CN113867103A - 曝光装置和制造物品的方法 - Google Patents

曝光装置和制造物品的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113867103A
CN113867103A CN202110730772.0A CN202110730772A CN113867103A CN 113867103 A CN113867103 A CN 113867103A CN 202110730772 A CN202110730772 A CN 202110730772A CN 113867103 A CN113867103 A CN 113867103A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
optical system
guide member
substrate
port
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110730772.0A
Other languages
English (en)
Inventor
本间将人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN113867103A publication Critical patent/CN113867103A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Abstract

本发明公开了曝光装置和制造物品的方法。本发明提供了对基板进行曝光的曝光装置，包括：光学系统，所述光学系统被配置为在第一方向上发出用于对基板进行曝光的光；第一供给器，所述第一供给器被配置为将气体供给到布置有所述光学系统的腔室中；以及第二供给器，所述第二供给器被配置为向来自所述光学系统的光通过的光路空间供给气体，其中所述第二供给器包括气体吹送器和引导构件，所述气体吹送器包括吹送口，气体在第二方向上从所述吹送口吹出，所述引导构件被配置为将从所述吹送口吹出的气体引导到所述光路空间，并且所述引导构件包括板构件，所述板构件在所述吹送口的第一方向侧延伸以便沿着所述第二方向布置。

Description

曝光装置和制造物品的方法
技术领域
本发明涉及曝光装置和制造物品的方法。
背景技术
作为在液晶面板、半导体器件等的制造过程(光刻过程)中使用的装置之一，存在通过投影光学系统将原版的图案图像投影到基板上并且对基板进行曝光的曝光装置。在曝光装置中，已知当施加在基板上的抗蚀剂(感光材料)被曝光时，从抗蚀剂产生气体(排气(outgas))。如果排气与周围气氛中或光学元件的表面膜中的诸如酸、碱或有机物质的杂质反应，那么这引起布置在基板周围的光学元件的雾化(fog)。特别地，位于投影光学系统的最下端的光学元件面对基板布置，使得可能由于来自抗蚀剂的排气而雾化。如果光学元件雾化，那么光学元件的光透射率降低，并且这可以导致曝光量不足、照度不均匀或耀斑。日本专利特开No.2005-333152提出了一种布置，其中从提供在投影光学系统的侧部中的喷嘴向下吹送的气体利用附壁效应(Coanda effect)沿着引导元件的弯曲表面被引导以在投影光学系统与基板之间供给气体。
在日本专利特开No.2005-333152中描述的布置中，通过引导构件利用附壁效应改变气体的流动方向，并且这样的气体具有卷入(entrain)周围气体的性质。因此，气体可以在卷入从抗蚀剂产生的排气的同时在投影光学系统的光学元件与基板之间流动。因此，不能充分避免到达投影光学系统的光学元件的排气(即，光学元件的雾化)。
发明内容
本发明提供了一种曝光装置，其在例如减少光学系统中的光学元件的雾化上是有利的。
根据本发明的一个方面，提供了一种对基板进行曝光的曝光装置，包括：光学系统，所述光学系统被配置为在第一方向上发出用于对基板进行曝光的光；第一供给器，所述第一供给器被配置为将气体供给到布置有所述光学系统的腔室中；以及第二供给器，所述第二供给器被配置为向来自所述光学系统的光通过的光路空间供给气体，其中所述第二供给器包括气体吹送器和引导构件，所述气体吹送器包括吹送口，气体以高于从所述第一供给器吹出的气体的流速的流速在第二方向上从所述吹送口吹出，并且所述引导构件被配置为将从所述吹送口吹出的气体引导到所述光路空间，并且所述引导构件包括板构件，所述板构件在所述吹送口的第一方向侧延伸以便沿着气体从所述吹送口吹出的所述第二方向布置。
从以下参考附图对示例性实施例的描述，本发明的进一步特征将变得清楚。
附图说明
图1是示出曝光装置的总体布置的图；
图2A和图2B是各自示出根据第一实施例的第二供给器的布置示例的图；
图3是示出根据第一实施例的第二供给器被附接到投影光学系统的布置示例的图；
图4A到图4D是各自示出引导构件内部的吹送口的布置示例和形状示例的图；
图5是示出根据第一实施例的第二供给器的修改的图；
图6A和图6B是各自示出根据第一实施例的第二供给器的另一个修改的图；
图7A和图7B是各自示出根据第一实施例的第二供给器的又另一个修改的图；
图8是示出根据第二实施例的第二供给器的布置示例的图；
图9是示出根据第三实施例的第二供给器的布置示例的图；
图10是示出根据第四实施例的第二供给器的布置示例的图；
图11是示出根据第五实施例的第二供给器的布置示例的图；以及
图12是示出根据第六实施例的第二供给器的布置示例的图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述实施例。注意，以下实施例不旨在限制要求保护的发明的范围。在实施例中描述了多个特征，但是不限制需要所有这样的特征的发明，并且多个这样的特征可以被适当地组合。此外，在附图中，相同的附图标记被给予相同或类似的配置，并且省略其冗余描述。
<第一实施例>
将描述根据本发明的第一实施例。图1是示出根据本实施例的曝光装置100的总体布置的图。根据本实施例的曝光装置100是步进扫描式曝光装置，其在扫描原版M和基板W的同时对基板W进行曝光，从而将原版M的图案转印到基板上。曝光装置100也被称为扫描曝光装置或扫描仪。在本实施例中，原版M例如是由石英制成的掩模(分划板)，其上已形成要转印到基板W上的多个击射区域中的每一个上的电路图案。基板W是涂覆有光致抗蚀剂的晶片，并且例如可以使用单晶硅基板等。注意的是，在本实施例中，示例性地描述了步进扫描式曝光装置，但是本发明也可应用于步进重复式曝光装置。
