JPWO2007066758A1 - 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

基板保持装置は、基部と、基部上に形成され、基板（Ｐ）の裏面を支持する支持部（８１）と、基部上に形成され、支持部（８１）に支持された基板（Ｐ）の裏面と対向する第１上面を有し、支持部（８１）に支持された基板（Ｐ）と基部との間の第１空間（４１）を囲む第１周壁（３１）と、基部上に形成され、支持部（８１）に支持された基板（Ｐ）の裏面とギャップを介して対向する第２上面を有し、第１周壁（３１）を囲む第２周壁（３２）と、基部上に形成され、支持部（８１）に支持された基板（Ｐ）の裏面と対向する第３上面を有し、支持部（８１）及び第２周壁（３２）を囲む第３周壁（３３）と、第１周壁（３１）と第２周壁（３２）との間の第２空間（４２）へ気体を供給可能な流通口（６０）と、第２周壁（３２）と第３周壁（３３）との間の第３空間（４３）の流体を吸引する第１吸引口（６１）とを備えている。

Description

本発明は、基板を保持する基板保持装置、液体を介して基板を露光する露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関するものである。
本願は、２００５年１２月８日に出願された特願２００５−３５４４６３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、液体を介して基板を露光する液浸式の露光装置が知られている。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット 特開２００４−２８９１２７号公報

液浸露光装置においては、基板と基板ステージとの間のギャップ等を介して液体が基板の裏面側の空間に浸入し、その液体が基板の裏面に付着すると、様々な不具合が発生する可能性がある。例えば基板の裏面の所定領域に液体が付着すると、基板ステージのホルダで基板を良好に保持できない可能性がある。あるいは、搬送装置を用いてホルダから基板を搬出（アンロード）する際、基板の裏面に接触した搬送装置に液体が付着したり、搬送経路に液体が飛散する等、被害が拡大する可能性がある。

本発明は、基板の裏面の所定領域に液体が付着することを抑制できる基板保持装置、液体を介して基板を露光する露光装置、露光方法、及びその露光装置、露光方法を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明は以下の構成を採用している。

本発明の第１の態様に従えば、露光光が照射される基板を保持する基板保持装置であって、基部と、基部上に形成され、基板の裏面を支持する支持部と、基部上に形成され、支持部に支持された基板の裏面と対向する第１上面を有し、支持部に支持された基板と基部との間の第１空間を囲む第１周壁と、基部上に形成され、支持部に支持された基板の裏面とギャップを介して対向する第２上面を有し、第１周壁を囲む第２周壁と、基部上に形成され、支持部に支持された基板の裏面と対向する第３上面を有し、支持部及び第２周壁を囲む第３周壁と、第１周壁と第２周壁との間の第２空間へ気体を供給可能な流通口と、第２周壁と第３周壁との間の第３空間の流体を吸引する第１吸引口と、を備えた基板保持装置が提供される。

本発明の第１の態様によれば、基板の裏面の所定領域に液体が付着することを抑制できる。

本発明の第２の態様に従えば、上記態様の基板保持装置を備え、当該基板保持装置に保持された基板を液体を介して露光する露光装置が提供される。

本発明の第２の態様によれば、基板の裏面の所定領域に液体が付着することを抑制できるので、基板を良好に露光することができる。

本発明の第３の態様に従えば、上記態様の露光装置を用いて基板を露光することと、その露光された基板を現像することとを含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第３の態様によれば、基板を良好に露光できる露光装置を用いてデバイスを製造することができる。
本発明の第４の態様に従えば、液浸露光を行う露光方法であって、基板保持装置に基板を保持することと、その基板保持装置に保持された基板を露光することとを含み、その基板保持装置が、基部と、その基部上に形成され、基板の裏面を支持する支持部と、その基部上に形成され、その支持部に支持された基板の裏面と対向する第１上面を有し、その支持部に支持された基板とその基部との間の第１空間を囲む第１周壁と、その基部上に形成され、その支持部に支持された基板の裏面とギャップを介して対向する第２上面を有し、その第１周壁を囲む第２周壁と、その基部上に形成され、その支持部に支持された基板の裏面と対向する第３上面を有し、その支持部及びその第２周壁を囲む第３周壁と、その第１周壁とその第２周壁との間の第２空間へ気体を供給可能な流通口と、その第２周壁とその第３周壁との間の第３空間の流体を吸引する第１吸引口とを備えている露光方法が提供される。
本発明の第４の態様によれば、基板の裏面の所定領域に液体が付着することを抑制し、液体を介して基板を良好に露光することができる。
本発明の第５の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いて基板を露光することと、該露光された基板を現像することとを含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の第５の態様によれば、基板を良好に露光できる露光方法を用いてデバイスを製造することができる。

本発明によれば、基板の裏面の所定領域に液体が付着することを抑制し、基板を良好に露光することができる。

本実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 本実施形態に係るテーブルの側断面図である。 基板を保持した状態のテーブルの平面図である。 基板を外した状態のテーブルの平面図である。 基板及び板部材を外した状態の平面図である。 本実施形態に係るテーブルの要部を示す側断面図である。 本実施形態に係るテーブルの要部を示す平面図である。 本実施形態に係るテーブルの動作を説明するための模式図である。 気体の流れを説明するための模式図である。 気体の流れを説明するための模式図である。 気体の流れを説明するための模式図である。 搬送装置で基板の裏面を保持している状態を示す図である。 搬送装置で基板の裏面を保持している状態を示す図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

１…液浸システム、４…基板ステージ、４Ｔ…テーブル、７…制御装置、３０…基材、３１…第１周壁、３１Ａ…第１上面、３２…第２周壁、３２Ａ…第２上面、３３…第３周壁、３３Ａ…第３上面、３４…第４周壁、３４Ａ…第４上面、３７…スリット、４１…第１空間、４２…第２空間、４３…第３空間、４４…第４空間、５１…第１溝、５２…第２溝、５３…第３溝、６０…流通口、６１…第１吸引口、６２…第２吸引口、６３…第３吸引口、８１…第１支持部材、１００…搬送装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＨＤ１…第１ホルダ、ＬＱ…液体、ＬＲ…液浸領域、Ｐ…基板

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

図１は本実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ３と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ４と、マスクステージ３に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、投影光学系ＰＬの像面近傍の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように、投影光学系ＰＬと対向する物体（例えば、基板Ｐ）上に液浸領域ＬＲを形成する液浸システム１と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。また、露光装置ＥＸは、基板ステージ４に基板Ｐをロードするとともに、基板ステージ４から基板Ｐをアンロードする搬送装置１００を備えている。

ここでいう基板は半導体ウエハ等の基材上に感光材（フォトレジスト）、保護膜などの膜が塗布されたものを含む。マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。

照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明するものである。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。

マスクステージ３は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ３（ひいてはマスクＭ）の位置情報は、レーザ干渉計３Ｌによって計測される。レーザ干渉計３Ｌは、マスクステージ３上に設けられた反射面３Ｋを用いてマスクステージ３の位置情報を計測する。制御装置７は、レーザ干渉計３Ｌの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置を制御し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置制御を行う。

なお、反射鏡３Ｋは平面鏡のみでなくコーナーキューブ（レトロリフレクタ）を含むものとしてもよいし、反射鏡３Ｋをマスクステージに固設する代わりに、例えばマスクステージ３の端面（側面）を鏡面加工して反射面を形成してもよい。また、マスクステージ３は、例えば特開平８−１３０１７９号公報（対応米国特許第６，７２１，０３４号）に開示される粗微動可能な構成としてもよい。

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターン像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影するものであって、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系であり、前述の照明領域と共役な投影領域にマスクパターンの縮小像を形成する。なお、投影光学系ＰＬは縮小系、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸはＺ軸方向と平行となっている。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ４は、ステージ本体４Ｂと、ステージ本体４Ｂ上に搭載されたテーブル４Ｔと、テーブル４Ｔに設けられ、基板Ｐを着脱可能に保持する第１ホルダＨＤ１と、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの周囲を囲むように配置される板部材Ｔと、テーブル４Ｔに設けられ、板部材Ｔを着脱可能に保持する第２ホルダＨＤ２とを備えている。

