JP2010135787A - リソグラフィ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の露光後などの基板テーブル上に残された液滴の潜在的な悪影響が低減されるリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット及び／又はセンサを含むテーブルと、局所化されたガスフローを用いてターゲット及び／又はセンサから液体を変位させる液体変位デバイスとを有するリソグラフィ装置が開示される。液体変位デバイスは、様々な位置に配置することができる。例えば、液体変位デバイスは、露光ステーションの液体ハンドリングデバイスに搭載することができ、露光ステーションと測定ステーションとの間の移送経路に隣接して、又は移送経路内に、ロード／アンロードステーションに、又はセンサに隣接して配置することができる。
【選択図】図６

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は例えば蒸留水でよいが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。

[0004] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0005] 液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、それ故、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、それにより、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを形成することができ、それにより、流体閉じ込め構造などのバリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び／又は位置を制御するのを助けることができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。

[0006] 提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板Ｗ（図３に矢印で示す）上に、好ましくは最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給され、投影システムＰＳ（図３に矢印で示す）の下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口ＩＮと出口ＯＵＴが、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。

[0007] 局所液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口ＩＮによって供給され、矢印で表される入口ＩＮの半径方向外側に配置された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮ及びＯＵＴは、投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口ＩＮと出口ＯＵＴを使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口ＩＮ及び出口ＯＵＴは動作しない）。

[0008] 欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを有する。第１の位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第２の位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有する。

[0009] ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を供給する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１１９８０９号に記載されている。すべての位置で基板を覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。

[0010] 基板の露光後に基板テーブル上に残された液体膜又は液滴（これ以降、液滴への言及は膜への言及を含む）が問題を起こす場合がある。特に、液滴が蒸発した時には、蒸発する表面を局所的に冷却する場合がある。表面の局所的な冷却によって表面が一時的又は永続的に変形する場合がある。追加的に又は代替的に、乾燥する汚れが残される場合がある。このような問題は、液滴が残された表面がセンサの一部又は乾燥状態で、すなわち、センサとターゲットとの間に液体がない状態で測定を行うセンサのターゲットの場合に特に深刻である。この場合、測定値を入手する時に液滴がまだ存在していると、測定エラーが発生する場合がある。

[0011] いわゆるデュアルステージリソグラフィ装置では、基板は、まず基板テーブル上にロードされ、測定ステーションで様々な測定が実行され、次に、テーブル及び基板が露光される露光ステーションへ移送される。基板上のすべての露光が完了すると、露光された基板がアンロードされ、新しい基板がテーブル上にロードされる。したがって、前の基板の露光後に基板テーブル上に残された液滴が、その存在又はその蒸発の影響によって、後の基板上で実行される測定に悪影響を及ぼす場合がある。

[0012] 例えば、基板の露光後などの基板テーブル上に残された液滴の潜在的な悪影響が低減されるリソグラフィ装置を提供することが望ましい。

[0013] 本発明のある態様によれば、
基板、センサ、又は基板とセンサの両方を支持するように構成され、表面及びセンサ、表面上のセンサのターゲット、又はセンサとターゲットの両方を有するテーブルと、
液体を基板及び／又はテーブルに隣接する空間に供給する液体ハンドリング構造と、
センサ及び／又はターゲットから液体を変位させるように局所化されたガスフローをセンサ及び／又はターゲットの方へ誘導するガス出口を備える液体変位デバイスと、
を備えるリソグラフィ装置が提供される。

[0014] 本発明のある態様によれば、
ターゲット、センサ、又はターゲットとセンサの両方を有する基板テーブルによって保持された第１の基板上に液浸液を通してパターンの画像を投影することと、
基板テーブルから第１の基板をアンロードすることと、
基板テーブル上に第２の基板をロードすることと、
第２の基板が基板テーブルによって保持されている間に、の特性又はセンサの使用を測定することと、
局所化されたガスフローを用いてターゲット及び／又はセンサから液体を変位させることと、
を含むデバイス製造方法が提供される。

[0015] 本発明のある態様によれば、
基板テーブルによって保持された第１の基板上に液浸液を通してパターンの画像を投影するステップであって、液浸液が液体閉じ込め構造によって投影システムと基板との間に閉じ込められることと、
ターゲット、センサ、又はターゲットとセンサの両方を有する測定テーブルまで液体閉じ込め構造を変位させるか、又は液体閉じ込め構造まで測定テーブルを変位させることと、
基板テーブルから第１の基板をアンロードすることと、
基板テーブル上に第２の基板をロードすることと、
ターゲットの特性又はセンサの使用を測定することと、
局所化されたガスフローを用いてターゲット及び／又はセンサから液体を変位させることと、
を含むデバイス製造方法が提供される。

[0016] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。

[0017]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0019]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0020]リソグラフィ装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0021]本発明のある実施形態による液体変位デバイスを含む液体ハンドリングシステムの拡大断面図である。 [0022]図６の液体ハンドリングシステムを想像線で示す基板テーブルの平面図である。 [0023]本発明のある実施形態による液体変位デバイスの概略図である。 [0024]動作時の図８の液体変位デバイスの概略図である。 [0025]本発明のある実施形態による液体変位デバイスを示す図である。 [0026]本発明のある実施形態による液体変位デバイスを示す図である。 [0027]本発明のある実施形態による液体変位デバイスを示す図である。 [0028]図１２の液体変位デバイスの動作の効果を示す図である。 [0029]本発明のある実施形態による液体変位デバイスを示す図である。 [0030]本発明のある実施形態による液体変位デバイスを示す図である。

[0031] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0032] 照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0033] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0034] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0035] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0036] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0037] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0038] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0039] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0040] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。

[0041] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。

[0042] 一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0043] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0044] １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0045] ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。

[0046] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0047] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0048] 投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、少なくとも２つのカテゴリーに分類される。これらは、浴槽タイプ（又は浸漬）構成と、いわゆる局所液浸システムである。浸漬構成では、実質的に基板全体と任意選択として基板テーブルの一部が液体内に、例えば、浴槽内又は液体膜の下に浸漬される。局所液浸システムは、基板の局所領域に液体を提供する液体供給システムを使用する。後者のカテゴリーでは、液体によって充填される空間は、平面視で基板の上面より小さい。基板を覆う空間内の液体の量は、基板がそのような空間の下を移動する間、投影システムに対して実質的に静止している。

[0049] 本発明のある実施形態が狙いとする別の構成は、液体が閉じ込められていないオールウェット解決策である。この構成では、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。図２〜図５の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、液体供給デバイス内には封止フィーチャが存在しないか、活性化されていないか、通常のものより効率が落ちるか、又は他の点で液体を局所領域にのみ封止する効果がない。図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。図２〜図４に開示された液体供給システムについては上記の通りである。

[0050] 提案されている別の構成は、液体供給システムに投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造を提供することである。そのような構成を図５に示す。液体閉じ込め構造は、投影システムに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。液体閉じ込め構造と基板表面との間に封止が形成される。ある実施形態では、液体閉じ込め構造と基板表面との間に封止が形成され、封止はガスシールなどの非接触封止であってもよい。そのようなシステムが米国特許出願第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0051] 図５は、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材又は流体閉じ込め構造１２を備えた局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造を概略的に示す。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルＷＴの表面も指すことに留意されたい。）流体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗの表面との間には封止が形成され、封止は、ガスシール又は流体封止などの非接触封止でよい。

[0052] 流体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１内に閉じ込められるように、基板Ｗへのガスシール１６などの非接触封止を投影システムＰＳの画像フィールドの周囲に形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下に位置し、それを取り囲む流体閉じ込め構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムＰＳの下の空間１１、さらに液体入口１３によって流体閉じ込め構造１２内に流し込まれる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。流体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素から上に少し突き出すことができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、流体閉じ込め構造１２は、上端で投影システムＰＳ又はその最終要素の形状にぴったりと一致する例えば円形の内周を有する。底部で、内周は、画像フィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。

[0053] 液体は、使用時に流体閉じ込め構造１２の底と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシール１６は、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、Ｎ_２又はその他の不活性ガスによって形成される。ガスシール１６内のガスは、入口１５を介して流体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間の空隙に加圧下で提供される。ガスは、出口１４を介して取り出される。液体を内側に閉じ込める高速のガスフローが存在するように、ガス入口１５上の過剰圧力、出口１４上の真空レベル及び空隙の幾何構造が配置されている。流体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間の液体上のガスの力で液体は、空間１１内に封じ込められる。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的又は不連続的であってもよい。ガスの流れは、液体を空間１１内に封じ込める効果がある。そのようなシステムが米国特許出願第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0054] 図５の例は、液体が任意の一時点で基板Ｗの上面の局所領域にのみ提供される、いわゆる局所領域構成である。例えば、米国特許出願第ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示された単相抽出器（２相モードで動作するか否かを問わず）を使用する流体ハンドリングシステムを含む他の構成も可能である。ある実施形態では、単相抽出器は、単一液相の液体抽出を可能にするためにガスから液体を分離するための多孔質の材料で覆われた入口を備えてもよい。多孔質の材料の下流にあるチャンバはわずかに圧力がかかった状態に保たれ、液体で満たされている。チャンバ内の加圧は、多孔質の材料の穴に形成されたメニスカスによって周囲ガスがチャンバ内に引き込まれない程度の大きさである。しかし、多孔質の表面が液体に接触すると、フローを制限するメニスカスは存在せず、液体はチャンバ内に自由に流入することができる。多孔質の材料は、例えば５〜５０μｍの範囲の直径の多数の小さい孔を有する。ある実施形態では、多孔質の材料は、少なくともわずかに親液性（例えば、親水性）であり、すなわち、水などの液浸液に対して９０°未満の接触角を有する。ある実施形態では、液体ハンドリングシステムは、多孔質の部材で覆われた出口などの開口を有していてもよい。

[0055] 可能な別の構成は、２相流体を取り出して動作する、ガス抵抗原理とも呼ばれる構成である。いわゆるガス抵抗原理は、例えば、２００８年５月８日出願の米国特許出願第ＵＳ２００８−０２１２０４６号及び米国特許出願第ＵＳ６１／０７１，６２１号に記載されている。そのシステムでは、抽出孔が、望ましくは、角を有する形状に配置されている。角は、ステップ及びスキャン方向に整合することができる。これによって、２つの出口がスキャン方向に垂直に整合していた場合と比較して、ステップ又はスキャン方向の所与の速度について流体ハンドリング構造の表面の２つの開口の間のメニスカスにかかる力が低減する。

[0056] 本発明のある実施形態は、オールウェット液浸装置で使用される流体ハンドリング構造に適用することができる。オールウェット実施形態では、例えば、投影システムの最終要素と基板との間に液体を閉じ込める閉じ込め構造から液体が漏出できるようにすることで、流体は実質的に基板テーブルの上面全体を覆うことができる。オールウェット実施形態の流体ハンドリング構造の一例は、２００８年９月２日出願の米国特許出願第ＵＳ６１／１３６，３８０号に記載されている。

[0057] 液浸リソグラフィ装置では、液浸液が基板の露光完了後に基板上に残されることがある。これは、非閉じ込め又はオールウェット液浸装置ではほとんど常に発生する事態であるが、液滴が液体封じ込め構造から流出すると局所液浸装置でも発生することがある。基板テーブル上に残されたそのような液滴は望ましくない。特に、基板テーブルは、基板を支持するだけでなく、その表面に１つ又は複数のセンサデバイス又はターゲットを有していることが多い。例えば、デュアルステージリソグラフィ装置では、基板テーブルは、１つ又は複数のフィデュシアルを備えていてもよい。フィデュシアルは、基板の露光の前の前測定段階で使用される。特に、フィデュシアルは、基板上のマーカーの位置を設定するための基準点として使用することができる。フィデュシアルは、アライメントセンサによって検出可能なマーカーを備え、基板上のアライメントマーカーに対応し、固定された板内に永続的に形成することもできる。透過イメージセンサ（ＴＩＳ:Transmision Image Sensor）などの画像センサをマーカーの下又はマーカーと固定的な位置関係に配置してもよい。また、フィデュシアルは、レベル又は高さセンサの基準面としての役割を果たす平坦な領域を含んでいてもよい。基板テーブル内に含むことができる他のセンサ又はセンサのターゲットは、位置符号化システムの格子板、エネルギーセンサ、及び／又は干渉収差センサを含む。

[0058] このようなセンサ又はセンサのターゲット上に水などの残留液浸液が存在することは問題を引き起こしかねない。測定値を得ている際に液滴の形で残留液浸液が存在すると、測定システム及び手順が乾燥状態で測定を実行するように設計されている場合に読み取りエラーを引き起こす場合がある。残留液浸液の液滴が蒸発すると、乾燥する汚れが残される場合がある。乾燥する汚れは測定に影響し、又は局所的な冷却を引き起こす場合がある。局所的な冷却によって、センサ、例えば、基準センサが変形する場合がある。こうしてセンサ測定のエラーが発生する。センサ又はセンサのターゲットは、親液性の表面、すなわち、液体を引き寄せる表面、又は、例えば放射への暴露によって装置の使用中に親液性になる表面を有していてもよい。こうして、センサ又はセンサのターゲット上には、多くの場合、液体が存在する。

[0059] 本発明のある実施形態は、液体変位デバイスを提供することでこれらの（又はその他の）望ましくない結果の１つ又は複数に対処する。液体変位デバイスは、センサ及び／又はターゲットの方へ誘導される局所ガスフローを使用することでセンサ又はセンサのターゲットから液体を変位させるように配置されている。ある実施形態では、ガスは、空気、空気などの清潔で乾燥したガス、人工空気であるガス、及び／又はＮ_２又は希ガスなどの別の不活性ガスであってもよい。センサ又はターゲットは、普通、基板テーブル上の比較的小さい領域であるため、センサ又はターゲット上にある液滴があればその存在が害を及ぼさない又は害もしくは損傷の危険がほとんどない基板テーブルの隣接する領域へ変位させるだけで十分である。別の方法としては、液滴を基板テーブルから完全に除去してもよい。

[0060] 蒸発の影響を最小限にするのを助けるには、できるだけ早く、基板テーブル、又は少なくともセンサ又はターゲットから液滴を除去することが望ましい。図６及び図７に示す本発明のある実施形態によれば、流体閉じ込め構造１２に取り付けられた液体変位デバイス２０が示されている。ある実施形態では、変位デバイスは、図５に関連して説明するガスナイフ１５であってもよい。

[0061] 図６及び図７に示す本発明のある実施形態では、液体変位デバイス２０は、アクチュエータ２２を介して流体閉じ込め構造１２に接続されたガスナイフデバイス２１を備える。アクチュエータ２２によって、ガスナイフ２１は上昇及び下降できる。ガスナイフ２１は、例えば、センサのターゲットの表面から液滴を除去するために使用すべく動作位置へ下降する。ガスナイフ２１は、例えば、不要な時に収納位置へ上昇できる。

[0062] 適切なアクチュエータ、例えばソレノイド又はモータ及びカムを用いてガスナイフ２１を上昇及び下降させることができる。アクチュエータは、空気圧システムを含んでいてもよい。ある実施形態では、ガスナイフ２１は、例えば、ばねによって基板又は基板テーブルから離れた位置へ、垂直に変位させ、付勢する、例えば、弾性的に付勢することができるように搭載されている。アクチュエータ２２は、ガスナイフへのガスの供給が開始された時にガスで充填されるベローズ又はピストンを備えることができる。ベローズ又はピストンは、ガスで充填されるとガスナイフを動作位置へ付勢するように構成されている。それによって、ガスナイフ２１は、起動時に動作位置へ自動的に移動する。活動状態にある時の、すなわち、動作位置でのガスナイフの位置を画定するために刻みを提供してもよい。ある実施形態では、ガス源の動作位置は、その下面が、ガスナイフから半径方向に内向きの液体閉じ込め構造の下面と基板及び／又は基板テーブルの対向面との距離よりもさらに基板及び／又は基板テーブルの対向面から離れた距離にある。これは、ガスナイフの領域内では、この構成でなかったら液滴が下面に接触し、分散する汚染物と液浸液を散乱させる可能性があるためである。

[0063] 図７から分かるように、ガスナイフ２１は、Ｙ方向に、例えば、基板テーブルＷＴの縁部に実質的に平行に長さｄ２を有する。長さｄ２は、その方向、すなわち、基板テーブルＷＴの縁部に実質的に平行であってもよいＹ方向のセンサＳＴ又はターゲットＳＴの直径ｄ１などの寸法よりも少なくともわずかに大きい。それ故、ガスナイフ２１は、局所ガスフローを生成する。本発明のある実施形態では、ｄ２は、ｄ１の１１５％以下、望ましくは１１０％以下である。距離ｄ２は、望ましくは、ガスナイフ２１の下のセンサ／ターゲットの（又はセンサ／ターゲットの上のガスナイフの）１回の通過でセンサ全体を洗浄することができるように、長さｄ１に少なくとも等しい。ある実施形態では、より小さい局所ガスナイフ、例えば、センサ／ターゲットＳＴの寸法よりも小さい長さを有する局所ガスナイフを有することができる。次に、局所ガスナイフは、センサ／ターゲットＳＴを複数回で洗浄することができる。図では直線で示しているが、ガスナイフ２１は、曲線であっても又は屈曲していてもよい。その場合、ガスナイフによってセンサ／ターゲットＳＴ上で洗浄された領域の幅は、上記の条件を満たさなければならない。本節では、ガスナイフ２１又はセンサ／ターゲットＳＴの寸法を、センサの洗浄時の基板テーブルＷＴとガスナイフとの相対運動の方向に垂直な方向のそのコンポーネントの寸法と解釈すべきであるしなければならない。周知の液浸リソグラフィ装置では、液体閉じ込め構造は、投影システムの下の空間に液体を閉じ込める構成の一部としての液体閉じ込め構造の全周（例えば、周縁）の周囲に延在するガスナイフを有する。そのようなガスナイフは、基板テーブルの移動範囲が許すなら基板テーブル上のセンサ／ターゲットＳＴを洗浄するように動作することができる。しかし、そのようなガスナイフは欠陥の原因になることがある。したがって、局所ガスナイフが望ましく、必要な時だけにガスナイフを操作することが望ましい。

[0064] 局所ガスナイフ２１は、センサ又はターゲット上に存在するかもしれないいかなる液滴も変位させるのに十分なガスのフローを有していなければならない。ガスの流量が大きく、ガス出口が動作時にガス出口の真下で圧力のピークを形成するように配置されている場合、デバイスの効率は拡大する。ある実施形態では、ガスは、空気、空気などの清潔で乾燥したガス、人工空気、及び／又はＮ_２又は別の不活性ガスであってもよい。局所ガスナイフの動作によって、液滴は、センサ又はターゲットから離れることができる。液滴は、基板テーブルの表面上にセンサ／ターゲットＳＴから離れて残される。局所ガスナイフ２１は、液滴を液浸空間１１内の液体の方へ誘導することができる。液滴は、液体１１に加わるか、及び／又は取り出される。

[0065] 図７に示すように、局所ガスナイフ２１は、最小限の追加スキャンによってセンサ／ターゲットＳＴを洗浄することができるように、望ましくは液体閉じ込め構造１２の一辺上に提供される。露光のために実行されたスキャンに加えて追加スキャンが必要でないことが望ましい。基板テーブルが特に液体を洗浄する複数の領域、例えば、複数のセンサ又はターゲットを含む場合、対応するいくつかの好適に配置された液体変位デバイス２０を提供してもよい。例えば、図７に示すように、２つのセンサ／ターゲットＳＴと２つの液体変位デバイス２０がある。

[0066] 液体変位デバイスの別の形態を図８に示す。また、図８は、図９と組み合わせた動作方法を示すのを助ける。液体変位デバイスは、その全体を参照により本明細書に組み込むものとする、２００７年５月１７日出願の米国特許出願第１１／７９８，９２８号に記載されている。図８で、液体変位デバイス２０ａが、センサ／ターゲットＳＴ上のスキャンの開始位置に示されている（及び／又はセンサ／ターゲットＳＴが液体変位デバイス２０ａの下のスキャンの開始位置に示されている）。図９は、そのようなスキャンの途中の液体変位デバイスの動作を示す。

[0067] 図８に示すように、液体変位デバイス２０ａは、ガスナイフ２１と、２相抽出ポート２３とを備える。ガスナイフ２１は、上記スキャンの方向、例えば、Ｘ方向に対してある角度で配置、例えば、設定されている。２相抽出ポート２３は、ガスナイフ２１の一端の近くに、例えば、隣接して配置される。図９に示すように、液体変位デバイス２０ａがセンサ／ターゲットＳＴをスキャンするにつれて、センサ／ターゲットＳＴ上に残った例えば液滴の形態の液体Ｌは、ガスナイフ２１によって洗浄される。ガスナイフ２１は、センサ／ターゲットＳＴから液滴を除去する。ガスナイフ２１は、液滴を２相抽出ポート２３の方へ移動させる。

[0068] 液体変位デバイス２０ａ内のセンサ／ターゲットＳＴに対する運動方向に垂直の方向、例えば、Ｙ方向のガスナイフ２１の幅は、図７に関する上記の液体変位デバイス２０のガスナイフ２１と同じ条件を満足する。すなわち、ガスナイフ２１の幅ｄ２は、ガスナイフ２１とセンサ／ターゲットＳＴとの相対運動の方向のセンサ／ターゲットＳＴのアクティブな領域ＳＴａの幅ｄ１に関する上記の条件を満足する。ある実施形態では、液体変位デバイス２０ａは、必要な時にオン、不要な時にオフされる。例えば、液体変位デバイスは、液体変位デバイス２０ａがセンサ／ターゲットＳＴの表面に対向している時に動作状態である。

[0069] 図１０は、デュアルステージリソグラフィ装置での露光ステーションＥＳから測定ステーションＭＳへの基板テーブルの移送中に残留液体がセンサ／ターゲットＳＴから変位される本発明のある実施形態を示す。露光ステーションＥＳは、投影システムＰＳを有する。露光ステーションＥＳは、基板が露光されて所望のパターンを形成する場所である。測定ステーションＭＳは、基板の特性を測定する１つ又は複数のセンサを有する。測定ステーションＭＳは、露光前の特徴化ステップが実行される場所である。特徴化ステップは、基板Ｗの特性の特徴化を含んでいてもよい。特徴化は、基板Ｗの特性の測定を含んでいてもよい。１つの基板が完全に露光され、別の基板が完全に特徴化されると、露光された基板を搬送する基板テーブルは、測定ステーションへ移動し、特徴化された基板を搬送する基板テーブルは、露光ステーションへ移動する。この手順を「交換」("swap")と呼ぶことができる。

[0070] この実施形態では、望ましくは複数の液体変位デバイス２０ｂは、基板テーブルが測定ステーションから露光ステーションへ、またその逆方向に移動する際に基板テーブルがたどる１つ又は複数の経路に隣接して配置される。基板テーブル同士の衝突を回避するために、２つのステーション間の基板テーブルがたどる経路は固定されている。したがって、１つ又は複数の液体変位デバイス２０ｂを固定位置にセットして交換手順中に基板テーブルの各々の上でセンサ／ターゲットＳＴを洗浄することができる。

[0071] ある実施形態では、液体変位デバイス２１ｂは、液体変位デバイスを基板テーブルＷＴの表面に関して移動できるようにする固定デバイス上に搭載される。ある実施形態では、固定デバイスを用いて液体変位デバイスは、投影システムＰＳに対して移動することができる。図１０では、固定デバイスはレールＳＲである。ある実施形態では、液体変位デバイス２０ｂは、それが設けられたレールに沿って移動することができる。液体変位デバイスは、移動を達成するモータなどのアクチュエータを備えてもよい。ある実施形態では、液体変位デバイスは、起動可能なアームに接続することもできる。

[0072] 図１０から分かるように、複数の液体変位デバイス２０ｂがある。液体変位デバイス２０ｂは、各々レールＳＲ上に搭載されている。液体変位デバイス２０ｂは各々、基板テーブルＷＴａ、ＷＴｂがレールＳＲの下を通過する際にセンサ／ターゲットＳＴが液体変位デバイス２０ｂの下で移動するようなレール上の位置に搭載されている。液体変位デバイスが動作可能な時には、センサ／ターゲットＳＴは、液体変位デバイス２０ｂによって洗浄される。

[0073] 図１０に示す実施形態では、各々が２つのセンサ／ターゲットＳＴを有する２つの基板テーブルＷＴａ、ＷＴｂがある。この場合、各々の基板テーブルＷＴａ、ＷＴｂがレールＳＲの下の専用の経路をたどるにつれて、４つの液体変位デバイスが提供される。例えば、露光ステージ及び測定ステージを有するシステムで異なる数のテーブルを使用する場合、異なる数のセンサのターゲットが存在するか、又は複数のテーブルが露光及び測定ステーションの間の同じ経路を使用し、液体変位デバイス２０ｂの構成は異なる場合がある。例えば、異なる数の液体変位デバイスが必要になる場合がある。複数の測定ステーションを有する装置では、１つ又は複数の液体変位デバイスを露光ステーションと測定ステーションの間の各々の移送経路に隣接する適当な位置に提供してもよい。この実施形態の液体変位デバイス２０ｂは、図６及び図７に示す液体変位デバイス２０のタイプでもよいし、又は図８及び図９に示す液体変位デバイス２０ａのタイプでもよい。

[0074] 本発明のある実施形態を図１１に示す。この実施形態では、液体変位デバイス２０ｃがリソグラフィ装置のロード／アンロードステーションに位置する。ロード／アンロードステーションには、基板を基板テーブルＷＴ上に配置し、基板テーブルＷＴから基板を除去し、又は基板を配置しかつ除去するように構成された起動可能なアームがある。基板テーブルは、起動可能なアームによって基板を基板テーブルＷＴ上に配置するロード位置又は基板を除去するアンロード位置にあってよい。アンロード及びロード位置は、基板テーブルの同じ位置であってもよい。起動可能なアームは、ロードロボットＬＲ、アンロードロボットＵＬＲ、又はその両方であってもよい。基板の露光後、基板を搬送する基板テーブルは、アンロードロボットに隣接するアンロード位置へ移動する。アンロードロボットＵＬＲは、基板テーブルＷＴから露光された基板Ｗを除去することができる。基板テーブルＷＴは、ロードロボットＬＲに隣接するロード位置へ移動することができる。次に、ロードロボットＬＲは、基板テーブルＷＴに新しい露光する基板を配置する。図１１に関して説明した基板交換動作は、液体変位デバイス２０、２０ａ及び２０ｂ並びにその位置が異なる点を除いて、図６〜図１０に示す実施形態の各々のリソグラフィ装置で実行してもよいことに留意されたい。

[0075] ある実施形態では、液体変位デバイス２０ｃは、テーブルが液体変位デバイス２０ｃの下で移動する時に基板テーブルＷＴに搭載されたセンサ／ターゲットＳＴを洗浄するような位置にある。液体変位デバイスは、レールＳＲなどの固定デバイス上にあってもよい。液体変位デバイス２０ｃの機能は、上記の通りである。液体変位デバイス２０ｃがガスフローを供給するように動作している時に、液体変位デバイスは、センサ／ターゲットＳＴを洗浄することができる。ある実施形態では、基板テーブルＷＴ上のセンサ／ターゲットＳＴとアンロード位置からロード位置へ移動する際に基板テーブルＷＴがたどる経路の構成は、望ましくは、単一の液体変位デバイス２０ｃが１つのセンサ／ターゲットＳＴであってもよい基板テーブル上に存在するすべてのセンサ／ターゲットＳＴから液体を除去することができるような構成である。図１１に示すある実施形態では、２つ以上のセンサ／ターゲットＳＴがあってもよい。しかし、基板テーブルＷＴ上のセンサ／ターゲットＳＴの位置又は基板テーブルＷＴの経路では単一の液体変位デバイスによってすべてのセンサ／ターゲットＳＴを洗浄することができない場合、すべてのセンサ／ターゲットＳＴから液体を洗浄することができるように追加の液体変位デバイスを適切な位置に配置してもよい。例えば、ある実施形態では、２つのセンサ／ターゲットＳＴが各基板テーブルの斜めに対向する角に位置し、２つの液体変位デバイスが提供される。リソグラフィ装置が複数のロード／アンロードステーションを有する場合、対応する数の液体変位デバイスを提供することができる。

[0076] この実施形態では、液体変位デバイス２０ｃは、図６〜図１０のいずれかに関して図示し説明した液体変位デバイス２０、２０ａ、２０ｂのタイプであってもよい。

[0077] ある実施形態では、図１２及び図１３に示す本発明の別の実施形態による液体変位デバイス３０が存在する。液体変位デバイス３０は、センサＳＥに隣接していてもよい。センサＳＥは、基板Ｗ又は基板テーブルＷＴの特性を測定するために使用することができる。センサは、基板テーブルＷＴの小さい領域の測定値を得ることで動作する。小さい領域はセンサスポットＳＳである。ある実施形態では、液体変位デバイス３０は、センサスポットＳＳと同様のサイズのガスノズル３１を備える。ガスノズルは、基板テーブルＷＴの表面に対向する。液体変位デバイス３０は、センサ及び／又は基板テーブルが測定のために他方に対して移動する、例えば、スキャンされる時にセンサスポットＳＳの前方に位置するように配置される。測定スキャンが実行されると、液体変位デバイス３０は、センサ／ターゲットＳＴに近づくにつれて起動される。起動後、液体変位デバイスは、ノズル３１から大量及び／又は高速のガスフローを放出する。図１３に示すように、これは、測定値が得られる位置でセンサ／ターゲットＳＴから液体Ｌを変位させる効果がある。液滴がセンサ／ターゲットＳＴを覆うことがある。液滴が除去されるセンサ／ターゲットＳＴの領域が測定される。液体は、その領域から除去することができるか、又は液体は別の領域内に分離でき、測定される領域には液体は残らない。液体が除去される領域は、測定されている領域から広がるセンサ／ターゲットＳＴ又はセンサ／ターゲットＳＴ全体の任意の領域でよい。

[0078] ある実施形態では、ノズル３１は、ガスフローを誘導して液体をセンサ／ターゲットＳＴから取り除く形状をしている。ノズルは、基板テーブルＷＴの表面に対して鋭角を有するガスのフローを誘導でき、ノズルは、基板テーブルに対して鋭角を有していてもよい。ノズル３１は、開口に向かって広がっていてもよい。ノズルには、液体を除去することができる流体抽出開口（図示せず）が関連付けられていてもよい。液体は、２相流体フロー内で抽出してもよい。液滴（図示せず）は、測定する領域から離れて位置していてもよい。

[0079] 残留液体を変位させるのに十分なノズルからのガスフローの量は、いくつかの要因によって変化する。要因は、液体を洗浄する領域のサイズと、変位させる液体の厚さ及び／又は変位させる液滴のサイズを含んでいてもよい。ある実施形態では、ガスフローは、ノズル断面の０．３〜３リットル／分／ｍｍ^２の範囲内でよい。ある実施形態では、ガスは、空気、空気などの清潔で乾燥したガス、人工空気であるガス、及び／又はＮ_２、又は希ガスなどの別の不活性ガスであってもよい。

[0080] ある実施形態では、液体変位デバイスは、非動作時に液体変位デバイスを上昇させ、動作時に液体変位デバイスを下降させるアクチュエータ（図示せず）に接続される。図６及び図７の実施形態のように、このアクチュエータは、例えば、ソレノイド又はモータ及びカム又は空気圧システムであってもよい。ある実施形態では、液体変位デバイス３０は、基板テーブルＷＴに関して垂直に排出可能なように搭載されている。ノズル３１は、動作位置及び収納位置を有していてもよい。動作位置では、ノズル３１は、基板テーブルの近くに位置する。収納位置では、ノズル３１は、基板テーブルＷＴから取り除かれる。液体変位デバイス３０は、例えば、ばねによって基板又は基板テーブルから離れた位置へ付勢する、例えば、弾性的に付勢することができる。アクチュエータは、ガスの供給が開始された時にガスで充填されるベローズ又はピストンであってもよい。ベローズ又はピストンは、ガスで充填されるとノズル３１を動作位置へ付勢するように構成される。

[0081] 液体変位デバイス３０をセンサＳＥに隣接するものとして説明してきたが、液体変位デバイス３０は、センサＳＥがセンサ／ターゲットＳＴに隣接する前にセンサ／ターゲットＳＴをスキャンする位置にあってもよい。センサ／ターゲットＳＴは、最初に液体変位デバイス３０の下を通過し、次に、センサＳＥの下を通過する経路を有していてもよい。センサＳＥは、センサ／ターゲットＳＴと共に動作して基板テーブル及び／又は基板の特性の測定値を得る任意のタイプのセンサであってもよい。そのような特性は、基準面に対する基板表面の点又は領域の高さ、基板の一部又は全体の表面の輪郭、及び／又は基板上のセンサ又は基準に対する基板上のマーカーの位置を含む。

[0082] ある実施形態では、センサＳＥは、ガス（例えば、エア）ゲージである。ガスゲージとして、センサＳＥは、空気などのガスのフローを用いて基板Ｗの高さを測定できる。ある実施形態では、ガスゲージセンサＳＥ及び液体変位デバイス３０は、単一のデバイス内に結合していてもよい。このような結合デバイスにはコントローラがある。コントローラは、ガス供給源又はガスポンプに接続されている。コントローラは、高速のガスをノズルを介して送出して、測定の前にターゲットから液体を変位させるように構成されている。コントローラは、液体を変位させる動作と高さを測定する動作との間に遅延を発生させてガスフローを安定化させることができる。ある実施形態では、測定を実行するごとに事前に液体除去動作が実行される。ある実施形態では、センサ又はターゲット上で液体が検出されると、例えば、測定結果が誤っていたり有効範囲外の場合、液体除去動作が実行される。ノズルからのガスフローは、液体除去及び測定での必要に応じてオン又はオフでき、又は流量を必要に応じて変更して連続的であってもよい。

[0083] 上記の実施形態のいずれにおいても、液体変位デバイス２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃの代わりに図１２及び図１３の液体変位デバイス３０を使用してもよい。

[0084] ある実施形態では、リソグラフィ装置の各テーブル（例えば、基板を支持する基板テーブル及びリソグラフィ装置及び／又は基板のコンポーネントのパラメータを測定する測定テーブルＭＴ）は、テーブルを少なくとも２つの方向、例えば、Ｘ及びＹ方向に変位させるポジショナを有する。これらの方向は、基板テーブル上に保持された基板の面に平行であってもよい。液体変位デバイス２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、３０は、垂直方向、例えば、Ｚ方向に起動することができる。ある実施形態では、液体変位デバイスを固定することができ、テーブルを３つの直交する方向又はそれ以上の方向にポジショナによって変位させることができる。ある実施形態では、リソグラフィ装置の１つ又は複数のテーブルが固定されているか変位可能であるかにかかわらず、液体変位デバイスを２つ以上の方向にポジショナによって変位させることができる。

[0085] 基板テーブルなどの、液滴が存在する表面から液滴をできるだけ早く除去することが望ましい。液滴が表面に残っている時間が長いほど、表面にかかる熱負荷は大きい。したがって、表面に液滴が形成された直後に液体変位デバイスを動作させることが望ましい。液体変位デバイスは、望ましくは液滴源の近くに位置する。例えば、液体変位デバイス２０、２０ａ、３０は、液体閉じ込め構造１２の近くにあってもよいし、又はその一部であってもよい。そのような液体変位デバイス２０、２０ａ、３０は、液滴が形成された直後に液滴を変位させることができる。基板交換の前後に動作する液体変位デバイス２０ｂは、例えば、約３秒の遅延を受ける。基板のロード及び／又はアンロード中に動作する液体変位デバイス２０ｃは、液滴の形成後により長い時間、例えば、液滴の形成後に約５〜６秒動作することができる。測定中に液滴を除去する液体変位デバイス３０は、比較的低速のシステムであってもよいが、望ましくは液滴を除去する。

[0086] 図１４は、以下の点を除き、上記実施形態のいずれにも記載されている構成の液体変位デバイス４０を示す。ある実施形態では、基板テーブルＷＴと液体変位デバイス４０との相対的な運動に垂直な液体変位デバイスの寸法、例えば、液体変位デバイスの長さは、少なくとも基板テーブルＷＴの幅、例えば、基板テーブルＷＴの縁部４５の長さである。基板テーブルが液体変位デバイス４０の下で移動するにつれて、矢印４４で示すように、例えば液滴の形態の液体が１回で基板テーブルの隅々から除去される。

[0087] 基板テーブルは、露光位置から基板が交換される位置まで移動する際に乾燥させてもよい。ある実施形態では、液体変位デバイスは、露光された基板Ｗが除去された後、及び基板テーブルＷＴ上に別の基板が配置される前に動作する。ある実施形態では、液体変位デバイスは、基板交換の前の基板Ｗがまだ基板テーブル上にある間に動作する。次に、基板テーブル上の基板の露光された表面は乾かされ、基板テーブルＷＴから除去される。これは、除去後の基板の乾燥を回避するので望ましい。同時に基板テーブルの表面と基板テーブル上にあるセンサＳＴ又はターゲットＳＴが乾かされる。基板Ｗの下での基板テーブルの表面の乾燥は、そこに液体が存在しないため不要であるため、除去前の基板Ｗの乾燥は役に立つ。しかし、濡れた基板を除去することで、基板テーブルの以前に覆われていた表面の液体が流れる場合があり、これは望ましくない。

[0088] ある実施形態では、液体除去デバイスの寸法は、基板テーブルの幅の少なくとも数分の１、例えば、点線４２で示すように、辺４５の長さの半分である。すなわち、前節で説明した長さの半分の液体除去デバイスであることを示している。液体除去デバイスの長さは矢印４３で示されている。そのような液体除去デバイス４０は、図１５の矢印４６、４８で示すように、基板テーブルの表面に対して２回スキャンができる。基板テーブルの表面全体が制限された寸法の液体除去デバイス４０を用いて液体除去デバイスによって乾かすことができる。液体除去デバイス４０は、基板テーブルの幅の異なる、例えば、より小さい分数、例えば、３分の１、４分の１、５分の１又は基板テーブルの表面の限られた回数のスキャンを可能にする任意の分数であってもよい。少ない回数のスキャンは、スループットが改善されるため望ましい。ある実施形態では、液体変位デバイス４０の長さが基板テーブル全体をスキャンするのに使用されるスキャン回数に対応する基板テーブルの縁部の長さの数分の１より少し長い（例えば、２回のスキャンの場合には、１／２より少し長く、３回のスキャンの場合には、１／３より少し長く、など）ことが望ましい。これは、スキャンの幅が重なって実質的に基板テーブルの表面全体が確実に乾かされるようにすることが望ましいからである。

[0089] 図１５は、基板テーブルＷＴの上のスキャン時の液体除去デバイス４０を示す。実線の矢印は、完了したスキャン経路４６である。点線の矢印は、基板テーブルの表面に対する液体除去デバイス４０のスキャン経路４８の残りを表す。基板テーブルは、ターゲットＳＴ又はセンサＳＴをフィーチャとする。基板テーブルは、基板テーブルＷＴの１つ又は複数の縁部４５の全長に沿って延在するセンサ及び／又はターゲットＳＴ’、ＳＴ”を有する。図１５で、１つのセンサターゲットＳＴ’は、液体除去デバイス４０のスキャン経路４６，４８に垂直の基板テーブルＷＴの縁部に沿っている。１つのセンサターゲットＳＴ’は、スキャン経路４６、４８に平行の基板テーブルＷＴの縁部に沿っている。センサ及び／又はターゲットＳＴ’、ＳＴ”は、例えば、投影システムに対する基板テーブルの位置を測定する際に使用することができるエンコーダ格子であってもよい。

[0090] 基板テーブルＷＴ（液体除去デバイスの長さ方向に垂直の）の全長４５に沿ってスキャンを実行する液体除去デバイス４０を有することは、センサ及び／又はターゲットＳＴ”の全長を１回のスキャン運動で乾かすことができるため望ましい。しかし、基板テーブルＷＴの縁部の長さの数分の１である長さを有する液体除去デバイスの場合、スキャン経路は、以前にスキャンした表面４９に重なっていてもよい。液体除去デバイスの重なったスキャン経路は、液滴とそれに関連付けられた問題にとってリスクになる可能性がある。この理由から、できる限り長い液体除去デバイスを有し、できる限り回数の少ないスキャン運動を有することが望ましい。

[0091] ある実施形態では、考慮される寸法は、単なる液体除去デバイス４０の長さではなく、スキャン又はステップ方向の液体除去デバイス４０の長さである。スキャン方向、ステップ方向又は両方の方向は、基板テーブルＷＴの縁部４５に平行であってもよい。このような構成では、液体除去デバイス４０の考慮される寸法は、基板テーブルと液体除去デバイス４０の相対運動に垂直であってもよい。液体除去デバイス４０の長さは、基板テーブルの平面内でスキャン又はステップ方向に対して角度があってもよい。

[0092] 上記構成の各実施形態は、基板テーブルＷＴ上に基板Ｗがある状態で、又は基板テーブルＷＴ上に基板Ｗがない状態で動作できる。

[0093] 上記の任意のフィーチャを任意の他のフィーチャと併用することができ、本出願で対象とされるのは、明示的な組合せに限定されないことを理解されたい。

[0094] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。当業者であれば、こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことを理解することができるだろう。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0095] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか１つ、又はその組合せを指すことができる。

[0096] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に格納したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。

[0097] １つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを格納するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り可能命令に従って動作することができる。

[0098] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が浴槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、これに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができないか、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。

[0099] 本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組み合わせを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、又は空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは、任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。

[00100] ある実施形態では、テーブルと、液体ハンドリング構造と、液体変位デバイスとを備えるリソグラフィ装置が提供される。テーブルは、基板、センサ、又は基板とセンサの両方を支持するように構成される。テーブルは、表面とセンサ、表面上のセンサのターゲット、又はセンサとターゲットの両方を有する。液体ハンドリング構造は、液体を基板及び／又はテーブルに隣接する空間に供給する。液体変位デバイスは、ガス出口を備える。ガス出口は、センサ及び／又はターゲットから液体を変位させるように局所化されたガスフローをセンサ及び／又はターゲットの方へ誘導するように構成される。

[00101] リソグラフィ装置は、アライメントセンサを備えてもよい。ターゲットは、アライメントセンサによって検出可能なマークを含んでいてもよい。

[00102] リソグラフィ装置は、高さセンサを備えていてもよい。ターゲットは、高さセンサの基準面を含んでいてもよい。高さセンサは、ガスゲージであってもよい。

[00103] ターゲットは、テーブルの表面に搭載された格子を含んでいてもよい。装置は、格子と協働してテーブルの変位を測定するように構成されたエンコーダを備えてもよい。

[00104] リソグラフィ装置は、ポジショナを備えてもよい。ポジショナは、液体変位デバイスに対してテーブルを変位させるように配置することもできる。ポジショナは、液体変位デバイスより先のテーブルの表面部分をスキャンするように配置することもできる。

[00105] ある実施形態では、ガスフローはガスナイフである。液体変位デバイスは、開口を備えてもよい。開口は、液体を除去するように構成することもできる。開口は、加圧源に接続することもできる。

[00106] リソグラフィ装置は、測定ステーションと、露光ステーションと、テーブル移送デバイスとを備えてもよい。測定ステーションは、テーブルの特性を測定するように構成されたセンサを有していてもよい。露光ステーションは、テーブルによって支持された基板上に画像を投影するように構成された投影システムを有していてもよい。テーブル移送デバイスは、移送経路に沿って測定ステーションと露光ステーションの間でテーブルを移送するように構成することもできる。移送経路に隣接して液体変位デバイスを配置することができる。移送経路に隣接しないように液体変位デバイスを配置することができる。

[00107] リソグラフィ装置は、測定ステーションを備えてもよい。測定ステーションは、テーブルの特性を測定するように構成されたセンサを有していてもよい。液体変位デバイスは、測定ステーション内に位置していてもよい。

[00108] リソグラフィ装置は、ローディングデバイスを備えてもよい。ローディングデバイスは、テーブル上に基板をロードするように構成することもできる。液体変位デバイスは、ローディングデバイスに隣接して位置していてもよい。

[00109] 液体変位デバイスは、液体ハンドリング構造に搭載することもできる。面の平面に平行な方向のガスフローの最大寸法は、この方向のセンサ及び／又はターゲットの最大寸法の１１５％以下、望ましくは１１０％以下であってもよい。ある実施形態では、液体ハンドリング構造はガスナイフを備えていない。

[00110] リソグラフィ装置は、アクチュエータを備えてもよい。アクチュエータは、表面の面に垂直な方向に液体変位デバイスを変位させることができる。ターゲット及び／又はセンサは互いに離間した複数のターゲット及び／又はセンサを備えてもよい。装置は、各々が１つ又は複数のターゲット及び／又はセンサに関連付けられた複数の液体変位デバイスを備えてもよい。

[00111] ある実施形態では、投影することと、アンロードすることと、ロードすることと、測定することと、変位させることとを含むデバイス製造方法が提供される。投影では、ターゲット、センサ、又はターゲットとセンサの両方を有する基板テーブルによって保持された第１の基板上に液浸液を通してパターンの画像が投影される。アンロードでは、基板テーブルから第１の基板がアンロードされる。ロードでは、基板テーブル上に第２の基板がロードされる。測定では、第２の基板が基板テーブルによって保持されている間に、ターゲットの特性又はセンサの使用が測定される。変位では、局所化されたガスフローを用いてターゲット及び／又はセンサから液体が変位される。

[00112] 変位は、投影の後、及びアンロードの前に実行してもよい。この方法は、投影の後、及びアンロードの前に露光ステーションからロードステーションまで基板テーブルを移送することを含んでいてもよい。変位は、移送と並行して実行してもよい。

[00113] この方法は、投影の後、及びアンロードの前に露光ステーションからロードステーションまで基板テーブルを移送することを含んでいてもよい。変位は、移送の前に実行してもよい。

[00114] 変位は、アンロードの後、及びロードの前に実行してもよい。変位は、アンロードと並行して実行してもよい。変位は、ロードと並行して実行してもよい。変位は、ロードの後、及びアンロードの前に実行してもよい。

[00115] この方法は、測定が正確に実行されたか否かを検出することと、測定が正確に実行されなかった場合に変位と測定を繰り返すこととを含んでいてもよい。ターゲットの特性の測定は、センサに対するターゲットの位置を測定することを含んでいてもよい。

[00116] ある実施形態では、投影することと、移動させることと、アンロードすることと、測定することと、変位させることとを含むデバイス製造方法が提供される。投影では、基板テーブルによって保持された第１の基板上に、液体閉じ込め構造によって投影システムと基板との間に閉じ込められた液浸液を通してパターンの画像が投影される。移動では、ターゲット、センサ、又はターゲットとセンサの両方を有する測定テーブルまで液体閉じ込め構造が移動し、又は液体閉じ込め構造まで測定テーブルが移動する。アンロードでは、基板テーブルから第１の基板がアンロードされる。ロードでは、基板テーブル上に第２の基板がロードされる。測定では、ターゲットの特性又はセンサの使用が測定される。変位では、局所化されたガスフローを用いてターゲット及び／又はセンサから液体が変位される。

[00117] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (15)

1. 基板、センサ、又は該基板と該センサの両方を支持するテーブルであって、表面及びセンサ、該表面上のセンサのターゲット、又は該センサと該ターゲットの両方を有するテーブルと、
   液体を前記基板及び／又はテーブルに隣接する空間に供給する液体ハンドリング構造と、
   前記センサ及び／又はターゲットから液体を変位させるように、局所化されたガスフローを前記センサ及び／又はターゲットの方へ誘導するガス出口を備える液体変位デバイスと、
   を備えるリソグラフィ装置。
2. アライメントセンサをさらに備え、前記ターゲットが該アライメントセンサによって検出可能なマークを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 高さセンサをさらに備え、前記ターゲットが該高さセンサの基準面を含む、請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記高さセンサがガスゲージである、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記ターゲットが、前記テーブルの表面に設けられた格子を含み、前記装置が、該格子と協働して前記テーブルの変位を測定するエンコーダをさらに備える、前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記液体変位デバイスに対して前記テーブルを変位させるポジショナをさらに備える、前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記ガスフローがガスナイフである、前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記液体変位デバイスが、液体を除去する開口をさらに備え、該開口が任意選択で加圧源に接続される、前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記テーブルの特性を測定するセンサを有する測定ステーションと、
   前記テーブルによって支持された基板上に画像を投影する投影システムを有する露光ステーションと、
   移送経路に沿って前記測定ステーションと露光ステーションの間で前記テーブルを移送するテーブル移送デバイスと、
   をさらに備え、
   前記液体変位デバイスが前記移送経路に隣接して位置する、前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記テーブルの特性を測定するセンサを有する測定ステーションをさらに備え、前記液体変位デバイスが該測定ステーション内に位置する、前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記テーブル上に基板をロードするローディングデバイスをさらに備え、前記液体変位デバイスが該ローディングデバイスに隣接して位置する、前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
12. ターゲット、センサ、又は該ターゲットと該センサの両方を有する基板テーブルによって保持された第１の基板上に液浸液を通してパターンの画像を投影すること、
    前記基板テーブルから前記第１の基板をアンロードすること、
    前記基板テーブル上に第２の基板をロードすること、
    前記第２の基板が、前記基板テーブルによって保持されている間に前記ターゲットの特性又は前記センサの使用を測定すること、
    局所化されたガスフローを用いて前記ターゲット及び／又は前記センサから液体を変位させること、
    を含むデバイス製造方法。
13. 前記変位が、
    前記アンロードの後及び前記ロードの前、
    前記アンロードと並行、
    前記ロードと並行、
    前記ロードの後及び前記アンロードの前、
    前記投影の後及び前記アンロードの前、
    の各時点の１つ以上で実行される、請求項１２に記載の方法。
14. 前記変位が、前記投影の後及び前記アンロードの後に実行され、前記方法が、前記投影の後及びアンロードの前に露光ステーションからロードステーションまで前記基板テーブルを移送するステップをさらに含み、前記変位が前記移送と並行して、又は前記移送の前に、あるいはその両方で実行される、請求項１３に記載の方法。
15. 基板テーブルによって保持された第１の基板上に、液体閉じ込め構造によって投影システムと前記基板との間に閉じ込められた液浸液を通して、パターンの画像を投影すること、
    ターゲット、センサ、又は該ターゲットと該センサの両方を有する測定テーブルまで前記液体閉じ込め構造を移動させるか、又は前記液体閉じ込め構造まで前記測定テーブルを移動させること、
    前記基板テーブルから前記第１の基板をアンロードすること、
    前記基板テーブル上に第２の基板をロードすること、
    前記ターゲットの特性又は前記センサの使用を測定すること、
    局所化されたガスフローを用いて前記ターゲット及び／又はセンサから液体を変位させること、
    を含むデバイス製造方法。