曝光装置100可以包括照明光学系统1、在保持原版M的同时可以移动的原版台2、投影光学系统3、在保持基板W的同时可以移动的基板台4、以及控制器5。控制器5例如由包括CPU和存储器的计算机形成，并且电连接到装置中的各个单元，从而全面地控制装置的总体操作。在以下描述中，与从投影光学系统3发出并且照在基板W上的光的光轴平行的方向被假设为Z轴方向，并且与光轴垂直的平面中彼此正交的两个方向分别被假设为X轴方向和Y轴方向。注意的是，在以下描述中，“X轴方向”可以被定义为包括+X方向和-X方向。这也适用于“Y轴方向”和“Z轴方向”。
照明光学系统1将从诸如水银灯、ArF准分子激光器或KrF准分子激光器的光源LS发出的光成形为例如带状或弧形狭缝形状的光，并且利用这个狭缝形状的光照明原版M的一部分。透过原版M的该部分的光作为反映原版M的该部分的图案的图案光进入投影光学系统3。投影光学系统3具有预定的投影倍率，并且通过使用图案光将原版M的图案图像投影到基板(更具体地，基板上的抗蚀剂)上。原版M和基板W分别由原版台2和基板台4保持，并且经由投影光学系统3布置在光学共轭位置(投影光学系统3的物体面和图像面)。控制器5对原版台2和基板台4以与投影光学系统3的投影倍率匹配的速度比彼此同步地在预定的扫描方向(例如，X方向)上相对地扫描。利用这个布置，可以将原版M的图案转印到基板上。这里，在本实施例中，照明光学系统1和投影光学系统3中的每一个被配置为向下(-Z方向或第一方向)发出光。因此，在下面的描述中，“下”用于意指光从照明光学系统1和投影光学系统3发出的方向侧(-Z方向侧或第一方向侧)。
曝光装置100还包括第一供给器7，其将来自第一气体供给源31的气体41(例如，清洁空气)供给到布置有投影光学系统3的腔室6的内部(到腔室中)。例如，第一供给器7可以被配置为在腔室6内部产生预定的气流的循环气体供给机构。在这种情况下，第一气体供给源31包括例如风扇、过滤器等，并且被配置为将通过抽吸器33从腔室的内部抽吸的气体发送到第一供给器7。然后，第一供给器7通过将从第一气体供给源31发送(供给)的气体41吹出到腔室中来在腔室6内部产生预定的气流。这里，第一供给器7中的气体吹送口可以提供在例如腔室6的内表面(例如，壁部)，或者可以提供(布置)在腔室6内部。第一气体供给源31可以是曝光装置100的组件，但是它在应用于安装有曝光装置100的工厂的设备等时，可以不是曝光装置100的组件。注意的是，在图1中所示的曝光装置100的布置示例中，照明光学系统1也提供有第一供给器7。
在曝光装置100中，已知当施加到基板上的抗蚀剂(感光材料)被曝光时，从抗蚀剂产生气体(排气50)。如果这个排气50与周围气氛中或光学元件的表面膜中的诸如酸、碱或有机物质的杂质反应，那么这引起布置在基板W周围的光学元件的雾化。特别地，位于投影光学系统3的最下端的光学元件(例如，透镜、玻璃板或反射镜)面对基板W布置，使得可能由于来自抗蚀剂的排气50而引起雾化。如果光学元件雾化，那么光学元件的光透射率降低，并且这可以导致曝光量不足、照度不均匀或耀斑。因此，根据本实施例的曝光装置100包括向来自投影光学系统3的光(图案光)通过的光路空间S供给气体42的第二供给器8。下面将描述第二供给器8的具体布置。
[第二供给器的布置]
图2A和图2B是各自示出根据本实施例的第二供给器8的布置示例的图。除了第二供给器8之外，图2A和图2B中的每一个还示出了第二供给器8周围的投影光学系统3的一部分、基板W和基板台4。图2A和图2B中所示的示例在气体排出器9的布置上不同，但是在其余布置(第二供给器8的布置等)上类似。气体排出器9是将已通过光路空间S的气体排出到外部的机构。如图2A和图2B中的每一个所示，在投影光学系统3的下部(-Z方向侧或第一方向侧)，气体排出器9可以相对于光路空间S布置在第二供给器8的相对侧。气体排出器9可以被配置为从提供在基板W侧的开口9a抽吸气体并且将它排出，如图2A中所示，或者可以被配置为从提供在第二供给器8侧的开口9b抽吸气体并且将它排出，如图2B中所示。
第二供给器8包括气体吹送器10和引导构件20(整流器)，并且被配置(布置)为将气体42供给到来自投影光学系统3的光(图案光)通过的光路空间S。这里，例如，光路空间S可以被定义为位于投影光学系统3的最下端并且面对基板W的光学元件3a与由基板台4保持的基板W之间的空间。光学元件3a可以是例如透射光的光透射元件，诸如透镜或玻璃板，或者可以是反射光的光反射元件，诸如反射镜。
气体吹送器10包括吹送口11，气体43(例如，清洁空气或氮气)以高于从第一供给器7吹出的气体41的流速的流速从该吹送口11吹出。气体吹送器10形成为限定气体流路的管，其上游侧(吹送口11的相对侧的端部)连接到公用设施(utility)。例如，如图1中所示，气体吹送器10连接到与用于向第一供给器7发送气体41的第一气体供给源31不同的第二气体供给源32，并且被配置为从吹送口11吹出从第二气体供给源32发送(供给)的气体。这里，第二气体供给源32可以是曝光装置100的组件，但是在它应用于安装有曝光装置100的工厂的设备等时，可以不是曝光装置100的组件。当第二气体供给源32被布置作为曝光装置100的组件时，第二气体供给源32包括例如风扇、压缩机、蒸发器、高压缸等，并且可以提供压力调节器。
引导构件20是将从吹送口11吹出的气体43引导(整流)到光路空间S的构件。引导构件20包括在吹送口11的下方(-Z方向侧或第一方向侧)延伸以便沿着来自气体吹送器10的吹送口11的气体43的吹送方向(-Y方向或第二方向)布置的第一板构件21(下板构件)。第一板构件21包括比气体吹送器10的吹送口11更靠近光路空间S的第一端部21a和比吹送口11更远离光路空间S的第二端部21b。即，气体吹送器10的吹送口11在气体43的吹送方向上被布置在第一板构件21的第一端部21a与第二端部21b之间。这里，第一板构件21的第一端部21a被布置在投影光学系统3下方，并且优选地被布置在投影光学系统3的光学元件3a的一部分下方。另一方面，第一板构件21的第二端部21b被布置在可能与光路空间S分隔开的位置处，并且优选地被布置在基板W(基板台4)的可移动范围外侧。作为示例，第一板构件21的第二端部21b可以被布置在气体吹送器10的吹送口11与第一供给器7的气体吹送口之间。利用这个布置，可以减少从基板W产生的排气50卷入到从吹送口11吹出的气体43中，使得可以向光路空间S供给更清洁的气体。