ステージ本体４Ｂは、エアベアリング４Ａにより、ベース部材ＢＰの上面（ガイド面）に対して非接触支持されている。ベース部材ＢＰの上面はＸＹ平面とほぼ平行であり、基板ステージ４は、ベース部材ＢＰ上でＸＹ方向に移動可能である。

基板ステージ４は、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置により、第１ホルダＨＤ１に基板Ｐを保持した状態で、ベース部材ＢＰ上で移動可能である。基板ステージ駆動装置は、ステージ本体４Ｂをベース部材ＢＰ上でＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向に移動することによって、そのステージ本体４Ｂ上に搭載されているテーブル４ＴをＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向に移動可能な第１駆動系と、ステージ本体４Ｂに対してテーブル４ＴをＺ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向に移動可能な第２駆動系とを備えている。

第１駆動系は、リニアモータ等のアクチュエータを含む。第２駆動系は、ステージ本体４Ｂとテーブル４Ｔとの間に介在された、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータ４Ｖと、各アクチュエータの駆動量を計測する不図示の計測装置（エンコーダなど）とを含む。テーブル４Ｔは、少なくとも３つのアクチュエータ４Ｖによってステージ本体４Ｂ上に支持される。アクチュエータ４Ｖのそれぞれは、ステージ本体４Ｂに対してテーブル４ＴをＺ軸方向に独立して駆動可能であり、制御装置７は、３つのアクチュエータ４Ｖそれぞれの駆動量を調整することによって、ステージ本体４Ｂに対してテーブル４Ｔを、Ｚ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向に駆動する。このように、第１、第２駆動系を含む基板ステージ駆動装置は、基板ステージ４のテーブル４Ｔを、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。制御装置７は、基板ステージ駆動装置を制御することにより、テーブル４Ｔの第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの表面のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に関する位置を制御可能である。

基板ステージ４のテーブル４Ｔ（ひいては基板Ｐ）の位置情報は、レーザ干渉計４Ｌによって計測される。レーザ干渉計４Ｌは、テーブル４Ｔに設けられた反射面４Ｋを用いて、テーブル４ＴのＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、テーブル４Ｔの第１ホルダＨＤ１に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出系によって検出される。制御装置７は、レーザ干渉計４Ｌの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置を制御し、第１ホルダＨＤ１に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。

フォーカス・レベリング検出系はその複数の計測点でそれぞれ基板のＺ軸方向の位置情報を計測することで、基板のθＸ及びθＹ方向の傾斜情報（回転角）を検出するものである。さらに、例えばレーザ干渉計が基板のＺ軸、θＸ及びθＹ方向の位置情報を計測可能であるときは、基板の露光動作中にそのＺ軸方向の位置情報が計測可能となるようにフォーカス・レベリング検出系を設けなくてもよく、少なくとも露光動作中はレーザ干渉計の計測結果を用いてＺ軸、θＸ及びθＹ方向に関する基板Ｐの位置制御を行うようにしてもよい。

液浸システム１は、投影光学系ＰＬの像面近傍の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たす。たとえば、基板Ｐの露光中、液浸システム１は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い最終光学素子ＦＬの下面と、その最終光学素子ＦＬと対向する位置に配置された基板ステージ４（第１ホルダＨＤ１）上の基板Ｐの表面との間の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように、基板Ｐ上に液浸領域ＬＲを形成する。本実施形態では、液体ＬＱとして、水（純水）が用いられる。

液浸システム１は、露光光ＥＬの光路空間Ｋの近傍に設けられ、その光路空間Ｋに対して液体ＬＱを供給するための供給口１２及び液体ＬＱを回収するための回収口２２を有するノズル部材７０と、供給管１３、及びノズル部材７０の内部に形成された供給流路を介して供給口１２に液体ＬＱを供給する液体供給装置１１と、ノズル部材７０の回収口２２から回収された液体ＬＱを、ノズル部材７０の内部に形成された回収流路、及び回収管２３を介して回収する液体回収装置２１とを備えている。本実施形態においては、ノズル部材７０は、露光光ＥＬの光路空間Ｋを囲むように環状に設けられている。液体ＬＱを供給する供給口１２は、露光光ＥＬの光路空間Ｋの近傍に設けられている。液体ＬＱを回収する回収口２２は、ノズル部材７０の下面に設けられており、例えば基板Ｐの露光中は、基板Ｐの表面と対向する。本実施形態においては、回収口２２は、露光光ＥＬの光路空間Ｋに対して供給口１２よりも離れて設けられている。また、本実施形態においては、回収口２２には多孔部材（メッシュ）が配置される。

液体供給装置１１は、供給する液体ＬＱの温度を調整する温度調整装置、液体ＬＱ中の気体成分を低減する脱気装置、及び液体ＬＱ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えており、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。また、液体回収装置２１は、真空系等を備えており、液体ＬＱを回収可能である。液体供給装置１１及び液体回収装置２１を含む液浸システム１の動作は制御装置７に制御される。液体供給装置１１から送出された液体ＬＱは、供給管１３、及びノズル部材７０の供給流路を流れた後、供給口１２より露光光ＥＬの光路空間Ｋに供給される。また、液体回収装置２１を稼動することにより回収口２２から回収された液体ＬＱは、ノズル部材７０の回収流路を流れた後、回収管２３を介して液体回収装置２１に回収される。制御装置７は、液浸システム１を制御して、液体供給装置１１による液体供給動作と液体回収装置２１による液体回収動作とを並行して行うことで、露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように、終端光学素子ＦＬと対向する物体（例えば、基板Ｐ）上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する。

露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと露光光ＥＬの光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱとを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐ上に照射することによって、マスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影して、基板Ｐを露光する。また、本実施形態の露光装置ＥＸは、基板Ｐの露光中に、最終光学素子ＦＬと基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすとともに、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部の領域に、投影領域ＡＲよりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。

次に、本実施形態に係るテーブル４Ｔについて、図１〜図７を参照して説明する。図２は第１ホルダＨＤ１で基板Ｐを保持した状態のテーブル４Ｔの側断面図、図３は第１ホルダＨＤ１で基板Ｐを保持した状態のテーブル４Ｔを上方から見た平面図、図４は基板Ｐを第１ホルダＨＤ１より外した状態のテーブル４Ｔを上方から見た平面図、図５は基板Ｐ及び板部材Ｔを第１、第２ホルダＨＤ１、ＨＤ２より外した状態の平面図、図６は第１ホルダＨＤ１の一部を拡大した側断面図、図７は平面図である。

図２等に示すように、テーブル４Ｔは、基材３０と、基材３０に設けられ、基板Ｐを着脱可能に保持する第１ホルダＨＤ１と、基材３０に設けられ、板部材Ｔを着脱可能に保持する第２ホルダＨＤ２とを備えている。第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔは、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの周囲を囲むように配置される。

第１ホルダＨＤ１について説明する。図２〜図７に示すように、第１ホルダＨＤ１は、基材３０上に形成され、基板Ｐの裏面を支持する第１支持部材８１と、基材３０上に形成され、第１支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面と対向する第１上面３１Ａを有し、第１支持部材８１に支持された基板Ｐと基材３０との間の第１空間４１を囲むように設けられた第１周壁３１と、基材３０上に形成され、第１支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面と対向する第２上面３２Ａを有し、第１周壁３１を囲むように設けられた第２周壁３２と、基材３０上に形成され、第１支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面と対向する第３上面３３Ａを有し、第１支持部材８１及び第２周壁３２を囲むように設けられた第３周壁３３と、第１周壁３１と第２周壁３２との間の第２空間４２へ気体を供給可能な流通口６０と、第２周壁３２と第３周壁３３との間の第３空間４３の流体を吸引する第１吸引口６１とを備えている。

第１周壁３１は、基板Ｐの外形とほぼ同形状の環状（実質的に円環状）を有する。第１周壁３１の第１上面３１Ａは、第１支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面の周縁に相対的に近い領域と対向するように設けられている。第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面側には、基板Ｐの裏面と第１周壁３１と基材３０とで囲まれた第１空間４１が形成される。

第２周壁３２は、第１空間４１に対して第１周壁３１の外で第１周壁３１に沿って形成される。第１周壁３１と第２周壁３２とは所定の間隔（例えば、１ｍｍ）だけ離れている。第２周壁３２も、基板Ｐの外形とほぼ同形状の環状（実質的に円環状）を有する。第２周壁３２の第２上面３２Ａは、第１支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面の周縁に相対的に近い領域と対向するように設けられている。第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面側には、基板Ｐの裏面と第１周壁３１と第２周壁３２と基材３０とで囲まれた第２空間４２が形成される。

