JP2015144179A - 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レジスト塗布処理、現像処理、熱処理等の処理を行う処理ステーション11と、EUV光によってウェハWのレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置15との間に、パターンのEUV露光が行なわれた後のウェハW上のレジスト膜に対して、UV光によるポスト露光を行う光照射装置102を有すポスト露光ステーション13と、制御部300を有している。制御部300は、ウェハ検査装置71の検査結果に基づいて、露光量または熱処理における加熱温度の少なくともいずれかを補正する。
【選択図】図1
Description
光照射部121を各光源120ごとに露光出力を増減させるように構成することで、所定の領域についてのみさらに露光量を調整することができる。なお、図9では、光照射部121をウェハWに対して相対的に移動させる移動機構122を描図しているが、例えば光照射部121を固定しておき、例えば載置台104に移動機構を設けてウェハWを光照射部121に対して相対的に移動させるようにしもよい。
10 カセットステーション
11 処理ステーション
12、14 インターフェイスステーション
13 ポスト露光ステーション
15 露光装置
20 カセット載置台
21 カセット載置板
22 搬送路
23 ウェハ搬送装置
30 下部反射防止膜形成装置
31 レジスト塗布装置
32 上部反射防止膜形成装置
33 現像処理装置
40 熱処理装置
41 アドヒージョン装置
42 周辺露光装置
70 ウェハ搬送機構
71、72 ウェハ検査装置
80 ウェハ搬送機構
90 ウェハ搬送機構
100、111 ロードロック室
102 光照射装置
300 制御部
W ウェハ
D ウェハ搬送領域
C カセット
Claims (13)
- 基板を処理する基板処理システムであって、
基板に現像処理及び加熱処理を行う複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、
前記基板処理システムの外部に設けられて基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置と、前記基板処理システムの間で、基板を受け渡すインターフェイスステーションと、
前記露光装置でパターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、UV光によるポスト露光を行う光照射装置と、
前記光照射装置によってポスト露光され、その後現像処理された基板を検査する検査装置と、
前記検査装置での基板の検査結果に基づいて、前記処理ステーションでの基板の加熱処理における加熱温度、前記露光装置でのフォーカス若しくは露光量、前記光照射装置での露光量、又は前記光照射装置で用いるUV光の波長のうち、少なくともいずれかを補正する制御部と、を有することを特徴とする、基板処理システム。 - 複数の基板を一時的に収容する基板載置部と、
前記処理ステーション内の各処理装置と前記基板載置部との間で基板を搬送する基板搬送機構と、を有し、
前記制御部は、前記基板載置部での収容時間を調整することで、前記露光装置での露光の終了から前記処理ステーションでの加熱処理の開始までの時間を、複数の基板相互間で一定にするように、前記基板搬送機構を制御することを特徴とする、請求項1に記載の基板処理システム。 - 前記光照射装置は、
基板の直径より短い複数の光源を、基板の基板の一端側から基板の他端側に向けて基板の直径以上の長さにわたって直線上に並べて設けられた光照射部と、
前記光照射部と基板を、前記光照射部と直交する方向に相対的に移動させる移動機構と、を有することを特徴とする、請求項1または2のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記光照射装置は、前記インターフェイスステーションと前記露光装置との間に設けられていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記露光装置は、EUV光により基板上のレジスト膜にパターンの露光を行うことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 基板を処理する基板処理システムにおける基板処理方法であって、
前記基板処理システムは、
基板に現像処理及び加熱処理を行う複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、
前記基板処理システムの外部に設けられて基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置と、前記基板処理システムの間で、基板を受け渡すインターフェイスステーションと、
前記露光装置でパターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、UV光によるポスト露光を行う光照射装置と、
前記光照射装置によってポスト露光され、その後現像処理された基板を検査する検査装置と、を有し、
前記基板処理方法は、
前記露光装置で基板上のレジスト膜にパターンの露光を行い、
前記光照射装置で基板上の露光後のレジスト膜に対してポスト露光を行い、
前記処理ステーションでポスト露光後の基板に対して加熱処理と現像処理を行い、
前記検査装置での基板の検査を行い、当該検査結果に基づいて、前記処理ステーションでの基板の加熱処理における加熱温度、前記露光装置でのフォーカス若しくは露光量、前記光照射装置での露光量、又は前記光照射装置で用いるUV光の波長のうち、少なくともいずれかを補正することを特徴とする、基板処理方法。 - 前記基板処理システムは、複数の基板を一時的に収容する基板載置部と、前記処理ステーション内の各処理装置と前記基板載置部との間で基板を搬送する基板搬送機構と、を有し、
前記基板載置部での収容時間を調整することで、前記露光装置での露光の終了から前記処理ステーションでの加熱処理の開始までの時間を、複数の基板相互間で一定にすることを特徴とする、請求項6に記載の基板処理方法。 - 前記光照射装置は、基板の直径より短い複数の光源を、基板の基板の一端側から基板の他端側に向けて基板の直径以上の長さにわたって直線上に並べて設けられた光照射部を有し、
前記光照射部と基板を、前記光照射部と直交する方向に相対的に移動させることによりポスト露光を行うことを特徴とする、請求項6または7のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記露光装置でのパターン露光は、EUV光により行われることを特徴とする、請求項6〜8のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- レジスト膜が形成された基板を処理する基板処理方法であって、
基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光工程と、
前記パターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、UV光によるポスト露光を行うポスト露光工程と、
ポスト露光後の基板に対して加熱処理を行う加熱処理工程と、
加熱処理後のレジスト膜を現像して基板上にレジストパターンを形成する現像処理工程と、
現像処理後の基板上のレジストパターンを検査する検査工程と、を有し、
前記基板の検査結果に基づいて、前記加熱処理工程における基板の加熱温度、前記露光工程におけるフォーカス若しくは露光量、前記ポスト露光工程での露光量、又は前記ポスト露光工程で用いるUV光の波長のうち、少なくともいずれかを補正することを特徴とする、基板処理方法。 - 前記露光工程では、EUV光によりパターンの露光が行われることを特徴とする、請求項10に記載の基板処理方法。
- 請求項6〜9のいずかに記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項12に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
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