在本实施例中，除了第一板构件21之外，引导构件20被配置为还包括在吹送口11上方延伸以便面对第一板构件21的第二板构件22(上板构件)。即，第二板构件22相对于吹送口11在第一板构件21的相对侧(吹送口11的+Z方向侧)延伸以便面对第一板构件21。引导构件20被形成为管形状，其中内表面的部分(下表面和上表面)分别由第一板构件21和第二板构件22限定。在这种情况下，在管状引导构件20中，可以形成第一开口20a和第二开口20b，该第一开口20a的一边由第一板构件21的第一端部21a限定，该第二开口20b的一边在第一开口20a的相对侧由第一板构件21的第二端部21b限定。
气体吹送器10被形成为使得吹送口11被布置在管状引导构件20内侧第一开口20a与第二开口20b之间并且吹送口11的面积小于引导构件20的截面积(X-Z截面积)。作为示例，气体吹送器10可以包括第一管部12和第二管部13，该第一管部12包括吹送口11作为一端并且被布置在引导构件20内侧，该第二管部13延伸通过引导构件20(第二板构件22)并且与第一管部12的另一端(吹送口11的相对侧的端部)连通。第二管部13可以连接到第二气体供给源32。
如图3中所示，气体吹送器10(第一管部12和第二管部13)可以附接到投影光学系统3。图3是示出根据本实施例的第二供给器8(气体吹送器10)被附接到投影光学系统3的布置示例的图。这个布置在曝光装置100内部的空间制约和减少气体吹送器10与光学元件3a之间的位置关系的波动上可以是有利的。注意的是，如图2A和图2B中的每一个中所示的气体排出器9也可以以图3中所示的布置提供。
如上所述布置的第二供给器8以高于从第一供给器7吹出的气体的流速的流速、在朝着引导构件20的第一开口20a的方向(-Y方向)上、从气体吹送器10的吹送口11吹出气体43。利用这个布置，从引导构件20的第二开口20b抽吸气体41，并且从第二开口20b抽吸的气体41可以与来自吹送口11的气体43一起从引导构件20的第一开口20a吹出到光路空间S。即，可以供给流量比从吹送口11吹出的气体43的流量大从引导构件20的第二开口20b抽吸的气体41的量的气体42。
将详细描述这个原理。当气体43以高于从第一供给器7吹出的气体41的流速的流速从气体吹送器10的吹送口11吹出时，气体41在引导构件20内部吹送口11周围被抽吸，作为结果，在吹送口11周围产生低压(负压)。因此，根据气体43从吹送口11的吹出，气体41被抽吸(吸入)到引导构件20中。这里，由于吹送口11被引导构件20包围，因此气体41的进气口被限制为第一开口20a或第二开口20b。然而，由于从吹送口11吹出的气体43在-Y方向上流动，因此引导构件20内部的气体流动在从第二开口20b到第一开口20a的方向上形成。因此，气体41从第二开口20b被抽吸(吸入)。另一方面，由于来自吹送口11的气体43的吹送方向，几乎没有气体从第一开口20a被抽吸。因此，可以从引导构件20的第一开口20a向光路空间S吹出等于或大于供给到气体吹送器10的吹送口11的气体43的流量的流量的气体42。
这里，引导构件20中从第二开口20b到第一开口20a的布置方向不必与从第一供给器7的气体吹送口吹出的气体41的方向匹配。如上已描述的，气体41的抽吸方向由来自吹送口11的气体43的吹送方向和引导构件20的方向确定。然而，就抽吸不包括排气50的更清洁的气体41来说，来自第一供给器7的气体41的吹送方向优选地与从第二开口20b到第一开口20a的布置方向匹配。另外，就不包括排气50来说，第二开口20b仅需要位于远离光路空间S的位置，但是第二开口20b优选地被布置在第一供给器7的气体吹送口附近。利用这个布置，可以从第二开口20b抽吸从第一供给器7的气体吹送口吹出的清洁气体41，并且将它从第一开口20a供给到光路空间S。
接下来，将描述气体吹送器10的吹送口11(第一管部12)的位置和形状。在图2A和图2B中的每一个中所示的第二供给器8中，气体吹送器10的吹送口11在引导构件20内侧被布置为与第一板构件21分隔开并且提供在第二板构件22中，但是本发明不限于此。气体吹送器10的吹送口11可以被布置在引导构件20内部的任意位置，并且具有任意形状，只要吹送口11的面积小于引导构件20的截面积(X-Z截面积)即可。例如，气体吹送器10的吹送口11可以被提供在第一板构件21中，或者可以被布置为与第一板构件21和第二板构件22两者分隔开(例如，可以被布置在引导构件20的中央部分中)。
图4A到图4D中的每一个是当从-Y方向侧观看时的第二供给器8的图，并且示出了在引导构件20内部气体吹送器10的吹送口11的布置示例和形状示例。吹送口11的位置和形状可以例如根据要向光路空间S供给的气体42的流速分布来确定。例如，吹送口11可以具有矩形形状(直线形状)，如图4A中所示，或者可以具有弯曲形状(弧形形状)，如图4B中所示。在从第二供给器8供给到光路空间S的气体的-Y方向流速根据来自投影光学系统3的光的光轴方向(Z轴方向)改变的情况下，这些布置中的每一个是有效的。在图4A和图4B中所示的布置示例中的每一个中，吹送口11被提供在引导构件20的上表面(第二板构件22)中。因此，光路空间S中气体的流速可以随着气体更靠近投影光学系统3的光学元件3a而增大(即，随着气体更靠近基板W而减小)。另一方面，为了减小(均一化)光路空间S中光轴方向上的气体的-Y方向流速的差异，可以如图4C和图4D中的每一个中所示的那样配置/形成吹送口11。在图4C和图4D中所示的布置示例中的每一个中，吹送口11不仅在引导构件20的上表面(第二板构件22)中、而且还在引导构件20的侧表面(X轴方向侧)或下表面(第一板构件21)中提供。