第３周壁３３は、第１空間４１に対して第１周壁３１、及び第２周壁３２の外に、第２周壁３２から所定距離だけ離れて形成されている。第３周壁３３も、基板Ｐの外形とほぼ同形状の環状(実質的に円環状)を有する。第３周壁３３の第３上面３３Ａは、第１支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面の周縁領域（エッジ領域）と対向するように設けられている。第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面側には、基板Ｐの裏面と第２周壁３２と第３周壁３３と基材３０とで囲まれた第３空間４３が形成される。
上述したように、第１、第２、第３周壁３１、３２、３３はいずれも、第１支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面のエッジ領域、あるいはそのエッジ領域に近い領域と対向するように設けられている。

本実施形態においては、第１、第２、第３周壁３１、３２、３３は、ほぼ同心となるように配置されている。第１ホルダＨＤ１は、第１空間４１の中心と、基板Ｐの裏面の中心とがほぼ一致するように、基板Ｐを保持する。

また、本実施形態においては、第３周壁３３の外径は、基板Ｐの外径よりも小さい。換言すれば、第３周壁３３は、第１支持部材８１に支持された基板Ｐのエッジよりも内側（基板Ｐの中心側）に設けられている。第１支持部材８１に支持された基板Ｐのエッジ領域の一部は、第３周壁３３の外側に所定量オーバーハングしている。以下の説明においては、基板Ｐの裏面の、第３周壁３３よりも外側にオーバーハングした領域を適宜、オーバーハング領域Ｈ１（図６参照）、と称する。本実施形態においては、オーバーハング領域Ｈ１の幅は、約１．５ｍｍである。

図６に示すように、本実施形態においては、第１ホルダＨＤ１に支持された基板Ｐの裏面と第１周壁３１の第１上面３１Ａとの間には、第１ギャップＧ１が形成される。また、第１ホルダＨＤ１に支持された基板Ｐの裏面と第２周壁３２の第２上面３２Ａとの間には、第２ギャップＧ２が形成される。第３周壁３３は、第１ホルダＨＤ１に支持された基板Ｐの裏面と第３上面３３Ａとが接触するように形成されている。

本実施形態においては、第１ギャップＧ１は約２〜１０μｍであり、第２ギャップＧ２も約２〜１０μｍである。また、本実施形態においては、第１、第２、第３上面３１Ａ、３２Ａ、３３Ａの幅は、約０．５ｍｍである。

流通口６０は、第２空間４２と接続されている。図４、図５、図７等に示すように、本実施形態においては、流通口６０は、第１周壁３１と第２周壁３２との間の基材３０上で第１周壁３１を囲むように、第１周壁３１の外で周方向に所定間隔で複数形成されている。本実施形態においては、流通口６０の形状はそれぞれ円形状であるが、角形状などでもよい。また、本実施形態においては、流通口６０は、ほぼ等間隔で配置されている。

図６等に示すように、第２空間４２と外部空間（大気空間）とは、流通口６０を介して接続されている。すなわち、流通口６０及びその流通口６０に接続する流路６０Ｒを介して、第２空間４２と外部空間との間で気体が流通可能である。第２空間４２は、流通口６０を介して大気開放されている。

本実施形態においては、第１周壁３１と第２周壁３２との間の基材３０上には、第１周壁３１を囲むように、第１周壁３１の外で第１周壁３１に沿って環状の第１溝５１が形成されている。流通口６０は、第１溝５１の内側に（第１溝５１の底部に）形成されている。

図１及び図６等に示すように、基材３０の第２周壁３２と第３周壁３３との間に形成されている第１吸引口６１は、真空系等を含む第１吸引装置９１と流路６１Ｒを介して接続されている。また、第１吸引口６１は、第３空間４３と接続されている。制御装置７は、第１吸引装置９１を駆動することにより、第３空間４３の流体（気体及び液体の少なくとも一方を含む）を吸引する。

本実施形態においては、第１吸引口６１は、第２周壁３２と第３周壁３３との間の基材３０上で第２周壁３２を囲むように、第２周壁３２の外で周方向に所定間隔で複数形成されている。本実施形態においては、第１吸引口６１の形状は、それぞれは円形状であるが、角形状などでもよい。また、本実施形態においては、第１吸引口６１は、ほぼ等間隔で配置されている。

また、本実施形態においては、第２周壁３２と第３周壁３３との間の基材３０上には、第２周壁３２を囲むように、第２周壁３２に沿って環状の第２溝５２が形成されている。第１吸引口６１は、第２溝５２の内側に（第２溝５２の底部に）形成されている。

第１支持部材８１は、基材３０の上面に形成されたピン状の突起部であり、基材３０の上面の複数の所定位置のそれぞれに配置されている。本実施形態においては、第１支持部材８１は、第１周壁３１の内側に複数配置されている。また、第１支持部材８１は、第２周壁３２と第２溝５２との間、及び第２溝５２と第３周壁３３との間に複数配置されている。

なお、図４、図５においては、簡略化のために、第３空間４３内の第１支持部材８１が省略されている。但し、基板Ｐの表面Ｐａの十分な平坦性が確保できる場合には、第３空間４３に第１支持部材８１を設けなくてもよい。

基材３０上には、第１空間４１及び第３空間４３を大気圧に比べて負圧の空間にするために流体（主に気体）を吸引する第２吸引口６２が複数設けられている。第２吸引口６２は、第１周壁３１の内側、及び第２周壁３２と第３周壁３３との間に設けられている。第２吸引口６２は専ら基板Ｐを吸着保持するために使われる。

第１周壁３１の内側において、第２吸引口６２は、第１支持部材８１以外の複数の所定位置にそれぞれ形成されている。また、第２周壁３２と第３周壁３３との間において、第２吸引口６２は、第２周壁３２に対して第１吸引口６１よりも離れた位置に形成されている。すなわち、第２吸引口６２は、基材３０の上面の第２周壁３２と第３周壁３３との間において、第２周壁３２と第２溝５２との間には設けられておらず、第２溝５２と第３周壁３３との間の所定位置に複数設けられている。

なお、図２、図４、図５においては、簡略化のために、第２溝５２と第３周壁３３との間に設けられた第２吸引口６２が省略されている。但し、第１周壁３１の内側に設けられた第２吸引口６２だけで基板Ｐの表面Ｐａの十分な平坦性が確保され、基板Ｐが動かないように保持可能であれば、第２溝５２と第３周壁３３との間に第２吸引口６２を設けなくてもよい。

図１及び図６等に示すように、第２吸引口６２のそれぞれは、真空系等を含む第２吸引装置９２に流路６２Ｒを介して接続されているとともに、第１空間４１及び第３空間４３と接続されている。制御装置７は、第２吸引装置９２を稼動することにより、第１、第３空間４１、４３の流体（気体及び液体の少なくとも一方を含む）を吸引可能である。制御装置７は、第２吸引装置９２を稼動し、基板Ｐの裏面と第１周壁３１と基材３０とで囲まれた第１空間４１の気体、及び基板Ｐの裏面と第２周壁３２と第３周壁３３と基材３０とで囲まれた第３空間４３の流体（主に気体）気体を吸引して、第１空間４１及び第３空間４３を負圧空間にすることによって、基板Ｐを第１支持部材８１上に吸着保持する。また、第２吸引装置９２による吸引動作を解除することにより、第１ホルダＨＤ１より基板Ｐを外すことができる。このように、本実施形態においては、第２吸引口６２を用いた吸引動作を制御することにより、基板Ｐを第１ホルダＨＤ１に対して着脱することができる。本実施形態における第１ホルダＨＤ１は所謂ピンチャック機構の一部である。

また、テーブル４Ｔは、基材３０上に形成され、第１支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面と対向する第４上面３４Ａを有し、第３周壁３３を囲むように設けられた第４周壁３４と、第３周壁３３と第４周壁３４との間の空間内の流体を吸引する第３吸引口６３とを備えている。第４周壁３４は、第３空間４３に対して第３周壁３３の外に、第３周壁３３から所定距離だけ離れて形成されている。第４周壁３４は第３周壁３３に沿って形成されている。第４周壁３４も、基板Ｐの外形とほぼ同形状の環状(実質的に円環状)を有する。ただし、後述するように、本実施形態においては、第４周壁３４は連続的に形成されておらず、円弧状の複数の周壁部で構成されている。

