JP2010157671A - 基板処理装置、現像装置、並びに露光方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】遮光部の面積が光透過部の面積よりも大きいパターンを露光するような場合に、感光材料の現像後に得られるパターンの精度を向上する。
【解決手段】フォトレジストが塗布され、マスクMのパターンを介して露光されるウエハWを処理する処理装置32であって、ウエハWを保持して移動するウエハステージWSTと、ウエハステージWSTで保持されたウエハWのフォトレジストの現像液に対する撥液性を低下させるために、ウエハWの全面を露光用の照明光ILで照明する調整用露光光学系33とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】フォトレジストが塗布され、マスクMのパターンを介して露光されるウエハWを処理する処理装置32であって、ウエハWを保持して移動するウエハステージWSTと、ウエハステージWSTで保持されたウエハWのフォトレジストの現像液に対する撥液性を低下させるために、ウエハWの全面を露光用の照明光ILで照明する調整用露光光学系33とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、感光材料が塗布された基板を処理する基板処理技術及び現像技術、その基板処理技術を用いる露光技術、並びにこの露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。
半導体素子等のデバイス(電子デバイス)を製造するためのリソグラフィ工程で、マスクパターンをフォトレジストが塗布されたウエハ等の基板上に転写する際に使用される露光装置においては、解像度及び焦点深度をさらに向上するために、投影光学系の先端の光学素子と基板との間に露光光を透過する液体を供給する液浸法を用いた露光方法が開発されている。この液浸法を用いる場合に、基板上のフォトレジストを保護するために、液浸法で露光する際に供給される液体に対しては撥液性で、現像液に対しては親和性のあるトップコートが設けられることがある(例えば、特許文献1参照)。
国際公開第2006/118258号パンフレット
最近は、デバイスの製造コストを低減するために、液浸法で露光を行う際に撥液性のフォトレジストを用いて、その上のトップコートを省略することが求められている。しかしながら、単にトップコートを省略した場合、例えばコンタクトホールのパターンのように遮光部の面積が光透過部の面積に比べてかなり大きいマスクパターンの露光を行うと、フォトレジストの未露光部(遮光部に対応する部分)が現像液に対して撥液性を持つために、露光後のフォトレジスト上に現像液が均一に広がりにくくなって、所望の現像特性が得られなくなる恐れがある。
本発明はこのような事情に鑑み、遮光部の面積が光透過部の面積に比べて大きいパターンを露光するような場合に、感光材料の現像後に得られるパターンの精度を向上できる基板処理技術及び現像技術、その基板処理技術を用いる露光技術、並びにこの露光技術を用いるデバイス製造技術を提供することを目的とする。
本発明による基板処理装置は、感光材料が塗布され、パターンを介して露光される基板を処理する装置であって、その基板を保持する保持機構と、その保持機構で保持されたその基板に塗布されたその感光材料の現像液に対する撥液性を低下させる改質装置と、を備えるものである。
また、本発明による基板処理方法は、感光材料が塗布され、パターンを介して露光される基板を処理する方法であって、その基板を保持し、その基板に塗布されたその感光材料の現像液に対する撥液性を低下させるようにその感光材料を改質するものである。
また、本発明による基板処理方法は、感光材料が塗布され、パターンを介して露光される基板を処理する方法であって、その基板を保持し、その基板に塗布されたその感光材料の現像液に対する撥液性を低下させるようにその感光材料を改質するものである。
また、本発明による現像装置は、基板上に塗布されてパターンを介して露光された感光材料を現像する現像装置において、その感光材料を現像する前に、その感光材料の現像液に対する撥液性を低下させるために、本発明の基板処理装置を備えるものである。
また、本発明による露光装置は、パターンを感光材料が塗布された基板上に形成する露光装置において、露光光でパターンを介してその基板を露光する照明系と、その基板のその感光材料の現像液に対する撥液性を低下させるための、本発明の基板処理装置と、を備えるものである。
また、本発明による露光装置は、パターンを感光材料が塗布された基板上に形成する露光装置において、露光光でパターンを介してその基板を露光する照明系と、その基板のその感光材料の現像液に対する撥液性を低下させるための、本発明の基板処理装置と、を備えるものである。
また、本発明による露光方法は、パターンを感光材料が塗布された基板上に形成する露光方法において、露光光でパターンを介してその基板を露光し、その基板のその感光材料の現像液に対する撥液性を低下させるために、本発明の基板処理方法を用いるものである。
また、本発明によるデバイス製造方法は、本発明の露光方法又は露光装置を用いて、感光材料が塗布された基板を露光することと、その基板のその感光材料を現像することと、を含むものである。
また、本発明によるデバイス製造方法は、本発明の露光方法又は露光装置を用いて、感光材料が塗布された基板を露光することと、その基板のその感光材料を現像することと、を含むものである。
本発明によれば、基板に塗布された感光材料の現像液に対する撥液性を低下させることができる。従って、遮光部の面積が光透過部の面積に比べて大きいパターンを露光するような場合に、感光材料の遮光部に対応する部分の撥液性が低下して、感光材料のほぼ全面に現像液がより均一に広がるため、感光材料の現像後に得られるパターンの精度を向上できる。
以下、本発明の実施形態の一例につき図1〜図4を参照して説明する。
図1は本実施形態の露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、露光光ELを供給する露光光源4と、転写用のパターンが形成されたマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、マスクMを支持するマスクステージMSTと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像をウエハW上の投影領域AR1に投影する投影光学系PLとを備えている。さらに、露光装置EXは、ウエハWを支持するウエハステージWSTと、露光装置EX全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる制御装置CONTと、液浸法の適用のためにウエハW上に液体Lqを供給する液体供給機構10と、ウエハW上に供給された液体Lqを回収する液体回収機構20と、ウエハの全面を所定露光量で露光する処理装置32とを備えている。
図1は本実施形態の露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、露光光ELを供給する露光光源4と、転写用のパターンが形成されたマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、マスクMを支持するマスクステージMSTと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像をウエハW上の投影領域AR1に投影する投影光学系PLとを備えている。さらに、露光装置EXは、ウエハWを支持するウエハステージWSTと、露光装置EX全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる制御装置CONTと、液浸法の適用のためにウエハW上に液体Lqを供給する液体供給機構10と、ウエハW上に供給された液体Lqを回収する液体回収機構20と、ウエハの全面を所定露光量で露光する処理装置32とを備えている。
露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像をウエハW上に転写している間、液体供給機構10から供給した露光光ELを透過する液体Lq(例えば純水)により、投影光学系PLの像面側終端部の光学素子(本実施形態では底面がほぼ平坦な平凸レンズ)2と、その像面側に配置されたウエハWの表面との間の局所的な空間を満たす。液体Lqは、ウエハW上の投影領域AR1を含む液浸領域AR2に供給されて回収される。
また、本実施形態では、露光装置EXとして、マスクMとウエハWとを所定の走査方向に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンをウエハWに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパー)を使用する場合を例にして説明する。以下、投影光学系PLの光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内でマスクMとウエハWとの同期移動方向(走査方向)に沿ってX軸を、その走査方向に垂直な方向(非走査方向)に沿ってY軸を取って説明する。本実施形態では、XY平面は水平面にほぼ平行である。また、X軸、Y軸、及びZ軸周りの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θx、θy、及びθz方向とする。
また、本実施形態の基板としてのウエハWは、図3(B)の部分拡大断面図で示すように、例えば直径が200mmから450mm程度の円板状のシリコン半導体等の基材36上に、ポジ型のフォトレジストPR(感光材料)を所定の厚さ(例えば200nm程度)で塗布したものである。フォトレジストPRは、一例として液体Lqに対して撥液性を持ち、フォトレジストPR上にトップコートは設けられていない。なお、フォトレジストPRは化学増幅型レジストでもよく、フォトレジストPR上に反射防止膜が形成されていてもよい。また、基材36の上面にはそれまでのデバイス製造工程において、回路パターン及び/又は酸化膜等が形成されている。また、マスクMは、ウエハW上の各ショット領域に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。
図1において、露光光源4としては、ArFエキシマレーザ光源(波長193nm)が用いられている。その他に露光光源として、紫外域の輝線を発生する水銀ランプ、KrFエキシマレーザ光源(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)を発生するレーザ光源、又は固体レーザ(半導体レーザ等)の高調波等の真空紫外光(VUV光)を発生する光源などが用いられる。
照明光学系ILは、露光光源4から射出される露光光ELの照度を均一化するためのオプティカルインテグレータ、このオプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ELによるマスクM上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。
また、マスクステージMSTは、マスクMを吸着保持して、不図示のマスクベース上のXY平面内で2次元移動可能及びθz方向に微小回転可能である。マスクステージMSTは、リニアモータ等のマスクステージ駆動装置MSTDにより駆動される。マスクステージMST上の移動鏡55Aに対向して配置されたレーザ干渉計56Aは、実際には3軸以上の計測ビームを有し、レーザ干渉計56AによりマスクステージMST(マスクM)の少なくともX方向、Y方向の位置及びθz方向の回転角が計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTはその計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動することでマスクステージMST(マスクM)の移動又は位置決めを行う。
投影光学系PLは、マスクMのパターンを所定の投影倍率β(βは例えば1/4,1/5等の縮小倍率)でウエハW上に投影露光するものであって、ウエハW側(像面側)の終端部に設けられた光学素子2を含む複数の光学素子から構成されている。なお、投影光学系PLは縮小系のみならず、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLの先端部の光学素子2には液浸領域AR2の液体Lqが接触する。
また、ウエハステージWSTの上部にはウエハテーブルWTが固定され、ウエハテーブルWTの上部に、ウエハWを例えば真空吸着で保持するウエハホルダWHが固定されている。ウエハステージWSTは、ウエハテーブルWT(ウエハW)のZ方向の位置(フォーカス位置)及びθx,θy方向の傾斜角を制御するZステージ部と、このZステージ部を支持して移動するXYステージ部とを備え、このXYステージ部がベース54上のXY平面に平行な面上にX方向、Y方向に移動できるようにエアベリング(気体軸受け)を介して載置されている。ウエハステージWST(Zステージ部及びXYステージ部)はリニアモータ等のウエハステージ駆動装置WSTDにより駆動される。
ウエハステージWST上のウエハテーブルWTの側面の反射面(又は移動鏡)に対向する位置にはレーザ干渉計56Bが設けられている。レーザ干渉計56Bも複数軸の計測ビームを有し、レーザ干渉計56Bは、ウエハテーブルWT(ウエハW)の少なくともX方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角を計測し、計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTはその計測結果、及びウエハW表面のZ方向の位置を計測するオートフォーカスセンサ(不図示)の計測結果に基づいてウエハステージ駆動装置WSTDを駆動することで、ウエハステージWSTに支持されているウエハテーブルWT(ウエハW)の移動又は位置決めを行う。
また、マスクステージMSTの上方にマスクMのアライメントマークの位置を計測するマスクアライメント系90が配置され、投影光学系PLの側面にウエハWのアライメントマークの位置を計測するアライメント系91が配置され、これらのアライメント系90,91によってマスクM及びウエハWのアライメントが行われる。また、ウエハステージWST上には、ベースライン(マスクMのパターンの像とアライメント系91の検出中心との位置関係)を計測するための基準マーク部材(不図示)等が設けられている。なお、ウエハステージWSTとは別に、投影光学系PLの結像特性を計測するための計測装置等を搭載した計測ステージを配置してもよい。
また、図1のウエハテーブルWT上にウエハホルダWH上のウエハWを囲むように、環状で平面の撥液性のプレート部97が設けられている。プレート部97の上面は、ウエハホルダWHに保持されたウエハWの表面とほぼ同じ高さの平坦面である。ウエハWのエッジとプレート部97との間には0.1〜1mm程度の隙間があるが、ウエハWに塗布されているフォトレジストは撥液性であり、液体Lqには表面張力があるため、その隙間に液体Lqが流れ込むことはほとんどなく、ウエハWの周縁近傍を露光する場合にも、プレート部97と投影光学系PLとの間に液体Lqを保持することができる。
次に、図1の液体供給機構10及び液体回収機構20を含む局所液浸機構の構成につき説明する。液体供給機構10は、液体Lqを送出可能な液体供給部11と、液体供給部11にその一端部を接続する供給管12とを備えている。また、液体回収機構20は、液体Lqを回収可能な液体回収部21と、液体回収部21にその一端部が接続された回収管22とを備えている。そして、投影光学系PLの終端部の光学素子2の近傍にはノズル部材(流路形成部材)30が配置されている。ノズル部材30は、ウエハW(ウエハステージWST)の上方において光学素子2の先端部の周りを囲むように設けられた環状部材である。ノズル部材30は液体供給機構10及び液体回収機構20の一部を構成している。
投影光学系PLの投影領域AR1がウエハW上にある状態で、ノズル部材30は、一例として光学素子2の側面に対向するように配置された供給口13及び14と、内部の供給流路82A,82Bとを備えている。供給流路82Aの一端部は供給口13に接続し、その供給流路82Aの途中に供給流路82Bを介して供給口14が接続され、供給流路82Aの他端部は供給管12を介して液体供給部11に接続している。更に、ノズル部材30は、ウエハWの表面に対向するように配置された矩形又は円形の枠状の回収口24を備え、回収口24を覆うように網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタ25が嵌め込まれている。回収口24は、ノズル部材30内の回収流路84及び回収管22を介して液体回収部21に接続されている。回収口24で囲まれた領域が、ほぼ液体Lqが供給される液浸領域AR2である。
液体供給機構10及び液体回収機構20を含む局所液浸機構の詳細な構成は例えば国際公開第2004/019128号パンフレット等で開示されている。なお、局所液浸機構のノズル部材30としては、例えば国際公開第99/49504号パンフレット、又は国際公開第2005/122218号パンフレットに開示されているような他の種々の構成の部材が使用可能である。
図1において、液体供給部11及び液体回収部21の動作は制御装置CONTにより制御される。制御装置CONTは、液体供給部11によるウエハW上に対する単位時間当たりの液体供給量を制御可能であり、液体回収部21による単位時間当たりの液体回収量を制御可能である。液体供給部11から送出された液体Lqは、供給管12及びノズル部材30の供給流路82A,82B及び供給口13,14を介してウエハW上の液浸領域AR2に供給される。そして、液浸領域AR2の液体Lqは、ノズル部材30の回収口24からメッシュフィルタ25を介して回収された後、ノズル部材30の回収流路84及び回収管22を介して液体回収部21に回収される。
そして、露光装置EXによるウエハWの露光時には、投影光学系PLによる投影領域AR1にマスクMの一部のパターンの像が投影光学系PLを介して投影され、投影光学系PLに対して、マスクステージMSTを介してマスクMがX方向に速度Vで移動するのに同期して、ウエハステージWSTを介してウエハWがX方向に速度β・V(βは投影倍率)で移動する。そして、ウエハW上の1つのショット領域への露光終了後に、ウエハステージWSTのステップ移動によってウエハW上の次のショット領域が走査開始位置に移動する。このようにして、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハW上の全部のショット領域に対してマスクMのパターン像が露光される。
この露光処理を行うに際し、制御装置CONTは液体供給機構10を駆動し、ウエハW上に対する液体供給動作を開始する。液体供給機構10の液体供給部11から送出された液体Lqは、供給管12を流通した後、ノズル部材30内の供給流路82A,82B及び供給口13,14を介してウエハW上に供給される。ウエハW上に供給された液体Lqは、ウエハWの動きに合わせて投影光学系PLの下を流れる。例えば、あるショット領域の露光中にウエハWが+X方向に移動しているときには、液体LqはウエハWと同じ方向である+X方向に、ほぼウエハWと同じ速度で、投影光学系PLの下を流れる。この状態で、照明光学系ILより射出されマスクMを通過した露光光ELが投影光学系PLの像面側に照射され、マスクMのパターンの像が投影光学系PL及び液浸領域AR2の液体Lqを介してウエハWに露光される。
制御装置CONTは、露光光ELが投影光学系PLの像面側に照射されているときに、すなわちウエハWの露光動作中に、液体供給機構10によるウエハW上への液体Lqの供給を行う。一方、制御装置CONTは、一例として、露光光ELが投影光学系PLの像面側に照射されているときに、すなわちウエハWの露光動作中に、液体回収機構20によるウエハW上の液体Lqの回収を行わない。制御装置CONTは、一例として、ウエハW上のある1つのショット領域の露光完了後であって、次のショット領域の露光開始までの一部の期間(ウエハWのステップ移動期間の少なくとも一部)において、液体回収部21によりウエハW上の液体Lqの回収を行う。
さて、本実施形態におけるマスクMのパターンは、デバイスのコンタクトホールが形成されるレイヤのパターンであるとする。即ち、マスクMのパターン領域の一部には、図3(A)の拡大図で示すように、遮光膜を背景としてそれぞれ矩形の小さい開口パターンよりなる複数のコンタクトホールパターン35A,35B,35CがY方向に一列に形成されており、遮光部の面積が光透過部であるコンタクトホールパターン35A,35B,35Cの面積に比べてかなり大きい(数倍以上)ものとする。この場合、単にウエハWを露光しただけでは、マスクMのパターン領域中の遮光部に対応する(共役な)ウエハWのフォトレジストの領域(未露光部)において、露光後に現像液に対する撥液性が残ってしまう。そこで、本実施形態の露光装置EXは、ウエハWのフォトレジストの現像液に対する撥液性を低下させるために、ウエハWの全面を所定露光量で露光するウエハの処理装置32を備えている。
その所定露光量とは、フォトレジストが感光されない範囲で、かつ現像液に対する撥液性が低下する程度のフォトレジスト表面の改質が行われる露光量である。その所定露光量とは、一例としてフォトレジストの適正露光量(ドーズ)の数%程度である。
図1において、ウエハの処理装置32は、露光光源4から照明光学系ILに向かう露光光ELの光路を開閉する可動ミラー6と、可動ミラー6で2点鎖線A1の光路で示すように折り曲げられた露光光ELをウエハWの全面を覆う大きさの光束に広げて、投影光学系PLの−X方向の側面方向の領域に照射する調整用露光光学系33と、ウエハWを保持して移動するウエハステージWSTとを備えている。一例として、調整用露光光学系33は、1対のレンズ33A及び33Bから構成されているが、その構成は任意である。また、調整用露光光学系33による露光光ELの照射領域は、一例としてウエハステージWSTがアンローディング位置にあるときのウエハWの全面を含んでいる。この場合、ウエハステージWSTは、ウエハWをその調整用露光光学系33による照射領域に移動するために使用される。また、処理装置32の制御装置は、制御装置CONTが兼用しており、可動ミラー6の開閉動作は制御装置CONTによって制御される。
図1において、ウエハの処理装置32は、露光光源4から照明光学系ILに向かう露光光ELの光路を開閉する可動ミラー6と、可動ミラー6で2点鎖線A1の光路で示すように折り曲げられた露光光ELをウエハWの全面を覆う大きさの光束に広げて、投影光学系PLの−X方向の側面方向の領域に照射する調整用露光光学系33と、ウエハWを保持して移動するウエハステージWSTとを備えている。一例として、調整用露光光学系33は、1対のレンズ33A及び33Bから構成されているが、その構成は任意である。また、調整用露光光学系33による露光光ELの照射領域は、一例としてウエハステージWSTがアンローディング位置にあるときのウエハWの全面を含んでいる。この場合、ウエハステージWSTは、ウエハWをその調整用露光光学系33による照射領域に移動するために使用される。また、処理装置32の制御装置は、制御装置CONTが兼用しており、可動ミラー6の開閉動作は制御装置CONTによって制御される。
次に、図1の露光装置EXにおいて、処理装置32を用いてウエハWのフォトレジストの表面の改質を行うための露光(以下、調整用露光という。)を行う動作の一例につき図2のフローチャートを参照して説明する。この動作は制御装置CONTによって制御される。
先ず、図4のステップ101において、マスクステージMST上にマスクMがロードされ、マスクアライメント系90を用いてマスクMのアライメントが行われる。この状態では、可動ミラー6は、露光光ELを遮光しない位置に退避している。次のステップ102において、ウエハステージWSTのウエハホルダWH上に未露光のウエハWをロードする。このウエハWには、ステップ120においてコータ・デベロッパ(不図示)内でフォトレジストが塗布されている。ウエハWに対してはアライメント系91を用いてアライメントが行われる。
先ず、図4のステップ101において、マスクステージMST上にマスクMがロードされ、マスクアライメント系90を用いてマスクMのアライメントが行われる。この状態では、可動ミラー6は、露光光ELを遮光しない位置に退避している。次のステップ102において、ウエハステージWSTのウエハホルダWH上に未露光のウエハWをロードする。このウエハWには、ステップ120においてコータ・デベロッパ(不図示)内でフォトレジストが塗布されている。ウエハWに対してはアライメント系91を用いてアライメントが行われる。
その後、上述のように露光装置EXを用いて、液浸法でウエハWの各ショット領域にそれぞれマスクMのパターンの像を露光する(ステップ103)。この結果、ウエハWの各ショット領域のフォトレジストPRにおいて、図3(A)のマスクMのコンタクトホールパターン35A〜35Cの像35AP〜35CPの領域が、図3(B)に示すように適正露光量で露光される。次に、ウエハステージWSTを図4のウエハのアンローディング位置A2に移動する(ステップ104)。
図4は、ウエハステージWSTをアンローディング位置A2に移動したときの露光装置EXを示す図である。その後、制御装置CONTは、処理装置32によってウエハWに対して調整用露光を行うかどうかを判定する(ステップ105)。ここでは、マスクMに形成されているパターンがコンタクトホールパターンであるため、調整用露光を行うと判定され、動作はステップ106に移行して、制御装置CONTは、可動ミラー6を露光光源4からの露光光ELの光路上に設置する。なお、この段階では露光光ELの照射は開始されていない。次のステップ107において、制御装置CONTは、露光光源4に所定時間発光を行わせて、処理装置32の調整用露光光学系33を介してウエハWの全面に露光光ELを上記の所定露光量だけ(例えば適正露光量の数%程度)照射する。このようにして、図3(C)に示すように、ウエハWのフォトレジストPRの全面の上部37に調整用露光が行われる。その後、制御装置CONTは可動ミラー6を露光光ELの光路外に退避させる(ステップ108)。
次のステップ109において、図4のウエハローダ系34を介してウエハステージWST上のウエハWのアンロードを行う。なお、ステップ105において、例えばマスクのパターンが主にライン・アンド・スペースパターンのように遮光部の面積と光透過部の面積とが同じ程度のパターンである場合には、必ずしも調整用露光を行う必要はないため、ステップ106〜108の調整用露光を行うことなく、動作はステップ105からステップ109に移動する。次のステップ110において、次の露光対象のウエハがある場合には、動作はステップ102に戻り、次のフォトレジストが塗布されたウエハに対する露光及び調整用露光が行われる。
一方、ステップ109でアンロードされたウエハWは、ステップ130においてコータ・デベロッパ(不図示)に搬送され、一例として定在波効果による変形軽減のために、ウエハWに現像前のベーキングであるPEB(Post-Exposure Bake)を行う。これによって、ウエハWのフォトレジストPRの被露光部、本実施形態では図3(C)の上部37である全面が現像液に対して親和性を持つようになる。
その後、ステップ131において、図3(D)に示すように、ウエハWのフォトレジストPR上に現像液38を供給して、フォトレジストPRの現像を行う。この際に、フォトレジストPRの上部37の全面が現像液38に対して親和性を持つため、現像液38はフォトレジストPRの全面に均一に広がって、適正露光量以上の露光が行われた部分である、コンタクトホールパターンの像35AP〜35CPの部分のレジストが正確に溶解する。そして、ウエハWの上面に、図3(E)に示すように、コンタクトホールパターンの像35AP〜35CPの部分が凹部となったレジストパターンが形成される。その次のステップ132において、図3(E)のレジストパターンをマスクとしてエッチング等によってパターン形成が行われた後、ウエハWは次のプロセスに移行する。
なお、ステップ107の調整用露光が行われない場合には、ステップ131において、図3(D)のウエハW上には露光が行われた上部37が存在しないため、像35AP〜35CPの間のフォトレジストPRが現像液38をはじく性質を保持している。そのため、現像液38は点線38Aで示すように不均一に広がり、最終的に形成されるレジストパターンの精度が低下する恐れがある。
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
(1)本実施形態のウエハの処理装置32は、フォトレジストが塗布され、マスクMのパターンを介して露光されるウエハWを処理する装置であって、ウエハWを保持するウエハステージWSTと、ウエハステージWSTに保持されたウエハWに塗布されたフォトレジストの現像液に対する撥液性を低下させるために、調整用露光を行う調整用露光光学系33(改質装置)とを備えている。
(1)本実施形態のウエハの処理装置32は、フォトレジストが塗布され、マスクMのパターンを介して露光されるウエハWを処理する装置であって、ウエハWを保持するウエハステージWSTと、ウエハステージWSTに保持されたウエハWに塗布されたフォトレジストの現像液に対する撥液性を低下させるために、調整用露光を行う調整用露光光学系33(改質装置)とを備えている。
また、処理装置32による基板処理方法は、ウエハWを保持し(ステップ102)、ウエハWに塗布されたフォトレジストの現像液に対する撥液性を低下させるように、調整用露光を行ってそのフォトレジストを改質するものである(ステップ107)。
従って、遮光部の面積が光透過部の面積に比べて大きいマスクMのパターンを露光する場合に、フォトレジストにトップコートを形成しなくとも、フォトレジストの遮光部に対応する部分(未露光部)の撥液性が低下して、フォトレジストの全面に現像液が均一に広がる。従って、その現像後に得られるパターンの精度が向上する。
従って、遮光部の面積が光透過部の面積に比べて大きいマスクMのパターンを露光する場合に、フォトレジストにトップコートを形成しなくとも、フォトレジストの遮光部に対応する部分(未露光部)の撥液性が低下して、フォトレジストの全面に現像液が均一に広がる。従って、その現像後に得られるパターンの精度が向上する。
なお、遮光部の面積が光透過部の面積に比べてほぼ等しいか、又は小さいマスクのパターンを露光する場合にも、フォトレジストの遮光部に対応する部分の撥液性によって現像液が均一に広がりにくいときには、処理装置32による調整用露光を適用することができ、これによって、その現像後に得られるパターンの精度が向上する。
(2)また、ウエハWに対するその調整用露光の露光量は、現像液に対する撥液性が低下する程度のフォトレジスト表面の改質が行われる露光量であり、例えばフォトレジストの適正露光量の数%程度である。しかしながら、その露光量は、適正露光量の例えば1〜10%程度(1/10以下程度)でもよい。
(2)また、ウエハWに対するその調整用露光の露光量は、現像液に対する撥液性が低下する程度のフォトレジスト表面の改質が行われる露光量であり、例えばフォトレジストの適正露光量の数%程度である。しかしながら、その露光量は、適正露光量の例えば1〜10%程度(1/10以下程度)でもよい。
(3)また、調整用露光光学系33は、一度にウエハWの全面を覆う光束をウエハWに照射できるため、調整用露光を効率的に行うことができる。
(4)また、ステップ107のウエハWに対する調整用露光は、マスクMのパターンを介したウエハWの露光(ステップ103)と、ウエハWの現像(ステップ131)との間に行われることが好ましい。これによって、マスクMのパターンの像を液浸法で露光するときには、ウエハWのフォトレジストは液浸法で使用される液体Lqをはじくため、露光を高精度に行うことができる。
(4)また、ステップ107のウエハWに対する調整用露光は、マスクMのパターンを介したウエハWの露光(ステップ103)と、ウエハWの現像(ステップ131)との間に行われることが好ましい。これによって、マスクMのパターンの像を液浸法で露光するときには、ウエハWのフォトレジストは液浸法で使用される液体Lqをはじくため、露光を高精度に行うことができる。
(5)また、上記の実施形態の露光装置EXは、パターンをフォトレジストが塗布されたウエハW上に形成する露光装置において、露光光ELでマスクMのパターンを介してウエハWを露光する照明光学系ILと、ウエハWのフォトレジストの現像液に対する撥液性を低下させるための処理装置32とを備えている。
また、露光装置EXによる露光方法は、パターンをフォトレジストが塗布されたウエハW上に形成する露光方法において、露光光ELでマスクMのパターンを介してウエハWを露光するステップ103と、処理装置32の処理方法を用いて、ウエハWのフォトレジストの現像液に対する撥液性を低下させるステップ107とを含んでいる。
また、露光装置EXによる露光方法は、パターンをフォトレジストが塗布されたウエハW上に形成する露光方法において、露光光ELでマスクMのパターンを介してウエハWを露光するステップ103と、処理装置32の処理方法を用いて、ウエハWのフォトレジストの現像液に対する撥液性を低下させるステップ107とを含んでいる。
これらの露光方法又は装置によれば、遮光部の面積が光透過部の面積に比べて大きいコンタクトホールのパターン等に対応するパターンをウエハW上に高精度に形成できる。また、調整用露光は、例えばウエハの交換時に極めて短時間に実行できるとともに、フォトレジスト上にトップコートを塗布する工程を省くことができるため、露光工程を簡素化できる。
なお、上記の実施形態では、次のような変形が可能である。
(1)上記の実施形態では、露光光源4から供給される露光光ELを用いてステップ107における調整用露光を行っている。しかしながら、ウエハWのフォトレジストの改質用の調整用露光は、露光光源4とは別の露光光ELとほぼ同じ波長の光を発生する光源からの光を用いて行ってもよい。
(1)上記の実施形態では、露光光源4から供給される露光光ELを用いてステップ107における調整用露光を行っている。しかしながら、ウエハWのフォトレジストの改質用の調整用露光は、露光光源4とは別の露光光ELとほぼ同じ波長の光を発生する光源からの光を用いて行ってもよい。
さらに、ウエハWのフォトレジストの撥液性を低下させるための改質用の調整用露光は、露光光ELとほぼ同じ波長又は波長域の光で行う必要は必ずしもない。即ち、その調整用露光は、フォトレジストが或る程度感光される波長域の光、例えば安価な紫外線ランプからの紫外光を用いて、そのフォトレジストが適正露光量の数%程度の露光量で感光される露光時間だけ照射して行ってもよい。
(2)また、上記の実施形態では、調整用露光光学系33によってウエハWの全面を一度に照射している。しかしながら、調整用露光光学系33によって、例えばウエハWのY方向の最大の幅と同じ幅でX方向に狭い幅のスリット状の照明領域を照明し、この照明領域でウエハWを照明しつつ、ウエハステージWSTでウエハWをX方向に走査して、ウエハWの全面に調整用露光を行うようにしてもよい。
(3)上記の実施形態のウエハWの処理装置32は露光装置EXの一部であるが、ウエハWのフォトレジストの改質を行うための処理装置を、露光装置EXとインライン接続されるように、独立の装置として配置してもよい。この場合には、一例として、例えばウエハWが搬送系によって搬送されているときに、スリット状の照明領域の光を用いてウエハWの全面を走査露光して、その調整用露光を行ってもよい。
(4)また、そのウエハWのフォトレジストの改質を行うための処理装置を、図5に示すように、コータ・デベロッパ内に設置してもよい。
図5はコータ・デベロッパの概略構成を示す。図5において、コータ・デベロッパ部50において、ウエハに対するフォトレジストの塗布、及び露光後のそのフォトレジストの現像が行われる。また、コータ・デベロッパ部50に近接して、ウエハの処理装置32Aが配置されている。処理装置32Aは、ウエハWのフォトレジストPRを感光させる紫外光EL1を発生する紫外線ランプ33Cと、その発生した紫外光EL1を、図5の紙面に垂直な方向でウエハWの最大幅よりも広い幅で図5の紙面に平行な方向の幅がその最大幅の数分の1程度のスリット状の照明領域51に集光する集光レンズ33Dと、ウエハWを不図示の露光装置とコータ・デベロッパ部50との間で搬送する搬送系34Aとを備えている。
図5はコータ・デベロッパの概略構成を示す。図5において、コータ・デベロッパ部50において、ウエハに対するフォトレジストの塗布、及び露光後のそのフォトレジストの現像が行われる。また、コータ・デベロッパ部50に近接して、ウエハの処理装置32Aが配置されている。処理装置32Aは、ウエハWのフォトレジストPRを感光させる紫外光EL1を発生する紫外線ランプ33Cと、その発生した紫外光EL1を、図5の紙面に垂直な方向でウエハWの最大幅よりも広い幅で図5の紙面に平行な方向の幅がその最大幅の数分の1程度のスリット状の照明領域51に集光する集光レンズ33Dと、ウエハWを不図示の露光装置とコータ・デベロッパ部50との間で搬送する搬送系34Aとを備えている。
図5のコータ・デベロッパは、ウエハW上に塗布されてパターンを介して露光されたフォトレジストを現像する現像装置であって、フォトレジストを現像する前に、フォトレジストの現像液に対する撥液性を低下させるために、処理装置32Aを備えているともみなすことが可能である。
この場合、露光装置で露光されたウエハWを搬送系34Aでコータ・デベロッパ部50に搬送する際に、紫外線ランプ33Cを発光させて、ウエハWの全面を紫外光EL1の照明領域51で走査することによって、現像液に対する撥液性が低下するようにウエハWのフォトレジストを改質できる。従って、その後のフォトレジストの現像を良好に行うことができる。
この場合、露光装置で露光されたウエハWを搬送系34Aでコータ・デベロッパ部50に搬送する際に、紫外線ランプ33Cを発光させて、ウエハWの全面を紫外光EL1の照明領域51で走査することによって、現像液に対する撥液性が低下するようにウエハWのフォトレジストを改質できる。従って、その後のフォトレジストの現像を良好に行うことができる。
(5)上記の実施形態では、フォトレジストがポジ型で、かつPEBが行われているが、PEBが行われない場合にも本発明が適用できる。さらに、フォトレジストがネガ型の場合にも本発明が適用できる。
(6)また、上記の実施形態では、ウエハWのフォトレジストの撥液性を低下させるための改質を調整用露光光学系33等から調整用露光を行うことで行っている。しかしながら、そのフォトレジストの改質を、図6に示す洗浄装置40を用いて、ウエハWの露光後で現像前の洗浄(ポストリンス)時に行うようにしてもよい。
(6)また、上記の実施形態では、ウエハWのフォトレジストの撥液性を低下させるための改質を調整用露光光学系33等から調整用露光を行うことで行っている。しかしながら、そのフォトレジストの改質を、図6に示す洗浄装置40を用いて、ウエハWの露光後で現像前の洗浄(ポストリンス)時に行うようにしてもよい。
図6において、洗浄装置40は、露光後のウエハWを吸着保持して回転する回転部41と、ウエハWの上面の中央にノズル44を介して洗浄液を供給する洗浄液供給装置42と、ノズル44に調整バルブ46付きの配管45を介して界面活性剤を供給する界面活性剤供給装置43とを備えている。そして、図1の露光装置EXによって液浸法で露光が行われたウエハWを図6の回転部41によって回転しつつ、洗浄液供給装置42及び界面活性剤供給装置43から、ノズル44を介して洗浄液及び界面活性剤の混合液47をウエハWの中央に供給する。このとき、混合液47は、矢印48で示すようにウエハWのフォトレジストPR上を外側に広がってウエハWを効率的に洗浄する。また、界面活性剤の作用によってフォトレジストPRの現像液に対する撥液性が低下するようにフォトレジストPRの表面の改質が行われるため、その後の現像によってレジストパターンを高精度に形成できる。
また、上記の実施形態の露光装置EX又は露光方法を用いて半導体デバイス等の電子デバイス(又はマイクロデバイス)を製造する場合、電子デバイスは、図7に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいてマスク(レチクル)を製作するステップ222、デバイスの基材である半導体等の部材を製造しその上にレジストを塗布して基板(ウエハ)を製造するステップ223、前述した実施形態の露光装置又は露光方法によりマスクのパターンを基板(感光基板)に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱(キュア)及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。
言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置又は露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成された基板を現像すること(ステップ224)とを含んでいる。この際に、上記の実施形態によれば、トップコートの塗布工程を省略して、レジストパターンを高精度に形成できるため、低コストで高精度に電子デバイスを製造できる。
なお、本発明は、上述の走査露光型の露光装置で露光する場合の他に、ステッパー等の一括露光型の露光装置で露光する場合にも適用できる。さらに、本発明は、ドライ露光型の露光装置、又はプロキシミティ方式の露光装置等で露光する場合にも同様に適用することができる。
本発明をドライ型の露光装置に適用する場合には、ウエハのフォトレジストの現像液に対する撥液性を低下させるための改質(例えば調整用露光)は、ウエハ上にマスクのパターンを介して露光を行う前に行うようにしてもよい。この場合にも、フォトレジストの現像を良好に行うことができるため、レジストパターンを高精度に形成できる。
本発明をドライ型の露光装置に適用する場合には、ウエハのフォトレジストの現像液に対する撥液性を低下させるための改質(例えば調整用露光)は、ウエハ上にマスクのパターンを介して露光を行う前に行うようにしてもよい。この場合にも、フォトレジストの現像を良好に行うことができるため、レジストパターンを高精度に形成できる。
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、MEMS(Microelectromechanical Systems)、及びDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の露光工程にも適用することができる。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
M…マスク、MST…マスクステージ、PL…投影光学系、W…ウエハ、WST…ウエハステージ、WT…ウエハテーブル、CONT…制御装置、4…露光光源、6…可動ミラー、10…液体供給機構、20…液体回収機構、32,32A…処理装置、33…調整用露光光学系
Claims (17)
- 感光材料が塗布され、パターンを介して露光される基板を処理する装置であって、
前記基板を保持する保持機構と、
前記保持機構で保持された前記基板に塗布された前記感光材料の現像液に対する撥液性を低下させる改質装置と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記改質装置は、前記基板の前記感光材料の全面に適正露光量の1〜10%の露光量の光を照射する照射装置を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記照射装置は、前記基板の全面を覆う光束を前記基板に照射する光学系を含むことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記改質装置は、前記基板の前記感光材料を界面活性剤入りの洗浄液を用いて洗浄する洗浄装置を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記改質装置は、前記基板が前記パターンを介して露光された後で、前記基板の前記感光材料の現像が行われるまでの間に、前記感光材料の前記現像液に対する撥液性を低下させることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記パターンは、光透過部の面積が遮光部の面積よりも小さいことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 請求項1から6のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記感光材料が塗布された前記基板をパターンを介して露光する露光装置と、前記基板の前記感光材料を現像する現像装置との間に配置されることを特徴とする基板処理装置。 - 感光材料が塗布され、パターンを介して露光される基板を処理する方法であって、
前記基板を保持し、
前記基板に塗布された前記感光材料の現像液に対する撥液性を低下させるように前記感光材料を改質することを特徴とする基板処理方法。 - 前記感光材料を改質するために、前記基板の前記感光材料の全面に適正露光量の1〜10%の露光量の光を照射することを特徴とする請求項8に記載の基板処理方法。
- 前記感光材料を改質するために、前記基板の前記感光材料を界面活性剤入りの洗浄液を用いて洗浄することを特徴とする請求項8に記載の基板処理方法。
- 基板上に塗布されてパターンを介して露光された感光材料を現像する現像装置において、
前記感光材料を現像する前に、前記感光材料の現像液に対する撥液性を低下させるために、請求項1から6のいずれか一項に記載の基板処理装置を備えることを特徴とする現像装置。 - パターンを感光材料が塗布された基板上に形成する露光装置において、
露光光でパターンを介して前記基板を露光する照明系と、
前記基板の前記感光材料の現像液に対する撥液性を低下させるために用いられる、請求項1から6のいずれか一項に記載の基板処理装置と、
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記露光光で前記パターンを介して前記基板を露光する際に、前記基板上に前記露光光を透過する液体を供給する液体供給機構を備えることを特徴とする請求項12に記載の露光装置。
- 請求項12又は13に記載の露光装置を用いて、感光材料が塗布された基板を露光することと、
前記基板の前記感光材料を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - パターンを感光材料が塗布された基板上に形成する露光方法において、
露光光でパターンを介して前記基板を露光する工程と、
請求項8から10のいずれか一項に記載の基板処理方法を用いて、前記基板の前記感光材料の現像液に対する撥液性を低下させる工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。 - 前記露光光で前記パターン及び前記露光光を透過する液体を介して前記基板を露光することを特徴とする請求項15に記載の露光方法。
- 請求項15又は16に記載の露光方法を用いて、感光材料が塗布された基板を露光することと、
前記基板の前記感光材料を現像することと、を含むデバイス製造方法。
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JP2009000444A JP2010157671A (ja) | 2009-01-05 | 2009-01-05 | 基板処理装置、現像装置、並びに露光方法及び装置 |
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JP2015144179A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
-
2009
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WO2015115166A1 (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
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