这里，将描述使得能够高效地从引导构件20的第二开口20b抽吸气体41的第二供给器8的布置。在如上所述根据本实施例的第二供给器8的布置中，使吹送口11的面积小于引导构件20的截面积以便增大来自吹送口11的气体43的吹送流速。吹送口11的面积越小，根据气体43从吹送口11的吹出，气体可以越高效地被从引导构件20的第二开口20b抽吸。其原因在于，吹送口11的面积越小，在引导构件20内部可以使吹送口11周围的压力越低。作为示例，当吹送口11如图4A中所示被形成为矩形形状时，吹送口11的开口高度h1比引导构件20的截面高度h2越小，气体41可以越高效地被从引导构件20的第二开口20b抽吸。吹送口11的开口高度h1优选地等于或小于引导构件20的截面高度h2的一半(更优选地，等于或小于1/3或1/4)。就面积来说，吹送口11的截面积优选地等于或小于引导构件20的截面积的1/4(更优选地，等于或小于1/9或1/16)。
作为示例，假设气体吹送器10的吹送口11如图4A中所示被形成为矩形形状并且引导构件20的截面高度h2为5mm的情况。在这种情况下，当吹送口11的开口高度h1与引导构件20的截面高度h2之比为大约1∶7时，可以从引导构件20的第一开口20a吹出流量为从吹送口11吹出的气体43的流量的2.5倍的气体42。注意的是，引导构件20和吹送口11中的每一个的尺寸(例如，高度)可以任意设定。例如，引导构件20的第一开口20a和第二开口20b的尺寸可以根据投影光学系统3的光学元件3a与基板W之间的距离(数mm到数十mm)任意设定。例如，为了高效地将气体41从第二开口20b抽吸到引导构件20中，如图5中所示，引导构件20可以被形成为使得第二开口20b的开口面积大于第一开口20a的开口面积。在这种情况下，第二开口20b的开口高度可以大于光学元件3a与基板W之间的距离。作为用于高效地抽吸气体41的另一种布置，如图6A中所示，引导构件20可以被形成为使得引导构件20的第一板构件21和第二板构件22被制成具有不同的长度以便形成大的第二开口20b。替代地，如图6B中所示，第二开口20b可以具有倒锥形状(即，截面积朝着第二开口20b增大的形状)以高效地抽吸气体41。
替代地，作为增大来自吹送口11的气体43的流速的方法，如图7A和图7B中的每一个中所示，吹送口11的形状或气体吹送器10的管部(第一管部12和第二管部13)的形状可以被改变。例如，如图7A和图7B中的每一个中所示，第一管部12和第二管部13中的每一个可以形成为弯曲形状，或者可以朝着吹送口11逐渐变细。此外，如图7B中所示，当气体吹送器10中的吹送口11的出口部分被形成为具有曲面形状以便允许气体43沿着第二板构件22流动时，可以增大来自吹送口11的气体43的流速。
气体吹送器10的吹送口11与引导构件20的第一开口20a之间的距离(Y轴方向)优选地大于例如第一开口20a的开口高度h2的值。即，吹送口11优选地被布置在引导构件20的内侧(+Y方向侧)离第一开口20a比第一开口20a的开口高度h2的值大的距离。利用这个布置，可以减少从第一开口20a流入到引导构件20中的气体(即，气体的逆流)。吹送口11的位置(Y轴方向)越靠近引导构件20的第一开口20a，在第一开口20a之前流速分布越均一化。然而，在光路空间S中，光学元件3a侧的流速高，并且基板W侧的流速低于光学元件3a侧的流速。在这种情况下，吹走排气50的强度在Z方向上改变。因此，可以在基板W侧吹走大部分的排气50，并且可以在光学元件3a侧以高速吹走已通过基板W侧的排气50。另一方面，吹送口11的位置(Y轴方向)离引导构件20的第一开口20a越远，从第一开口20a吹出的气体42的流速分布在光轴方向上可以越均一化。在这种情况下，在Z方向上在任何区域中可以获得吹走一定量的排气50的效果。在任一情况下，都可以减少到达光学元件3a的排气。为了防止气体42卷入周围气体(更可靠地维持上述两种流速分布)，更优选的是，在气体43和气体42的流路中第二板构件22与光学元件3a之间的位置关系尽可能地由平坦结构来表现。平坦结构是其中第二板构件22和光学元件3a在连续平面中连接的结构。如果不能制成平坦结构，那么具有凹部的结构比具有凸部的结构更优选。
[第二供给器使用的气体]
接下来，将描述第二供给器8使用的气体。从第二供给器8供给到光路空间S的气体42在光学元件3a附近流动。因此，气体42优选地为不使光学元件3a雾化的清洁气体。清洁气体意指与至少已产生排气50的部分中的气氛相比包含更少的诸如酸、碱以及有机物质的杂质的气体。更优选地，可以使用通过从空气中去除诸如酸、碱以及有机物质的杂质而获得的气体(被称为清洁空气)、通过将清洁空气干燥而获得的气体(被称为清洁干燥空气)、诸如氮气的惰性气体等。
在一些情况下，要从引导构件20的第二开口20b抽吸的周围气体41可能是被排气50污染的气体。然而，如果气体41远离排气50的产生源，那么它可以作为比排气50更清洁的气体对待。优选地，布置基板台4的空间中的周围气体41沿着从引导构件20的第二开口20b到第一开口20a的方向(-Y方向)变直。在这种情况下，要从第二开口20b抽吸的周围气体41维持在比已产生排气50的部分中的气氛更清洁的状态。在本实施例中，通过从第一供给器7吹出气体41，在腔室6内部形成沿着从引导构件20的第二开口20b到第一开口20a的方向(-Y方向)的气体流。因此，要从第二开口20b抽吸到引导构件20中的气体是比已产生排气50的部分中的气氛更清洁的气体。
[第二供给器的效果]
接下来，将描述第二供给器8的效果。为了防止光学元件3a的雾化，优选地向来自投影光学系统3的光(图案光)通过的光路空间S供给气体42，以从光路空间S吹走从基板W(抗蚀剂)产生的排气50。如上所述，为了高效地从光路空间S吹走排气50，一般地，期望以高流速向光路空间S广泛地供给气体。然而，在仅提供有气体吹送器10的传统气体供给机构中，在气体从气体吹送器10的吹送口11吹出的部分中以高流速局部地供给气体。在这种情况下，气体卷入吹送口11附近的周围气体，并且还卷入排气50。因此，当从吹送口11吹出的气体到达光路空间S时，这可能是被排气50污染的气体。此外，通过吹送口11中卷入的气体，可以在光路空间S中产生朝着光学元件3a的排气50的流动。因此，可能难以有效地从光路空间S吹走排气。增大从气体吹送器10吹出的气体的流量或范围导致消耗更大量的气体。这在半导体器件等的生产成本上可能是不利的。
