JP2008258381A - 露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】計測用部材を用いた計測の精度の低下を避けることができる露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の第１側面に係る露光装置は、液体を介して基板を露光する露光装置であって、原版からの光を投影する投影光学系と、前記基板を保持しかつ移動する基板ステージと、前記投影光学系の最終面と前記基板ステージに保持された基板との間の間隙に該液体を供給する液体供給部と、前記基板ステージに設けられた計測用部材と、前記計測用部材に気体を吹き付ける吹き付け手段とを有し、前記吹き付け手段は、前記計測用部材に吹き付けられる気体の湿度を調整することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、露光装置及びデバイスの製造方法に関する。

ＬＳＩあるいは超ＬＳＩなどの極微細パターンで構成される半導体デバイスの製造工程において、感光剤が塗布された基板上に原版のパターンを縮小投影して転写する縮小型投影露光装置が使用されている。半導体デバイスにおける集積密度の向上に伴いパターンの更なる微細化が要求され、レジストプロセスの発展と同時に露光装置の微細化への対応がなされてきた。

露光装置の解像力を向上させる方法には、露光波長を短くする方法と、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくする方法とがある。

露光波長を短くする方法に関して、様々な光源が開発されている。例えば、３６５ｎｍのｉ線から２４８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエキシマレーザ光に移行しつつあり、更に１９３ｎｍ付近の発振波長を有するＡｒＦエキシマレーザの開発が進んでいる。更に、１５７ｎｍ付近の発振波長を有するフッ素（Ｆ２）エキシマレーザの開発も行なわれている。

一方、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくする方法に関して、液浸法を用いた投影露光方法が注目されつつある。液浸法では、投影光学系の最終面と基板（例えばウエハ）表面との間の従来気体で満たされていた空間を液体で満たして投影露光する。液浸法の利点は、従来と同一波長の光源を用いても、解像力が従来よりも向上することである。

例えば、投影光学系とウエハとの間の間隙に提供される液体を純水（屈折率１．３３）とし、ウエハに結像する光線の最大入射角が液浸法と従来法とで等しいと仮定する。このとき、投影光学系のＮＡが１．３３倍になるので、液浸法の解像力は従来法の１．３３倍に向上する。

このように、液浸法によれば、従来法では不可能なＮＡ≧１とした場合の解像力を得ることが可能である。この液浸法を実現するために、様々な露光装置が提案されている。

特許文献１では、投影光学系の周辺かつ投影光学系から見て第１方向に配置された液体供給ノズルと、基板ステージ上に液浸領域を保持するために基板表面とほぼ同一な高さに配置された平面板（天板）とを備える露光装置が提案されている。この露光装置では、基板ステージが基板を第１方向の反対方向である第２方向に向かって移動させる際に、液体供給ノズルを通して基板の表面上に液体が供給される。ここで、基板の移動に伴って液膜が連続的に広がるように、液体供給ノズルを通して基板の表面上に液体が連続的に供給される。これにより、投影光学系の最終面と基板面との間の間隙を、確実に液体で満たすことができる。

特許文献２では、投影光学系の像面側に配置されたスリット板を介して投影光学系を通過した光を受光する受光器と、投影光学系とスリット板との間に満たされた液体の温度情報を検出する温度センサとを備えた露光装置が提案されている。この露光装置では、投影光学系の像面側に配置された基板に対して、投影光学系と液体とを介して露光光を照射することによって基板を露光する。受光器の検出結果と温度センサの測定結果とを用いて、結像性能を含む性能情報を算出する。これにより、受光器の受光結果に基づいて露光状態を最適化するための処理を良好に行い、高精度に露光処理を行うことができる。

特許文献３では、基板を保持する基板テーブルと、基板テーブルに撥液性の平坦面を有する交換可能に設けられたプレート部材とを備えた露光装置が提案されている。これにより、基板テーブル上に液体が残留することを防止することができる。

特許文献４では、基準マーク等に対して気体を吹き付ける液体除去機構、又は、基準マーク等を加振する加振装置を備えた露光装置が提案されている。この露光装置では、液体除去機構が、吹き付ける気体の流速を変化させながら、基準マーク等に対して気体を吹き付けて、基準マーク等に付着した液体を除去する。あるいは、加振装置が、基準マーク等を加振して、基準マーク等に付着した液体を除去する。これらにより、液体の回収が不十分な場合でも、ウォーターマーク、基準マーク上の残液の飛散、干渉計反射鏡に液が付着し精度が劣化することなどを低減できる。

特許文献５では、露光エリア及び計測エリアに配置可能な複数のウエハステージを備えた露光装置が提案されている。この露光装置では、複数のウエハステージが露光エリアと計測エリアとの間に移動する際に、互いに近接した状態で微小駆動可能とする。また、特許文献５には、この露光装置を液浸型露光装置に適用可能であることが示されている。これにより、液浸法を実現する際に、ウエハステージの移動を非接触かつ高スループットで行うことができる。
特開２００５−１９８６４号公報 特開２００５−１１６５７０号公報 特開２００５―１９１５５７号公報 国際公開第２００５／０２２６１６号パンフレット 特開２００５−３８８７４号公報

特許文献４に開示された技術では、液体除去機構が気体を液体に吹き付けて、その液体を回収あるいは排液する。このとき、吹き付けられる気体の湿度が計測用部材の周囲の空間より低いと、気体を吹き付けられた液体の気化を促進するので、液体が付着していた計測用部材の温度が気化熱により低下する可能性がある。温度が低下すると計測用部材が熱変形し、基準マークを用いた計測（アライメント計測、キャリブレーション計測等）の精度が低下することがある。

また、吹き付けられる気体の湿度が計測用部材の周囲の空間と異なると、計測用部材の周囲の空間にゆらぎを発生させる。これにより、基準マークを用いた計測の精度が低下する可能性がある。

本発明の例示的目的は、計測用部材を用いた計測の精度の低下を避けることができる露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。

本発明の第１側面に係る露光装置は、液体を介して基板を露光する露光装置であって、原版からの光を投影する投影光学系と、前記基板を保持しかつ移動する基板ステージと、前記投影光学系の最終面と前記基板ステージに保持された基板との間の間隙に該液体を供給する液体供給部と、前記基板ステージに設けられた計測用部材と、前記計測用部材に気体を吹き付ける吹き付け手段とを有し、前記吹き付け手段は、前記計測用部材に吹き付けられる気体の湿度を調整することを特徴とする。

本発明の第２側面に係るデバイスの製造方法は、本発明の第１側面に係る露光装置を用いて基板を露光する工程と、該露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とする。

本発明によれば、計測用部材を用いた計測の精度の低下を避けることができる。

本発明は、例えば半導体デバイスあるいは液晶表示デバイス等のデバイスを製造する際に、感光剤が塗布された基板上に原版のパターンを転写する露光装置及び露光方法に関し、特に、液浸法を用いた露光装置及び露光方法に関する。

本発明の実施形態に係る露光装置１００を、図１を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態に係る露光装置１００の構成図である。

露光装置１００は、ツインステージ型の露光装置である。露光装置１００が配置されるエリアのうち、露光処理が行われるエリアを露光エリアＥＡと呼び、計測処理が行われるエリアを計測エリアＭＡと呼ぶことにする。

