JP7071089B2 - 保持装置、保持方法、リソグラフィ装置および、物品の製造方法 - Google Patents

Description

保持装置、保持方法、リソグラフィ装置および、物品の製造方法に関する。

半導体デバイス、液晶表示素子等を製造する装置として、露光装置やインプリント装置などのリソグラフィ装置がある。リソグラフィ装置により微細なパターンを基板に形成するためには、基板を良好な平坦度で保持する必要がある。基板を保持する方法として、基板の裏面を真空吸着する方法がある（特許文献１）。

特許第４６０２２６５号公報

基板裏面と基板を保持する基板保持部との間の空間は、例えば、基板の反りの大きさによって変化しうる。上記特許文献１に記載の方法では、上記空間の変化を考慮しておらず、基板の裏面の吸着力が足らない、または基板保持部から適切なタイミングで基板を解放できない、などの問題が起こりうる。例えば、基板を適切なタイミングで解放できないと、基板の交換に時間が掛かり、リソグラフィ装置のスループットの点で不利となりうる。

本発明は、例えば、スループットの点で有利な保持装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、基板を保持する保持装置であって、前記基板を真空吸着によって保持面に保持する保持部と、前記基板と前記保持部の間の空間を排気及び給気することにより前記空間の圧力を調整する圧力調整部と、前記圧力調整部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記保持部により保持された前記基板が前記保持面から離される場合に、前記基板の形状に応じて決定された前記給気の量に基づいて、前記圧力調整部を制御する、ことを特徴とする。

本発明によれば、例えば、スループットの点で有利な保持装置を提供することができる。

第１実施形態に係る保持装置を備えた露光装置の概略図である。 第１実施形態に係る保持部の斜視図である。 第１実施形態に係るチャックの平面図及び斜視図である。 第１実施形態に係る昇降部の概略図である。 第１実施形態に係る圧力調整部について説明する図である。 ウエハと保持部との間に形成される空間について説明する図である。 ウエハと保持部との間の圧力変動を示す圧力曲線図の一例である。 第１実施形態に係る給気について説明する図である。 第１実施形態に係る保持装置の変形例の概略図である。 第２実施形態に係る保持装置の概略図である。 第５実施形態に係る給気のフローを示す図である。 第５実施形態に係る給気のフローを示す図である。 第６実施形態に係る保持装置の概略図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。なお、各図面において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る保持装置を備えた露光装置の概略図である。当該保持装置は、他のリソグラフィ装置（例えばインプリント装置）へ適用することもできるが本実施形態では露光装置への適用を例に説明する。本実施形態に係る保持装置を備えた露光装置１００は、光源（不図示）と、照明光学系１１０と、投影光学系１２０と、ステージ１３０と、計測部１４０と、制御部１５０と、を含む。また、本実施形態に係る保持装置は、制御部１５０と、保持部１６０と、圧力調整部１７０と、を含む。制御部１５０は、保持装置と露光装置１００とで別々に設けてもよい。なお、投影光学系１２０の光軸をＺ軸とし、それに垂直な平面をＸＹ平面とする。

光源は、複数の波長帯域の光を露光光として出力する。照明光学系１１０は、光源からの光を、均一な光量かつ所定形状に整形した露光光としてレクチルＲに照射する。投影光学系１２０は、レクチルＲに形成され、露光光が照射されたパターンをウエハＷに縮小投影する。ステージ１３０は、レクチルＲを保持する。

レクチルＲは、例えば石英ガラス製の原版であり、形成されるパターンは回路パターン等である。ウエハＷは、表面上にレジストが塗布された、例えば単結晶シリコンの基板である。露光装置１００は、ウエハＷの高さ（Ｚ方向）を計測するフォーカス計測部１０１、および、ウエハＷに設けられたマークの位置（ＸＹ方向）を計測するアライメント計測部１０２を備えうる。また、露光装置１００は、装置内に搬入されたウエハＷを保持部１６０の上に搬送する搬送部１０３も備えうる。

計測部１４０は、ウエハＷの形状を計測し、計測結果を制御部１５０へ送る。計測部１４０は、例えば、ウエハＷを回転させる駆動機構１４１、観察カメラ１４２、Ｚ変位測定手段１４３を含む。