第４周壁３４の第４上面３４Ａは、第１支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１と対向する。本実施形態においては、第１支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１と第４周壁３４の第４上面３４Ａとの間には、第４ギャップＧ４が形成される。本実施形態においては、第４ギャップＧ４は、例えば１〜１０μｍ程度に設定されている。また、本実施形態においては、第４上面３４Ａの幅は、約０．５ｍｍに設定されている。

図１及び図６等に示すように、第３吸引口６３は、真空系等を含む第３吸引装置９３と流路６３Ｒを介して接続されている。また、第３吸引口６３は、第３周壁３３と第４周壁３４との間の第４空間４４と接続されている。第４空間４４は、基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１と第３周壁３３と第４周壁３４と基材３０とで囲まれた空間である。制御装置７は、第３吸引装置９３を稼動することにより、第４空間４４の流体（気体及び液体の少なくとも一方を含む）を吸引可能である。

本実施形態においては、第３吸引口６３は、第３周壁３３と第４周壁３４との間の基材３０上で第３周壁３３を囲むように、第３周壁３３の外で周方向に所定間隔で複数形成されている。本実施形態においては、第３吸引口６３の形状はそれぞれ円形状であるが、角形状などでもよい。また、本実施形態においては、第３吸引口６３は、第３周壁３３に沿ってほぼ等間隔で配置されている。

また、本実施形態においては、第３周壁３３と第４周壁３４との間の基材３０上には、第３周壁３３を囲むように、第３周壁３３の外で第３周壁３３に沿って環状の第３溝５３が形成されている。第３吸引口６３は、第３溝５３の内側に（第３溝５３の底部に）形成されている。

また、第４周壁３４の一部には、スリット３７が形成されている。スリット３７は、第４周壁３４の周方向における複数の所定位置のそれぞれに形成されている。本実施形態においては、スリット３７は、第４周壁３４の周方向においてほぼ等間隔で配置されている。

本実施形態においては、スリット３７は、上下方向（Ｚ軸方向）に延びるように形成され、スリット３７の下端は、基材３０まで達している。一方、スリット３７の上端は第４周壁３４の第４上面３４Ａまで達している。したがって、本実施形態における第４周壁３４は、平面視円弧状の凸部を複数組み合わせたものであり、それら円弧状の凸部を第３周壁３３に沿って複数設けることにより、全体としてほぼ環状となっている。

また、第３吸引口６３は、互いに隣り合う二つのスリット３７間に配置されている。本実施形態においては、互いに隣り合う二つのスリット３７間に二つの第３吸引口６３が設けられている。

図７に示すように、流通口６０のそれぞれは、互いに隣り合う二つの第１吸引口６１間に配置されている。すなわち、流通口６０と第１吸引口６１とは、周方向において互いに異なる位置に設けられている。平面視円形状の第１空間４１の中心から放射状に延びる直線を仮想したときに、流通口６０と第１吸引口６１とが同一直線上に形成されないように、複数の流通口６０及び複数の第１吸引口６１のそれぞれの位置が定められている。

次に、板部材Ｔ及びその板部材Ｔを着脱可能に保持する第２ホルダＨＤ２について説明する。板部材Ｔは、テーブル４Ｔとは別の部材であって、基材３０に対して着脱可能である。また、図３等に示すように、板部材Ｔの中央には、基板Ｐを配置可能な略円形状の孔ＴＨが形成されている。第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔは、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐを囲むように配置される。本実施形態においては、第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔの表面は、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）となるような平坦面となっている。なお、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの表面と第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔの表面との間に段差があってもよい。

第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐのエッジ（外側面）と、第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔの内側のエッジ（内側面）との間には、第５ギャップＧ５が形成される。第５ギャップＧ５は、例えば０．１〜１．０ｍｍ程度に設定される。また、板部材Ｔの外形は平面視矩形状であり、本実施形態においては、基材３０の外形とほぼ同形状である。

板部材Ｔは、液体ＬＱに対して撥液性を有している。板部材Ｔは、例えばポリ四フッ化エチレン（テフロン（登録商標））等のフッ素系樹脂、あるいはアクリル系樹脂等の撥液性を有する材料によって形成されている。なお、板部材Ｔを金属等で形成し、その表面にフッ素系樹脂などの撥液性材料で被覆するようにしてもよい。

第２ホルダＨＤ２は、基材３０上に形成され、板部材Ｔの裏面を支持する第２支持部材８２を備えている。また、第２ホルダＨＤ２は、基材３０上に形成され、第２支持部材８２に支持された板部材Ｔの裏面と対向する第５上面３５Ａを有し、第４周壁３４を囲むように設けられた第５周壁３５と、基材３０上に形成され、第２支持部材８２に支持された板部材Ｔの裏面と対向する第６上面３６Ａを有し、第５周壁３５を囲むように設けられた第６周壁３６を備えている。第２支持部材８２は、第５周壁３５と第６周壁３６との間の基材３０上に形成されている。

第５周壁３５の第５上面３５Ａは、第２支持部材８２に支持された板部材Ｔの裏面のうち、孔ＴＨ近傍の内縁領域（内側のエッジ領域）と対向するように設けられている。また、第６周壁３６の第６上面３６Ａは、第２支持部材８２に支持された板部材Ｔの裏面のうち、外縁領域（外側のエッジ領域）と対向するように設けられている。第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔの裏面側には、板部材Ｔの裏面と第５周壁３５と第６周壁３６と基材３０とで囲まれた第５空間４５が形成される。この第５空間４５を負圧空間とすることによって、第２ホルダＨＤ２の第２支持部材８２上に板部材Ｔが支持される。

本実施形態においては、第５周壁３５は、第２支持部材８２に支持された板部材Ｔの裏面と第５上面３５Ａとが接触するように形成される。第６周壁３６は、第２支持部材８２に支持された板部材Ｔの裏面と第６上面３６Ａとが接触するように形成される。

第２支持部材８２は、基材３０の上面に形成されたピン状の突起部であり、第５周壁３５と第６周壁３６との間の基材３０の上面の複数の所定位置のそれぞれに配置されている。

第５周壁３５と第６周壁３６との間の基材３０上には、第５空間４５を負圧空間にするために、第５空間４５内から流体（主に気体）を吸引する第４吸引口６４が設けられている。第４吸引口６４は専ら板部材Ｔを吸着保持するために使用される。第５周壁３５と第６周壁３６との間の基材３０上において、第４吸引口６４は、第２支持部材８２以外の複数の所定位置にそれぞれ形成されている。

図１及び図６等に示すように、第４吸引口６４のそれぞれは、真空系等を含む第４吸引装置９４に流路６４Ｒを介して接続されているとともに、第５空間４５と接続されている。制御装置７は、第４吸引装置９４を稼動することにより、第５空間４５の流体（気体及び液体の少なくとも一方を含む）を吸引可能である。制御装置７は、第４吸引装置９４を稼動し、第２支持部材に支持された板部材Ｔの裏面と第５周壁３５と第６周壁３６と基材３０とで囲まれた第５空間４５の流体（主に気体）を吸引して、第５空間４５を負圧空間にすることによって、板部材Ｔを第２支持部材８２上に吸着固定する。また、第４吸引装置９４による吸引動作を解除することにより、第２ホルダＨＤ２より板部材Ｔを外すことができる。このように、本実施形態においては、第４吸引口６４を用いた吸引動作を制御することにより、板部材Ｔを第２ホルダＨＤ２に対して着脱することができる。本実施形態における第２ホルダＨＤ２は所謂ピンチャック機構の一部である。

また、図６等に示すように、第１支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１と第４周壁３４と第５周壁３５と基材３０とで囲まれた第６空間４６は、第１支持部材８１に支持された基板Ｐと第２支持部材８２に支持された板部材Ｔとの間に形成された第５ギャップＧ５を介して、外部空間（大気空間）と接続されている。

また、図６、図７等に示すように、第４空間４４は、第４ギャップＧ４、第５ギャップＧ５、及びスリット３７を介して、外部空間と接続されている。すなわち、スリット３７、第４ギャップＧ４、及び第５ギャップＧ５によって、第４空間４４と外部空間との間で流体（気体及び液体の少なくとも一方を含む）が流通可能となっている。