露光装置１００は、照明光整形光学系２、フライアイレンズ３、コンデンサーレンズ４、視野絞り５、駆動部６、可動ブラインド７、リレーレンズ系８、レチクルステージＲＳＴ、基準プレートＳＰ、及び投影光学系１３を備える。露光装置１００は、ウエハステージ（基板ステージ、別の基板ステージ）ＷＳＴ１，ＷＳＴ２、天板Ｐ１，Ｐ２、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２、第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２、及び第１排液開閉機構を備える。露光装置１００は、第２排液開閉機構、液体供給ノズル（液体供給部）３１、液体回収ノズル３２、アライメント検出系１６、フォーカス検出系１８、環境検出部（湿度検出部）２７、ブロー部（吹き付け手段）ＢＬ及び制御系ＣＳを備える。

照明光整形光学系２は、光源１に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。光源１は、例えば、Ｆ２エキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザあるいはＫｒＦエキシマレーザ等のエキシマレーザ光源、金属蒸気レーザ光源である。あるいは、光源１は、ＹＡＧレーザの高調波発生装置等のパルス光源、又は水銀ランプと楕円反射鏡とを組み合わせた構成等の連続光源などである。光源１からの照明光は、照明光整形光学系２により光束径が所定の大きさに設定されて、光軸ＰＡ下流側に供給される。

なお、パルス光源の場合、露光のオン又はオフは、パルス光源用の電源装置からの供給電力の制御により切り換えられる。連続光源の場合、露光のオン又はオフは、照明光整形光学系２内のシャッタにより切り換えられる。あるいは、後述のように可動ブラインド（可変視野絞り）７が設けられているため、可動ブラインド７の開閉によって露光のオン又はオフを切り換えてもよい。

フライアイレンズ３は、照明光整形光学系２に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。フライアイレンズ３は、照明光整形光学系２から入射した光束に基づいて、多数の２次光源を形成して多数の２次光束を光軸ＰＡ下流側に供給する。

コンデンサーレンズ４は、フライアイレンズ３に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。コンデンサーレンズ４は、フライアイレンズ３から入射した多数の２次光束を屈折させて光軸ＰＡ下流側に導く。

視野絞り５は、コンデンサーレンズ４に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。視野絞り５には、開度が固定された長方形のスリット形状の開口部が設けられている。スリット形状の長手方向は、例えば、紙面に対して垂直な方向（Ｙ方向）である。これにより、視野絞り５は、長方形のスリット状の断面を有する光束を形成するとともに、可動ブラインド７を介してリレーレンズ系８へ導かれる光量を制限する。

なお、視野絞り５は、可動ブラインド７よりもコンデンサーレンズ４側に配置されているが、その逆に可動ブラインド７よりもリレーレンズ系８側へ配置されても構わない。

駆動部６及び可動ブラインド７は、視野絞り５に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。

可動ブラインド７は、第１羽根７Ａ、第２羽根７Ｂ、第３羽根（図示せず）、及び第４羽根（図示せず）を含む。第１羽根７Ａ及び第２羽根７Ｂは、後述の走査方向（Ｘ方向）の幅を規定する。第３羽根及び第４羽根は、走査方向に垂直な非走査方向（Ｙ方向）の幅を規定する。

駆動部６は、第１駆動部６Ａ及び第２駆動部６Ｂを含む。第１駆動部６Ａは、制御系ＣＳに制御されて、第１羽根７Ａを駆動する。第２駆動部６Ｂは、制御系ＣＳに制御されて、第２羽根７Ｂを駆動する。すなわち、第１羽根７Ａ及び第２羽根７Ｂは、制御系ＣＳにより、互いに独立して駆動制御される。このように、可動ブラインド７は、開度が可変であり、可変視野絞りとも呼ばれる。

リレーレンズ系８は、駆動部６及び可動ブラインド７に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。リレーレンズ系８は、可動ブラインド７とレチクルＲのパターン形成面とを共役にするレンズ系である。すなわち、リレーレンズ系８は、可動ブラインド７から入射した光束を屈折してレチクルＲへ導く。

リレーレンズ系８とレチクルＲとの間には、ＴＴＬ検出系（図示せず）が設けられている。ＴＴＬ検出系は、後述の原版側基準マークＰＭと、後述の基板側基準マークＦＭ１，ＦＭ２との相対位置を計測する。

レチクルステージＲＳＴは、リレーレンズ系８に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。レチクルステージＲＳＴは、レチクルＲを保持する。レチクルステージＲＳＴの位置は、干渉計２２により検出される。レチクルステージＲＳＴは、干渉計２２により検出された結果に基づいて、制御系ＣＳにより駆動制御されて、レチクルＲを位置決めする。レチクルＲでは、リレーレンズ系８から導かれた光束により、長方形のスリット状の照明領域２１が均一な照度で照明される。ここで、リレーレンズ系８が両側テレセントリックな光学系であるので、レチクルＲ上のスリット状の照明領域２１においてもテレセントリック性が維持される。

基準プレートＳＰは、レチクルステージＲＳＴの周辺部に設けられている。基準プレートＳＰには、原版側基準マークＰＭが形成されている。原版側基準マークＰＭは、装置を較正するために用いられる。

投影光学系１３は、レチクルステージＲＳＴに対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。投影光学系１３は、レチクルＲ又は基準プレートＳＰを通過した光束を屈折して光軸ＰＡ下流側へ導く。

ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２は、投影光学系１３に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている、あるいは、光軸ＰＡから外れた位置であってウエハステージＷＳＴ１に隣接した位置に設けられている。ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２は、ウエハチャックＷＣ１，ＷＣ２を介してウエハ（基板、別の基板）Ｗ１，Ｗ２を保持する。ウエハチャックＷＣ１，ＷＣ２は、ウエハＷ１，Ｗ２を真空吸着してウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２に保持させる。ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の位置は、干渉計２３により検出される。ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２は、干渉計２３により検出された結果に基づいて、制御系ＣＳにより６軸方向（Ｘ方向，Ｙ方向，Ｚ方向，θｘ方向，θｙ方向，θｚ方向）に駆動制御されて、ウエハＷ１，Ｗ２を位置決めする。θｘ方向，θｙ方向，θｚ方向は、それぞれ、Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸周りの回転方向である。

なお、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２は、ステージベースＳＢ（図２参照）上において露光エリアと計測エリアとを移動可能に支持されており、配置されるエリアを互いに入れ替え可能になっている。ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２は、ＸＹ方向に駆動制御されるＸＹステージ（図示せず）、及びＺ方向に駆動制御されるＺステージ（図示せず）等を含む。ウエハＷ１では、投影光学系１３から導かれた光束により、レチクルＲにおいて可動ブラインド７により規定されたスリット状の照明領域２１の回路パターンが、投影光学系１３を介してウエハＷ１上に結像及び転写される。

天板Ｐ１，Ｐ２は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の周辺部に設けられている。天板Ｐ１，Ｐ２の上面は、ウエハＷ１，Ｗ２の表面とほぼ同じ高さになるように形成されている。天板Ｐ１，Ｐ２は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２内部に設けられた真空吸着機構（図示せず）により真空吸着され、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２に保持されている。

基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２は、天板Ｐ１，Ｐ２が開口された開口部の内側に形成されている。基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２は、装置を較正するために用いられたり、レチクルＲとウエハＷ１とを位置合わせするために用いられたりする。

第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２は、ウエハＷ１，Ｗ２の周辺に形成され、排液機構（図示せず）が接続されている。

第１排液開閉機構は、第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２の開口部（図示せず）付近に設けられる。これにより、第１排液開閉機構は、制御系ＣＳに制御されて、第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２を開閉する。

第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２は、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の周辺に形成され、排液機構（図示せず）が接続されている。

第２排液開閉機構は、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２の開口部（図示せず）付近に設けられる。これにより、第２排液開閉機構は、制御系ＣＳに制御されて、第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２を開閉する。

液体供給ノズル３１は、ウエハＷ１の上方であって投影光学系１３とウエハＷ１との間の間隙に液体３５を供給可能な位置に設けられている。液体供給ノズル３１には、液供給用配管（図示せず）が接続されている。液供給用配管には、ポンプ（図示せず）、温調部（図示せず）、及びフィルタ（図示せず）などが設けられている。例えば、フィルタにより不純物が除去され、温調部により一定温度に加熱され、ポンプにより一定圧力に加圧された液体が、液供給用配管を介して液体供給ノズル３１へ供給される。ここで、液体供給ノズル３１は、制御系ＣＳにより開閉制御され、所定のタイミング及び期間で、投影光学系１３とウエハＷ１との間の間隙に液体３５を供給する。

液体回収ノズル３２は、ウエハＷ１の上方であって投影光学系１３とウエハＷ１との間の間隙の液体３５を回収可能な位置に設けられている。液体回収ノズル３２には、液回収用配管（図示せず）、ポンプ（図示せず）、及び気液分離機（図示せず）などが設けられている。例えば、投影光学系１３とウエハＷ１との間の間隙の液体３５は、液体回収ノズル３２を介して液回収用配管へと回収される。液回収用配管へ回収された液体は、ポンプにより一定圧力に加圧され、気液分離機により気体成分と液体成分とへ分離される。その気体成分は大気へ排出され、その液体成分は液供給用配管へ供給され再利用される。ここで、液体回収ノズル３２は、制御系ＣＳにより開閉制御され、所定のタイミング及び期間で、投影光学系１３とウエハＷ１との間の間隙の液体３５を回収する。

アライメント検出系１６は、ウエハステージＷＳＴ２に搭載されたウエハＷ２上方であって光軸ＰＡから外れた位置（光軸ＰＢに沿った位置）に設けられている。アライメント検出系１６は、オフアクシス方式を採用している。アライメント検出系１６は、ウエハＷ２上のアライメントマークを検出し、その検出結果を制御系ＣＳへ供給する。

フォーカス検出系１８は、ウエハステージＷＳＴ２に搭載されたウエハＷ２上方に設けられている。フォーカス検出系１８は、斜入射方式の光学系である投光系及び受光系を含む。フォーカス検出系１８は、ウエハＷ２の表面の高さ及び傾き方向を検出し、その検出結果を制御系ＣＳへ供給する。

環境検出部２７は、計測エリアＭＡにおいて、基板側基準マーク部材ＦＭ２付近に設けられている。環境検出部２７は、基板側基準マーク部材ＦＭ２付近の空間の温度及び湿度を検出し、その検出結果を制御系ＣＳへ供給する。ここで、基板側基準マーク部材ＦＭ２付近の空間は、空調装置（図示せず）により、温度及び湿度が安定するように制御されている。

ブロー部ＢＬは、計測エリアＭＡにおいて、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２又はウエハＷ１，Ｗ２の上方に設けられている。ブロー部ＢＬは、後述のように、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２に対するブロー部ＢＬ１と、ウエハＷ１，Ｗ２に対するブロー部ＢＬ２とを含む。ブロー部ＢＬには、後述の気体供給配管３９が接続され、その気体供給配管３９を介してブローするための気体が供給される。これにより、ブロー部ＢＬ１は、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２上の液体に気体を吹き付けて、その液体を第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２へ導く。ブロー部ＢＬ２は、ウエハＷ１，Ｗ２上の液体に気体を吹き付けて、その液体を第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２へ導く。

ブロー調整部（吹き付け手段）２５は、計測エリアＭＡにおいて、気体供給配管３９に設けられている。これにより、ブロー調整部２５は、環境検出部２７が検知した温度及び湿度に基づいて、制御系ＣＳにより制御されて、気体供給配管３９を流れる気体の温度及び湿度を調整する。すなわち、ブロー調整部（吹き付け手段）２５は、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２に吹き付けられる気体の湿度を調整する。

なお、環境検出部２７、ブロー部ＢＬ、及びブロー調整部２５は、露光エリアＥＡのみに設けられていてもよく、露光エリアＥＡ及び計測エリアＭＡに設けられていてもよい。また、環境検出部２７は、温度及び湿度のいずれかのみを検出してもよい。この場合、ブロー調整部２５は、気体供給配管３９を流れる気体の温度及び湿度のいずれかのみを調整することになる。

制御系ＣＳは、主制御部１２、可動ブラインド制御部１１、レチクルステージ駆動部１０、計測制御部１７、ウエハステージ駆動部１４，１５、干渉計制御部２０、ブロー制御部（液体除去制御部）２６、検出制御部２８、及び開閉制御部１９を備える。主制御部１２は、露光装置１００全体の動作を監視又は制御する。

例えば、計測制御部１７は、アライメント検出系１６を制御して、アライメント検出系１６にアライメント検出を行わせる。あるいは、計測制御部１７は、フォーカス検出系１８を制御して、フォーカス検出系１８にフォーカス検出を行わせる。

例えば、干渉計制御部２０は、干渉計２２にレチクルステージＲＳＴの位置を計測させる。あるいは、干渉計制御部２０は、干渉計２３にウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の位置を計測させる。

例えば、検出制御部２８は、環境検出部２７に基板側基準マーク部材ＦＭ２付近の空間の温度及び湿度を検出させる。

例えば、主制御部１２は、レチクルステージＲＳＴの位置の情報を干渉計２２から受け取る。主制御部１２は、レチクルステージＲＳＴの位置に基づいて、レチクルステージＲＳＴの駆動量を決定しレチクルステージ駆動部１０へ供給する。レチクルステージ駆動部１０は、主制御部１２により決定された駆動量に基づいて、レチクルステージＲＳＴを駆動制御する。

例えば、主制御部１２は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の位置の情報を干渉計２３から受け取る。主制御部１２は、ウエハＷ１，Ｗ２のＸ，Ｙ，θｚ位置等の情報をアライメント検出系１６から受け取る。主制御部１２は、ウエハＷ１，Ｗ２のＺ，θｚ，θｙ位置等の情報をフォーカス検出系から受け取る。主制御部１２は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の位置又はウエハＷ１，Ｗ２の位置に基づいて、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の駆動量を決定しウエハステージ駆動部１４，１５へ供給する。ウエハステージ駆動部１４，１５は、主制御部１２により決定された駆動量に基づいて、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２を駆動制御する。

例えば、主制御部１２は、上記のように、レチクルステージ駆動部１０及びウエハステージ駆動部１４を介して、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴ１を±Ｘ方向に同期走査させる。すなわち、レチクルＲ上のパターン像をスキャン露光方式で投影光学系１３を介してウエハＷ１上の各ショット領域に露光する際に、視野絞り５により設定されるスリット状の照明領域２１に対して±Ｘ方向にレチクルＲを平均速度ＶＲで走査する。このとき、投影光学系１３の投影倍率をβとすると、レチクルＲの走査と同期して、±Ｘ方向にウエハＷ１を速度ＶＷ(＝β・ＶＲ)で走査する。これにより、ウエハＷ１上のショット領域にレチクルＲの回路パターン像が逐次転写される。

例えば、主制御部１２は、第１羽根７Ａ及び第２羽根７Ｂの位置の情報をセンサ（図示せず）から受け取る。主制御部１２は、第１羽根７Ａ及び第２羽根７Ｂの位置に基づいて、第１羽根７Ａ及び第２羽根７Ｂの駆動量を決定し可動ブラインド制御部１１へ供給する。可動ブラインド制御部１１は、主制御部１２により決定された駆動量に基づいて、駆動部６（第１駆動部６Ａ及び第２駆動部６Ｂ）を駆動制御する。これにより、第１羽根７Ａ及び第２羽根７Ｂが駆動され、可動ブラインド７の開度が変わる。

例えば、主制御部１２は、基板側基準マーク部材ＦＭ２付近の空間の温度及び湿度の情報を環境検出部２７から受け取る。主制御部１２は、基板側基準マーク部材ＦＭ２付近の空間の温度及び湿度に基づき、ブローするための気体の温度及び湿度を決定する。すなわち、主制御部１２は、基板側基準マーク部材ＦＭ２付近の空間の温度及び湿度と同じになるように、ブローするための気体の温度及び湿度を決定する。主制御部１２は、決定した温度及び湿度の情報をブロー制御部２６へ供給する。ブロー制御部２６は、主制御部１２により決定された温度及び湿度に基づいて、ブロー調整部２５を制御する。

例えば、主制御部１２は、露光スケジュールに関する情報を記憶している。主制御部１２は、その露光スケジュールに基づき、後述の第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２の開閉状態を決定し開閉制御部１９へ供給する。開閉制御部１９は、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２の開閉状態に基づき、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２を開閉制御する。

次に、ウエハが搬入されてからウエハが搬出されるまでにおける露光装置１００の動作を、図２〜図６を用いて説明する。

図２に示す工程において、ウエハステージＷＳＴ１は、ステージベースＳＢ上の露光エリアＥＡに移動している。ウエハステージＷＳＴ１には、露光中あるいは露光済のウエハＷ１が保持されている。一方、ウエハステージＷＳＴ２は、ステージベースＳＢ上のウエハ搬入位置に移動している。ウエハ搬入アームＳＨは、未露光のウエハＷ２を露光装置１００のウエハステージＷＳＴ２へ搬入する。露光装置１００におけるウエハＷ２搬入時のプリアライメント動作は従来装置と同様であるので説明を省略する。

図３に示す工程おいて、ウエハステージＷＳＴ２は、ウエハ搬入位置から計測エリアＭＡに移動する。計測エリアＭＡにおいて、アライメント検出系１６及びフォーカス検出系１８（図１参照）は、ウエハＷ２の位置を検出する。

図４に示す工程おいて、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２は、それぞれ、ステージスワップ開始位置に移動する。図４では、白抜き矢印により移動方向が示されている。

図５に示す工程おいて、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２は、ステージスワップ動作を行う。図５には、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２がすれ違う状態が図示されている。

図６に示す工程おいて、ウエハステージＷＳＴ１は、ウエハ搬出位置に移動する。ウエハ搬出アームＲＨは、露光済のウエハＷ１を露光装置１００のウエハステージＷＳＴ１から搬出する。そして、ウエハステージＷＳＴ１は、ステージベースＳＢ上のウエハ搬入位置に移動する。一方、ウエハステージＷＳＴ２は、ステージベースＳＢ上の露光エリアＥＡに移動する。

そして、ウエハステージＷＳＴ１とウエハステージＷＳＴ２とが入れ替わった状態で、図２〜図６と同様の動作が行われる。このようにして、露光装置１００に搬入されたウエハＷ２は、露光されて搬出される。

ここで、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２に対するブロー部ＢＬ１の配置について説明する。

例えば、ブロー部ＢＬ１を、図４に示す位置Ｂに配置した場合を考える。このとき、ブロー部ＢＬ１は、位置Ｂにおいて基板側基準マーク部材ＦＭ２の上に付着した液体（以下、残液とする）に気体を吹き付ける。これにより、基板側基準マーク部材ＦＭ２上の残液は、ウエハＷ２が露光処理される前に排液されることになる。しかし、ウエハＷ２が露光処理される際にウエハＷ２及び基板側基準マーク部材ＦＭ２が液体に接触することになる。このため、基板側基準マーク部材ＦＭ２上に残液が残った状態で、ウエハＷ２が搬出されるおそれがある。

例えば、ブロー部ＢＬ１を、図４の位置Ａに配置する場合を考える。このとき、ブロー部ＢＬ１は、位置Ａにおいて基板側基準マーク部材ＦＭ１上の残液に気体を吹き付ける。これにより、基板側基準マーク部材ＦＭ１上の残液は、ステージスワップ動作前に排液することができる。また、残液除去のためにウエハステージＷＳＴ１の移動経路を増やす必要が無いため、生産性の低下を避けることができる。

例えば、ブロー部ＢＬ１を、図４に示す位置Ａと図６に示す位置Ｄとの間の位置（例えば、図５に示す位置Ｃ）に配置する場合を考える。このとき、ブロー部ＢＬ１は、例えば位置Ｃにおいて基板側基準マーク部材ＦＭ１上の残液に気体を吹き付ける。これにより、基板側基準マーク部材ＦＭ１上の残液は、ステージスワップ動作移動時に排液される。ここで、ステージスワップ動作移動時におけるウエハステージＷＳＴ１の移動速度は、生産性を向上させるため、あるいは、残液を第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２に移動させやすくするため、速い方が好ましい。ただし、ウエハステージＷＳＴ１の移動速度は、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２に流れ込む残液の流速及び流量が、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２が排液可能な流速及び流量以下となるような速度であることが好ましい。

例えば、ブロー部ＢＬ１を、図６に示す位置Ｄに配置する場合を考える。このとき、ブロー部ＢＬ１は、位置Ｄにおいて基板側基準マーク部材ＦＭ１上の残液に気体を吹き付ける。これにより、基板側基準マーク部材ＦＭ１上の残液は、ウエハステージＷＳＴ１がウエハ搬出位置へ低速移動しているとき又はウエハ搬出位置で停止しているときに排液することができる。また、残液除去のためにウエハステージＷＳＴ１の移動経路を増やす必要が無いため、生産性の低下を避けることができる。

このように、ウエハステージＷＳＴ１上の基板側基準マーク部材ＦＭ１に対するブロー部ＢＬ１は、図３に示すウエハステージＷＳＴ１の露光終了位置と、図６に示すウエハステージＷＳＴ１のウエハ搬出位置との間に配置されることが好ましい。これにより、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２に対する残液の除去を、液浸状態での露光完了後からウエハＷ１，Ｗ２回収までの間に実施することができる。

なお、ブロー部ＢＬ１は、１つの基板側基準マーク部材ＦＭ１に対してウエハステージＷＳＴ１移動経路上に複数個配置されても良い。

次に、ウエハＷ１，Ｗ２に対するブロー部ＢＬ２の配置について説明する。

例えば、ブロー部ＢＬ２を、図４に示す位置Ｂに配置した場合を考える。このとき、ブロー部ＢＬ２は、位置ＢにおいてウエハＷ２上の残液に気体を吹き付ける。これにより、ウエハＷ２上の残液は、ウエハＷ２が露光処理される前に排液されることになる。しかし、ウエハＷ２が露光処理される際にウエハＷ２及び基板側基準マーク部材ＦＭ２が液体に接触することになる。このため、ウエハＷ２上に残液が残った状態で、ウエハＷ２が搬出されるおそれがある。

例えば、ブロー部ＢＬ２を、図４の位置Ａに配置する場合を考える。このとき、ブロー部ＢＬ２は、位置ＡにおいてウエハＷ１上の残液に気体を吹き付ける。これにより、ウエハＷ１上の残液は、ステージスワップ動作前に排液することができる。また、残液除去のためにウエハステージＷＳＴ１の移動経路を増やす必要が無いため、生産性の低下を避けることができる。

例えば、ブロー部ＢＬ２を、図４に示す位置Ａと図６に示す位置Ｄとの間の位置（例えば、図５に示す位置Ｃ）に配置する場合を考える。このとき、ブロー部ＢＬ２は、例えば位置ＣにおいてウエハＷ１上の残液に気体を吹き付ける。これにより、ウエハＷ１上の残液は、ステージスワップ動作移動時に排液される。ここで、ステージスワップ動作移動時におけるウエハステージＷＳＴ１の移動速度は、生産性を向上させるため、あるいは、残液を第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２に移動させやすくするため、速い方が好ましい。ただし、ウエハステージＷＳＴ１の移動速度は、第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２に流れ込む残液の流速及び流量が、第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２が排液可能な流速及び流量以下となるような速度であることが好ましい。

例えば、ブロー部ＢＬ２を、図６に示す位置Ｄに配置する場合を考える。このとき、ブロー部ＢＬ２は、位置ＤにおいてウエハＷ１上の残液に気体を吹き付ける。これにより、ウエハＷ１上の残液は、ウエハステージＷＳＴ１がウエハ搬出位置へ低速移動しているとき又はウエハ搬出位置で停止しているときに排液することができる。また、残液除去のためにウエハステージＷＳＴ１の移動経路を増やす必要が無いため、生産性の低下を避けることができる。

このように、ウエハステージＷＳＴ１上のウエハＷ１に対するブロー部ＢＬ２は、図３に示すウエハステージＷＳＴ１の露光終了位置と、図６に示すウエハステージＷＳＴ１のウエハ搬出位置との間に配置されることが好ましい。これにより、ウエハＷ１，Ｗ２に対する残液の除去を、液浸状態での露光完了後からウエハＷ１，Ｗ２回収までの間に実施することができる。ただし、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２に対するブロー部ＢＬ１と、ウエハＷ１，Ｗ２に対するブロー部ＢＬ２とは、互いに干渉しない位置に配置されている必要がある。

なお、ウエハＷ１，Ｗ２の表面の残液に対する静的接触角、滑落角又は後退接触角は、製造プロセスにより変化する。すなわち、ウエハＷ１，Ｗ２の上を残液が移動しやすい静的接触角、滑落角又は後退接触角が、製造プロセスごとに存在することになる。このため、残液が移動しやすい静的接触角、滑落角及び後退接触角が予め測定されてそれらの情報が制御系ＣＳに記憶されいてもよい。そして、制御系ＣＳは、それらの情報を参照して、残液とウエハＷ１，Ｗ２との静的接触角、滑落角及び後退接触角の少なくとも１つを決定してもよい。制御系ＣＳは、その決定した値に基づいて、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の移動速度を制御してもよい。これにより、ウエハＷ１，Ｗ２上を残液が移動しにくくなることを避けることができ、確実に残液を排液することができる。

次に、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２、天板Ｐ１，Ｐ２、及び基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の配置構成を、図７を用いて説明する。図７は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２、天板Ｐ１，Ｐ２、及び基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の配置を示す平面図である。

ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２は、ウエハチャックＷＣ１，ＷＣ２を介してウエハＷ１，Ｗ２を保持する。ウエハチャックＷＣ１，ＷＣ２は、ウエハＷ１，Ｗ２を真空吸着してウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２に保持させる。ウエハチャックＷＣ１，ＷＣ２は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の重心ＳＣ近傍に設けられる。これにより、ウエハＷ１，Ｗ２は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の重心ＳＣ近傍に保持される。

ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の側面には、干渉計２３用の反射ミラー２４が設けられている。反射ミラー２４は、Ｘ軸用の反射ミラー２４ａとＹ軸用の反射ミラー２４ｂとを含む。これに応じて、干渉計２３は、Ｘ軸用の干渉計２３ａとＹ軸用の干渉計２３ｂとを含む。Ｘ軸用の干渉計２３ａは、Ｘ軸用の反射ミラー２４ａと対向する位置に設けられている。これにより、Ｘ軸用の干渉計２３ａは、投射した検出光をＸ軸用の反射ミラー２４ａで反射させて受光して、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２のＸ位置等を検出する。また、Ｙ軸用の干渉計２３ｂは、Ｙ軸用の反射ミラー２４ｂと対向する位置に設けられている。これにより、Ｙ軸用の干渉計２３ｂは、投射した検出光をＹ軸用の反射ミラー２４ｂで反射させて受光して、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２のＹ位置等を検出する。

天板Ｐ１，Ｐ２は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の周辺部に設けられている。例えば、天板Ｐ１，Ｐ２は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の上において、ウエハＷ１，Ｗ２が保持される領域以外の領域を延びるように設けれれる。天板Ｐ１，Ｐ２の上面は、ウエハＷ１，Ｗ２の表面とほぼ同じ高さになるように形成されている。これにより、投影光学系１３の最終面とウエハＷ１，Ｗ２の表面との間に液体３５（図１参照）が満たされた場合でも、液体３５にかかる荷重を天板Ｐ１，Ｐ２とウエハＷ１，Ｗ２とへ分散することができる。

基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２は、天板Ｐ１，Ｐ２の一部が開口されて形成されている。基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２は、上面視において略円形状をしている。基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２は、装置を較正するために用いられたり、レチクルＲとウエハＷ１，Ｗ２とを位置合わせするために用いられたりする。

次に、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２、天板Ｐ１，Ｐ２、及び基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２において液体３５が接触する領域を、図８を用いて説明する。

露光処理が行われる際に、液体供給ノズル３１は、投影光学系１３とウエハＷ１との間の液浸領域ＩＭＬに液体３５を供給する（図１参照）。液浸領域ＩＭＬは、クロスのハッチングで示された領域である。図８では、液浸領域ＩＭＬがウェハＷ１，Ｗ２の重心ＳＣ付近に位置している状態が示されている。ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２が走査されるので、液浸領域ＩＭＬは、接触領域ＩＭＷ内を移動する。

図８に示されるように、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２は、ウエハＷ１，Ｗ２付近に形成されている。これにより、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２は、少なくとも一部が接触領域ＩＭＷに接する。すなわち、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２は、液体３５に接触する。

また、第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２及び第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２も、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の周辺に形成されている。これにより、第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２及び第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２も、液体３５に接触し液体３５の一部を排液する。このため、常時排液を行っていると気化熱により第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２及び第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２付近の温度が低下し、天板Ｐ１，Ｐ２、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２あるいはウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２が熱変形するおそれがある。また、天板Ｐ１，Ｐ２の温度が変化するので、天板Ｐ１，Ｐ２の表面に接する気体の温度も変化し、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の付近の環境にゆらぎを発生させてしまう。このため、制御系ＣＳは、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の周辺の排液を、残液排液の場合（非露光時）のみ実施し、露光時には行わないようにする。これにより、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２等が気化熱により熱変形することを低減できる。

次に、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の詳細構成を、図９を用いて説明する。

基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２は、ボルト（図示せず）、基準マーク本体部（計測用部材）ＦＭ１１，ＦＭ２１、光量センサ３６、光学素子３７、隙間部ＦＭ１２，ＦＭ２２、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２、及びシール部材３１を備える。

ボルトは、基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１をウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２に固定している。

基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１は、ガラス部３０と支持部３３とを含む。ガラス部３０は、光を透過可能にガラスで形成されており、上部に位置している。ガラス部３０には、装置較正用あるいは位置合わせ用のマーク（図１２のマークＤＲＹ参照）が描画されている。支持部３３は、ガラス部３０をウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２に支持している。

光量センサ３６は、基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１に覆われるように形成されている。これにより、光量センサ３６は、基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１の上部（ガラス）のマークで散乱された検出光を受光することができる。

光学素子３７は、半球状の形状をしており、オプティカルコンタクトにより保持されてガラス部３０と光量センサ３６との間に配されている。これにより、液体３５を介してＮＡ≧１の露光波長の検出光がガラス部３０に照射された場合に、その検出光を屈折させて光量センサ３６に導く。

隙間部ＦＭ１２，ＦＭ２２は、天板Ｐ１，Ｐ２及び基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１に対して凹んだ部分であり、天板Ｐの開口に面した内側面と基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１の外側面との隙間を形成する。

第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２は、隙間部ＦＭ１２，ＦＭ２２の下方において基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１を囲むように形成されている。第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２には、制御弁などの第２排液開閉機構（図示せず）が設けられている。第２排液開閉機構は、制御系ＣＳから制御信号を受け取り、その制御信号に応じて開状態と閉状態とが切り替わるようになっている。具体的には、主制御部１２は、その露光スケジュールに基づき、非露光期間であることに応じて第２排液開閉機構の開閉状態を開状態に決定する。主制御部１２は、第２排液開閉機構の開閉状態が開状態である旨の情報を開閉制御部１９へ供給する。開閉制御部１９は、第２排液開閉機構の開閉状態が開状態である旨の情報に基づき、開状態にするための制御信号を生成して第２排液開閉機構へ供給する。これにより、第２排液開閉機構は、非露光期間において、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２を開いて液体３５が排液されるようにする。

あるいは、主制御部１２は、その露光スケジュールに基づき、露光期間であることに応じて第２排液開閉機構の開閉状態を閉状態に決定する。主制御部１２は、第２排液開閉機構の開閉状態が閉状態である旨の情報を開閉制御部１９へ供給する。開閉制御部１９は、第２排液開閉機構の開閉状態が閉状態である旨の情報に基づき、閉状態にするための制御信号を生成して第２排液開閉機構へ供給する。これにより、第２排液開閉機構は、露光期間において、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２を閉じて液体３５が排液されないようにする。

また、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２には、排液配管（図示せず）が接続されている。排液配管には排液用ポンプ（図示せず）が設けられ排液配管内に負圧を形成して排液を促進している。また、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２は、多孔質な材質で形成されており、排液速度及び排液流量が全周に渡って均一になるように開孔率が調整されている。さらに、排液用ポンプは、制御系ＣＳに制御されて、排液配管内の排液速度及び排液流量を調整することができる。これにより、隙間部ＦＭ１２，ＦＭ２２を介して第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２へ流れる液体３５の排液速度及び排液流量を均一にすることができる。

シール部材３１は、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２の外周側において、隙間部ＦＭ１２，ＦＭ２２とウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２との間をシールしている。このシール部材３１の断面の断面係数は、円形断面の断面係数よりも小さくなっている。シール部材３１は、例えばリップシールであり、例えば高純度なフッ素ゴムで形成されている。これにより、シール部材３１は、例えばＯリングよりも剛性が小さい。

ここで、基板側基準マーク部材ＦＭ３００の隙間部ＦＭ１２，ＦＭ２２に液体３５が侵入した場合を考える。このとき、隙間部ＦＭ１２，ＦＭ２２に侵入した液体３５の大部分は、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２より排液される。この第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２は、その材質やその下流の排液用ポンプなどにより排液速度及び排液流量が全周に渡って均一になるように調整されている。これにより、液体が隙間部ＦＭ１２，ＦＭ２２で均一に流れる傾向にあるので、アライメント検出系１６は、計測光を投射した際に、その反射光及び散乱光が乱されにくく、基板側基準マーク部材ＦＭ３００を用いた計測の精度の低下を避けることができる。

また、液体が隙間部ＦＭ１２，ＦＭ２２で均一に流れる傾向にあるので、気化熱による温度低下が略均一に生じて基板側基準マーク部材ＦＭ３００に略均一な温度変形が発生し、基板側基準マーク部材ＦＭ３００を用いた計測の精度の低下を避けることができる。

さらに、天板Ｐ１，Ｐ２の裏面又は開口に面した内側面に第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２が形成されているので、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２に露光光が照射されることを低減できる。また、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２の材質が多孔質であっても汚染物質（コンタミナント）が発生しにくくなっている。

また、第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２から排液しきれずに第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２の外周側に到達した液体３５は、シール部材３１によりウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２への移動を阻止される。すなわち、隙間部ＦＭ１２，ＦＭ２２とウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２との間が空間的に略密閉構造となっている。これにより、液体３５がウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２側に飛散することを低減でき、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２に錆び等の不具合が発生するを防止できる。

さらに、シール部材３１がリップ形状であるため、シール部材がＯリング形状である場合に比較してシール時の反力を低減できる。

例えば、シール部材の内径が７０ｍｍ程度であると仮定すると、そのシール部材をＯリング形状で形成した場合の反力は約２０ｋｇｆとなるが、そのシール部材をリップ形状で形成した場合の反力は約２ｋｇｆ程度に抑えることができる。

このように、シール時の反力を低減できるので、基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１の支持部３３とともにシール部材３１を支える天板Ｐに対して要求される剛性を低減できる。このため、天板Ｐ１，Ｐ２の厚さ寸法を薄くできるため、天板Ｐ１，Ｐ２を軽量化できる。

ここで、天板Ｐ１，Ｐ２は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２上に構成されるため、軽量高剛性であることが好ましい。天板Ｐ１，Ｐ２は、例えばセラミックスで形成されていることが好ましい。また、シール部材３１の反力は、天板Ｐ１，Ｐ２に働く重力以下であることが好ましい。仮に、シール部材３１の反力が天板Ｐ１，Ｐ２に働く重力以上である場合、天板Ｐ１，Ｐ２を真空吸着している真空吸着機構（図示せず）がバキュームＯＦＦした際に、シール部材３１の反力により天板Ｐ１，Ｐ２が浮き上がる。これにより、天板Ｐ１，Ｐ２の上面がウェハＷ１，Ｗ２表面よりも高くなってしまう。この状態で、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２が移動すると、天板Ｐ１，Ｐ２が投影光学系１３、液体供給ノズル３１、及び液体回収ノズル３２などとぶつかる可能性があるからである。

なお、第１排液開閉機構も、第２排液開閉機構と同様に、制御系ＣＳから制御信号を受け取り、その制御信号に応じて開状態と閉状態とが切り替わるようになっていてもよい。具体的には、主制御部１２は、その露光スケジュールに基づき、非露光期間であることに応じて第１排液開閉機構の開閉状態を開状態に決定する。主制御部１２は、第１排液開閉機構の開閉状態が開状態である旨の情報を開閉制御部１９へ供給する。開閉制御部１９は、第１排液開閉機構の開閉状態が開状態である旨の情報に基づき、開状態にするための制御信号を生成して第１排液開閉機構へ供給する。これにより、第１排液開閉機構は、非露光期間において、第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２を開いて液体３５が排液されるようにする。

あるいは、主制御部１２は、その露光スケジュールに基づき、露光期間であることに応じて第１排液開閉機構の開閉状態を閉状態に決定する。主制御部１２は、第１排液開閉機構の開閉状態が閉状態である旨の情報を開閉制御部１９へ供給する。開閉制御部１９は、第１排液開閉機構の開閉状態が閉状態である旨の情報に基づき、閉状態にするための制御信号を生成して第１排液開閉機構へ供給する。これにより、第１排液開閉機構は、露光期間において、第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２を閉じて液体３５が排液されないようにする。

次に、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２に対するブロー部ＢＬ１の詳細構成を、図１０を用いて説明する。図１０には、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２のガラス部３０上に残液Ｗａが存在する場合を示す。

ブロー部ＢＬ１は、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の上方であって基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２に気体を吹き付け可能な位置に配置される。ブロー部ＢＬ１の内部には、上下に仕切られた互いに導通可能な第１内部空間ＩＳ１及び第２内部空間ＩＳ２が形成されている。第１内部空間ＩＳ１は、吹き付けるための気体が供給される空間であり、気体供給配管３９が接続されている。第２内部空間ＩＳ２は、吹き付けた後の気体が回収されるための空間であり、気体回収配管３８が接続されている。

環境検出部２７は、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２付近の空間の温度及び湿度を検出する。制御系ＣＳは、環境検出部２７により検知された温度及び湿度の情報を受け取り、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２付近の空間の温度及び湿度と同じになるように、ブローするための気体の温度及び湿度を決定する。制御系ＣＳは、気体の温度及び湿度に対する制御信号を生成しブロー調整部２５へ供給する。ブロー調整部２５は、制御信号に応じて、気体供給配管３９を流れる気体の温度及び湿度を調整する。これにより、気体供給配管３９を介して第１内部空間ＩＳ１へ供給される気体の温度及び湿度は、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２付近の空間の温度及び湿度と略同じになる。第１内部空間ＩＳ１へ供給された気体は、白抜き矢印で示すように流れて、残液Ｗａを吹きつけながら（ブローしながら）第２内部空間ＩＳ２へ流れ込む。このとき、ウエハステージＷＳＴ１は、斜線矢印で示すように、例えば、吹き付けられる気体と逆方向に移動する。気体が吹きつけられた残液Ｗａは、隙間部ＦＭ１２，ＦＭ２２へ移動し第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２から排液される。一方、第２内部空間ＩＳ２へ流れ込んだ気体は、第２内部空間ＩＳ２の内壁に沿って進み、気体回収配管３８を介して排出される。

ここで、ブロー部ＢＬ１は、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の上面に沿った面に吹き出し口が設けられている。これにより、ブロー部ＢＬ１の第１内部空間ＩＳ１から吹き出された気体は、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の上面や残液Ｗａにあたった後、外部にほとんど漏れ出すことなく第１内部空間ＩＳ１に回収することができる。また、第１内部空間ＩＳ１から吹き出された気体が回収されずに外部に漏れ出した場合でも、その気体の温度及び湿度は、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の付近の空間の温度及び湿度と略同じになっている。これにより、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の付近の環境にゆらぎを発生させにくくできる。さらに、気体が吹き付けられた残液Ｗａの一部が気化するため、残液Ｗａを吹き付けた後の気体の湿度はわずかに上昇する。しかし、上述のように、第１内部空間ＩＳ１に回収されずに漏れ出す気体の量が少ないため、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の付近の環境にゆらぎを与えにくい。

また、ガラス部３０の表面には、計測のために露光光が照射される部分（例えば、図１２に示すマークＤＲＹ、以下、親水部と呼ぶ）以外の部分（以下、撥水部と呼ぶ）に撥水性（撥液性）コートが施されている。撥水部以外（すなわち、親水部）は、親水性（親液性）である。このため、親水部に上述の残液Ｗａが残こる傾向にある。しかしながら、親水部がガラス部３０の表面において限られた領域であるため、親水部に残った残液Ｗａは、ブロー部ＢＬ１により気体が吹き付けられて第２排液路ＤＲＦＭ１，ＤＲＦＭ２へ容易に導かれて排液される。

なお、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２上に複数形成されていてもよい。この場合、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２に対応してブロー部ＢＬ１が複数設けられていてもよい。

次に、ウエハＷ１，Ｗ２に対するブロー部ＢＬ２の詳細構成を、図１１を用いて説明する。図１１には、ウエハＷ１，Ｗ２上に残液Ｗａが存在する場合を示す。

ブロー部ＢＬ２は、ウエハＷ１，Ｗ２の上方であってウエハＷ１，Ｗ２に気体を吹き付け可能な位置に配置される。ブロー部ＢＬ２の内部には、図面上で左右に仕切られた互いに導通可能な第１内部空間ＩＳ３及び第２内部空間ＩＳ４が形成されている。第１内部空間ＩＳ３には、気体供給配管３９が接続されている。第２内部空間ＩＳ４には、気体回収配管３８が接続されている。

環境検出部２７は、ウエハＷ１，Ｗ２付近の空間の温度及び湿度を検出する。制御系ＣＳは、環境検出部２７により検知された温度及び湿度の情報を受け取り、ウエハＷ１，Ｗ２付近の空間の温度及び湿度と同じになるように、ブローするための気体の温度及び湿度を決定する。制御系ＣＳは、気体の温度及び湿度に対する制御信号を生成しブロー調整部２５へ供給する。ブロー調整部２５は、制御信号に応じて、気体供給配管３９を流れる気体の温度及び湿度を調整する。これにより、気体供給配管３９を介して第１内部空間ＩＳ３へ供給される気体の温度及び湿度は、ウエハＷ１，Ｗ２付近の空間の温度及び湿度と略同じになる。第１内部空間ＩＳ３へ供給された気体は、白抜き矢印で示すように流れて、残液Ｗａを吹きつけながら（ブローしながら）第２内部空間ＩＳ４へ流れ込む。このとき、ウエハステージＷＳＴ１は、斜線矢印で示すように、例えば、吹き付けられる気体と逆方向に移動する。気体が吹きつけられた残液Ｗａは、ウエハＷ１，Ｗ２周辺部へ移動し第１排液路ＤＲ１，ＤＲ２から排液される。一方、第２内部空間ＩＳ４へ流れ込んだ気体は、第２内部空間ＩＳ４の内壁に沿って進み、気体回収配管３８を介して排出される。

ここで、ブロー部ＢＬ２は、ブロー部ＢＬ１（図１０参照）と異なり、そのＹ方向（紙面垂直方向）の長さが、ウエハＷ１，Ｗ２の直径以上である。これにより、ウエハＷ１，Ｗ２の表面に残っている残液に気体を効率よく吹き付けることができる。

また、ブロー部ＢＬ２は、ブロー部ＢＬ１（図１０参照）と同様に、ウエハＷ１，Ｗ２の表面に沿った面に吹き出し口が設けられている。これにより、ブロー部ＢＬ２の第１内部空間ＩＳ３から吹き出された気体は、ウエハＷ１，Ｗ２の表面や残液Ｗａにあたった後、外部にほとんど漏れ出すことなく第２内部空間ＩＳ４に回収することができる。また、第１内部空間ＩＳ３から吹き出された気体が回収されずに外部に漏れ出した場合でも、その気体の温度及び湿度は、ウエハＷ１，Ｗ２の付近の空間の温度及び湿度と略同じになっている。これにより、ウエハＷ１，Ｗ２の付近の環境にゆらぎを発生させにくくできる。さらに、気体が吹き付けられた残液Ｗａの一部が気化するため、残液Ｗａを吹き付けた後の気体の湿度はわずかに上昇する。しかし、上述のように、第２内部空間ＩＳ３に回収されずに漏れ出す気体の量が少ないため、ウエハＷ１，Ｗ２の付近の環境にゆらぎを与えにくい。

なお、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２上に複数形成されていてもよい。この場合、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２に対応してブロー部ＢＬ１が複数設けられていてもよい。

次に、基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１の上面に形成されたマークを、図１２を用いて説明する。図１２は、基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１の平面図である。

基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１の上面には、矩形形状のマークＤＲＹが形成されている。基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１の上面においてマークＤＲＹ以外の部分は、撥水コートが施されており撥水性（疎水性）である。それに対して、矩形形状のマークＤＲＹは、表面に撥水コートが施されておらず、材質がガラスであるため、親水性である。これにより、液浸領域ＩＭＬ（図８参照）が基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１を通過した際に、マークＤＲＹの表面に残液が残ることがある。

ここで、この残液を除去しない場合、残液が乾燥し、ウォーターマークが発生してしまう可能性がある。ウォーターマークが発生すると、アライメント検出系１６（図１参照）がマークＤＲＹを用いた計測の精度が低下する可能性がある。

それに対して、本発明では、上述のように、ブロー部ＢＬがマークＤＲＹの表面の残液を効率的に除去する。これにより、生産性を低下させずに基板側基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２にウォーターマークが発生することを防止できる。また、マークＤＲＹを用いた計測の精度の低下を避けることができる。

なお、残液が蒸発して基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１が乾燥する時間以上露光装置１００が停止するような場合に、特に、基準マーク本体部ＦＭ１１，ＦＭ２１上面にウォーターマークが発生する可能性が高い。そこで、残液が蒸発する時間（以下、蒸発時間とする）を予め測定及び記憶しておく。制御系ＣＳは、記憶された蒸発時間の情報を参照して蒸発時間を決定し、露光装置１００の停止時間（露光処理の停止時間）が蒸発時間以上か否かを判断してもよい。そして、制御系ＣＳは、露光装置１００の停止時間が蒸発時間以上であると判断する場合、ブロー部ＢＬをアクティブにし、露光装置１００の停止時間が蒸発時間以上でないと判断する場合、ブロー部ＢＬをノンアクティブにしてもよい。これにより、ブロー部ＢＬが稼動する時間を必要最小限に抑えることができ、生産性の低下を防ぐことができる。

次に、本発明のウエハステージ装置が適用される例示的な露光装置を利用したデバイスの製造プロセス（製造方法）を、図１３を用いて説明する。図１３は、デバイスの一例としての半導体デバイスの全体的な製造プロセスを示すフローチャートである。

ステップＳ９１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。

ステップＳ９２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスク（原版又はレチクルともいう）を作製する。

一方、ステップＳ９３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。

ステップＳ９４（ウエハプロセス）は前半工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上述の露光装置によりリソグラフィー技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。

次のステップＳ９５（組み立て）は後半工程と呼ばれ、ステップＳ９４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。

ステップＳ９６（検査）ではステップＳ９５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップＳ９７でこれを出荷する。

上記ステップＳ９４のウエハプロセスは以下のステップを有する。すなわち、ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップを有する。また、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップを有する。上記の露光装置を用いて、レジスト処理ステップ後のウエハを、マスクのパターンを介して露光し、レジストに潜像パターンを形成する露光ステップ（露光工程）を有する。露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ（現像工程）を有する。さらに、現像ステップで現像した潜像パターン以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップを有する。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。

本発明の実施形態に係る露光装置の構成図。 ウエハが搬入されてからウエハが搬出されるまでにおける露光装置の動作を示す図。 ウエハが搬入されてからウエハが搬出されるまでにおける露光装置の動作を示す図。 ウエハが搬入されてからウエハが搬出されるまでにおける露光装置の動作を示す図。 ウエハが搬入されてからウエハが搬出されるまでにおける露光装置の動作を示す図。 ウエハが搬入されてからウエハが搬出されるまでにおける露光装置の動作を示す図。 ウエハステージ、天板、及び基板側基準マーク部材の配置を示す平面図。 ウエハステージ、天板、及び基板側基準マーク部材において液体が接触する領域を示す図。 基板側基準マーク部材の詳細構成を示す図。 基板側基準マーク部材に対するブロー部の詳細構成を示す図。 基板側基準マーク部材に対するブロー部の詳細構成を示す図。 基準マーク本体部の平面図。 半導体デバイスの全体的な製造プロセスを示すフローチャート。

符号の説明

１：光源、
２：照明系整形光学系、
３：フライアイレンズ、
４：コンデンサーレンズ
５：視野絞り、
６Ａ、６Ｂ：可動ブラインド駆動部、
７Ａ、７Ｂ：可動ブラインド
８：リレーレンズ、
１０：レチクルステージ制御部、
１１：可動ブラインド制御部
１２：主制御部、
１３：投影光学系、
１４、１５：ウエハステージ制御部
１６：アライメントセンサ、
１７：アライメントセンサ制御部
１８：フォーカスセンサ、
１９：フォーカスセンサ制御部
２０：干渉計制御部、
２１：照明領域、
２２、２３：干渉計
２４：液供給回収部制御部、
２５：ブロー配管部、
２６：ブロー部制御部
２７：湿度計検出部、
２８：湿度計制御部
３０：基準マーク硝子部、
３１：シール、
３２：排液路、
３４：半球レンズ、
３６：検出系、
３７：気体供給部、
３８：気体回収部
１００：露光装置
ＲＳＴ：レチクルステージ、
ＷＳＴ１、２：ウエハステージ
Ｒ：レチクル、
ＳＰ：基準プレート、
Ｗ１、２：ウエハ、
ＷＣ：ウエハチャック
Ｐ：天板、
ＦＭ：基準マーク
ＢＬ：ブロー部、
Ｗａ：残液
ＤＲ、ＤＲＦＭ：排液路、

Claims (10)

1. 液体を介して基板を露光する露光装置であって、
   原版からの光を投影する投影光学系と、
   前記基板を保持しかつ移動する基板ステージと、
   前記投影光学系の最終面と前記基板ステージに保持された基板との間の間隙に該液体を供給する液体供給部と、
   前記基板ステージに設けられた計測用部材と、
   前記計測用部材に気体を吹き付ける吹き付け手段と、
   を有し、
   前記吹き付け手段は、前記計測用部材に吹き付けられる気体の湿度を調整する、
   ことを特徴とする露光装置。
2. 前記吹き付け手段は、前記計測用部材に接する空間の湿度に等しくなるように、該気体の湿度を調整する
   ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記計測用部材の周辺に設けられた、液体を排液する排液路をさらに有し、
   前記吹き付け手段は、前記計測用部材に付着した液体に気体を前記排液路へ導く、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
4. 前記基板ステージは、露光エリアと計測エリアとの間を移動し、
   前記吹き付け手段は、該露光エリアと該計測エリアとの間に設けられている、
   ことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
5. 非露光期間において前記吹き付け手段を動作させ、露光期間において前記吹き付け手段を停止させるように、前記吹き付け手段を制御する制御部を有する、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
6. 前記排液路を開閉する開閉機構と、
   非露光期間において前記排液路を開き、露光期間において前記排液路を閉じるように、前記開閉機構を制御する開閉制御部と、
   をさらに有する、
   ことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
7. 前記計測用部材の上面の一部が該液体に関し親液性の材質で形成されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光装置。
8. 前記吹き付け手段は、前記計測用部材の上面に沿って気体を吹き付ける、
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の露光装置。
9. 前記吹き付け手段により吹き付けられた気体を回収する回収手段を有する、
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の露光装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    該露光された基板を現像する工程と、
    を有することを特徴とするデバイスの製造方法。

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