計測部１４０は、駆動機構１４１が、ウエハＷを回転させることで、Ｚ変位測定手段１４３がウエハＷの表面形状を測定できるようにしている。観察カメラ１４２は、Ｚ変位測定手段１４３のウエハＷの観察範囲の補正を行う。観察カメラ１４２は、回転しているウエハＷの周縁部を観察する。

制御部１５０は、例えば、ＣＰＵやメモリなどを含み、露光装置１００の各部を制御する。制御部１５０は、ウエハＷの形状に応じて、後述する圧力調整部１７０が排気および給気する量を決定する。また、制御部１５０は、排気および給気の開始時間および終了時間、並びに排気時の排気速度および給気時の給気速度などを制御しても良い。制御部１５０は、計測部１４０と接続される。

保持部１６０は、後述の貫通孔を少なくとも１つ以上有する。保持部１６０は、貫通孔から排気をすることにより、ウエハＷを真空吸着保持する。圧力調整部１７０は、排気部１７１と、給気部１７２と、切換部１７３とを含む。圧力調整部１７０は、保持部１６０の貫通孔と配管１０４によって接続される。排気部１７１は、貫通孔を介してウエハＷの一方の面と保持部１６０との間の空間を排気する。給気部１７２は、ウエハＷの一方の面と保持部１６０との間の空間に貫通孔を介して給気する。

切換部１７３は、排気部１７１と保持部１６０との間に設けられ、排気部１７１と保持部と配管１０４によって接続される。また、切換部１７３は、給気部１７２とも配管１０４によって接続される。切換部１７３は、保持部１６０への排気と給気の切換え機能を有する。

第１実施形態に係る保持装置の構成の詳細について説明する。図２は、第１実施形態に係る保持部の斜視図である。保持部１６０は、ベース定盤２１０と、チャック２２０と、支持部２３０と、駆動部２４０と、を含む。保持部１６０は、ウエハＷを保持し、ウエハＷを移動させる。

チャック２２０は、熱伝導性に優れたＳｉＣセラミックによって構成され、配管１０４を介して排気部１７１と接続される。チャック２２０は、真空吸着力によってウエハＷを保持面２２１に保持する。支持部２３０は、チャック２２０を支持する。

駆動部２４０は、支持部２３０（チャック２２０）を駆動する。ＸＹ方向及びωｚ方向における支持部２３０の位置は、例えばレーザー干渉計（不図示）によって計測される。支持部２３０には、レーザー干渉計から射出された光を反射するための反射板２３１が設けられる。

Ｚ方向及びωｘ、ωｙ方向における支持部２３０の位置は、複数のマイケルソン干渉計２３２の計測結果から算出される。支持部２３０には当該マイケルソン干渉計２３２から射出された光を反射する反射板２３３が設けられている。なおマイケルソン干渉計２３２をリニアエンコーダ、静電容量センサに置き換えることができる。

図３は、第１実施形態に係るチャックの平面図及び斜視図である。図３（Ａ）は、チャック２２０をＺ方向から見た平面図である。図３（Ｂ）は、チャック２２０の斜視図である。チャック２２０は、保持面２２１に、縁部２２２と、複数の凸部２２３と、貫通孔２２４と、リフトピン孔２２５を有しうる。

縁部２２２は、チャック２２０の外周に沿って設けられる。複数の凸部２２３は、ピン状であって、保持面２２１に、ブラスト加工などによって形成される。本図においては、複数の凸部２２３の一部のみが示されている。縁部２２２および凸部２２３は、保持面２２１に載置されるウエハＷと接触する。

貫通孔２２４は、少なくとも１つ以上、保持面２２１に設けられる。貫通孔２２４は、上述の通り、配管１０４を介して圧力調整部１７０と接続される。圧力調整部１７０は、保持面２２１上にウエハＷが載置されている状態で貫通孔２２４を介して真空排気を行う。これにより、ウエハＷの一方の面と保持部１６０との間に形成される後述の空間Ｓ、すなわちウエハＷと、縁部２２２と、凸部２２３と、で囲まれた空間内を真空状態とし、チャック２２０の保持面２２１にウエハＷを吸着保持させることができる。