另一方面，在根据本实施例的第二供给器8中，除了气体吹送器10之外还提供引导构件20。这将由于气体吹送器10而发生卷入的部分限制到第二开口20b，使得排气50的卷入减少。即，提高了气体42的清洁度。另外，从气体吹送器10的吹送口11吹出的气体43与从引导构件20的第二开口20b抽吸的气体41混合，并且作为气体42从第一开口20a供给到光路空间S。即，流量比从吹送口11吹出的气体43的流量大的气体42可以被供给到光路空间S。此外，由于从引导构件20的第一开口20a吹出的气体的流速分布比吹送口11附近的气体的流速分布更均一化，因此可以缓和光路空间S中的气体的局部高流速分布。即，可以减少光路空间S中的局部流速分布，减少排气50的卷入，并且将具有高流速的气体广泛地供给到光路空间S。以这种方式，与传统气体供给机构相比，根据本实施例的第二供给器8可以增加防止光学元件3a的雾化的效果。此外，根据本实施例的第二供给器8可以减少气体消耗。因此，在半导体器件等的生产成本上可能是有利的。
<第二实施例>
将描述根据本发明的第二实施例。在本实施例中，将描述第二供给器8的修改。注意的是，本实施例基本上袭用了第一实施例，并且曝光装置100的布置和处理与第一实施例中的那些类似，除非下面另外指明。
图8是示出根据本实施例的第二供给器8的布置示例的图。除了第二供给器8之外，图8还示出了第二供给器8周围的投影光学系统3的一部分、基板W和基板台4。注意的是，也可以在图8中所示的布置中提供如图2A和图2B中的每一个中所示的气体排出器9。
当从气体吹送器10的吹送口吹出的气体43的温度和/或湿度与从第一供给器7吹出的气体41的温度和/或湿度不同时，在光学元件3a周围的气体中可能发生波动。气体的这样的波动影响用于对基板W曝光的曝光光(图案光)和用于测量基板台4的位置的测量光，并且这可能使得难以在基板上精确地形成图案。为了防止这一点，根据本实施例的第二供给器8包括调节要从气体吹送器10的吹送口11吹出的气体43的温度和/或湿度的空调器14。空调器14被提供在气体吹送器10(吹送口11)的上游侧。空调器14调节从第二气体供给源32供给的气体的温度和/或湿度，并且将经调节的气体发送到气体吹送器10(吹送口11)。
作为示例，如图8中所示，空调器14可以包括调节要从吹送口11吹出的气体43的温度的温度调节器14a和/或调节气体43的湿度的湿度调节器14b。温度调节器14a使用测量已经受温度调节的气体的温度的温度计15a和测量腔室6内部的温度(从第一供给器7供给的气体41的温度)的温度计15b，以调节要从吹送口11吹出的气体43的温度。例如，温度调节器14a可以调节要从吹送口11吹出的气体43的温度，使得温度计15a的测量结果与温度计15b的测量结果之间的差落在允许的范围内。另一方面，湿度调节器14b使用测量已经受湿度调节的气体的湿度的湿度计16a和测量腔室6内部的湿度(从第一供给器7供给的气体41的湿度)的湿度计16b，以调节要从吹送口11吹出的气体43的湿度。例如，湿度调节器14b可以调节要从吹送口11吹出的气体43的湿度，使得湿度计16a的测量结果与湿度计16b的测量结果之间的差落在允许的范围内。
如上已描述的，根据本实施例的第二供给器8包括空调器14(温度调节器14a和湿度调节器14b)，其调节要从气体吹送器10的吹送口11吹出的气体43的温度和/或湿度。利用这个布置，可以减少光学元件3a周围的气体波动，并且可以提高基板上的图案形成精确度。
<第三实施例>
将描述根据本发明的第三实施例。在本实施例中，将描述第二供给器8的另一个修改。注意的是，本实施例基本上袭用了第一实施例，并且曝光装置100的布置和处理与第一实施例中的那些类似，除非下面另外指明。此外，本实施例也可以袭用第二实施例的布置。
在根据第一实施例的第二供给器8中，引导构件20被形成为管状形状。然而，本发明不限于此。例如，由于引导构件20被布置为控制周围气体41卷入到从气体吹送器10的吹送口11吹出的气体43中，因此引导构件20可以被形成为弯曲形状(弧形形状)，只要它包围吹送口11即可。替代地，当关注防止排气50卷入到从吹送口11吹出的气体43中时，引导构件20不限于管状形状，而是它可以被形成为没有左右侧壁，如图9中所示。图9是从-Y方向侧观看时的第二供给器8的图。图9中所示的第二供给器8的引导构件20仅包括第一板构件21，该第一板构件21在吹送口11下方延伸以便沿着来自吹送口11的气体43的吹送方向(-Y方向)布置。注意的是，除了第一板构件21之外，引导构件20还可以包括在吹送口11上方延伸的第二板构件22。与仅包括第一板构件21的布置相比，还包括第二板构件22的布置可以提高周围气体41卷入到从吹送口11吹出的气体43中的可控制性。
<第四实施例>
将描述根据本发明的第四实施例。在本实施例中，将描述第二供给器8的又另一个修改。注意的是，本实施例基本上袭用了第一实施例，并且曝光装置100的布置和处理与第一实施例中的那些类似，除非下面另外指明。此外，本实施例也可以袭用第二实施例的布置。
图10是示出根据本实施例的第二供给器8的布置示例的图。除了第二供给器8之外，图10还示出了第二供给器8周围的投影光学系统3的一部分、基板W和基板台4。注意的是，也可以在图10中所示的布置中提供如图2A和图2B中的每一个中所示的气体排出器9。
在根据本实施例的第二供给器8中，在引导构件20的基板侧(即，第一板构件21)提供气体吹送器10(吹送口11)，如图10中所示。在这种情况下，在从第二供给器8吹出的气体42的流速分布中，基板侧的流速趋于高。即，可以紧接在从基板W产生排气50之后吹走排气50，使得可以有效地将排气50从光路空间S吹走，以防止排气50到达光学元件3a。另外，在根据本实施例的第二供给器8中，尽管在从第二供给器8吹出的气体42的流速分布中，光学元件3a侧的流速低于基板侧的流速，但是可以确保足以吹走排气的流速和流量。因此，即使排气50通过气体的流速相对低的光学元件3a侧，也可以防止排气50到达光学元件3a。
<第五实施例>
将描述根据本发明的第五实施例。在本实施例中，将描述第二供给器8的又另一个修改。注意的是，本实施例基本上袭用了第一实施例，并且曝光装置100的布置和处理与第一实施例中的那些类似，除非下面另外指明。此外，本实施例也可以袭用第二实施例的布置。
图11是示出根据本实施例的第二供给器8的布置示例的图。除了第二供给器8之外，图11还示出了第二供给器8周围的投影光学系统3的一部分、基板W和基板台4。注意的是，也可以在图11中所示的布置中提供如图2A和图2B中的每一个中所示的气体排出器9。
