上における位置を
測定するとともに、例えばステップアンドリピートの露
光処理を制御する機能を備えている。
【００１４】次に、以上のように構成された露光装置の
全体動作を説明する。露光に先立ち、基板Ｗ上に投影露
光されている既存パターンに対して、レチクルＲのパタ
ーンを精度よく重ね合せ露光するために、アライメント
が行われる。すなわち、主制御部３４によって、基板ス
テージ２６上の基準板３２が、投影光学系２０の光軸Ａ
Ｘと基板アライメント部２２の光軸ＡＸＸ下に来るよう
に移動する。一方、レチクルアライメント部１８及び基
板アライメント部２２の観察像は、いずれも主制御部３
４に取り込まれる。主制御部３４は、予め位置関係が正
確に判っている基準板３２上のマークに対して、レチク
ルＲのアライメントマークの像が重なるように基板ステ
ージ２６あるいはレチクルステージ１６をシフト又は回
転して位置決めする。これにより、基準板３２上のマー
クの中心位置と、レチクルＲのパターン像の中心が一致
するようになる。
全体動作を説明する。露光に先立ち、基板Ｗ上に投影露
光されている既存パターンに対して、レチクルＲのパタ
ーンを精度よく重ね合せ露光するために、アライメント
が行われる。すなわち、主制御部３４によって、基板ス
テージ２６上の基準板３２が、投影光学系２０の光軸Ａ
Ｘと基板アライメント部２２の光軸ＡＸＸ下に来るよう
に移動する。一方、レチクルアライメント部１８及び基
板アライメント部２２の観察像は、いずれも主制御部３
４に取り込まれる。主制御部３４は、予め位置関係が正
確に判っている基準板３２上のマークに対して、レチク
ルＲのアライメントマークの像が重なるように基板ステ
ージ２６あるいはレチクルステージ１６をシフト又は回
転して位置決めする。これにより、基準板３２上のマー
クの中心位置と、レチクルＲのパターン像の中心が一致
するようになる。
【００１５】他方、基準板３２上の他のマークは、基板
アライメント部２２によって観察され、その観察結果か
ら投影光学系２０と基板アライメント部２２の相対的な
位置関係，すなわちベースラインＢＬ（光軸ＡＸ，ＡＸ
Ｘの間隔に相当）が求められる。
アライメント部２２によって観察され、その観察結果か
ら投影光学系２０と基板アライメント部２２の相対的な
位置関係，すなわちベースラインＢＬ（光軸ＡＸ，ＡＸ
Ｘの間隔に相当）が求められる。
【００１６】露光時は、まず基板アライメント部２２
に、基板Ｗ上の該当するショットの既存パターンを合わ
せ、次に前記ベースラインＢＬに相当する量だけ基板Ｗ
を投影光学系２０側に送り出してやる。これにより、該
当するショットのパターンがレチクルＲの投影パターン
像の中心に位置するようになる。そして、この状態で、
光源１０から露光光が照射される。すなわち、光源１０
から射出された露光光ＩＬは、照明光学系１２を介し
て、レチクルＲに入射する。レチクルＲは、この露光光
ＩＬによって均一照度の所定の照明条件で照明される。
レチクルＲをを通過した露光光ＩＬは、投影光学系２０
を介して基板Ｗに入射し、これによってレチクルＲの回
路パターンの像が基板Ｗ上に結像する。このようにし
て、レチクルパターンの像が基板パターンに重畳されて
露光される。この動作は、基板ステージ２６によって投
影光学系２０の光軸ＡＸに垂直な面内を基板Ｗを移動さ
せて繰り返し行われる。
に、基板Ｗ上の該当するショットの既存パターンを合わ
せ、次に前記ベースラインＢＬに相当する量だけ基板Ｗ
を投影光学系２０側に送り出してやる。これにより、該
当するショットのパターンがレチクルＲの投影パターン
像の中心に位置するようになる。そして、この状態で、
光源１０から露光光が照射される。すなわち、光源１０
から射出された露光光ＩＬは、照明光学系１２を介し
て、レチクルＲに入射する。レチクルＲは、この露光光
ＩＬによって均一照度の所定の照明条件で照明される。
レチクルＲをを通過した露光光ＩＬは、投影光学系２０
を介して基板Ｗに入射し、これによってレチクルＲの回
路パターンの像が基板Ｗ上に結像する。このようにし
て、レチクルパターンの像が基板パターンに重畳されて
露光される。この動作は、基板ステージ２６によって投
影光学系２０の光軸ＡＸに垂直な面内を基板Ｗを移動さ
せて繰り返し行われる。
【００１７】ところで、本実施例では、基板Ｗと基板ホ
ルダ５０との間に、基板Ｗの厚さに応じてアダプタ７０
が設けられている。すなわち、図１（A）に示すよう
に、基板ＷＡがセラミックス基板などのような比較的厚
い場合には、アダプタ７０を必要とせず、基板ホルダ５
０に対して直接基板ＷＡを吸着する。しかし、図１
（B）に示すように、基板ＷＢがシリコンウエハなどの
ような比較的薄い場合には、基板ホルダ５０にアダプタ
７０を吸着し、このアダプタ７０に基板ＷＢを吸着す
る。
ルダ５０との間に、基板Ｗの厚さに応じてアダプタ７０
が設けられている。すなわち、図１（A）に示すよう
に、基板ＷＡがセラミックス基板などのような比較的厚
い場合には、アダプタ７０を必要とせず、基板ホルダ５
０に対して直接基板ＷＡを吸着する。しかし、図１
（B）に示すように、基板ＷＢがシリコンウエハなどの
ような比較的薄い場合には、基板ホルダ５０にアダプタ
７０を吸着し、このアダプタ７０に基板ＷＢを吸着す
る。
【００１８】すなわち、通常の厚さの基板，例えば最も
使用頻度の高い厚さの基板に対しては、その基板の厚さ
に対応するように基板ホルダ５０の厚さを設定し、投影