リフトピン孔２２５は、後述するリフトピンを保持面２２１から突出させるための孔である。本実施形態においては、３つのリフトピン孔２２５が形成されている。リフトピン孔２２５は、ウエハＷを真空吸着によって保持する際に、リフトピン孔２２５から空気がリークすることを防ぐために、それぞれ土手部２２６によって囲まれている。

また、保持面２２１と反対側の面には、昇降部４００が設けられる。図４は、第１実施形態に係る昇降部の概略図である。図４（Ａ）は、昇降部４００の平面図であり、図４（Ｂ）は、昇降部４００の正面図である。昇降部４００は、ウエハＷを保持部１６０から搬送部１０３に受け渡す為に、ウエハＷを保持部１６０から昇降させる。

昇降部４００は、３本の円筒状のリフトピン４０１がベース４０２に設けられている。リフトピン４０１は、ウエハＷを支持し、保持面２２１に対して上下移動させる。リフトピン４０１は、チューブ４０３を介して排気ユニット（不図示）に接続されており、リフトピン４０１はウエハＷに真空吸着力を印加することができる。ベース４０２は、パルスモーター４０４に接続されたレバー４０５と軸受け（不図示）を介し連結されている。パルスモーター４０４の回転駆動によりレバー４０５が回転し、ガイド４０６をガイドとしてベース４０２がＺ方向に駆動する。

ベース４０２の位置は原点位置を有する位置検出部４０７で検出される。本実施形態において位置検出部４０７は、リニアエンコーダであるが、マイケルソン干渉計または静電容量センサに置き換えることもできる。なお、本実施形態において、排気ユニットは排気部１７１と別体で設けたが、排気部１７１と共有で構成することもできる。

位置検出部４０７は、原点位置に対する位置検出結果をリフトピン４０１の駆動完了位置として制御部１５０に出力している。パルスモーター４０４の駆動指令パルス数から換算したＺ方向の変位と位置検出結果が異なっている場合、制御部１５０は、昇降部４００にパルスモーター４０４の脱調等の不具合が発生したと判断することが可能である。なお、昇降部４００を設けなくとも、本実施形態の効果を達成することは可能である。

図５は、第１実施形態に係る圧力調整部１７０について説明する図である。保持部１６０の貫通孔２２４は、個々に独立した配管１０４が切換部１７３を介してそれぞれ排気部１７１および給気部１７２に接続されている。

配管１０４は、切換弁５０１に接続されている。切換弁５０１は、排気と給気の切換えを行う。本実施形態における切換弁５０１は、例えば、複合電磁弁である。排気部１７１と切換弁５０１の間に保持部１６０の真空吸着力を制御する（真空吸着力のＯＮ／ＯＦＦを制御する）制御弁（電磁弁）５０２が設けられる。

切換弁５０１に接続されている配管１０４は、保持部１６０の貫通孔２２４に接続され、保持部１６０とウエハＷとの間の空間Ｓの圧力を検出する圧力検出部５０３が設けられる。なお、本実施形態において、チューブ等の折れ等により不具合が発生した場合にエラー検知が容易にできるように、個々の配管に圧力検出部５０３を設けているが、１つの圧力検出部５０３にしてもよい。

給気部１７２に接続される配管１０４は、圧力調整機構５０４および圧力計５０５を介して切換弁５０１に接続されている。圧力調整機構５０４は、給気する際の圧力を調整する。圧力計５０５は、給気の際の圧力を計測する。

給気部１７２は、さらに複数のタンク５０６にも接続される。タンク５０６（５０６ａおよび５０６ｂ）は、保持部１６０の貫通孔２２４と排気部１７１が連通している間に給気部１７２から切換弁５０１を介して供給される気体を蓄積しておくことができる。タンク５０６の形状は槽構造、チューブの配管材等、本発明の主旨を逸脱しない限り任意の形状を用いることができる。

タンク５０６をチェック弁５０７と接続し、タンク５０６からの給気流量が不足し、真空破壊に至らなかった場合に、大気をウエハＷと保持部１６０の間に流入させることができる構成にしている。

なお、切換部１７３を構成せずに、給気部１７２および排気部１７１をそれぞれ異なる配管を用い、それぞれ異なる貫通孔に接続しても良い。この場合、それぞれの配管に制御弁を設け、排気および給気の制御を行う。個々の制御弁を制御することで、切換部１７３と同様の効果を得ることが可能である。

図６は、ウエハＷと保持部との間に形成される空間Ｓについて説明する図である。図６（Ａ）は、ウエハＷが保持部１６０に吸着保持されている状態図である。図６（Ｂ）は、反り形状が小さいウエハＷが保持部１６０から離間する状態図である。図６（Ｃ）は、反り形状が大きいウエハＷが保持部１６０から離間する状態図である。

ウエハＷを保持部１６０から離間する際、昇降部４００は、保持面２２１からウエハＷを離間させるため、リフトピン４０１を上昇させる。リフトピン４０１は、ウエハＷを上昇させ、保持面２２１から離間させる。なお、ベース４０２により、保持部１６０を下降させ、保持面２２１からウエハＷを離間させても良い。

この際、ウエハＷと保持部１６０の間の空間容積が増加する為、真空吸着力が増し、昇降部４００の駆動性能に影響を及ぼす懸念がある。このため、ウエハＷと保持部１６０の間の真空吸着力を解放する為にウエハＷと保持部１６０との間の真空を破壊することが必要である。真空を破壊するために給気部１７２によって、ウエハＷと保持部１６０の間に給気する。給気量は、例えば、図６（Ｂ）または図６（Ｃ）に示す空間Ｓの容積である。空間Ｓの容積は、ウエハＷの反り形状や、保持面２２１とウエハＷ底面との間隔から求めても良い。

図７は、ウエハＷと保持部との間の圧力変動を示す圧力曲線図の一例である。本図中、固定吸着区間７０１は、ウエハＷが保持部１６０に吸着固定されている状態を示している。切換区間７０２は、切換部１７３が排気から給気に切換えている状態を示している。第１給気区間７０３は、ウエハＷと保持部１６０との間に給気がされている状態を示している。

図７（Ａ）は、ウエハＷの反りが過大であり、空間Ｓの容積が大きいため、給気量が不足し、真空吸着力を解放できていない場合の圧力曲線図である。停滞区間７０４において、圧力が停滞している。この場合、真空吸着力が残留しており、該残留している真空吸着力が昇降部４００の推力を超えている間はウエハＷを上昇させ保持部１６０から離間させることができない。

図７（Ｂ）は、ウエハＷの反りが想定している量よりも過小であり、空間Ｓの容積が小さいため、給気量が過剰になった場合の圧力変動曲線図である。この場合、ウエハＷが給気により保持部１６０から滑り、搬送部１０３に受け渡しできない状態となる。本図中、過剰点７０５は、給気が過剰になりオーバーシュート（陽圧）している状態を示している。

本実施形態に係る保持装置は、ウエハＷの形状から、空間Ｓの容積を算出する。これにより、ウエハＷの形状に基づく必要な給気量を決定することができる。ここで、ウエハＷの形状計測について説明する。ウエハＷの形状計測には、例えば、計測部１４０を用いる。計測部１４０は、例えば、ウエハＷ面の中心を通り、ウエハＷ面の中心と周縁部の高さ（Ｚ方向）を計測する。周縁部の測定点は１点あるいは全周でも良い。

観察カメラ１４２が、回転しているウエハＷの周縁部を観察する際、駆動機構１４１の回転中心とウエハＷの中心がずれている場合、観察カメラ１４２のモニタ上で、ウエハＷの周縁部が回転駆動により動いて見える。この周縁部の動きの変動量からウエハＷの回転中心位置の補正を行い、駆動機構１４１の回転中心とウエハＷの中心位置を一致させる。ウエハＷには、方位の基準としてノッチまたはオリエンテーションフラット（オリフラ）が設けられている。観察カメラ１４２でノッチまたはオリフラを検出することにより、Ｚ変位測定手段１４３の測定値をウエハＷの１周分の情報で区切ることができる。

Ｚ変位測定手段１４３は、ウエハＷの任意の径の表面のＺ変位を測定する。本実施形態のＺ変位測定手段１４３は、斜入射検出方式である。ウエハＷに対して斜め方向から照明光を照射し、ウエハＷの表面から斜めに反射する反射光を検出する。