また、第３周壁３３の外側面と第４周壁３４の内側面との間には、約１ｍｍの第６ギャップＧ６が形成される。第４周壁３４の外側面と第５周壁３５の内側面との間には、約１ｍｍの第７ギャップＧ７が形成される。

次に、露光装置ＥＸの露光動作を、テーブル４Ｔの基板保持動作とともに説明する。特に、テーブル４Ｔの液体回収動作について詳細に説明する。

制御装置７は、基板ステージ４を所定の基板交換位置（ローディングポジション）に配置し、基板ステージ４のテーブル４Ｔの第１ホルダＨＤ１に搬送装置１００を用いて露光処理されるべき基板Ｐを搬入（ロード）する。制御装置７は、所定のタイミングで第２吸引装置９２を駆動し、第２吸引口６２を介して、第１空間４１、及び第３空間４３を負圧空間にすることによって、基板Ｐを第１支持部材８１で吸着保持する。なお、基板Ｐが第１ホルダＨＤ１に保持される前に、制御装置７は、第４吸引装置９４を駆動して、第４吸引口６４を介して第５空間４５を負圧空間にすることによって、板部材Ｔが第２ホルダＨＤ２に保持される。

また、制御装置７は、所定のタイミングで、第１吸引装置９１を駆動し、第１吸引口６１を用いた吸引動作を開始する。制御装置７は、基板Ｐの表面及び板部材Ｔの表面の少なくとも一方に液浸領域ＬＲを形成している間、第１吸引口６１を用いた吸引動作を実行（継続）する。本実施形態においては、制御装置７は、基板Ｐを第１ホルダＨＤ１に搬入（ロード）した直後に、第２吸引口６２の吸引動作の開始と同時に第１吸引口６１を用いた吸引動作を開始し、第１ホルダＨＤ１で保持した基板Ｐの露光し、露光後の基板Ｐを第１ホルダＨＤ１より搬出（アンロード）する直前まで、第１吸引口６１を用いた吸引動作を継続する。なお、第１吸引口６１を用いた吸引動作は、第２吸引口６２を用いた吸引動作を行って、第１ホルダＨＤ１で基板Ｐを保持した後に開始してもよい。基板Ｐの上面と板部材Ｔの上面の少なくとも一部に液浸領域ＬＲが形成される前に、第１吸引口６１を用いた吸引動作が開始されればよい。

制御装置７は、第１ホルダＨＤ１で保持された基板Ｐを液浸露光するために、液浸システム１を用いて、基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する。制御装置７は、テーブル４Ｔの第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐを液浸領域ＬＲの液体ＬＱを介して露光する。

例えば基板Ｐの表面のエッジ近傍の領域を液浸露光するとき、液浸領域ＬＲの一部が基板Ｐの外側の板部材Ｔ上に形成される。すなわち、第５ギャップＧ５の上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲが形成される。しかしながら、第５ギャップＧ５は、０．１〜１．０ｍｍに設定されているので、液体ＬＱの表面張力によって、第５ギャップＧ５に液体ＬＱが浸入することが抑制されている。また、板部材Ｔは撥液性を備えているので、第５ギャップＧ５を介して基板Ｐの裏面側に液体ＬＱが浸入することが抑制されている。したがって、基板Ｐの表面のエッジ近傍の領域を露光する場合にも、投影光学系ＰＬの下に液体ＬＱを保持することができる。

このように、第５ギャップＧ５を小さくしたり、基板Ｐの周囲に撥液性の板部材Ｔを配置する等して、第５ギャップＧ５からの液体ＬＱの浸入を抑制するようにしているが、液浸領域ＬＲを形成している液体ＬＱの圧力変化などに起因して、基板Ｐの周囲に形成されている第５ギャップＧ５から液体ＬＱが浸入する可能性がある。第５ギャップＧ５を介して第６空間４６に浸入した液体ＬＱが、第４ギャップＧ４などを介して第４空間４４に浸入した場合でも、基板Ｐの裏面と第３周壁３３の第３上面３３Ａとは接触（密着）しているので、第３周壁３３の内側の空間へ液体ＬＱが浸入することを抑制することができる。また、第４空間４４を設けることにより、ギャップＧ５、Ｇ４などを介して浸入した液体ＬＱを、その第４空間４４で保持することができる。なお、本実施形態においては、制御装置７は、少なくとも基板Ｐを露光している間においては、第３吸引口６３を用いた吸引動作は実行しない。すなわち、制御装置７は、少なくとも基板Ｐを露光している間、第３吸引装置９３の稼動を停止している。

このように、本実施形態のテーブル４Ｔは、第４空間４４に液体ＬＱが浸入しても、第３周壁３３の内側の空間へ液体ＬＱが浸入し難い構成となっている。しなしながら、基板Ｐの裏面Ｐｂと第３周壁３３の上面３３Ａとの接触状態によっては、第３周壁３３の内側の空間へ液体ＬＱが浸入する可能性がある。例えば基板Ｐの裏面の第３周壁３３の第３上面３３Ａと接触する領域に凹凸があったり、基板Ｐに反りが生じている等、何らかの原因で基板Ｐの裏面と第３周壁３３の第３上面３３Ａとの間に隙間が生じると、基板Ｐの裏面と第３周壁３３の第３上面３３Ａとの間を介して、第３周壁３３の内側の空間に液体ＬＱが浸入する可能性がある。本実施形態においては、第３周壁３３の内側に気体を供給可能な流通口６０を設けるとともに、第３周壁３３と流通口６０との間に第１吸引口６１を設け、第１吸引口６１を用いた吸引動作を実行しているので、仮に第３周壁３３の内側の空間に液体ＬＱが浸入しても、第１空間４１及び第２空間４２に液体ＬＱが浸入することを防止することができる。

図８は、第１吸引口６１を用いた吸引動作を実行しているときの状態を模式的に示す図である。図８に示すように、第１吸引口６１の吸引動作により、第２空間４２から第２ギャップＧ２を介して第３空間４３に向かう気体の流れＦ２を生成することができる。第２空間４２は、流通口６０により大気開放されているため、第１吸引口６１の吸引動作を実行することで、外部空間（大気空間）から流通口６０を介して第２空間４２に気体が供給（流入）され、第２空間４２から第２ギャップＧ２を介して第３空間４３の第１吸引口６１に向かう気体の流れＦ２を生成することができる。この気体の流れＦ２は、基板Ｐの裏面の中央から外側へ向かう流れであるため、基板Ｐの裏面と第３周壁３３の第３上面３３Ａとの間から第３周壁３３の内側の空間に液体ＬＱが浸入しても、気体の流れＦ２により、その液体ＬＱが第２周壁３２よりも内側の空間、すなわち第１空間４１及び第２空間４２に浸入することを抑制することができる。

本実施形態においては、所望状態の気体の流れＦ２を生成するために、第２ギャップＧ２の値が最適化されている。本実施形態において、第２ギャップＧ２は、２〜１０μｍであるため、第２空間４２から第３空間４３に向かう高速の気体の流れＦ２を生成することができる。

なお、上述のように、第２ギャップＧ２は２〜１０μｍ程度と微小であり、第２空間４２から第３空間４３に流入する気体の単位時間当たりの流量が最適化されている。したがって、第２空間４２から第３空間４３へ流入する気体が第３空間４３の負圧化の妨げになることはほとんどなく、第１ホルダＨＤ１による真空吸着動作を円滑に行うことができる。すなわち、第２ギャップＧ２は、所望状態の気体の流れＦ２を生成でき、且つ第１ホルダＨＤ１で基板Ｐを吸着保持できるように最適化されている。

また、本実施形態においては、基板Ｐの裏面と第１周壁３１の第１上面３１Ａとの間に第１ギャップＧ１が形成されているので、例えば第１周壁３１と基板Ｐとが接触することに起因する基板Ｐの局所的な変形等の発生を抑えることができる。第１空間４１は第２吸引口６２を用いた吸引動作により負圧空間になっているので、第２空間４２から第１ギャップＧ１を介して第１空間４１に向かう気体の流れＦ１も生成されるが、第１ギャップＧ１も、所望状態の気体の流れＦ１を生成し、且つ第１ホルダＨＤ１で基板Ｐを真空吸着保持できるように最適化されている。