光学系２０の像面と基板表面の高さが一致するように、
基板ステージ２６又は基板ホルダ５０をＺ軸方向に上下
動して調整を行う（図１（A）参照）。一方、前記使用
頻度の高い厚さと異なる厚さの基板に対しては、基板ホ
ルダ５０をそのまま使用する。そして、基板を吸着した
状態で投影光学系２０の像面と基板表面の高さが一致す
るような厚さのアダプタ７０を装着して対応する。
使用頻度の高い厚さの基板に対しては、その基板の厚さ
に対応するように基板ホルダ５０の厚さを設定し、投影
光学系２０の像面と基板表面の高さが一致するように、
基板ステージ２６又は基板ホルダ５０をＺ軸方向に上下
動して調整を行う（図１（A）参照）。一方、前記使用
頻度の高い厚さと異なる厚さの基板に対しては、基板ホ
ルダ５０をそのまま使用する。そして、基板を吸着した
状態で投影光学系２０の像面と基板表面の高さが一致す
るような厚さのアダプタ７０を装着して対応する。
【００１９】図３には、基板ホルダ５０，アダプタ７０
及び基板Ｗが拡大して示されている。同図に示すよう
に、基板ホルダ５０には、負圧による吸着溝５２，５
４，５６が同心円状に形成されている。吸着溝５２の底
には、吸引穴５２Ａ，５２Ｂが形成されている。また、
吸着溝５４の底には、吸引穴５４Ａ，５４Ｂが形成され
ており、吸着溝５６の底には吸引穴５６Ａ（図４参照）
が形成されている。同様に、アダプタ７０には、吸着溝
７２，７６及び溝７４が同心円状に形成されている。吸
着溝７２の底には、吸引穴７２Ａ，７２Ｂが形成されて
いる。また、吸着溝７６の底には吸引穴７６Ａが形成さ
れている。
及び基板Ｗが拡大して示されている。同図に示すよう
に、基板ホルダ５０には、負圧による吸着溝５２，５
４，５６が同心円状に形成されている。吸着溝５２の底
には、吸引穴５２Ａ，５２Ｂが形成されている。また、
吸着溝５４の底には、吸引穴５４Ａ，５４Ｂが形成され
ており、吸着溝５６の底には吸引穴５６Ａ（図４参照）
が形成されている。同様に、アダプタ７０には、吸着溝
７２，７６及び溝７４が同心円状に形成されている。吸
着溝７２の底には、吸引穴７２Ａ，７２Ｂが形成されて
いる。また、吸着溝７６の底には吸引穴７６Ａが形成さ
れている。
【００２０】以上のような基板ホルダ５０にアダプタ７
０を介して基板Ｗを吸着した状態における図３の＃４−
＃４線に沿って矢印方向に見た主要断面を示すと、図４
のようになる。同図に示すように、吸着は、基板吸着用
とアダプタ吸着用の２系統となっている。まず基板吸着
系から説明すると、アダプタ側の吸引穴７２Ａ，７２
Ｂ，７６Ａは、基板ホルダ側の吸引穴５２Ａ，５２Ｂ，
５６Ａにそれぞれ一致して連通しており、これら吸引穴
５２Ａ，５２Ｂ，５６Ａは、吸引路８０，バルブ（開閉
弁）８２を介して基板吸着用バキューム源（図示せず）
に接続している。一方、アダプタ吸着系では、基板ホル
ダ側の他の吸引穴５４Ａ，５４Ｂが、吸引路８４，バル
ブ８６を介してアダプタ用バキューム源（図示せず）に
接続している。すなわち、基板ホルダ５０には、アダプ
タ吸着用の吸着溝及び吸引穴と基板吸着用の吸着溝及び
吸引穴が交互に設けられている。なお、バルブ８２，８
６としては、例えば手動の弁でもよいが、電磁弁などの
電気的に制御可能なものでもよい。
０を介して基板Ｗを吸着した状態における図３の＃４−
＃４線に沿って矢印方向に見た主要断面を示すと、図４
のようになる。同図に示すように、吸着は、基板吸着用
とアダプタ吸着用の２系統となっている。まず基板吸着
系から説明すると、アダプタ側の吸引穴７２Ａ，７２
Ｂ，７６Ａは、基板ホルダ側の吸引穴５２Ａ，５２Ｂ，
５６Ａにそれぞれ一致して連通しており、これら吸引穴
５２Ａ，５２Ｂ，５６Ａは、吸引路８０，バルブ（開閉
弁）８２を介して基板吸着用バキューム源（図示せず）
に接続している。一方、アダプタ吸着系では、基板ホル
ダ側の他の吸引穴５４Ａ，５４Ｂが、吸引路８４，バル
ブ８６を介してアダプタ用バキューム源（図示せず）に
接続している。すなわち、基板ホルダ５０には、アダプ
タ吸着用の吸着溝及び吸引穴と基板吸着用の吸着溝及び
吸引穴が交互に設けられている。なお、バルブ８２，８
６としては、例えば手動の弁でもよいが、電磁弁などの
電気的に制御可能なものでもよい。
【００２１】次に、本実施例の作用を説明する。最初、
バルブ８２，８６はいずれも「閉」の状態にある。図１
に示したように、基板Ｗが比較的薄い場合には、アダプ
タ７０が使用される。アダプタ７０は、例えば、基板Ｗ
を基板ホルダ５０に対して供給する基板ローダ（図示せ
ず）を用いて自動的に基板ホルダ５０に対して設置し位
置決めされる。しかし、作業者が、直接手でアダプタ７
０を基板ホルダ５０上に設置して位置決めするようにし
てもよい。設置後、アダプタ吸着用のバルブ８６を
「開」とする。これにより、吸引路８４がバキューム源
に接続されて負圧が供給され、吸引穴５４Ａ，５４Ｂを
介して基板ホルダ５０の吸着溝５４が真空になる。これ
によって、アダプタ７０が基板ホルダ５０に吸着保持さ
れる。
バルブ８２，８６はいずれも「閉」の状態にある。図１
に示したように、基板Ｗが比較的薄い場合には、アダプ
タ７０が使用される。アダプタ７０は、例えば、基板Ｗ
を基板ホルダ５０に対して供給する基板ローダ（図示せ
ず）を用いて自動的に基板ホルダ５０に対して設置し位
置決めされる。しかし、作業者が、直接手でアダプタ７
０を基板ホルダ５０上に設置して位置決めするようにし