Ｚ変位測定手段１４３の検出部として、ウエハＷの中心から外側にかけて１光束以上の反射光に対応した個々の位置検出用の受光素子が構成されており、各位置検出受光素子の受光面とウエハＷの各光束の反射点がほぼ共役になるように配置されている。そのため、Ｚ方向のウエハＷの変位は、検出部内の位置検出用受光素子の変位として計測される。

さらに、ウエハＷの複数の径位置での計測結果から反り形状の凸方向やうねり形状を測定することができる。また、複数の検出部を設けずに、１つの検出部のみの構成であってもＺ変位測定手段１４３に半径方向に駆動する駆動手段を設けることで前記と同様の効果を享受できる。

Ｚ変位とウエハＷの方位の情報は、形状の情報として不図示の計測制御部に送られる。そこで、最小自乗法などの手法によって以下の三角多項式（１）にフィッティングされる。

Ｚ＝Ｃ０＋Ｃ１ｃｏｓθ＋Ｓ１ｓｉｎθ＋Ｃ２ｃｏｓ２θ＋Ｓ２ｓｉｎ２θ＋Ｃ３ｃｏｓ３θ＋Ｓ３ｓｉｎ３θ ・・・（１）

ここで、ウエハＷ面上にウエハＷ中心を原点とするθ座標をとり、ウエハＷ面と直交する方向にＺ座標をとる。式（１）中のＺは、ウエハＷの周縁部付近のθ座標におけるウエハＷの高さ（反り量）を表す。Ｃ０、Ｃ１、．．．、Ｓ３は反り形状の係数セットである。さらに高次成分を含むような反り形状をフィッティングしたい場合は、式（１）の次数、項の数を追加する。また低次成分のみの反り形状のフィッティングで良い場合、または演算時間を短縮したい場合は、式（１）の次数、項の数を削減する。

なお、本実施形態において、計測部１４０は、露光装置内部に設けたが、露光装置外部に設けてもよい。露光装置外部に設ける場合、オペレータによって露光装置のコンソールなどから形状の情報を入力する。または、露光装置がＬＡＮなどのネットワークに接続している場合、ネットワーク経由で露光装置に反り形状の情報を入力しても良い。

さらに、計測部１４０の計測手段は上記によらず、例えば有限要素法などの手法を用いた計算機シミュレーションであっても良い。また、基板のディストーション計測結果からのフィッティング等から算出する手段、レーザー干渉計を使用した干渉縞観察手段等に置き換えても本発明の効果を享受できる。

計測部１４０での計測結果は制御部１５０に送られる。図８は、第１実施形態に係る給気について説明する図である。本図中の配管の実線は、給気されていることを示している。また、タンク５０６の斜線は、タンク５０６に気体が充填されていることを示す。

まず、給気部１７２からタンク５０６ａおよび５０６ｂへ気体が充填される（図８（Ａ））。次に、制御部１５０は、計測結果に応じて、真空吸着力を解放する為に最適な給気量を決定し、開放するタンクの本数を決定する。制御部１５０は、予め計測結果に応じた閾値を有しており、計測結果が閾値より小さい場合は、１本のタンクに充填している気体のみを開放するよう、圧力調整部１７０を制御する（図８（Ｂ））。

計測結果が前記閾値より大きい場合は、複数のタンク開放するよう、圧力調整部１７０ を制御する（図８（Ｃ））。なお、制御部１５０は、計測結果に応じて、給気の量を決定し、この給気量に応じて、タンクに蓄積された気体のうち一部のみを給気するよう圧力調整部１７０を制御してもよい。この場合、より柔軟に対応することが可能となる。また、ウエハＷの形状に応じた複数の制御パターンを予め決めておき、ウエハＷの形状に応じて、任意の制御パターンを選択することも可能である。

本実施形態によれば、ウエハＷの形状に応じて給気量が決定されるため、例えば、給気不足（図７（Ａ）の状態）により、ウエハＷを保持部から離間できないことや、給気過剰（図７（Ｂ）の状態）により、ウエハＷが保持部から滑り落ちることがない。したがって、本実施形態の保持装置は、スループットの点で有利となりうる。

本実施形態においては、給気部１７２から給気される気体を充填しておくタンク５０６を複数設けたが、タンク５０６に充填する正圧エアーの圧力を圧力調整機構５０４と圧力計５０５により可変調整することで、タンク５０６を１つとしても良い。

また、図９に示すようにタンクを設けなくても良い。この場合、給気部１７２は、貫通孔２２４と直接接続され、直接給気しているため、給気不足の考慮は要しない。よって、チェック弁は設けなくてもよい。制御部１５０は、ウエハＷの計測結果に応じて、圧力調整機構５０４を制御し、ウエハＷと保持部１６０の間に供給する給気量を可変調整する。

（第２実施形態）
図１０は、第２実施形態に係る保持装置の概略図である。本実施形態では、タンク５０６と切換弁５０１との間に流量調整弁（可変オリフィス）５０８を設けている。制御部１５０は、ウエハＷの形状と昇降部４００の駆動速度からウエハＷが保持部１６０から離間する時間を算出する。

本実施形態に係る保持装置は、流量調整弁５０８のオリフィスを調整し、給気の圧損を調整することが可能である。したがって、昇降部４００の駆動速度あるいはウエハＷが保持部１６０から離間を完了するまでの時間に応じてタンク５０６からの給気時間（給気速度）を制御することができる。また、給気の開始時間および終了時間を制御しても良い。

本実施形態によれば、例えば剛性が弱く反りが大きなウエハＷを離間させる際、昇降部４００の駆動速度を低下させ、駆動速度に応じて給気時間を調整することが可能である。その為、リフトピン４０１の駆動に伴うウエハＷに対する真空吸着力の増加を抑制しながらウエハＷを保持部１６０から安全に離間させることができる。

（第３実施形態）
図５を用いて第３実施形態を説明する。本実施形態の保持装置は、圧力検出部５０３により、排気および給気中のウエハＷと保持部１６０との間の圧力を検出し、検出結果に応じて圧力調整部を制御する。

例えば、タンク５０６ａのみが開放されている場合に、圧力検出部５０３において、所定の期間、圧力が所定の範囲で変化しないことが検出された場合、タンク５０６ｂが開放されるように制御弁５０２が制御される。

したがって、タンク５０６ａとタンク５０６ｂの正圧エアーの供給タイミングを効率よく制御することができ、スループットの更なる向上が見込める。所定の期間は任意で設定することができる。設定された所定の期間を閾値として、この閾値を超えた場合にさらに給気を行う。

また、所定の圧力値を閾値として設定しても良い。例えば、給気過剰により、ウエハＷが保持部１６０から滑り落ちてしまう圧力値を閾値としても良い。この圧力値を超えた場合、例えば、警告音を発するなどの注意喚起動作を実行する。これにより、ユーザは、注意喚起をもとに同様なウエハＷを離間させる際に圧力調整機構５０４により正圧エアーの供給圧を調整し設定された圧力値を超えないように制御させることができる。

（第４実施形態）
図４を用いて第４実施形態を説明する。本実施形態の保持装置は、保持部１６０に構成された位置検出部４０７の情報から効率的に給気するよう制御部１５０が圧力調整部１７０を制御する。

給気量が不足すると、ウエハＷと保持部１６０との間の真空吸着力の残留が多くなる。真空吸着力が強い状態で、昇降部４００の推力でウエハＷを保持部１６０から離間させた場合、ウエハＷが保持部１６０から離間する際、昇降部４００の反力で駆動偏差が大きくなる。また、昇降部４００の場合はパルスモーター４０４の脱調も発生させる。さらに、剛性の弱いウエハＷの場合、ウエハＷを破損させる可能性がある。

本実施形態では、ウエハＷが保持部１６０から離間する際にマイケルソン干渉計２３２あるいは位置検出部４０７で測定される駆動偏差に閾値設け、閾値以下になるように給気圧または給気量を制御する。さらに、第３実施形態に係る期間の閾値と任意に組み合わせて、ウエハＷの製造プロセスに応じた最適な給気フローを算出することができる。

（第５実施形態）
図１１および図１２は、第５実施形態に係る給気のフローを示す図である。本実施形態では、タンクを３つ備え、１つのタンクを開放している間に、他のタンクに対し、気体の充填を行う。本実施形態に係る保持部１６０は、３つの貫通孔２２４とシール部２２７を備える。３つの貫通孔２２４は、それぞれ配管１０４を介し、排気部１７１および給気部と連通される。シール部２２７は、保持部１６０の周縁部に環状に設置される弾性材料であり、粘着シート等により保持部１６０に固定されている。

本図中の配管の実線は、排気および給気されていることを示し、タンクの斜線は気体の充填量を示す。まず、ウエハＷと保持部１６０との間の空間Ｓの排気を行う。その間、タンク５０６ａ、５０６ｂ、５０６ｃに対し、気体の充填を行う（図１１（ａ））。

次に、ウエハＷの形状に応じて決定された給気量を空間Ｓに給気する。まず、第１のタンク５０６ａを用い、給気を行う。この間、給気部１７２は、第２のタンク５０６ｂおよび第３のタンク５０６ｃに気体の充填を行っている。（図１１（ｂ））。タンク５０６ａに充填されている気体を開放しきったら、第２のタンク５０６ｂの開放を開始する。その間、給気部１７２は、第１のタンク５０６ａに対し充填を開始する（図１１（ｃ））。

その後、タンク５０６ｂに充填されている気体を開放しきったら、第３のタンク５０６ｃの開放を開始する。その間、タンク５０６ｂに対しても再び充填を開始する（図１２（ａ））。そして、タンク５０６ｃに充填されている気体を開放しきったら、再びタンク５０６ａの開放を開始する。タンク５０６ｂおよび５０６ｃにより、給気を行っている間に、タンク５０６ａへの気体の充填は完了しているため、再びタンク５０６ａを用い、給気を行うことが可能となる。また、その間、タンク５０６ｃに対し再び充填を行う（図１２（ｂ））。本実施形態によれば、連続して、給気を行うことが可能となる。

（第６実施形態）
図１３は、第６実施形態に係る保持装置の概略図である。本実施形態に係る保持装置は、圧力調整機構５０４と切換弁５０１との間に高速応答電磁弁５０９を設けている。高速応答電磁弁５０９の制御（ＯＮ／ＯＦＦ制御）によって、ＯＮ／ＯＦＦ制御１回当たりの給気量を少量にして、短期間に複数回の給気（パルス供給）ができる構成になっている。１系統当たりの給気量が少量の為、本実施形態を適用する際、複数の供給エアー系統を設けることが望ましい。

本実施形態によれば、１制御当たりの正圧供給エアーの流量が少量であるため、基板の反り形状や基板の剛性の情報に応じて正圧エアーの供給流量を微調整することができる。

（物品の製造方法）
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、デバイス（半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など）などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置１００を用いて、感光剤が塗布された基板を露光する（パターンを基板に形成する）工程と、露光された基板を現像する（基板を処理する）工程を含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

（その他の実施形態）
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。例えば、本発明は、リソグラフィ装置を露光装置に限定するものではなく、インプリント装置や描画装置などのリソグラフィ装置にも適用することができる。ここで、インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材とモールドとを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、モールドのパターンが転写された硬化物のパターンを形成する。また、描画装置は、描画装置は、荷電粒子線（電子線）で基板に描画を行うことにより基板上にパターン（潜像パターン）を形成する。上述した物品の製造方法は、これらのリソグラフィ装置を用いて行ってもよい。

１００ 露光装置
１６０ 保持部
１７０ 圧力調整部
１７１ 排気部
１７２ 給気部
１７３ 切換部
１５０ 照射部
Ｗ ウエハ

Claims (20)