図９の模式図に示すように、流通口６０から第２空間４２に供給（流入）した気体は、第１溝５１にガイドされて周方向に拡がりつつ、第２ギャップＧ２に向かって流れる。すなわち、流通口６０から第２空間４２に供給され、第２ギャップＧ２に向かう気体の流速、流量は、第１溝５１により周方向において均一化される。

また、第２周壁３２の第２上面３２Ａは環状であり、第２ギャップＧ２は、第２上面３２Ａの周方向においてほぼ同じである。したがって、第２空間４２から第３空間４３に向かう気体の流速及び流量は、第２ギャップＧ２の全域において均一化される。

また、図９の模式図に示すように、第１吸引口６１は、第２周壁３２を囲むように、第２周壁３２の外で周方向に所定間隔で複数形成されている。また、第１吸引口６１は、第２周壁３２を囲むように環状に形成された第２溝５２内に形成されている。第２空間４２から第３空間４３に供給（流入）した気体は、第２溝５２にガイドされて周方向に拡がりつつ、第２溝５２に沿って第１吸引口６１に向かって流れる。

このように、第２空間４２から第２ギャップＧ２を介して第３空間４３に向かう気体の流れＦ２が、周方向において均一化されている。また、第２溝５２に沿って第１吸引口６１のそれぞれに向かう気体の流れが生成される。したがって、第１支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面と第３周壁３３の第３上面３３Ａとの間のいずれの部分から液体ＬＱが第３周壁３３の内側の第３空間４３に浸入しても、浸入した液体ＬＱは第２溝５２内に引き込まれ、第１吸引口６１から回収することができる。その結果、その液体ＬＱが第２周壁３２の内側の空間（第１空間４１及び第２空間４２）に達することを抑制することができる。

基板Ｐの液浸露光終了後、且つ基板Ｐ上及び板部材Ｔ上の液浸領域ＬＲが無くなった後、制御装置７は、第２吸引装置９２の吸引動作を停止する。制御装置７は、第２吸引装置９２の吸引動作を停止した後に、第１吸引装置９１の吸引動作を所定時間継続した後、第１吸引装置９１の吸引動作を停止する。このように、第２吸引装置９２の吸引動作を停止した後に、第１吸引装置９１の吸引動作を停止することによって、第１吸引装置９１に接続された流路６１Ｒ内の液体ＬＱが逆流して、第１吸引口６１から噴出することを防止することができる。

また、基板Ｐの露光終了後、制御装置７は、第２吸引装置９２の吸引動作を停止する前に、基板Ｐを第１ホルダＨＤ１で保持した状態で、第３吸引装置９３を駆動し、第３吸引口６３を用いた吸引動作を開始する。制御装置７は、第３吸引口６３を用いた吸引動作を行うことにより、基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１に付着している液体ＬＱ、及び第４空間４４に存在する液体ＬＱを回収することができる。

例えば、図１０に示すように、第５ギャップＧ５から浸入した液体ＬＱは、基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１に付着する可能性が高い。あるいは、第５ギャップＧ５を介して第４空間４４へ浸入した液体ＬＱは、例えば第３周壁３３の外側面、第４周壁３４の内側面、及び基材３０の上面等に付着する可能性が高い。制御装置７は、第３吸引装置９３を所定時間駆動することによって、第５ギャップＧ５から浸入した液体ＬＱを回収する。

第３吸引装置９３が駆動されると、第３吸引口６３の周囲の流体（すなわち第４空間４４の流体）は、第３吸引口６３に吸引される。第４周壁３４の第４上面３４Ａと基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１との間に形成された第４ギャップＧ４は、第４空間４４と外部空間との間で気体を流通可能な流路を形成している。図１０に示すように、第３吸引装置９３が第３吸引口６３を介して第４空間４４の流体（主に気体）を吸引することによって、外部空間（大気空間）から第５ギャップＧ５及び第４ギャップＧ４を介して第４空間４４に流入し、第３吸引口６３へ向かう気体の流れＦ３が生成される。また、第４周壁３４の一部に設けられたスリット３７も、第４空間４４と外部空間との間で気体を流通可能な流路を形成している。図１１に示すように、第３吸引装置９３が第３吸引口６３を介して第４空間４４の流体（主に気体）を吸引することによって、外部空間（大気空間）から第５ギャップＧ５及びスリット３７を介して第４空間４４に流入し、第３吸引口６３へ向かう気体の流れＦ４が生成される。

第３吸引口６３を用いた吸引動作により生成された気体の流れＦ３、Ｆ４によって、基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１に付着している液体ＬＱ及び、第４空間４４へ浸入した液体ＬＱ（第３周壁３３の外側面、第４周壁３４の内側面、及び基材３０の上面等に付着している液体ＬＱ）は、第３吸引口６３まで移動し、第３吸引口６３から回収される。

また、図１１の模式図に示すように、第３吸引口６３は、第３周壁３３を囲むように所定間隔で複数形成されている。第３吸引口６３は、第３周壁３３を囲むように環状に形成された第３溝５３内に形成されている。スリット３７及び第４ギャップＧ４から第４空間４４に供給（流入）した気体は、第３溝５３、第３周壁３３の外側面、及び第４周壁３４の内側面にガイドされつつ、第３吸引口６３に向かって流れる。したがって、第４空間４４に存在する液体ＬＱを第３吸引口６３を用いて円滑に回収することができる。

上述のように、本実施形態においては、第３吸引口６３を用いた吸引動作は、液体ＬＱを介した基板Ｐの露光終了後に行われる。露光中に第３吸引口６３を用いた吸引動作を停止することで、第３吸引口６３を用いた吸引動作（液体回収動作）に起因する振動、基板Ｐ表面の平坦度の劣化などを抑えることができる。また、基板Ｐを第１ホルダＨＤ１に保持した状態で、第３吸引口６３を用いた吸引動作を行うことで、液体ＬＱを円滑に回収することができる。なお、第３吸引口６３を用いた吸引動作（液体回収動作）は、基板Ｐの露光終了後であって、基板Ｐを第１ホルダＨＤ１よりアンロードする前であればいつでもよい。なお、振動、基板Ｐの平坦度、気化熱などが問題とならなければ、第３吸引口６３を用いた吸引動作を基板Ｐの露光中に行ってもよい。

また、本実施形態においては、制御装置７は、第３吸引装置９３の吸引動作中に、第２吸引装置９２の吸引動作を停止する。更に、第３吸引口６３を用いた第４空間４４の液体回収動作を所定時間継続した後、制御装置７は、第１吸引装置９１の吸引動作を停止し、更にその後に第３吸引装置９３の吸引動作を停止する。これにより、第４空間４４から第３周壁３３の内側の第３空間４３への液体ＬＱの流入をより確実に抑えることができる。なお、第４空間４４の液体ＬＱの回収動作が十分に行われた後であれば、第１吸引装置９１と第３吸引装置９３の吸引動作とを同時に停止してもよいし、第３吸引装置９３の吸引動作を停止した後に、第１吸引装置９１の吸引動作を停止してもよい。

第１〜第３吸引装置９１、９２、９３の吸引動作を全て停止した後に、制御装置７は、不図示の基板昇降機構を用いて第１ホルダＨＤ１に対して基板Ｐを上昇させ、所定の基板交換位置において、搬送装置１００を用いて第１ホルダＨＤ１から基板Ｐをアンロード（搬出）する。

図１２Ａ及び１２Ｂは、第１ホルダＨＤ１からアンロードされた基板Ｐを搬送装置１００で搬送している状態を示す図である。搬送装置１００は、アーム部材１０１と、アーム部材１０１上に設けられ、基板Ｐの裏面の中央近傍の所定領域ＰＡと接触する接触面１０３を有する凸部材１０２とを備えている。第１ホルダＨＤ１の第１空間４１は、基板Ｐの裏面のうち、搬送装置１００の接触面１０３と接触する所定領域ＰＡに応じて設定されている。上述のように、第１ホルダＨＤ１で基板Ｐの裏面を保持した状態においては、第１吸引口６１の吸引動作により第１空間４１及び第２空間４２に液体ＬＱが浸入することが抑制されており、基板Ｐの裏面の所定領域ＰＡに液体ＬＱが付着することが抑制されている。したがって、搬送装置１００の接触面１０３を基板Ｐの裏面の所定領域ＰＡに接触させることで、搬送装置１００に液体ＬＱが付着することを抑制することができる。

以上説明したように、第２空間４２から第２ギャップＧ２を介して第３空間４３に向かう気体の流れＦ２を生成することで、基板Ｐの裏面の所定領域ＰＡ（第１空間４１に対応する領域）に液体ＬＱが付着することを抑制することができる。したがって、搬送装置１００が基板Ｐの裏面の所定領域ＰＡと接触する場合でも、搬送装置１００に液体ＬＱが付着することを抑制できる。

また、基板Ｐのオーバーハング領域Ｈ１に付着した液体ＬＱは、第３吸引口６３の吸引動作により回収されるので、基板Ｐをアンロードした後、その基板Ｐを搬送している間においても、搬送経路上に液体ＬＱが飛散することを抑制できる。また、必要に応じて、基板ステージ４からアンロードされた後の基板Ｐの搬送経路上に、基板Ｐに付着した液体ＬＱを除去可能な除去装置を設けておくことにより、搬送経路上に液体ＬＱが飛散することを抑制できる。この場合、除去装置は、再度基板Ｐ上に液体ＬＱを供給し、その後に、基板Ｐに付着した液体ＬＱを除去してもよい。

第１支持部材８１は、第１周壁３１の内側に加えて、第２周壁３２と第２溝５２との間、及び第２溝５２と第３周壁３３との間にも配置されており、基板Ｐに反り変形等が生じることを抑えつつ、基板Ｐを良好に支持することができる。

また、本実施形態においては、第３空間４３において、第２周壁３２と第１吸引口６１（第１溝５１）との間には、第２吸引口６２が配置されていない。これにより、第２周壁３２の第２上面３２Ａと第１支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面との間の第２ギャップＧ２から第１吸引口６１（第１溝５１）へ向かう気体の流れＦ２が乱れたり、弱まったりすることを抑制でき、所望状態の気体の流れＦ２を生成することができる。
なお、第１ホルダＨＤ１において、基板Ｐは、その中心から外側に向かって、順次吸着されることが望ましい。この場合、第１周壁３１の内側に設けられた第２吸引口６２と、第２周壁３２と第３周壁３３との間に設けられた第２吸引口とを、それぞれ別々の吸引装置（真空ポンプなど）に接続し、第１周壁３１の内側に設けられた第２吸引口６２を用いる吸引動作を開始した後に、第２周壁３２と第３周壁３３との間に設けられた第２吸引口６２を用いる吸引動作を開始してもよい。あるいは、第２周壁３２と第３周壁３３との間に設けられた第２吸引口６２に一端が接続された流路６２Ｒの他端を、第１周壁３１の内側に設けられた接続口に接続し、第２周壁３２と第３周壁３３との間に設けられた第２吸引口６２の吸引動作を、第１周壁３１の内側に設けられた第２吸引口６２と接続口とを介して行ってもよい。

なお、流通口６０に加圧ポンプ等を含む気体供給装置を接続し、その気体供給装置を用いて、流通口６０を介して第２空間４２に能動的に気体を供給するようにしてもよい。

なお、流通口６０の配置、数、形状等を最適化し、均一な所望の気体の流れを生成できるのであれば、第１溝５１を形成せず、基材３０の上面の所定位置に流通口６０を形成するようにしてもよい。同様に、所望の気体の流れを生成することができるのであれば、第２溝５２、第３溝５３を省略し、基材３０の上面の所定位置に、第１吸引口６１、第３吸引口６３を形成することができる。また、流通口６０を周方向に多数設けて、流通口６０から第１吸引口６１に向かって流速及び流量が均一な気体の流れＦ２が形成可能であれば、第２周壁３２を省いてもよい。

なお、上述の実施形態においては、第１周壁３１の第１上面３１Ａと基板Ｐの裏面との間には第１ギャップＧ１が形成されているが、第１周壁３１の第１上面３１Ａと基板Ｐの裏面とは接触してもよい。

なお、第１周壁３１の内側に更に、少なくとも一つの環状の周壁を、基板Ｐの裏面と所定のギャップを形成するように設けてもよい。第２空間４２は大気開放されているので、第１空間４１の負圧（吸着力）が不足する可能性があるが、第１周壁３１の内側に少なくとも一つの環状の周壁を追加することによって、追加した周壁の内側の空間の大きな吸着力を維持することができる。また、追加した周壁の内側の空間の吸着力が外側の空間の吸着力より大きくなるので、基板Ｐを安定して保持することができる。

なお、上述の実施形態においては、第３周壁３３の内側の空間に流入した液体ＬＱを回収するために、第１ホルダＨＤ１に気体を供給可能な流通口（６０）と流入した液体ＬＱを回収する吸引口（６１）とを設けているが、第５周壁３５の内側（板部材Ｔの裏面側の第５空間４５）に浸入した液体ＬＱを回収するために、第２ホルダＨＤ２に気体を供給可能な流通口と流入した液体ＬＱを回収する吸引口とを設けてもよい。

また、基板Ｐの周囲の平坦部を脱着可能な板部材Ｔで形成しているが、基板Ｐの周囲の平坦部を基材３０と一体的な部材で形成してもよい。

また、上述の実施形態の投影光学系は、最終光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、最終光学素子の物体面側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。

なお、本実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ_２レーザである場合、このＦ_２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ_２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。

また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。液体ＬＱとしては、例えば、屈折率が約１．５０のイソプロパノール、屈折率が約１．６１のグリセロール（グリセリン）といったＣ−Ｈ結合あるいはＯ−Ｈ結合を持つ所定液体、ヘキサン、ヘプタン、デカン等の所定液体（有機溶剤）、デカリン、バイサイクロヘクシル等の所定液体が挙げられる。あるいは、これら所定液体のうち任意の２種類以上の液体が混合されたものであってもよいし、純水に上記所定液体が添加（混合）されたものであってもよい。あるいは、液体ＬＱとしては、純水に、Ｈ^＋、Ｃｓ^＋、Ｋ^＋、Ｃｌ⁻、ＳＯ_４ ^２−、ＰＯ_４ ^２−等の塩基又は酸を添加（混合）したものであってもよい。更には、純水にＡｌ酸化物等の微粒子を添加（混合）したものであってもよい。これら液体ＬＱは、ＡｒＦエキシマレーザ光を透過可能である。また、液体ＬＱとしては、光の吸収係数が小さく、温度依存性が少なく、投影光学系ＰＬ及び／又は基板Ｐの表面に塗布されている感光材（又は保護膜（トップコート膜）あるいは反射防止膜など）に対して安定なものであることが好ましい。

光学素子ＬＳ１は、例えば石英（シリカ）で形成することができる。あるいは、フッ化カルシウム（蛍石）、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、及びＢａＬｉＦ_３等のフッ化化合物の単結晶材料で形成されてもよい。更に、最終光学素子は、ルテチウムアルミニウムガーネット（ＬｕＡＧ）で形成されてもよい。及びフッ化ナトリウム等のフッ化化合物の単結晶材料で形成されてもよい。

投影光学系の少なくとも１つの光学素子を、石英及び／又は蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で形成してもよい。例えば、国際公開第２００５／０５９６１７号パンフレットに開示されているような、サファイア、二酸化ゲルマニウム等、あるいは、国際公開第２００５／０５９６１８号パンフレットに開示されているような、塩化カリウム（屈折率約１．７５）等を用いることができる。

なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。基板はその形状が円形に限られるものでなく、矩形など他の形状でもよい。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）に適用してもよいし、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも適用できる。

更に、特開平１１−１３５４００号公報、特開２０００−１６４５０４号公報、米国特許６，８９７，９６３号などに開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。

上記各実施形態では干渉計システムを用いてマスクステージ及び基板ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば基板ステージの上面に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り替えて用いる、あるいはその両方を用いて、基板ステージの位置制御を行うようにしてもよい。

上記各実施形態では複数の光学素子を有する投影光学系を備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、一つの光学素子で構成された投影光学系を用いてもよい。あるいは、投影光学系を用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。投影光学系を用いない場合であっても、露光光はマスク又はレンズなどの光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸領域が形成される。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）などを含む）を用いてもよい。