在根据本实施例的第二供给器8中，气体吹送器10包括多个吹送口11。在图11中所示的示例中，气体吹送器10包括提供在引导构件20的光学元件3a侧(即，第二板构件22)的第一吹送口11a、以及提供在引导构件20的基板W侧(即，第一板构件21)的第二吹送口11b。从第一吹送口11a吹出的气体的供给源和从第二吹送口11b吹出的气体的供给源可以包括在共用的系统中，或者可以包括在不同的系统中。在根据本实施例的第二供给器8的布置中，在从第二供给器8吹出的气体42的流速分布中，在光学元件3a侧和基板W侧流速都高，使得总体流速趋于均一化。因此，可以有效地从光路空间S吹走排气50。另外，由于总体流速在高度方向上可以增大，因此即使在从基板W跨广的范围产生排气50并且排气50在第二供给器8的横向方向(X轴方向)上泄漏的情况下，也可以有效地防止排气50到达光学元件3a。图11示出了其中提供延伸通过第一板构件21的多个气体吹送器10的示例，但是可以提供延伸通过第二板构件22的多个气体吹送器10。
<第六实施例>
将描述根据本发明的第六实施例。在本实施例中，将描述第二供给器8的又另一个修改。注意的是，本实施例基本上袭用了第一实施例，并且曝光装置100的布置和处理与第一实施例中的那些类似，除非下面另外指明。此外，本实施例可以袭用第二实施例的布置。
图12是示出根据本实施例的第二供给器8的布置示例的图。除了第二供给器8之外，图12还示出了第二供给器8周围的投影光学系统3的一部分、基板W和基板台4。注意的是，也可以在图12中所示的布置中提供如图2A和图2B中的每一个中所示的气体排出器9。
在根据本实施例的第二供给器8中，引导构件20具有在中途弯曲的形状。在引导构件20内部可以布置至少一个吹送口11。在图12中所示的布置中，吹送口11被提供在引导构件20的光学元件3a侧(即，第二板构件22)。然而，本发明不限于此，并且吹送口11可以被提供在引导构件20的基板W侧(即，第一板构件21)，或者吹送口11可以被提供在光学元件3a侧和基板W侧。根据本实施例的第二供给器8的布置在由于投影光学系统3(光学元件3a)周围的空间制约而不能布置第二供给器8的情况等下是有利的。
<第七实施例>
将描述根据本发明的第七实施例。在本实施例中，将描述第二供给器8的布置示例。注意的是，本实施例基本上袭用了第一实施例，并且曝光装置100的布置和处理与第一实施例中的那些类似，除非下面另外指明。此外，本实施例也可以袭用上述第二至第六实施例中的每一个的布置。
在上述实施例中的每一个中，已描述了其中第二供给器8被布置为将气体42供给到来自投影光学系统3的光(图案光)通过的光路空间S的示例。然而，本发明不限于此，也可以布置第二供给器8以便将气体42供给到来自照明光学系统1的光(狭缝形状的光)通过的光路空间。例如，第二供给器8可以被布置为将气体42供给到来自照明光学系统1的光通过的照明光学系统1与原版M(原版台2)之间的空间。替代地，第二供给器8可以被布置为将气体42供给到透过原版M的光通过的原版M(原版台2)与投影光学系统3之间的空间。利用这个布置，可以防止排气到达照明光学系统1的光学元件或原版M并且雾化光学元件或原版M。
这里，将描述引起照明光学系统1的光学元件的雾化的因素。一般地，并非原版台2的所有部件都由已经受清洗的金属制成。例如，存在树脂部件、粘合剂和油脂，甚至金属部件包括未充分清洗的区域。在这种情况下，可能从树脂部件、粘合剂、油脂和未充分清洗的区域产生排气。如果排气到达照明光学系统1的光学元件，那么它引起光学元件的雾化。类似地，如果从原版台2的部件产生的排气到达原版M，那么它引起原版M的雾化。另外，存在其中照明光学系统1和/或投影光学系统3像原版台2一样使用产生排气的部件的情况。同样在这种情况下，如果排气到达照明光学系统1的光学元件或原版M，那么它引起光学元件或原版M的雾化。在如上所述的情况下，通过布置第一到第四实施例中的每一个中描述的第二供给器8以便将气体42供给到来自照明光学系统1的光的光路空间，可以防止排气到达照明光学系统1的光学元件和/或原版M。即，可以减少(抑制)照明光学系统1的光学元件和/或原版M的雾化。
<物品的制造方法的实施例>
根据本发明的实施例的制造物品的方法适合于制造物品，例如诸如半导体器件的微器件或具有微结构的元件。根据本实施例的制造物品的方法包括通过使用上述曝光装置将潜像图案形成到施加到基板上的感光剂的步骤(曝光基板的步骤)、以及对在形成步骤中已形成有潜像图案的基板进行显影(处理)的步骤。此外，这个制造方法包括其它众所周知的步骤(例如，氧化、沉积、气相沉积、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂去除、切割、接合、封装等)。与传统方法相比，根据本实施例的制造物品的方法在物品的性能、质量、生产率和生产成本中的至少一个上是有利的。
<其它实施例>
本发明的实施例还可以通过读出并执行记录在存储介质(其也可以被更完整地称为‘非暂时性计算机可读存储介质’)上的计算机可执行指令(例如，一个或多个程序)以执行上述实施例中的一个或多个的功能和/或包括用于执行上述实施例中的一个或多个的功能的一个或多个电路(例如，专用集成电路(ASIC))的系统或装置的计算机、以及通过由系统或装置的计算机通过例如读出并执行来自存储介质的计算机可执行指令以执行上述实施例中的一个或多个的功能和/或控制一个或多个电路以执行上述实施例中的一个或多个的功能而执行的方法来实现。计算机可以包括一个或多个处理器(例如，中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU))，并且可以包括单独的计算机或单独的处理器的网络，以读出并执行计算机可执行指令。计算机可执行指令可以例如从网络或存储介质提供给计算机。存储介质可以包括例如硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、分布式计算系统的存储设备、光盘(诸如紧凑盘(CD)、数字多功能盘(DVD)或蓝光盘(BD)TM)、闪存设备、存储卡等中的一个或多个。
本发明的实施例还可以通过如下的方法来实现，即，通过网络或者各种存储介质将执行上述实施例的功能的软件(程序)提供给系统或装置，该系统或装置的计算机或是中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU)读出并执行程序的方法。