1. 基板を保持する保持装置であって、
   前記基板を真空吸着によって保持面に保持する保持部と、
   前記基板と前記保持部の間の空間を排気及び給気することにより前記空間の圧力を調整する圧力調整部と、
   前記圧力調整部を制御する制御部と、を有し、
   前記制御部は、前記保持部により保持された前記基板が前記保持面から離される場合に、前記基板の形状に応じて決定された前記給気の量に基づいて、前記圧力調整部を制御する、
   ことを特徴とする保持装置。
2. 前記圧力調整部は、前記排気と前記給気を切換える切換部を有する
   ことを特徴とする請求項１に記載の保持装置。
3. 前記基板の形状を計測する計測部を更に有し、
   前記制御部は、前記計測部の計測結果に応じて、前記給気の量を決定し、前記決定した量に基づいて、前記圧力調整部を制御する、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の保持装置。
4. 前記保持装置は、前記基板を支持し、前記基板を前記保持面に対して上下移動させるリフトピンを備え、
   前記制御部は、前記リフトピンの動作に応じて、前記圧力調整部を制御する。
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の保持装置。
5. 前記圧力調整部は、
   前記空間に給気するための給気部と、
   前記給気部から供給される気体を蓄積し、前記気体を開放することで、前記空間に給気を行うタンクを備える、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の保持装置。
6. 前記圧力調整部は、複数の前記タンクを備え、
   前記制御部は、前記決定された給気の量に応じて、開放する前記タンクを決定する、
   ことを特徴とする請求項５に記載の保持装置。
7. 前記制御部は、前記決定された給気の量に応じて、前記タンクに蓄積された気体を開放する量を決定する、
   ことを特徴とする請求項５に記載の保持装置。
8. 前記保持部は、前記空間を排気または給気するための貫通孔を有し、
   前記給気部は、前記貫通孔と直接接続され、
   前記制御部は、前記決定された給気の量に応じて、前記給気部から、前記空間への給気量を決定する、
   ことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の保持装置。
9. 前記制御部は、前記圧力調整部の前記給気の開始時間および終了時間を制御する、
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の保持装置。
10. 前記制御部は、前記圧力調整部の前記給気時の給気速度を制御する、
    ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の保持装置。
11. 前記圧力調整部は、前記空間の圧力を検出する圧力検出部を備え、
    前記制御部は、前記圧力検出部の検出結果に応じ、前記圧力調整部を制御する、
    こと特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の保持装置。
12. 前記制御部は、前記圧力検出部において、所定の期間、前記空間の圧力が変化しないことが検出された場合に、さらに給気するよう、前記圧力調整部を制御する、
    ことを特徴とする請求項１１に記載の保持装置。
13. 前記制御部は、前記圧力検出部において、所定の圧力値を超えないよう、前記圧力調整部を制御する、
    ことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の保持装置。
14. 前記制御部は、前記圧力検出部において、所定の圧力値を超える圧力値が検出された場合に、所定の注意喚起動作を実行する、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の保持装置。
15. 前記給気部は、前記複数のタンクのうち、第１のタンクが開放されている間に、第２のタンクに対し、気体の充填を行う、
    ことを特徴とする請求項６に記載の保持装置。
16. 基板を保持する保持装置であって、
    前記基板を真空吸着によって保持面に保持する保持部と、
    前記基板と前記保持部の間の空間を排気及び給気することにより前記空間の圧力を調整する圧力調整部と、
    前記基板を支持するピンと、
    前記基板がピンにより支持された状態で前記ピン又は前記保持部を昇降させることより前記基板を前記保持面に対して昇降させ、前記基板の形状に応じて決定された前記給気の量に基づいて、前記ピン又は前記保持部の昇降の動作に応じて前記圧力調整部を制御する制御部と、を有する
    ことを特徴とする保持装置。
17. 基板を保持する保持方法であって、
    前記基板を真空吸着によって保持部の保持面に保持する保持工程と、
    前記保持部により保持された前記基板が前記保持面から離される場合に、前記基板の形状に応じて決定された給気の量に基づいて前記基板と前記保持部の間の空間を給気することにより前記空間の圧力を調整する調整工程と、を有する
    ことを特徴とする保持方法。
18. 基板を保持する保持方法であって、
    前記基板を真空吸着によって保持部の保持面に保持する保持工程と、
    前記基板がピンにより支持された状態で前記ピン又は前記保持部を昇降させることより前記基板を前記保持面に対して昇降させる昇降工程と、
    前記基板の前記保持面の間の空間を給気することにより前記空間の圧力を調整する調整工程と、を有し、
    前記調整工程において、前記基板の形状に応じて決定された給気の量に基づいて前記基板の前記保持面の間の空間を給気することにより、前記ピン又は前記保持部の昇降の動作に応じて前記空間の圧力を調整する
    ことを特徴とする保持方法。
19. パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
    前記基板を保持する請求項１乃至１６のうちいずれか１項に記載の保持装置を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
20. 請求項１９に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
    を含み、処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする、物品の製造方法。

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