また、例えば、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

さらに、例えば特表２００４−５１９８５０号公報（対応米国特許第６，６１１，３１６号）に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回のスキャン露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。

なお、法令で許容される限りにおいて、露光装置などに関する引例の開示を援用して本文の記載の一部とする。

以上のように、露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１３に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などの基板処理プロセスを含むステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

Claims (32)

1. 露光光が照射される基板を保持する基板保持装置であって、
   基部と、
   前記基部上に形成され、前記基板の裏面を支持する支持部と、
   前記基部上に形成され、前記支持部に支持された前記基板の裏面と対向する第１上面を有し、前記支持部に支持された前記基板と前記基部との間の第１空間を囲む第１周壁と、
   前記基部上に形成され、前記支持部に支持された前記基板の裏面とギャップを介して対向する第２上面を有し、前記第１周壁を囲む第２周壁と、
   前記基部上に形成され、前記支持部に支持された前記基板の裏面と対向する第３上面を有し、前記支持部及び前記第２周壁を囲む第３周壁と、
   前記第１周壁と前記第２周壁との間の第２空間へ気体を供給可能な流通口と、
   前記第２周壁と前記第３周壁との間の第３空間の流体を吸引する第１吸引口と、を備えた基板保持装置。
2. 前記第１吸引口の吸引動作により、前記第２空間から前記ギャップを介して前記第３空間に向かう気体の流れを生成する請求項１記載の基板保持装置。
3. 前記気体の流れにより、前記第１空間及び前記第２空間に液体が浸入することを抑制する請求項２記載の基板保持装置。
4. 前記第２空間は、前記流通口を介して大気開放されている請求項１〜３のいずれか一項記載の基板保持装置。
5. 前記流通口は、前記第１周壁と前記第２周壁との間の前記基部上で前記第１周壁の周方向に沿って所定間隔で複数形成されている請求項１〜４のいずれか一項記載の基板保持装置。
6. 前記第１周壁と前記第２周壁との間の前記基部上に形成され、前記第１周壁を囲むように形成された第１溝をさらに備え、
   前記流通口は、前記第１溝内に形成されている請求項１〜５のいずれか一項記載の基板保持装置。
7. 前記第１吸引口は、前記第２周壁と前記第３周壁との間の前記基部上に形成され、前記第２周壁に沿って所定間隔で複数形成されている請求項１〜６のいずれか一項記載の基板保持装置。
8. 前記第２周壁と前記第３周壁との間の前記基部上に形成され、前記第２周壁を囲むように形成された第２溝をさらに備え、
   前記第１吸引口は、前記第２溝内に形成されている請求項１〜７のいずれか一項記載の基板保持装置。
9. 前記支持部は、前記基部上において、前記第２周壁と前記第２溝との間、及び前記第２溝と前記第３周壁との間に配置された複数のピン状突起部を含む請求項８記載の基板保持装置。
10. 前記第３周壁は、前記支持部に支持された前記基板の裏面と前記第３上面とが接触するように形成される請求項１〜９のいずれか一項記載の基板保持装置。
11. 前記第１周壁の内側、及び前記第２周壁と前記第３周壁との間の前記基部上に設けられ、前記第１空間及び前記第３空間を負圧にするために前記第１空間及び前記第２空間のそれぞれから流体を吸引する第２吸引口をさらに備えた請求項１〜１０のいずれか一項記載の基板保持装置。
12. 前記第１空間及び前記第３空間を負圧にすることによって、前記基板の裏面を前記支持部材で吸着保持する請求項１１記載の基板保持装置。
13. 前記第２周壁と第３周壁との間において、前記第２吸引口は、前記第２周壁に対して前記第１吸引口よりも離れて形成される請求項１１又は１２記載の基板保持装置。
14. 前記基部上に形成され、前記支持部に支持された前記基板の裏面と対向する第４上面を有し、前記第３周壁を囲む第４周壁と、
    前記第３周壁と前記第４周壁との間の流体を吸引する第３吸引口とをさらに備えた請求項１〜１３のいずれか一項記載の基板保持装置。
15. 前記第３吸引口は、前記第３周壁と前記第４周壁との間の前記基部上に形成され、前記第３周壁の周方向に沿って所定間隔で複数形成されている請求項１４記載の基板保持装置。
16. 前記第３周壁と前記第４周壁との間の前記基部上に形成され、前記第３周壁を囲むように形成された第３溝をさらに備え、
    前記第３吸引口は、前記第３溝内に形成されている請求項１４又は１５記載の基板保持装置。
17. 前記第３周壁と前記第４周壁との間の第４空間と、前記第３周壁に対して前記第４周壁の外側の外部空間との間で気体を流通可能な流路をさらに備える請求項１４〜１６のいずれか一項記載の基板保持装置。
18. 前記流路は、前記第４周壁の一部に設けられたスリットを含む請求項１７記載の基板保持装置。
19. 前記流路は、前記第４周壁の前記第４上面により形成される請求項１７又は１８記載の基板保持装置。
20. 前記支持部材に支持された前記基板の裏面と前記第１周壁の第１上面との間にはギャップが形成される請求項１〜１９のいずれか一項記載の基板保持装置。
21. 前記第１、第２、及び第３周壁はそれぞれ、前記基板の外形と実質的に相似な環状である請求項１〜２０のいずれか一項記載の基板保持装置。
22. 前記第１空間の中心と前記基板の中心とがほぼ一致するように前記基板を保持する請求項２１記載の基板保持装置。
23. 請求項１〜請求項２２のいずれか一項記載の基板保持装置を備え、当該基板保持装置に保持された基板を液体を介して露光する露光装置。
24. 前記基板保持装置に対して前記基板を搬送可能な搬送装置を備え、
    前記第１空間は、前記基板の裏面のうち前記搬送装置と接触する領域に応じて設定されている請求項２３記載の露光装置。
25. 請求項２３又は請求項２４記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    該露光された基板を現像することと、
    を含むデバイス製造方法。
26. 液浸露光を行う露光方法において、
    基板保持装置に基板を保持することと、
    前記基板保持装置に保持された前記基板を露光することとを含み、
    前記基板保持装置は、
    基部と、
    前記基部上に形成され、前記基板の裏面を支持する支持部と、
    前記基部上に形成され、前記支持部に支持された前記基板の裏面と対向する第１上面を有し、前記支持部に支持された前記基板と前記基部との間の第１空間を囲む第１周壁と、
    前記基部上に形成され、前記支持部に支持された前記基板の裏面とギャップを介して対向する第２上面を有し、前記第１周壁を囲む第２周壁と、
    前記基部上に形成され、前記支持部に支持された前記基板の裏面と対向する第３上面を有し、前記支持部及び前記第２周壁を囲む第３周壁と、
    前記第１周壁と前記第２周壁との間の第２空間へ気体を供給可能な流通口と、
    前記第２周壁と前記第３周壁との間の第３空間の流体を吸引する第１吸引口と、を備える露光方法。
27. 前記基板の表面の一部に液体の液浸領域を形成することをさらに含み、
    前記基板は前記液体を介して露光される請求項２６記載の露光方法。
28. 前記基板の露光中に、前記第１吸引口を介して前記第３空間内の流体を吸引することをさらに含む請求項２６又は２７記載の露光方法。
29. 前記基板保持装置は、前記基部上に形成され、前記基板を吸着保持するために前記第１空間内の気体を吸引する第２吸引口をさらに備え、
    前記第２吸引口を用いた吸引動作を開始した後に、前記第１吸引口を用いた吸引動作が開始される請求項２６〜２８のいずれか一項記載の露光方法。
30. 前記基板の露光終了後、前記第２吸引口を用いた吸引動作を停止することと、
    前記第２吸引口を用いた吸引動作を終了後に、前記第１吸引口を用いた吸引動作を停止することとを含む請求項２９記載の露光方法。
31. 前記基板保持装置は、前記基部上に設けられ、前記第３周壁の外側に設けられた第３吸引口をさらに備え、
    前記基板の露光終了後、前記第２吸引口を用いた吸引動作を停止する前に、前記第３吸引口を用いて、前記第３周壁の外側の流体を吸引することをさらに含む請求項３０記載の露光方法。
32. 請求項２６〜請求項３１のいずれか一項の露光方法を用いて基板を露光することと、
    該露光された基板を現像することと、
    を含むデバイス製造方法。