KR20220002110A - 노광장치 및 물품의 제조방법 - Google Patents

노광장치 및 물품의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220002110A
KR20220002110A KR1020210080527A KR20210080527A KR20220002110A KR 20220002110 A KR20220002110 A KR 20220002110A KR 1020210080527 A KR1020210080527 A KR 1020210080527A KR 20210080527 A KR20210080527 A KR 20210080527A KR 20220002110 A KR20220002110 A KR 20220002110A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
optical system
guide member
supply unit
substrate
Prior art date
Application number
KR1020210080527A
Other languages
English (en)
Inventor
마사토 홈마
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20220002110A publication Critical patent/KR20220002110A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Abstract

본 발명은, 기판을 노광하는 노광장치로서, 기판을 노광하기 위한 빛을 제1 방향으로 출사하도록 구성된 광학계와, 광학계가 배치되는 챔버 내에 기체를 공급하도록 구성된 제1 공급부와, 광학계로부터의 빛이 통과하는 광로 공간에 기체를 공급하도록 구성된 제2 공급부를 구비하고, 제2 공급부는 제2 방향으로 기체를 분출하는 분출구를 갖는 기체 분출부와, 분출구로부터 분출된 기체를 광로 공간으로 안내하도록 구성된 안내부재를 포함하고, 안내부재는, 제2 방향을 따라 배치되도록 분출구의 제1 방향측에 연장 설치된 플레이트 부재를 포함하는 노광장치를 제공한다.

Description

노광장치 및 물품의 제조방법{EXPOSURE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 노광장치 및 물품의 제조방법에 관한 것이다.
액정 패널, 반도체 디바이스 등의 제조공정(리소그래피 공정)에서 사용되는 장치의 1개로서, 투영 광학계에 의해 원판의 패턴 상을 기판 위에 투영해서 해당 기판을 노광하는 노광장치가 있다. 노광장치에서는, 기판 위에 도포된 레지스트(감광재)를 노광할 때, 해당 레지스트로부터 가스(아웃가스)가 발생하는 것이 알려져 있다. 이 아웃가스가 주위의 분위기 중이나 광학 요소의 표면 막에 있어서의 산, 염기 또는 유기물 등의 불순물과 반응하면, 기판의 주변에 배치된 광학 요소를 흐리게 한다. 특히, 투영 광학계의 최하단에 위치하는 광학 요소는 기판에 대면해서 배치되기 때문에, 레지스트로부터의 아웃가스로 인해 흐려짐이 발생하기 쉽다. 광학 요소에 흐려짐이 생기면, 해당 광학 요소의 광투과율이 저하하여, 노광량 부족, 조도 불균일 또는 플레어가 생길 수 있다. 일본국 특개 2005-333152호 공보에는, 투영 광학계의 측부에 설치된 노즐로부터 아래쪽으로 분출된 기체를 코안다(Coanda) 효과에 의해 안내 요소의 만곡한 표면을 따라 안내하여, 투영 광학계와 기판 사이에 가스를 공급하는 구성이 제안되어 있다.
일본국 특개 2005-333152호 공보에 기재된 구성에서는, 안내부재에 의한 코안다 효과에 의해 기체의 흐름 방향이 변경되어, 이와 같은 기체가 주위 기체를 말려들게 한다고 하는 성질을 갖는다. 이 때문에, 해당 기체는, 레지스트로부터 발생된 아웃가스를 말려들게 하면서 투영 광학계의 광학 요소와 기판 사이에서 흐를 수 있다. 따라서, 아웃가스가 투영 광학계의 광학 요소에 도달하는 것(즉, 광학 요소의 흐려짐)을 충분히 회피할 수 없다.
본 발명은, 예를 들면, 광학계에 있어서의 광학 요소의 흐려짐을 저감하기 위해 유리한 노광장치를 제공한다.
본 발명의 일면에 따르면, 기판을 노광하는 노광장치로서, 상기 기판을 노광하기 위한 빛을 제1 방향으로 출사하도록 구성된 광학계와, 상기 광학계가 배치되는 챔버 내에 기체를 공급하도록 구성된 제1 공급부와, 상기 광학계로부터의 빛이 통과하는 광로 공간에 기체를 공급하도록 구성된 제2 공급부를 구비하고, 상기 제2 공급부는 기체 분출부와 안내부재를 포함하고, 상기 기체 분출부는 상기 제1 공급부에서 분출되는 기체의 유속보다 높은 유속에서 제2 방향으로 기체를 분출하는 분출구를 갖고, 상기 안내부재는 상기 분출구로부터 분출된 기체를 상기 광로 공간으로 안내하도록 구성되고, 상기 안내부재는, 상기 분출구로부터 기체가 분출되는 상기 제2 방향을 따라 배치되도록 상기 분출구의 상기 제1 방향측에 연장 설치된 플레이트 부재를 포함하는 노광장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 특징은 첨부도면을 참조하는 이하의 실시형태의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도1은 노광장치의 전체 구성을 도시한 도면.
도2a 및 도2b는 제1실시형태에 따른 제2 공급부의 구성예를 각각 도시한 도면.
도3은 제1실시형태에 따른 제2 공급부를 투영 광학계에 부착한 구성예를 도시한 도면.
도4a 내지 도4b는 안내부재의 내부에 있어서의 분출구의 배치 예 및 형상 예를 각각 도시한 도면.
도5는 제1실시형태에 따른 제2 공급부의 변형예를 도시한 도면.
도6a 및 도6b는 제1실시형태에 따른 제2 공급부의 또 다른 변형예를 각각 도시한 도면.
도7a 및 도7b는 제1실시형태에 따른 제2 공급부의 또 다른 변형예를 각각 도시한 도면.
도8은 제2실시형태에 따른 제2 공급부의 구성예를 도시한 도면.
도9는 제3실시형태에 따른 제2 공급부의 구성예를 도시한 도면.
도10은 제4실시형태에 따른 제2 공급부의 구성예를 도시한 도면.
도11은 제5실시형태에 따른 제2 공급부의 구성예를 도시한 도면.
도12는 제6실시형태에 따른 제2 공급부의 구성예를 도시한 도면.
이하, 첨부도면을 참조하여 실시형태를 상세히 설명한다. 이때, 이하의 실시형태는 본 발명의 범위를 제한하도록 의도된 것이 아니다. 복수의 특징이 실시형태에 기재되어 있지만, 이와 같은 모든 특징들을 필요로 하는 발명에 제한되는 것은 아니며, 복수의 이와 같은 특징이 적절히 조합되어도 된다. 더구나, 첨부도면에서, 동일하거나 유사한 구성요소에는 동일한 참조번호가 부여되고, 그것의 중복 설명을 생략한다.
<제1실시형태>
본 발명에 따른 제1실시형태에 대해 설명한다. 도1은, 본 실시형태에 따른 노광장치(100)의 전체 구성을 도시한 도면이다. 본 실시형태에 따른 노광장치(100)는, 원판 M과 기판 W를 주사하면서 기판 W를 노광함으로써, 원판 M의 패턴을 기판 위에 전사하는 스텝-앤드-스캔 방식의 노광장치다. 이러한 노광장치(100)는 주사 노광장치나 스캐너로도 불린다. 본 실시형태에서는, 원판 M은, 예를 들면, 석영제의 마스크(레티클)이며, 그 위에 기판 W에 있어서의 복수의 숏 영역의 각각에 전사되어야 할 회로 패턴이 형성되어 있다. 기판 W는, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼이며, 예를 들면, 단결정 실리콘 기판 등이 사용될 수 있다. 이때, 본 실시형태에서는, 스텝-앤드-스캔 방식의 노광장치를 예시해서 설명하지만, 스텝-앤드-리피트 방식의 노광장치에 있어서도 본 발명을 적용할 수 있다.
노광장치(100)는, 조명 광학계(1)와, 원판 M을 유지해서 이동가능한 원판 스테이지(2)와, 투영 광학계(3)와, 기판 W를 유지해서 이동가능한 기판 스테이지(4)와, 제어부(5)를 포함할 수 있다. 제어부(5)는, 예를 들면, CPU와 메모리를 갖는 컴퓨터로 구성되고, 장치 내의 각 부에 전기적으로 접속되어, 장치 전체의 동작을 총괄해서 제어한다. 이하의 설명에서는, 투영 광학계(3)로부터 출사되어 기판 W에 부딪치는 빛의 광축에 평행한 방향을 Z축 방향으로 가정하고, 이 광축에 수직한 면 내에 있어서 서로 직교하는 2개의 방향을 각각 X축 방향 및 Y축 방향으로 가정한다. 이때, 이하의 설명에 있어서, "X축 방향"은 +X방향 및 -X방향을 포함하는 것으로서 정의될 수 있다. 이것은 "Y축 방향" 및 "Z축 방향"에도 적용된다.