てもよい。設置後、アダプタ吸着用のバルブ８６を
「開」とする。これにより、吸引路８４がバキューム源
に接続されて負圧が供給され、吸引穴５４Ａ，５４Ｂを
介して基板ホルダ５０の吸着溝５４が真空になる。これ
によって、アダプタ７０が基板ホルダ５０に吸着保持さ
れる。
【００２２】次に、基板Ｗが、基板ローダを用いて自動
的にアダプタ７０に対して設置し位置決めされる。そし
て、設置後、基板吸着用のバルブ８２を「開」とする。
これにより、吸引路８０がバキューム源に接続されて負
圧が供給され、吸引穴５２Ａ，５６Ａ，５２Ｂを介して
基板ホルダ５０の吸着溝５２，５６が真空になる。そし
て更に、吸引路７２Ａ，７６Ａ，７２Ｂを介してアダプ
タ７０の吸着溝７２，７６が真空になる。これによっ
て、基板Ｗがアダプタ７０に吸着保持される。
的にアダプタ７０に対して設置し位置決めされる。そし
て、設置後、基板吸着用のバルブ８２を「開」とする。
これにより、吸引路８０がバキューム源に接続されて負
圧が供給され、吸引穴５２Ａ，５６Ａ，５２Ｂを介して
基板ホルダ５０の吸着溝５２，５６が真空になる。そし
て更に、吸引路７２Ａ，７６Ａ，７２Ｂを介してアダプ
タ７０の吸着溝７２，７６が真空になる。これによっ
て、基板Ｗがアダプタ７０に吸着保持される。
【００２３】このようにして、基板Ｗの厚さに対応した
アダプタ７０が、基板ホルダ５０と基板Ｗとの間に設け
られる。これにより、基板Ｗの厚さの変動がアダプタ７
０によって吸収され、必要があれば基板ステージ２６又
は基板ホルダ５０をＺ軸方向に上下動して調整を行うこ
とで、投影光学系２０の像面と基板表面の高さが一致す
るようになり、基準板３２と基板Ｗも同一面となる。こ
の状態で、上述したようにレチクルＲの位置調整やベー
スラインの計測が行われ、更には基板Ｗに対する露光処
理が行われる。
アダプタ７０が、基板ホルダ５０と基板Ｗとの間に設け
られる。これにより、基板Ｗの厚さの変動がアダプタ７
０によって吸収され、必要があれば基板ステージ２６又
は基板ホルダ５０をＺ軸方向に上下動して調整を行うこ
とで、投影光学系２０の像面と基板表面の高さが一致す
るようになり、基準板３２と基板Ｗも同一面となる。こ
の状態で、上述したようにレチクルＲの位置調整やベー
スラインの計測が行われ、更には基板Ｗに対する露光処
理が行われる。
【００２４】なお、基板Ｗを交換するときは、バルブ８
２を開閉することで真空吸着を制御することができる。
この場合、バルブ８６を「開」とすることで、アダプタ
７０に対する吸着状態は保持することができる。また、
アダプタ７０を使用せず、基板Ｗを基板ホルダ５０に直
接吸着するときは、バルブ８２，８６のいずれか一方も
しくは両方を開閉すればよい。
２を開閉することで真空吸着を制御することができる。
この場合、バルブ８６を「開」とすることで、アダプタ
７０に対する吸着状態は保持することができる。また、
アダプタ７０を使用せず、基板Ｗを基板ホルダ５０に直
接吸着するときは、バルブ８２，８６のいずれか一方も
しくは両方を開閉すればよい。
【００２５】以上のように、本実施例によれば、基板と
基板ホルダとの間に挿脱可能にアダプタを設けることと
したので、基板ホルダを交換することなく基板厚さの変
化に対応できる。このため、投影レンズなどの各部の破
損のおそれもなく基板厚さの変更作業が効率よくでき、
露光装置の稼働率が向上する。また、基板ホルダの交換
を行わないことから、基板ホルダの交換に伴うゴミの発
生を押えることができる。更に、アダプタは脱着が容易
であるため、その基板吸着面にゴミが付着した場合にお
いても、アダプタを交換もしくは取り外して清掃及び洗
浄することでアダプタに付着したゴミを簡単に除去で
き、ゴミによる基板の平面度悪化も簡単に防止できる。
基板ホルダとの間に挿脱可能にアダプタを設けることと
したので、基板ホルダを交換することなく基板厚さの変
化に対応できる。このため、投影レンズなどの各部の破
損のおそれもなく基板厚さの変更作業が効率よくでき、
露光装置の稼働率が向上する。また、基板ホルダの交換
を行わないことから、基板ホルダの交換に伴うゴミの発
生を押えることができる。更に、アダプタは脱着が容易
であるため、その基板吸着面にゴミが付着した場合にお
いても、アダプタを交換もしくは取り外して清掃及び洗
浄することでアダプタに付着したゴミを簡単に除去で
き、ゴミによる基板の平面度悪化も簡単に防止できる。
【００２６】なお、この発明には数多くの実施の形態が
あり、以上の開示に基づいて多様に改変することが可能
である。例えば、次のようなものも含まれる。 （1）近年では、マスクやレチクルと基板を相対的にス
キャンするスキャン露光装置もあるが、このような露光
装置の基板保持にも本発明は適用可能である。 （2）前記実施例では、アダプタの使用の有無により２
種類の厚さの基板に対応したが、３種類以上の厚さの基
板を使用する場合でも、それぞれの厚さの基板を吸着し
た状態で投影光学系像面と基板表面が一致するような厚
さのアダプタを作成することで対応可能である。更に、
基板ホルダもしくは基板ステージのＺ方向の調整量に余
裕があるときは、Ｚ方向に移動することで、一つのアダ
プタで２種以上の厚さの基板に対応することも可能であ
る。また、基板ホルダと基板との間に複数の基板ホルダ
を重ねるようにして、基板の厚さ変動に対応するように
してもよい。
あり、以上の開示に基づいて多様に改変することが可能