虽然已参考示例性实施例描述了本发明，但是要理解的是，本发明不限于所公开的示例性实施例。以下权利要求的范围要被赋予最广泛的解释以便涵盖所有这样的修改以及等同的结构和功能。

Claims (18)

1.一种对基板进行曝光的曝光装置，包括：
光学系统，所述光学系统被配置为在第一方向上发出用于对基板进行曝光的光；
第一供给器，所述第一供给器被配置为将气体供给到布置有所述光学系统的腔室中；以及
第二供给器，所述第二供给器被配置为向来自所述光学系统的光通过的光路空间供给气体，
其中所述第二供给器包括气体吹送器和引导构件，所述气体吹送器包括吹送口，气体以高于从所述第一供给器吹出的气体的流速的流速在第二方向上从所述吹送口吹出，并且所述引导构件被配置为将从所述吹送口吹出的气体引导到所述光路空间，并且
所述引导构件包括板构件，所述板构件在所述吹送口的第一方向侧延伸以便沿着气体从所述吹送口吹出的所述第二方向布置。
2.根据权利要求1所述的装置，其中
所述第一供给器将来自第一气体供给源的气体供给到所述腔室中，并且
所述第二供给器向所述光路空间供给来自第二气体供给源的气体，所述第二气体供给源与所述第一气体供给源不同。
3.根据权利要求1所述的装置，其中
所述板构件包括第一端部以及所述第一端部的相对侧的第二端部，并且
所述第一端部比所述吹送口更靠近所述光路空间，并且所述第二端部比所述吹送口更远离所述光路空间。
4.根据权利要求3所述的装置，其中
所述板构件的所述第一端部被布置在所述光学系统的第一方向侧。
5.根据权利要求3所述的装置，其中
所述光学系统包括被配置为透射或反射光的光学元件，并且
所述板构件的所述第一端部被布置在所述光学元件的一部分的第一方向侧。
6.根据权利要求1所述的装置，其中
所述气体吹送器被布置为与所述引导构件的所述板构件分隔开。
7.根据权利要求1所述的装置，其中
所述引导构件包括第二板构件，所述第二板构件相对于所述吹送口在所述板构件的相对侧延伸以便面对所述板构件，并且
所述气体吹送器被提供在所述第二板构件中。
8.根据权利要求1所述的装置，其中
所述气体吹送器被提供在所述引导构件的所述板构件中。
9.根据权利要求1所述的装置，其中
所述引导构件形成为管状形状，所述管状形状的内表面部分地由所述板构件限定，
所述吹送口被布置在所述引导构件的内侧，并且
所述吹送口的面积小于所述引导构件的截面积。
10.根据权利要求9所述的装置，其中
形成为管状形状的所述引导构件包括第一开口以及所述第一开口的相对侧的第二开口；并且
所述第一开口比所述吹送口更靠近所述光路空间，并且所述第二开口比所述吹送口更远离所述光路空间。
11.根据权利要求9所述的装置，其中
所述气体吹送器包括第一管部和第二管部，所述第一管部包括所述吹送口作为一端并且被布置在所述引导构件的内侧，并且所述第二管部延伸通过所述引导构件并且与所述第一管部的另一端连通。
12.根据权利要求1所述的装置，其中
所述第二供给器包括温度调节器，所述温度调节器被配置为调节要从所述吹送口吹出的气体的温度。
13.根据权利要求1所述的装置，其中
所述第二供给器包括湿度调节器，所述湿度调节器被配置为调节要从所述吹送口吹出的气体的湿度。
14.根据权利要求1所述的装置，其中
所述气体吹送器包括多个吹送口。
15.根据权利要求1所述的装置，还包括气体排出器，所述气体排出器被配置为排出所述光路空间中的气体。
16.根据权利要求1所述的装置，其中
所述光学系统是将图案图像投影到所述基板的投影光学系统，并且
所述光路空间是来自所述投影光学系统的光通过的所述投影光学系统与所述基板之间的空间。
17.根据权利要求1所述的装置，其中
所述光学系统是照明原版的照明光学系统，并且
所述光路空间是以下中的至少一个：来自所述照明光学系统的光通过的所述照明光学系统与所述原版之间的空间、以及透过所述原版的光通过的空间。
18.一种制造物品的方法，所述方法包括：
使用权利要求1至17中的任一项中限定的曝光装置对基板进行曝光；以及
对在所述曝光中曝光的所述基板进行显影，
其中所述物品从经显影的基板制造。
CN202110730772.0A 2020-06-30 2021-06-30 曝光装置和制造物品的方法 Pending CN113867103A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-113191 2020-06-30
JP2020113191A JP7033168B2 (ja) 2020-06-30 2020-06-30 露光装置、および物品の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113867103A true CN113867103A (zh) 2021-12-31

Family

ID=76553570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110730772.0A Pending CN113867103A (zh) 2020-06-30 2021-06-30 曝光装置和制造物品的方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11487212B2 (zh)
EP (1) EP3933508A1 (zh)
JP (2) JP7033168B2 (zh)
KR (1) KR20220002110A (zh)
CN (1) CN113867103A (zh)
TW (2) TW202336828A (zh)

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11219902A (ja) * 1997-11-27 1999-08-10 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造装置
JP2001118783A (ja) 1999-10-21 2001-04-27 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2002373852A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