조명 광학계(1)는, 수은 램프, ArF 엑시머 레이저, 또는 KrF 엑시머 레이저 등의 광원 LS로부터 출사된 빛을, 예를 들면, 띠 형상이나 원호 형상의 슬릿 광으로 정형하고, 이 슬릿 광으로 원판 M의 일부를 조명한다. 원판 M의 일부를 투과한 빛은, 해당 원판 M의 일부의 패턴을 반영하는 패턴 광으로서 투영 광학계(3)에 입사한다. 투영 광학계(3)는, 소정의 투영 배율을 갖고, 패턴 광을 사용하여 원판 M의 패턴 상을 기판 위(구체적으로는 기판 위의 레지스트)에 투영한다. 원판 M 및 기판 W는, 원판 스테이지(2) 및 기판 스테이지(4)에 의해 각각 유지되어 있고, 투영 광학계(3)를 거쳐 광학적으로 공역의 위치(투영 광학계(3)의 물체면 및 상면)에 각각 배치된다. 제어부(5)는, 원판 스테이지(2) 및 기판 스테이지(4)를, 서로 동기하면서 투영 광학계(3)의 투영 배율과 일치하는 속도비로 소정의 주사 방향(예를 들면, X방향)으로 상대적으로 주사한다. 이와 같은 구성에 따라, 원판 M의 패턴을 기판 위에 전사할 수 있다. 여기에서, 본 실시형태에서는, 조명 광학계(1) 및 투영 광학계(3) 각각은, 아래쪽(-Z방향, 제1 방향)으로 빛을 출사하도록 구성되어 있다. 그 때문에, 이하의 설명에서는, "아래쪽"을, 조명 광학계(1) 및 투영 광학계(3)로부터 빛이 출사되는 방향측(-Z방향측, 또는 제1 방향측)의 의미로 사용한다.
노광장치(100)는, 투영 광학계(3)가 배치되는 챔버(6)의 내부(챔버 내)에, 제1 기체 공급원(31)으로부터의 기체 41(예를 들면, 클린 에어)을 공급하는 제1 공급부(7)를 더 포함한다. 예를 들면, 제1 공급부(7)는, 챔버(6)의 내부에 소정의 기류를 발생시키는 순환계의 기체 공급 기구로서 구성될 수 있다. 이 경우, 제1 기체 공급원(31)은, 예를 들면, 팬, 필터 등을 포함하고, 흡입부(33)에 의해 챔버의 내부로부터 받아들인 기체를 제1 공급부(7)에 송출하도록 구성된다. 그리고, 제1 공급부(7)는, 제1 기체 공급원(31)으로부터 송출(공급)된 기체 41을 챔버 내에 분출함으로써, 챔버(6)의 내부에 소정의 기류를 발생시킬 수 있다. 여기에서, 제1 공급부(7)에 있어서의 기체 분출구는, 예를 들면, 챔버(6)의 내면(예를 들면, 벽부)에 설치되거나, 또는 챔버(6)의 내부에 설치되어도(배치되어도) 된다. 제1 기체 공급원(31)은, 노광장치(100)의 구성요소이어도 되지만, 노광장치(100)가 설치되는 공장의 설비 등이 적용되는 경우에는 노광장치(100)의 구성요소가 아니어도 된다. 이때, 도1에 나타낸 노광장치(100)의 구성예에서는, 조명 광학계(1)에도 제1 공급부(7)가 설치되어 있다.
노광장치(100)에서는, 기판 위에 도포된 레지스트(감광재)를 노광할 때, 해당 레지스트로부터 가스(아웃가스(50))가 발생하는 것이 알려져 있다. 이 아웃가스(50)가 주위의 분위기 중이나 광학 요소의 표면 막에 있어서의 산, 염기 또는 유기물 등의 불순물과 반응하면, 기판 W의 주변에 배치된 광학 요소를 흐리게 한다. 특히, 투영 광학계(3)의 최하단에 위치하는 광학 요소(예를 들면, 렌즈, 글래스 판 또는 미러)는 기판 W에 대면해서 배치되기 때문에, 레지스트 가스로부터의 아웃가스(50)로 인해 흐려짐이 발생하기 쉽다. 광학 요소에 흐려짐이 생기면, 해당 광학 요소의 광투과율이 저하하여, 노광량 부족, 조도 불균일, 또는 플레어가 생길 수 있다. 이 때문에, 본 실시형태에 따른 노광장치(100)는, 투영 광학계(3)로부터의 빛(패턴 광)이 통과하는 광로 공간 S에 기체 42를 공급하는 제2 공급부(8)를 구비한다. 이하에서, 제2 공급부(8)의 구체적인 구성에 대해 설명한다.
[제2 공급부의 구성]
도2a 및 도2b는, 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)의 구성예를 각각 도시한 도면이다. 도2a 및 도2b의 각각에는, 제2 공급부(8) 이외에, 제2 공급부(8)의 주변에 있어서의 투영 광학계(3)의 일부, 기판 W 및 기판 스테이지(4)가 도시되어 있다. 도2a 및 도2b에 도시된 예는 배기부(9)의 구성이 다르지만, 나머지 구성(제2 공급부(8)의 구성 등)은 동일하다. 배기부(9)는, 광로 공간 S를 통과한 기체를 외부로 배출하는 기구이다. 도2a 및 도2b 각각에 나타낸 것과 같이, 투영 광학계(3)의 하부(-Z방향측, 제1 방향측)에 있어서, 광로 공간 S에 대해 제2 공급부(8)의 반대측에 배기부99)가 배치될 수 있다. 배기부(9)는, 도2a에 나타낸 것과 같이, 기판 W측에 설치된 개구(9a)로부터 기체를 받아들여 배출하도록 구성되거나, 도2b에 나타낸 것과 같이, 제2 공급부(8)측에 설치된 개구(9b)로부터 기체를 받아들여 배출하도록 구성되어도 된다.
제2 공급부(8)는, 기체 분출부(10)와 안내부재(20)(정류부재)를 포함하고, 투영 광학계(3)로부터의 빛(패턴 광)이 통과하는 광로 공간 S에 기체 42를 공급하도록 구성(배치)되어 있다. 여기에서, 예를 들어, 광로 공간 S는 투영 광학계(3)의 최하단에 위치하고 기판 W에 대면하는 광학 요소(3a)와, 기판 스테이지(4)에 의해 유지된 기판 W 사이의 공간으로서 정의되어도 된다. 광학 요소(3a)는, 예를 들면, 렌즈나 글래스 판 등 빛을 투과하는 광투과 소자이거나, 또는, 미러 등 빛을 반사하는 광반사 소자이어도 된다.
기체 분출부(10)는, 제1 공급부(7)로부터 분출되는 기체 41의 유속보다 높은 유속에서 기체 43(예를 들면, 클린 에어 또는 질소 가스)을 분출하는 분출구(11)를 갖는다. 기체 분출부(10)는, 기체의 유로를 규정하는 관으로서 구성되고, 그것의 상류측(분출구(11)의 반대측의 단부)은 유틸리티에 접속된다. 예를 들면, 도1에 나타낸 것과 같이, 기체 분출부(10)는, 제1 공급부(7)에 기체 41을 송출하기 위해 사용되는 제1 기체 공급원(31)과는 다른 제2 기체 공급원(32)에 접속되고, 제2 기체 공급원(32)으로부터 송출(공급)된 기체를 분출구(11)로부터 분출하도록 구성된다. 여기에서, 제2 기체 공급원(32)은, 노광장치(100)의 구성요소이어도 되지만, 노광장치(100)가 설치되는 공장의 설비 등에 적용되는 경우에는 노광장치(100)의 구성요소가 아니어도 된다. 제2 기체 공급원(32)이 노광장치(100)의 구성요소로서 구성되는 경우, 제2 기체 공급원(32)은, 예를 들면, 팬, 컴프레서, 증발기, 고압 가스 실린더를 포함하며, 압력 조정기가 설치될 수 있다.
안내부재(20)는, 분출구(11)로부터 분출된 기체 43을 광로 공간 S로 안내(정류)하는 부재이다. 안내부재(20)는, 기체 분출부(10)의 분출구(11)로부터의 기체 43의 분출 방향(-Y방향 또는 제2 방향)을 따라 배치되도록 분출구(11)의 아래쪽(-Z방향측, 또는 제1 방향측)에 연장 설치된 제1 플레이트 부재(21)(하측 플레이트 부재)를 포함한다. 제1 플레이트 부재(21)는, 기체 분출부(10)의 분출구(11)보다 노광 공간 S에 더 가까운 제1 단부(21a)와, 분출구(11)보다 노광 공간 S에서 먼 제2 단부(21b)를 갖는다. 즉, 기체 분출부(10)의 분출구(11)는, 기체 43의 분출 방향에 있어서, 제1 플레이트 부재(21)의 제1 단부(21a)와 제2 단부(21b) 사이에 배치된다. 여기에서, 제1 플레이트 부재(21)의 제1 단부(21a)는, 투영 광학계(3)의 아래쪽애 배치되고, 바람직하게는, 투영 광학계(3)의 광학 요소(3a)의 일부의 아래쪽에 배치된다. 한편, 제1 플레이트 부재(21)의 제2 단부(21b)는, 가능한 한 노광 공간 S로부터 떨어진 위치, 바람직하게는, 기판 W(기판 스테이지(4))의 이동가능한 범위의 외측에 배치된다. 일례로서, 제1 플레이트 부재(21)의 제2 단부(21b)는, 기체 분출부(10)의 분출구(11)와 제1 공급부(7)의 기체 분출구 사이에 배치될 수 있다. 이와 같은 구성에 따라, 분출구(11)로부터 분출된 기체 43에 기판 W로부터의 아웃가스(50)가 말려드는 것을 저감하여, 보다 청정한 기체를 광로 공간 S에 공급할 수 있다.
본 실시형태에서는, 제1 플레이트 부재(21) 이외에, 안내부재(20)는, 제1 플레이트 부재(21)에 대면하도록 분출구(11)의 윗쪽에 연장 설치된 제2 플레이트 부재(22)(상측 플레이트 부재)를 더 포함하도록 구성된다. 즉, 제2 플레이트 부재(22)는, 제1 플레이트 부재(21)에 대면하도록, 분출구(11)에 대해 제1 플레이트 부재(21)의 반대측(분출구(11)의 +Z방향측)에 연장 설치된다. 안내부재(20)는, 제1 플레이트 부재(21) 및 제2 플레이트 부재(22)에 의해 내면의 일부(하면 및 상면)가 각각 규정된 통 형상으로 구성된다. 이 경우, 통 형상의 안내부재(20)에는, 제1 플레이트 부재(21)의 제1 단부(21a)에 의해 한 변이 규정된 제1 개구(20a)와, 제1 개구(20a)의 반대측에 있어서 제1 플레이트 부재(21)의 제2 단부(21b)에 의해 한 변이 규정된 제2 개구(20b)가 형성될 수 있다.
기체 분출부(10)는, 통 형상의 안내부재(20)의 내측에 있어서 제1 개구(20a)와 제2 개구(20b) 사이에 분출구(11)가 배치되고, 분출구(11)의 면적이 안내부재(20)의 단면적(XZ 단면적)보다 작아지도록 구성된다. 일례로서, 기체 분출부(10)는, 분출구(11)를 일단으로 포함하여 안내부재(20)의 내측에 배치된 제1 관부(12)와, 안내부재(20)(제2 플레이트 부재(22))를 관통하고 제1 관부(12)의 타단(분출구(11)의 반대측의 단부)과 연통하는 제2 관부(13)를 포함할 수 있다. 제2 관부(13)는 제2 기체 공급원(32)에 접속될 수 있다.
도3에 나타낸 것과 같이, 기체 분출부(10)(제1 관부(12) 및 제2 관부(13))는 투영 광학계(3)에 부착되어도 된다. 도3은, 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)(기체 분출부(10))를 투영 광학계(3)에 부착한 구성예를 도시한 도면이다. 이 구성은, 노광장치(100)의 내부의 스페이스의 제약과, 기체 분출부(10)와 광학 요소(3a) 사이의 위치 관계의 변동의 저감에 있어서 유리할 수 있다. 이때, 도3에 나타낸 구성에 있어서도, 도2a 및 2b에 각각 나타낸 것과 같은 배기부(9)가 설치되어도 된다.
전술한 것과 같이 구성된 제2 공급부(8)는, 제1 공급부(7)로부터 분출되는 기체의 유속보다 높은 유속에서, 안내부재(20)의 제1 개구(20a)를 향하는 방향(-Y방향)으로, 기체 분출부(10)의 분출구(11)로부터 기체 43을 분출한다. 이와 같은 구성에 따라, 안내부재(20)의 제2 개구(20b)로부터 기체 41이 받아들여지고, 제2 개구(20b)로부터 받아들여진 기체 41을 분출구(11)로부터의 기체 43과 함께 안내부재(20)의 제1 개구(20a)로부터 광로 공간 S에 분출할 수 있다. 즉, 안내부재(20)의 제2 개구(20b)로부터 받아들여진 기체 41의 양만큼, 분출구(11)로부터 분출된 기체 43의 유량보다 많은 유량의 기체 42를 공급할 수 있다.
이 원리에 대해서 상세하게 설명한다. 제1 공급부(7)로부터 분출되는 기체 41의 유속보다 높은 유속에서 기체 분출부(10)의 분출구(11)로부터 기체 43을 분출하면, 안내부재(20)의 내부에 있어서 분출구(11)의 주위에 기체 41이 인입되고, 결과적으로, 분출구(11)의 주위에 저압(부압)이 발생된다. 이 때문에, 분출구(11)로부터의 기체 43의 분출에 따라, 안내부재(20) 내부에 기체 41이 받아들여지게(흡입되게) 된다. 여기에서, 안내부재(20)에 의해 분출구(11)가 둘러싸이기 때문에, 기체 41의 흡입구는, 제1 개구(20a) 또는 제2 개구(20b)로 한정된다. 그러나, 분출구(11)로부터 분출되는 기체 43이 -Y방향으로 흐르기 때문에, 안내부재(20)의 내부에 있어서의 기체의 흐름은, 제2 개구(20b)로부터 제1 개구(20a)로 진행하는 방향으로 형성된다. 이 때문에, 제2 개구(20b)로부터 기체 41이 받아들여지게(흡입되게) 된다. 한편, 제1 개구(20a)로부터는, 분출구(11)로부터의 기체 43의 분출 방향으로 인해 기체가 거의 받아들여지지 않는다. 따라서, 기체 분출부(10)의 분출구(11)에 공급된 기체 43의 유량 이상의 유량의 기체 42를, 안내부재(20)의 제1 개구(20a)로부터 광로 공간 S에 분출할 수 있다.
여기에서, 안내부재(20)에 있어서의 제2 개구(20b)로부터 제1 개구(20a)에의 배치 방향은, 제1 공급부(7)의 기체 분출구로부터 분출된 기체 41의 방향과 일치할 필요는 없다. 전술한 것과 같이, 기체 41이 받아들이는 방향은, 분출구(11)로부터의 기체 43의 분출 방향과 안내부재(20)의 방향에 의해 결정된다. 단, 아웃가스(50)를 포함하지 않는 보다 클린한 기체 41을 받아들인다고 하는 관점에서, 제1 공급부(7)로부터 기체 41을 분출하는 방향은, 바람직하게는 제2 개구(20b)로부터 제1 개구(20a)에의 배치 방향과 일치한다. 또한, 아웃가스(50)를 포함하지 않는다고 하는 관점에서, 제2 개구(20b)는, 노광 공간 S에서 떨어진 위치에 배치되면 되지만, 바람직하게는, 제2 개구(20b)가 제1 공급부(7)의 기체 분출구의 근방에 배치된다. 이와 같은 구성에 따라, 제1 공급부(7)의 기체 분출구로부터 분출된 클린한 기체 41을, 제2 개구(20b)로부터 받아들여 제1 개구(20a)로부터 광로 공간 S에 공급할 수 있다.
다음에, 기체 분출부(10)의 분출구(11)(제1 관부(12))의 위치 및 형상에 대해 설명한다. 도2a 및 도2b에 각각 도시되는 제2 공급부(8)에서는, 기체 분출부(10)의 분출구(11)가 안내부재(20)의 내측에 있어서 제1 플레이트 부재(21)로부터 이격되어 배치되어 있고 제2 플레이트 부재(22)에 설치되어 있지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 기체 분출부(10)의 분출구(11)는, 분출구(11)의 면적이 안내부재(20)의 단면적(XZ 단면적)보다 작으면, 안내부재(20)의 내부의 임의의 위치에 배치되고, 임의의 형상을 가져도 된다. 예를 들면, 기체 분출부(10)의 분출구(11)는, 제1 플레이트 부재(21)에 설치되거나, 또는, 제1 플레이트 부재(21) 및 제2 플레이트 부재(22)의 양쪽으로부터 이격되어 배치되어도 된다(예를 들면, 안내부재(20)의 중앙부에 배치되어도 된다).
도4a 내지 도4d 각각은, 제2 공급부(8)를 -Y방향측에서 본 도면으로, 안내부재(20) 내부에 있어서의 기체 분출부(10)의 분출구(11)의 배치 예 및 형상 예를 나타내고 있다. 분출구(11)의 위치 및 형상은, 예를 들면, 광로 공간 S에 공급해야 할 기체 42의 유속 분포에 따라 결정될 수 있다. 예를 들면, 분출구(11)는, 도4a에 나타낸 것과 같이 사각형 형상(직선 형상)이거나, 또는, 도4b에 나타낸 것과 같이 만곡 형상(아치 형상)이어도 된다. 이들 구성 각각은, 제2 공급부(8)로부터 광로 공간 S에 공급되는 -Y방향으로의 기체의 유속을, 투영 광학계(3)로부터의 빛의 광축 방향(Z축 방향)에 따라 변화시키는 경우에 유효하다. 도4a 및 도4b에 도시된 구성예의 각각에서는, 분출구(11)가 안내부재(20)의 상면(제2 플레이트 부재(22))에 설치되어 있다. 이 때문에, 광로 공간 S에 있어서의 기체의 유속을, 기체가 투영 광학계(3)의 광학 요소(3a)에 가까울수록 증가시킬 수(즉, 기체가 기판 W에 가까울수록 감소시킬 수) 있다. 한편, 광로 공간 S에 있어서 광축 방향에서의 -Y방향으로의 기체의 유속의 차이를 저감하기(균일화하기) 위해, 도4c 및 도4d에 나타낸 것과 같이 분출구(11)가 배치/형성될 수 있다. 도4c 및 도4d의 구성예 각각에서는, 안내부재(20)의 상면(제2 플레이트 부재(22)) 뿐만 아니라, 안내부재(20)의 측면(X축 방향측)이나 하면(제1 플레이트 부재(21))에도 분출구(11)가 설치되어 있다.
여기에서, 안내부재(20)의 제2 개구(20b)로부터 효율적으로 기체 41을 받아들일 수 있는 제2 공급부(8)의 구성에 대해 설명한다. 전술한 바와 같은 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)의 구성에서는, 분출구(11)로부터의 기체 43의 분출 유속을 증가시키기 위해, 안내부재(20)의 단면적보다 분출구(11)의 면적을 작게 한다. 분출구(11)의 면적을 작게 할수록, 분출구(11)로부터의 기체 43의 분출에 따라, 안내부재(20)의 제2 개구(20b)로부터 더 많은 기체를 효율적으로 받아들 수 있다. 그 이유는, 분출구(11)의 면적이 작을수록, 안내부재(20)의 내부에 있어서 분출구(11)의 주위를 보다 저압으로 할 수 있기 때문이다. 일례로서, 도4a에 나타낸 것과 같이 분출구(11)를 사각형 형상으로 구성한 경우, 안내부재(20)의 단면 높이 h2보다 분출구(11)의 개구 높이 h1을 작게 할수록, 안내부재(20)의 제2 개구(20b)로부터 많은 기체 41을 효율적으로 받아들 수 있다. 바람직하게는, 분출구(11)의 개구 높이 h1을 안내부재(20)의 단면 높이 h2의 절반 이하(더욱 바람직하게는 1/3 이하 또는 1/4 이하)로 한다. 면적으로 환산하면, 바람직하게는, 분출구(11)의 단면적을 안내부재(20)의 단면적의 1/4 이하(더욱 바람직하게는 1/9 이하 또는 1/16 이하)로 한다.
일례로서, 도4a에 나타낸 것과 같이, 기체 분출부(10)의 분출구(11)를 사각형 형상으로 구성하고, 또한 안내부재(20)의 단면 높이 h2를 5mm로 한 경우를 상정한다. 이 경우, 분출구(11)의 개구 높이 h1과 안내부재(20)의 단면 높이 h2의 비가 약 1:7일 때, 분출구(11)로부터 분출되는 기체 43의 유량보다 2.5배의 유량의 기체 42를 안내부재(20)의 제1 개구(20a)로부터 분출할 수 있다. 이때, 안내부재(20) 및 분출구(11) 각각의 치수(예를 들면, 높이)는 임의로 설정가능하다. 예를 들면, 안내부재(20)의 제1 개구(20a) 및 제2 개구(20b)의 치수를, 투영 광학계(3)의 광학 요소(3a)와 기판 W 사이의 거리(수 mm 내지 수 10mm)에 따라 임의로 설정할 수 있다. 예를 들면, 제2 개구(20b)로부터 안내부재(20)의 내부에 기체 41을 효율적으로 받아들이기 위해서, 도5에 나타낸 것과 같이, 제1 개구(20a)의 개구 면적보다 제2 개구(20b)의 개구 면적이 커지도록 안내부재(20)를 구성해도 된다. 이 경우, 제2 개구(20b)의 개구 높이를 광학 요소(3a)와 기판 W 사이의 거리보다 크게 해도 된다. 기체 41을 효율적으로 받아들이기 위한 또 다른 구성으로서, 도6a에 나타낸 것과 같이, 안내부재(20)의 제1 플레이트 부재(21)와 제2 플레이트 부재(22)가 다른 길이를 갖게 하여 큰 제2 개구(20b)를 형성하도록 안내부재(20)를 구성해도 된다. 이와 달리, 도6b에 나타낸 것과 같이, 제2 개구(20b)가 역 테이퍼(reverse taper) 형상(즉, 제2 개구(20b)를 향해 단면적이 증가하는 형상)을 가져, 기체 41을 효율적으로 받아들이도록 하여도 된다.
이와 달리, 분출구(11)로부터의 기체 43의 유속을 증가시키는 방법으로서, 도7a 및 도7b에 각각 나타낸 것과 같이, 분출구(11)의 형상이나 기체 분출부(10)의 관부(제1 관부(12) 및 제2 관부(13))의 형상을 변경해도 된다. 예를 들면, 도7a 및 도7b에 각각 나타낸 것과 같이, 제1 관부(12) 및 제2 관부(13)의 각각을 만곡 형상으로 구성하거나, 또는 분출구(11)를 향해 테이퍼지게 해도 된다. 더구나, 도7b에 나타낸 것과 같이, 기체 분출부(10)에 있어서 분출구(11)의 출구 부분을 곡면 형상을 갖도록 하여, 제2 플레이트 부재(22)를 따라 기체 43이 흘러가도록 함으로써, 분출구(11)로부터의 기체 43의 유속을 증가시킬 수 있다.
기체 분출부(10)의 분출구(11)와 안내부재(20)의 제1 개구(20a) 사이의 거리(Y축 방향)는, 예를 들면, 제1 개구(20a)의 개구 높이 h2의 값보다 큰 것이 바람직하다. 즉, 분출구(11)는, 제1 개구(20a)의 개구 높이 h2의 값보다 큰 거리만큼, 제1 개구(20a)로부터 안내부재(20)의 내측(+Y방향측)에 배치하는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성에 따라, 제1 개구(20a)로부터 안내부재(20)의 내부로의 기체의 흐름(즉, 기체의 역류)을 저감할 수 있다. 분출구(11)의 위치(Y축 방향)가 안내부재(20)의 제1 개구(20a)에 가까울수록, 제1 개구(20a) 이전에 유속 분포가 더 많이 균일화된다. 그러나, 광로 공간 S에 있어서, 광학 요소(3a) 측의 유속이 높고, 기판 W측의 유속이 광학 요소(3a) 측의 유속보다 낮아진다. 이 경우, Z방향에 있어서 아웃가스(50)를 날려버리는 강도가 변경된다. 이에 따라, 기판 W측에서 대부분의 주요한 아웃가스(50)를 날려버리고, 기판 W측을 통과한 아웃가스(50)를 광학 요소(3a) 측에서 고속으로 날려버릴 수 있다. 한편, 분출구(11)의 위치(Y축 방향)가 안내부재(20)의 제1 개구(20a)로부터 멀수록, 제1 개구(20a)로부터 분출되는 기체 42의 유속 분포를 광축 방향에서 더 균일화할 수 있다. 이 경우, Z방향에 있어서, 어떤 영역에서도 특정한 양의 아웃가스(50)를 날려버리는 효과를 얻을 수 있다. 어떻든간에, 해당 아웃가스가 광학 요소(3a)에 도달하는 것을 저감할 수 있다. 기체 42가 주위의 기체를 말려들지 않게 하기 위해(전술한 2가지 종류의 유속 분포를 더욱 확실하게 유지하기 위해), 기체 43 및 기체 42의 유로에 있어서의 제2 플레이트 부재(22)와 광학 요소(3a) 사이의 위치 관계를 가능한 한 플랫(flat) 구조로서 표현하는 것이 보다 바람직하다. 플랫 구조는, 제2 플레이트 부재(22)와 광학 요소(3a)가 연속면으로 연결되는 구조이다. 플랫 구조로 할 수 없는 경우, 볼록부를 갖는 구조보다 오목부를 갖는 구조가 더 바람직하다.
[제2 공급부에 의해 사용되는 기체]
다음에, 제2 공급부(8)에 의해 사용되는 기체에 대해 설명한다. 제2 공급부(8)로부터 광로 공간 S에 공급되는 기체 42는 광학 요소(3a)의 근방을 흐른다. 이 때문에, 기체 42는 광학 요소(3a)를 흐리게 하지 않는 클린한 기체인 것이 바람직하다. 클린한 기체는, 적어도 아웃가스(50)가 발생한 개소의 분위기보다 산, 염기 및 유기물 등의 불순물이 적은 기체를 의미한다. 더욱 바람직하게는, 공기로부터 산, 염기 및 유기물 등의 불순물을 제거하여 얻어진 기체(클린 에어로 불린다), 클린 에어를 건조하여 얻어진 기체(클린 드라이 에어로 불린다), 또는 질소 가스와 같은 불활성 가스가 사용되어도 된다.
안내부재(20)의 제2 개구(20b)로부터 받아들이는 주위의 기체 41이 아웃가스(50)로 오염된 가스인 경우가 있다. 그러나, 기체 41이 아웃가스(50)의 발생원에서 떨어져 있으면, 아웃가스(50)보다 클린한 기체로서 취급할 수 있다. 바람직하게는, 기판 스테이지(4)가 배치되는 공간에 있어서의 주위의 기체 41이 안내부재(20)의 제2 개구(20b)로부터 제1 개구(20a)를 향하는 방향(-Y방향)을 따라 정류되어 있다. 이 경우, 제2 개구(20b)로부터 받아들이는 주위의 기체 41은 아웃가스(50)가 발생하고 있는 개소의 분위기보다도 클린한 상태에서 유지된다. 본 실시형태에서는, 제1 공급부(7)로부터 기체 41을 분출함으로써, 챔버(6)의 내부에 있어서, 안내부재(20)의 제2 개구(20b)로부터 제1 개구(20a)를 향하는 방향(-Y방향)에 따른 기체의 흐름이 형성된다. 이 때문에, 제2 개구(20b)로부터 안내부재(20)의 내부에 받아들이는 기체는 아웃가스(50)가 발생한 개소의 분위기보다도 클린한 기체이다.
[제2 공급부의 효과]
다음에, 제2 공급부(8)의 효과에 대해 설명한다. 광학 요소(3a)의 흐려짐을 방지하기 위해서는, 투영 광학계(3)로부터의 빛(패턴 광)이 통과하는 광로 공간 S에 기체 42를 공급하여, 기판 W(레지스트)로부터 발생된 아웃가스(50)를 광로 공간 S로부터 날려버리는 것이 바람직하다. 전술한 것과 같이 광로 공간 S로부터 아웃가스(50)를 효율적으로 날려버리기 위해서는, 일반적으로, 광로 공간 S에 고유속에서 광범위하게 기체를 공급하는 것이 요망된다. 그렇지만, 기체 분출부(10) 만 설치되어 있는 종래의 기체 공급 기구에서는, 기체 분출부(10)의 분출구(11)로부터 기체가 분출된 개소에서, 국소적으로 고유속에서 기체가 공급된다. 이 경우, 기체가 분출구(11)의 근처에 주위의 기체를 말려들게 하고, 아웃가스(50)도 말려들게 한다. 이에 따라, 분출구(11)로부터 분출된 기체가 광로 공간 S에 도달했을 때에, 이것이 아웃가스(50)로 오염된 기체가 될 수 있다. 또한, 분출구(11)에 말려든 기체에 의해 광로 공간 S에 있어서 광학 요소(3a)를 향하는 아웃가스(50)의 흐름이 발생될 수 있다. 이 때문에, 광로 공간 S로부터 아웃가스를 효과적으로 날려버리는 것이 곤란해질 수 있다. 기체 분출부(10)로부터 분출되는 기체의 유량이나 범위를 증가시키는 것은 다량으로 기체를 소비하게 한다. 이것은 반도체 디바이스 등의 생산 코스트의 점에서 불리해질 수 있다.
한편, 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)에서는, 기체 분출부(10) 이외에 안내부재(20)가 설치된다. 이에 따라, 기체 분출부(10)에 의해 말려들어가는 개소가 제2 개구(20b)로 제한되어, 아웃가스(50)의 말려들어감이 저감된다. 즉, 기체 42의 클린도가 향상된다. 덧붙여, 기체 분출부(10)의 분출구(11)로부터 분출된 기체 43이 안내부재(20)의 제2 개구(20b)로부터 받아들여진 기체 41과 혼합되고, 기체 42로서 제1 개구(20a)로부터 광로 공간 S에 공급된다. 즉, 분출구(11)로부터 분출된 기체 43의 유량보다 많은 유량의 기체 42를 광로 공간 S에 공급할 수 있다. 또한, 안내부재(20)의 제1 개구(20a)로부터 분출되는 기체의 유속 분포가, 분출구(11)의 근방에 있어서의 기체의 유속 분포보다 균일화되기 때문에, 광로 공간 S에 있어서의 기체의 국소적인 고유속의 분포가 완화도힐 수 있다. 즉, 광로 공간 S에 있어서 국소적인 유속 분포를 경감하여, 아웃가스(50)의 말려들어감을 저감하고, 또한, 고유속을 갖는 기체를 광범위하게 광로 공간 S에 공급할 수 있다. 이렇게, 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)는, 종래의 기체 공급 기구에 비해, 광학 요소(3a)의 흐려짐을 방지하는 효과를 높일 수 있다. 더구나, 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)는 기체의 소비량을 저감할 수 있다. 이 때문에, 반도체 디바이스 등의 생산 코스트의 점에서 유리해질 수 있다.
<제2실시형태>
본 발명에 따른 제2실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에서는, 제2 공급부(8)의 변형예에 대해 설명한다. 이때, 본 실시형태는, 제1실시형태를 기본적으로 이어받는 것이며, 이하에서 특별히 언급되지 않는 한, 노광장치(100)의 구성 및 처리가 제1실시형태와 유사하다.
도8은, 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)의 구성예를 도시한 도면이다. 도8에는, 제2 공급부(8) 이외에, 제2 공급부(8)의 주변에 있어서의 투영 광학계(3)의 일부, 기판 W 및 기판 스테이지(4)가 도시되어 있다. 이때, 도8에 나타내는 구성에 있어서도, 도2a 및 도2b에 각각 나타낸 것과 같은 배기부(9)가 더 설치되어도 된다.
기체 분출부(10)의 분출구로부터 분출되는 기체 43의 온도 및/또는 습도가 제1 공급부(7)로부터 분출되는 기체 41의 온도 및/또는 습도와 다른 경우, 광학 요소(3a)의 주변의 기체에 변동이 생길 수 있다. 이러한 기체의 변동은 기판 W를 노광하기 위한 노광 광(패턴 광)과 기판 스테이지(4)의 위치를 계측하기 위한 계측 광에 영향을 주어, 기판 위에 패턴을 정밀하게 형성하는 것을 곤란하게 할 수 있다. 이것을 방지하기 위해, 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)는, 기체 분출부(10)의 분출구(11)로부터 분출되는 기체 43의 온도 및/또는 습도를 조정하는 공조부(14)를 구비한다. 공조부(14)는 기체 분출부(10)(분출구(11))의 상류측에 설치된다. 공조부(10)는, 제2 기체 공급원(32)으로부터 공급된 기체의 온도 및/또는 습도의 조정을 행하고, 조정을 행한 기체를 기체 분출부(10)(분출구(11))로 송출한다.
일례로서, 도8에 나타낸 것과 같이, 공조부(14)는, 분출구(11)로부터 분출되는 기체 43의 온도를 조정하는 온도 조정부(14a), 및/또는, 해당 기체 43의 습도를 조정하는 습도 조정부(14b)를 포함할 수 있다. 온도 조정부(14a)는, 온도 조정을 겪은 기체의 온도를 계측하는 온도계 15a와, 챔버(6)의 내부의 온도(제1 공급부(7)로부터 공급된 기체 41의 온도)를 계측하는 온도계 15b를 사용하여, 분출구(11)로부터 분출되는 기체 43의 온도를 조정한다. 예를 들면, 온도 조정부(14a)는, 온도계 15a의 계측 결과와 온도계 15b의 계측 결과의 차이가 허용 범위에 속하도록, 분출구(11)로부터 분출되는 기체 43의 온도를 조정할 수 있다. 한편, 습도 조정부(14b)는, 습도 조정을 겪은 기체의 습도를 계측하는 습도계 16a와, 챔버(6)의 내부의 습도(제1 공급부(7)로부터 공급된 기체 41의 습도)를 계측하는 습도계 16b를 사용하여, 분출구(11)로부터 분출되는 기체 43의 습도를 조정한다. 예를 들면, 습도 조정부(14b)는, 습도계 16a의 계측 결과와 습도계 16b의 계측 결과의 차이가 허용범위에 속하도록, 분출구(11)로부터 분출되는 기체 43의 습도를 조정할 수 있다.
전술한 것과 같이, 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)는, 기체 분출부(10)의 분출구(11)로부터 분출되는 기체 43의 온도 및/또는 습도를 조정하는 공조부(14)(온도 조정부(14a) 및 습도 조정부(14b))를 구비한다. 이와 같은 구성에 따라, 광학 요소(3a)의 주변의 기체의 변동을 저감할 수 있으며, 기판 위에의 패턴의 형성 정밀도를 향상시킬 수 있다.
<제3실시형태>
본 발명에 따른 제3실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에서는, 제2 공급부(8)의 또 다른 변형예에 대해 설명한다. 이때, 본 실시형태는, 제1실시형태를 기본적으로 이어받는 것이며, 이하에서 특별히 언급되지 않는 한, 노광장치(100)의 구성 및 처리가 제1실시형태와 유사하다. 또한, 본 실시형태는, 제2실시형태의 구성을 이어받을 수도 있다.
제1실시형태에 따른 제2 공급부(8)에서는, 안내부재(20)를 통 형상으로 구성한다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 안내부재(20)는 기체 분출부(10)의 분출구(11)로부터 분출되는 기체 43 내부로의 주위의 기체 41의 말려들어감을 제어하기 위해 배치되기 때문에, 안내부재(20)가 분출구(11)를 둘러싸고 있으면, 만곡 형상(아치 형상)으로 구성되어도 된다. 이와 달리, 분출구(11)로부터 분출되는 기체 43 내부에의 아웃가스(50)의 말려들어감을 방지하는 점에 주목하면, 안내부재(20)는 통 형상의 구성에 한정되지 않고, 도9에 나타낸 것과 같이 좌우의 측벽을 구비하지 않고 구성되어도 된다. 도9는, 제2 공급부(8)를 -Y방향측에서 본 도면이다. 도9에 나타낸 제2 공급부(8)의 안내부재(20)는, 분출구(11)로부터의 기체 43의 분출 방향(-Y방향)을 따라 배치되도록 분출구(11)의 아래쪽에 연장 설치된 제1 플레이트 부재(21) 만을 갖고 있다. 이때, 제1 플레이트 부재(21) 이외에, 안내부재(20)는, 분출구(11)의 윗쪽에 연장 설치된 제2 플레이트 부재(22)를 더 갖고 있어도 된다. 제1 플레이트 부재(21) 만을 갖는 구성에 비해, 제2 플레이트 부재(22)를 더 갖는 이 구성은, 분출구(11)로부터 분출되는 기체 43 내부에의 주위의 기체 41의 말려들어감의 제어성을 향상시킬 수 있다.
<제4실시형태>
본 발명에 따른 제4실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에서는, 제2 공급부(8)의 또 다른 변형예에 대해 설명한다. 이때, 본 실시형태는, 제1실시형태를 기본적으로 이어받는 것이며, 이하에서 특별히 언급되지 않는 한, 노광장치(100)의 구성 및 처리가 제1실시형태와 유사하다. 또한, 본 실시형태는, 제2실시형태의 구성을 이어받을 수도 있다.
도10은, 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)의 구성예를 도시한 도면이다. 도10에는, 제2 공급부(8) 이외에, 제2 공급부(8)의 주변에 있어서의 투영 광학계(3)의 일부, 기판 W 및 기판 스테이지(4)가 도시되어 있다. 이때, 도10에 나타내는 구성에 있어서도, 도2a 및 도2b의 각각에 나타낸 것과 같은 배기부(9)가 더 설치되어도 된다.
본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)에서는, 도10에 나타낸 것과 같이, 기체 분출부(10)(분출구(11))가 안내부재(20)의 기판측(즉, 제1 플레이트 부재(21))에 설치되어 있다. 이 경우, 제2 공급부(8)로부터 분출되는 기체 42의 유속 분포에 있어서, 기판측의 유속이 높아지는 경향이 있다. 즉, 기판 W로부터 발생한 직후의 아웃가스(50)를 날려버릴 수 있으므로, 아웃가스(50)가 광학 요소(3a)에 도달하는 것을 방지하도록 광로 공간 S로부터 아웃가스(50)를 효과적으로 날려버릴 수 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)에서는, 제2 공급부(8)로부터 분출되는 기체 42의 유속 분포에 있어서의 광학 요소(3a) 측의 유속이 기판측의 유속보다 낮지만, 아웃가스를 날려버리는데 충분한 유속 및 유량을 확보할 수 있다. 따라서, 기체의 유속이 비교적 높은 광학소자(3a)측을 아웃가스(50)가 통과하더라도, 해당 아웃가스(50)가 광학 요소(3a)에 도달하는 것을 방지할 수 있다.
<제5실시형태>
본 발명에 따른 제5실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에서는, 제2 공급부(8)의 또 다른 변형예에 대해 설명한다. 이때, 본 실시형태는, 제1실시형태를 기본적으로 이어받는 것이며, 이하에서 특별히 언급되지 않는 한, 노광장치(100)의 구성 및 처리가 제1실시형태와 유사하다. 또한, 본 실시형태는, 제2실시형태의 구성을 이어받을 수도 있다.
도11은, 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)의 구성예를 도시한 도면이다. 도11에서는, 제2 공급부(8) 이외에, 제2 공급부(8)의 주변에 있어서의 투영 광학계(3)의 일부, 기판 W 및 기판 스테이지(4)가 도시되어 있다. 이때, 도11에 나타내는 구성에 있어서도, 도2a 및 도2b에 각각 나타낸 것과 같은 배기부(9)가 더 설치되어도 된다.
본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)에서는, 기체 분출부(10)가 복수의 분출구(11)를 갖고 있다. 도11에 나타내는 예에서는, 기체 분출부(10)는, 안내부재(20)의 광학 요소(3a)측(즉, 제2 플레이트 부재(22))에 설치된 제1 분출구(11a)와, 안내부재(20)의 기판 W측(즉, 제1 플레이트 부재(21))에 설치된 제2 분출구(11b)를 갖고 있다. 제1 분출구(11a)로부터 분출되는 기체의 공급원과, 제2 분출구(11b)로부터 분출되는 기체의 공급원은, 공통의 계통에 포함되거나, 또는 다른 계통에 포함되어도 된다. 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)의 구성에서는, 제2 공급부(8)로부터 분출되는 기체 42의 유속 분포에 있어서, 광학 요소(3a) 측과 기판 W측의 양쪽에서 유속이 높아져, 전체적인 유속이 균일화되는 경향이 있다. 이 때문에, 광로 공간 S로부터 아웃가스(50)를 효과적으로 날려버릴 수 있다. 또한, 높이 방향에 있어서 전체적인 유속이 증가될 수 있기 때문에, 기판 W로부터 아웃가스(50)가 광범위한 범위에 걸쳐 발생되고 아웃가스(50)가 제2 공급부(8)의 측 방향(X축 방향)에서 누출되는 경우에 있어서도, 보다 유효하게 아웃가스(50)가 광학 요소(3a)에 도달하는 것을 방지할 수 있다. 도11에는, 제1 플레이트 부재(21)를 관통하는 복수의 기체 분출부(10)가 설치되는 예를 나타내었지만, 제2 플레이트 부재(22)를 관통하는 복수의 기체 분출부(10)가 설치되어도 된다.
<제6실시형태>
본 발명에 따른 제6실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에서는, 제2 공급부(8)의 또 다른 변형예에 대해 설명한다. 이때, 본 실시형태는, 제1실시형태를 기본적으로 이어받는 것이며, 이하에서 특별히 언급되지 않는 한, 노광장치(100)의 구성 및 처리가 제1실시형태와 유사하다. 또한, 본 실시형태는, 제2실시형태의 구성을 이어받을 수도 있다.
도12는, 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)의 구성예를 도시한 도면이다. 도12에는, 제2 공급부(8) 이외에, 제2 공급부(8)의 주변에 있어서의 투영 광학계(3)의 일부, 기판 W 및 기판 스테이지(4)가 도시되어 있다. 이때, 도12에 나타내는 구성에 있어서도, 도2a 및 도2b에 각각 나타낸 것과 같은 배기부(9)가 더 설치되어도 된다.
본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)에서는, 안내부재(20)가 도중에 구부러진 형상을 갖는다. 해당 안내부재(20)의 내부에, 적어도 1개의 분출구(11)가 배치될 수 있다. 도12에 나타낸 구성에서는, 분출구(11)가 안내부재(20)의 광학 요소(3a)측(즉, 제2 플레이트 부재(22))에 설치된다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않으며, 분출구(11)가 안내부재(20)의 기판 W측(즉, 제1 플레이트 부재(21))에 설치되거나, 또는 분출구(11)가 광학 요소(3a)측 및 기판 W측 양쪽에 설치되어도 된다. 본 실시형태에 따른 제2 공급부(8)의 구성은, 투영 광학계(3)(광학 요소(3a))의 주위의 스페이스의 제약으로 인해, 제2 공급부(8)를 배치할 수 없는 경우 등에 있어서 유리하다.
<제7실시형태>
본 발명에 따른 제7실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에서는, 제2 공급부(8)의 배치 예에 대해 설명한다. 이때, 본 실시형태는, 제1실시형태를 기본적으로 이어받는 것이며, 이하에서 특별히 언급되지 않는 한, 노광장치(100)의 구성 및 처리가 제1실시형태와 유사하다. 또한, 본 실시형태는, 전술한 제2 내지 제6 실시형태의 구성을 이어받을 수도 있다.
상기한 실시형태 각각에서는, 투영 광학계(3)로부터의 빛(패턴 광)이 통과하는 광로 공간 S에 기체 42를 공급하도록 제2 공급부(8)를 배치하는 예를 설명하였다. 그렇지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 조명 광학계(1)로부터의 빛(슬릿 형상의 빛)이 통과하는 광로 공간에 기체 42를 공급하도록 제2 공급부(8)를 배치할 수도 있다. 예를 들면, 조명 광학계(1)와 원판 M(원판 스테이지(2)) 사이에 있어서 조명 광학계(1)로부터의 빛이 통과하는 공간에 기체 42를 공급하도록 제2 공급부(8)를 배치해도 된다. 이와 달리, 원판 M(원판 스테이지(2))과 투영 광학계(3) 사이에 있어서 원판 M을 투과한 빛이 통과하는 공간에 기체 42를 공급하도록 제2 공급부(8)를 배치해도 된다. 이와 같은 구성에 따라, 아웃가스가 조명 광학계(1)의 광학 요소나 원판 M에 도달해서 해당 광학 요소나 원판 M을 흐리게 하는 것을 방지할 수 있다.
여기에서, 조명 광학계(1)의 광학 요소를 흐리게 하는 요인에 대해 설명한다. 일반적으로, 원판 스테이지(2)의 모든 부품이 세정된 금속으로 구성되어 있는 것은 아니다. 예를 들면, 수지 부품, 접착제, 그리스가 존재하고, 더구나 금속 부품도 불충분하게 세정된 영역을 포함한다. 이 경우, 수지 부품, 접착제, 그리스 및 불충분하게 세정된 영역으로부터, 아웃가스가 발생될 수 있다. 이 아웃가스가 조명 광학계(1)의 광학 요소에 도달하면, 광학 요소를 흐리게 한다. 마찬가지로, 원판 스테이지(2)의 부품에서 발생한 아웃가스가 원판 M에 도달하면, 원판 M을 흐리게 한다. 더구나, 조명 광학계(1) 및/또는 투영 광학계(3)가 원판 스테이지(2)와 마찬가지로 아웃가스를 발생시키는 부품을 사용하고 있는 경우도 있다. 이 경우도 마찬가지로, 아웃가스가 조명 광학계(1)의 광학 요소나 원판 M에 도달하면, 해당 광학 요소나 원판 M을 흐리게 한다. 전술한 것과 같은 경우에, 제1 내지 제4실시형태 각각에서 설명한 제2 공급부(8)를, 조명 광학계(1)로부터의 빛의 광로 공간에 기체 42를 공급하도록 배치함으로써, 조명 광학계(1)의 광학 요소 및/또는 원판 M에 아웃가스가 도달하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 조명 광학계(1)의 광학 요소 및/또는 원판 M의 흐려짐을 저감(억제)할 수 있다.
<물품의 제조방법의 실시형태>
본 발명의 실시형태에 따른 물품의 제조방법은, 예를 들면, 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하는데 적합하다. 본 실시형태에 따른 물품의 제조방법은, 기판에 도포된 감광제에 상기한 노광장치를 사용해서 잠상 패턴을 형성하는 단계(기판을 노광하는 단계)와, 이 형성단계에서 잠상 패턴이 형성된 기판을 현상(가공)하는 단계를 포함한다. 또한, 이러한 제조방법은, 다른 주지의 단계(예를 들어, 산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)를 포함한다. 본 실시형태에 따른 물품의 제조방법은, 종래의 방법에 비해, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 코스트의 적어도 1개에 있어서 유리하다.
<기타 실시형태>
본 발명의 실시형태는, 본 발명의 전술한 실시형태(들)의 1개 이상의 기능을 수행하기 위해 기억매체('비일시적인 컴퓨터 판독가능한 기억매체'로서 더 상세히 언급해도 된다)에 기록된 컴퓨터 실행가능한 명령(예를 들어, 1개 이상의 프로그램)을 판독하여 실행하거나 및/또는 전술한 실시예(들)의 1개 이상의 기능을 수행하는 1개 이상의 회로(예를 들어, 주문형 반도체 회로(ASIC)를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터나, 예를 들면, 전술한 실시형태(들)의 1개 이상의 기능을 수행하기 위해 기억매체로부터 컴퓨터 실행가능한 명령을 판독하여 실행함으로써, 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 수행되는 방법에 의해 구현될 수도 있다. 컴퓨터는, 1개 이상의 중앙처리장치(CPU), 마이크로 처리장치(MPU) 또는 기타 회로를 구비하고, 별개의 컴퓨터들의 네트워크 또는 별개의 컴퓨터 프로세서들을 구비해도 된다. 컴퓨터 실행가능한 명령은, 예를 들어, 기억매체의 네트워크로부터 컴퓨터로 주어져도 된다. 기록매체는, 예를 들면, 1개 이상의 하드디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 분산 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광 디스크(콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD), 또는 블루레이 디스크(BD)TM 등), 플래시 메모리소자, 메모리 카드 등을 구비해도 된다.
본 발명은, 상기한 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실행가능하다. 또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
예시적인 실시형태들을 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 이러한 실시형태에 한정되지 않는다는 것은 자명하다. 이하의 청구범위의 보호범위는 가장 넓게 해석되어 모든 변형, 동등물 구조 및 기능을 포괄하여야 한다.

Claims (18)

  1. 기판을 노광하는 노광장치로서,
    상기 기판을 노광하기 위한 빛을 제1 방향으로 출사하도록 구성된 광학계와,
    상기 광학계가 배치되는 챔버 내에 기체를 공급하도록 구성된 제1 공급부와,
    상기 광학계로부터의 빛이 통과하는 광로 공간에 기체를 공급하도록 구성된 제2 공급부를 구비하고,
    상기 제2 공급부는 기체 분출부와 안내부재를 포함하고, 상기 기체 분출부는 상기 제1 공급부에서 분출되는 기체의 유속보다 높은 유속에서 제2 방향으로 기체를 분출하는 분출구를 갖고, 상기 안내부재는 상기 분출구로부터 분출된 기체를 상기 광로 공간으로 안내하도록 구성되고,
    상기 안내부재는, 상기 분출구로부터 기체가 분출되는 상기 제2 방향을 따라 배치되도록 상기 분출구의 상기 제1 방향측에 연장 설치된 플레이트 부재를 포함하는 노광장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 공급부는 제1 기체 공급원으로부터의 기체를 상기 챔버 내에 공급하고,
    상기 제2 공급부는 상기 제1 기체 공급원과는 다른 제2 기체 공급원으로부터의 기체를 상기 광로 공간에 공급하는 노광장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 플레이트 부재는, 제1 단부와 상기 제1 단부의 반대측의 제2 단부를 포함하고,
    상기 제1 단부는 상기 분출구보다 상기 광로 공간에 더 가깝고, 상기 제2 단부는 상기 분출구보다 상기 광로 공간에서 더 먼 노광장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 플레이트 부재의 상기 제1 단부는 상기 광학계의 상기 제1 방향측에 배치되어 있는 노광장치.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 광학계는 빛을 투과 또는 반사하도록 구성된 광학 요소를 포함하고,
    상기 플레이트 부재의 상기 제1 단부는 상기 광학 요소의 일부의 상기 제1 방향측에 배치되어 있는 노광장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 기체 분출부는 상기 안내부재의 상기 플레이트 부재로부터 이격되도록 배치되어 있는 노광장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 안내부재는, 상기 플레이트 부재에 대면하도록, 상기 분출구에 대해 상기 플레이트 부재의 반대측에 연장 설치된 제2 플레이트 부재를 포함하고,
    상기 기체 분출부는 상기 제2 플레이트 부재에 설치되어 있는 노광장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 기체 분출부는 상기 안내부재의 상기 플레이트 부재에 설치되어 있는 노광장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 안내부재는, 내면의 일부가 상기 플레이트 부재에 의해 규정된 통 형상으로 형성되고,
    상기 분출구는 상기 안내부재의 내부에 배치되고,
    상기 분출구의 면적은 상기 안내부재의 단면적보다 작은 노광장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    통 형상으로 형성된 상기 안내부재는, 제1 개구와 상기 제1 개구의 반대측의 제2 개구를 포함하고,
    상기 제1 개구는 상기 분출구보다 상기 광로 공간에 더 가깝고, 상기 제2 개구는 상기 분출구보다 상기 광로 공간에서 더 먼 노광장치.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 기체 분출부는, 상기 분출구를 일단으로 포함하고 상기 안내부재의 내부에 배치된 제1 관부와, 상기 안내부재를 관통하고 상기 제1 관부의 타단에 연통하는 제2 관부를 포함하는 노광장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 공급부는 상기 분출구로부터 분출되는 기체의 온도를 조정하도록 구성된 온도 조정부를 포함하는 노광장치.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 공급부는 상기 분출구로부터 분출되는 기체의 습도를 조정하도록 구성된 습도 조정부를 포함하는 노광장치.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 기체 분출부는 복수의 분출구를 포함하는 노광장치.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 광로 공간 내부의 기체를 배출하도록 구성된 배기부를 더 구비한 노광장치.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 광학계는 상기 기판에 패턴 상을 투영하는 투영 광학계이고,
    상기 광로 공간은, 상기 투영 광학계로부터의 빛이 통과하는 상기 투영 광학계와 상기 기판 사이의 공간인 노광장치.
  17. 제 1항에 있어서,
    상기 광학계는 원판을 조명하는 조명 광학계이고,
    상기 광로 공간은, 상기 조명 광학계로부터의 빛이 통과하는 상기 조명 광학계와 상기 원판 사이의 공간, 및 상기 원판을 투과한 빛이 통과하는 공간 중에서 적어도 한개인 노광장치.
  18. 청구항 1 내지 17 중 어느 한 항에 기재된 노광장치를 사용해서 기판을 노광하는 단계와,
    상기 노광단계에서 노광된 상기 기판을 현상하는 단계를 포함하고,
    현상된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 물품의 제조방법.
KR1020210080527A 2020-06-30 2021-06-22 노광장치 및 물품의 제조방법 KR20220002110A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-113191 2020-06-30
JP2020113191A JP7033168B2 (ja) 2020-06-30 2020-06-30 露光装置、および物品の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220002110A true KR20220002110A (ko) 2022-01-06

Family

ID=76553570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210080527A KR20220002110A (ko) 2020-06-30 2021-06-22 노광장치 및 물품의 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11487212B2 (ko)
EP (1) EP3933508A1 (ko)
JP (2) JP7033168B2 (ko)
KR (1) KR20220002110A (ko)
CN (1) CN113867103A (ko)
TW (2) TW202336828A (ko)

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11219902A (ja) * 1997-11-27 1999-08-10 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造装置
JP2001118783A (ja) 1999-10-21 2001-04-27 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2002373852A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
US7072021B2 (en) 2004-05-17 2006-07-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3977377B2 (ja) * 2005-03-04 2007-09-19 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2010040719A (ja) * 2008-08-04 2010-02-18 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
NL2006243A (en) 2010-03-19 2011-09-20 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus, an illumination system, a projection system and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus.
US9632433B2 (en) * 2012-10-31 2017-04-25 Asml Holding N.V. Patterning device support, lithographic apparatus, and method of controlling patterning device temperature
JP6660179B2 (ja) * 2015-12-28 2020-03-11 キヤノン株式会社 露光装置、および物品の製造方法
JP6707964B2 (ja) * 2016-04-12 2020-06-10 日本精工株式会社 位置決め装置及び回転機構
JP6707963B2 (ja) * 2016-04-12 2020-06-10 日本精工株式会社 位置決め装置
JP6742870B2 (ja) * 2016-09-16 2020-08-19 キヤノン株式会社 露光装置、及び物品製造方法
JP7299755B2 (ja) * 2018-09-10 2023-06-28 キヤノン株式会社 露光装置、および物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202336828A (zh) 2023-09-16
US20230012970A1 (en) 2023-01-19
TW202203299A (zh) 2022-01-16
US11841624B2 (en) 2023-12-12
US20210405546A1 (en) 2021-12-30
US11487212B2 (en) 2022-11-01
TWI807352B (zh) 2023-07-01
CN113867103A (zh) 2021-12-31
JP2022060430A (ja) 2022-04-14
JP2022011815A (ja) 2022-01-17
JP7033168B2 (ja) 2022-03-09
EP3933508A1 (en) 2022-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7372542B2 (en) Immersion exposure technique
JP2011171733A (ja) 基板テーブル、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置を使用してデバイスを製造するための方法
US10401745B2 (en) Exposure apparatus and article manufacturing method
JP4833953B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
KR20220002110A (ko) 노광장치 및 물품의 제조방법
JP2020042255A (ja) 露光装置、および物品の製造方法
US20220066324A1 (en) Exposing apparatus and method for manufacturing article
JP7385421B2 (ja) 露光装置、および物品製造方法
US10725388B2 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing article
JP2011133398A (ja) 移動体装置、露光装置、デバイス製造方法、及び移動体の位置情報計測方法
JP2023148841A (ja) 露光装置、露光装置の調整方法、および物品製造方法
JP2007207890A (ja) 処理装置及び露光装置、並びに処理方法
JP2013161991A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP2006173247A (ja) 汚染物質除去装置及び露光装置並びにデバイスの製造方法