である。例えば、次のようなものも含まれる。 （1）近年では、マスクやレチクルと基板を相対的にス
キャンするスキャン露光装置もあるが、このような露光
装置の基板保持にも本発明は適用可能である。 （2）前記実施例では、アダプタの使用の有無により２
種類の厚さの基板に対応したが、３種類以上の厚さの基
板を使用する場合でも、それぞれの厚さの基板を吸着し
た状態で投影光学系像面と基板表面が一致するような厚
さのアダプタを作成することで対応可能である。更に、
基板ホルダもしくは基板ステージのＺ方向の調整量に余
裕があるときは、Ｚ方向に移動することで、一つのアダ
プタで２種以上の厚さの基板に対応することも可能であ
る。また、基板ホルダと基板との間に複数の基板ホルダ
を重ねるようにして、基板の厚さ変動に対応するように
してもよい。
【００２７】（3）アダプタに使用する材料としては、
基板ホルダと同一の材質，例えば基板ホルダがセラミッ
クスのときはアダプタにもそれを用いてよいが、別の材
質，例えば基板と同一の材質を用いるようにしてもよ
い。 （4）真空もしくは負圧による溝や穴の形状も任意であ
り、必要に応じて適宜設計してよい。例えば、基板ホル
ダ側に第１の吸着系を設けて基板もしくはアダプタの吸
着を行い、アダプタ側に第２の吸着系を設けて基板の吸
着を行うようにしてもよい。更に、真空もしくは負圧以
外のチャック手段を用いてもよい。
基板ホルダと同一の材質，例えば基板ホルダがセラミッ
クスのときはアダプタにもそれを用いてよいが、別の材
質，例えば基板と同一の材質を用いるようにしてもよ
い。 （4）真空もしくは負圧による溝や穴の形状も任意であ
り、必要に応じて適宜設計してよい。例えば、基板ホル
ダ側に第１の吸着系を設けて基板もしくはアダプタの吸
着を行い、アダプタ側に第２の吸着系を設けて基板の吸
着を行うようにしてもよい。更に、真空もしくは負圧以
外のチャック手段を用いてもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、基板ホ
ルダを交換することなく基板厚さの変化に対応できるた
め、露光装置の破損もなく、基板厚さ変更作業を効率よ
く行うことができ、露光装置の稼働率が向上する。ま
た、アダプタの脱着が容易であり、その清掃及び洗浄も
簡単にできる。
ルダを交換することなく基板厚さの変化に対応できるた
め、露光装置の破損もなく、基板厚さ変更作業を効率よ
く行うことができ、露光装置の稼働率が向上する。ま
た、アダプタの脱着が容易であり、その清掃及び洗浄も
簡単にできる。
【図１】本発明の基板保持装置の一実施例を示す主要断
面図である。
面図である。
【図２】実施例を適用した露光装置の一例の主要部を示
す図である。
す図である。
【図３】実施例の主要部の分解斜視図である。
【図４】実施例の主要部の構成を示す断面図である。
【図５】従来の基板保持装置の一例を示す主要断面図で
ある。
ある。
【符号の説明】 １０…光源 １２…照明光学系 １４…レチクルホルダ １６…レチクルステージ １８…レチクルアライメント部 ２０…投影光学系 ２２…基板アライメント部 ２６…基板ステージ ２８…反射鏡 ３０…干渉計 ３２…基準板 ３４…主制御部 ５０…基板ホルダ ５２，５４，５６…吸着溝 ５２Ａ，５２Ｂ，５４Ａ，５４Ｂ，５６Ａ…吸引穴 ７０…アダプタ ７２，７６…吸着溝 ７２Ａ，７２Ｂ，７６Ａ…吸引穴 ７４…溝 ８０，８４…吸引路 ８２，８６…バルブ Ｒ…レチクル Ｗ…基板
Claims (4)
- 【請求項１】 基板を保持するための基板ホルダに対し
て前記基板の表面を所定の高さを保つために、前記基板
と前記基板ホルダとの間に挿脱可能に構成されたことを
特徴とする基板アダプタ。 - 【請求項２】 保持対象の基板を保持するための基板ホ
ルダを有する基板保持装置において、 前記基板ホルダは、前記基板表面を所定の高さに保つた
めに前記基板と前記基板ホルダとの間に挿入されるアダ
プタを保持可能に構成されていることを特徴とする基板
保持装置。 - 【請求項３】 前記基板ホルダに前記アダプタを吸着保
持するとともに、前記アダプタに前記基板を吸着保持す
るための吸着手段を更に有することを特徴とする請求項
２記載の基板保持装置。 - 【請求項４】 基板を保持するための基板ホルダと保持
対象の基板との間に所定の基板アダプタを挿入し、前記
保持対象の基板表面を前記基板ホルダに対して所定の高
さに保つことを特徴とする基板保持方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34061896A JPH10172897A (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | 基板アダプタ，基板保持装置及び基板保持方法 |
| US09/291,199 US6137562A (en) | 1996-12-05 | 1999-04-14 | Substrate adjuster, substrate holder and substrate holding method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34061896A JPH10172897A (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | 基板アダプタ，基板保持装置及び基板保持方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172897A true JPH10172897A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18338703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34061896A Pending JPH10172897A (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | 基板アダプタ，基板保持装置及び基板保持方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6137562A (ja) |
| JP (1) | JPH10172897A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007305989A (ja) * | 2006-05-05 | 2007-11-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
| JP2012242725A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Konica Minolta Advanced Layers Inc | レンズユニットの製造方法 |
| JP2013070023A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-04-18 | Canon Inc | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
| CN111819433A (zh) * | 2018-02-20 | 2020-10-23 | 毫微光电子影像股份有限公司 | 用于对晶圆和光掩模进行组合检查的系统、装置和方法 |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1077393A2 (en) * | 1999-08-19 | 2001-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus |
| JP2001284440A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-10-12 | Asm Lithography Bv | リソグラフ装置の基板ホルダ |
| US6921615B2 (en) * | 2000-07-16 | 2005-07-26 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High-resolution overlay alignment methods for imprint lithography |
| WO2002006902A2 (en) | 2000-07-17 | 2002-01-24 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes |
| US8016277B2 (en) | 2000-08-21 | 2011-09-13 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Flexure based macro motion translation stage |
| KR101031528B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2011-04-27 | 더 보드 오브 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 실온 저압 마이크로- 및 나노- 임프린트 리소그래피용템플릿 |
| US7019819B2 (en) * | 2002-11-13 | 2006-03-28 | Molecular Imprints, Inc. | Chucking system for modulating shapes of substrates |
| US6916584B2 (en) * | 2002-08-01 | 2005-07-12 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment methods for imprint lithography |
| US8349241B2 (en) | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
| JP4040423B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2008-01-30 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置 |
| US7641840B2 (en) | 2002-11-13 | 2010-01-05 | Molecular Imprints, Inc. | Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold |
| US6980282B2 (en) * | 2002-12-11 | 2005-12-27 | Molecular Imprints, Inc. | Method for modulating shapes of substrates |
| MY133312A (en) * | 2002-11-13 | 2007-11-30 | Molecular Imprints Inc | A chucking system and method for modulation shapes of substrates |
| WO2004054784A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Molecular Imprints, Inc. | Magnification corrections employing out-of-plane distortions on a substrate |
| US7150622B2 (en) * | 2003-07-09 | 2006-12-19 | Molecular Imprints, Inc. | Systems for magnification and distortion correction for imprint lithography processes |
| US7906180B2 (en) | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US7307697B2 (en) * | 2004-05-28 | 2007-12-11 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Adaptive shape substrate support system |
| US20050270516A1 (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | System for magnification and distortion correction during nano-scale manufacturing |
| US7785526B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-08-31 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint alignment method, system, and template |
| JP4792719B2 (ja) * | 2004-08-25 | 2011-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US7630067B2 (en) * | 2004-11-30 | 2009-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices |
| US7292326B2 (en) | 2004-11-30 | 2007-11-06 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices |
| US20070231421A1 (en) | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Enhanced Multi Channel Alignment |
| US7636999B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-12-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method of retaining a substrate to a wafer chuck |
| US7798801B2 (en) * | 2005-01-31 | 2010-09-21 | Molecular Imprints, Inc. | Chucking system for nano-manufacturing |
| US7635263B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-12-22 | Molecular Imprints, Inc. | Chucking system comprising an array of fluid chambers |
| KR101324549B1 (ko) | 2005-12-08 | 2013-11-01 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 기판의 양면 패턴화를 위한 방법 및 시스템 |
| US7670530B2 (en) | 2006-01-20 | 2010-03-02 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning substrates employing multiple chucks |
| KR100819556B1 (ko) * | 2006-02-20 | 2008-04-07 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 스테이지, 이를 갖는 노광설비 및 이를 사용한 웨이퍼 평평도 보정 방법 |
| US20070231422A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | System to vary dimensions of a thin template |
| US7978308B2 (en) * | 2006-05-15 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8215946B2 (en) | 2006-05-18 | 2012-07-10 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography system and method |
| WO2007136832A2 (en) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold |
| JP5893303B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2016-03-23 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
| JP6363838B2 (ja) * | 2014-01-08 | 2018-07-25 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
| CN113853671A (zh) * | 2019-05-22 | 2021-12-28 | 维耶尔公司 | 用于将器件或图案转移到基板的系统和方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0851143A (ja) * | 1992-07-20 | 1996-02-20 | Nikon Corp | 基板保持装置 |
| JP3164960B2 (ja) * | 1994-02-18 | 2001-05-14 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
| US5563684A (en) * | 1994-11-30 | 1996-10-08 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Adaptive wafer modulator for placing a selected pattern on a semiconductor wafer |
-
1996
- 1996-12-05 JP JP34061896A patent/JPH10172897A/ja active Pending
-
1999
- 1999-04-14 US US09/291,199 patent/US6137562A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007305989A (ja) * | 2006-05-05 | 2007-11-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
| JP4531788B2 (ja) * | 2006-05-05 | 2010-08-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置および方法 |
| JP2012242725A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Konica Minolta Advanced Layers Inc | レンズユニットの製造方法 |
| JP2013070023A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-04-18 | Canon Inc | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
| CN111819433A (zh) * | 2018-02-20 | 2020-10-23 | 毫微光电子影像股份有限公司 | 用于对晶圆和光掩模进行组合检查的系统、装置和方法 |
| JP2021514116A (ja) * | 2018-02-20 | 2021-06-03 | ナノトロニクス イメージング インコーポレイテッドＮａｎｏｔｒｏｎｉｃｓ Ｉｍａｇｉｎｇ，Ｉｎｃ． | ウェハおよびフォトマスクの組み合わせ検査のシステム、装置、および方法 |
| JP2022166211A (ja) * | 2018-02-20 | 2022-11-01 | ナノトロニクス イメージング インコーポレイテッド | ウェハおよびフォトマスクの組み合わせ検査のシステム、装置、および方法 |
| CN111819433B (zh) * | 2018-02-20 | 2023-09-05 | 毫微光电子影像股份有限公司 | 用于对晶圆和光掩模进行组合检查的系统、装置和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6137562A (en) | 2000-10-24 |
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Legal Events
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