US7072021B2 (en) 2004-05-17 2006-07-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3977377B2 (ja) 2005-03-04 2007-09-19 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2010040719A (ja) 2008-08-04 2010-02-18 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
NL2006243A (en) 2010-03-19 2011-09-20 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus, an illumination system, a projection system and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus.
US9632433B2 (en) 2012-10-31 2017-04-25 Asml Holding N.V. Patterning device support, lithographic apparatus, and method of controlling patterning device temperature
JP6660179B2 (ja) 2015-12-28 2020-03-11 キヤノン株式会社 露光装置、および物品の製造方法
JP6707963B2 (ja) 2016-04-12 2020-06-10 日本精工株式会社 位置決め装置
JP6707964B2 (ja) 2016-04-12 2020-06-10 日本精工株式会社 位置決め装置及び回転機構
JP6742870B2 (ja) 2016-09-16 2020-08-19 キヤノン株式会社 露光装置、及び物品製造方法
JP7299755B2 (ja) * 2018-09-10 2023-06-28 キヤノン株式会社 露光装置、および物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202336828A (zh) 2023-09-16
US11841624B2 (en) 2023-12-12
TWI807352B (zh) 2023-07-01
US20210405546A1 (en) 2021-12-30
EP3933508A1 (en) 2022-01-05
US11487212B2 (en) 2022-11-01
KR20220002110A (ko) 2022-01-06
JP7033168B2 (ja) 2022-03-09
US20230012970A1 (en) 2023-01-19
TW202203299A (zh) 2022-01-16
JP2022060430A (ja) 2022-04-14
JP2022011815A (ja) 2022-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4816080B2 (ja) フィルタ装置及び露光システム並びにデバイスの製造方法
WO2010013671A1 (ja) 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2008147577A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
KR20000022789A (ko) 노광장치
US20190137895A1 (en) Exposure apparatus and article manufacturing method
JP2006245400A (ja) 光学装置およびデバイス製造方法。
JP4833953B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI807352B (zh) 曝光裝置及製造物品的方法
EP1536458A1 (en) Exposure system and exposure method
JP2020042255A (ja) 露光装置、および物品の製造方法
JP2010040719A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
US10725388B2 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing article
JP2009049119A (ja) ベース部材とその製造方法及びステージ装置並びに露光装置
JP7385421B2 (ja) 露光装置、および物品製造方法
US20220066324A1 (en) Exposing apparatus and method for manufacturing article
JP2010283015A (ja) 光学装置及びデバイス製造方法
JP2006173247A (ja) 汚染物質除去装置及び露光装置並びにデバイスの製造方法
KR200177322Y1 (ko) 반도체 웨이퍼용 노광장치의 공조덕트
US20210125843A1 (en) Air control cabinet module and clean room system having the same
JP2023148841A (ja) 露光装置、露光装置の調整方法、および物品製造方法
JP2004080059A (ja) 投影露光装置及び投影露光方法
JPH09266147A (ja) 空調装置及びそれを備えた露光装置
CN112764319A (zh) 定位装置、曝光装置以及物品的制造方法
CN112305872A (zh) 光学装置、投影光学系统、曝光装置以及物品的制造方法
JP2007207890A (ja) 処理装置及び露光装置、並びに処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination